盛美上海-公司深度報告：晶圓廠擴產賣鏟人正在崛起的中國Lam-20211231（60頁）.pdf

1、證券研究報告2021年 12月 31日【方正電子公司深度報告】盛美上海（688082）晶圓廠擴產賣鏟人正在崛起的中國Lam投資要點 加速平臺型設備企業布局，是國內半導體清洗設備的龍頭企業。盛美上?；诙嗄曜灾餮邪l的SAPS兆聲波技術，實現清洗設備差異化，取得國內外海力士、中芯國際等頭部企業的認可，并逐步拓展先進封裝濕法、電鍍和立式爐等設備，打造平臺型設備企業。 清洗步驟隨技術節點攀升而增長，下游邏輯/存儲/功率擴產，清洗設備需求巨大。IDM與Fab廠方面未來幾年合計擴產投資金額超4000億元；80-60nm制程中清洗工藝約100個步驟，20nm以上制程則快速攀升至200個步驟以上，在資本支出維

2、持高位和技術迭代的背景下，清洗設備需求將擴大。 貿易爭端誘發供應鏈不穩定，國產替代需求迫切且空間巨大。全球半導體設備市場呈現日、歐、美供應商壟斷態勢，中國大陸半導體設備綜合自給率僅近5%；國產化推動下，國內設備廠商厚積薄發。盛美上海在國內清洗設備市占率已超20%，清洗設備未來5年有望全面實現國產化。 盈利預測：我們預計公司2021-2023年營業收入分別為15.8/26.6/40.9億元，歸母凈利潤分別為2.9/5.0/7.0億元，首次覆蓋，給予“推薦”評級。 風險提示：（1）下游晶圓廠擴產不及預期；（2）產品研發與產業化應用不及預期；（3）行業景氣度不及預期。盈利預測單位/百萬 2020 2

3、021E 2022E 2023E營業總收入 1007 1577 2675 4085 (+/-)(%) 33.13 56.53 69.66 52.68 歸母凈利潤 197 286 495 695 (+/-)(%) 45.88 45.33 73.15 40.27 EPS(元) 0.50 0.66 1.14 1.60 ROE(%) 18.76 5.94 9.32 11.57 P/E 0.00 190.33 109.92 78.36 P/B 0.00 11.30 10.25 9.06 、方正證券研究所、智通財經注、芯思想、第一財經、EPS預測值按最新股本攤薄 1rQoQoMpRnRvNmOtQwPxP

4、zQ7N8Q8OpNoOoMnPkPpPoPiNmMtP6MrRyRxNmQnRuOsOtP封裝(后道）先進封裝濕法設備晶圓制造（前道）清洗裝備SAPS兆聲波單片清洗設備TEBO兆聲波單片清洗設備單片（晶圓）清洗設備Tahoe單片槽式組合前道銅互連電鍍設備單片背面清洗設備槽式濕法清洗設備半導體電鍍設備立式爐其他濕法刻蝕設備涂膠設備顯影設備去膠設備無應力拋光設備先進封裝刷洗設備先進封裝電鍍設備半導體電鍍裝備盛美上海半導體設備布局公司官網、方正證券研究所整理 2中國大陸半導體設備空間：千億以上、Gartner、北方華創：模型拆解和市值空間測算、方正證券研究所整理中國大陸 半導體設備空間12英寸產線

5、8英寸產線三代半(6吋線)代工 IDM 存儲 功率 CIS代工 功率LED 射頻 功率2019年 2020年 2021年 2022年 2023年 2024年836億976億225億795億1122億225億120億975億1320億225億120億1200億1545億225億26億1387億1639億102億3目錄盛美上海：獨創兆生波技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投入25 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3設備市場：需求確定，國產替代厚積薄發44200520082011201320152017201820192020盛美有限成立（上海）SAPS技術研發成

6、功海力士第一批訂單；SAPS技術提升45nm清洗良率取得海力士重復訂單和長電科技先進封裝設備訂單TEBO設備裝機至華虹集團前道銅互連電鍍設備，無應力拋光設備進入市場Tahoe技術研發成功后道先進封裝鍍銅設備進入市場立式爐管設備進入市場取得長江存儲，中芯國際和華虹集團SAPS設備訂單；TEBO技術研發成功 公司是一家半導體設備制造商，控股股東美國ACMR于1998年在硅谷成立，05年在上海投資設立了公司的前身盛美有限，并將其前期研發形成的半導體專用設備相關技術使用權投入盛美有限。 其SAPS技術在2011-15年得到了海力士，長存，中芯國際，華虹等知名廠商認可。盛美上海: 獨創SAPS技術引領清

7、洗設備國產化 公司堅持差異化競爭和創新的發展戰略，自主研發SAPS、TEBO和Tahoe等兆聲波技術后，開始布局電鍍、無應力拋光和立式爐管等設備市場。5盛美上海的制造基地、方正證券研究所整理 原ACM盛美工廠 36,000 平方英尺的設施 8,000 平方英尺的 10,000 級潔凈室空間，用于產品組裝和測試 800 平方英尺的 1 級潔凈室空間，用于產品演示 與ACM上?？偛亢椭袊邪l中心同地辦公工廠#1（上?？偛浚?設施#2（川沙生產基地） 工廠#3（在建臨港） 位于浦東川沙區，距離ACM上海張江區總部約11英里 2018年開設第一棟大樓 2020年增加二樓， 10萬平方英尺的可用建筑面積

8、全面投入運營 于2021年Q1租用第二棟建筑，將川沙工廠的可用建筑面積擴大至20萬平方英尺后進行生產 2020年7月在上海臨港地區的新研發和生產設施破土動工 距離ACM上海張江總部約30英里 100萬平方英尺 預計2023年投產6股權結構：實控人間接持股36.79% 本次發行后，公司控股股東美國ACMR持股82.50%，董事長HUI WANG通過美國ACMR間接持股36.79%，為公司實控人。圖表：盛美上海股權結構芯時咨詢盛美半導體設備（上海）股份有限公司盛帷上海10% 15% 100% 100% 100%青島聚源 石溪產恒4.3%盛奕科技 香港清芯 盛美無錫芯維咨詢潤廣投資勇崆咨詢太湖國聯海

9、通旭初美國ACMR浦東產投尚融創新金浦投資海風投資張江科創投善亦企管芯港咨詢尚融聚源上電海路集產成投0.05%合計持有投票權44.59%0.41%HUI WANG 其他投資者1.1% 0.35% 0.41% 0.44% 0.53% 1.06% 1.06% 0.48% 0.35%0.44% 0.35% 0.27% 0.17%82.50%合計持有投票權55.41%7客戶所屬領域 客戶名稱晶圓制造 海力士、華虹集團、長江存儲、中芯國際、合肥長鑫先進封裝 長電科技、通富微電、中芯長電、Nepes半導體硅片制造及回收 上海新昇、金瑞泓、臺灣合晶科技、臺灣昇陽科研院所 中國科學院微電子研究所、上海集成電路

10、、華進半導體圖表： 盛美上海下游客戶分布及前5大客戶占比主力客戶：長江存儲，華虹集團，海力士2018 2019 2020 2 0 2 1 . 1 - 6長江存儲 2 3 . 0 % 2 8 . 9 % 2 2 . 1 % 3 6 . 4 %華虹集團 2 3 . 0 % 2 7 . 4 % 3 3 . 5 % 2 3 . 8 %海力士 2 2 . 0 % 2 0 . 1 % 9 . 9 % 1 0 . 1 %長電科技 7 . 4 % 5 . 2 % 4 . 6 %中芯國際 - 1 2 . 7 % 3 . 5 %8目錄盛美上海：獨創兆生波技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投入25

11、 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3設備市場：需求確定，國產替代厚積薄發49億元圖表：盛美上海營收及毛利率、方正證券研究所整理 公司2020年營業收入10億元，同比增速33.13%；2021年受益行業高景氣度，前三季度營收10.88億元，同比增速78.89%，已超去年全年收入水平。 半導體清洗設備：過去占營收比均高于80%，2020年實現營收8.16億元，同比增速30.6%。 先進封裝濕法設備：第二大業務，過去占營收比平均約8%，2020年實現營業收入0.99億元。 電鍍設備：2018年進入市場，2020年實現營業收入0.53億元。營業收入高速增長，清洗業務占比近81%圖表：

12、 盛美上海主營業務的結構拆分2.545.507.5710.0710.880246810122017年 2018年 2019年 2020年 2021.Q3營收81%10%5% 1%半導體清洗設備 先進封裝濕法設備半導體電鍍設備 立式爐管設備101.971.494%17% 18%20%14%0%5%10%15%20%25%0112232017年 2018年 2019年 2020年 2021.Q3歸母凈利潤 凈利率圖表：盛美上海歸母凈利潤及凈利率億元 受益于業務規模擴大，公司歸母凈利潤同樣實現高速增長，2020年全年歸母凈利潤為1.97億元；2020年公司凈利率約20%；相較2017年4%的水平實現

13、快速提升，盈利能力得到持續加強。盈利能力持續提升、方正證券研究所整理 11項目2018年 2019年 2020年銷量（臺） 均價（萬元/臺） 銷量（臺） 均價（萬元/臺） 銷量（臺） 均價（萬元/臺）單片清洗 21 2,387 22 2,505 31 2,310 槽式清洗 - - 3 1,699 2 1,655 單片槽式組合清洗 - - 1 2,621 2 3,353 電鍍 1 1,191 4 1,964 4 1,323 先進封裝濕法 6 440 7 566 20 493 立式爐管 - - - - 1 759 盛美上海：單片清洗占比高，均價超2000萬營收 2018年 2019年 2020年收

14、入（億） 占比 收入（億） 營收占比 收入（億） 營收占比半導體清洗設備 5.01 92.9% 6.25 84.1% 8.16 83.7%單片清洗 5.01 92.9% 5.51 74.1% 7.16 73.4%槽式清洗 0.48 6.5% 0.33 3.4%單片槽式組合清洗 0.26 3.5% 0.67 6.9%1245% 45% 45% 45%41% 43%45%34%17%39%25% 26%15%20%25%30%35%40%45%50%2017年 2018年 2019年 2020年半導體清洗設備 先進封裝濕法設備 半導體電鍍設備 立式爐管設備清洗設備毛利率穩定，約45% 清洗設備的毛

15、利率穩定在45%，已成為公司的成熟產品，并且在國內屬于清洗設備行業的龍頭，擁有較強的競爭優勢。 先進封裝濕法設備2020年的毛利率相比往年有所下降，為34%。其背后原因是2020年度銷售的先進封裝刷洗設備較多，該產品毛利率較低，從而拉低了整體產品組合的毛利率。 電鍍設備的毛利率波動較大，原因如下：18年處于推廣初期，產品驗證等因素使毛利率較低；2019年實現了前道電鍍設備的銷售，該產品毛利率較高，拉高了毛利率；2020年銷售的產品主要為后道封裝電鍍設備，毛利率低于19年的前道電鍍設備，因此毛利率下降。、方正證券研究所整理圖表：盛美上海毛利率拆分13成本結構優化，銷售費用率下降17%11% 11

16、% 11% 10%6%4% 4% 5% 4%20%14% 13% 14%17%0%5%10%15%20%25%2017年 2018年 2019年 2020年 2021.Q3銷售費用率 管理費用率 研發費用率 銷售費用率降至約10%。隨著公司業務規模的擴大與成本結構的優化，公司銷售費用率不斷下降，2020年已降至約10%的水平；管理費用保持在4-5%。 研發費用走高，在2021Q3季度升至17%。公司成功研發了單片槽式組合清洗設備、槽式清洗設備、后道先進封裝電鍍設備、前道銅互連電鍍設備、前道刷洗設備、立式爐管設備等新產品。報告期內，公司產品前期研發及后期持續改進的投入較大，研發費用逐年增加。圖表

17、：盛美上海費用率拆分、方正證券研究所整理 14持續加大研發投入，技術研發人員占比高達42%0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%0.00.20.40.60.81.01.21.41.61.82.02018 2019 2020 2021Q3研發投入 收入占比員工專業結構 人數（名） 占員工總比例管理人員 61 8.69%市場銷售人員 14 1.99%售后服務人員 163 23.22%生產人員 153 21.79%財務人員 16 2.28%技術研發人員 295 42.02%合計 702 100% 研發投入逐漸升高，引領清洗設備國產化。2018-2021Q3年期間，公司研發投入為0.79/

18、0.99/1.41/1.84億元，分別占營業收入的比例為14%/13%/14%/17%，研發投入占比持續提高。 公司技術研發人員295人，占全公司員工的比例近42.02%；售后服務人員占比23.22%，展現出了公司對其客戶的售后服務的重視。圖表：盛美上海研發投入及收入占比、盛美上海招股書、方正證券研究所整理億元15圖表：盛美上海合同負債億元 2021年公司合同負債大幅增長，在手訂單飽滿。合同負債從2020年底的0.86億元增長到2021年Q3的2.67億元；與此同時，庫存也從6.15億元增長到11.58，實現近翻倍增長；公司在手訂單充沛，并積極加大材料備貨，未來訂單轉收入可期。合同負債與存貨大

19、幅增長0.862.676.1511.58024681012142017 2018 2019 2020 2021.Q3合同負債 存貨、方正證券研究所整理 16目錄盛美上海：獨創技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投入25 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3先進封裝：濕法刻蝕+涂膠+顯影清洗：單片+槽式+組合平臺化拓展：電鍍設備 + 立式爐設備市場：需求確定，國產替代厚積薄發417封裝(后道）先進封裝濕法設備晶圓制造（前道）清洗裝備SAPS兆聲波單片清洗設備TEBO兆聲波單片清洗設備單片（晶圓）清洗設備Tahoe單片槽式組合前道銅互連電鍍設備單片背面清洗設備槽式濕

20、法清洗設備半導體電鍍設備立式爐其他濕法刻蝕設備涂膠設備顯影設備去膠設備無應力拋光設備先進封裝刷洗設備先進封裝電鍍設備半導體電鍍裝備盛美上海：半導體產業布局公司官網、方正證券研究所整理 18盛美上海：業務組合拆分上海公司官網、盛美上海招股書、方正證券研究所整理 盛美先后開發了單片、槽式以及單片槽式組合等清洗設備；用于芯片封裝的濕法刻蝕、涂膠、顯影、去膠、無應力拋光等設備；以及芯片制造的前道銅互連電鍍，后道先進封裝電鍍設備。設備 應用領域單片薄膜沉積前后，干法刻蝕后，離子注入灰化后，機械研磨后，拋光和外延后，化學濕法刻蝕的清洗。SAPS薄膜沉積前后，干法刻蝕后，離子注入灰化后，化學機械研磨后，拋光

21、和外延工藝后的清洗。TEBO 薄膜沉積前，干法刻蝕后，離子注入灰化后的清洗。Tahoe單片槽式組合光刻膠剝離、干法刻蝕后、離子注入后、化學機械研磨后、金屬膜層去除的清洗。背面 晶圓背面與晶圓背面濕法刻蝕的清洗。刷洗 芯片制造中前段至后段各道刷洗工藝。槽式濕法 濕法刻蝕、薄膜剝離、光刻膠剝離的清洗。前道清洗設備先進封裝濕法設備 應用領域濕法刻蝕 12/8寸晶圓的濕法硅刻蝕和UBM 的銅，鈦，鎳，錫，金等金屬濕法刻蝕工藝。涂膠 12/8 寸晶圓的正負膠和薄厚膠的涂膠工藝。顯影 12/8 寸晶圓的顯影工藝。去膠 12/8 寸晶圓的去膠工藝。先進封裝刷洗 12/8 寸晶圓的刷洗清洗工藝。無應力拋光3D

22、 TSV、2.5D硅中介層、RDL、HD Fan-out。前道銅互連電鍍邏輯電路和存儲電路中雙大馬士革電鍍銅工藝。后道先進封裝電鍍先進封裝Pillar Bump，RDL，HD Fan-out和TSV中，銅、鎳、錫、銀、金等電鍍工藝。立式爐管 12/8寸晶圓的濕法硅刻蝕和UBM的銅，鈦，鎳，錫，金等金屬濕法刻蝕工藝電鍍+立式爐圖表：按業務組合拆分19目錄20盛美上海：獨創技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投入25 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3先進封裝：濕法刻蝕+涂膠+顯影清洗：單片+槽式+組合平臺化拓展：電鍍設備 + 立式爐設備市場：需求確定，國產替代厚

23、積薄發4盛美上海：兆聲波技術用于多個前道清洗步驟清洗氧化熱處理激光退火干刻/蝕刻清洗清洗機氧化爐RTP設備激光退火設備干刻/蝕刻機清洗機氧化/擴散（重復步驟）對應設備 具體步驟 對應設備清洗涂膠光刻顯影清洗機涂膠機光刻機顯影機具體步驟光刻（重復步驟）測量 CD/SEM刻蝕（重復步驟）離子注入去膠離子注入機等離子去膠機離子注入（重復步驟）清洗 清洗機氣相沉積清洗氣相沉積設備清洗機薄膜沉積（重復步驟）拋光清洗CMP設備清洗機拋光（重復步驟）干刻/蝕刻 電鍍設備金屬化（重復步驟）檢測 檢測設備晶圓檢測 擴散前清洗 刻蝕后清洗 離子注入后清洗 成膜前/后清洗 機械拋光后清洗 去膠清洗 材料清洗兆聲波U

24、ltra C SAPS Ultra C TAHOEUltra C b/wb Ultra C s 兆聲波Ultra C TEBO盛美上海清洗設備21盛美上海受專利保護的3樣創新設備，解決了先進 IC 制造中的關鍵挑戰，其優點如下：SAPS TEBO Ultra C Tahoe高效率 + 工藝靈活性結果擁有一致性可定制PS針對小和脆弱特征的半導體工藝、提供無損壞解決方案多參數氣泡空化控制環保使用的硫酸比傳統設備少10%低成本 + 高清洗性能盛美上海三大專利：SAPS + TEBO + Tahoe、方正證券研究所整理 22單片清洗設備官網、方正證券研究所整理單片Ultra C II Ultra C單

25、晶圓清洗系列可廣泛應用于先進集成電路制造中多種前段工藝（FEOL）和后段工藝（BEOL） 可跟據不同應用配備不同化學藥液與輔助清洗方式 也可應用于晶圓制造、MEMS制造，以及功率器件制造領域。 結合熱浸、噴淋、溢流、快速沖洗等清洗方式Ultra C VI 可應用于： 沉積前清洗 蝕刻后清洗 CMP后清洗 RCA標準清洗 W Loop后清洗 Cu Loop后清洗 去除BEOL聚合物 深層Trench/Via清洗Ultra C SAPS II 用于晶圓正、背面清洗工藝，同時匹配兆聲波裝置以達到優質的清洗表現。 性能優點：清洗藥液獨立控制，無交叉污染；噴嘴精確控制系統；準確的化學藥液供給；對小顆粒的

26、管控和金屬管控能力 較低的使用成本；優質的清洗效果；高產出；單片晶圓Ultra C V 薄膜去除TSV后清洗 EPI前清洗 ALD前清洗23SAPS兆聲波清洗設備Ultra C SAPS II Ultra C SAPS V盛美專利技術空間交變相位移(SAPS)技術，通過控制兆聲波清洗裝置與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實現兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達到最優化的清洗效果?？膳渲?個腔體，產能225WPH 雙面清洗，可配5種清洗藥液。應用場景： 晶圓回收清洗 深溝道清洗 Barrier Metal沉積前清洗 EPI沉積前清洗 ALD沉積前清洗 CMP 后清洗 Hard Mask 沉積后清洗

27、Contact/Via 刻蝕后清洗官網、方正證券研究所整理 24TEBO兆聲波，TAHOE清洗設備用于先進器件的清洗技術 應用于去膠和先進清洗Ultra C TahoeUltra C TEBO盛美持有的專利技術時序能激氣穴震蕩（TEBO）技術，使用創新的兆聲波清洗方式來實現無損傷清洗，可應用于現在和未來幾代先進器件中，如3D圖形片，極小尺寸，高深寬比結構等。盛美的高溫硫酸清洗設備Tahoe將槽式模塊和單片清洗模塊集成于同一設備中，以實現高效的清洗性能，并且其硫酸使用量只有傳統SPM單片清洗設備的10%甚至更少。該設備可以廣泛應用于先進集成電路制造領域。主要優勢 SPM的壽命可通過使用時間和工藝

28、片數來控制。 SPM的使用量跟單片高溫清洗設備相比能減少80%。單片晶圓腔體內可配置通用藥液?？砂匆笈渲脟娮?兆聲波清洗來提高去除顆粒污染物的效率。工藝的順序可靈活設置主要優勢智能兆聲波技術使用便捷精確控制減少成本、保護環境官網、方正證券研究所整理 25背面，槽式濕法，刷洗設備背面Ultra C s II 用于批式晶圓濕法清洗、刻蝕、光刻膠去除等工藝。 提供多個槽體進行化學藥液或純水。 結合熱浸、噴淋、溢流、快速沖洗等清洗方式 配合先進的IPA干燥方式。 可同時對25或50片晶圓進行工藝處理。 應用于集成電路領域。Ultra C s I 可廣泛應用于集成電路制造和晶圓級封裝（WLP）領域 可

29、配有溫和的氮氣霧化二流體清洗 可選配先進的空間交變相位移兆聲清洗技術 可配有背面軟刷清洗與邊緣刷洗晶圓翻轉功能 可依次進行背面與正面清洗適用于超薄晶圓Ultra C b 用于晶圓背面清洗和濕法刻蝕工藝 通過伯努利夾盤為晶圓背面提供氮氣保護。 該設備可廣泛應用于集成電路制造和晶圓級封裝領域。刷洗槽式濕法Ultra C wb官網、方正證券研究所整理 26清洗工藝：濕法工藝市占近90%華經情報網、方正證券研究所整理清洗工藝干法工藝等離子清洗氣相清洗法束流清洗法濕法工藝溶液浸泡法機械刷洗法二流體清洗超聲波清洗兆聲波清洗旋轉噴淋法10%90%濕法工藝采用特定的化學藥液和去離子水，對晶圓表面進行無損傷清洗

30、干法工藝指不使用化學試劑的清洗技術27清洗方法 清洗介質 工藝簡介 應用特點溶液浸泡法 化學藥液主要用于槽式清洗設備，將待清洗晶圓放入溶液中浸泡，通過溶液與晶圓表面及雜質的化學反應達到去除污染物的目的應用廣泛，針對不同的雜質可選用不同的化學藥液；產能高，可進行多片晶圓浸泡工藝；成本低，分攤在每片晶圓上的化學品消耗少；容易造成晶圓之間的交叉污染。機械刷洗法 去離子水主要配置包括專用刷洗器，配合去離子水利用刷頭與晶圓表面的摩擦力以達到去除顆粒的清洗方法。成本低，工藝簡單，對微米級的大顆粒去除效果好；清洗介質一般為水，應用受到局限；易對晶圓造成損傷。一般用于機械拋光后大顆粒的去除和背面顆粒的去除。二

31、流體清洗 SC-1溶液去離子水在噴嘴的兩端分別通入液體介質和高純氮氣（動力），輔助液體微霧化成極微細的液體粒子被噴射至晶圓表面，從而達到去除顆粒的效果效率高，廣泛用于輔助顆粒去除的清洗步驟中；對精細晶圓圖形結構有損傷的風險，且對小尺寸顆粒去除能力不足。超聲波清洗 化學溶劑加超聲輔助在20-40kHz超聲波下清洗，內部產生空腔泡，泡消失時將表面雜質解吸。能清除晶圓表面附著的大塊污染和顆粒；易造成晶圓圖形結構損傷。兆聲波清洗 化學溶劑加兆聲波輔助與超聲波清洗類似，但用1- 3MHz工藝頻率的兆聲波。對小顆粒去除效果優越，在高深寬比結構清洗中優勢明顯，精確控制空穴氣泡后，兆聲波也可應用于精細晶圓圖形

32、結構的清洗；造價較高。批式旋轉噴淋法高高壓噴淋去離子水清洗液清洗腔室配置轉盤，可一次裝載至少兩個晶圓盒，在旋轉過程中通過液體噴柱不斷向圓片表面噴淋液體去除圓片表面雜質。與傳統的槽式清洗相比，化學藥液的使用量更低；機臺占地面積??；化學藥液之間存在交叉污染風險，若單一晶圓產生碎片，整個清洗腔室內所有晶圓均有報廢風險。主流濕法工藝28盛美上海：兆聲波技術可應用于28nm及以下節點項目 盛美上海 中國同行業的企業情況 國際巨頭技術特點 通過控制兆聲波發生器和晶圓之間的半波長相對運動，實現晶圓表面兆聲波能量的均勻分布 通過精確控制兆聲波的輸出方式，將氣泡振蕩控制在穩定空化狀態而不會產生內爆或塌陷二流體清

33、洗技術化學液體清洗配合氮氣霧化水物理清洗技術節點SAPS技術用于：邏輯28nm，DRAM19nm，可拓展至：邏輯14nm、DRAM17/16nm、32/64/128層3D NAND、高深寬比的功率器件及TSV深孔清洗應用。TEBO技術用于：45nm及以下圖形晶圓的無損傷清洗，邏輯28nm，16-19nm DRAM工藝圖形晶圓的清洗工藝評估?？赏卣怪粒哼壿?4nm，nm級3D FinFET、高深寬比DRAM，多層堆疊3D NAND。技術節點落后應用領域較窄應用于5nm及以上生產線領域更廣晶圓尺寸 12英寸為主，也可用于8英寸功率器件的深溝槽清洗 無明顯差異 無明顯差異市場占有率 中國市場較高，國

34、際市場較低 中國市場較低 中國市場較高國際市場壟斷 盛美上海的SAPS和TEBO技術廣泛應用于28nm及以下的制程，最高可拓展至14nm的邏輯芯片，其技術領先于國內同行企業，在中國市場有較高的市占率。 其核心SAPS和TEBO技術解決了傳統兆聲波清洗中由于晶圓翹曲引發的兆聲波清洗不均一的難題和氣泡爆裂而引起的圖形損傷問題。29濕法工藝：單片清洗逐漸成為主流 在集成電路制造的先進工藝中，單片清洗已逐步取代槽式清洗成為主流。其原因是，單片清洗能夠在整個制造周期提供更好的工藝控制，改善了單個晶圓和不同晶圓間的均勻性，提高了產品良率；其次，更大尺寸的晶圓和更先進的工藝對于雜質更敏感，槽式清洗出現交叉污

35、染的影響會更大，進而危及整批晶圓的良率，會帶來高成本的芯片返工支出。單片清洗原理槽式清洗原理通過機械手實現單片槽式組合、方正證券研究所整理 30單片清洗先進化程度高設備種類 清洗工藝 應用特點 先進程度單片清洗設備旋轉噴淋，兆聲波清洗，二流體清洗，機械擦洗等具有極高的工藝環境控制能力與微粒去除能力，有效解決晶圓之間交叉污染的問題；每個清洗腔體內每次只能清洗單片晶圓，設備產能較低。很高槽式清洗設備 溶液浸泡，兆聲波清洗等 清洗產能高，適合大批量生產；但顆粒，濕法刻蝕速度控制差；交叉污染風險大。 高組合式清洗設備 溶液浸泡+旋轉噴淋組合清洗 產能較高，清洗精度較高，并可大幅降低濃硫酸使用量；產品造

36、價較高。 很高批式旋轉噴淋清洗設備 旋轉噴淋相對傳統槽式清洗設備，批式旋轉設備可實現120C 以上甚至達到200C 高溫硫酸工藝要求；各項工藝參數控制困難，晶圓碎片后整個清洗腔室內所有晶圓均有報廢風險。高 盛美的產品包括單片，槽式，組合式清洗設備；其中單片清洗設備占比最高，采用的清洗工藝均為濕法工藝。 濕法清洗工藝路線下主流的清洗設備存在先進程度的區分，主要體現在可清洗顆粒大小，金屬污染，腐蝕均一性以及干燥技術等標準。圖表：清洗設備種類介紹3180100120140160180200220020406080100技術節點nm 隨著線寬微縮，在晶圓制造過程中，良率隨線寬縮小而下降，其中提高良率的

37、方式之一就是增加清洗工藝的步驟。 基于摩爾定律，在一開始的80-60nm制程中清洗工藝約100個步驟；到了20nm以上的制程，清洗工藝上升到了200 個步驟以上。技術節點與清洗步驟良率隨線寬縮小而下降清洗需求：工藝步驟隨線寬微縮而增加、方正證券研究所整理0102030405060020406080100技術節點nm標準化良率曲線清洗步驟32 根據Gartner 統計數據，2018年全球半導體清洗設備市場規模為34.17億美元，2019和2020年受全球半導體行業景氣度下行的影響，有所下降，分別為31.7和33.4億美元，隨著全球半導體行業復蘇，全球半導體清洗設備市場將呈逐年增長的趨勢，2025

38、年預計全球半導體清洗設備行業將達到40.7億美元。、Gartner、愛集微、方正證券研究所整理清洗設備需求：遠期41億美元全球空間全球清洗設備市場規模億美元34.1731.7 33.439.243.239.9 38.7 40.7-7%5%17%10%-8%-3%5%-10%-5%0%5%10%15%20%051015202530354045502018 2019 2020 2021 2022 2023 2024 2025全球清洗設備規模 YoY33清洗設備：未來五年有望實現全面國產化、各公司公告、各公司官網、前瞻產業研究院、方正證券研究所整理 清洗設備行業的CR3市占超85%。全球清洗設備龍頭

39、是迪恩士、東京電子和SEMEMS公司，其中迪恩士市占率近45%，是絕對的龍頭；市占率前三迪恩士、東京電子、SEMES合計占有近85%的市場份額，頭部壟斷效應顯著。 目前有三家國內廠商在濕法工藝設備端提供中高階濕法制程設備，分別是至純科技、北方華創和盛美，國內廠商的市場占比在逐年上升中。相比于其他半導體設備行業，清洗設備的技術門檻較低，未來5年有望率先實現全面國產化。圖表：2018年全球半導體清洗設備市場企業競爭格局 圖表：2019年中國半導體清洗設備招標采購份額應用材料30%泛林半導體30%東京電子30%其他30%qita 其他15%應用材料85%東京電子25%SEMES公司15% 迪恩士45

40、%其他15%34Screen48.0%泛林20.0%TEL6.0%其他4.0%盛美半導體20.5%北方華創1.0%芯源微0.5% 單片清洗機市場規模約23-25億美元；迪恩士占了單片機的38%的份額。迪恩士：單片市占率38%，槽式市占率70%、方正證券研究所整理 槽式清洗機市場規模約5.6-5.8億美元；迪恩士占了槽式清洗機的70%的份額。35 迪恩士在2021上半年的1872億日元營收中，亞洲占比達到59.4%，其中中國大陸的比例為27.5%，達到515億日元（約29億人民幣），在亞洲中排名第一。 半導體制造設備（SPE）業務占了迪恩士營收的75.6%，其中單片清洗設備貢獻的營收占比達到70

41、%，槽式清洗設備貢獻的營收占比為25%。、方正證券研究所整理營收￥ 187.2 B打印板關聯設備:￥5.8 bn3.1%其他:￥1.4 bn0.7%平板制造設備:￥17.5 bn9.4%圖形藝術設備:￥20.9 bn11.2%半導體制造設備:￥141.4 bn75.6%營收￥ 187.2 B迪恩士：超一半營收來自中國圖表：迪恩士2021H1主營業務結構拆分（十億日元） 圖表：迪恩士2021H1地域營收拆分36目錄盛美上海：獨創技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投入25 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3先進封裝：濕法刻蝕+涂膠+顯影清洗：單片+槽式+組合平臺

42、化拓展：電鍍設備 + 立式爐設備市場：需求確定，國產替代厚積薄發437盛美上海在后道先進封裝中的產品應用清洗濺射涂膠曝光顯影電鍍清洗機濺射設備涂膠機光刻機顯影機電鍍設備去膠刻蝕涂覆助焊劑回熔焊接清洗檢測去膠機刻蝕機涂覆設備回熔焊接設備清洗機檢測儀器具體步驟 盛美對應設備 具體步驟 盛美對應設備38后道先進封裝：濕法去膠，濕法刻蝕設備晶圓級封裝，雙管齊下的高效率清洗 晶圓級封裝，精確控制刻蝕濕法刻蝕：Ultra C we濕法去膠：Ultra C pr槽式去膠單元-在槽式單元中使用藥液浸泡晶圓，該槽體一次可容納多片晶圓以提高產能。單片去膠腔體-將藥液噴灑在旋轉晶圓表面，更好地獨立控制每片晶圓工藝。

43、智能工序功能 - 對于不同的金屬腐蝕工藝，如銅刻蝕后再進行鈦刻蝕，可預設工藝菜單與工序后，在設備中一次完成。主要優勢 使用化學藥液進行晶圓球下金屬層（UBM）的刻蝕工藝。 先進的噴嘴掃描系統 精確的藥液控制 藥液回收使用可減少成本 專注安全性主要優勢 使用便捷 精確的藥液控制 槽式單元預浸泡工藝 藥液回收使用可減少成本 優化安全配置 結合先進的晶圓清洗工藝39后道先進封裝：涂膠，顯影，無應力拋光Ultra C ct Ultra V dv Itra SFP晶圓級封裝，光刻工藝 晶圓級封裝 晶圓級封裝，雙大馬士革 可選配HMDS 涂膠 前烘 創新的雙層旋涂方法 精確的涂膠厚度和均一性控制 腔體自動

44、清洗功能 先進的熱/冷盤模塊 曝光后烘烤(PEB) 顯影 堅膜 三種顯影方式集于一體 靈活的噴嘴掃描系統 技術先進，使用便捷 精確的藥液控制 工藝過程低應力 低耗材成本COC和運營成本COO 低排放可保護環境顯影 無應力拋光涂膠40 半導體封測從20世紀80年代至今，封裝技術不斷進步，經歷了插裝式封測、表面貼片封裝、面積陣列式封測和先進封裝。芯片封裝技術分為傳統封裝和先進封裝，傳統封裝和先進封裝的主要區別在于有無外延引腳。 球柵陣列 (BGA) 封裝向2.5和3D封裝發展，而行業現在正朝著扇出封裝發展，所有這些不同類型的封裝都從放置的角度提出了在精度、吞吐量和施加力方面的特定要求。先進封裝市場

45、快速發展、愛彼電路、方正證券研究所整理先進封裝發展歷程41全球先進封裝市場：復合增速7%全球先進封裝設備市場需求預期億美元 根據 Yole 統計數據，2017年全球先進封裝產值超過200億美元，占全球封測總產值的38%左右，預計到2020年將超過300億美元，占比 44%。 從先進封裝增長率來看，2017年到2023年，整個半導體封裝市場的營收將以5.2%的復合增長率增長，其中先進封裝市場增長率為7%，而傳統封裝市場為3.3%。0510152025302018 2019 2020 2021 2022 2023 202442目錄盛美上海：獨創技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投

46、入25 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3先進封裝：濕法刻蝕+涂膠+顯影清洗：單片+槽式+組合平臺化拓展：電鍍設備 + 立式爐設備市場：需求確定，國產替代厚積薄發4432010年 2015年 2020年 2025年SAPS（2009）TEBO（2016）Tahoe（2018）SFP+ECPSemi-CriticalFurnace（2020）FutureProducts可探尋的市場未來布局：ECP+立式爐、方正證券研究所整理 44盛美上海：電鍍+立式爐LPCVD、氧化、退火和ALD 大馬士革銅金屬層沉積電鍍：Ultra ECP Map立式爐：Ultra Fn盛美的立式爐設備可大

47、批量處理300毫米的晶圓，該設備平臺可應用于高性能的半導體制造。多陽極局部電鍍設備應用于55/40/28和28納米以下的大馬士革銅金屬層沉積。主要優勢 水平式電鍍腔體，無交叉污染 可單腔體維護，提高設備正常運行時間（up time） 橡膠密封技術, 更好的密封性能 第二陽極技術,更好地控制均一性 靈活的工序控制主要優勢 具有高產、可靠和穩定的性能。通過高精度的溫度控制技術、良好的均勻性和小顆?？刂?，來保持優異的薄膜質量 通過更高性能的增強設計實現高產能，并減少停機維護時間； 運用氣體對腔體進行干法清洗，來控制小顆粒雜質； 裝載區運用低氧控制技術以抑制晶圓表面的自然氧化45電鍍：前道銅互連+后道

48、先進封裝電鍍前道銅互連電鍍工藝示意圖 半導體電鍍是指在芯片制造過程中，將電鍍液中的金屬離子電鍍到晶圓表面形成金屬互連。 電鍍設備在晶圓上沉積一層致密、無孔洞、無縫隙等其他缺陷，并且分布均勻的銅，再配以氣相沉積設備、刻蝕設備、清洗設備等，完成銅互連線工藝。招股書、方正證券研究所整理后道先進封裝電鍍工藝示意圖 金屬銅的沉積占據主導地位。隨著芯片制造工藝越來越先進，芯片內的互連線開始從傳統的鋁材料轉向銅材料，半導體鍍銅設備便被廣泛采用。銅導線可以降低互聯阻抗，降低器件的功耗和成本，提高芯片的速度、集成度、器件密度等。 目前半導體電鍍已經不限于銅線的沉積，還有錫、錫銀合金、鎳、金等金屬。46全球電鍍市

49、場：Lam壟斷01234562018 2019 2020 2021 2022 2023 20242018年-2024年全球半導體電鍍市場億美元招股書、Gartner 、方正證券研究所整理 在前道晶圓制造的電鍍設備領域，目前全球市場主要被Lam壟斷。除Lam外，盛美上海是全球范圍內少數幾家掌握芯片銅互連電鍍核心技術的公司之一，其自主開發了針對20-14nm 及更先進技術節點的芯片制造前道銅互連鍍銅技術（Ultra ECP map）。 在后道先進封裝電鍍設備領域，全球范圍內的主要設備商包括美國的Applied Materials和Lam、日本的EBARA CORPORATION和新加坡的ASM P

50、acific Technology Limited等；在國內企業中，盛美針對先進封裝工藝進行差異化開發，解決了在更大電鍍液流量下實現平穩電鍍的難題。47目錄48盛美上海：獨創兆生波技術引領清洗設備國產化1公司財務：營收高增長，研發高投入25 盈利預測產品布局：清洗+先進封裝濕法+電鍍+立式爐3設備市場：需求確定，國產替代厚積薄發4未來五年：全球資本支出維持高位、方正證券研究所整理 全球集成電路行業資本開支繼續維持高位。根據Gartner，未來五年集成電路行業資本開支依舊保持較高水平的穩定狀態，在1400億美元上下小幅變動。圖表：未來五年全球半導體行業資本開支1105136314561374 1