東芯股份-公司深度報告：國產中小容量存儲芯片龍頭利基型市場需求提升帶動公司成長-220510（25頁）.pdf

1、 證券研究報告 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明 公司深度報告公司深度報告 Table_IndustryName 半導體半導體 Table_ReportDate 2022 年年 05 月月 10 日日 Table_Title 【銀河電子】公司深度報告【銀河電子】公司深度報告_ _國產中小國產中小容量存儲芯片龍頭，利基型市場需求容量存儲芯片龍頭，利基型市場需求提升帶動公司成長提升帶動公司成長 東芯股份東芯股份(688110) 推薦推薦( (首次首次) ) 核心觀點核心觀點： Table_SummaryTable_Summary 布局布局 1xnm1xnm 和車規級產品等高價值增值

2、產品，公司長期成長確定。和車規級產品等高價值增值產品，公司長期成長確定。 公司是中小容量存儲芯片領導企業，從短期來看，公司受益于存儲芯片市場擴容帶來的業績增長， 供需不平衡問題仍會使產業鏈周期向上，長期來看，隨著車規級存儲芯片放量、利基存儲市場需求持續增長、公司產品技術研發持續投入，公司將持續受益于內外部成長帶來的確定性業績。 存儲市場空間持續擴容，新應用場景帶來新成長方向存儲市場空間持續擴容，新應用場景帶來新成長方向 從國內市場空間來看，2020 年中國存儲芯片市場規模約為183.62 億美元，預計 2024 年，市場規模將達到 552.68 億美元，近 4年復合增長率達到 29.98%，同

3、時隨著 CPU 更新換代帶來的 PC 和服務器出貨增長、汽車智能化、IoT 設備出貨量增加帶來的需求增長，市場空間持續擴容，其中計算和通訊在 DRAM 需求占比達到 45.9%和36.5%，在 NAND Flash 中占比達到 54.8%和 34.1%，為需求量最大的市場。從競爭角度來看，大容量 NAND 目前基本被海外市場占據，SLC NAND 市場中， 華邦電子和旺宏電子占據了較高的市場份額， 隨著國產化需求的不斷提高，國內企業將迎來良好的發展契機。 聚焦中小利基市場，研發加碼產品力突破聚焦中小利基市場，研發加碼產品力突破 公司深耕存儲芯片領域，憑借國產自主知識產權、完善的研發體系和芯片涉

4、及能力，專注構建在 NAND、NOR、DRAM 和 MCP 領域護城河，豐富公司產品線。從產品能力上看，公司在 NAND、NOR 在制程和產品性能測試上已基本具備與海外廠商競爭的能力，DRAM 仍存在部分差距。 公司供應鏈體系穩定， 上下游保持緊密合作。 公司在 SLC NAND Flash 及 NOR Flash 兩大產品線領域，與中芯國際、紫光宏茂和中芯長電緊密合作，形成穩定的國內供應鏈體系，多家同時主控芯片廠商與東芯建立了生態合作協議，通過存儲產品在平臺廠商驗證的方式，不僅提升了公司存儲產品在產業內的認可度同時也可根據廠商要求不斷改進最新產品和縮短客戶導入周期。 盈利預測盈利預測 我們預

5、計 2022-2024 年營收分別為 14.72 億元、19.50 億元、25.41 億元，同比增長 29.74%、32.49%、30.33%，對應當年 EPS 為0.91、 1.18、 1.51， 對應 2022-2024 年 PE 為 35.76X、 27.70X、 21.72X，我們認為，隨著長期存儲芯片市場擴容和公司車規級產品的爆發，公司未來成長性可期，首次覆蓋給與“推薦推薦”評級。 風險提示風險提示 半導體行業供需結構發生改變；疫情因素帶來的不確定性影響；公司新產品研發不及預期；新技術變革帶來的不確定性。 Table_Authors 分析師分析師 高峰 ：010-80927671 ：

6、gaofeng_ 分析師登記編碼：S0130522040001 聯系人聯系人 王子路 ：010-80927632 ：wangzilu_ 市場數據市場數據 2022-05-09 A 股收盤價(元) 32.86 股票代碼 688110 A 股一年內最高價(元) 51.00 A 股一年內最低價(元) 26.18 上證指數 3,004.14 市盈率 3.70 總股本（萬股） 44,225 實際流通 A 股（萬股） 8,479 流通 A 股市值(億元) 28 Table_Chart Table_QuotePic 圖：公司圖：公司相對滬深相對滬深 300300 表現圖表現圖 Table_Chart 資料來

7、源：Wind，中國銀河證券研究院 -78%-68%-58%-48%-38%-28%-18%-8%2%21/12/1022/1/922/2/822/3/1022/4/922/5/9東芯股份滬深300 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 證券研究報告 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明 主要財務指標主要財務指標 2021 2022E 2023E 2024E 營業收入(百萬元) 1134.28 1471.60 1949.69 2541.08 收入增長率% 44.62% 29.74% 32.49% 30.33% 歸母凈利潤（百萬元） 261.80 404.

8、63 522.46 666.38 利潤增速 1240.27% 54.56% 29.12% 27.55% 毛利率 42.12% 39.19% 39.67% 39.80% 攤薄 EPS(元) 0.77 0.91 1.18 1.51 PE 42.49 35.76 27.70 21.72 PB 5.23 3.43 3.05 2.67 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 MB8VnVhYiXkWgWvWlX9PaO8OmOpPtRmOlOqQmRlOmNoM9PrRwPvPnOnMMYtOqR 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 證券研究報告 請務必閱讀正文最后的中國

9、銀河證券股份公司免責聲明 目目 錄錄 一、國產利基存儲芯片企業，業績長期穩健增長一、國產利基存儲芯片企業，業績長期穩健增長 . 1 （一）國產中小存儲芯片龍頭企業，股權結構穩定 . 1 二、存儲市場空間廣闊，國產替代迎發展機遇二、存儲市場空間廣闊，國產替代迎發展機遇. 5 （一）存儲芯片為 IC 領域增長最快賽道 . 5 （二）多細分領域對存儲需求增加，存儲市場仍在擴容 . 7 三、多因素同頻共振，公司迎發展新機遇三、多因素同頻共振，公司迎發展新機遇. 11 （一）主流存儲芯片持續研發，差異化競爭聚焦小客群市場 . 11 （二）完善供應鏈和銷售體系，提升整體運行效率 . 13 （三）工藝流程研

10、發持續加碼，實現產品性能突破 . 14 四、盈利預測與投資建議：四、盈利預測與投資建議： . 17 （一）盈利預測 . 17 （二）估值分析與投資建議 . 18 五、風險提示五、風險提示 . 18 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 1 一、一、國產利基存儲芯片企業，業績長期穩健增長國產利基存儲芯片企業，業績長期穩健增長 （一）國產中小存儲芯片龍頭企業，股權結構穩定 東芯半導體股份有限公司成立于 2014 年 11 月 26 日，由聞起投資和 CD 香港共同出資建立，總部位于上海，同時在深圳擁有一家分公司，同時

11、在南京、香港、韓國均設有子公司，是目前國內少數擁有自主知識產權專注中小存儲芯片領域的研發設計廠商，也是國內少數擁有NAND Flash、NOR Flash、DRAM 產品等存儲芯片解決方案的廠商。從產品下游布局來看，公司存儲芯片產片在工業控制、通訊網絡、消費電子、移動設備和物聯網領域均有布局。 圖圖 1：公司產品應用領域公司產品應用領域 資料來源：招股說明書，中國銀河證券研究院 從公司發展歷程來看，公司于 2015 年初在中芯國際的工藝平臺開始 SLC NANS 產品研發，同年成功研發擁有自主知識產權的 1Gb SPI NAND Flash 芯片，此后持續在產品制成、容量上進行技術研發迭代，

12、于2016年獲上海市高新技術企業認定， 2019年公司完成股份制改革， 2021 年末公司成功登陸科創板。 圖圖 2：公司發展歷程公司發展歷程 資料來源：中國銀河證券研究院 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 2 根據公開資料顯示，東方恒信為公司控股股東，持有公司 43.18%，蔣學明通過為公司實際控制人，持有 49.96%表決權。公司于 2015 年通過受讓股份并增資的方式成為 Fidelix 控股股東， 吸收后雙方業務開展邊界清晰， Fidelix 主要負責 DRAM 和 MCP 產品研發和銷售工作，也可研

13、發 NAND Flas 和 NOR Flash，東芯半導體主要負責 SLC NAND Flash 和 NOR Flash 產品研發和升級。此后，公司于 2019 年股改后引入中電基金、海通創投為股東，2020 年進一步引入哈勃科技、國開科創等機構。 圖圖 3：公司股權結構公司股權結構 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 （二）主營業績亮眼，成長較為確定 公司公司整體業績整體業績亮眼，亮眼， 整體盈利能力提升水平較高整體盈利能力提升水平較高。 受益于半導體行業 2021 年景氣度較高，公司存儲芯片產品市場呈現量價齊升的趨勢， 行業整體的規模效應顯現。 公司從 2017 年的 3.58億收入增

14、長至 2021 年的 11.34 億元，近 4 年復合增長為 33.41%。從利潤端來看，公司 2021 年凈利潤實現 2.62 億元，同比增長 1240.27%，歸母凈利潤 2.55 億元，同比增長 1354.24%。公司盈利能力凸顯，經營成果實現質的飛躍。 圖圖 4：2017-2018 公司營收及增速公司營收及增速 圖圖 5：2017-2018 公司公司歸母利潤歸母利潤及增速及增速 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 NAND 產品貢獻過半營收，為其核心拳頭產品。產品貢獻過半營收，為其核心拳頭產品。從公司各項產品營收構成來看，NAND、0%20%

15、40%60%05101520172018201920202021營業收入（億元）yoy-500%0%500%1000%1500%-2-10123420172018201920202021歸母凈利潤（億元）yoy 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 3 NOR、DRAM 為其具備完整存儲芯片解決方案的產品，同時工業產品線也可通過自產 DRAM和購入 SK 海力士的 NAND 組合構成 MCP 產品。 從公司各業務條線收入體量來看， NAND 逐步成為公司的核心產品，收入從 2020 年的 3.98 億提升至 6.

16、60 億，收入占比在 2021 年達到58.16%逐步成為公司的核心產品。 圖圖 6：公司公司各項產品營收各項產品營收規模規模 圖圖 7：公司各項產品營收占比：公司各項產品營收占比 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 供需周期疊加規模效應，毛利率和凈利率均有大幅提升。供需周期疊加規模效應，毛利率和凈利率均有大幅提升。從公司整體利潤率水平來看，受近兩年半導體周期帶來的存儲芯片量價齊升的因素疊加公司生產帶來的規模效應，2021 年公司整體毛利率提升至 42.12%，相較 2020 年提升 20.12pct，毛利率增長較快，分拆到各產品線來看，公司 NAN

17、D 產品 2021 年毛利率 51.07%，同比提升 28.03pct，公司多產品毛利率均提升明細，主要受行業供需周期帶來的毛利提升。公司的凈利率也由 2020 年的 1.80%提升至 2021年的 25.05%，因此，公司無論在生產經營還是費用把控方面都有了明顯提升。 圖圖 8：公司毛利率和凈利率情況：公司毛利率和凈利率情況 圖圖 9：各產品毛利率情況：各產品毛利率情況 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 供不應求疊加代工緊張，最近三年公司主力產品線呈現供不應求疊加代工緊張，最近三年公司主力產品線呈現 ASP 提升趨勢提升趨勢。公司 NAND 產品

18、劃分主要系 1Gb 小容量和 2Gb 及以上大容量， 自 19 年末起， 公司大容量存儲芯片出貨量增長較快， 同時疊加 2020 年 NAND 市場需求回暖， NAND 產品單價逐步抬升， 同時 2021 上半年，晶圓產能緊張進一步推動產品單價持續增長，2021H1，NAND 產品平均單價為 7.63 元/顆，單價變動率為 63.73%。NOR、DRAM 價格相對保持穩定區間。 0.791.771.483.986.600.320.971.661.831.881.681.671.221.331.780.710.680.610.470.790.070.000.160.220.290.002.004

19、.006.008.0010.0012.0020172018201920202021NANDNORMCPDRAM技術服務22.02%34.72%28.91%50.78%58.16%9.03%19.05%32.37%23.28%16.53%47.00%32.74%23.72%16.94%15.72%19.96%13.41%11.85%5.98%6.97%1.91%0.02%3.04%2.81%2.54%0%20%40%60%80%100%20172018201920202021NANDNORMCPDRAM技術服務-40%-20%0%20%40%60%20172018201920202021銷售毛利

20、率銷售凈利率0%10%20%30%40%50%60%2018201920202021NANDNORDRAMMCP 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 4 圖圖 10：2018-2021H1 公司各類產品的公司各類產品的 ASP 情況情況 資料來源：招股說明書，中國銀河證券研究院 從研發人員來看，2021 年末公司共有研發人員 87 人，占公司員工總數 47.28%，平均研發人員薪酬為 53.66 萬元，同比增長 17.8%。從研發投入來看，公司研發支出持續增長，2021 年公司研發支出 7841 萬元，同比增長

21、 57.36%，主要系當期研發人員、研發設備采購帶來的支出增長。公司短期收入增長較快，研發投入未來持續跟進，2021 年整體研發費用率保持 6.60%，未來仍有較大提升空間。 圖圖 11：2018-2021 年公司研發投入情況年公司研發投入情況 圖圖 12：公司研發人員占比：公司研發人員占比 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 024681012142018201920202021H1NANDNORDRAMMCP-40%-20%0%20%40%60%80%00.20.40.60.82018201920202021研發費用同比增長研發費用率47%53%

22、研發人員其他 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 5 二、二、存儲市場空間廣闊，存儲市場空間廣闊，國產替代迎發展機遇國產替代迎發展機遇 （一）存儲芯片為 IC 領域增長最快賽道 根據斷電后信息是否保留，存儲芯片分為易失性根據斷電后信息是否保留，存儲芯片分為易失性（VM）存儲芯片與非易失性存儲芯片與非易失性（NVM）存存儲芯片。儲芯片。電路斷電后，易失性存儲器芯片無法保留數據，這類產品包括 DRAM 和 SRAM，其中 DRAM 為半導體存儲主流方案，SRAM 產品主要用于 CPU 的主緩存以及輔助緩存。非易失性

23、存儲芯片產品在斷電后存儲芯片仍保留數據，代表產品為 NAND Flash 和 NOR Flash。 圖圖 13：半導體存儲芯片分類半導體存儲芯片分類 資料來源：中國銀河證券研究院 內存 DRAM 和閃存 NAND Flash、NOR Flash 為應用最廣泛芯片。DRAM 相比 SRAM 優勢表現在每一 bit 數據僅需一個電容和晶體管處理，而 SRAM 上一個比特通常需要六個晶體管，因此 DRAM 具有密度高、單位體積容量高、單位成本低的特點。同為閃存的 NAND Flash和 NOR Flash 主要在于應用領域的不同，NAND 主要應用于智能手機、SSD、SD 卡等大容量產品，而 NOR

24、 主要應用于功能機、MP3、USBkey、DVD 等低端產品。此外，在汽車電子、智能機手機中 TDDI、AMOLED 中也會用到 NOR 存儲。 表表 1：各類型存儲芯片性能對比各類型存儲芯片性能對比 DRAM DRAM NAND FlashNAND Flash NOR NOR FlashFlash 當前市場份額 53% 42% 2% 當前制程 18/17nm 16/15nm 55/28nm 成本 高 低 中 揮發性 易失性 非易失性 非易失性 隨機讀取 極快 低速 高速 擦處與寫入速度 極快 高速（4ms） 低速（5s） 尺寸 - 小，NOR 的 1/8 大 壽命 接近無限 百萬次 十萬次

25、工號 - 中 高速 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 6 容量 低 Mb/Gb 高 Gb/Tb 中 Mb/Gb 資料來源：前瞻產業研究院，中國銀河證券研究院 根據功能不同，IC 產品主要分為四類，存儲芯片、邏輯芯片、模擬芯片以及微處理器。2021 年在全球整個集成電路市場中，存儲芯片市場規模仍然最大，占整個集成電路行業市場規模比重達到 35.05%，而邏輯芯片、微處理器以及模擬芯片的市場規模占比分別為 32.49%、16.82%和 15.64%。存儲芯片主要產品中，DRAM 和 NAND Flash 占比接近

26、九成，從 2020 年存儲芯片市場來看，DRAM 是存儲芯片領域最大細分市場，占市場規模比為 58%，NAND Flash約占 40%左右，NOR Flash 占據不足 2%的市場份額。 圖圖 14：2021 全球集成電路產品細分市場占比全球集成電路產品細分市場占比 圖圖 15：全球存儲芯片產品細分市場占比全球存儲芯片產品細分市場占比 資料來源：華經產業研究，中國銀河證券研究院 資料來源：華經產業研究，中國銀河證券研究院 新型領域逐步崛起，存儲芯片市場規模持續擴容。新型領域逐步崛起，存儲芯片市場規模持續擴容。隨著汽車電子、智能制造、數字經濟等新領域發展，存儲芯片的需求也在穩步增長，2020 年

27、全球存儲芯片市場規模 1227 億美元，同比增長 11.14%，預計未來 3 年后市場空間將達到 2196 億元，年復合增長率達到 20%。從國內市場來看，2020 年中國存儲芯片市場規模約為 183.62 億美元，預計 2024 年，市場規模將達到552.68 億美元，近 4 年復合增長率達到 29.98%，增長速度快于海外市場。 圖圖 16：全球存儲芯片市場規模：全球存儲芯片市場規模 圖圖 17：中國存儲芯片市場規模：中國存儲芯片市場規模 資料來源：IC insights，中國銀河證券研究院 資料來源：頭豹研究院，中國銀河證券研究院 從競爭格局來看， 存儲芯片市場集中度高， 海外廠從競爭格

28、局來看， 存儲芯片市場集中度高， 海外廠暫時呈現暫時呈現壟斷局面。壟斷局面。 韓國三星在 DRAM和 NAND 領域具備領先優勢， 海力士和美光的市場份額同樣比較高， DRAM 行業 CR3 占比接近 95%，國產存儲芯片廠市占率還處于較低水平，NAND Flash 領域三星（33.10%） ，鎧俠（21.40%） ，西部數據（14.30%） ，海力士（11.30%） ，行業 CR3 接近 68.8%。 16%32%35%17%模擬芯片邏輯芯片存儲器微處理器53%44%2%1%DRAMNAND FlashNOR Flash其他-50%0%50%100%050100150200全球存儲芯片市場規

29、模(十億美元)YOY0%10%20%30%40%50%60%0100200300400500600中國存儲芯片市場規模（億美元）YOY 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 7 圖圖 18：DRAM 市場競爭格局市場競爭格局 圖圖 19：NAND Flash 是市場競爭格局是市場競爭格局 資料來源：TrendForce，中國銀河證券研究院 資料來源：TrendForce，中國銀河證券研究院 （二）多細分領域對存儲需求增加，存儲市場仍在擴容 對于周期成長性賽道來說，需求增加對市場擴容起到決定性作用。對于周期成長性賽

30、道來說，需求增加對市場擴容起到決定性作用。 隨著近年來隨著近年來 CPU 更新換代帶來的更新換代帶來的 PC 和服務器出貨增長、汽車智能化、和服務器出貨增長、汽車智能化、IoT 設備出貨量設備出貨量增加帶來的需求增長， 存儲芯片市場有望再次迎來擴容。增加帶來的需求增長， 存儲芯片市場有望再次迎來擴容。 根據 Omida 數據顯示， 全球市場中，計算（PC服務器） 、通訊、消費和工業領域是對存儲芯片需求量最大的市場，其中計算和通訊在 DRAM 需求占比達到 45.9%和 36.5%，在 NAND Flash 中占比達到 54.8%和 34.1%，為需求量最大的市場。 隨著服務器芯片更新換代、 5

31、G 聯網設備的推進以及智能汽車領域的穩步放量，未來存儲芯片市場有望繼續保持高增長。 圖圖 20：2020 年年 DRAM 下游應用下游應用 圖圖 21：2020 年年 NAND Flash 各行業銷售占比各行業銷售占比 資料來源：Omdia，券研究院 資料來源：Omdia，中國銀河證券研究院 NAND Flash 產品具有存儲容量大、寫入擦除速度快的特點，使用場景多為大容量數據存儲，例如智能手機、平板、SDD、服務器等領域。NAND Flash 閃存從產品設計上可以分為以下幾類，分別為平面的 SLC NAND、MLC NAND、TLC NAND、QLC NAND 和立體的 3D NAND，其中

32、平面四類每個單元存儲信息依次遞增，電壓變化隨存儲信息增多成指數級增長，但壽命也隨之減少。SLC 產品憑借高可靠性的擦除、高帶寬、壽命長等優勢在 IoT 領域廣泛應用，同時，SLC NAND 也是向大容量 NAND 拓展的必經之路。 3.00%1.00%2.00%44.00%27.00%23.00%南亞科技華邦其他三星海力士美光33.50%18.90%14.30%13.50%9.70%9.50%0.60%三星鎧俠（東芝）WDC（閃迪）美光SK 海力士英特爾其他52.40%2.70%34.00%6.70%2.60%1.60%數據處理有線通信無線通信消費類汽車電子工業54.80%6.10%2.60%

33、35.20%1.20%0.100%計算消費工業通訊汽車軍工航空 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 8 圖圖 22：NAND Flash 產品分類情況產品分類情況 資料來源：中國銀河證券研究院 從市場規模來看，2019 年 NAND Flash 整體正?？臻g在 600 億左右，但 SLC 市場空間僅為 16.71 億美元，占總市場規模 2%左右，根據公司招股書顯示，預計到 2024 年，全球 SLC NAND 市場規模將達到 23.24 億元，未來 4 年復合增長在 6%左右。從競爭角度來看，大容量NAND 目

34、前基本被海外市場占據，三星、海力士、美光、西部數據合計占據 90%以上市場規模，SLC NAND 市場中，華邦電子和旺宏電子占據了較高的市場份額，隨著國產化需求的不斷提高，國內企業將迎來良好的發展契機。 圖圖 23： 2016-2020 全球全球 NAND Flash 規模 （規模 （億美元）億美元） 圖圖 24：全球全球 SLC NAND 市場規模（億美元）市場規模（億美元） 資料來源：China Flash Market，中國銀河證券研究院 資料來源：Gartner，中國銀河證券研究院 從需求來看，從需求來看，5G 和和物聯網物聯網設備設備、汽車智能化汽車智能化將是未來將是未來 SLC N

35、AND 需求增長的推動力需求增長的推動力。5G 滲透率持續提升后，全球物聯網連接數將快速增長，根據 IOT Analytics 數據顯示，2020 年全球物聯網連接數將達到 117 億，預計到 2025 年，物聯網連接數將達到 309 億，符合增長率達到 27.48%，物聯網設備連接數持續增長將帶動相關市場規模提升，物聯網應用領域的落地將加速相關芯片放量。在 ADAS 將成為汽車未來趨勢之一，智能汽車相關領域的芯片需求也在提升，NAND 相比 NOR 從單位成本更具優勢，根據 Gartner 數據顯示，2019 年全球 ADAS中的 NAND Flash 存儲消費 2.2 億 GB，預計 20

36、24 年，全球 ADAS 領域的 NAND Flash 存儲消費將達 41.5 億 GB，2019-2024 年復合增速達 79.8%。 0100200300400500600700201620172018201920200510152025 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 9 圖圖 25：全球物聯網設備連接數：全球物聯網設備連接數 圖圖 26：全球：全球 ADAS 中中 NAND 存儲需求情況存儲需求情況 資料來源：IOT Analytics，中國銀河證券研究院 資料來源：Gartner，中國銀河證券研究

37、院 NOR Flash 是一種通用性的存儲芯片，具有芯片內執行、讀取速度快、沒有壞塊、穩定性高等特點，通常用于智能手機、消費電子、工控等領域代碼存儲需求。相比 NAND，NOR 芯片能夠直接運行其內在代碼，無需系統 RAM 就可直接運行，但是缺點在整體容量較小，一般為 1Mb-2Gb 左右。 圖圖 27：NAND 和和 NOR 產品性能對比情況產品性能對比情況 資料來源：Toshiba，中國銀河證券研究院 從市場空間來看，自 2015 年后，隨著 TWS 耳機、智能連接設備、車載等領域的擴容，市場規模穩步增長，2020 年市場空間達到 25 億美元。從競爭格局來看，隨著 18 年后美光和賽普拉

38、斯退出 NOR 產品市場，當前，旺宏、華邦、兆易創新市場占有率排名前三，市場份額分別為 26.2%、24.5%、18.8%。 圖圖 28：2006-2022E 全球全球 NOR Flash 市場規模市場規模 圖圖 29：NOR Flash 市場格局市場格局 資料來源：CINNO，中國銀河證券研究院 資料來源：CINNO，中國銀河證券研究院 0%10%20%30%0100200300全球物聯網設備連接數量（億個）yoy0102030405020182019 2020E 2021E 2022E 2023E 2024E02040608020062007200820092010201120122013

39、2014201520162017201820192020E2021E2022E25.40%22.50%15.60%10.90%25.60%華邦旺宏兆易創新賽普拉斯其他 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 10 從未來發展趨勢上看，接口優化在逐步提升，終端產品響應速度將實現接近零延遲，要求NOR Flash 不斷提升數據提取速度，當前市場領先 NOR 產品均搭載了雙倍傳輸速率的 SPI 接口，數據讀取頻率可達到 200MHz，數據讀取速度可達到 400Mbit/s，同時行業多數產品表現出功率指標下降趨勢，低功耗已

40、成為存儲產品競爭能力的一種體現。 從 DRAM 產品來看，主要分為包括 DDR 產品和低功耗的 LPDDR 產品。由于 DRAM 具有讀寫速度快的特點，常被用于系統硬件的運行內存，DRAM 存儲應用下游主要是 PC、IM、服務器和消費電子領域。DRAM 具備比較大的市場空間，2020 年市場空間達到 603 億美元，占芯片市場總規模達到 58%，而在東芯股份涉足的利基 DRAM 市場中，2019 年總體市場規模達到 55 億美元，占 DRAM 市場約 10%左右。 圖圖 30：DRAM 產品持續迭代產品持續迭代 圖圖 31：全球全球 DRAM 市場規模市場規模 資料來源：IC Capital，

41、中國銀河證券研究院 資料來源：IC Insights，中國銀河證券研究院 0%20%40%60%80%100%120%140%160%180%200%0200400600800100012001400市場規模（億美元）YOY 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 11 三、三、多因素同頻共振，公司多因素同頻共振，公司迎迎發展新機遇發展新機遇 （一）主流存儲芯片持續研發，差異化競爭聚焦小客群市場 公司產品線豐富，差異化聚焦中小利基存儲市場。公司深耕存儲芯片領域，憑借國產自主知識產權、完善的研發體系和芯片涉及能力，專

42、注構建在 NAND、NOR、DRAM 和 MCP 領域護城河，豐富公司產品線。具體來看，公司所受出售產品主要為 SLC NAND、消費級 NOR 產品與或 NOR 于 DRAM 合鳳在同意封裝存儲芯片，公司產品下游主要應用于通訊設備、安防監控、可穿戴設備、移動終端等領域。 ，同時由于在工業和消費領域，對存儲芯片可靠性要求高，工業級產品導入期比較長。 圖圖 32：公司主要產品類型公司主要產品類型 資料來源：公司官網，中國銀河證券研究院 研發加碼，逐步累積核心技術。研發加碼，逐步累積核心技術。憑借多年在產業內積累，公司掌握了與主營業務相關的多項核心技術，目前已取得 82 項發明專利，擁有集成電路布

43、圖設計登記證書 34 項以及 13 項軟件著作權。同時公司在 NAND、NOR、DRAM 等存儲芯片的設計核心環節都擁有了自主研發能力與核心技術，其中 NAND 核心技術涉及 6 項，NOR 涉及 2 項，DRAM 涉及 1 項。 表表 2：公司自主研發的核心技術公司自主研發的核心技術 序號序號 涉及產品涉及產品 核心技術名稱核心技術名稱 技術來源技術來源 用途用途 所處階段所處階段 1 Flash 局部自電位升壓操作方法 自主研發 能有效降低在編寫操作時的干擾，提高產品可靠性 已量產使用 2 步進式、多次式編寫/擦除操作方法 自主研發 可有效控制閾值電壓分布，提高產品可靠性 已量產使用 3

44、內置 8 比特 ECC 技術 自主研發 通過先進的 ECC 技術，提高產品可靠性 已量產使用 4 針對提高測試效率的芯片設計方法 自主研發 通過復用引腳和并行測試等方法實現同時測試超1,000 顆裸片 已量產使用 5 內置高速 SPI 接口技術 自主研發 通過閃存工藝，實現 SPI 接口的集成 已量產使用 6 縮減布局區域的閃存裝置 自主研發 通過共用有源區的方法，縮減芯片面積 已量產使用 7 NOR Flash 提高擦除可靠性技術 自主研發 通過優化擦除操作算法，提高產品可靠性 已量產使用 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股

45、份公司免責聲明。 12 8 數據自動刷新技術 自主研發 通過優化刷新操作算法，提高產品可靠性 已量產使用 9 DRAM DRAM 單元 2D/3D 制造方法 自主研發 通過優化 DRAM 單元布局，減少 DRAM 單元面積 已完成技術開發 資料來源：公司年報，中國銀河證券研究院 從現有產品線來看，公司產品線布局不斷豐富，不斷完善多存儲布局，NOR 產品線從32MB 到 512MB 均具備量產能力，從制程技術來看，公司具備 48nm 256Mb NOR Flash 量產能力， 未來公司將繼續在車規級產品線繼續布局；NAND 產品， 公司具備已經覆蓋 1Gb-8Gb，下游場景已經滿足消費級、工業級

46、在不同場景的需求，未來公司將繼續向 1xnm NAND 制程發力；公司 DRAM 主要包含 DDR 和 LPDDR，LPDDR1/2 目前適合移動終端和可穿戴設備，制程為 38nm、25nm 2Gb DDR3，公司已具備量產能力。 圖圖 33：公司各類產品發展軌跡公司各類產品發展軌跡 資料來源：公司官網，中國銀河證券研究院 從產品能力上看，公司在 NAND、NOR 在制程和產品性能測試上已基本具備與海外廠商競爭的能力，DRAM 仍暫時存在差距。 表表 3：公司產品技術能力和海外產品差距公司產品技術能力和海外產品差距 項目項目 公司公司技術水平技術水平 國際主流技術水平國際主流技術水平 國內其他

47、技術水平國內其他技術水平 SLC NAND Flash 產品類型 SLC NAND Flash SLC NAND Flash SLC NAND Flash 制程范圍 24-38nm 16-24nm 38 nm 產品性能 1、工作溫度：-40至 1052、存儲容量：512Mb8Gb 1、工作溫度：-40至 1052、存儲容量：1Gb16Gb 1、工作溫度：-40至 852、存儲容量：1Gb4Gb NOR Flash 制程范圍 48-90nm 45-55nm 50-65nm 產品性能 1、工作溫度：-40至 852、存儲容量：2Mb256Mb 1、工作溫度：-40至 1252、存儲容量：512Kb

48、1Gb 1、工作溫度：-40至 852、存儲容量：1Mb256Mb DRAM 產品類型 1 DDR3 DDR5 DDR3, DDR4 制程范圍 25nm 17nm 25nm，20nm 產品性能 1、工作電壓：1.35v/1.5v2、傳輸速率：1600Mbps 1、工作電壓：1.2v2、傳輸速率：4800Mbps 1、工作電壓：1.2v2、傳輸速率：3200Mbps 產品類型 2 LPDDR2 LPDDR5 LPDDR4 制程范圍 38nm 17nm 20nm 產品性能 傳輸速率：1066Mbps 傳輸速率：4800Mbps 傳輸速率：3200Mbps 公司深度報告公司深度報告/東芯股份（東芯股

49、份（688110.SH） 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。 13 資料來源：招股說明書，中國銀河證券研究院整理 （二）完善供應鏈和銷售體系，提升整體運行效率 公司供應鏈體系穩定，上下游保持緊密合作。公司供應鏈體系穩定，上下游保持緊密合作。公司在 SLC NAND Flash 及 NOR Flash 兩大產品線領域，與中芯國際、紫光宏茂和中芯長電緊密合作，形成穩定的國內供應鏈體系，同時公司加強了晶圓采購統一管理戰略， 提升了晶圓采購效率和議價能力， 由東芯公司統一向晶圓代工廠下單投片。在面向下游公司銷售時，采用經銷和直銷相結合模式，公司和經銷商之前采用買斷式銷售，直銷模式下，終

50、端客戶直接向公司下訂單。 圖圖 34：公司供應鏈體系非常穩定公司供應鏈體系非常穩定 資料來源：公司官網，中國銀河證券研究院 多平臺認證加碼， 公司具備向多下游客戶服務體系。多平臺認證加碼， 公司具備向多下游客戶服務體系。 多家主控芯片廠商與東芯建立了生態合作協議， 通過存儲產品在平臺廠商驗證的方式， 不僅提升了公司存儲產品在產業內的認可度同時也可根據廠商要求不斷改進最新產品和縮短客戶導入周期。 公司多款產品已獲得高通、 博通、聯發科和紫光展銳等多家主流廠商的驗證認可，同時進入到多應用場景龍頭企業供應鏈，包括三星電子、?？低?、歌爾股份、傳音控股、惠爾豐等國內外知名客戶，公司存儲芯片廣泛應用于通