【公司研究】晶盛機電-受益硅片競爭性擴產業績確定性強-20200902（24頁）.pdf

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1、 1 證 券 研 究 報 告 證 券 研 究 報 告 公 司 深 度 研 究 公 司 深 度 研 究 晶盛機電（晶盛機電（300316）電氣設備 受益硅片競爭性擴產，業績確定性強受益硅片競爭性擴產，業績確定性強 投資要點：投資要點： 硅單晶爐龍頭硅單晶爐龍頭，技術技術國內領先國內領先 公司深耕硅單晶爐14年， 承擔過2項國家科技重大專項， 硅單晶爐技術領先， 自動化程度高，國內高端市場占有率第一，是公司拳頭產品也是公司主要 收入來源。2019年，硅單晶爐實現營收21.73億元，占比近70%。 自主自主+合作開發，積極拓展智能化裝備合作開發，積極拓展智能化裝備 公司在承擔國家科技重大專項過程中，

2、與高校、科研院所和客戶建立了深 厚合作關系。公司自主開發協同客戶合作，成功開發了6-12英寸晶體滾圓 機、截斷機、雙面研磨機及6-8英寸全自動硅片拋光機、8英寸硅單晶外延 設備，完成硅單晶長晶、切片、拋光、外延四大核心環節設備布局。 客戶優質、訂單客戶優質、訂單充足充足業績確定性強業績確定性強 公司獲得業內高度認可，與中環、有研、韓華、晶科、晶澳、天合光能、 阿特斯、金瑞泓等頭部企業建立了緊密合作關系。截止2020年6月30日， 未完成訂單近40億元，業績確定性強。 技術力量雄厚，研發投入技術力量雄厚，研發投入逐年增逐年增加加，布局第三代半導體布局第三代半導體設設備備 公司技術力量雄厚，擁有5

3、6項發明專利，研發投入持續增加，2019年研發 投入1.8億元，營收占比近6%，積極布局第三代半導體設備。 硅片技術迭代硅片技術迭代+競爭性擴產，公司有望顯著受益競爭性擴產，公司有望顯著受益 太陽能方面：硅片從156mm向166mm、182mm、210mm大尺寸發展，頭 部企業積極擴產大硅片產線，每年投資額超90億元； 半導體方面：作為全球最大半導體終端市場，國內半導體硅片需求快速增 長。國內十余家企業布局8/12英寸半導體硅片，總投資超1400億元。入股 的中環領先半導體大硅片項目取得重要進展，公司有望顯著受益。 盈利預測盈利預測 預計公司2020-2022年實現營業收入40.52/ 51.

4、48/ 62.87億元，同比增長 30.3%/ 27.02%/ 22.12%；凈利潤7.94/ 10.35/ 12.66億元，EPS為0.62/ 0.81/ 0.99元/股， 對應PE為42.67/ 32.73/ 26.76倍， 考慮到行業高速增長和 行業地位，給予公司50倍估值，推薦評級。 風險提示風險提示 硅片擴產不及預期；設備交貨調試進度不及預期；減持風險。 Table_First|Table_Summary|Table_Excel1 財務數據和估值財務數據和估值 2018A 2019A 2020E 2021E 2022E 營業收入（百萬元） 2,535.71 3,109.74 4,05

5、2.98 5,147.93 6,286.76 增長率（%） 30.11% 22.64% 30.33% 27.02% 22.12% EBITDA（百萬元） 730.00 831.64 1,032.73 1,331.60 1,611.07 凈利潤（百萬元） 582.15 637.40 794.06 1,035.24 1,266.04 增長率（%） 34.46% 9.49% 24.58% 30.37% 22.29% EPS（元/股） 0.45 0.50 0.62 0.81 0.99 市盈率（P/E） 58.21 53.16 42.67 32.73 26.76 市凈率（P/B） 8.35 7.45 6

6、.53 5.63 4.82 EV/EBITDA 46.83 40.83 34.33 26.12 22.16 數據來源：公司公告，國聯證券研究所 2020 年 09 月 02 日 投資建議：投資建議： 推薦推薦 首次覆蓋首次覆蓋 當前價格：當前價格： 25.97 元 基本數據基本數據 總股本/流通股本（百萬股） 1,284/1,207 流通 A 股市值（百萬元） 31,488 每股凈資產（元） 3.67 資產負債率（%） 43.87 一年內最高/最低（元） 30.49/13.20 一年內股價相對走勢一年內股價相對走勢 馬群星 分析師 執業證書編號：S0590516080001 電話：0510-8

7、5613163 郵箱： 相關報告相關報告 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 -20% 19% 58% 97% 2019-092020-012020-052020-08 晶盛機電 2 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 正文目錄正文目錄 1.1. 硅單晶爐龍頭，技術國內領先硅單晶爐龍頭，技術國內領先 . 4 4 1.1. 公司發展歷程. 4 1.2. 深耕硅單晶爐，技術國內領先 . 4 2.2. 自主自主+ +合作開發，積極拓展智合作開發，積極拓展智能化裝備能化裝備 . 7 7 2.1. 自主+合作研發模式 . 7 2.2. 積極拓展智能化裝備 . 7 2.3. 工業 4.0 方

8、案提供商 . 8 3.3. 優質客戶訂單充足，業績確定性強優質客戶訂單充足，業績確定性強 . 9 9 3.1. 聚焦優質頭部客戶 . 9 3.2. 在手訂單充足，業績確定性強 . 10 4.4. 技術力量雄厚，研發投入逐年增加，產品持續創新技術力量雄厚，研發投入逐年增加，產品持續創新 . 1010 4.1. 團隊技術力量雄厚 . 10 4.2. 研發投入逐年增加，核心技術人員股權激勵 . 11 4.3. 公司重點研發項目持續創新 . 12 5.5. 硅片技術迭代疊加競爭性擴產，公司有望顯著受益硅片技術迭代疊加競爭性擴產，公司有望顯著受益 . 1313 5.1. 光伏業務：受益硅片技術迭代和競爭

9、性擴產 . 13 5.2. 半導體業務：硅片核心設備國產化空間巨大 . 16 6.6. 盈利預測盈利預測 . 2020 7.7. 風險提示風險提示 . 2121 圖表目錄圖表目錄 圖表圖表1：公司發展歷程：公司發展歷程 . 4 圖表圖表2：直拉法制備單晶硅棒：直拉法制備單晶硅棒 . 5 圖表圖表3：區熔法制備單晶硅棒：區熔法制備單晶硅棒 . 5 圖表圖表4：直拉和區熔單晶硅示意圖：直拉和區熔單晶硅示意圖 . 5 圖表圖表5：2015-2019年公司營業收入、各產品占比及增長情況年公司營業收入、各產品占比及增長情況 . 6 圖表圖表6：硅片制造工藝流程：硅片制造工藝流程 . 7 圖表圖表7：公司

10、近年研制的智能化新裝備：公司近年研制的智能化新裝備 . 8 圖表圖表8：工業：工業4.0樣板車間樣板車間 . 8 圖表圖表9：公司主要客戶資源：公司主要客戶資源 . 9 圖表圖表10：2019年主要客戶銷售額占比年主要客戶銷售額占比 . 9 圖表圖表11：公司在手訂單情況：公司在手訂單情況 . 10 圖表圖表12： 2014-2019年晶盛機電研發支出和研發占比年晶盛機電研發支出和研發占比 . 11 圖表圖表13：研發人員占比穩中有升：研發人員占比穩中有升 . 11 圖表圖表14：公司重點項目持續創新突破：公司重點項目持續創新突破 . 12 圖表圖表15：2014-2019年光年光伏組件出口單

11、價（美分伏組件出口單價（美分/瓦）瓦） . 13 圖表圖表16：可再生能源平準化度電成本比較：可再生能源平準化度電成本比較 . 13 圖表圖表17：光伏組件出口數量（：光伏組件出口數量（GW） . 14 圖表圖表18：2010-2019年全國硅片產量（年全國硅片產量（GW） . 14 圖表圖表19：硅片規格和組件功率：硅片規格和組件功率 . 15 圖表圖表20：硅片尺寸發展趨勢：硅片尺寸發展趨勢 . 15 圖表圖表21：2019-2025年不同硅片市場占比變化趨勢年不同硅片市場占比變化趨勢 . 15 圖表圖表22：硅片擴產規模（單位：硅片擴產規模（單位：GW） . 16 圖表圖表23：硅片生產

12、工藝流程及：硅片生產工藝流程及設備設備 . 16 圖表圖表24：2009-2018年全球半導體硅片銷售額（億美元）年全球半導體硅片銷售額（億美元） . 17 qRmPqNrMmOoPmQmRxPwPmP6MdN6MpNnNpNpPeRpPvMjMoOmQ7NpPxOwMqRmPMYnQnR 3 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 圖表圖表25：2012-2018年全球半導體硅片出貨面積（億平方英寸）年全球半導體硅片出貨面積（億平方英寸） . 17 圖表圖表26：中國大陸地區半導體硅片市場規模：中國大陸地區半導體硅片市場規模 . 18 圖表圖表27：半導體硅片尺寸發展趨勢：半

13、導體硅片尺寸發展趨勢 . 18 圖表圖表28：2019年半導體硅片不年半導體硅片不同尺寸占比同尺寸占比 . 18 圖表圖表29：全球前：全球前5大半導體硅片廠商大半導體硅片廠商 . 19 圖表圖表30：中國：中國8/12英寸大硅片投資和產能情況英寸大硅片投資和產能情況 . 19 圖表圖表31：公司分產品營業收入預測（百萬元）：公司分產品營業收入預測（百萬元） . 20 圖表圖表32：財務數據和估值：財務數據和估值（百萬元）（百萬元） . 21 圖表圖表33：可比上市公司盈利預測及估：可比上市公司盈利預測及估值值 . 21 圖表圖表34：財務預測摘要：財務預測摘要 . 22 4 請務必閱讀報告末

14、頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 1. 硅單晶爐龍頭，硅單晶爐龍頭，技術國內領先技術國內領先 1.1. 公司發展歷程公司發展歷程 公司成立于 2006 年，2007 年研制出國內第一臺全自動直拉法單晶硅生長爐。 2009 年， 公司參與承擔國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工 藝”“硅材料設備應用工程”項目中的“300mm 硅單晶直拉生長設備的開發”課題。 2011 年，公司參與承擔國家科技重大專項“8 英寸區熔硅單晶爐國產設備研制” 課題。 2012 年公司上市， 成功拉制 6 英寸區熔硅單晶； 2013 年成功拉制出 8 英寸區熔 硅單晶棒。 2014 年，與中環半導體

15、合資成立晶環電子；2017 年與中環股份，無錫產業發展 集團合資設立中環領先半導體有限公司。 圖表圖表1：公司發展歷程公司發展歷程 來源：公司公告，國聯證券研究所 1.2. 深耕硅單晶爐，技術國內領先深耕硅單晶爐，技術國內領先 目前世界上制備單晶硅的方法主要有直拉法（Czochralski Method）和區熔法 （Floating Zone Method ） 。 直拉法又稱為切克勞斯基法，它是 1918 年由切克勞斯基（Czochralski）建立起 來的一種晶體生長方法，簡稱 CZ 法。CZ 法的特點是用高純石墨電阻加熱，將裝在 高純石英坩堝中的多晶硅熔化，然后將籽晶插入熔體表面進行熔接，

16、同時轉動籽晶， 反轉坩堝，籽晶緩慢向上提升，經過引晶、縮頸、放肩、等徑、收尾等過程生長單晶 硅棒。 區熔法晶體生長技術又被稱為懸浮區熔法， 簡稱區熔法 （Floating Zone Method） ， 這種技術是指在氣氛或真空的爐室中， 利用高頻線圈在單晶籽晶和其上方懸掛的多晶 5 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 硅棒的接觸處產生熔區，然后使熔區向上移動，經過引晶、縮頸、擴肩、等徑過程生 長單晶硅棒。 單晶硅生長設備的研制涉及熱力學、流體力學、半導體材料、機械、電氣、計算 機及控制理論等多學科，是一項系統性工程，主要包括機械部件、電氣硬件、控制軟 件、熱場結構和晶體生長

17、工藝的設計開發。 圖表圖表4：直拉和區熔單晶硅示意圖：直拉和區熔單晶硅示意圖 來源：公司官網，國聯證券研究所 公司開發的直拉和區熔全自動單晶硅生長爐具有很強的技術優勢： 自動化程度高：自動化程度高： 直拉法單晶硅的制備包括抽真空-檢漏-調壓-熔料-穩定-熔接-引晶 -放肩-轉肩等徑-收尾-停爐等工藝流程。 單晶硅生長過程中可控制的參數有加熱功率、 氬氣流向及流量、爐內壓力、熔液面位置、熔體溫度、晶體直徑、晶體和坩堝的旋轉 與升降速度等。公司研制的全自動單晶硅生長爐實現了整個生長過程的全自動控制， 全程無需人工干預，保證了單晶硅生長過程的一致性。同時，針對太陽能級硅單晶的 實現工業生產的自動化具

18、有明顯優勢。 網絡化現場管理技術：網絡化現場管理技術： 公司針對大型晶體硅材料企業都擁有幾百、 上千臺的晶體 硅生長設備， 現場管理任務重的特點， 研制了提高規?；w硅生長過程的集成化高 效網絡管理系統， 將計算機網絡技術應用于單晶硅生產現場管理中。 網絡管理系統可 實時采集爐內近百個生產數據、60 多項提示報警，生成數據報表和曲線，遠程修改 標準作業程序（SOP）并實時生效，構造了良好的集成化生產管理環境。 通過對多 圖表圖表2：直拉法制備單晶硅棒：直拉法制備單晶硅棒 圖表圖表3：區熔法制備單晶硅棒：區熔法制備單晶硅棒 來源：新昇半導體，國聯證券研究所 來源：新華半導體，國聯證券研究所 6

19、 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 臺單晶硅生產設備的集中統一控制和管理，可以節約人力成本，擴大管理跨度，提高 大規?，F場生產管理的水平和產品質量。 控制精度高：控制精度高： 公司生產的全自動單晶硅生長爐采用獨特的氬氣分流環結構， 保證 單晶硅生長過程中氬氣氣流的均勻性； 針對不同的單晶硅生長工藝， 配置了三個不同 量程的壓力傳感器進行分段分區測量，準確性更高；配置了智能碟閥系統，能根據工 藝要求自動調整爐內氬氣壓力；配置了質量流量控制器，實現氬氣流量精確控制；先 進的控制算法，使單晶硅棒等徑誤差達到 1mm/m；適應于高均勻性的半導體級單晶 硅生長需求。 機械性能穩定性

20、高：機械性能穩定性高： 公司生產的全自動單晶硅生長爐的晶體提升系統經過嚴格的 靜平衡和動平衡測試，在 2530rpm 的高轉速下晶體晃動小，運行平穩；坩堝提升系 統采用整體式磁流體和低背隙滾珠直線導軌結構，旋轉平穩，升降低速無爬行；爐體 部分采用整體鍛造法蘭及合理優化的冷卻水路， 并經過振動消除焊接應力、 缺陷檢查、 探傷檢驗及氦質譜檢漏，保證了密閉型好、冷卻均勻穩定。 顯著降低單晶硅棒生產成本顯著降低單晶硅棒生產成本： 公司生產的全自動單晶硅生長爐可實現單晶硅制備 過程的全自動控制，單晶等徑度及成品率高，配置水冷夾套裝置后可提高 20%的晶 體生長速度， 配置連續投料裝置后可實現單爐拉制多根

21、晶體， 顯著降低單晶硅棒的生 產成本。 向市場推出全自動單晶硅生長爐產品以來， 公司產品以優越的性能、 較高的性價 比、 專業的售后服務贏得了國內半導體行業和光伏行業大型企業的廣泛青睞， 在業內 樹立了良好的品牌和信譽。2009 年，單晶硅生長爐關鍵技術研究成果獲得“浙江省科 學技術一等獎”。2010 年，TDR-ZJS 型全自動晶體生長爐系列產品被科技部等四部 委評為“國家重點新產品”。 單晶爐是公司的拳頭產品， 是國內硅單晶爐的龍頭企業， 國內高端市場占有率第 一，是公司主要收入來源。2019 年公司實現營收 31.09 億元，其中單晶爐實現營收 21.73 億元，占比近 70%，毛利 8

22、.29 億元，占比 74.93%。 圖表圖表5：2015-2019年公司營業收入、各產品占比及增長情況年公司營業收入、各產品占比及增長情況 來源：wind，國聯證券研究所 0% 20% 40% 60% 80% 100% 120% 140% 160% 0 5 10 15 20 25 30 35 20152016201720182019 晶體硅生長設備（億元） 智能化裝備（億元） 升級改造（億元） 藍寶石材料（億元） 其他業務（億元） 同比增長（右軸） 7 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 2. 自主自主+合作開發，積極拓展智能化裝備合作開發，積極拓展智能化裝備 2.1. 自

23、主自主+合作研發模式合作研發模式 2009 年，公司與浙江大學，杭州慧翔電液技術開發有限公司和北京有研新材共 同承擔國家科技重大專項“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”、 “硅材料設備應用 工程”項目中的“300mm 硅單晶直拉生長設備的開發”課題。 2011 年，公司與天津環歐半導體材料技術有限公司共同承擔國家科技重大專項 “8 英寸區熔硅單晶爐國產設備研制”課題，協作進行 8 英寸國產區熔單晶爐的研發。 公司在承擔科技重大專項過程中與中環股份、北京有研積極協同，建立了深厚 的合作關系。 公司在合作過程中不斷提升對拉晶工藝的理解， 掌握了與單晶硅生長系 統相關的多項核心技術，在設備機械系統

24、、電氣控制系統、高頻加熱電源、多 CCD 成像、 自動化生長控制程序實現國產化， 成為中環股份和北京有研重要的單晶爐設備 供應商。 2.2. 積極拓展積極拓展智能化智能化裝備裝備 中環環歐和北京有研是國內著名的硅片制造商。 整個硅片制造工藝流程主要包括： 長晶、切片、研磨、拋光、清洗、外延等。 圖表圖表6：硅片制造工藝流程硅片制造工藝流程 來源：Siltronic，國聯證券研究所 8 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 公司成為中環股份和北京有研重要的單晶爐設備供應商后， 以此為基礎， 在自主 研發基礎上與客戶協同，先后成功開發了 6-12 英寸晶體滾圓機、截斷機、雙面研磨

25、 機及 6-8 英寸的全自動硅片拋光機、 8 英寸硅單晶外延設備， 完成硅單晶長晶、 切片、 拋光、外延四大核心環節設備布局。 圖表圖表7：公司近年研制的智能化新裝備公司近年研制的智能化新裝備 來源：公司官網，國聯證券研究所 其中公司自主開發的 8 英寸硅外延爐已進入客戶量產測試階段。 硅外延爐是用于 在硅片上生長外延層的專用設備，屬于 CVD 設備類，開拓了公司在硅材料加工設備 領域又一全新的產品類別。8 英寸硅外延爐，兼容 6 英寸、8 英寸外延生長，具有外 延層厚度均勻性和電阻率均勻性高的特點。 2.3. 工業工業 4.0 方案提供商方案提供商 公司為半導體客戶定制化開發 8 英寸、12

26、 英寸切磨拋車間的自動化解決方案， 有助于客戶減少操作人員，降低工人的勞動強度，提高生產效率，提高產品品質，為 客戶在大尺寸單晶硅片切磨拋生產提供強有力的支撐和保障， 同時也在半導體行業樹 立晶片加工車間的工業 4.0 樣板。 圖表圖表8：工業工業4.0樣板車間樣板車間 來源：公司官網，國聯證券研究所 9 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 2019 年，智能化加工裝備實現營收 5.04 億元，同比增加 81.97%。 3. 優質客戶訂單優質客戶訂單充足充足，業績確定性強，業績確定性強 3.1. 聚焦優質頭部客戶聚焦優質頭部客戶 公司憑借產品穩定性、 可靠性和高性價比已獲得

27、業內高端客戶認可， 并不斷擴大 對行業優質客戶的覆蓋，與中環、有研、韓華、晶科、晶澳、天合光能、阿特斯、金 瑞泓等頭部企業建立了緊密合作關系。 圖表圖表9：公司主要客戶資源：公司主要客戶資源 來源：公司官網，國聯證券研究所 2019 年公司前五大客戶貢獻營收 26.55 億元，占比 85.38% 圖表圖表10：2019年主要客戶銷售額占比年主要客戶銷售額占比 來源：公司公告，國聯證券研究所 頭部優質客戶的拓展， 公司不僅獲得了穩定的產品需求， 還能布局前瞻性研發機 會，有助于公司持續增強技術先進性，保持市場領先優勢。 55.83% 14.23% 5.69% 4.85% 4.77% 14.63%

28、 客戶一 客戶二 客戶三 客戶四 客戶五 其他 10 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 3.2. 在手訂單充足，業績確定性強在手訂單充足，業績確定性強 截止到 2020 年 6 月 30 日，公司未完成合同總計約 38.01 億元?？紤]到 2020 年 3 月份內蒙古中環協鑫光伏第五期采購中標的第二包 1.98 億元還未簽訂設備銷售 合同，預計公司可確定在手訂單近 40 億元，訂單充足，業績確定性強。 圖表圖表11：公司在手訂單情況：公司在手訂單情況 交易對方名稱交易對方名稱 合同金額合同金額 （萬元）（萬元） 業務類型業務類型 項目執行進度項目執行進度 合同披露合同披露

29、 時間時間 回款回款 情況情況 中環領先半導體材料 40,285.10 設備 銷售 正在交貨 并調試驗收 2018 年 10 月 正常 四川晶科能源 29,413.12 設備 銷售 驗收完畢 2019 年 3 月 正常 四川晶科能源 95,410.00 設備 銷售 正在分批 調試驗收 2019 年 7 月 正常 無錫上機數控 55,385.60 設備 銷售 正在分批 調試驗收 2019 年 6 月 正常 中環協鑫光伏材料 120,960.00 設備 銷售 正在分批交貨 并調試驗收 2019 年 12 月 正常 中環協鑫光伏材料 21,510.00 設備 銷售 正在分批交貨 并調試驗收 2019

30、 年 12 月 正常 中環協鑫光伏材料 120,960.00 設備 銷售 正在分批交貨 并調試驗收 2020 年 6 月 正常 來源：公司公告，國聯證券研究所 4. 技術力量雄厚，研發投入逐年增加技術力量雄厚，研發投入逐年增加，產品持續，產品持續創新創新 4.1. 團隊技術力量雄厚團隊技術力量雄厚 公司技術研發及管理團隊以教授、博士、碩士為核心，經驗豐富、執行力強，對 晶體生長設備制造、 數值模擬計算和晶體生長工藝技術理解深刻。 公司一直將技術創 新作為公司持續發展的動力源泉。 公司實際控制人曹建偉，浙江大學工學博士，在機電控制、液壓傳動與控制等領 域有深入的研究，曾獲浙江省科學技術一等獎 2

31、 項、浙江省科學技術三等獎 1 項、 機械工業科學技術進步一等獎 1 項、機械工業科學技術進步三等獎 1 項。 另一實際控制人邱敏秀曾是浙江大學博士生導師， 曾享受國務院特殊津貼， 曾任 第三屆中國機械工程學會流體傳動與控制分會液壓技術委員會委員、 第五屆全國液壓 氣動標準化技術委員會委員。 邱敏秀在機械設計、 流體傳動及控制領域擁有豐富的經 驗， 在電液控制技術研究領域卓有建樹， 多年來承擔與參與電液控制技術領域的國家 自然科學基金項目、 863 項目、 國家重大科技專項課題以及省部級科技項目 30 多項； 科研成果曾榮獲國家發明二等獎、國家科技進步二等獎等國家級獎 3 項，省、部級科 技一

32、等獎 4 項，二等獎 3 項；在核心期刊發表學術論文 50 余篇。 11 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 公司擁有一批具備豐富的行業應用經驗、 深刻掌握晶體硅生長設備制造和晶體生 長工藝技術的核心技術人員。 公司不斷培養和引進了新產品、 新業務方面的技術人才。 4.2. 研發投入逐年增加，核心技術人員股權激勵研發投入逐年增加，核心技術人員股權激勵 最近 6 年，公司研發投入持續加大， 2019 年研發經費投入達 18,602.90 萬元， 占營業收入比例的 5.98%。 圖表圖表12： 2014-2019年晶盛機電研發支出和研發占比年晶盛機電研發支出和研發占比 來源：公

33、司公告，國聯證券研究所 公司通過推行股權激勵政策， 使公司核心技術人才均持有公司股權， 保持人才隊 伍穩定性。同時，為吸引新的技術人才加盟，增強公司技術實力，公司制定有競爭力 的薪酬體系和職業發展規劃， 為人才搭建良好的發展平臺。 公司與主要技術人員簽訂 保密協議，對競業禁止義務和責任等進行明確約定。 公司研發人員占比持續保持在 20%以上，研發人員占比穩中有升，公司持續加 大研發力度，加強公司核心競爭力。 圖表圖表13：研發人員占比穩中有升：研發人員占比穩中有升 來源：公司公告，國聯證券研究所 截止 2020 年 6 月 30 日，公司及控股子公司共獲授權專利 428 項，其中發明專 利 5

34、6 項。 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000 16000 18000 20000 201420152016201720182019 研發支出（萬元） 研發費用占比（右軸） 0% 5% 10% 15% 20% 25% 30% 0 100 200 300 400 500 600 201420152016201720182019 研發人員 研發人員占比（右軸） 12 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 4.3. 公司重點研發項目持續創新公司重點研發項目持續創新 公司以“打造半導體材料裝備領先

35、企業，發展綠色智能高科技制造產業”企業使 命為指引，圍繞半導體大硅片設備加速國產化布局，加大研發投入，發揮技術和渠道 優勢，攜手客戶在批量產業化領域加速突破，取得了一系列進展，鞏固了半導體材料 關鍵設備國產化領先優勢。積極推進的主要研發及市場工作如下： 圖表圖表14：公司重點項目持續創新突破公司重點項目持續創新突破 1 公司研發的 8 英寸硬軸直拉硅單晶爐，該技術解決了軸動密封、抗震動、 軸水冷、氣流場等諸多技術難題，可以有效改善晶體徑向均勻性。并在 今年 8 月由公司晶體實驗室使用該設備生長出直徑 8 英寸硅單晶，是國 內首臺硬軸直拉爐生長出的首顆 8 英寸晶體。此次硬軸直拉單晶爐的研 制成功，為國內大硅片行業提供了裝備保障，進一步鞏固了公司半導體 裝備的核心競爭力。 2 公司研發的 6 英寸碳化硅外延設備，兼容 4 英寸和 6 英寸碳化硅外延生 長。在客戶處 4 英寸工藝驗證通過，正在進行 6 英寸工藝驗證。該設備 為單片式設備，沉積速度達到 50um/min，厚度均勻性1%，濃度均勻 性1.5%。該設備生產的碳化硅外延片應用于新能源汽車、電力電子、 微波射頻等領域。公司開發的碳化硅外延設備，有助于拓展在第三代半 導體設備領域的市場布局。 3 公司研發的 8 英寸硅外延爐已通過部分客戶產品性能測試，技術驗證通 過，具備批量生產基礎。硅外延爐