科技行業先鋒系列報告237：Wolfspeed全球第三代半導體材料及器件提供商-20211210（36頁）.pdf

1、科技先鋒系列科技先鋒系列報告報告237 Wolfspeed：全球第三代半導體材料及器件提供商全球第三代半導體材料及器件提供商 中信證券研究部中信證券研究部 前瞻研究前瞻研究 2021.12.10 功率產品功率產品 射頻產品射頻產品 SiC&GaNSiC&GaN材料材料 1 I.Wolfspeed：公司簡介：公司簡介 II.碳化硅：行業發展及競爭格局碳化硅：行業發展及競爭格局 III.Wolfspeed：公司在碳化硅領域中的產品布局及優勢：公司在碳化硅領域中的產品布局及優勢 kUjWcZiYcXdWxPvNyQzR9P8QaQsQoOtRoPlOoPoMkPmNpPaQpOrRuOrRqQxNt

2、PsR 2 2 Wolfspeed：公司概述：公司概述 資料來源：公司官網 Wolfspeed：專注于碳化硅：專注于碳化硅&氮化鎵的半導體公司氮化鎵的半導體公司 Wolfspeed，原名CREE (科瑞)，成立于1987年，總部位于美國北卡羅來納州，是第三代 半導體行業 (即寬帶隙半導體) 的全球領軍企業。 目前公司專注于碳化硅和氮化鎵碳化硅和氮化鎵材料材料、功率功率和射頻和射頻 (RF) 器件器件的生產制造與銷售。 3 3 Wolfspeed：公司發展歷史，起源于：公司發展歷史，起源于LED&照明業務照明業務 資料來源：公司官網，中信證券研究部 Wolfspeed發展歷史：早期切入發展歷史：

3、早期切入LED&照明業務照明業務 Wolfspeed是目前全球最大的SiC襯底制造商，公司成立于1987年，并于1993年納斯達克 上市。創始人曾在北卡羅來納州立大學從事SiC物理特性相關科研工作。 公司技術最初商業化應用場景為LED，小部分產品進入軍用和航空航天領域，后進入照明 市場。 1987年，公司成立，全球總部位于美國北卡羅萊納州 1989年，推出了全球第一個藍色LED 1991年，發布了世界上第一個商用碳化硅晶圓 1993年，公司在納斯達克上市（代碼：CREE） 1998年，創建首個SiC基底GaN HEMT，為大功率應用提供增強的信號 1999年，推出InGaN藍色和綠色LED 2

4、000年，首次展示了具有創紀錄功率密度的GaN MMIC 2002年，發布首個600V商業SiC JBS肖特基二極管 2002年，推出XBright功率芯片 2006年，推出業界首個照明級LED；推出用于一般照明應用的EZBright1000LED芯片 2009年，推出首批IPx5級SMD LED用于視頻屏幕 2011年，收購 Ruud Lighting，擴大銷售渠道，引領了新一代照明級LED組件 2012年，宣布了XLamp XT-E，據稱其照明的光價格是舊LED的兩倍 初創階 段 切入 LED應 用領域 切入照 明應用 領域 4 4 Wolfspeed：目前聚焦于第三代：目前聚焦于第三代化

5、合物化合物半導體半導體 資料來源：公司官網，中信證券研究部 Wolfspeed發展歷史發展歷史：目前聚焦于第三代化合物半導體：目前聚焦于第三代化合物半導體 近年來，公司戰略不斷發生變化，并于2021年10月將公司名稱由CREE更改為Wolfspeed， 加大在第三代化合物半導體領域中的布局。 Wolfspeed是Cree旗下主營第三代化合物半導體業務的子公司。 2019年公司出售照明業務。 2020年10月宣布出售LED業務。 2014年，公司成為美國國防部GaN代工廠 2015年，展示6英寸SiC晶圓 2018 年 3 月， 宣布以 3.45 億歐元收購英飛凌技術股份公司的 RF 電源業務

6、2019年5月，出售其CREE照明產品部門給Ideal工業公司 2020 年 10 月，宣布以高達 3 億美元將 LED 業務出售給SMART Global Holdings 2021年10月8日，公司宣布正式將名稱有CREE更名為Wolfspeed 先后出售 照明業務、 LED業務， 聚焦于第 三代化合 物半導體 5 5 Wolfspeed：主營業務構成：主營業務構成 資料來源：公司官網，中信證券研究部繪制 公司主營業務產品主要包括：材料、功率器件、射頻器件三大部分公司主營業務產品主要包括：材料、功率器件、射頻器件三大部分 目前目前，公司主營業務產品主要包括：材料公司主營業務產品主要包括：材

7、料、功率器件功率器件、射頻器件三大部分射頻器件三大部分。 材料材料：主要包括碳化硅材料（包括晶圓片、外延片）、氮化鎵材料（基于碳化硅襯底長出的氮化鎵 外延片）。 功率功率器件器件：主要包括碳化硅肖特二極管、MOSFET、功率模塊、柵極驅動器坂。 射頻器件射頻器件：基于氮化鎵的芯片、高電子遷移率晶體管 HEMT、單片微波集成電路 MMIC、橫向擴散 MOSFET LDMOS 功率晶體管等。 功率產品功率產品 (Power)射頻產品射頻產品 (RF) 碳化硅晶圓片、外延片 基于碳化硅襯底長出來的氮化鎵外延片 碳化硅肖特基二極管 半導體場效應晶體管 MOSFET 功率模塊和柵極驅動器板 基于氮化鎵的

8、芯片 高電子遷移率晶體管 HEMT 單片微波集成電路 MMIC 橫向擴散MOSFET LDMOS 功率晶體管 半導體材料產品半導體材料產品 (SiC + GaN) 6 6 公司營收（百萬美元）公司營收（百萬美元） Wolfspeed：主營業務構成：主營業務構成 資料來源：Bloomberg，中信證券研究部 公司營收構成（公司營收構成（%） 221.2 328.6 538.2 470.7 525.6 0 500 1000 1500 2000 FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021 WolfspeedLED產品照明業務 15% 22% 50% 52% 100% 0% 20%

9、40% 60% 80% 100% FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021 WolfspeedLED產品照明業務 7 7 Wolfspeed：毛利率：毛利率 46.8% 48.2% 48.1% 39.2% 31.3% 30.0% 35.0% 40.0% 45.0% 50.0% FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021 資料來源：Bloomberg，中信證券研究部 Wolfspeed毛利率毛利率(%) 近些年來近些年來，公司毛利率連續下降公司毛利率連續下降，主要原因是：主要原因是：1）受新冠疫情影響產能利用率降低；受新冠疫情影響產能利用率降低；2）工廠技術

10、升工廠技術升 級導致成本降低級導致成本降低。 與2020財年相比，2021財年的毛利率出現下降，主要原因是：不利的產品組合轉變、更高的工廠成 本（增加產能建設）。 與2019財年相比，2020財年毛利潤和毛利率下降，主要原因是：客戶和產品組合的變化，工廠和技 術轉型帶來的成本上升。 8 8 資料來源：Bloomberg，中信證券研究部 公司凈利潤（百萬美元）及凈利率公司凈利潤（百萬美元）及凈利率 Wolfspeed：凈利潤：凈利潤 -120.0% -100.0% -80.0% -60.0% -40.0% -20.0% 0.0% -600 -500 -400 -300 -200 -100 0 F

11、Y2017FY2018FY2019FY2020FY2021 9 I.Wolfspeed：公司簡介：公司簡介 II.碳化硅：行業發展及競爭格局碳化硅：行業發展及競爭格局 III.Wolfspeed：公司在碳化硅領域中的產品布局及優勢：公司在碳化硅領域中的產品布局及優勢 1010 半導體產業鏈：材料是半導體產業鏈的起點半導體產業鏈：材料是半導體產業鏈的起點 資料來源：車東西 1111 碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體材料：具有更 高飽和漂移速度和更高的臨界擊穿電壓等優點， 且擁有體積小、污染少、運行損耗低等經濟和 環保效益 碳化硅：耐高溫、高雅、高頻，多用于高 壓場合，智能電網、軌道交通等領域。 氮化

12、鎵：低導通損耗、高電流密度，可顯 著減少電力損耗和散熱負載，多用于變頻 器、 變壓器、無線充電、5G等領域。 第三代半導體材料與第一代、第二代半導體材料參數對比第三代半導體材料與第一代、第二代半導體材料參數對比 第三代半導體材料：碳化硅第三代半導體材料：碳化硅&氮化鎵氮化鎵 資料來源：CSDN，中信證券研究部 GaN適用于高頻中功率、適用于高頻中功率、GaAs適用于高頻低功率適用于高頻低功率 半導體半導體材料材料 禁帶寬度禁帶寬度 （eV） 電子遷移率電子遷移率 （cm2/V S） 電子飽和漂移電子飽和漂移 速度（速度（107cm/s） 熔點熔點 （oC） 熱導率熱導率 （W/cm K） 第一

13、代Si1.12150011751.5 第二代GaAs1.43850013500.46 第三代 SiC3.26100026004.9 GaN3.4512502.28001.3 禁帶寬度越大，越耐高 壓和高溫 電子遷移率越高，可通 過電流越大 電子飽和漂移速度越快， 可工作頻率越高，高頻 性能越好 熱導率越高，散熱性能 越好 1212 碳化硅碳化硅：與硅基材料相比，具備體積小、能量損耗低等優點：與硅基材料相比，具備體積小、能量損耗低等優點 資料來源：第三代半導體產業觀察 半導體材料性能、器件性能以及系統性能之間的關系半導體材料性能、器件性能以及系統性能之間的關系 與硅基材料相比，碳化硅體積器件體積

14、更小、能量損耗相對更小，進而降低成本。 碳化硅的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。 與硅基模塊相比，碳化硅二極管及開關管組成的模塊（全碳模塊），不僅具有碳化硅材 料本征特性優勢，還可以縮小模塊體積50%以上、消減電子轉換損耗80%以上，從而降 低綜合成本。 1313 碳化硅：產業鏈碳化硅：產業鏈&主要玩家主要玩家 碳 化 硅 晶 片 導電型 半絕緣型 碳化硅外延 氮化鎵外延 新能源汽車、 家電、工業等 功率器件 微波射頻 器件 5G通訊等 襯底晶圓片襯底晶圓片外延片外延片碳化硅器件碳化硅器件應用應用 交通航運 風力、太陽能 資料來源：Yole、Logo來自各公司

15、官網，中信證券研究部 天科合達天科合達 1414 碳化硅：下游主要應用場景碳化硅：下游主要應用場景 資料來源：第三代半導體產業技術創新戰略聯盟 碳化硅下游主要應用場景碳化硅下游主要應用場景 目前目前，碳化硅器件的主要應用場景包括：碳化硅器件的主要應用場景包括：5G基站基站、新能源汽車充電樁新能源汽車充電樁、數據中心數據中心、特高壓特高壓、高鐵高鐵&城際交通等領域城際交通等領域 通信通信電源電源：a）碳化硅MOSFET的高頻特性使得電源電路中的磁性單元體積更小、重量更輕，電源整體效率更高；b） 碳化硅肖特基二極管反向恢復幾乎為零的特性使其在許多PFC電路中具有廣闊的應用前景。 新能源充電樁新能源

16、充電樁：在充電樁電源模塊中使用碳化硅器件，可以實現充電樁電源模塊的高效化和高功率化，進而實現充電 速度的提升和充電成本的降低。 數據中心服務器電源數據中心服務器電源：碳化硅器件可以提升服務器電源的功率密度和效率，整體上縮小數據中心的體積，實現數據中 心整體建設成本的降低，同時實現更高的環保效率。 特高壓特高壓：使用傳統硅基器件設計直流斷路器需要多級子單元串聯，在直流斷路器中使用高電壓碳化硅器件可以大大減 少串聯子單元數量，是行業研究的重點方向。 城際高鐵和城際軌道交通城際高鐵和城際軌道交通：碳化硅器件可以實現設備進一步高效率化和小型化，在軌道交通方面具有巨大的技術優勢。 5G基站通信電源 新能

17、源汽車充電樁充電樁電源模塊 數據中心服務器電源 特高壓應用柔性輸電直流斷路器 城際高鐵和城際軌道交通牽引變流器、電力電子變壓器、 輔助變流器、輔助電源 1515 碳化硅襯底按導電性分為導電和半絕緣型碳化硅襯底按導電性分為導電和半絕緣型，按主流尺寸分為按主流尺寸分為4英寸和英寸和6英寸英寸 碳化硅碳化硅產業產業鏈鏈上游：襯底上游：襯底 0 10 20 30 40 50 20172020E2025E2030E 4英寸導電型6英寸導電型 SiC導電型襯底全球市場規模導電型襯底全球市場規模 (萬片萬片)SiC半絕緣型襯底全球市場規模半絕緣型襯底全球市場規模 (萬片萬片) 0 5 10 15 20 25

18、 20172020E2025E2030E 4英寸半絕緣6英寸半絕緣 資料來源：公司官網，Yole、HIS market（含預測），中信證券研究部 SiC襯底全球市場襯底全球市場規模：規模：2024年為年為11億美元億美元SiC襯底市場競爭格局襯底市場競爭格局 Wolf speedRohmII-VIShowa Denko 天科合達山東天岳其他 1616 資料來源：中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟（含預測）、頭豹研究院，中信證券研究部 SiCSiC外延片出貨量（百萬外延片出貨量（百萬）及預測，對應增速為及預測，對應增速為18%18% 碳化硅產業碳化硅產業鏈中游：外延片鏈中游：外延片 0 5 10

19、 15 20 25 20192020E2021E2022E2023E2024E2025E 1717 碳化硅晶片主要制成器件包括射頻和功率碳化硅晶片主要制成器件包括射頻和功率 器件器件。未來功率器件增速快于射頻器件未來功率器件增速快于射頻器件。 Yole預計2025年碳化硅射頻器件全球市 場規?？蛇_250億美元，2018至2025年 GAGR為8%。 Yole預計2025年碳化硅功率器件全球市 場規?？蛇_25.6億美元，2019年至2025 年CAGR為29.5%。 資料來源：Yole（含預測），中信證券研究部 SiC功率器件功率器件全球市場規模全球市場規模 (億美元億美元) 碳化硅產業碳化硅產

20、業鏈鏈下下游：射頻器件游：射頻器件&功率器件功率器件 150 250 0 50 100 150 200 250 300 20182025E CAGR=8% SiC射頻器件全球市場規模射頻器件全球市場規模 (億美元億美元) 0 500 1000 1500 2000 2500 3000 20192025 xEV（主逆變器+OBC+DC/DC換流器）太陽能光伏+儲能系統xEV充電裝置 PFC/電源供應鐵路電動機 UPS其他（風能、國防、研發等） E 1818 SiC器件相較于傳統硅基器件價格仍然偏高。CASA&Mouser數據顯示： 從襯底角度來看，受碳化硅生長速度較慢影響，一片6寸的碳化硅晶圓價格

21、在1000美元 以上，是同尺寸硅晶圓價格的20 倍以上。因此襯底占據了碳化硅器件近一半的成本。 SiC器件與傳統產品價差正在持續縮小，顯著提高SiC器件的替代速度。 SiC SBD 實際成交價與硅器件價差已經縮小至 22.5 倍之間。 SiC MOSFET 降價明顯，與硅器件價差收窄到 2.53 倍之間。 資料來源：CASA，中信證券研究部資料來源：Mouser，CASA，中信證券研究部 SiC器件成本構成器件成本構成SiC MOSFET 平均價格（單位：平均價格（單位：元元/A） 碳化硅產業鏈下游碳化硅產業鏈下游：器件價格：器件價格 47% 23% 19% 5% 6% 襯底外延前段其他研發費

22、用 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 650V900V1200V1700V 20192020 19 I.Wolfspeed：公司簡介：公司簡介 II.碳化硅：行業發展及競爭格局碳化硅：行業發展及競爭格局 III.Wolfspeed：公司在碳化硅領域中的產品布局及優勢：公司在碳化硅領域中的產品布局及優勢 2020 上游：上游：SiC晶片和外延晶片和外延 SiC晶圓：Yole數據顯示，此行業基本被美國和日本廠商壟斷，Wolfspeed市占率高達6 成，全球第一 IDM全產業鏈垂直供應體系： Wolfspeed具備從SiC襯底-外延-器件-模塊的一體式生產體 系， Wolfspeed 、

23、II-VI、Rohm（SiCrystal）合計占據全球SiC晶片90%的出貨量 中游：功率器件制造（設計、制造、封裝）中游：功率器件制造（設計、制造、封裝） Wolfspeed、Rohm、英飛凌、ST合計占據了超過70%的市場份額 下游：不同細分領域的應用下游：不同細分領域的應用: 主要應用于工業控制、新能源車、光伏風電等領域 襯底外延設計制造封測應用 下游中游上游 Wolfspeed：積極布局碳化硅全產業鏈：積極布局碳化硅全產業鏈 Wolf speed 資料來源： IHS Market，Yole Development，中信證券研究部 碳化硅（碳化硅（SiC） 產業鏈上下游情況產業鏈上下游情

24、況 2121 Wolfspeed采用采用IDM模式生產碳化硅模式生產碳化硅，主要原因是：主要原因是： 第三代半導體產業鏈顯著的一大瓶頸是高昂的晶圓材料和制造成本，同時化合物半導體芯 片性能與材料、結構設計和制造工藝之間的關聯性較強，因此在不同的生產模式中，具有 先發LED技術優勢的Cree選擇了IDM一體化生產模式（具備從SiC襯底-外延-器件-模塊的垂 直分工合作模式），很好的控制了生產成本，通過整合產業鏈上下游資源來布局。 Wolfspeed：碳化硅，采用：碳化硅，采用IDM模式生產模式生產 資料來源： SiC Materials 2222 Wolfspeed：持續引領：持續引領SiC晶圓

25、發展晶圓發展 資料來源：CREE官網 Wolfspeed：持續引領：持續引領SiC晶圓發展晶圓發展 Woldspeed于1991年推出全球第一款商用SiC晶圓，后陸續引領全球實現2英寸、4英寸、 6英寸SiC單晶量產商用，8英寸 SiC單晶襯底也已研制成功。 23232323 資料來源：頭豹研究院，中信證券研究部 20202020年碳化硅襯底市占率年碳化硅襯底市占率20202020年導電年導電型型碳化硅襯底市占率碳化硅襯底市占率 SiC襯底材料襯底材料：Wolfspeed處于處于行業領軍地位行業領軍地位 從市占率角度來看，襯底呈現“一超”格局，Wolfspeed全球獨大（市占率為45%）。 用

26、于制備功率器件的導電型襯底方面，2020年Wolfspeed市占率超60%。 用于制備射頻器件的半絕緣型襯底方面，2020年Wolfspeed市占率超30%。 20202020年年絕緣型絕緣型碳化硅襯底市占率碳化硅襯底市占率 Wolf speedRohmII-VI Showa Denko天科合達山東天岳 其他 Wolfspeed其他Wolfspeed其他 2424 公司公司國家國家/ /地區地區產能銷量情況產能銷量情況價格（元）價格（元）技術來源技術來源 WolfspeedWolfspeed美國 主要生產6寸產品，年產量約為年產量約為 100100萬片萬片，碳化硅襯底市場份額 占40%左右。目

27、前產能吃緊，宣 布投資10億美元將產能擴大30倍 -北卡羅來納州立大學 山東天岳山東 碳化硅襯底國內年銷量 約1萬-2萬片。 4寸導電：3500 4寸半絕緣(高純)：15000 6寸導電：12000 6寸半絕緣：28000 山東大學晶體材料實 驗室 天科合達北京 4寸產能約為2萬片/年，計劃將 產能擴充3倍。 4寸導電：3000 4寸半絕緣(摻雜)：6375 中科院物理所 中科節能北京 一期項目，4寸半導體型5萬片/ 年，4寸半絕緣型5000片/年，二 期項目，6寸半導體型5萬片，4 寸半絕緣型5000片/年。 - 由中國鋼研科技集團 （40%）等共同出資成 立的央企控股混改公 司。 SiC襯

28、底材料：襯底材料：Wolfspeed處于行業領軍地位處于行業領軍地位 資料來源：各公司官網，中信證券研究部 SiC襯底業內公司產能級銷量情況襯底業內公司產能級銷量情況 Wolfspeed和-公司已經成功研發8寸襯底寸襯底，國內企業產品集中在4寸。襯底尺寸越大， 單位襯底可制造的芯片數量越多，邊緣浪費越小，單位芯片成本越低。 2525 分立式碳化硅MOSFET實現了更高開關頻率，并且減小了電感器、電容器、濾波器、變壓 器等組件的尺寸 可取代硅器件，有更高的阻斷電壓（1700V），雪崩額定值1800V，可降低開關損耗和 傳導損耗，并實現更高阻斷電壓和雪崩能力 2011年開發出了業界首款全面符合認證

29、的碳化硅MOSFET 資料來源：公司官網資料來源：公司官網 分立式碳化硅分立式碳化硅MOSFET器件及裸芯片器件及裸芯片第二、三代碳化硅第二、三代碳化硅MOSFET SiC功率功率產品：分立式碳化硅產品：分立式碳化硅MOSFET 2626 傳統硅肖特基二極管反向耐壓較低，約250V左右 對于能夠耐受500600V以上反向電壓要求，碳化硅(SiC)制造器件為最佳選擇 公司提供廣泛種類的碳化硅肖特基二極管，工作時間超過兩億小時 資料來源：公司官網資料來源：公司官網 碳化硅肖特基二極管及裸芯片碳化硅肖特基二極管及裸芯片碳化硅肖特基二極管結構碳化硅肖特基二極管結構 SiC功率功率產品：碳化硅肖特基二極

30、管產品：碳化硅肖特基二極管 2727 碳化硅功率模塊是使用碳化硅半導體作為開關的功率模塊，用于轉換電能，轉換效率高 碳化硅功率模塊適用于高開關頻率的應用、高阻斷電壓 、結溫更高以及高電流密度 碳化硅柵極驅動板用來控制電機中的功率MOSFET 和驅動電流 碳化硅柵極驅動板應用廣泛，包括電動汽車快速充電、工業動力、UPS、感應加熱焊接、 工業電機驅動器、電源、太陽能與可再生能源、電網基礎設施等 資料來源：公司官網資料來源：公司官網 碳化硅功率模塊碳化硅功率模塊碳化硅柵極驅動板碳化硅柵極驅動板 SiC功率功率產品：碳化硅功率模塊及驅動板產品：碳化硅功率模塊及驅動板 2828 頭豹頭豹研究院數據顯示：

31、研究院數據顯示：Wolfspeed占據全球占據全球SIC功率器件最大功率器件最大市場份額市場份額，達達27%，其次為 Rohm和英飛凌，分別占據22%和16%。 由于SiC器件對穩定性要求較高，并有較長的驗證周期，因此中國廠商切入較為緩慢。 由于SiC功率器件能顯著提升新能源汽車的續航能力和充電速率，以及汽車的輕量化，因 SiC功率器件在新能源汽車新能源汽車的領域應用比例最高，達33%。 但由于價格昂貴，目前在新能源汽車中的滲透率僅為2%。 資料來源：頭豹研究院，中信證券研究部資料來源：頭豹研究院，中信證券研究部 2020年年SiC功率器件全球市場格局功率器件全球市場格局2020年年SiC功率

32、器件下游應用分布情況功率器件下游應用分布情況 SiC功率功率產品：市場格局產品：市場格局 27% 22% 16% 8% 27% Wolfspeed羅姆英飛凌意法其他 33% 21% 17% 11% 8% 5% 5% 新能源汽車電源設備光伏國防軍工牽引系統充電樁其他 2929 公司提供碳化硅基氮化鎵（已封裝和裸芯片）和 LDMOS 器件豐富產品組合 并同時可提供完整的射頻系統設計解決方案 應用于廣播、放大器、蜂窩網絡基礎設施、測試儀器 資料來源：公司官網 大功率大功率LDMOS FETs射頻器件射頻器件大功率大功率SiC上上GaN HEMT 射頻器件射頻器件 SiC射頻射頻產品：航空航天、國防用

33、碳化硅射頻器件產品：航空航天、國防用碳化硅射頻器件 3030 公司提供用于通信系統設計的碳化硅基氮化鎵和 LDMOS 功率晶體管豐富產品組合 支持從 450 MHz 至 5 GHz和功率水平達到1,000 W的所有全球標準和頻帶 公司同時提供雷達用GaN HEMT（可提供已封裝和裸芯片）和 LDMOS 器件，非常適合 脈沖和連續波CW 應用 基于基于LDMOS FETs通信射頻器件通信射頻器件基于基于SiC上上GaN HEMT 通信射頻器件通信射頻器件 SiC射頻射頻產品：通信及雷達用碳化硅射頻器件產品：通信及雷達用碳化硅射頻器件 資料來源：公司官網 雷達用碳化硅射頻器件雷達用碳化硅射頻器件電

34、子激光雷達示意圖電子激光雷達示意圖 3131 GaN HEMT 器件非常適合要求高可靠性和高效率的超寬帶放大器應用 其高功率密度、低干擾和高截止頻率 FT 的內在特性，支持瞬時帶寬放大器的多倍頻程 28V寬帶應用：包括分立式晶體管（28 V，輸出功率6-240 W）和已封裝 50 歐姆 MMIC 40V寬帶應用：包括已封裝分立式晶體管和分立式裸芯片（40 V，輸出功率 6-70 W） 50V寬帶應用: 包括已封裝分立式晶體管（ 50 V，輸出功率 15-350 W）和 已封裝50 歐姆 MMIC放大器（50 伏，適合DC-6 GHz 應用） 資料來源：公司官網 28V寬帶應用寬帶應用 SiC射

35、頻射頻產品：寬帶應用碳化硅射頻器件產品：寬帶應用碳化硅射頻器件 40V寬帶應用寬帶應用50V寬帶應用寬帶應用 3232 C波段是指頻率在4-8GHz的無線電波波段，早期為衛星通信使用 L波段是指頻率在1-2 GHz的無線電波波段，可被用于DAB、衛星導航系統等 S波段是指頻率在2-4 GHz的無線電波波段，NASA和歐洲空間局采用S波段通信頻率 X波段是指頻率在8-12 GHz的無線電波波段，在電磁波譜中屬于微波 公司提供涵蓋以上波段碳化硅射頻器件，可用于超寬帶放大器、光纖驅動器、測試儀器、 EMC放大器驅動器等 資料來源：公司官網 C頻段頻段 SiC射頻射頻產品：產品： C/L/S/X波段碳

36、化硅射頻器件波段碳化硅射頻器件 L頻段頻段S頻段頻段 X頻段頻段 3333 公司工廠公司工廠&產能：加大產能：加大8英寸碳化硅布局英寸碳化硅布局 資料來源：公司年報（2021年） 公司公司5大大廠址分布于北美及亞洲廠址分布于北美及亞洲 公司目前共有四大廠址位于美國，從事管理、研發和生產活動，部分生產活動由亞洲的合 同生產商完成。同時正在紐約Mohawk Valley新建SiC產品制造工廠，目的為增產。 2020年年報顯示，公司目前碳化硅襯底折合6英寸產能約100萬片/年。 2019年公司宣布，擬投資4.5億美元，在美國紐約Mohawk Valley建造8英寸SiC晶圓工 廠，預計2022年啟用

37、生產，2024年達產。 廠址廠址性質性質產品產品主要用途主要用途面積面積（千平方英尺（千平方英尺） 美國Mohawk Valley（新建產能）自建功率/射頻生產預計22年啟用 美國Durham, NC（總部）自建功率/射頻管理、生產和研發1482 美國Research Triangle Park, NC自建功率/射頻生產187 美國Morgan Hill, ca租賃功率/射頻生產84 馬來西亞Ipoh租賃功率/射頻生產26 美國Fayetteville, AR租賃功率/射頻研發、生產38 3434 盈利預測盈利預測&估值估值 資料來源：路透（含預測），中信證券研究部。注：市值取自2021年12

38、月8日收盤價 Wolfspeed盈利預測及估值盈利預測及估值 路路透一致預期數據顯示透一致預期數據顯示，未來隨著公司未來隨著公司8英寸碳化硅產線的投產英寸碳化硅產線的投產 公司營收有望由FY2021年的5.26億美元增長至FY2024年的14.7億美元； 毛利率有望由FY2021年的31.3%提升至FY2024年的48.6%； FY2022-FY2024對應PS分別為20.3/13.9/9.8倍。 FY2020FY2021FY2022EFY2023EFY2024E 營業收入（百萬美元）90452670910371469 YoY-42%35%46%42% 毛利率（%）28.70%31.30%34

39、.40%39.80%48.60% GAAP凈利潤（百萬美元）-192-341-248 -12974 Non-GAAP凈利潤（百萬美元）-49-105-108-14 159 PS15.927.420.313.99.8 PE（GAAP） NANANANA194.6 PE（Non-GAAP）NA NANANA90.6 3535 風險因素風險因素 風險因素：風險因素： 宏觀宏觀環境的風險環境的風險：全球宏觀經濟波動導致企業、疫情導致全球經濟長周期下行風險； 政策監管的風險等 公司公司產品產品&技術迭代不及預期的風險：技術迭代不及預期的風險：新產品市場接受度不及預期導致銷售下降風險； 產品更迭導致成本無法降低、利潤力下降、運營受沖擊等風險 供給供給需求端的風險需求端的風險：無法平衡客戶需求和產能的風險；供需不均導致定價策略的風 險；產能拓展不及預期的風險； 市場市場相關風險：相關風險：產品營銷渠道無法維持及拓展的風險；市場競爭激烈，公司失去技術 壁壘的風險；大單收入依賴分銷商，丟失客戶對經營收入產生不利影響的風險