三個皮匠報告
政策庫
new
付費
搜索
5G之射頻前端：三維度下的三改變（25頁）.pdf 報告預覽

5G之射頻前端：三維度下的三改變（25頁）.pdf

編號：51920 PDF 25頁 3.02MB 下載積分：VIP專享
下載報告請您先登錄！

5G之射頻前端：三維度下的三改變（25頁）.pdf

5G帶來的工藝改變在基站側與終端側也不一致，GaN有望成為基站射頻的主流技術。終端側，GaAs技術由于成熟度高，性能足夠且成本較低，5G時代也將占據主流地位;而基站側，GaN技術有望成為PA的主流技術。相較于基于Si的橫向擴散金屬氧化物半導體(Si LDMOS)和GaAs，在基站端GaN射頻器件更能有效滿足5G的高功率、高通信頻段和高效率等要求。當頻率擴展到Sub-6GHZ，適用于3GHZ以下的LDMOS不再滿足5G規范，GaN PA(以及部分LNA等)更有可能成為基站建設的主力。根據Yole估計，大多數低于6GHz的宏網絡單元實施將使用GaN器件，到2023年，GaN RF器件市場規模達到13億美元。GaN在基站建設成本上亦有很大下降潛力。以基站的相控天線陣列為例，其成本包括射頻元件、PCB和天線本身，使用GaN前端可以使天線陣列大小減小8倍，也能大大減少相應的材料成本。僅分析射頻元件，目前在4英寸SiC晶圓上制備的GaN材料是8英寸SiGe的4.5倍，隨著6英寸GaN產線的大批量投產，GaN成本有望下降至SiGe的3倍。兩種工藝的成本比較如表。與全SiGe結構相比，6英寸GaN技術可以節省35%的整體原材料成本。在SiGe工藝下，雖然每臺設備的與硅相關的成本較低，但是整體系統成本要高很多。

友情提示

1、下載報告失敗解決辦法
2、PDF文件下載后，可能會被瀏覽器默認打開，此種情況可以點擊瀏覽器菜單，保存網頁到桌面，就可以正常下載了。
3、本站不支持迅雷下載，請使用電腦自帶的IE瀏覽器，或者360瀏覽器、谷歌瀏覽器下載即可。
4、本站報告下載后的文檔和圖紙-無水印,預覽文檔經過壓縮，下載后原文更清晰。

本文（5G之射頻前端：三維度下的三改變（25頁）.pdf）為本站 （staaten） 主動上傳，三個皮匠報告文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理，對上載內容本身不做任何修改或編輯。 若此文所含內容侵犯了您的版權或隱私，請立即通知三個皮匠報告文庫（點擊聯系客服），我們立即給予刪除！

溫馨提示：如果因為網速或其他原因下載失敗請重新下載，重復下載不扣分。
相關報告
聯系我們
  • 0731-84720580
  • sgpjbg002
  • 工作日 9:30 - 18:00
關于我們
侵權處理
關于我們

三個皮匠報告專業的行業報告下載站，每日更新，歡迎大家關注！

copyright@2008-2013 長沙景略智創信息技術有限公司版權所有
網站備案/許可證號：湘B2-20190120

客服
商務合作
小程序
服務號
折疊
午夜网日韩中文字幕,日韩Av中文字幕久久,亚洲中文字幕在线一区二区,最新中文字幕在线视频网站