拓荊科技-國產薄膜沉積設備產業化先鋒布局PECVD+ALD+SACVD-220421（63頁）.pdf

1、分析師：陳杭登記編號：S1220519110008聯系人：胡園園證 券 研 究 報 告2022 年 4月 21 日【方正電子 公司深度報告】拓荊科技（688072）國產薄膜沉積設備產業化先鋒布局PECVD+ALD+SACVD投資要點 PECVD+SACVD+ALD，國產薄膜沉積產業化先鋒。公司核心團隊具備諾發/愛思強/Intel等大廠技術背景，為多項PECVD/ALD/SACVD國家專項牽頭人。大基金/中微/國投等資本支持下，公司是國內唯一一家產業化應用PECVD、SACVD設備的廠商，具備不可替代性。 客戶覆蓋核心晶圓廠，持續受益擴產成就規?；砷L。2022年往后看，內資晶圓廠12吋潛在擴產

2、產能至少155萬片/月，支撐3-4年高景氣擴產周期。公司客戶中芯國際/長存/華虹/晶合/粵芯/長鑫，覆蓋下游核心晶圓廠，未來將持續受益下游擴產實現高速規?；砷L。 貿易爭端威脅供應鏈安全，國產替代勢在必行。全球半導體設備市場呈現日、歐、美供應商壟斷態勢，中國大陸半導體設備綜合自給率很低。大國博弈背景下，保證產業供應鏈安全迫在眉睫；國產化下國內設備廠商厚積薄發，高速放量。、集微咨詢、拓荊科技招股書、方正證券研究所整理2 盈利預測：我們預計公司2022-2024年營業收入分別為12.4/18.9/26.3億元，歸母凈利潤分別為1.3/2.3/3.7億元，首次覆蓋，給予“推薦”評級。 風險提示：（1

3、）下游晶圓廠擴產不及預期；（2）產業研發與產業化應用不及時；（3）上游供應緊張影響出貨。單位單位/ /百萬百萬202120212022E2022E2023E2023E2024E2024E營業總收入758 1239 1894 2625 (+/-)(%)73.99 63.43 52.91 38.59 歸母凈利潤68 129 230 371 (+/-)(%)696.10 87.75 78.93 61.35 EPS(元)0.72 1.02 1.82 2.93 ROE(%)5.74 3.73 6.25 9.17 P/E0.00 99.93 55.85 34.61 P/B0.00 3.73 3.49 3.

4、17 盈利預測盈利預測zW8VmUhYlYmUgWpYjZaQ8Q8OpNrRnPsQkPrRrNlOoMmQ7NqQyRuOmRtMNZmPsP目錄3拓荊科技：國產薄膜沉積設備先鋒1財務分析：營收高速增長，合同負債創新高2產品實力：技術鑄就極強不可替代性3市場需求：沉積需求疊加，國產替代高景氣4盈利預測5拓荊科技：國產薄膜沉積產業化先鋒4ALDSACVDPF-300TPF-200TPECVD等離子增強化學氣相沉積 拓荊科技成立于2010年，主營半導體薄膜沉積設備，PECVD、ALD、SACVD三個產品系列已廣泛應用于國內晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產線，并已展開 10nm 及以下制程

5、產品驗證測試；且公司是目前國內唯一一家產業化應用PECVD、SACVD設備的廠商。原子層沉積次常壓化學氣相沉積PE-ALDThermalALDSA-300TSA-200T2018. 1012英寸ALD通過客戶14nm產業化驗證2018.12首臺14nm硬掩膜ACHM 機臺出廠到客戶端2020. 09認定為“遼寧省企業技術中心”2020.12“十三五”國家重大專項通過驗收2020.12客戶端總流片量超過1500萬片2019. 09SACVD研制成功并出廠到客戶端2019.10獲批設立“遼寧省博士創新實踐基地”2019.12泛半導體應用TLITE研制成功2019.12獲評國家知識產權示范企業發展歷

6、程：PECVDALDSACVD2010.04沈陽拓荊科技有限公司成立2011.10推出12英寸多反應腔PF-300T設備2013.04首臺12寸PF-300銷售2013.12PF-300T通過中芯國際產品線測試2014.12獲批組建“遼寧省薄膜設備工程研究中心”2015.09獲國家集成電路產業投資基金戰略投資2015.12獲批“十三五”國家重大專項2017.12首臺量產型HTM PECVD 出廠到客戶端2016.4“十一五”國家重大專項通過驗收2016.12拓荊新廠投入使用2012.12推出12英寸多反應腔PF-300T4設備2022繼續引領國內半導體薄膜沉積設備和技術的發展5股權結構：無控股

7、股東和實際控制人宿遷渾璞蘇州聚源中微公司沈陽風投中科儀潤揚嘉禾姜謙及其一致行動人沈陽創投中車國華國家集成電路基金鹽城燕舞共青城盛夏國投上海嘉興君勵26.48%15.19%18.23%6.57%11.20% 7.39%3.13%1.71%1.58% 0.82%3.16%1.90%1.58%1.04%拓荊科技拓荊北京武漢分公司拓荊上海拓荊鍵科北京分公司上海分公司 公司單個股東持有或控制的股份數量均未超過公司總股本的30%，無法形成控股，單個股東亦不能決定董事會多數席位，使得公司無控股股東及實際控制人。100%100%655%姜謙及其一致行動人：姜謙、呂光泉、劉憶軍、凌復華、吳飚、周仁、張先智、張孝

8、勇等8名直接持有公司股份的自然人，以及芯鑫和、芯鑫全、芯鑫龍、芯鑫成、芯鑫旺、芯鑫盛、芯鑫陽、沈陽盛騰、沈陽盛旺、沈陽盛全、沈陽盛龍等11個公司員工持股平臺。董高監姓名職務提名人呂光泉董事長芯鑫龍、芯鑫全姜 謙董事芯鑫和、芯鑫成楊征帆董事國家集成電路基金楊 柳董事國家集成電路基金齊 雷董事國投上海尹志堯董事中微公司吳漢明獨立董事芯鑫盛黃宏彬獨立董事芯鑫旺趙國慶獨立董事芯鑫陽姓名職務提名人/選舉機構監事會葉五毛監事會主席職工代表大會郭 郢監事國家集成電路基金曹 陽監事國投上海許榮偉監事嘉興君勵、鹽城燕舞苑 雪監事沈陽創投劉忠武職工代表監事職工代表大會姓名職務高級管理人員田曉明總經理張孝勇副總經理

9、周 堅副總經理劉 靜副總經理、財務負責人孫麗杰副總經理趙 曦董事會秘書1965年出生，美國國籍，美國加州大學圣地亞哥分校博士。1994年8月至2014年8月，先后任職于美國科學基金會尖端電子材料研究中心、美國諾發、德國愛思強公司美國SSTS部，歷任副研究員、工程技術副總裁等職。2014年9月至今就職于公司，曾任技術總監、總經理、董事，現任公司董事長。7客戶：晶圓廠客戶占比高圖表：拓荊科技前五大客戶營業收入占比由于集成電路制造行業因資本投入大、技術難度高，國內外主要集成電路制造商均呈現經營規模大但數量少的行業特征，導致拓荊科技下游客戶所處行業的集中度較高。2021年1-9月2020年2019年2

10、018年中芯國際29%中芯國際46%中芯國際27%萬國半導41%北京屹唐28%長江存儲19%北京晶瑞23%長江存儲23%長江存儲17%華虹集團11%北京燕東17%華虹集團22%華虹集團10%晶合集成4%華虹集團12%中芯國際15%睿力集成9%廣州粵芯4%長江存儲6%合計(%)92%84%84%100%合計(萬元)33646 35923 20814 6630 8目錄拓荊科技：國產薄膜沉積設備先鋒1財務分析：營收高速增長，合同負債創新高2產品實力：技術鑄就極強不可替代性3市場需求：沉積需求疊加，國產替代高景氣4盈利預測5營收：PECVD設備高速放量圖表：2018-2021拓荊科技營收情況 公司20

11、20年營收4.4億元，同比+73%；2021年營收7.6億元，同比+74%；公司進入穩定的高速增長期。2022年Q1，實現營收近1億元，同比+86%，繼續維持高增長。 PECVD：公司營收增長最強引擎，2021年營收貢獻89%。 SACVD：2020年實現首臺銷售收入867萬元，客戶為北京燕東；2021年進一步放量實現收入4116萬元。 ALD：2018年實現單臺銷售收入1460萬元，客戶為ICRD；2021年銷售收入2862萬元。單位：臺2018年2019年2020年2021年1-9月PECVD產量9225049銷量4193123ALD產量0011銷量1000SACVD產量0133銷量001

12、10123456782018年2019年2020年2021年億元其他業務收入SACVD 設備ALD 設備PECVD 設備10毛利率：PECVD穩步提升至43%圖表：2018-2021年拓荊科技毛利率拆解-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%2018201920202021PECVDSACVD設備ALD設備其他業務公司產品根據客戶差異化需求進行定制化生產，不同客戶對零部件的性能和型號，以及是否需要公司提供附屬設備等額外模塊的需求存在差異，導致公司產品的售價和成本存在波動。PECVD：2018-2021年毛利率從29%穩步改善至43%，達到行業水平，盈利拐點已至。分產品看，除

13、2018年PF-200T為首臺優惠售價毛利率較低外，其余各期PF-300T和PF-200T毛利率無明顯差異。SACVD：2020年首臺銷售接受客戶較低報價，形成虧損；2021年銷售設備用于2.5D、3D封裝領域，形成較高毛利率63%。ALD：2018年單臺銷售毛利率46%；2020年為2018年銷售ALD反應腔升級，形成較高毛利率87%；2021年再次形成設備銷售，毛利率重回正常，近44%。11費用：營收規?；?，管理/銷售費用率穩步下降圖表：拓荊科技2018-2021年期間費用率拆分 銷售費用：主要費用來自職工薪酬和產品質保金，2019年來占比超70%；隨著2019年來公司營收規模高速增長，銷

14、售費用率趨于穩定并逐步下降，2021年約為12.8%。 管理費用：超一半費用來自職工薪酬，同樣隨著2019年公司營收步入新臺階，管理費用率穩步下降，2021年約為5.9%。38%0%20%40%60%80%100%120%140%160%2018201920202021銷售費用率管理費用率研發費用率 研發費用：主要費用來自直接材料投入、職工薪酬和專業機構服務費，2020年分別占比31%、30%、26%。2018年高研發投入主要系當年公司根據業務需要生產了多臺研發測試用機用于PECVD持續改進所致。持續加強競爭力需要，2021年公司研發費用率達到38%。 專業機構服務費：主要為公司委托外部機構對

15、公司研發的新工藝進行技術參數測試而支出的測試服務費用，主要供應商為ICRD和北方集成電路技術創新中心（北京）。12利潤：期待扣非后利潤扭虧為盈 半導體行業技術含量高，研發投入大，且產品驗證周期長。公司處于早期高速開拓階段，需持續加強研發投入；2021年公司研發投入全部費用化，研發費用率近38%，導致整體費用成本較高，2021年全年扣非后歸母凈利潤-0.82億元，尚未實現盈利。 2021年公司歸母凈利潤0.68億元，扭虧為盈；主要系歸屬于母公司股東的非經常性損益近1.5億元，主要來自計入當期損益的政府補助1.56億元。 內資晶圓廠擴產浪潮下，公司薄膜沉積設備，尤其PECVD在國產化進程中占據及其

16、重要的位置，公司營收將持續高增，且公司2021年PECVD毛利率已爬升至近43%，后續扣非后歸母凈利潤扭虧為盈可期。圖表：公司2018-2021年業績情況0.68-0.82-2.00-1.50-1.00-0.500.000.501.002018201920202021歸屬母公司股東的凈利潤扣非后歸屬母公司股東的凈利潤0.47 0.43 0.51 1.56 0.000.200.400.600.801.001.201.401.601.802018201920202021計入當期損益的政府補助圖表：公司2018-2021年計入當期損益政府補助億元億元13存貨/合同負債創新高，公司在手訂單充沛報告期內

17、，公司合同負債和預收賬款金額持續高速增長，同時存貨持續高速增長。2022年一季度公司合同負債和預收賬款合計7.9億元，較2021年末增加61%；存貨13億元，較2021年末增加36%；公司在手訂單充沛，并積極備貨以應對強客戶需求。圖表：公司2018-2021年合同負債和預收賬款、存貨情況0.47 0.56 1.34 4.88 7.80 3.22 3.50 5.12 9.53 12.94 0246810121420182019202020212022Q1合同負債+預收賬款（億元）存貨（億元）14目錄拓荊科技：國產薄膜沉積設備先鋒1產品矩陣：PECVD + ALD + SACVD技術壁壘：人才 +

18、 資金 + 技術財務分析：營收高速增長，合同負債創新高2產品實力：技術鑄就極強不可替代性3市場需求：沉積需求疊加，國產替代高景氣4盈利預測515拓荊科技：PECVD + SACVD + ALDPECVD設備33%濺射PVD19%電鍍ECD4%ALD設備11%管式CVD12%非管式LPCVD11%其他設備（包括SACVD設備）6%MOCVD4%圖表：市場中各類薄膜沉積設備占比圖拓荊科技半導體薄膜沉積設備布局：PECVD設備、ALD設備及 SACVD設備Gartner，方正證券研究所整理16產品應用：邏輯 + 3D NAND+ DRAM圖表：拓荊科技設備產品在不同芯片產品中的應用圖示PECVD：公

19、司已研發并生產16種不同工藝型號的 PECVD 設備，應用于邏輯芯片制造、DRAM制造、FLASH制造、先進封裝、LED器件制造等領域。ALD：在先進制程集成電路制造工序中應用廣泛。公司已量產PE-ALD，正在研發Thermal -ALD設備，應用于邏輯芯片制造、先進封裝、CMOS器件等領域。SACVD：研發生產了多種不同工藝的SACVD設備，應用于邏輯芯片、DRAM制造等領域。17PECVD：PF-300T & PF-200T 公司是國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD設備廠商，已配適180-14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM及64/128層FLASH制造工藝需求。公司于201

20、8年向某國際領先晶圓廠發貨一臺PECVD設備用于其先進邏輯芯片制造研發產線，2020年該廠向公司增訂一臺PECVD設備用于其上述先進制程試產線。產業化應用PF-300T應用于28nm以上邏輯芯片及FLASH、DRAM存儲芯片制造，TSV封裝和OLED制造領域。PF-300T eX應用于14nm-28nm 邏輯芯片及FLASH、DRAM存儲芯片制造?？梢猿练eSiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、Lok、Lok、ACHM、ADC 等介質材料薄膜。PF-200T 應用于90nm以上集成電路前道工藝及3D TSV先進封裝環節?？沙练eSiO2、SiN、SiON、TEOS等介質材料薄膜。

21、可與12吋PECVD兼容。產業化驗證NF-300H 用于32-128層3D NAND FLASH芯片、19nm以下DRAM芯片制造。突破存儲芯片制造顆粒度、均勻性、應力及產能四大關鍵技術挑戰?？沙练eNO stack、Thick TEOS等介質材料薄膜TFLITE 用于LED芯片制造?？沙练eSiO2、SiN材料薄膜研發中PF-300T pX用于10nm以下邏輯芯片制造?？沙练e通用/先進介質薄膜18PECVD應用：16種不同工藝型號的PECVD設備設備類型應用領域工藝領域產業應用情況SiO 2 工藝 PECVD 邏輯芯片制造前/后段介質層（Inter Layer Dielectric,Inter

22、Metal Dielectric）130-28nm邏輯產業化應用；14nm及10nm以下邏輯產業化驗證中后段鈍化層（Passivation Layer）后段刻蝕硬掩模工藝（Etch hardmask）SiN工藝 PECVD邏輯芯片制造、DRAM制造、FLASH制造后段刻蝕阻擋層工藝（Etch Stop Layer）130-28nm邏輯、64層FLASH產業化應用；14nm邏輯、128層FLASH、19/17DRAM產業化驗證中后段介質層（Inter Metal Dielectric）后段鈍化層（Passivation Layer）先進封裝后段封裝領域介質層及鈍化層2.5D、3D封裝產業化應用S

23、iON工藝 PECVD邏輯芯片制造、DRAM制造、FLASH制造前后段介電抗反射涂層 （DARC，Dielectric anti-reflective coating layer）130-28nm邏輯、64層FLASH產業化應用；14nm邏輯、128層FLASH、19/17nm DRAM產業化驗證中BPSG工 藝PECVD 邏輯芯片制造前/后段介質層 （Inter Layer Dielectric,Inter Metal Dielectric）130-28nm邏輯產業化應用后段鈍化層（Passivation Layer）TEOS工 藝PECVD邏輯芯片制造、DRAM制造、FLASH制造前/后段

24、介質層 （Inter Layer Dielectric,Inter Metal Dielectric）130-28nm邏輯、64層FLASH產業化應用；14nm邏輯、128層FLASH、19/17nm DRAM產業化驗證中后段鈍化層（Passivation Layer）后段刻蝕硬掩模工藝（Etch hardmask）先進封裝后段封裝領域介質層及鈍化層2.5D、3D封裝產業化應用SiOC工藝 PECVD 邏輯芯片制造前后段介電抗反射涂層（NFDARC，Nitrogen free dielectricanti-reflective coating layer）65-28nm產業化應用FSG工藝 P

25、ECVD邏輯芯片制造后段低介電常數介質層（Inter Metal Dielectric）130-65nm產業化應用HSN工藝 PECVD邏輯芯片制造前段應力記憶層（Stress Memorization Technique Layer）40-28nm產業化應用PSG工藝 PECVD邏輯芯片制造后段鈍化層（Passivation Layer）130-28nm產業化應用Lok I工藝 PECVD邏輯芯片制造后段層間介質層（BEOL IMD）40nm產業化應用LokII工藝 PECVD邏輯芯片制造后段層間介質層（BEOL IMD）28nm產業化驗證中ACHM工 藝PECVD邏輯芯片制造前段刻蝕硬掩模

26、工藝（FEOL etch hardmask）28nm產業化驗證中DRAM制造前段刻蝕硬掩模工藝（FEOL etch hardmask）19/17 nm產業化驗證中FLASH制造后段刻蝕硬掩模工藝（BEOL etch hardmask）64層產業化應用；128層產業化驗證中ADC I工 藝PECVD 邏輯芯片制造后段刻蝕阻擋層/擴散阻擋層（etch stop layer/barrier layer）40-28nm產業化驗證中Thick TEOS工 藝3D NAND PECVDDRAM制造RDL DRAM后段介質層19/17nm產業化驗證中先進封裝2.5D interposer Cap layer

27、后段介質層2.5D封裝產業化驗證中NO stack 工藝 3DFLASH制造Flash memory前段介質層128層產業化驗證中NAND PECVDTFLITELED器件制造前段介質膜鈍化保護層工藝（Dielectric / Passivation）4/6英寸產業化應用Patterned Sapphire Substrate掩模光學反射層工藝（Hard Mask/Optical film）19SACVD：SA-300T & SA-200TSACVD：在次常壓環境下，通過對反應腔內氣體壓力和溫度的精確控制，將氣相化學反應材料在晶圓表面沉積薄膜。SACVD 設備的高壓環境可以減小氣相化學反應材料

28、的分子自由程，通過臭氧在高溫下產生高活性的氧自由基，增加分子之間的碰撞，實現優越的填孔（Gap fill）能力，是集成電路制造的重要設備之一。SA-300T 用于40-28nm制程STI、ILD工藝的晶圓制造SA-200T 用于90nm以上制程STI、ILD工藝的晶圓制造可以沉積BPSG、SAF等介質材料薄膜產業化應用公司是國內唯一一家產業化應用的集成電路SACVD設備廠商。公司的SACVD設備可沉積BPSG、SAF材料薄膜，適配12吋 40/28nm 以及8吋 90nm 以上邏輯芯片制造工藝需求。PECVD原理圖SACVD原理圖20ALD：PEALD & Thermal ALDALD：將反應

29、材料以單原子膜形式通過循環反應逐層沉積在基片表面，形成對復雜形貌的基底表面全覆蓋成膜。由于ALD設備可以實現高深寬比、極窄溝槽開口的優異臺階覆蓋率及精確薄膜厚度控制，即制造工藝中關鍵尺寸的精度控制，在結構復雜、薄膜厚度要求精準的先進邏輯芯片、DRAM 和 3D NAND制造中，ALD 是必不可少的核心設備之一。ALD設備主要分為 PE-ALD 和 Thermal ALD。PE-ALD：目前已適配 55-14nm邏輯芯片制造工藝需求。Thermal ALD：在 PE-ALD 設備成功量產基礎上，為滿足 28nm 以下芯片制造所需的Al2O3、AlN 等金屬化合物薄膜的工藝需要，公司正在研發設備。

30、PEALDFT-300T 用于邏輯芯片28-14nmSADP、STI Liner工藝，55-40nm BSI工藝的晶圓制造、2.5D、3D TSV先進封裝具有優異的薄膜均勻性和保形性，特別適合高深寬比晶圓孔洞的薄膜沉積?？梢猿练eSiO2和SiN介質材料薄膜產業化應用Thermal-ALD FT-300T 用于邏輯芯片28nm以下制程具有優異的薄膜均勻性和純度，薄膜內雜質含量少，刻蝕性能優越，同時也適合高深寬比晶圓孔洞的薄膜沉積?？梢猿练eAl2O3、AlN等多種金屬化合物薄膜材料研發中TFLITE 用于LED芯片制造?？沙练eSiO2、SiN材料薄膜ALD FT-300T 產業化驗證用于128層以

31、上3D NAND FLASH存儲芯片、19/17 nm DRAM存儲芯片可以沉積SiO2和SiN介質材料21產業化應用：ALD & SACVD設備類型應用領域工藝領域產業應用情況ALD設備SiO2 工藝PE-ALD設備邏輯芯片制造SADP工藝 和 STI liner工藝28-14納米產業化應用先進封裝TSV工藝2.5D、3D封裝CMOS器件BSI工藝-SACVD設備BPSG工藝SACVD設備邏輯芯片制造金屬前絕緣層130-90nm產業化應用DRAM制造刻蝕調節層19/17納米產業化驗證中SAF工藝 SACVD設備邏輯芯片制造金屬前絕緣層和淺槽隔離65-28nm，及130nm以上產業化驗證中SA

32、 TEOS工藝SACVD設備邏輯芯片制造SAB CAP SMT CAP40-28nm，130nm以上產業化驗證中圖表：公司ALD及SACVD的產業化應用情況22國產設備廠商沉積設備布局對比 北方華創：布局PVD、APCVD、APCVD以及用于功率等的PECVD、ALD，其中PVD設備獨領風騷； 沈陽拓荊：布局PECVD、SACVD以及ALD，產品已廣泛應用于國內14nm以上晶圓制造產線。 中微公司：2022年新的針對Mini LED市場的MOCVD將實現0-1放量，W LPCVD研發也取得突出進展； 盛美上海：前道大馬士革ECD設備已實現批量訂單；SiN LPCVD客戶端進行量產認證，未來有望

33、放量賦能。MOCVDLPCVDPrismo D-BlUE 藍光LEDPrismo A7 GaN LEDPrismo HiT3 深紫外 LEDPrismo UniMax Mini LEDW/WN/TiNALDLPCVDECDUltra ECP map 55nm以下大馬士革銅Ultra FnSiN 爐管PECVDALDSACVDPF-300T12吋PF-200T8吋SA-300T12吋SA-200T8吋PE-ALDThermal ALD爐管PVDeVictor GX20 金屬/化合物8吋Polaris G620 金屬/化合物12吋exiTexiTin H63055-28nm TiNeVictor

34、AX30 Al padCVDLPCVDPECVDSES630A 6/8吋硅外延EPEE550 LED/功率/MEMSEPEE i800 LEDAPCVDTHEORIS 302 / FLOURIS 201 爐管 SiN/多晶硅HORIS L6371 SixNy/SiO2/Poly-SiALDPE-ALDThermal ALD圖表：國產廠商沉積設備布局23目錄拓荊科技：國產薄膜沉積設備先鋒1產品矩陣：PECVD + ALD + SACVD技術壁壘：人才 + 資金 + 實力財務分析：營收高速增長，合同負債創新高2產品實力：技術鑄就極強不可替代性3市場需求：沉積需求疊加，國產替代高景氣4盈利預測524

35、核心技術人員：國際大廠背景+牽頭多項國家專項履歷研發貢獻姜 謙1952年出生，美國國籍，美國布蘭迪斯大學博士。1982年1月至2005年10月，先后任職于麻省理工學院、英特爾公司、美國諾發，歷任研究員、研發副總裁等職；2006年4月至2010年3月，任欣欣科技（沈陽）有限公司執行董事。2010年4月至今就職于公司，曾任總經理、董事長，現任公司董事。成功領導研發團隊完成“90-65nm等離子體增強化學氣相沉積設備研發與應用”研發；參與“1x nm 3D NAND PECVD研發及產業化”國家重大科技專項及多項產品研發。呂光泉1965年出生，美國國籍，美國加州大學圣地亞哥分校博士。1994年8月至

36、2014年8月，先后任職于美國科學基金會尖端電子材料研究中心、美國諾發、德國愛思強公司美國SSTS部，歷任副研究員、工程技術副總裁等職。2014年9月至今就職于公司，曾任技術總監、總經理、董事，現任公司董事長。成功領導研發團隊完成“1x nm 3D NAND PECVD研發及產業化”國家重大科技專項；領導團隊研發“國家科技重大專項課題A（ALD相關）”、“國家集成電路裝備項目A（介質薄膜先進工藝相關）”等國家重大科技項目/課題；成功領導完成ALD、SACVD設備研發并產業化應用。田曉明1956年出生，美國國籍，美國東北大學電子工程學碩士，新加坡南洋理工大學工商管理碩士。1982年2月至2018

37、年2月，先后任職或就讀于江西景光電子有限公司、美國東北大學、美國Codi Semiconductor, Inc.、泛林半導體、尼康精機（上海）有限公司，歷任設計工程師、資深副總裁等職。2018年2月至今就職于公司，現任公司總經理。參與領導“國家科技重大專項課題A（ALD相關）”、“國家科技重大專項課題B（先進工藝PECVD相關）”、“國家集成電路裝備項目A（介質薄膜先進工藝相關）”等國家重大科技項目/課題研發，參與領導 SACVD設備并產業化應用。張孝勇1971年出生，美國國籍，美國馬里蘭大學化學工程博士。2000年9月至2011年2月，就職于美國諾發，在PECVD及ALD產品部歷任工藝開發工

38、程師、資深工藝開發工程師、超低介電質工藝開發經理、資深重要客戶經理。2011年3月至今就職于公司，現任公司副總經理。參與公司12英寸PECVD設備生產型號PF-300T的研發及產業化應用，負責“國家科技重大專項課題A（ALD相關）”及公司先進工藝PECVD設備研發。25姓名履歷研發貢獻周 堅1963年出生，美國國籍，美國德克薩斯A&M大學電氣工程碩士。1984年8月至2018年10月，先后任職或就讀于江西郵電科研所、美國德克薩斯A&M大學、Nonometrics Inc.、Mattson Technology, Inc.、Nonometrics Inc.、Ecovoltz Inc.、睿勵科學儀

39、器（上海）有限公司，歷任工程師、軟件部總監等職。2018年11月至今就職于公司，現任公司副總經理。負責領導公司半導體設備軟件開發及優化，設備電氣、系統平臺的設計及優化。葉五毛1961年出生，美國國籍，加州大學伯克利分校博士；1990年9月至2013年9月，先后任職于Nashua Computer Products、Western Digital, Santa Clara, CA、美國諾發、NegevTech, Inc.、Hitachi High-Technologies America、Honeywell International，先后任工藝工程師、產品經理等職。2017年8月至今就職于公司

40、，現任資深技術總監；2021年1月至今，任公司監事會主席。負責公司HTM PECVD工藝技術開發及優化改進，完成12英寸ACHM工藝PECVD設備研發及產業化應用。寧建平1983年出生，中國國籍，無境外永久居留權，貴州大學碩士，大連理工大學博士在讀。2010年7月開始任職于公司及子公司拓荊鍵科，歷任產品部部長、研發部總監等職，現任公司產品部總監。作為研發骨干參與多項國家重大科技專項的研發，負責“國家科技重大專項課題B（先進工藝PECVD相關）”及先進制程PECVD設備的研發及產業化。核心技術人員：國際大廠背景+牽頭多項國家專項26研發投入：收入比38%，技術人員占比近44%2.88152%29

41、%28%38%0%20%40%60%80%100%120%140%160%0.00.51.01.52.02.53.03.52018201920202021研發費用研發費用率圖表：公司2018-2021年研發投入情況類別人數（人）占總人數比例技術研發人員18944.06%技術支持人員12930.07%行政管理人員368.39%財務人員102.33%生產人員419.56%采購人員143.26%銷售人員102.33%合計429100.00%圖表：公司人員構成 行業高技術壁壘要求公司持續保持高研發投入，2021年研發投入2.88億元，占營收比重近38%，對公司資金投入以及技術提出極大要求。 截至202

42、1年9月30日，公司技術研發人員占比近44%，體現公司高技術研發屬性，奠定公司技術實力基石。27研發實力：承擔多項國家/升級重大專項項目名稱部門項目類別實施周期預算（萬元）進展情況90-65nm等離子體增強化學氣相沉積設備研發與應用科技部國家科技重大專項2008.12至2016.635763完成驗收1x nm 3D NAND PECVD研發及產業化科技部國家科技重大專項2016.1至2020.1252291完成驗收1x nm 3D NAND PECVD研發及產業化遼寧省科技廳遼寧省科技重大專項2019.1至2020.67013已通過驗收答辯國家科技重大專項課題A（ALD相關）科技部國家科技重大

43、專項課題2020.1至2021.1210016正在實施國家科技重大專項課題B（先進工藝PECVD相關）科技部國家科技重大專項課題2020.1至2021.1218013正在實施國家集成電路裝備項目A（介質薄膜先進工藝相關）-國家集成電路裝備項目B-圖表：公司承擔的重大科研項目28研發實力：核心技術均已達國際先進水平圖表：公司技術實力與產品關鍵指標圖表：公司核心技術情況 公司在PECVD、ALD及SACVD設備領域已形成覆蓋二十余種工藝型號的薄膜沉積設備，滿足下游客戶晶圓制造產線多種薄膜沉積工藝需求；產品關鍵性能指標均達到國際同類設備水平。 公司自主研發形成的核心技術，已達到國際先進水平。核心技術

44、名稱專利及其他保護措施技術水平應用和貢獻情況PECVDALDSACVD先進薄膜工藝設備設計技術已授權發明專利1項 申請中發明專利2項國際先進已量產已量產已量產反應模塊架構布局技術已授權發明專利5項 申請中發明專利2項國際先進已量產已量產已量產半導體制造系統高產能平臺技術已授權發明專利11項 申請中發明專利1項國際先進已量產已量產已量產等離子體穩定控制技術已授權發明專利2項 申請中發明專利5項國際先進已量產已量產-反應腔腔內關鍵件設計技術已授權發明專利19項 申請中發明專利8項國際先進已量產已量產已量產半導體沉積設備氣體輸運控制系統已授權發明專利2項 申請中發明專利7項國際先進已量產已量產已量產

45、氣體高速轉換系統設計技術已授權發明專利3項國際先進已量產已量產-反應腔溫度控制技術已授權發明專利10項 申請中發明專利7項國際先進已量產已量產已量產產品關鍵性能參數水平評價設備產能（WPH）達到國際同類設備水平機臺穩定運行時間（Uptime） 達到國際同類設備水平平均故障間隔時間（MTBF） 達到國際同類設備水平平均破片率（MWBB）達到國際同類設備水平平均修復時間（MTTR）達到國際同類設備水平薄膜片內均勻性達到國際同類設備水平薄膜片間均勻性達到國際同類設備水平薄膜顆?？刂七_到國際同類設備水平金屬污染控制達到國際同類設備水平29在研項目（PECVD）：更先進制程+HDPCVD項目名稱研究目標

46、相應人員所處階段及進展情況與行業技術水平的比較項目預算（萬元）40nm以上低介電常數薄膜和硬掩膜等先進薄膜系列產品本項目主要研發目標應用于40nm以上制程的Lok、Lok、ACHM、ADC材料工藝型號PECVD機臺設備。呂光泉、張孝勇、葉五毛、楊艷產業化驗證達到國際同類設備水平153828nm-14nm通用介質薄膜系列產品本項目主要目標為對原有工藝和設備升級，研制適用于28nm-14nm工藝節點生產線的SiO2、SiN、TEOS、DARC、HTN、a-Si材料工藝型號PECVD設備。姜謙、田曉明、周堅、寧建平、于棚、王卓產業化驗證達到國際同類設備水平713010nm以下通用介質薄膜系列產品本項

47、目主要目標為研制適用于10nm以下制程生產線的多種材料工藝型號PECVD設備。田曉明、周堅、葉五毛、于棚、姜崴設計階段達到國際同類設備水平659328nm以下低介電常數薄膜和硬掩膜等先進薄膜系列產品本項目主要目標：1）篩選合適的化學前驅體，應用先進的液態源傳輸系統，以及定制化的反應腔室設計及關鍵部件設計，有效提升設備穩定性和工藝表現，使低介電常數薄膜均勻性、折射率、介電常數等關鍵性能指標均滿足客戶要求；2）設計特殊的腔室，大幅提升薄膜性能、設備穩定性和顆粒表現，使硬掩膜產品薄膜均勻性、折射率、消光系數、刻蝕選擇性等關鍵性能指標滿足客戶要求。呂光泉、田曉明、張孝勇、葉五毛、周堅、寧建平、譚華強、

48、王卓、蔡新晨設計階段達到國際同類設備水平36014多站式后段功能薄膜工藝系列產品開發外徑應用于先進封裝領域的低溫氧化硅介質薄膜，打入國際先進客戶的生產線。姜謙、呂光泉、張孝勇、戚艷麗產業化驗證達到國際同類設備水平994TF-Lite開發應用于沉積LED絕緣層和保護層的4/6英寸SiO2 PECVD設備葉五毛、吳鳳麗產業化驗證達到國際同類設備水平29112英寸 HDPCVD介質薄膜先進工藝研發開發12英寸高密度等離子體PECVD設備張孝勇、 談太德設計階段達到國際同類設備水平380630在研項目：Thermal ALD & SACVD深溝槽填充項目名稱研究目標相應人員所處階段及進展與行業技術水平

49、的比較項目預算（萬元）ALDALD HTM SiO2 薄膜沉積設備及工藝研發開發能夠滿足128層3D NAND存儲芯片制造工藝要求的高質量SiO2材料工藝型號ALD設備張孝勇周堅李晶設計階段達到國際同類設備水平1001628nm以下Thermal ALD AlOx設備及工藝開發開發能夠滿足28nm制程及以下的Thermal ALD AlOx 工藝技術及成套設備，并與集成電路生產商進行合作，完成該設備的測試、驗證和量產姜謙呂光泉張孝勇張閣設計階段達到國際同類設備水平3860SACVD深溝槽填充薄膜工藝產品本項目主要目標為研制應用于28nm及以下技術節點的薄膜沉積設備，實現深寬比大于5:1的淺槽隔

50、離、金屬前介質層等溝槽填充的薄膜工藝。張孝勇周堅葉五毛寧建平柳雪設計階段達到國際同類設備水平114031目錄拓荊科技：國產薄膜沉積設備先鋒1財務分析：營收高速增長，合同負債創新高2產品實力：技術鑄就極強不可替代性3市場需求：沉積需求疊加，國產替代高景氣4盈利預測5沉積需求：3D化+微縮化，催生沉積高需求行業需求：聚焦成熟制程的國產替代32晶圓制造工藝循環圖沉積：在晶圓上沉積金屬/介質薄膜1. 硅片切片沙子被提純成高純度純硅；熔化冷卻后硅錠；然后將其切片、清洗、拋光成晶圓。2. 沉積在晶圓上沉積（半）導體或隔離材料的薄膜。、方正證券研究所整理33 在硅片襯底上沉積薄膜有多種技術，按工藝主要分為化