三安光電-LED行業觸底mini LED及集成等業務布局多輪驅動逐步兌現-210716（35頁）.pdf

1、氮化鎵：電力電子器件應用為主，受益5G 發展，快充及基站領域需求增速快由于氮化鎵禁帶寬度是硅的3 倍、熱導率是硅的2 倍，使得GaN 器件可在200以上的高溫下工作，能夠承載更高的能量密度，可靠性更高，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。其產業鏈各環節主要是襯底、材料外延、器件設計與制造及下游應用。目前產業以IDM 企業為主，但是設計與制造環節已經開始出現分工。在上游襯底方面，氮化鎵襯底大部分由日本公司生產，包括住友電工(超過90%)、三菱化學等。GaN 外延片相關企業主要有比利時的EpiGaN、英國的IQE、日本的NTTAT。GaN 器件設計廠商方面，美國的EPC、

2、MACOM、Transphom，德國的Dialog 等為主要參與者。IDM 企業中日本的住友電工與美國的Cree 為行業龍頭，市場占有率均超過30%。GaN 射頻器件價格略有上漲，但與Si 基器件的價差逐漸縮小，有助于GaN 射頻器件滲透率的提升。從 Mouser 數據來看，RF GaN HEMT 的價格微漲，產品平均價格為23.89 元/W，較去年增長約 3.44%。 從 2018 年底至今，RF GaN HEMT 與 Si LDMOS的價差持續縮小，到 2020 年兩者均價的價差已經縮小到 2 倍以內。GaN 電力電子器件在消費電子 PD 快充市場爆發。據充電頭網數據，2020 年有10家手機廠推出18 款氮化鎵快充，小米、聯想、OPPO、三星等品牌已經將氮化鎵快充作為標配。GaN 電力電子器件具有高開關頻率、高能量密度和高能量轉換效率的特點，能夠使GaN PD 快充實現更高功率、更小體積和更高轉換效率。我們認為，GaN 已逐步成為主流快充技術，芯片企業紛紛推出相應GaN 芯片，未來快充技術將從手機產品延伸至筆電等其他消費電子中。根據CASA Research 預測，2020 年國內PD 快充GaN 電力電子器件市場規模1.5 億元，預計2025 年超過40 億元，年復合增速97%，折算晶圓需求約67.4 萬片。