電子元器件行業：光伏發電驅動功率半導體需求SiC器件滲透率有望持續提升-220412（28頁）.pdf

1、 1 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 光伏發電驅動功率半導體需求，光伏發電驅動功率半導體需求， SiCSiC 器件滲器件滲透率有望持續提升透率有望持續提升 國國內廠商作為全球光伏逆變器內廠商作為全球光伏逆變器行業領軍者， 為碳化硅器件國產化提供行業領軍者， 為碳化硅器件國產化提供便利條件：便利條件：近年來光伏逆變器市場格局發生巨大變化，國內逆變器廠商從追隨者轉變為領軍者。根據伍德麥肯茲數據，2020 年在全球逆變器出貨排名前十中，有六家來自中國的供應商，分別是華為、陽光電源、古瑞瓦特、錦浪科技、上能電氣

2、和固德威。華為逆變器出貨量占全球的 23%，位列第一；陽光電源的出貨量占全球的 19%，位列第二。據 Wood Mackenzie 數據，華為和陽光電源均已累計出貨超過 100GW，逐漸走向領軍地位。碳化硅功率器件是光伏逆變器中的關鍵部件，價值量占比較高，國內光伏逆變器市場的發展將帶來碳化硅器件需求增長。 采用碳化硅方案可有效提高光伏逆變器轉換效率、提升功率密度、減采用碳化硅方案可有效提高光伏逆變器轉換效率、提升功率密度、減少重量和體積少重量和體積: : 碳化硅光電性能優越， SiC 的帶隙寬度大約是硅的3 倍，其導熱率為硅的 3.3 倍，寬禁帶使得其可在高溫環境下穩定運行，較高的導熱系數意味

3、著碳化硅的器件可以縮小冷卻結構，減小系統重量和體積，如碳化硅二極管在開通過程中可基本實現零正向恢復電壓，在關斷過程中沒有過剩載流子復合過程，可以減小逆變器恢復損耗、提高開關效率。根據產業調研，采用碳化硅方案的光伏逆變器，整體系統效率可提升 1%-2%左右，能量損耗降低 50%以上，體積和重量減少40%60左右，大幅降低系統度電成本及安裝維護成本。 現階段主要現階段主要采用采用硅基硅基 I IGBT+GBT+碳化硅碳化硅 S SBDBD 方案，方案，碳化硅成本下降空間碳化硅成本下降空間大，未來大，未來 5 5 年有望在光伏領域滲透率加速提升：年有望在光伏領域滲透率加速提升：碳化硅 MOS 方案能

4、夠明顯提升發電效率，但由于目前碳化硅模塊價格仍為硅基 IGBT 的 3-4倍，成本高昂，現階段業內多采用硅基 IGBT+碳化硅 SBD 混合方案，以 SiC SBD 替換 FRD 來降低恢復損耗、提高電源效率。根據各光伏逆變器龍頭公司官網，國際大廠紛紛布局碳化硅方案，如英飛凌、安森美、富士電機等國際大廠已經實現了規?；瘧?，國內陽光電源也在2014 年推出第一款采用 SiC MOSFET 器件的光伏逆變器，并于 2017 年規?；瘧?。隨著碳化硅生產技術的成熟，碳化硅成本將進一步下降，采用碳化硅方案提升轉換效率所創造的價值將抵消碳化硅成本，提高碳化硅在光伏領域的滲透率。據產業調研，隨著碳化硅成

5、本的下降，2025 年 SiC 在光伏逆變器領域的滲透率有望達 30%-50%，我們預計其在光伏及儲能領域有近七十億級別市場，前景廣闊。 Tabl e_Ti t l e 2022 年年 04 月月 11 日日 電子元器件電子元器件 Tabl e_BaseI nf o 行業深度分析行業深度分析 證券研究報告 投資投資評級評級 領先大市領先大市-A 維持維持評級評級 Tabl e_Fi rst St oc k 首選股票首選股票 目標價目標價 評級評級 Tabl e_C hart 行業表現行業表現 資料來源：Wind資訊 % 1M 3M 12M 相對收益相對收益 -10.01 -10.97 4.10

6、 絕對收益絕對收益 -11.76 -22.79 -11.88 馬良馬良 分析師 SAC 執業證書編號：S1450518060001 021-35082935 相關報告相關報告 半導體交期不斷拉長，臺晶圓廠營收再創新高 2022-04-10 SiC 景氣度持續向上，半導體產業鏈安全應逐步重視 2022-04-05 電子元器件行業快報 2022-03-27 汽車芯片標準體系有望建立，國產汽車芯片迎來加速良機 2022-03-20 俄烏沖突致半導體氖氣短缺，看好國內半導體產業發展 2022-03-13 -19%-12%-5%2%9%16%23%2021-042021-082021-12電子(中信)

7、 滬深300 2 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 相關標的相關標的：建議關注斯達半導、時代電氣、新潔能、揚杰科技、宏微科技、三安光電、天岳先進、露笑科技、鳳凰光學。 風險提示：風險提示：SiC 技術難度大，產品研發不及預期風險；相關擴產項目不及預期風險；SiC 成本高居不下，滲透率不及預期風險。 UUkXrVeViXqYfWWZfW7NdN9PoMrRtRnPlOpPrNfQnMtQ7NnNzRuOsPtOMYnMwP行業深度分析/電子元器件 3 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證

8、券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 內容目錄內容目錄 1. SiC：第三代半導體材料，光伏逆變器應用需求前景廣闊：第三代半導體材料，光伏逆變器應用需求前景廣闊 . 5 1.1. 光伏逆變器：光伏發電的核心器件 . 5 1.2. 儲能逆變器：儲能行業中的關鍵器件 . 8 1.3. 目前光伏逆變器主要采用硅基 IGBT 方案 . 9 1.4. 光伏逆變器行業國內企業市場份額持續提升 . 10 2. 碳化硅物理特性優良，滿足光伏逆變器對高效率、高功率密度、高可靠性的要求碳化硅物理特性優良，滿足光伏逆變器對高效率、高功率密度、高可靠性的要求 .11 2.1. 光伏逆變器

9、向高效率、高功率密度、高可靠性等方向發展 .11 2.2. 碳化硅可有效提升光伏逆變器性能 .11 3. “光伏逆變器光伏逆變器+儲能逆變器儲能逆變器”雙力驅動，碳化硅市場空間廣闊雙力驅動，碳化硅市場空間廣闊 . 12 3.1. 現階段碳化硅 MOS 成本偏高，硅基 IGBT+碳化硅 SBD 混合方案漸成主流 . 12 3.1.1. 相比芯片結構設計，碳化硅 MOS 難點集中于制造工藝. 12 3.1.2. 碳化硅 MOS 方案效率提升明顯，但成本較高，回本時間長. 13 3.1.3. 硅基 IGBT+碳化硅 SBD 混合方案是現階段性價比較高的方案 . 14 3.2. 光伏發電市場維持高景氣

10、，為碳化硅功率器件帶來持續發展動力. 15 3.3. 儲能逆變器的進一步放量為 SiC 帶來增量市場空間 . 17 4. 碳化硅應用趨勢明確，國內企業積極布局碳化硅應用趨勢明確，國內企業積極布局. 18 4.1. 國家出臺多項 SiC 產業發展鼓勵政策 . 18 4.2. 國內企業積極投產，全力追趕國際龍頭 . 19 4.3. 國際光伏逆變器大廠引領碳化硅應用，陽光電源等國內公司積極跟進. 20 5. 相關標的相關標的. 21 5.1. 斯達半導 . 21 5.2. 時代電氣 . 21 5.3. 新潔能 . 22 5.4. 揚杰科技 . 22 5.5. 宏微科技 . 23 5.6. 三安光電

11、. 23 5.7. 天岳先進 . 24 5.8. 露笑科技 . 24 5.9. 鳳凰光學 . 25 6. 風險提示風險提示. 26 圖表目錄圖表目錄 圖 1：光伏逆變器基本結構 . 5 圖 2：集中式逆變器方案示意圖 . 5 圖 3：組串式逆變器方案示意圖 . 6 圖 4：微型逆變器方案示意圖. 6 圖 5：2015-2019 全球逆變器銷量分類占比趨勢 . 7 圖 6：分布式光伏儲能逆變器應用示意圖 . 9 圖 7：感性負載中 IGBT 與 FRD 并聯. 10 圖 8：2020 年全球光伏逆變器出貨量份額情況 . 10 圖 9：SiC MOSFET 與 IGBT 開關特性比較圖. 12 圖

12、 10：逆變器內部電容器壽命和環境溫度的關系. 12 圖 11：光伏逆變器成本占比情況 . 14 行業深度分析/電子元器件 4 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 圖 12：英飛凌 650V 光伏逆變器混合方案. 15 圖 13： 2015-2021 年國內光伏新增裝機容量及增長率. 16 圖 14： 2015-2021 年全國光伏發電累計裝機容量及增速 . 16 圖 15：中國光伏新增裝機預測（GW）. 16 圖 16：全球光伏新增裝機預測（GW）. 16 圖 17：全球光伏儲能逆變器出貨量（GW）. 1

13、8 圖 18：全球儲能累計裝機容量預測（GW）. 18 圖 19：應用 SiC 器件的組串逆變器應用型譜 . 20 圖 20：斯達半導營業收入情況. 21 圖 21：斯達半導歸母凈利潤情況 . 21 圖 22：時代電氣營業收入情況. 22 圖 23：時代電氣歸母凈利潤情況 . 22 圖 24：新潔能營收情況 . 22 圖 25：新潔能歸母凈利潤情況. 22 圖 26：揚杰科技營收情況. 23 圖 27：揚杰科技歸母凈利潤情況 . 23 圖 28：宏微科技收入情況. 23 圖 29：宏微科技歸母凈利潤情況 . 23 圖 30：三安光電營業收入情況. 24 圖 31：三安光電歸母凈利潤情況 . 2

14、4 圖 32：天岳先進營業收入情況. 24 圖 33：天岳先進歸母凈利潤情況 . 24 圖 34：露笑科技營收情況. 25 圖 35：露笑科技歸母凈利潤情況 . 25 圖 36：鳳凰光學營收情況. 25 圖 37：鳳凰光學歸母凈利潤情況 . 25 表 1：集中式逆變器、組串式逆變器、微型逆變器對比 . 7 表 2：光伏逆變器其他分類方式 . 8 表 3：現階段主流逆變器產品相關參數.11 表 4：2021 年 8 月主流光伏逆變器價格區間. 13 表 5：光伏逆變器 SiC 市場空間估算. 16 表 6：儲能政策梳理. 17 表 7：部分地區儲能“十四五”規劃. 18 表 8：行業主要法律法規

15、政策. 19 表 9：國內廠商產品及產能情況 . 19 表 10：光伏逆變器中 SiC 應用方案梳理 . 20 行業深度分析/電子元器件 5 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 1. SiC：第三代半導體材料，光：第三代半導體材料，光伏逆變器應用需求前景廣闊伏逆變器應用需求前景廣闊 1.1. 光伏逆變器：光伏發電的核心器件光伏逆變器：光伏發電的核心器件 光伏逆變器的主要功能為將太陽電池組件產生的直流電轉化為交流電，并入電網或供負載使光伏逆變器的主要功能為將太陽電池組件產生的直流電轉化為交流電，并入電網或供負

16、載使用。用。光伏逆變器主要由輸入濾波電路、 DC/DC MPPT 電路、 DC/AC 逆變電路、 輸出濾波電路、核心控制單元電路組成。光伏逆變器是實現光伏并網的關鍵技術，太陽能電池組件所發的電需要通過逆變器的處理才能對外輸出，此外光伏逆變器還能夠實現與電網的交互，使光伏發電系統能獲得最大輸出效率，并能夠判斷及處理光伏系統故障。 圖圖 1：光伏逆變器基本結構光伏逆變器基本結構 資料來源：錦浪科技招股說明書，安信證券研究中心 光伏逆變器根據技術路徑不同可分為集中式逆變器、組串式逆變器和微型逆變器。光伏逆變器根據技術路徑不同可分為集中式逆變器、組串式逆變器和微型逆變器。集中式逆變器是將很多并行的光伏

17、組串連到同一臺集中逆變器的直流輸入端，完成最大功率峰值跟蹤以后，再經過逆變后并入電網。集中式逆變器單體容量通常在 500kW 以上，單體功率高、成本低、電能質量高，但最大功率跟蹤電壓范圍較窄、組件配臵靈活性較低、發電時間短，需要與光伏組串實現良好的匹配性，一旦出現多云、部分遮陰或單個組串故障，將影響整個光伏系統的效率和電產能。集中式逆變器主要適用于光照均勻的集中性地面大型光伏電站等。 圖圖 2：集中式逆變器方案示意圖集中式逆變器方案示意圖 資料來源：昱能科技招股說明書，安信證券研究中心 組串式逆變器是對幾組（一般為 1-4 組）光伏組串進行最大功率峰值跟蹤后再逆變并入交流電網，一臺組串式逆變器

18、可以有多個最大功率峰值跟蹤模塊。組串式逆變器的單體容量一般在 100kW 以下，體積小、重量輕，其優點是不同的最大功率峰值跟蹤模塊的組串間可以有行業深度分析/電子元器件 6 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 電壓和電流的不匹配，當有一塊組件發生故障或者被陰影遮擋，只會影響其對應的最大功率峰值跟蹤模塊少數幾個組串發電量，對系統整體沒有影響。組串式逆變器主要應用于分布式光伏發電系統。 圖圖 3：組串式逆變器方案示意圖組串式逆變器方案示意圖 資料來源：昱能科技招股說明書，安信證券研究中心 微型逆變器是對每塊光伏

19、組件進行單獨的最大功率峰值跟蹤，再經過逆變以后并入交流電網。微型逆變器的單體容量一般在 1kW 以下，其優點是可以對每塊組件進行獨立的最大功率跟蹤控制，相比集中式逆變器和組串式逆變器，在部分遮陰或者組件性能差異的情況下能獲得更高的整體效率。 圖圖 4：微型逆變器方案示意圖微型逆變器方案示意圖 資料來源：昱能科技招股說明書，安信證券研究中心 行業深度分析/電子元器件 7 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 表表 1：集中式逆變器、組串式逆變器、微型逆變器對比：集中式逆變器、組串式逆變器、微型逆變器對比 項目項

20、目 集中式逆變器集中式逆變器 組串式逆變器組串式逆變器 微型逆變器微型逆變器 主要應用場景主要應用場景 集中式光伏發電系統 分布式光伏發電系統、集中式光伏發電系統 分布式光伏發電系統 單機接入組件單機接入組件 大量并行的光伏組串 單個或數個光伏組串 單塊或數塊光伏組件 系統發電效率系統發電效率 低 中 高 直流電壓等級直流電壓等級 高壓 高壓 低壓 安裝占地安裝占地 需要獨立機房 不需要 不需要 成本成本 較低 中 較高 室外安裝室外安裝 不允許 允許 允許 資料來源：昱能科技招股說明書，安信證券研究中心整理 目前市場中主要以集中式逆變器和組串式逆變器為主，集中式逆變器原占比最高，近年來隨著技

21、術的不斷進步，組串式逆變器成本迅速下降，逐漸接近于集中式逆變器成本，市場份額得到進一步提升。根據 GTM Research 調研報告，2015-2019 年全球逆變器市場中組串式逆變器占比呈現不斷上升的趨勢。 圖圖 5：2015-2019 全球逆變器銷量分類占比趨勢全球逆變器銷量分類占比趨勢 資料來源：GTM Research，錦浪科技招股說明書，安信證券研究中心 光伏逆變器根據輸出交流電壓的相數，可分為單相逆變器和三相逆變器；根據應用在并網發電系統或離網發電系統中，可分為并網逆變器和離網逆變器；根據是否含有隔離變壓器，可分為隔離型逆變器和非隔離型逆變器，其中隔離型逆變器可以根據工作頻率分為工

22、頻和高頻兩種，非隔離型逆變器根據構成不同可以分為單級和多級兩種。 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%20152016201720182019組串式逆變器 集中式逆變器 微型逆變器 行業深度分析/電子元器件 8 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 表表 2：光伏逆變器其他分類方式：光伏逆變器其他分類方式 分類依據分類依據 分類分類 描述描述 輸出電壓的輸出電壓的相數相數 單相逆變器 單相指一根相線（俗稱火線）和一根零線構成的電能輸送形式，必要時會有第三根線（地線）用來防止觸電。

23、在日常生活中多使用單相電源。 三相逆變器 三相是由三個頻率相同、電勢振幅相等、相位差互差 120角的交流電勢組成的電源，三相交流電的用途很多，工業中大部分的交流用電設備（例如電動機）都采用三相交流電。 應用在并網應用在并網發電系統或發電系統或離網發電系離網發電系統中統中 并網逆變器 光伏并網逆變器需要檢測并網電網情況后再進行并網，斷開電網不能工作。因為需要向電網送電，必須在相位、頻率、電壓與電網一致時并網輸出。 離網逆變器 可獨立于電網工作，可帶阻容性及電機感性等負載，應變快、抗干擾、適應性及實用性強，是停電應急電源和戶外供電首選電源產品。 是否含有隔是否含有隔離變壓器離變壓器 工頻隔離型光伏

24、逆變器 通過逆變器轉換而成的交流電，需要再通過工頻變壓器， 使其幅值與電網電壓幅值相同后才能接入電網。 隔離型逆變器 高頻隔離型逆變器 相比工頻隔離型逆變器多了 DC-DC環節，可以提高變壓器的工作頻率、不受電網頻率的限制，并且能夠減小變壓器的體積和質量、 增加逆變器的功率密度。 單級式非隔離型逆變器 將太陽能板輸出直接逆變為電網電壓，對逆變器輸出電壓的控制要求較高，達到直接并網的電壓等級。 非隔離型光伏逆變器 多級式非隔離型逆變器 對于兩級式光伏逆變系統，逆變電路之前有一級DC-DC電路，增加了對光伏陣列輸出電壓范圍的適應性，經過解耦電容后再進行逆變，接入電網。解耦電容可以解決輸入輸出功率不

25、匹配的問題。 資料來源：百度百科，Ofweek，搜狐網，安信證券研究中心 1.2. 儲能逆變器：儲能行業中的關鍵器件儲能逆變器：儲能行業中的關鍵器件 儲能是能源革命的重要環節，日益受到廣泛關注。儲能是能源革命的重要環節，日益受到廣泛關注。儲能可以起到削峰填谷，提高風、光等可再生能源的消納水平，基于化石能源的不可再生性，儲能對全球能源轉型至關重要。隨著儲能成本的逐年下降，技術不斷進步，儲能在全球范圍內越來越受到重視。 儲能逆變器能夠實現儲存和輸出電能的雙向過程，是儲能行業中的關鍵器件。儲能逆變器能夠實現儲存和輸出電能的雙向過程，是儲能行業中的關鍵器件。在陽光充足的情況下，光伏所發的電能優先供本地

26、負載使用，多余的能量存儲到蓄電池，電能仍有富余時可選擇性并入電網；當光伏所發電能不足時，蓄電池放電提供電能供本地負載使用。儲能逆變器集成了光伏并網發電和儲能電站的功能，通過波谷儲存電能，波峰輸出電能，可以克服光伏組件受天氣變化發電不穩定的缺點，提高電網品質和電網利用率。 光伏儲能逆變器根據是否與電網連通分為并網型光伏儲能和離網型光伏儲能，其中以并網型光伏儲能逆變器根據是否與電網連通分為并網型光伏儲能和離網型光伏儲能，其中以并網型光伏儲能為主。光伏儲能為主。在并網應用上，根據儲能系統所處發、輸、配、用不同環節，可以分為發電側儲能、配電側儲能和用電側儲能。發電側儲能主要解決可再生能源并網發電的波動

27、性和消納問題，配電側儲能則主要實現調峰調頻功能，發電側和配電側儲能系統應用通常具有容量大、 占地面積大、 投資成本高等特點， 主要應用于大型集中式地面電站和電網變電站等領域。用電側光伏儲能可分為戶用光伏儲能和工商業光伏儲能，主要用于提升發電收益、降低用電成本。近年來用電側光伏儲能系統的安裝呈上升趨勢，未來隨著儲能電池價格的下降，上述進程將逐步加快。 行業深度分析/電子元器件 9 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 圖 6：分布式光伏儲能逆變器應用示意圖 資料來源：固德威招股說明書，安信證券研究中心 1.3.

28、 目前光伏逆變器主要采用硅基目前光伏逆變器主要采用硅基 IGBT 方案方案 IGBT 廣泛應用于光伏逆變器中，占逆變器價值量的廣泛應用于光伏逆變器中，占逆變器價值量的 20%-30%。以往光伏逆變器中的功率器件一般采用 MOSFET，而 MOSFET 的通態電阻會隨著電壓的升高而增大，增加開關損耗，逐漸不適合使用于高壓大容量的系統中。IGBT 因其通態電流大、耐高壓、電壓驅動等優良特性，在中、高壓容量的系統中更具優勢，目前已逐漸取代 MOSFET 作為光伏逆變器和風力發電逆變器的核心器件。 光伏逆變器光伏逆變器不同應用場景不同應用場景，選擇，選擇 IGBT 單管或單管或 IGBT模塊方案。模塊

29、方案。單臺集中式光伏逆變器的功率范圍通常為 600-1000kW，將多臺光伏逆變器并聯后，功率可達 3000kW，由于其功率較高，多采用 IGBT 模塊。單相組串逆變器額定功率一般低于 15kW，大多使用 IGBT 單管；三相組串式逆變器額定功率范圍廣，單臺功率為 5-200kW，需要根據具體情況選擇 IGBT 單管或模塊；微型逆變器的主要應用場景為小功率、組件級別的分布式光伏發電場景，功率一般為 1kW 以下，通常采用 IGBT 單管方案。 光伏逆變器中，光伏逆變器中，IGBT 需要和需要和快恢復二極管快恢復二極管配合使用。配合使用。由于大多數負載呈感性，在 IGBT 關斷瞬間會產生較高的反

30、向電壓，有可能擊穿 IGBT，通過將 IGBT 與二極管并聯，可以為感性負載提供續流回路，從而起到保護 IGBT 的作用。由于普通 PN 結二極管電荷存儲效應的存在， 在 N 區積累的空穴和在 P 區積累的電子在反向電壓作用下移動和返回需要時間， 產生反向恢復時間 （trr） ， 這在一定程度上會帶來反向恢復損耗、 影響開關頻率。 快恢復二極管 （FRD）的內部結構是在 P 型硅材料與 N 型硅材料之間加入一層低摻雜的本征半導體層（基區 I）構成 PIN 結型二極管，由于基區很薄，反向恢復電荷很小，能夠大大減少反向恢復時間、提高開關速度，另一方面可降低瞬間正向壓降、提高反向擊穿電壓。FRD 還

31、存在軟恢復的特性，能夠減少電流震蕩和電磁干擾，并能起到迅速轉換導通與截止的作用，可提高元器件使用頻率并平穩電流。 行業深度分析/電子元器件 10 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 圖圖 7：感性負載中感性負載中 IGBT 與與 FRD 并聯并聯 資料來源：烜芯微官網，安信證券研究中心 隨著對 IGBT 開關速度、功耗、可靠性等性能要求的提升，IGBT 與 FRD 匹配技術有助于降低能耗、增加系統的穩定性與可靠性并減少射頻和電磁干擾。此外，通過合理設計 IGBT 芯片結構與 FRD 的技術參數，有助于降低

32、IGBT 模塊正向導通壓降、減少開關損耗、形成更好的動態抗沖擊性。 1.4. 光伏逆變器行業國內企業市場份額持續提升光伏逆變器行業國內企業市場份額持續提升 近年來光伏逆變器市場格局發生巨大變化，國內廠商的市場份額不斷提升。近年來光伏逆變器市場格局發生巨大變化，國內廠商的市場份額不斷提升。2009 年全球逆變器市場主要被 SMA、 Fronius、 Kaco、 ABB、 Schneider 等歐洲廠商占據，根據Wood Mackenzie數據，2020 年在全球逆變器出貨排名前十中，有六家來自中國的供應商，分別是華為、陽光電源、古瑞瓦特、錦浪科技、上能電氣和固德威，合計占據 60%市場份額。此外

33、，特變電工、首航新能源和科華數據三家中國企業也進入了排名前二十。據Wood Mackenzie 數據，華為和陽光電源均已累計出貨超過 100GW，逐漸走向領軍地位。 圖圖 8：2020 年全球光伏逆變器出貨量份額情況年全球光伏逆變器出貨量份額情況 資料來源：Wood Mackenzie，光伏們，安信證券研究中心 23% 19% 7% 5% 5% 5% 4% 4% 4% 4% 3% 2% 2% 2% 2% 2% 8% 華為 陽光電源 SMAPower Electronics古瑞瓦特 錦浪 Fimer上能電氣 固德威 TMEIC行業深度分析/電子元器件 11 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本

34、報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 2. 碳化硅物理特性優良，滿足光伏逆變器對高效率、高功率密度、高碳化硅物理特性優良，滿足光伏逆變器對高效率、高功率密度、高可靠性的要求可靠性的要求 2.1. 光伏逆變器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向發展光伏逆變器向高效率、高功率密度、高可靠性等方向發展 為降低用電成本，光伏逆變器需不斷提高運行效率。為降低用電成本，光伏逆變器需不斷提高運行效率。2019 年國家發改委、能源局推出光伏發電無補貼平價上網的政策，國內光伏市場的平價上網序幕拉開。用戶側平價的實現要求光伏發電成本低于售電價格，根據光伏十三五規劃，

35、2020 年電價為 2015 年的 50%以下。另一方面，國內外光伏逆變器企業競爭激烈，國內逆變器企業在產品、技術和解決方案都已逐漸趕超國外。若國內企業開拓海外市場并保持領軍地位，需大幅度降低系統度電成本，增強自身技術優勢，高效發電是未來光伏逆變器的發展方向。 光伏逆變器生命周期短于光伏組件，需持續提高使用壽命和可靠性。光伏逆變器生命周期短于光伏組件，需持續提高使用壽命和可靠性。目前光伏組件的使用壽命一般在 25 年左右，而光伏逆變器的使用壽命為 10 年左右。未來，光伏逆變器將致力于降低逆變器故障率，從而延長逆變器壽命、提高光伏系統的整體使用時間，以減少替換光伏逆變器的成本并降低系統全生命周

36、期內每一度電的單位成本。 光伏逆變器需提高功率密度，減少體積和重量，以降低安裝和維護成本。光伏逆變器需提高功率密度，減少體積和重量，以降低安裝和維護成本。設備功率密度的提升可推動設備模塊化設計，使設備間的通用標準接口能實現無障礙互聯，并在不同場景內自由搭配，關鍵器件的模塊化使設備維修能通過插拔替換完成，免去了專家維護，降低了運維成本。功率密度的提高還可減少體積和重量，便于安裝人員維護。 表表 3：現階段主流逆變器產品現階段主流逆變器產品相關參數相關參數 產品型號產品型號 所屬公司所屬公司 最大輸入電壓最大輸入電壓 額定輸出功率額定輸出功率 效率效率 尺寸 （寬尺寸 （寬 高高 深）深） (mm

37、) 重量重量 集集中中式式逆逆變變器器 SG3125HV-MV 陽光能源 1500 V 3125 kW 最大效率：99.02% 中國效率：98.55% 5360 2600 2511 12.5T EP-3125-HC-UD 上能電氣 1500V 3125kW 最大效率：99.02% 中國效率：98.56% 2205 2200 1405 2600kg EP-2500-A-OD 上能電氣 1050V 2500kW 最大效率：99.02% 中國效率：98.51% 3291 2591 2438 6000kg 組組串串式式逆逆變變器器 SG320HX 陽光能源 1500 V 320 kW 最大效率：99.

38、01% 中國效率：98.52% 1136 870 361 116 kg SUN2000-196KTL-H3 華為 1500V 196kW 最大效率：99.0% 中國效率：98.4% 1035 700 365 86kg GW136K-HTH 固德威 1100V 136KW 最大效率：99.0% 中國效率：98.3% 1008 678 343 98.5kg MAX 125KTL3-X LV 古瑞瓦特 110V 135kw 最大效率：98.7% 中國效率：98.5% 970 640 345 84kg SG33CX-P2-CN 陽光能源 1100 V 33k W 最大效率：98.60% 中國效率：98

39、.08% 605 575 245 35 kg SUN2000-12KTL-M1 華為 1100V 12kw 最大效率：98.6% 歐洲效率：98.2% 525 470 166 17 kg 微微型型逆逆變變器器 HM-1500 禾邁股份 60V 1500W 最大效率：96.70% 280 176 33 3.75kg HM-400 禾邁股份 60V 400W 最大效率：96.70% 182 164 29.5 1.98kg YC1000-3 昱能科技 60V 900W 最大效率：95.5% 259 242 36 3.5kg 資料來源：各公司官網，安信證券研究中心 2.2. 碳化硅可有效提升光伏逆變器

40、性能碳化硅可有效提升光伏逆變器性能 碳化硅二極管恢復損耗小且碳化硅二極管恢復損耗小且不易受到電流、溫度影響，可提高光伏逆變器發電效率不易受到電流、溫度影響，可提高光伏逆變器發電效率。Si 基PN 結功率二極管在從關斷狀態到正向導通狀態的過渡過程中，其正向電壓會隨著電流的上行業深度分析/電子元器件 12 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 升出現一個過沖，然后逐漸趨于穩定。SiC 肖特基二極管由于不存在電導調制效應,只受寄生電感的影響,通過工藝改進能夠基本實現零正向恢復電壓，Si 基快恢復二極管是雙極型器件，

41、存在電導調制效應，反向恢復時間較長。SiC 肖特基二極管的反向電流尖峰較小，反向恢復時間較短，反向恢復損耗也要小得多，且 SiC 肖特基二極管的反向恢復特性幾乎不隨溫度、正向電流變化， 而 Si 基 PN結快恢復二極管的反向恢復電流尖峰和反向恢復時間均隨溫度、正向電流的升高而惡化。 相比于硅基相比于硅基 IGBT，SiC MOS 具有更低的導通損耗、更低的開關損耗、無具有更低的導通損耗、更低的開關損耗、無 Si 器件的電流拖器件的電流拖尾顯現、高開關頻率等優點，還有利于提高光伏逆變器使用壽命。尾顯現、高開關頻率等優點，還有利于提高光伏逆變器使用壽命。硅基 IGBT 由于在切換時需要等待電子和空

42、穴重新結合以及耗散重組能量，開關速度較慢；硅基 MOSFET 雖開關速度較快，但其在高于 300V 的開關應用中，器件的導通電阻上升。而 SiC 的高擊穿電壓意味著它可以用來制造比硅基材料電壓高得多的 MOSFET， 同時保留了低壓硅器件的快速開關速度優勢。開關性能也相對獨立于溫度，從而在系統升溫時實現穩定的性能。器件封裝內部產生的溫度循環和應力交變是影響逆變器壽命的主要因素， 器件環境溫度每升高 10， 壽命減少一半。碳化硅的高效率，意味著可以降低損耗、減少溫度循環，從而提升器件壽命。 圖圖 9：SiC MOSFET 與與 IGBT 開關特性比較圖開關特性比較圖 圖圖 10：逆變器內部電容器

43、壽命和環境溫度的關系逆變器內部電容器壽命和環境溫度的關系 資料來源：世強硬創電商，安信證券研究中心 資料來源：古瑞瓦特官網，安信證券研究中心 碳化硅材料熱導率以及禁帶寬度高于硅材料，采用碳化硅器件可減小逆變器的體積和重量。碳化硅材料熱導率以及禁帶寬度高于硅材料，采用碳化硅器件可減小逆變器的體積和重量。開關頻率越高，無源元件的體積越小，碳化硅的高頻特性大大減小逆變器體積和重量。碳化硅的導熱率是硅的 3.3 倍， 且帶隙寬度為 Si 的3 倍， 保證碳化硅可以在更高溫度環境下工作。半導體材料的禁帶寬度決定其器件的工作溫度，材料禁帶寬度的值越大，器件的工作溫度也就越高。 在高達 600 的溫度下，S

44、iC 器件仍然可以正常工作。并且，碳化硅的導熱系數較高，硅在 175左右就無法正常運行，在 200 攝氏度時會變成導體，而 SiC 直到 1000左右才發生這種情況。 利用碳化硅的熱特性， 碳化硅器件所需的冷卻系統要少于等效的硅系統，并在高溫下穩定運行。根據 Carbontech 數據，由于 SiC 散熱快，縮小了系統的冷卻結構，采用碳化硅器件可使逆變器的體積和重量減少 40%60左右。 3. “光伏逆變器“光伏逆變器+儲能逆變器”雙力驅動，碳化硅市場空間廣闊儲能逆變器”雙力驅動，碳化硅市場空間廣闊 3.1. 現階段碳化硅現階段碳化硅 MOS 成本偏高，硅基成本偏高，硅基 IGBT+碳化硅碳化

45、硅 SBD 混合方案漸成主流混合方案漸成主流 3.1.1. 相比芯片結構設計，碳化硅相比芯片結構設計，碳化硅 MOS 難點集中于制造工藝難點集中于制造工藝 工藝難點包括但不限于摻雜工藝、歐姆接觸、封裝材料的耐溫性等，目前國內暫時只有時代電氣、新潔能、華潤微、瞻芯電子、基本半導體、世紀金光、泰科天潤等少數幾家公司推出行業深度分析/電子元器件 13 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 SiC MOSFET 產品。 摻雜工藝：摻雜工藝：由于 SiC 材料具有牢固而穩定的 Si-C 化合鍵，擴散溫度需要達到 200

46、0左右才能夠獲得合理的擴散系數，而此時 SiC 材料本身也會面臨不穩定因素，因此 SiC 材料很難通過熱擴散方法實現摻雜，而需要采用高溫離子注入工藝來完成摻雜。如果采用相比碳原子更大的鋁原子進行離子注入，會因入射離子與晶格原子碰撞造成晶格損傷，而大部分碰撞后的入射離子會隨機靜止在晶格間隙，導致離子未激活情況更為嚴重，因此為消除晶格損傷并激活雜質離子，往往需要更高的退火溫度，對 SiC 的穩定性同樣會帶來不利影響。因此，高溫離子注入工藝的雜質選擇、注入濃度、退火溫度等一系列參數都需要進一步考量和優化。 歐姆接觸：歐姆接觸：金屬與半導體間形成的歐姆接觸有助于電子的移動擴散，對于器件與外部電路的信號

47、轉換至關重要。歐姆接觸一直是 SiC 器件制成工藝的難點之一，其要求接觸電阻必須非常?。ǖ陀?10-5cm2） ，否則將會損失系統效率。對于離子濃度在 11019cm-3以上的 n 型SiC，使用 Ni 基金屬作為電極材料，經過 900-1000退火并在過程中采用惰性氣體防氧化可以形成歐姆接觸。 對于 p 型 SiC， 需采用 Al/Ni/W/Au 復合電極才可以獲得更高的熱穩定性，但接觸電阻仍高達 10-3cm2，存在較大改善空間。 配套材料的耐溫性：配套材料的耐溫性： Si 器件工作溫度一般在 150以下， 而 SiC 器件工作溫度可以達到 300以上，因此在高溫環境下傳統配套材料的可靠性

48、受到挑戰。尋找耐高溫的電極材料、焊料、外殼、絕緣材料、封裝材料，并進一步提升配套材料的散熱性，對 SiC MOSFET 的穩定應用至關重要。 3.1.2. 碳化硅碳化硅 MOS 方案效率提升明顯，但成本較高，回本時間長方案效率提升明顯，但成本較高，回本時間長 一個一個 10MW 的的中型光伏中型光伏電站，電站， 假設在平均有效日照時長為假設在平均有效日照時長為 5.5 小時的西北地區， 一年發電量小時的西北地區， 一年發電量約為約為 1600萬度萬度。 大型地面光伏電站的壽命通常在 20 年左右， 逆變器受內部電子元器件 （IGBT、電容、電感等）所限，使用壽命一般不超過 10 年，在光伏組件

49、的全生命周期中，至少要消耗2個逆變器。 根據陽光電源數據披露， 目前我國地面光伏電站整體的系統效率為80%左右，工商業光伏系統效率為 82%左右，戶用光伏系統效率為 85%左右，保守估計各類型系統效率為 80%， 對于一個 10MW 的電站， 每年可以發 10MW * 5.5H * 365 * 80%1600 萬度電。 采用碳化硅采用碳化硅方案可使發電站方案可使發電站每年約增加每年約增加 9.6 萬萬元收入。元收入。根據 Wolfspeed 數據，使用碳化硅方案可使得系統效率提高 1%-2%，功率密度提高 3 倍。假設采用新的逆變器方案后，逆變器轉換效率提升 1.5%左右，純碳化硅方案新增年發

50、電量是 1600*1.5%=24 萬度電，上網電價按平均 0.4 元每度計算，每年約增加 24*0.4=9.6 萬元收入。 表表 4：2021 年年 8 月主流光伏逆變器價格區間月主流光伏逆變器價格區間 類型類型 型號型號 價格范圍（價格范圍（元元/瓦）瓦） 單相單相 5 千瓦 0.47-0.62 單相單相 8 千瓦 0.36-0.40 三相三相 10 千瓦 0.32-0.37 三相三相 25 千瓦 0.19-0.20 三相三相 50 千瓦 0.18-0.23 三相三相 80 千瓦 0.20-0.21 三相三相 100 千瓦 0.14-0.19 資料來源：光伏咨詢，安信證券研究中心 采用純碳化

51、硅方案，短期內成本仍然較高，約需要采用純碳化硅方案，短期內成本仍然較高，約需要 5-6 年回本年回本。據產業調研，1GW 光伏逆變器的 IGBT 模塊采購額約 2000-2500 萬元，10MW 發電站所需 IGBT 模塊約 20-25 萬元，行業深度分析/電子元器件 14 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 目前碳化硅的價格大約是硅基 IGBT 的 3-4 倍，取 3.5 倍，則碳化硅功率器件的新增成本約為 50-62.5 萬元，采用碳化硅方案后約需 5-6 年回本。 圖 11：光伏逆變器成本占比情況 資

52、料來源：碳化硅芯觀察，安信證券研究中心 3.1.3. 硅基硅基 IGBT+碳化硅碳化硅 SBD 混合方案是現階段性價比較高的方案混合方案是現階段性價比較高的方案 碳化硅碳化硅 SBD 工藝成熟， 替換硅基工藝成熟， 替換硅基 FRD 可明顯降低恢復損耗?？擅黠@降低恢復損耗。SiC SBD 在原理上不會發生少數載流子的積聚現象，只產生基本不隨溫度和正向電流而變化的小電流，因此用 SiC SBD替換 FRD，同樣可降低恢復損耗、提高電源效率，并降低由恢復電流引發的噪音，同時可以通過高頻化實現機器的小型化，可廣泛用于新能源汽車充電、電源、光伏發電系統等領域。據 RHOM 官網信息，ROHM 擁有 6

53、50V/1200V TO-220ACG、TO-247N、TO-220ACP 等一系列 SiC SBD 產品，并已發布第 3 代 SiC SBD 的 SCS3 系列，能夠提供更大的浪涌電流容量并進一步降低正向電壓。Wolfspeed 同樣擁有種類廣泛的 SiC SBD 產品，電壓范圍覆蓋600V/650V/1200V，Wolfspeed 官網顯示，公司二極管采用特殊的 MPS（合并后的 PIN 型肖特基）設計，比標準肖特基二極管更可靠。據時代電氣招股說明書，公司掌握具有核心自主知識產權的 SiC SBD 芯片設計和制造技術， “高性能 SiC SBD、MOSFET 電力電子器件產品研制與應用驗證

54、”項目已經通過科技成果鑒定，公司 SiC SBD 芯片覆蓋 650V-3300V電壓，能夠滿足高頻/大功率密度系統需求。據新潔能公司公告，公司目前已具備“高耐壓低損耗碳化硅二極管技術” 、 “碳化硅二極管浪涌電流能力提升技術”等核心技術，相關產品研發、面市進程已開展。 從性價比角度，從性價比角度，以英飛凌為代表的行業龍頭大多采用硅基以英飛凌為代表的行業龍頭大多采用硅基 IGBT+碳化硅碳化硅 SBD 混合方案?；旌戏桨?。以英飛凌 650V 混合 SiC、IGBT 戶用光伏逆變器為例，硅基 IGBT 結合內臵 SiC 二極管，可對二者進行電流最佳匹配，充分發揮各自優勢，能在最短時間內達到系統效率

55、的提升和增加開關頻率的目的。在不變更 PCB 和電路情況下，可以實現單一器件的直接替換。同時，由于器件帶來系統損耗減少的優勢，可以降低散熱設計要求和成本；開關頻率提升可以有效降低并網電感的尺寸和大小，減少電流諧波對電網的污染。 25% 13% 13% 9% 5% 4% 5% 4% 4% 3% 7% 8% 結構件 電感 半導體器件 電容 集成電路 控制組件 PCB線路板 連接器 變壓器 包裝類 光伏系統組件 其他 行業深度分析/電子元器件 15 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 圖 12：英飛凌 650V

56、光伏逆變器混合方案 資料來源：英飛凌，安信證券研究中心 以以英飛凌英飛凌 650V CoolSiC Hybrid IGBT+SiC 混合混合方案方案為例，現階段性價比較高為例，現階段性價比較高。根據CASA 的統計，SiC SBD 實際的批量采購成交價已經降至 1 元/A 以下，耐壓 600-650V 的產品業內批量采購價約為 0.6 元/A，約是硅基快恢復二極管的 3-4 倍，對于年發電量 1600 萬度的 10MW 電站，使用 650V CoolSiC Hybrid IGBT 方案，我們測算碳化硅二極管的用量約為9230元， 新增成本約6600元。 根據英飛凌數據披露， 使用650V Co

57、olSiC Hybrid IGBT方案能提升 0.3%的系統效率，上網電價按照 0.4 元/度計算，相當于采用英飛凌 650V 混合方案每年新增 1600 萬*0.3%*0.4=1.92 萬元收入，性價比較高。 碳化硅在光伏逆變器市場的滲透率將逐步提升，預計最晚碳化硅在光伏逆變器市場的滲透率將逐步提升，預計最晚 2025 年左右，碳化硅將大規模應年左右，碳化硅將大規模應用。用。從碳化硅成本降低的角度看，假設碳化硅成本每年降低 10%，預計到 2025 年左右碳化硅成本有望降到目前硅基 IGBT 成本的 2 倍，同時考慮光伏發電各方面技術的提升，屆時采用碳化硅方案有望在 2-3 年左右回本，如果

58、同時考慮碳化硅在空間、散熱、功率密度對系統整體成本的優化，滲透進展有望加速。 3.2. 光伏發電市場維持高景氣，為碳化硅功率器件帶來持續發展動力光伏發電市場維持高景氣，為碳化硅功率器件帶來持續發展動力 我國光伏發電市場持續維持高景氣度，光伏平價上網進一步釋放逆變器需求。我國光伏發電市場持續維持高景氣度，光伏平價上網進一步釋放逆變器需求。發展可再生能源是我國長期戰略目標，光伏發電作為重要的綠色環保發電方式，發展前景廣闊。根據國家能源局數據，2021 年我國光伏發電量為 3259 億千瓦時，同比增長 25.1%，占總發電量比重3.9%，截至 2021 年我國光伏市場新增裝機 54.88GW，累計裝

59、機量為 306GW，我國光伏累計裝機量連續六年居全球首位。受益于原材料成本的下降以及光伏發電技術的快速迭代，全球光伏發電成本持續下降，各國陸續進入光伏平價時代，助推光伏逆變器市場增長。根據BNEF 統計， 自 2007 年開始的十年時間內， 光伏發電組件、 光伏發電系統成本分別下降 88.3%和 91.6%，度電成本累計下降約 90%，CPIA 數據顯示，在全投資模式下，2019 年地面光伏電站在 1800/1500/1200/1000 小時等效利用小時數的 LCOE 分別為 0.28、0.34、0.42、0.51 元/kWh，其中 1800h 的 LCOE 已經低于煤電上網價格，光伏發電成本

60、的大幅下降使得光伏發電的市場滲透率提高。 行業深度分析/電子元器件 16 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 圖圖 13： 2015-2021 年國內光伏新增裝機容量及增長率年國內光伏新增裝機容量及增長率 圖圖 14： 2015-2021 年全國光伏發電累計裝機容量及增速年全國光伏發電累計裝機容量及增速 資料來源：國家能源局，安信證券研究中心 資料來源：國家能源局，安信證券研究中心 光伏市場裝機量光伏市場裝機量：根據 CPIA 預計，2025 年我國光伏新增裝機量為 90-110GW，樂觀情況下年復合增長率

61、達 18%；全球光伏新增裝機量有望達到 330GW，年復合增長率達 20%。 圖圖 15：中國光伏新增裝機預測（：中國光伏新增裝機預測（GW） 圖圖 16：全球光伏新增裝機預測（：全球光伏新增裝機預測（GW） 資料來源：CPIA，安信證券研究中心 資料來源：CPIA，安信證券研究中心 光伏逆變器光伏逆變器 SiC 市場空間推算市場空間推算：根據 CPIA 預測，2021 年-2025 年，我國光伏裝機容量持續上漲。根據產業調研，IGBT 單位成本大約為 2000-2500 萬元/GW，SiC 方案成本是 IGBT方案的 3.5 倍即 7000-8750 萬元/GW，假設碳化硅成本每年降低 10

62、%。據產業調研，預計2023 年下半年是導入碳化硅的小高潮，目前碳化硅在光伏中的滲透率是 2%，2025 年碳化硅在光伏逆變器領域的滲透率有望達 30%-50%，取中值按 40%測算。粗略估計，2025 年全球光伏逆變器 SiC 市場規模達到 69.96 億元。 表表 5：光伏逆變器光伏逆變器 SiC 市場空間估算市場空間估算 2021E 2022E 2023E 2024E 2025E 光伏新增裝機量光伏新增裝機量（GW） 170 225 270 300 330 SiC 在光伏市場在光伏市場中的滲透率中的滲透率 2% 15% 30% 35% 40% SiC 單位成本單位成本（億元（億元/GW）

63、 0.8 0.72 0.65 0.59 0.53 對應的對應的 SiC 市市場空間（億元）場空間（億元） 2.72 24.3 52.65 61.95 69.96 資料來源：CPIA，安信證券研究中心 -40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%80.0%100.0%120.0%140.0%01000200030004000500060002015 2016 2017 2018 2019 2020 2021新增裝機容量（萬千瓦） 增速（%） 0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%80.00%90.00%0501001502

64、002503003502015 2016 2017 2018 2019 2020 2021累計裝機容量（GW） 增速（%） 行業深度分析/電子元器件 17 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 3.3. 儲能逆變器的進一步放量為儲能逆變器的進一步放量為 SiC 帶來增量市場空間帶來增量市場空間 儲能市場發展迅速，是新能源發電的未來趨勢。儲能市場發展迅速，是新能源發電的未來趨勢。由于光伏組件容易受到天氣變化影響，儲能可以起到削峰填谷，提高風、光等可再生能源的消納水平的作用，實現發電穩定、提高電網品質，因此儲能電

65、站成為新能源改革的主要方向，各國相繼推出儲能相關政策，布局儲能產業鏈發展。2021 年 7 月 28 日，國家能源局解讀關于加快推動新型儲能發展的指導意見 ，指導意見提出“十四五”期間將聚焦高質量規?；l展，以 3000 萬千瓦為基本規模目標，并在“十五五”期間實現市場化發展。 表表 6：儲能政策梳理：儲能政策梳理 序號序號 政策名稱政策名稱 發行部門發行部門 相關內容相關內容 發布時間發布時間 1 關于報送“十四五”電力源網荷儲一體化和多能互補工作方案的通知 能源局 重點支持每年不低于 20億千瓦時新能源電量消納能力的多能互補項目以及每年不低于2 億千瓦時新能源電能消納能力且新能源電量消納占

66、比不低于整體電量50%的源網荷儲項目 2021.04 2 “十四五”時期深化價格機制改革行動方案 發改委 完善風電、光伏發電、抽水蓄能價格形成機制，建立新型儲能價格機制 2021.05 3 關于加快推動新型儲能發展的指導意見 發改委、能源局 到 2025 年，實現新型儲能從商業化初期向規?；l展轉變，裝機規模達 3000 萬千瓦以上；到 2030 年，實現新型儲能全面市場化發展。 2021.07 4 進一步完善分時電價機制的通知 發改委 合理確定峰谷電價價差，上年或當年預計最大系統峰谷差率超過 40%的地方，峰谷電價價差原則上不低于 4：1，其他地方原則上不低于 3：1；尖峰電價在峰段電價基礎

67、上上浮比例原則上不低于 20% 2021.07 5 關于鼓勵可再生能源發電企業自建或購買調峰能力增加并網規模的通知 發改委、能源局 鼓勵發電企業市場化參與調峰資源建設，超過電網企業保障性并網以外的規模初期按照功率 15%的掛鉤比例（時長4 小時以上）配建調峰能力，按照 20%以上掛鉤比例進行配建的優先并網。 2021.08 6 電化學儲能電站安全管理暫行辦法（征求意見稿） 能源局 加強電化學儲能電站安全管理，保障人民群眾生命和財產安全，進一步推進我國儲能產業健康有序發展。 2021.08 7 新型儲能項目管理規范（暫行） 能源局 規范新型儲能項目管理， 促進新型儲能有序、 安全、健康發展，支撐

68、構建以新能源為主體的新型電力系統。 2021.09 8 中共中央 國務院關于完整準確全面貫徹新發展理念做好碳達峰碳中和工作的意見 國務院 加快形成以儲能和調峰能力為基礎支撐的新增電力裝機發展機制。 2021.10 9 國務院關于印發 2030 年前碳達峰行動方案的通知 國務院 加快新型儲能示范推廣應用。深化電力體制改革，加快構建全國統一電力市場體系。到2025 年，新型儲能裝機容量達到 3000 萬千瓦以上。 2021.10 . 資料來源：國家發改委官網，國家能源局，中華人民共和國中央人民政府官網，CNESA，安信證券研究中心 行業深度分析/電子元器件 18 本報告版權屬于安信證券股份有限公司

69、。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 表表 7：部分地區儲能“十四五”規劃：部分地區儲能“十四五”規劃 序號序號 地區地區 政策名稱政策名稱 發布時間發布時間 要點要點 裝機規模裝機規模 1 青海 青海打造國家清潔能源產業高地行動方案 2021.7 “十四五”末，青海新型儲能裝機規模達到6GW 左右，應用規模位居全國前列，實現電力系統中短周期儲能調節。 6 2 山東 山東省能源發展“十四五”規劃 2021.8 十四五期間：儲能發展目標 4.5GW，抽蓄4GW，需求相應能力達到最高負荷 2%以上。 4.5 3 湖南 關于加快推動湖南省電化學儲能

70、發展的實施意見 2021.10 到2023年建成電化學儲能電站1.5GW/3GWh以上。 1.5 4 浙江 關于浙江省加快新型儲能示范應用的實施意見 2021.11 十四五力爭實現 2GW 左右新型儲能示范項目發展目標。 2 5 南方電網 南方電網“十四五”電網發展規劃 2021.11 “十四五”期間，南方五省區將新增抽水蓄能6GW，推動新能源配套儲能 20GW。 20 6 內蒙古 關于加快推動新型儲能發展的實施意見 2021.12 到 2025 年建成并網新型儲能規模達到 5GW以上，獨立共享儲能電站不低于 5 萬千瓦，時長不低于 4 小時。 5 合計 39 資料來源：CNESA，安信證券研

71、究中心 儲能裝機量逐年提升，帶動儲能逆變器需求增長。儲能裝機量逐年提升，帶動儲能逆變器需求增長。根據國家能源局數據，我國新增儲能裝機容量在 2025 年有望達到 87GWh，2021 年-2025 年復合增長率可達 76%，儲能裝機量的逐年提升，帶動儲能逆變器的需求增長。根據錦浪科技 2020 年年報，2020 年全球儲能逆變器需求達到 4.5GW 左右，保持 20%以上的增速增長，2022 年全球儲能逆變器出貨量將達到7.1GW。 IHSMarkit 報告顯示， 到 2025 年， 年度新增并網型儲能逆變器規模將增至 10.6GW，市場前景廣闊。儲能逆變器的價值量高于光伏逆變器，儲能逆變器市

72、場未來有望為 SiC 打開增量市場空間。 圖圖 17：全球光伏儲能逆變器出貨量（全球光伏儲能逆變器出貨量（GW） 圖圖 18：全球儲能累計裝機容量預測（：全球儲能累計裝機容量預測（GW） 資料來源：錦浪科技年報，安信證券研究中心 資料來源：BloombergNEF，安信證券研究中心 4. 碳化硅應用趨勢明確，國內企業積極布局碳化硅應用趨勢明確，國內企業積極布局 4.1. 國家出臺多項國家出臺多項 SiC 產業發展鼓勵政策產業發展鼓勵政策 第三代半導體材料是信息產業、5G 通訊、國防軍工等國家重點戰略領域的核心材料，近年來， 國家出臺一系列半導體產業鼓勵政策， 以推動以碳化硅為代表的第三代半導體

73、材料發展。根據國家統計局發布的戰略性新興產業分類（2018） 分類，碳化硅晶體與晶片屬于“1.2.3高性能和關鍵電子材料制造”和“3.4.3.1 半導體晶體制造”， 為國家重點鼓勵、 扶持的戰略性新興產業。以下政策法律法規的發布和落實利好碳化硅企業發展，碳化硅產業鏈企業可享受行業紅利。 3 3.6 4.5 5.9 7.1 0123456782018201920202021E2022E全球光伏儲能逆變器出貨量（GW） 行業深度分析/電子元器件 19 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 表表 8：行業主要法律法

74、規政策：行業主要法律法規政策 序號序號 政策名稱政策名稱 發行部門發行部門 相關內容相關內容 發布時間發布時間 1 “戰略性先進電子材料”重點專項2020 年度項目 科技部 支持功率碳化硅芯片和器件在移動儲能裝臵中的應用（應用示范類） 2020 年 4 月 2 新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策 國務院 聚焦高端芯片、集成電路裝備等關鍵核心技術研發，在新一代半導體技術等領域推動各類創新平臺建設 2020 年 8 月 3 中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃 2035 年遠景目標綱要 十三屆全國人大四次會議審議通過 集中電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發

75、，集中電路先進工藝和絕緣柵雙極型晶體管 （IGBT） 、 微機電系統 （MEMS）等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬禁帶半導體發展 2021 年 3 月 資料來源：國務院官網，安信證券研究中心 4.2. 國內企業積極投產，全力國內企業積極投產，全力追趕國際龍頭追趕國際龍頭 SiC 行業是技術密集型行業，對研發人員操作經驗、資金投入有較高要求。國際巨頭半導體公司研發早于國內公司數十年，提前完成了技術積累工作。國內企業存在人才匱乏、技術水平較低的困難，制約了半導體行業的產業化進程發展。碳化硅行業整體處于產業化初期，中國企業與海外企業的差距相對較小。受益于中國 5G 通訊、新能源等

76、新興產業的技術水平、產業化規模的世界領先地位，國內碳化硅器件巨大的應用市場空間驅動上游半導體行業快速發展，國內碳化硅廠商具有自身優勢。 表表 9：國內廠商產品及產能情況：國內廠商產品及產能情況 公司公司 產業鏈產業鏈 產業布局及經營情況產業布局及經營情況 山東天岳山東天岳 SiC襯底 在上海臨港新片區建設碳化硅襯底生產基地，滿足不斷擴大的碳化硅半導體襯底材料的需求。公司的“碳化硅半導體材料項目”已被上海市發改委列入2021 年上海市重大建設項目清單 。 天科合達天科合達 SiC襯底 2020 年投資第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目 95,706.00 萬元，建設一個包括晶體生長、晶片加

77、工和清洗檢測等全生產環節的生產基地。項目投產后年產 12萬片6 英寸碳化硅晶片，其中 6英寸導電型碳化硅晶片約為 8.2 萬片，6 英寸半絕緣型碳化硅晶片約為3.8 萬片。 同光晶體同光晶體 SiC襯底 公司已完成自主搭建 200 臺單晶生長爐，同時為滿足功率半導體器件需求，2021年計劃陸續投產 600 臺生長爐，在 2022 年 4 月預計產能將達到10 萬片。 中電科裝備中電科裝備 SiC襯底 2020 年公司與北京經濟技術開發區管理委員會攜手打造中電科集成電路核心裝備產業園項目， 擬投資 66 億元建設包括技術研究院、研發及產業化基地，提升集成電路裝備國產化水平。 瀚天天成瀚天天成 S

78、iC外延片 2021 年碳化硅產業園二期項目主體封頂。項目總投資 6.3 億元，占地面積29002.015平方米，其中一期項目已建成投產，建筑面積 18502.64 平方米，二期規劃建筑面積 24133.03 平方米。 項目擬建設6 英寸 SiC外延晶片生產線項目，建成投產后預計年產值 30億元。 泰科天潤泰科天潤 SiC器件 公司在湖南瀏陽投資建設 6英寸碳化硅項目，項目 2019年年底正式開建。項目分兩期建設，一期總投資 5億元，主要建設 6 英寸碳化硅基電力電子芯片生產線，生產碳化硅芯片等產品 中車時代電氣中車時代電氣 SiC器件 IGBT 二期項目仍在建設中，高壓 IGBT 芯片線改造

79、及擴能項目 2020H2 快速爬坡。2020H2 高壓 IGBT 芯片生產線改造及擴能項目快速爬坡，2020 年該項目工程投入占預算比例從 H1 的 23%增至 H2 69%。 三安光電三安光電 SiC器件/模塊/IDM 三安光電宣布總投資 160 億元的湖南三安半導體基地一期項目正式點亮投產，將打造國內首條、全球第三條碳化硅垂直整合產業鏈，該產線可月產 3 萬片 6英寸碳化硅晶圓。 露笑科技露笑科技 SiC器件/模塊/IDM 露笑科技碳化硅產業園項目位于長豐經開區，占地面積 88 畝。項目投資總規模預計 100 億元,主要建設第三代功率半導體（碳化硅）的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作

80、等產業鏈的研發和生產基地。該產業園項目一期投資 21 億元，一期達產后，可形成年產 24萬片導電型碳化硅襯底片和5 萬片外延片的生產能力。 揚州揚杰電子揚州揚杰電子 SiC器件/模塊/IDM 擬在四川雅安經濟技術開發區投資建設半導體單晶材料擴能項目，項目計劃總投資不低于 7 億元，項目分三期投資建設，計劃 5 年內全部建成。 深圳基本半導體深圳基本半導體 SiC器件/模塊/IDM 南京浦口制造基地已于 2020 年 3月開工建設，預計 2021年底通線，將主要進行碳化硅外延片的工藝研發和制造。 北京亦莊共建的 6英寸碳化硅晶圓產線將于今年第四季度實現量產。深圳坪山第三代半導體產業基地已于 20

81、20 年底開工建設，預計 2023 年投產，年產能將達 200 萬只碳化硅器件。無錫新吳車規級碳化硅功率模塊制造基地正在建設中，預計2021 年底通線，2022 年中進入量產。 上海瞻芯上海瞻芯 SiC器件/模塊/IDM 碳化硅功率芯片和特色工藝制造項目計劃投資建設碳化硅功率器件生產研發中心，一期占地 50 畝，包含 6英寸的碳化硅功率器件生產線與工藝研發平臺，預計 2021 年設備進場安裝和調試，2022 年投入生產，形成年產 30 萬片6 英寸晶圓的生產能力。生產基地項目總投資 5 億元，建設期約為2 年，項目全面達產后，預計年銷售收入達 16.8 億元。當時報道指出，項目投產后，將實現產

82、品進口替代。 資料來源：招股書，公司官網，公司公告，安信證券研究中心 行業深度分析/電子元器件 20 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 4.3. 國際光伏逆變器大廠引領碳化硅應用，陽光電源等國內公司積極跟進國際光伏逆變器大廠引領碳化硅應用，陽光電源等國內公司積極跟進 國際大廠引領碳化硅在光伏逆變器中應用，國內公司積極跟進。國際大廠引領碳化硅在光伏逆變器中應用，國內公司積極跟進。根據光伏逆變器龍頭公司官網信息，多個國際大廠已經布局了 SiC 模塊，如英飛凌、安森美、富士電機等國際大廠已經實現了規?；瘧?，

83、國內陽光電源也在 2014 年推出第一款采用 SiC MOSFET 器件的光伏逆變器，并于 2017 年規?；瘧?。 表表 10：光伏逆變器中光伏逆變器中 SiC 應用方案梳理應用方案梳理 公司公司/機構機構 功率器件功率器件/逆變器系列逆變器系列 推出時間推出時間 詳情詳情 英飛凌英飛凌 CoolSiC 2012 裝臵小型輕量化， 工作效率有效提高， 降低開關損耗， 電壓范圍 600-1700V。 安森美半導體安森美半導體 NXH40B 120MNQ 2020 已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用， 用于支持其 M70A 三相光伏組串逆變器，產品能實現高達 98.8的峰值能量轉換能效

84、。 陽光電源陽光電源 SG60KTL-M/SG60KTL 2013 2013 年，陽光電源開發了采用碳化硅二極管的組串逆變器 SG30KTL-M；2014 年，陽光電源 SG60KTL-M、SG60KTL 組串逆變器采用了 SiC MOS器件；2017年，陽光電源將 SiC模塊規?；瘧糜?SG80KTL-M組串逆變器。 三菱電機三菱電機 全 SiC-IPM 2014 只使用一個逆變器，可支持 4.4kW 的輸出功率，將直流電力轉換成交流電力的轉換效率為 98.0%。 田淵電機田淵電機 無 2014 組合采用 IGBT，用 SiC二極管的逆變器通過減少開關損耗和導通損耗，大幅降低了轉換損失。

85、西門子西門子 blueplanet 155/165 TL3 2020 2020年12月推出了兩款用于大型光伏項目的組串型逆變器， blueplanet 155 TL3 和 165 TL3，額定輸出功率分別為155kW 和 165kW，均采用了碳化硅晶體管設計。與傳統逆變器相比，采用碳化硅晶體管的逆變器具有更高的功率密度、更少的冷卻需求和更低的整體系統成本。 富士電機富士電機 無 2014 2014 年 8 月開始量產輸出功率為 1000kW 的百萬瓦級光伏電站使用的光伏逆變器。 德國德國 Fraunhofer ISE 高阻 SiC逆變器 2021 250kW 的碳化硅逆變器，用于連接中壓系統的

86、公用事業規模的光伏項目，運行轉換效率為 98.4%，節省高達 40% 的體積。 資料來源：各公司官網，安信證券研究中心 根據 2021 年 10 月 19 日陽光電源定增公告披露，公司在碳化硅混合型三電平拓撲、高飽和磁密的磁性元件、相變熱虹吸散熱等技術的研究和工程應用上取得重大突破，研制出高效、高功率密度光伏逆變設備。 目前陽光電源基于碳化硅 MOSFET 的逆變器原型機， 功率 165kW，功率密度做到 1.25W/cm3，開關頻率 40KHz，最高效率達到 99.2%。達到世界領先水平。根據索比光伏網，通過硅半導體技術和碳化硅半導體技術融合，陽光電源在 2019 年 3 月推出功率高達 2

87、25kW 的 SG225HX 系列產品，助力中國光伏逆變器躍入“200kW+”時代，隨后陸續有數家企業跟進，2020 年技術和產品被打磨成熟，SG320HX 系列產品上市，中國光伏逆變器整體水平邁上新臺階。 圖 19：應用 SiC 器件的組串逆變器應用型譜 資料來源：陽光電源，安信證券研究中心 行業深度分析/電子元器件 21 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 本土光伏逆變器在全球市場持續突破，為碳化硅應用提供歷史機遇。本土光伏逆變器在全球市場持續突破，為碳化硅應用提供歷史機遇。根據 SolarEdge 統

88、計，2018 年， 華為在全球逆變器市場的份額達 22%， 市占率位列全球第一， 據陽光電源 2020 年報披露，公司 2015 年起出貨量首次超越連續多年排名全球發貨量第一的歐洲公司，已批量銷往德國、意大利、澳大利亞、美國、日本、印度等 150 多個國家和地區。因此，在國內光伏逆變器的市場占有率不斷提升，碳化硅器件勢必將優先使用國產替代，國產碳化硅市場迎來新的歷史機遇。 5. 相關標的相關標的 5.1. 斯達半導斯達半導 公司業務涵蓋了 IGBT、快恢復二極管等功率芯片和 IGBT、MOSFET、SiC 等功率模塊的設計、工藝研發、產品測試、產品應用等，使用自主芯片和工業級和車規級功率模塊已

89、在工業控制及電源、新能源汽車、新能源發電等行業實現規?；瘧?。據公司 2021 年報半年報，公司 SiC 模塊產品在機車牽引輔助供電系統、新能源汽車行業控制器、光伏行業得到進一步的推廣應用，新增多個使用全 SiC MOSFET 模塊的新能源汽車 800V 系統的主電機控制器項目定點。據公司 2021 年度非公開發行 A 股股票預案，2021 年公司定增募集資金不超過35 億元，擬將 5 億元募集資金投入 SiC 芯片研發及產業化項目，項目建設周期 3 年，達產后將形成 6 英寸 SiC 芯片 6 萬片/年的生產能力，有助于公司搶抓新能源汽車市場機遇，進一步完善產品結構和產能布局，鞏固和提升市場

90、地位。 圖圖 20：斯達半導營業收入情況斯達半導營業收入情況 圖圖 21：斯達半導歸母凈利潤情況斯達半導歸母凈利潤情況 資料來源：Wind，安信證券研究中心 資料來源：Wind，安信證券研究中心 5.2. 時代電氣時代電氣 公司主要從事軌道交通裝備產品的研發、設計、制造、銷售并提供相關服務，具有“器件+系統+整機” 的產業結構， 產品主要包括以軌道交通牽引變流系統為主的軌道交通電氣裝備、軌道工程機械、通信信號系統等。同時，公司還積極布局軌道交通以外的產業，在功率半導體器件、工業變流產品、新能源汽車電驅系統、傳感器件、海工裝備等領域開展業務。公司科創板招股書披露， 公司SiC器件主要包含SiC

91、SBD、 SiC MOSFET以及SiC模塊： SiC SBD 芯片覆蓋 650V-3300V 電壓等級，可應用于高頻/大功率密度系統；第 1 代 SiC MOSFET技術應用于 1200V -3300V 電壓等級，可滿足鐵路運輸、船舶運輸、智能電網等高壓領域需求，第 2 代 SiC MOSFET 技術應用于 650V -1200V 電壓等級，可滿足新能源汽車、風力發電、 光伏逆變等領域需求； SiC 模塊覆蓋 1200V-3300V 電壓等級， 樣品已小批量在軌道交通、新能源領域驗證應用。 0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%0246810122

92、0162017201820192020營業總收入（億元） 同比(%) 0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%100.00%120.00%140.00%160.00%00.20.40.60.811.21.41.61.8220162017201820192020歸屬母公司股東的凈利潤（億元） 同比(%) 行業深度分析/電子元器件 22 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 圖圖 22：時代電氣營業收入情況時代電氣營業收入情況 圖圖 23：時代電氣歸母凈利潤情況時代電氣歸母凈利潤情況 資料來源：

93、wind，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 5.3. 新潔能新潔能 公司為國內領先的半導體功率器件設計企業，主要產品包括 MOSFET 和 IGBT 等半導體芯片和功率器件，廣泛應用于消費電子、汽車電子、工業電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、 物聯網、 5G、 光伏新能源等領域。 公司擁有約 1500 款細分型號產品， 覆蓋 12V-1700V電壓范圍、0.1A-450A 電流范圍，系列齊全、技術先進，目前已進入比亞迪、寧德時代、大疆創新、中興通訊、富士康、TTI、陽光電源、德業股份、拓邦股份、長城汽車、華寶能源等下游知名客戶供應鏈。公司積極布局 SiC/GaN 寬

94、禁帶半導體功率器件產品，據公司 2021年年報，2021 年公司 1200V 新能源汽車用 SiC MOS 平臺開發進行順利，1200V SiC MOSFET 首次流片驗證完成， 產品部分性能達到國內先進水平， 產品綜合特性及可靠性尚處于驗證評估階段。2021 年 11 月 12 日公司發布公告，擬募集資金總額不超過 145,000.00 萬元，擬投入募集資金 20,000 萬元用于第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發及產業化項目，提升公司核心競爭力以及國內外市場地位。 圖圖 24：新潔能營收情況新潔能營收情況 圖圖 25：新潔能歸母凈利潤情況新潔能歸母凈利潤情況 資料來源：wi

95、nd，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 5.4. 揚杰科技揚杰科技 揚杰科技成立于 2006 年，總部位于揚州市，是國內少數集半導體分立器件芯片設計制造、器件封裝測試、終端銷售與服務等產業鏈垂直一體化（IDM）的杰出廠商。公司主營產品為各類電力電子器件芯片、MOSFET、IGBT 及碳化硅 SBD、碳化硅 JBS、大功率模塊、小信號二三極管、功率二極管、整流橋等，在多個細分市場占有領先的市場地位，據公司 2021年半年報，公司已連續數年入圍由中國半導體行業協會評選的“中國半導體功率器件十強企業”前三強。據公司 2020 年年報，公司現已成功開發并向市場推出碳化硅模塊及 6

96、50V 碳-2.00%-1.00%0.00%1.00%2.00%3.00%4.00%5.00%1441461481501521541561581601621642017201820192020營業總收入（億元） 同比(%) -8.00%-6.00%-4.00%-2.00%0.00%2.00%4.00%6.00%23.52424.52525.52626.5272017201820192020歸屬母公司股東的凈利潤（億元） 同比(%) 0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%024681012201620172018201

97、92020營業總收入（億元） 同比（%） -50%0%50%100%150%200%00.20.40.60.811.21.41.620162017201820192020歸屬母公司股東的凈利潤（億元） 同比（%） 行業深度分析/電子元器件 23 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 化硅 SBD 全系列產品，1200V 系列碳化硅 SBD 及碳化硅 MOS 也已取得突破，公司將持續推進碳化硅功率器件產品的研發投入，緊跟技術前沿，完善半導體功率器件全系列產品的一站式供應。 圖圖 26：揚杰科技營收情況：揚杰科技

98、營收情況 圖圖 27：揚杰科技歸母凈利潤情況：揚杰科技歸母凈利潤情況 資料來源：wind，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 5.5. 宏微科技宏微科技 公司主要從事以 IGBT、FRED 為主的功率半導體芯片、單管、模塊和電源模組的設計、研發、生產和銷售，IGBT、FRED 單管和模塊的核心是 IGBT 芯片和 FRED 芯片，公司擁有自主研發設計市場主流 IGBT 和 FRED 芯片的能力。目前，公司產品已涵蓋 IGBT、FRED、MOSFET 芯片及單管產品 100 余種，IGBT、FRED、MOSFET、整流二極管及晶閘管等模塊產品 400 余種，產品性能與工藝技術

99、水平處于行業先進水平。經過多年的積累，公司已擁有較為豐富的優質客戶資源，與臺達集團、匯川技術、佳士科技、奧太集團、蘇州固锝、盛弘股份、英可瑞、科士達等行業龍頭或知名企業客戶建立了較為穩定的配套合作關系。招股書披露，公司將針對新能源、光伏領域，積極布局第三代半導體，開展碳化硅器件研究及模塊產品的封裝，碳化硅 MOSFET 芯片已處于研發階段。 圖圖 28：宏微科技收入情況宏微科技收入情況 圖圖 29：宏微科技歸母凈利潤情況宏微科技歸母凈利潤情況 資料來源：Wind，安信證券研究中心 資料來源：Wind，安信證券研究中心 5.6. 三安光電三安光電 公司主要從事化合物半導體所涉及的部分核心原材料、

100、外延片生長和芯片制造，是產業鏈的核心環節，也是附加值高的環節，屬于技術、資本密集型的產業。據公司 2021 年半年報，公司作為國內產銷規模首位的化合物半導體生產企業，多年來持續加大研發投入，積極提升核心競爭力，不斷推出新產品，穩步提高國內外市場份額，持續優化客戶結構，鞏固化合物0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%05101520253020162017201820192020營業總收入（億元） 同比(%) -40.00%-20.00%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%00.511.522.5

101、33.5420162017201820192020歸屬母公司股東的凈利潤（億元） 同比(%) -10.00%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%010020030040050060020172018201920202021營業收入（百萬元） 同比（%） -100.00%-50.00%0.00%50.00%100.00%150.00%01020304050607020172018201920202021歸母凈利潤（百萬元） 同比（%） 行業深度分析/電子元器件 24 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。

102、 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 半導體龍頭企業的優勢地位。公司 2021 年半年報披露，碳化硅二極管 2021 年上半年新開拓客戶 518 家，出貨客戶超過 180 家，超過 60 種產品已進入量產階段，在服務器電源、通信電源、光伏逆變器、充電樁、車載充電機、家電等細分應用市場標桿客戶實現穩定供貨，并與國際標桿客戶達成戰略合作，海外市場已有所突破。碳化硅二極管已有 2 款產品通過車載認證并送樣行業標桿客戶，處于小批量生產階段。碳化硅 MOSFET 工業級產品已送樣客戶驗證，車規級產品正配合多家車企做流片設計及測試。 圖圖 30：三安光電營業收入情況：三安光電營業收入情況 圖

103、圖 31：三安光電歸母凈利潤情況：三安光電歸母凈利潤情況 資料來源：wind，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 5.7. 天岳先進天岳先進 公司成立于 2010 年， 主營業務是寬禁帶半導體(第三代半導體)碳化硅襯底材料的研發、 生產和銷售， 主要產品包括半絕緣型和導電型碳化硅襯底， 可應用于微波電子、 電力電子等領域。經過十余年的技術發展，公司已掌握涵蓋了設備設計、熱場設計、粉料合成、晶體生長、襯底加工等環節的核心技術，自主研發了不同尺寸半絕緣型及導電型碳化硅襯底制備技術。據公司 2021 年年報，截至 2021 年 12 月末，公司擁有授權專利 415 項，其中境內發

104、明專利98 項， 境外發明專利授權 5 項， 是國家知識產權優勢企業。 根據國際知名行業咨詢機構 Yole的統計，2019 年及 2020 年公司已躋身半絕緣型碳化硅襯底市場的世界前三。公司于 2022年 1 月份科創板上市，將進一步加大導電型襯底的投資擴產力度。 圖圖 32：天岳先進營業收入情況：天岳先進營業收入情況 圖圖 33：天岳先進歸母凈利潤情況：天岳先進歸母凈利潤情況 資料來源：wind，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 5.8. 露笑科技露笑科技 據公司 2021 年半年報披露，報告期內，公司主要從事碳化硅業務、光伏發電業務、漆包線業務。據公司投資者關系活動記

105、錄表，對于 6 英寸碳化硅導電型襯底產品，公司技術團隊能夠全面掌握各工藝參數的優值， 據公司 2022 年 2 月 17 日投資者關系活動記錄表， 公司目前-15.0%-10.0%-5.0%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%25.0%30.0%35.0%40.0%010203040506070809020162017201820192020營業收入（億元） 同比（%） -60.0%-40.0%-20.0%0.0%20.0%40.0%60.0%0510152025303520162017201820192020歸母凈利潤（億元） 同比（%） 0.0%20.0%40.0%60.0%80

106、.0%100.0%120.0%01002003004005006002018201920202021營業收入（百萬元） 同比（%） -700-600-500-400-300-200-10001002002018201920202021歸母凈利潤（百萬元） 行業深度分析/電子元器件 25 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 已有 112 臺長晶爐安裝完畢，到 2022 年 6 月底公司將有 224 臺長晶爐投入生產，年產能擴大到 10 萬片，核心應用領域為光伏和汽車電子，目前已針對下游 SBD 應用場景形成銷

107、售，針對 MOS 應用場景的碳化硅襯底已進入送樣認證階段，品質處于第一梯隊。未來公司將繼續提高產品良率、降低生產成本，持續研發加工新工藝、新技術，并進一步研究開發8 英寸碳化硅襯底片，以增強市場競爭力。隨著碳化硅項目的逐步投產，公司將充分受益于碳化硅行業的高景氣度，實現業績增長。 圖圖 34：露笑科技營收情況：露笑科技營收情況 圖圖 35：露笑科技歸母凈利潤情況：露笑科技歸母凈利潤情況 資料來源：wind，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 5.9. 鳳凰光學鳳凰光學 公司主要從事光學產品業務、智能控制器產品業務以及鋰電芯產品業務。在光學領域，公司已成為集研發、設計、制造一

108、體化的精密加工、光學組件國內重要供應商；在智能控制器領域，公司提供控制器設計、制造、測試、認證的一站式服務，是眾多國際一流企業的長期核心供應商；在鋰電芯領域，公司生產的鋰電芯產品主要應用于功能手機及智能手機售后更換電池市場。據公司 2021 年年報，報告期內公司籌劃重大資產重組，擬發行股份購買國盛電子、普興電子 100%股權。據公司發布的重大資產出售及發行股份購買資產并募集配套資金暨關聯交易預案（修訂稿） ，國盛電子成立于 2003 年，經營范圍包含半導體材料、電子元器件、集成電路芯片、電子產品相關業務，2020 年實現營業收入 7.05 億元；普興電子成立于2000 年，主要從事集成電路外延

109、材料、電子產品材料及相關部件等業務，2020 年實現營業收入 7.09 億元。重組完成后公司將注入半導體外延材料領域的優質資產，實現業務板塊的進一步擴張，提升核心競爭力。 圖圖 36：鳳凰光學營收情況鳳凰光學營收情況 圖圖 37：鳳凰光學歸母凈利潤情況鳳凰光學歸母凈利潤情況 資料來源：wind，安信證券研究中心 資料來源：wind，安信證券研究中心 -40.00%-20.00%0.00%20.00%40.00%60.00%80.00%100.00%120.00%140.00%051015202530352017201820192020營業收入（億元） 同比（%） -500.0%-400.0%-

110、300.0%-200.0%-100.0%0.0%100.0%200.0%300.0%400.0%500.0%-12-10-8-6-4-20242017201820192020歸母凈利潤（億元） 同比（%） -5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%02004006008001000120014001600180020172018201920202021營業收入（百萬元） 同比（%） -150.00%-100.00%-50.00%0.00%50.00%100.00%150.00%200.00%250.00%-10-5051015202530354

111、020172018201920202021歸母凈利潤（百萬元） 同比（%） 行業深度分析/電子元器件 26 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 6. 風險提示風險提示 （1）SiC 技術難度大，產品研發不及預期風險技術難度大，產品研發不及預期風險。國外龍頭企業大力布局 SiC 領域研發，若國內企業產品研發失敗，無法滿足下游應用市場要求，對市場前景會產生不利影響。 （2）相關擴產項目不及預期風險）相關擴產項目不及預期風險。國內外主要碳化硅廠商均在大力擴產，產品競爭加劇，可能出現產能過剩的問題。若擴產項目不及預

112、期，會對公司競爭力產生不利影響。 （3）SiC 成本高居不下，成本高居不下， SiC 滲透率不及預期風險滲透率不及預期風險。目前碳化硅功率器件的價格仍數倍于硅基器件，光伏整體系統仍需平衡碳化硅器件的高價格與因碳化硅器件的優越性能帶來的綜合成本下降之間的關系，一定程度上限制了碳化硅器件的滲透率。若碳化硅制造成本無法下降，對市場應用進展產生不利影響。 行業深度分析/電子元器件 27 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 行業行業評級體系評級體系 收益評級：收益評級： 領先大市 未來 6 個月的投資收益率領先滬深

113、300 指數 10%以上； 同步大市 未來 6 個月的投資收益率與滬深 300 指數的變動幅度相差-10%至 10%； 落后大市 未來 6 個月的投資收益率落后滬深 300 指數 10%以上； 風險評級：風險評級： A 正常風險，未來 6 個月投資收益率的波動小于等于滬深 300 指數波動； B 較高風險，未來 6 個月投資收益率的波動大于滬深 300 指數波動； 分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師聲明，本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，勤勉盡責、誠實守信。本人對本報告的內容和觀點負責，保證信息來源合法合規、研究方法專業審慎、研究觀點獨立公正、分析結論具有合理依據，特此聲明

114、。 本公司具備證券投資咨詢業務資格的說明本公司具備證券投資咨詢業務資格的說明 安信證券股份有限公司（以下簡稱“本公司” ）經中國證券監督管理委員會核準，取得證券投資咨詢業務許可。本公司及其投資咨詢人員可以為證券投資人或客戶提供證券投資分析、預測或者建議等直接或間接的有償咨詢服務。發布證券研究報告，是證券投資咨詢業務的一種基本形式，本公司可以對證券及證券相關產品的價值、市場走勢或者相關影響因素進行分析，形成證券估值、投資評級等投資分析意見，制作證券研究報告，并向本公司的客戶發布。 行業深度分析/電子元器件 28 本報告版權屬于安信證券股份有限公司。本報告版權屬于安信證券股份有限公司。 各項聲明請

115、參見報告尾頁。各項聲明請參見報告尾頁。 免責聲明免責聲明 。本公司不會因為任何機構或個人接收到本報告而視其為本公司的當然客戶。 本報告基于已公開的資料或信息撰寫，但本公司不保證該等信息及資料的完整性、準確性。本報告所載的信息、資料、建議及推測僅反映本公司于本報告發布當日的判斷，本報告中的證券或投資標的價格、價值及投資帶來的收入可能會波動。在不同時期，本公司可能撰寫并發布與本報告所載資料、建議及推測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息及資料保持在最新狀態，本公司將隨時補充、更新和修訂有關信息及資料，但不保證及時公開發布。同時，本公司有權對本報告所含信息在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當

116、自行關注相應的更新或修改。任何有關本報告的摘要或節選都不代表本報告正式完整的觀點， 一切須以本公司向客戶發布的本報告完整版本為準， 如有需要，客戶可以向本公司投資顧問進一步咨詢。 在法律許可的情況下，本公司及所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券或期權并進行證券或期權交易，也可能為這些公司提供或者爭取提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等相關服務，提請客戶充分注意?？蛻舨粦獙⒈緢蟾鏋樽鞒銎渫顿Y決策的惟一參考因素，亦不應認為本報告可以取代客戶自身的投資判斷與決策。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議，無論是否已經明示或暗示，本報告不能作為道義的、責任的和

117、法律的依據或者憑證。在任何情況下，本公司亦不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。 本報告版權僅為本公司所有， 未經事先書面許可， 任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制、發表、轉發或引用本報告的任何部分。如征得本公司同意進行引用、刊發的，需在允許的范圍內使用，并注明出處為“安信證券股份有限公司研究中心”，且不得對本報告進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。 本報告的估值結果和分析結論是基于所預定的假設，并采用適當的估值方法和模型得出的，由于假設、估值方法和模型均存在一定的局限性，估值結果和分析結論也存在局限性，請謹慎使用。 安信證券股份有限公司對本聲明條款具有惟一修改權和最終解釋權。 Tabl e_Address 安信證券研究中心安信證券研究中心 深圳市深圳市 地地 址：址： 深圳市福田區深南大道深圳市福田區深南大道 2008 號中國鳳凰大廈號中國鳳凰大廈 1 棟棟 7 層層 郵郵 編：編： 518026 上海市上海市 地地 址：址： 上海市虹口區東大名路上海市虹口區東大名路638號國投大廈號國投大廈3層層 郵郵 編：編： 200080 北京市北京市 地地 址：址： 北京市西城區阜成門北大街北京市西城區阜成門北大街 2 號樓國投金融大廈號樓國投金融大廈 15 層層 郵郵 編：編： 100034