【研報】信息設備行業：功率半導體景氣向上國產替代加速-20200315[18頁].pdf

1、 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 Table_MainInfo 行業研究/信息設備/半導體產品與半導體設備 證券研究報告 行業深度報告行業深度報告 2020 年 03 月 15 日 Table_InvestInfo 投資評級 優于大市 優于大市 維持維持 市場表現市場表現 Table_QuoteInfo -11.70% 3.77% 19.23% 34.70% 50.17% 65.64% 2019/32019/62019/92019/12 半導體產品與半導體設備海通綜指 資料來源：海通證券研究所 相關研究相關研究 Table_ReportInfo WiFi 6 普及加速，重視產業鏈機遇

2、2020.02.17 設計市場活躍、資本開支和存儲業回 暖2020.02.14 國內存儲器黃金十年開始， 重視存儲產 業鏈機遇2020.01.20 Table_AuthorInfo 分析師:陳平 Tel:(021)23219646 Email: 證書:S0850514080004 分析師:謝磊 Tel:(021)23212214 Email: 證書:S0850518100003 分析師:尹苓 Tel:(021)23154119 Email: 證書:S0850518100002 功率半導體功率半導體：景氣景氣向上向上，國產替代加速，國產替代加速 Table_Summary 投資要點：投資要點：

3、功率半導體功率半導體新能源汽車的心新能源汽車的心臟臟。功率半導體是電子裝臵中電能轉換與電 路控制的核心，主要用于改變電子裝臵中電壓和頻率、直流交流轉換等。功 率半導體可以分為功率 IC 和功率分立器件兩大類，其中功率分立器件主要 包括二極管、晶閘管、晶體管等產品。近年來，功率半導體的應用領域已從 工業控制和消費電子拓展至新能源、軌道交通、智能電網、變頻家電等諸多 市場，市場規模呈現穩健增長態勢。根據華潤微招股意向書援引自 IHS Markit 預測，2018 年全球功率器件市場規模約為 391 億美元，預計至 2021 年市場規模將增長至 441 億美元，年化增速為 4.1%，而 MOSFET

4、 和 IGBT 是未來 5 年增長最強勁的半導體功率器件。 中國是功率半導體的最大市場中國是功率半導體的最大市場。根據華潤微招股意向書援引 IHS Markit，中 國是全球最大的功率半導體消費國， 2018 年市場需求規模達到 138 億美元， 占全球需求比例高達 35%，預計未來中國功率半導體將繼續保持較高速度 增長，2021 年市場規模有望達到 159 億美元，年化增速達 4.8%。 IGBT & MOSFET功率半導體最耀眼的“明珠” 。功率半導體最耀眼的“明珠” 。根據新潔能招股說明書 援引自 IC Insights ，在各類半導體功率器件組件中，未來增長強勁的產品 將是 MOSFE

5、T 與 IGBT 模塊。根據新潔能招股說明書援引中國產業信息網 數據， 到 2020 年全球 IGBT 單管市場空間達到 60 億美元左右， 市場空間較 大， 預計未來五年我國新能源汽車和充電樁市場將帶動 200 億元 IGBT 模塊 的國內市場需求。根據新潔能招股說明書，IGBT 是新能源汽車電控系統和 直流充電樁的核心器件，成本占到新能源汽車整車成本的 10%，占充電樁 成本的 20%。由于未來幾年新能源汽車/充電樁等新興市場的快速發展， IGBT 等半導體功率器件將迎來黃金發展期。根據新潔能招股說明書援引中 國產業信息網預計到 2022 年，全球 MOSFET 市場規模將接近 75 億美

6、元， 特別地，隨著全球新能源汽車規模的增長，2016 年至 2022 年間 MOSFET 在汽車應用領域的市場需求預計將以 5.1%的復合年增長率快速增長；到 2022 年，其在汽車應用領域的需求將超越計算機和數據存儲領域，占總體 需求市場的 22%。 功率半導體進口替代需求迫切功率半導體進口替代需求迫切。根據揚杰科技投資者關系記錄 20170908，中國 是全球最大的功率器件市場，但中高端產品中絕大部分仍依賴進口。從全球來 看，功率半導體行業的集中度是較高的，排在第一的英飛凌公司 2016 年功率半 導體板塊年營業額為兩百多億人民幣， 前十大公司 2016 年收入也都在百億人民 幣以上。目前

7、我國已經通過大力研發與外延并購，在芯片設計與工藝上不斷 積累， 實現了功率二極管、 整流橋、 晶閘管等傳統的功率半導體產品的突破， 具備與國外一線品牌競爭的水平實力；在中低壓 MOSFET 產品、特定領域 的電源管理 IC、MOSFET、IGBT 等產品領域的技術研發亦有所成就。在國 家政策支持，產業生態逐漸完善，人才水平逐漸提高的背景下，中國本土企 業有望進一步向高端功率半導體領域邁進。我們認為隨著國內企業不斷技術 創新，豐富產品線，將逐步提高市場占有率，未來國產替代的市場空間較大。 投資建議投資建議。我們認為特斯拉有望帶動國內新能源汽車供應鏈走向成熟，建議關 注揚杰科技（300373） 、

8、捷捷微電（300623） 、斯達半導（603290） 、臺基股份 （300046） 、華潤微（688396） 、富滿電子（300671）等公司。 。新能源汽車銷量可能不及預期。 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 2 目目 錄錄 1. 中國是全球最大的功率半導體市場，增速快于全球 . 5 2. IGBT & MOSFET功率半導體最耀眼的“明珠” . 7 2.1 MOSFET國內市場由歐美、日本廠商壟斷，華潤微位居份額第三 . 8 2.2 IGBT功率半導體的“皇冠”，將迎來黃金發展期 . 8 3. 多元需求提振行業增速，國內功率半導體企業有望暢享國產替

9、代大機遇 . 10 3.1 第三代半導體材料為功率半導體行業創造全新機遇 . 10 3.2 新能源汽車市場有望拉動 MOSFET、IGBT 需求高速增長 . 11 3.3 國內功率半導體產業發展水平與國外存在較大差距 . 11 3.4 功率半導體國產替代正當時 . 12 4. 國內外龍頭公司梳理. 13 pOrOnNnRqNsMtRoPpQvMtQ9PaO9PmOqQoMqQlOoOoNiNoPsN7NmMzQvPoPrNxNnRmQ 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 3 圖目錄圖目錄 圖 1 半導體分類示意圖. 5 圖 2 功率半導體在汽車中的應用

10、. 6 圖 3 2014-2021E 全球功率半導體市場規模 . 6 圖 4 2014-2021 中國功率半導體市場規模及增長預測 . 7 圖 5 全球 IGBT 供應商排名 . 9 圖 6 半導體材料特性 . 10 圖 7 EV/HEV 是 IGBT 市場增長的重要動力 . 11 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 4 表目錄表目錄 表 1 分立器件各代產品特點及市場狀況 . 7 表 2 2018 年中國 MOSFET 市場主要公司及市場份額 . 8 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 5 1. 中國是全球最大的

11、功率半導體市場中國是全球最大的功率半導體市場，增速快于全球，增速快于全球 半導體分立器件是電力電子產品的基礎之一， 也是構成電力電子變化裝臵的核心器 件之一，主要用于電力電子設備的整流、穩壓、開關、混頻等，具有應用范圍廣、用量 大等特點，在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業及自動控制、計算機及周邊設 備、網絡通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。從細分市場來看，半導體分立器件 受益于智能制造、電力改造、電子通訊升級、互聯網等普及的趨勢，其市場也逐步向高 端推進。 功率半導體是電子裝臵中電能轉換與電路控制的核心， 主要用于改變電子裝臵中電 壓和頻率、直流交流轉換等。功率半導體可以分為功率 I

12、C 和功率分立器件兩大類，其 中功率分立器件主要包括二極管、晶閘管、晶體管等產品，根據華潤微招股說明書援引 自 IHS Markit 的預測，MOSFET 和 IGBT 是未來 5 年增長最強勁的半導體功率器件。 圖圖1 半導體分類半導體分類示意圖示意圖 資料來源：華潤微招股說明書，海通證券研究所 近年來， 功率半導體的應用領域已從工業控制和消費電子拓展至新能源、 軌道交通、 智能電網、變頻家電等諸多市場，市場規模呈現穩健增長態勢。根據華潤微招股說明書 援引 IHS Markit 預測，2018 年全球功率器件市場規模約為 391 億美元，預計至 2021 年市場規模將增長至 441 億美元，

13、年化增速為 4.1%。 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 6 圖圖2 功率半導體在汽車中的應用功率半導體在汽車中的應用 資料來源：富士電機官網，海通證券研究所 圖圖3 2014-2021E 全球功率半導體市場規模全球功率半導體市場規模 -6.00% -4.00% -2.00% 0.00% 2.00% 4.00% 6.00% 8.00% 10.00% 12.00% 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 201420152016201720182019E2020E2021E 全球功率半導體市場規模（億美元，左軸）

14、yoy（右軸） 資料來源：華潤微招股說明書援引自 IHS Markit，海通證券研究所 根據華潤微招股說明書援引自 IHS Markit，目前國內功率半導體產業鏈正在日 趨完善， 技術也正在取得突破， 同時， 中國也是全球最大的功率半導體消費國， 2018 年市場需求規模達到 138 億美元，增速為 9.5%，占全球需求比例高達 35%。根據 華潤微招股說明書援引自IHS Markit預計未來中國功率半導體將繼續保持較高速度 增長，2021 年市場規模有望達到 159 億美元，年化增速達 4.8%。 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 7 圖圖4 201

15、4-2021 中國功率半導體市場中國功率半導體市場規模及增長預測規模及增長預測 -2.00% 0.00% 2.00% 4.00% 6.00% 8.00% 10.00% 12.00% 14.00% 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 201420152016201720182019E2020E2021E 中國功率半導體市場規模（億美元，左軸）yoy（右軸） 資料來源：華潤微招股說明書援引自 IHS Markit，海通證券研究所 2. IGBT & MOSFET功率半導體最耀眼的“明珠”功率半導體最耀眼的“明珠” 分立器件主要包括功率二極管、功率三極管、晶閘管、MO

16、SFET、IGBT 等半導體 功率器件產品； 其中， MOSFET 和 IGBT 屬于電壓控制型開關器件， 相比于功率三極管、 晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點。 在分立器件發展過程中，20 世紀 50 年代，功率二極管、功率三極管面世并應用于 工業和電力系統。20 世紀 60 至 70 年代，晶閘管等半導體功率器件快速發展。20 世紀 70 年代末， 平面型功率 MOSFET 發展起來； 20 世紀 80 年代后期， 溝槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世，半導體功率器件正式進入電子應用時代。20 世紀 90 年代，超結 MOSFET 逐步出現，打

17、破傳統“硅限”以滿足大功率和高頻化的應用需求。2008 年， 英飛凌 （Infineon） 率先推出屏蔽柵功率 MOSFET， 半導體功率器件的性能進一步提升。 對國內市場而言，功率二極管、功率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產 化，而 MOSFET、IGBT 等分立器件產品由于其技術及工藝的先進性，還較大程度上依 賴進口，未來進口替代空間大。 表表 1 分立器件各代產品特點及市場狀況分立器件各代產品特點及市場狀況 基材基材 代表產品代表產品 面世時間面世時間 技術特點技術特點 系統應用特性系統應用特性 硅基半硅基半 導體導體 功率二極管 20 世紀 50 年代 不可控型 結構簡單，

18、但只能整流使用，不可控 制導通、關斷 晶閘管 20 世紀 60 年代 半控型器件 開關使用，不易驅動，損耗大，難以 實現高頻化變流 功率三極管 20 世紀 50 年代 全控型器件 開關使用或功率放大使用，不易于驅 動控制，頻率較低 平面型功率 MOSFET 20 世紀 70 年代 易于驅動，工作頻率高，但芯片面積 相對較大，損耗較高 溝槽型功率 MOSFET 20 世紀 80 年代 易于驅動， 工作頻率高， 熱穩定性好， 損耗低，但耐壓低 IGBT 20 世紀 80 年代 開關速度高，易于驅動，頻率高，損 耗很低，具有耐脈沖電流沖擊的能力 超結功率 MOSFET 20 世紀 90 年代 易于驅

19、動，頻率超高，損耗極低，最 新一代功率器件 屏蔽柵功率 MOSFET(SGT) 21 世紀 打破了硅限，大幅降低了器件的導通 電阻和開關損耗 寬禁帶寬禁帶 材料半材料半 導體導體 SiC、GaN 半導體功 率器件 21 世紀 / / 資料來源：新潔能招股說明書，海通證券研究所 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 8 2.1 MOSFET國內市場由歐美、日本廠商壟斷，國內市場由歐美、日本廠商壟斷，華潤微位居份額第華潤微位居份額第 三三 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與 數字電路的場效晶體管，具有導通電阻小，損耗低

20、，驅動電路簡單，熱阻特性好等優點， 特別適合用于電腦、手機、移動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電源控 制領域。 根據新潔能招股說明書援引自中國產業信息網，隨著消費電子、汽車電子和工業電 子為主的市場銷售穩定增長，2016 年 MOSFET 市場規模持續增長，得益于市場對高效 能電子器件的需求增加，預計 MOSFET 市場未來將繼續穩定增長。2016 年，全球 MOSFET 市場規模達到 62 億美元，預計 2016 年至 2022 年間 MOSFET 市場的復合年 增長率將達到 3.4%；預計到 2022 年，全球 MOSFET 市場規模將接近 75 億美元。特別 地，隨著全球新

21、能源汽車規模的增長，2016 年至 2022 年間 MOSFET 在汽車應用領域 的市場需求預計將以 5.1%的復合年增長率快速增長；到 2022 年，其在汽車應用領域的 需求將超越計算機和數據存儲領域，占總體需求市場的 22%。根據新潔能招股說明書援 引 IHS 統計，國內功率 MOSFET 市場主要廠商是英飛凌（Infineon） ，2016 年市場份額 超過 25%，與安森美（ON Semiconductor）占據了國內將近一半市場，因此，我們判 斷在國內 MOSFET 市場中，國內廠商進口替代的潛力大。 根據華潤微招股說明書援引自 IHS Markit 的統計，2018 年我國 MOS

22、FET 市場規 模為 27.92 億美元，2016 年-2018 年復合年均增長率為 15.03%，高于功率半導體行業 平均的增速。在下游的應用領域中，消費電子、通信、工業控制、汽車電子占據了主要 的市場份額，其中消費電子與汽車電子占比最高。在消費電子領域，主板、顯卡的升級 換代、 快充、 Type-C 接口的持續滲透持續帶動 MOSFET 的市場需求， 在汽車電子領域， MOSFET 在電動馬達輔助驅動、電動助力轉向及電制動等動力控制系統，以及電池管 理系統等功率變換模塊領域均發揮重要作用，有著廣泛的應用市場及發展前景。 表表 2 2018 年中國年中國 MOSFET 市場主要公司及市場份額

23、市場主要公司及市場份額 排名排名 企業名稱企業名稱 2018 年年 MOSFET 器件銷售額（億元）器件銷售額（億元） 市場份額占比市場份額占比 1 英飛凌 52 28.4% 2 安森美 31 16.9% 3 華潤微電子 16 8.7% 4 瑞薩電子 12 6.6% 5 東芝 12 6.6% 6 意法半導體 9 4.9% 7 其他企業 51 27.9% 合計 183 100% 資料來源：華潤微招股說明書援引自 IHS Markit，海通證券研究所 2.2 IGBT功率半導體的“皇冠功率半導體的“皇冠”，將迎來黃金發展期，將迎來黃金發展期 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是由雙極型三極管（BJT）

24、和 MOSFET 組成的復合 全控型電壓驅動式半導體功率器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和雙極型三極管 （BJT） 的低導通壓降兩方面的優點，IGBT 驅動功率小而飽和壓降低，非常適合應用于直流電 壓為 600V 及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動 等。 根據新潔能招股說明書，IGBT 是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心器件， 成本占到新能源汽車整車成本的 10%， 占充電樁成本的 20%。 由于未來幾年新能源汽車 /充電樁等新興市場的快速發展，IGBT 等半導體功率器件將迎來黃金發展期。在全球市 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的

25、信息披露和法律聲明 9 場上，未來 IGBT 市場規模的快速增長主要受益于其在節能、能效提升等方面發揮的重 要作用。根據新潔能招股說明書援引自中國產業信息網數據，到 2020 年全球 IGBT 單 管市場空間達到 60 億美元左右，市場空間大，預計未來五年我國新能源汽車和充電樁 市場將帶動 200 億元 IGBT 模塊的國內市場需求。根據中國產業信息網數據，到 2018 年，國內 IGBT 市場規模達 161.9 億元，2010 年至 2018 年復合增長率達到 14.77%； 但我國 IGBT 起步晚，未來進口替代空間大。 根據斯達股份官網援引自 IHS Markit 2018 年報告數據顯

26、示，在 2018 年度 IGBT 模塊供應商全球市場份額排名中，斯達股份排名第 8 位，在中國企業中排名第 1 位，成 為世界排名前十中唯一一家中國企業。 圖圖5 全球全球 IGBT 供應商排名供應商排名 資料來源：斯達半導官網援引自 IHS Markit，海通證券研究所 從 20 世紀 80 年代至今，IGBT 芯片經歷了 6 代升級，從平面穿通型（PT）到溝槽 型電場截止型（FS-Trench） ，芯片面積、工藝線寬、通態飽和壓降、關斷時間、功率 損耗等各項指標經歷了不斷的優化，斷態電壓也從 600V 提高到 6500V 以上。 1）第一代：PT-IGBT，產品采用“輻照”手段，由于體內晶

27、體結構本身原因造成 “負溫度系數” ，各 IGBT 原胞通態壓降不一致，不利于并聯運行，第一代 IGBT 電流只 有 25A，且容量小，有擎住現象，速度低。 2）第二代：改進的 PT-IGBT，采用“電場終止技術” ，增加一個“緩沖層” ，在相 同的擊穿電壓下實現了更薄的晶片厚度，從而降低了 IGBT 導通電阻，降低了 IGBT 工 作過程中的損耗。此技術在耐壓較高的 IGBT 上運用效果明顯。 3）第三代：Trench-IGBT，最大的改進是采用 Trench 結構，把溝道從表面變到垂 直面，所以基區的 PIN 效應增強，柵極附近載流子濃度增大，從而提高了電導調制效應 減小了導通電阻；同時由

28、于溝道不在表面，柵極密度增加不受限制，工作時增強了電流 導通能力。 4）第四代：NPT-IGBT，不再采用外延技術，而是采用離子注入的技術來生成 P+ 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 10 集電極（透明集電極技術） ，可以精準的控制結深而控制發射效率盡可能低，增快載流 子抽取速度來降低關斷損耗，可以保持基區原有的載流子壽命而不會影響穩態功耗，同 時具有正溫度系數特點。 5）第五代：FS-IGBT，是第四代產品“透明集電區技術”與“電場終止技術”的 組合。由于采用了先進的薄片技術并且在薄片上形成電場終止層，大大的減小了芯片的 總厚度，使得導通壓降和動態

29、損耗都有大幅的下降，從而進一步降低 IGBT 工作中過程 中的損耗。 6）第六代：FS-Trench-IGBT，是在第五代基礎上改進了溝槽柵結構，進一步的增 加了芯片的電流導通能力，極大地優化了芯片內的載流子濃度和分布。減小了芯片的綜 合損耗。 3. 多元需求提振行業增速，國內功率半導體企業有望多元需求提振行業增速，國內功率半導體企業有望暢暢 享國產替代大機遇享國產替代大機遇 3.1 第三代半導體材料為功率半導體行業創造全新機遇第三代半導體材料為功率半導體行業創造全新機遇 半導體行業經過近六十年的發展，目前已經發展形成了三代半導體材料，第一代半 導體材料主要是指硅、鍺元素等單質半導體材料；第二

30、代半導體材料主要是指化合物半 導體材料，如砷化鎵、銻化銦；第三代半導體材料是寬禁帶半導體材料，其中最為重要 的就是 SiC 和 GaN。和傳統半導體材料相比，更寬的禁帶寬度允許材料在更高的溫度、 更強的電壓與更快的開關頻率下運行。 SiC 具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高熱導率等特點，使得其器件適用于高 頻高溫的應用場景，相較于硅器件，可以顯著降低開關損耗。因此，SiC 可以制造高耐 壓、大功率電力電子器件如 MOSFET、IGBT、SBD 等，用于智能電網、新能源汽車等 行業。 與硅元器件相比，GaN 具有高臨界磁場、高電子飽和速度與極高的電子遷移率的 特點，是超高頻器件的極佳選擇，適用

31、于 5G 通信、微波射頻等領域的應用。未來，隨 著第三代半導體材料的成本因生產技術的不斷提升而下降， 其應用市場也將迎來爆發式 增長，給半導體行業帶來新的發展機遇。 圖圖6 半導體材料特性半導體材料特性 資料來源：electronicsweekly，海通證券研究所 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 11 3.2 新能源汽車市場有望拉動新能源汽車市場有望拉動 MOSFET、IGBT 需求高速增長需求高速增長 根據新潔能招股說明書，電控系統是新能源汽車三大核心部件之一，占整車成本約 20%，而電控系統需要運用大量的 MOSFET 和 IGBT 等半導體功率

32、器件。因此，新能 源汽車產銷規模擴大將拉動對 MOSFET、IGBT 等半導體功率器件的需求。Strategy Analytics 研究表明， 鑒于新能源汽車對于半導體功率器件的需求， 未來半導體功率器件 市場規模有望快速增長。 根據新潔能招股說明書援引中國汽車工業協會公布數據，2017 年我國新能源汽車 生產 79.4 萬輛、銷售 77.7 萬輛，比上年同期分別增長 53.8%和 53.3%。根據國務院頒 布的節能與新能源汽車產業發展規劃（2012-2020 年） ，到 2020 年我國純電動汽車 和插電式混合動力汽車生產能力達 200 萬輛、累計產銷量超過 500 萬輛。未來隨著新 能源汽

33、車進入爆發期，半導體功率器件行業將進一步受益，預計未來五年內新能源汽車 將帶動 MOSFET、IGBT 等的需求。 根據新潔能招股說明書，充電樁是新能源汽車產業的重要配套設施，其中直流充電 樁的核心是以 MOSFET、IGBT 為控制單元的充電模塊。作為新能源汽車必不可少的基 礎配套設施，國家陸續出臺了多項有關充電樁的鼓勵政策。根據國家發改委印發的電 動汽車充電基礎設施發展指南（2015-2020） 規劃中指出，2020 年國內充換電站數量 將達到 1.2 萬個， 分散式充電樁超過 480 萬個。未來五年， 國內新能源汽車充電樁 （站） 的直接市場規模有望達到 1320 億元。充電樁市場的快速

34、發展將推動 MOSFET、IGBT 等半導體功率器件的需求高速增長。 圖圖7 EV/HEV 是是 IGBT 市場增長的重要動力市場增長的重要動力 資料來源：i-micronews，海通證券研究所 3.3 國內功率半導體產業發展水平與國外存在較大差距國內功率半導體產業發展水平與國外存在較大差距 根據新潔能招股說明書，全球前十大半導體分立器件廠商均為國外企業，其總體份 額占全球市場份額的 50%以上且格局較為穩定。 相較于國外， 我國半導體分立器件行業 較為分散，雖然我國規模以上半導體分立器件行業內企業數量眾多，但只有少數企業具 備芯片研發、設計、制造等方面的競爭優勢。隨著少數具備競爭優勢的企業通

35、過持續技 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 12 術積累和自主創新不斷擴大產品知名度和市場占有率， 國內半導體分立器件行業的整體 集中度將不斷提升。近年來，全球半導體分立器件行業出現收購熱潮，擁有制造能力成 為國際龍頭企業的重要戰略發展方向。借鑒其發展經驗，國內行業內企業也將不斷拓展 封裝測試甚至芯片代工等方面的制造能力， 向制造端延伸的外延式發展將成為未來發展 的主流趨勢。 目前全球半導體分立器件中高端產品生產廠商主要集中在歐美、日本等。我國半導 體分立器件行業的整體實力與上述地區仍有較大差距， 仍需從國外進口大量的特別是高 端的半導體分立器件產品。

36、但近幾年來，國內半導體分立器件企業技術水平和供應能力 逐步提升，半導體分立器件產業發展迅猛，這為國內半導體分立器件產品替代進口同類 產品創造了較大的空間。根據中國半導體行業協會統計，2017 年中國半導體分立器件 進口金額為 281.8 億美元，相較于 2014 年進口額下降了 10.20%。未來，國內行業內 優秀企業將憑借地緣、技術和成本等方面的優勢獲得更多的發展機會，這也將大大增強 我國半導體分立器件產品替代外資同類產品的能力。 半導體分立器件應用于廣泛的產品類別，下游產品對電能轉換效率、穩定性、高壓 大功率需求及復雜度提出了更高要求。 半導體分立器件的組裝模塊化和集成化能有效滿 足上述要

37、求，并有助于增進便利性、優化客戶使用體驗及保障產品配套性和穩定性，將 成為行業技術發展的主流趨勢。同時，隨著工藝技術的不斷升級，分立器件能夠實現更 高性能、更快速度、更小體積，這為模塊化和集成化創造了技術條件。 3.4 功率半導體國產替代正當時功率半導體國產替代正當時 （1）國家產業政策大力支持 半導體產業是我國支柱產業之一， 半導體分立器件行業是半導體產業的重要組成部 分。發展我國半導體分立器件相關產業，提升國內半導體分立器件研發生產能力是我國 成為世界半導體制造強國的必由之路。國家有關部門出臺了“十三五”國家戰略性新興 產業發展規劃等多項政策為半導體分立器件行業的發展提供了政策保障，明確了

38、發展 方向。此外， 戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄等多項政策亦明確了半導體 分立器件的地位和范圍，提出了要重點發展 MOSFET 和 IGBT 功率器件的要求。國家 相關政策的出臺有利于半導體分立器件行業市場規模的增長， 并進一步促進了半導體分 立器件行業健康、穩定和有序的發展。 （2）下游行業市場需求廣闊 下游應用市場的需求變動對半導體分立器件行業的發展具有較大的牽引及驅動作 用。近年來，移動互聯網、智能手機、平板電腦等新技術和新產品的爆發性增長推動了 消費電子市場對分立器件產品的大規模需求。汽車電子、工業電子、通信設備等領域的 穩步增長也給分立器件產品提供了穩定的市場需求。未來，受益

39、于國家經濟結構轉型升 級以及新能源、物聯網等新興技術的應用，新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯 網、光伏新能源等下游市場將催生出大量的產品需求。此外，下游應用領域終端產品的 更新換代及科技進步引致的新產品問市也為半導體分立器件產品需求提供了強有力支 撐。下游行業的發展趨勢為半導體分立器件行業的發展提供了廣闊的市場空間。 （3）行業整體技術水平不斷提升 半導體分立器件行業為技術密集型行業，行業整體的技術水平較高。隨著先進技術 在下游行業的創新應用，半導體分立器件的技術水平也不斷進步，特別是適用性強、功 率密度高、能耗低以及新型材料分立器件不斷出現。我國半導體分立器件行業經過近十 年的技術積累

40、，已經出現了能夠研發生產高技術、高品質的半導體分立器件的企業，領 先企業越來越多的參與到全球半導體分立器件供應體系中。 國內半導體分立器件行業的 行業研究半導體產品與半導體設備行業 請務必閱讀正文之后的信息披露和法律聲明 13 整體技術水平有了顯著提升。芯片設計是分立器件產業鏈中對研發實力要求很高的環 節，國內已有少數企業的技術實力逐步趕上國際主流分立器件企業。隨著芯片設計行業 技術水平革新換代速度的加快， 只有保持一定的研發投入和具備較高研發實力的企業才 能保持市場競爭力，在下游需求的快速增長中占據較高的市場地位。 （4）進口替代效應不斷凸顯 半導體分立器件起源于歐美，日韓后續不斷形成其自身

41、競爭優勢。英飛凌 （Infineon） 、安森美（ON Semiconductor） 、意法半導體（STMicroelectronics）等國 際一流半導體制造企業長期占據著我國半導體分立器件的高端應用市場， 但該等廠商產 品的價格十分高昂，無法滿足國內迅速爆發的市場需求，導致國內市場供求存在失衡。 近年來，我國政府不斷出臺多項鼓勵政策，大力扶持半導體行業。隨著國內企業逐步參 與到全球半導體分立器件市場的供應體系，以及下游行業大力創新的驅動，國內企業逐 步積累了較為豐富的半導體研發和生產技術經驗， 部分優秀企業參與到中高端半導體分 立器件市場的競爭，并取得了一定的知名度和市場占有率。據新潔能招

42、股說明書援引中 國半導體行業協會統計，2017 年中國半導體分立器件進口金額為 281.8 億美元，相較 于 2014 年進口額下降了 10.20%。未來，我們判斷隨著國內企業逐步突破行業高端產 品的技術瓶頸，我國半導體分立器件對進口的依賴將會進一步減弱，進口替代效應將顯 著增強。 4. 國內外龍頭公司梳理國內外龍頭公司梳理 在功率半導體領域，國外同行業企業主要包括英飛凌（Infineon） 、安森美（ON Semiconductor） 、德州儀器（Texas Instruments） 、意法半導體（STMicroelectronics） ； 國內同行業企業主要包括士蘭微、華微電子、揚杰科技、

43、華虹半導體及先進半導體。 1、英飛凌（英飛凌（Infineon, IFX.DE） 英飛凌成立于 1999 年，是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半 導體部門，于 1999 年獨立，2000 年上市。英飛凌專注于為汽車和工業功率器件、芯片 卡和安全應用提供半導體和系統解決方案，業務遍及全球，在美國加州圣克拉拉、亞太 地區的新加坡和日本東京等地擁有分支機構。 英飛凌在功率半導體領域有較強的市場地 位。根據 2018 財年年報統計，英飛凌年收入 75.99 億歐元，凈利潤 10.75 億歐元。 2、安森美（安森美（ON Semiconductor, ON.O） 安森美于 1999 年從

44、摩托羅拉分拆出來，于次年在美國納斯達克上市。安森美的產 品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，主要應用于汽車、通信、計算機、 消費電子、工業、LED 照明、醫療、軍工及電源應用等領域。2018 年財報統計，安森 美收入 58.78 億美元，凈利潤 6.30 億美元。 3、德州儀器（德州儀器（Texas Instruments, TXN.O） 德州儀器成立于 1930 年，是世界上最大的模擬電路技術部件制造商之一，是全球 領先的半導體跨國公司。主要從事創新型數字信號處理與模擬電路方面的研究、制造和 銷售。除半導體業務外，還提供包括傳感與控制、教育產品和數字光源處理解決方案。 德州儀器總部位于美國德克薩斯州的達拉斯，并在全球多個國家設有制造、設計或銷售 機構。德州儀器是全球最大的模擬電路生產商之一，在信號鏈與電源管理領域均擁有強 大的市場地位。根據 2018 財年年報，德州儀器年收入