《半導體設備&零部件行業2024年報&2025一季報總結：業績持續高增看好自主可控趨勢下國產替代加速-250513（52頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《半導體設備&零部件行業2024年報&2025一季報總結：業績持續高增看好自主可控趨勢下國產替代加速-250513（52頁）.pdf（52頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、半導體設備半導體設備&零部件行業零部件行業2024年報年報&2025一季報總結：一季報總結：業績持續高增，看好自主可控趨勢下國產替代加速業績持續高增，看好自主可控趨勢下國產替代加速證券研究報告請務必閱讀正文之后的免責聲明部分首席證券分析師：周爾雙執業證書編號：S 13915521100證券分析師：李文意執業證書編號：S 188671362492025年5月13日收入端延續高速增長態勢，盈利水平進一步提升。收入端延續高速增長態勢，盈利水平進一步提升。我們選取14家半導體設備行業重點標的【北方華創】【中微公司】【拓荊科技】【華海清科】【長川科技】【芯源微】【至純科技】【華峰測控】【盛美上?！俊救f業

2、企業】【精測電子】【賽騰股份】【微導納米】【中科飛測】和4家半導體零部件行業重點標的【英杰電氣】【漢鐘精機】【新萊應材】【富創精密】。1）收入端：）收入端：2024&2025Q1十四家半導體設備企業合計實現營業收入732.2/177.4億元，同比+33/+37%；四家半導體零部件企業合計實現營業收入113.4/24.7億元，同比+9/-6%；2）利潤端：）利潤端：2024&2025Q1十四家半導體設備企業合計實現歸母凈利潤119.0/25.8億元，同比+15/+37%，四家半導體零部件企業合計實現歸母凈利潤16.1/2.0億元，同比-5/-45%；3）費用端：）費用端：2024&2025Q1十

3、四家半導體設備企業期間費用率為34.7/38.9%，同比+0.5/-5.2pct，2024&2025Q1四家半導體零部件企業期間費用率為15.8/18.9%，同比-0.3/+2.4pct；4）訂單方面：）訂單方面：2024&2025Q1十四家半導體設備企業合同負債合計分別為192.1/199.1億元，同比+14.1/+6.3%，2024&2025Q1四家半導體零部件企業合同負債合計為14.1/14.4億元，同比-12.8/-13.8%?？春米灾骺煽刳厔菹?，設備看好自主可控趨勢下，設備&零部件國產替代加速。零部件國產替代加速。1）先進邏輯/存儲廠商持續擴產，疊加先進制程設備繼續突破放量，看好邏輯

4、&存儲廠商擴產帶來半導體設備&零部件需求上升；2）國產半導體設備商均開啟平臺化布局，北方華創、中微公司、拓荊科技、盛美上海均有全新品類設備亮相，看好半導體設備公司平臺化加速，不斷拓寬產品種類打造一體化解決方案；3）半導體設備國產化率仍有較大空間，看好半導體設備公司差異化競爭，國產替代邏輯仍然生效；4）受益于AI芯片浪潮加速，看好下游封測設備起量，特別是測試設備國產化進程順利，有望實現國產化替代放量。投資建議：投資建議：重點推薦前道平臺化設備商【北方華創】【中微公司】，低國產化率環節設備商【芯源微】【中科飛測】【精測電子】，薄膜沉積設備商【拓荊科技】【微導納米】，后道封裝測試設備【華峰測控】【長

5、川科技】【邁為股份】；零部件環節【新萊應材】【富創精密】【晶盛機電】【英杰電氣】【漢鐘精機】。風險提示：風險提示：半導體行業投資不及預期、設備國產化進程不及預期等。國內半導體設備商加速平臺化布局，零部件國產替代進程加快國內半導體設備商加速平臺化布局，零部件國產替代進程加快23目錄目錄一、半導體設備：營收一、半導體設備：營收/存貨存貨&合同負債高增，利合同負債高增，利潤端因研發投入等有所分化潤端因研發投入等有所分化三、看好自主可控趨勢下，設備三、看好自主可控趨勢下，設備&零部件國產替代零部件國產替代加速加速二、半導體零部件：受其他業務影響業績短期承壓二、半導體零部件：受其他業務影響業績短期承壓四

6、、投資建議四、投資建議五、風險提示五、風險提示數據來源：Wind，東吳證券研究所2024年年&2025Q1十四家半導體設備企業合計實現營業收入十四家半導體設備企業合計實現營業收入732.2/177.4億元，同比億元，同比+33/+37%，半導體設備公司收，半導體設備公司收入端延續高速增長勢頭，表現十分亮眼。入端延續高速增長勢頭，表現十分亮眼。半導體設備維持高增，前后道設備均迎來業績放量。半導體設備維持高增，前后道設備均迎來業績放量。1）前道設備方面，微導納米、北方華創、中微公司等前道設備及中科飛測等量測設備24&25Q1營收維持高增，同比均超過30%，系下游需求強勁同時覆蓋客群擴大致訂單高速增

7、長進入收獲期；賽騰股份24年營收下滑主因系受到消費電子業務拖累，其晶圓檢測和量測設備業務2024年營收同比+116%，半導體設備板塊亦實現高增；2）后道設備方面：長川科技、華峰測控等后道封測設備24年迎來高增，增速分別達105/31%，系半導體擴產順周期已至，下游封測設備景氣度回暖所致；24年萬業企業營收下滑系受到房地產業務大幅拖累所致；圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業營收同比半導體設備行業營收同比+33/+37%41.1 收入端：營收端維持高增，增速亦有提升收入端：營收端維持高增，增速亦有提升186.7276.7417.5551.9732.2177.448%51%32%33%37

8、%0%10%20%30%40%50%60%0100200300400500600700800202020212022202320242025Q1營業收入(億元)同比增速-50%0%50%100%150%200%2024營業收入同比2025Q1營業收入同比圖：圖：2024&2025Q1設備環節營收增速表現出色設備環節營收增速表現出色，同比高增同比高增數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業合計實現歸母凈利潤十四家半導體設備企業合計實現歸母凈利潤119.0/25.8億元，同比億元，同比+15/+37%，半導體設備公司利潤，半導體設備公司利潤端延續高速增長勢頭，表

9、現亮眼。端延續高速增長勢頭，表現亮眼。半導體設備行業出現利潤分化，部分利潤下滑公司多為費用端拖累及其他業務板塊利潤承壓所致。半導體設備行業出現利潤分化，部分利潤下滑公司多為費用端拖累及其他業務板塊利潤承壓所致。半導體設備方面，長川科技、華峰測控等后道封測設備歸母凈利潤高增，系受益于封測行業回暖、測試設備國產化進度良好迎來突破；北方華創、盛美上海等前道設備也維持高增速；芯源微、中科飛測、精測電子、至純科技等出現較大幅度下降，主要受到業務規模增長導致的高研發費用和人員成本及其他類型業務利潤下滑拖累，其中中科飛測/精測電子半導體業務毛利潤同比增長43/69%。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備

10、歸母凈利潤同比半導體設備歸母凈利潤同比+15/+37%51.2 利潤端：利潤增長因研發投入等出現分化利潤端：利潤增長因研發投入等出現分化圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業整體維持利潤上行半導體設備行業整體維持利潤上行27.444.976.0103.1119.025.864%69%36%15%37%0%10%20%30%40%50%60%70%80%020406080100120140202020212022202320242025Q1歸母凈利潤(億元)同比增速-400%-300%-200%-100%0%100%200%300%400%500%2024歸母凈利潤同比2025Q1歸母凈利

11、潤同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業合計實現扣非歸母凈利潤十四家半導體設備企業合計實現扣非歸母凈利潤104.2/23.2億元，同比億元，同比+30/+35%，半導體設備公，半導體設備公司利潤端延續高速增長勢頭，表現亮眼。司利潤端延續高速增長勢頭，表現亮眼。半導體設備盈利分化，部分公司扣非歸母凈利潤受費用端、計提規模及其他主營業務影響有所下滑。半導體設備盈利分化，部分公司扣非歸母凈利潤受費用端、計提規模及其他主營業務影響有所下滑。北方華創、中微公司、華海清科等前道設備扣非歸母凈利潤仍然維持高增，且扣非歸母利潤增速高于歸母凈利潤增速，真實盈利水平大幅提

12、升；精測電子、中科飛測等量測設備廠商和至純科技等扣非歸母凈利潤大幅下滑，主要受到高研發費用和人員成本及其他類型業務利潤下滑、計提減值規模較大及其他類型主營業務利潤大幅下滑拖累。圖：圖：2024&2025Q1扣非歸母凈利潤繼續高增扣非歸母凈利潤繼續高增6圖：半導體設備整體仍然保持利潤上漲圖：半導體設備整體仍然保持利潤上漲，部分公司有所分化部分公司有所分化12.627.562.680.2104.223.2118%128%28%30%35%0%20%40%60%80%100%120%140%020406080100120202020212022202320242025Q1扣非歸母凈利潤(億元)同比增

13、速-700%-500%-300%-100%100%300%2024扣非歸母凈利潤同比2025Q1扣非歸母凈利潤同比1.2 利潤端：利潤增長因研發投入等出現分化利潤端：利潤增長因研發投入等出現分化數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業毛利率為十四家半導體設備企業毛利率為45.3/43.8%，同比，同比-3.34/-6.28pct；整體來看有所下降。；整體來看有所下降。半導體設備行業毛利率出現一定程度分化半導體設備行業毛利率出現一定程度分化：半導體設備領域受制于產品結構變動，24年推出一系列新產品并對已有設備不斷更新迭代，導致毛利率多有承壓下行，芯源微、拓荊科

14、技、微導納米、中微公司、華海清科等24年毛利率均有不同程度下行；北方華創、萬業企業、華峰測控24年毛利率出現小幅提升；中科飛測、賽騰股份等量測設備24年毛利率承壓主因系受到其他業務拖累，二者的半導體量測設備毛利率分別上升0.7/0.9pct。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業毛利率有所下行半導體設備行業毛利率有所下行71.3 毛利率：半導體設備由于新產品推出毛利率多有承壓毛利率：半導體設備由于新產品推出毛利率多有承壓圖：圖：2024&2025Q1華峰測控華峰測控、北方華創等毛利率出現小幅提升北方華創等毛利率出現小幅提升45%47%48%49%45%44%41%42%43%44%45%

15、46%47%48%49%202020212022202320242025Q1毛利率-50%-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%2024毛利率同比變動2025Q1毛利率同比變動數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業銷售凈利率為十四家半導體設備企業銷售凈利率為12.6/7.5%，同比，同比-5.17/+1.19pct，25Q1盈利能力迎來拐點。盈利能力迎來拐點。半導體設備銷售凈利率基本持平，部分公司出現盈利能力改善拐點：半導體設備銷售凈利率基本持平，部分公司出現盈利能力改善拐點：1）前道設備，微導納米、盛美上海等24年銷售凈利率同比下滑，但2

16、5Q1再度迎來大幅改善，證明公司進入盈利能力拐點；芯源微、拓荊科技24銷售凈利率同比下滑，主要系業務規模增長帶來相關費用增幅短期上升。中科飛測24&25Q1銷售凈利率大幅下滑主要系研發費用持續高增疊加公司股份支付費用所致；精測電子24年銷售凈利率大幅下滑主因系顯示業務毛利率承壓所致。2）后道設備，長川科技24年銷售凈利率領跑全行業，主要系測試設備出貨量大增同時控費效果良好，帶來公司盈利能力高增。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業銷售凈利率承壓半導體設備行業銷售凈利率承壓81.4 銷售凈利率：整體基本持平，部分公司出現盈利能力改善拐點銷售凈利率：整體基本持平，部分公司出現盈利能力改善拐

17、點圖：圖：2024&2025Q1半導體設備銷售凈利率出現下滑半導體設備銷售凈利率出現下滑18%19%19%18%13%8%0%5%10%15%20%25%202020212022202320242025Q1銷售凈利率-25%-20%-15%-10%-5%0%5%10%15%20%2024銷售凈利率同比2025Q1銷售凈利率同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業期間費用率為十四家半導體設備企業期間費用率為34.7/38.9%，同比，同比+0.5/-5.2pct，2022-2024年半導體設備行業年半導體設備行業期間費用率上漲主因系研發費用不斷加大。期間費

18、用率上漲主因系研發費用不斷加大。25Q1期間費用率同比回落顯示控費效果良好。期間費用率同比回落顯示控費效果良好。半導體設備研發費用率持續上行：半導體設備研發費用率持續上行：1）管理費用率和銷售費用率方面，）管理費用率和銷售費用率方面，半導體設備行業24&25Q1銷售費用率同比-1.85/-2.53pct、管理費用率同比變動+0.84/-3.77pct，其中24年管理費用小幅上行主要系萬業企業房地產業務費用高增（同比增加20%）所致，扣除該影響后可見半導體設備行業控費效果良好。2）研發費用方面，）研發費用方面，半導體設備行業24&25Q1研發費用率同比+1.20/-1.11pct，大部分半導體設

19、備行業都加速了研發費用投入，25Q1研發費用率增速略有下滑主因系該季度各公司營收增速較高，導致研發費用率受分母端影響增速有所下降。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業研發費用率持續增長半導體設備行業研發費用率持續增長91.5 費用率：研發費用率持續上行費用率：研發費用率持續上行圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業控費效果良好半導體設備行業控費效果良好14.7%16.3%16.3%17.1%18.3%19.7%33.7%32.7%30.9%34.2%34.7%38.9%-5%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%202020212022202320242025Q

20、1銷售費用率管理費用率研發費用率財務費用率期間費用率0%10%20%30%40%50%60%70%80%2024期間費用率2025Q1期間費用率數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業存貨合計為十四家半導體設備企業存貨合計為626.9/669.7億元，同比億元，同比+34/+27%；創歷史新高，主要系在手訂創歷史新高，主要系在手訂單充足，發出商品和原材料大幅增長，同時由于全球供應鏈緊張，也進行一定原材料儲備。單充足，發出商品和原材料大幅增長，同時由于全球供應鏈緊張，也進行一定原材料儲備。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備存貨金額持續增加半導體設備存貨金

21、額持續增加101.6 存貨：在手訂單充足，存貨金額創歷史新高存貨：在手訂單充足，存貨金額創歷史新高圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業存貨均保持上漲半導體設備行業存貨均保持上漲119.1202.8342.2468.8626.9669.770%69%37%34%27%0%10%20%30%40%50%60%70%80%0100200300400500600700800202020212022202320242025Q1存貨(億元)同比增速-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%2024同比2025Q1同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家

22、半導體設備企業合同負債合計分別為十四家半導體設備企業合同負債合計分別為192.1/199.1億元，同比億元，同比+14.1/+6.3%，達到歷史最高值，達到歷史最高值，進一步驗證在手訂單充足，保障半導體設備行業短期業績延續高速增長進一步驗證在手訂單充足，保障半導體設備行業短期業績延續高速增長。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業合同負債繼續高增半導體設備行業合同負債繼續高增111.7 合同負債：持續保持增長，驗證在手訂單充足合同負債：持續保持增長，驗證在手訂單充足圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業合同負債同比上漲半導體設備行業合同負債同比上漲51.8100.2158.2168

23、.4192.1199.193%58%6%14%6%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%050100150200250202020212022202320242025Q1合同負債(億元)同比增速-70%-20%30%80%130%180%230%2024合同負債同比2025Q1合同負債同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業經營性現金流量凈額為十四家半導體設備企業經營性現金流量凈額為41.5/-35.5億元，同比億元，同比+696/-74%，25Q1經營質量有經營質量有所下滑，主要系新接訂單充足，且供應鏈緊張，原材料備貨增加所

24、下滑，主要系新接訂單充足，且供應鏈緊張，原材料備貨增加.半導體設備：半導體設備：1）前道設備，前道設備，中微公司、盛美上海、芯源微等24年經營活動現金流有較大規模提升，推測主要系需求旺盛，同時設備加速交付、確認收入；北方華創、芯源微等25Q1經營性現金流量下滑，推測系新接訂單充足，原材料備貨增加，訂單尚未大規模交付確認所致；2）后道設備，）后道設備，精測電子、長川科技24年經營性凈現金流量出現較大程度提升，中科飛測24年經營性現金流量大幅下降主因系購買商品、接受勞務支付的現金大幅增長。圖：經營性現金流量圖：經營性現金流量2024年有所改善年有所改善121.8 現金流：現金流：2024多有改善，

25、訂單多有改善，訂單&備貨增加，備貨增加，2025Q1短期承壓短期承壓圖：圖：2024&2025Q1大部分公司經營性現金流量有所改善大部分公司經營性現金流量有所改善28.99.5-2.9-7.041.5-35.5-40-30-20-1001020304050202020212022202320242025Q1經營性現金流量(億元)-1300%-800%-300%200%700%2024同比2025Q1同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1十四家半導體設備企業存貨周轉天數分別為十四家半導體設備企業存貨周轉天數分別為587/745天，同比天，同比-8/-474天天;2024&2

26、025Q1十四家半導體十四家半導體設備企業應收賬款周轉天數分別為設備企業應收賬款周轉天數分別為108/147天，同比天，同比+2/+2天天,應收賬款周轉持續變慢，主要系在手訂單大幅增長，應收賬款周轉持續變慢，主要系在手訂單大幅增長，存貨明顯提升，此外，下游晶圓廠擴產受外部制裁等出現一定延后，相關訂單確認周期拉長。存貨明顯提升，此外，下游晶圓廠擴產受外部制裁等出現一定延后，相關訂單確認周期拉長。圖：圖：2024&2025Q1半導體設備行業存貨周轉天數改善半導體設備行業存貨周轉天數改善131.9 營運能力：訂單確認影響，周轉天數持續上升營運能力：訂單確認影響，周轉天數持續上升圖：圖：2024&20

27、25Q1半導體設備行業應收半導體設備行業應收賬賬款周轉變慢款周轉變慢4054575055945877450100200300400500600700800202020212022202320242025Q1存貨周轉天數（天）241256271293295345050100150200250300350400202020212022202320242025Q1存貨周轉天數（天）14目錄目錄一、半導體設備：營收一、半導體設備：營收/存貨存貨&合同負債高增，利合同負債高增，利潤端因研發投入等有所分化潤端因研發投入等有所分化三、看好自主可控趨勢下，設備三、看好自主可控趨勢下，設備&零部件國產替代零部件

28、國產替代加速加速二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓四、投資建議四、投資建議五、風險提示五、風險提示數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1四家半導體零部件企業合計實現營業收入四家半導體零部件企業合計實現營業收入113.4/23.7億元，同比億元，同比+9/-6%，半導體零部件企業，半導體零部件企業2024維維持增長，持增長，25Q1短期承壓。短期承壓。半導體零部件方面，英杰電氣、漢鐘精機和新萊應材25Q1營收同比出現下滑，主要系光伏、食品等其他業務拖累；英杰電氣半導體零部件業務2024年營收同比增加6.4%、新萊應材半導體零部件業務

29、2024年營收同比增加29.9%，均保持較高增長，證明半導體零部件行業營收整體保持上行。圖：圖：2024&2025Q1半導體零部件營收同比半導體零部件營收同比+9/-6%152.1 收入端：半導體零部件行業整體保持增長收入端：半導體零部件行業整體保持增長圖：圖：2024&2025Q1半導體零部件環節營收承壓半導體零部件環節營收承壓45.065.487.1104.0113.423.745%33%19%9%-6%-10%0%10%20%30%40%50%020406080100120202020212022202320242025Q1營業收入(億元)同比增速1%-5%5%47%-13%-19%-2

30、%9%-25%-15%-5%5%15%25%35%45%55%2024營業收入同比2025Q1營業收入同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1四家半導體零部件企業合計實現歸母凈利潤四家半導體零部件企業合計實現歸母凈利潤16.1/2.0億元，同比億元，同比-5/-45%，半導體零部件企業歸母，半導體零部件企業歸母凈利潤出現短期承壓。凈利潤出現短期承壓。半導體零部件方面，英杰電氣、漢鐘精機、新萊應材25Q1歸母凈利潤同比出現較大下滑，主要系受到光伏等其他業務板塊利潤下滑拖累及研發費用、折舊費用高增所致。圖：圖：2024&2025Q1半導體零部件歸母凈利潤同半導體零部件歸母凈利潤

31、同比比-5/-45%162.2 利潤端：半導體零部件行業受其他板塊業務拖累仍短期承壓利潤端：半導體零部件行業受其他板塊業務拖累仍短期承壓圖：圖：2024&2025Q1半導體零部件歸母凈利潤半導體零部件歸母凈利潤短期短期承壓承壓6.49.415.717.016.12.046%67%8%-5%-45%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%024681012141618202020212022202320242025Q1歸母凈利潤(億元)同比增速-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%140%2024歸母凈利潤同比2025Q1歸母凈利潤同比數據來源：Wind，東吳證

32、券研究所2024&2025Q1四家半導體零部件企業銷售凈利率為四家半導體零部件企業銷售凈利率為13.9/9.6%，同比，同比-1.99/-5.17pct，盈利能力保持穩定略有降低，盈利能力保持穩定略有降低半導體零部件：半導體零部件：2024&2025Q1英杰電氣、新萊應材、富創精密等銷售凈利率出現一定下滑，主要系光伏等其他業務盈利能力大幅下滑、研發費用高增及相應折舊費用增加所致。圖：圖：2024&2025Q1半導體零部件行業銷售凈利率小幅下滑半導體零部件行業銷售凈利率小幅下滑172.3 銷售凈利率：半導體零部件公司整體受其他業務波動影響銷售凈利率：半導體零部件公司整體受其他業務波動影響圖：圖：

33、2024&2025Q1半導體零部件銷售凈利率小幅下滑半導體零部件銷售凈利率小幅下滑17%16%19%16%14%10%0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%20%202020212022202320242025Q1銷售凈利率-15%-10%-5%0%5%2024銷售凈利率同比2025Q1銷售凈利率同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1四家半導體零部件企業經營性現金流量凈額為四家半導體零部件企業經營性現金流量凈額為10.9/2.6億元，同比億元，同比+46/+269%，有較大幅度改善，有較大幅度改善，推測推測主要系需求旺盛，同時設備加速交付、確認收入。漢鐘精機主

34、要系需求旺盛，同時設備加速交付、確認收入。漢鐘精機24年經營現金流量有所下降，主要系報告期內年經營現金流量有所下降，主要系報告期內 3 個月以上定存列示在支付其他經營活動現金所致，個月以上定存列示在支付其他經營活動現金所致，25Q1旋即迎來改善。旋即迎來改善。圖：經營性現金流量圖：經營性現金流量2024年有所改善年有所改善182.4 現金流：現金流：2024多有改善，訂單多有改善，訂單&備貨增加，備貨增加，2025Q1短期承壓短期承壓圖：圖：2024&2025Q1大部分公司經營性現金流量有所改善大部分公司經營性現金流量有所改善7.09.85.07.410.92.6024681012202020

35、212022202320242025Q1經營性現金流量(億元)經營性現金流量(億元)-100%-50%0%50%100%150%200%250%300%350%400%2024同比2025Q1同比數據來源：Wind，東吳證券研究所2024&2025Q1四家半導體零部件企業存貨周轉天數為四家半導體零部件企業存貨周轉天數為295/345天，同比天，同比+1/-23天；天；2024&2025Q1四家半導體零部四家半導體零部件企業應收賬款周轉天數為件企業應收賬款周轉天數為88/116天，同比天，同比+10/+23天。應收賬款周轉持續變慢，主要系在手訂單大幅增長，存天。應收賬款周轉持續變慢，主要系在手訂

36、單大幅增長，存貨明顯提升，此外，下游晶圓廠擴產受外部制裁等出現一定延后，相關訂單確認周期拉長。貨明顯提升，此外，下游晶圓廠擴產受外部制裁等出現一定延后，相關訂單確認周期拉長。圖：圖：2024&2025Q1半導體半導體零部件零部件行業存貨周轉天數改善行業存貨周轉天數改善192.5 營運能力：訂單確認影響，周轉天數持續上升營運能力：訂單確認影響，周轉天數持續上升圖：圖：2024&2025Q1半導體半導體零部件零部件行業應收行業應收賬款賬款周轉變慢周轉變慢241256271293295345050100150200250300350400202020212022202320242025Q1存貨周轉天

37、數7465677988116020406080100120140202020212022202320242025Q1應收賬款周轉天數20目錄目錄一、半導體設備：營收一、半導體設備：營收/存貨存貨&合同負債高增，利合同負債高增，利潤端因研發投入等有所分化潤端因研發投入等有所分化三、看好自主可控趨勢下，設備三、看好自主可控趨勢下，設備&零部件國產替代零部件國產替代加速加速二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓四、投資建議四、投資建議五、風險提示五、風險提示數據來源：Wind，SEMI，東吳證券研究所2020-2024年全球年全球/中國大陸半導體設備市場規模

38、復合增速分別為中國大陸半導體設備市場規模復合增速分別為2.5%、7.9%，中國大陸增速高于全球市場增速。，中國大陸增速高于全球市場增速。我國半導體設備銷售額占全球比重提升。我國半導體設備銷售額占全球比重提升。2024年全球半導體設備市場為1171億美元，中國大陸半導體設備銷售額占全球銷售額42%，達到495億美元，超出中國臺灣(14%)、韓國(17%)、北美(12%)，連續四年成為全球最大半導體設備市場。SEMI預測預測2025年全球半導體設備銷售額達年全球半導體設備銷售額達1250億美元，億美元，2026年將達年將達1390億美元億美元3.1 看好先進存儲看好先進存儲&邏輯邏輯2025年擴產

39、年擴產圖：中國大陸連續圖：中國大陸連續6個季度占全球半導體設備市場個季度占全球半導體設備市場35%以上以上12%11%18%13%19%22%13%10%15%18%14%12%16%23%25%18%17%25%23%24%22%27%29%26%25%33%27%30%31%25%27%23%22%29%43%43%47%46%43%35%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%050100150200250300350400中國大陸全球合計中國大陸占比單位：億美元21數據來源：Wind，SEMI，東吳證券研究所2024年全球主要存儲廠商三星、美光、海力士資本開支分別

40、為年全球主要存儲廠商三星、美光、海力士資本開支分別為2654、598、824億元人民幣。資本開支持續維持億元人民幣。資本開支持續維持高位。根據高位。根據SEMI預測數據，預測數據，2025年三星、美光、海力士資本開支預計為年三星、美光、海力士資本開支預計為2212、1022、818億元人民幣。億元人民幣。圖：全球主要存儲廠商資本開支維持高位圖：全球主要存儲廠商資本開支維持高位16.4%6.4%-2.6%6.9%21.7%1.8%62.4%-2.1%-6.2%10.0%11.3%20.2%-9.9%-6.8%-0.6%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%01000200

41、03000400050006000201120122013201420152016201720182019202020212022202320242025ESAMSUNGMicronSKYOY3.1 看好先進存儲看好先進存儲&邏輯邏輯2025年擴產年擴產22單位：億元人民幣數據來源：中芯國際官網，東吳證券研究所在邏輯端，中芯國際為擴產主力，在邏輯端，中芯國際為擴產主力，2025年資本開支維持高位。年資本開支維持高位。作為內資邏輯晶圓代工龍頭，中芯國際在半導體行業下行周期中，2022年8月擬在天津投資75億美元建設12英寸晶圓代工生產線項目，規劃產能為10萬片/月，進一步驗證逆周期擴產邏輯。資本

42、開支方面，2024年中芯國際資本開支達到73億美元，同比+15%，根據中芯國際官網，預計2025資本開支與2024年基本持平。產能利用率方面產能利用率方面，中芯國際已經連續四個季度高于80%，出現了明顯的持續回暖行情。2024年中芯國際產能利用率達86%，連續7個季度高于70%。圖：中芯國際產能利用率圖：中芯國際產能利用率99%100%100%99%100%97%92%80%68%78%77%77%81%85%90%86%50%60%70%80%90%100%110%圖：中芯國際資本性支出及增速圖：中芯國際資本性支出及增速19 57 45 64 75 73 75 3%204%-21%11%65

43、%15%0%-50%0%50%100%150%200%250%010203040506070802019202020212022202320242025E資本性支出（億美元）yoy3.1 看好先進存儲看好先進存儲&邏輯邏輯2025年擴產年擴產23大基金三期募資落地，規模大基金三期募資落地，規模3440億元為歷史之最，有望帶動存儲大廠億元為歷史之最，有望帶動存儲大廠+邏輯大廠邏輯大廠CAPEX。一期1387.2億元（投資期2014年到2019年），二期2041.5億元（投資期2019年到2025年），此次三期剛完成募資。與一期、二期相比，此次廣東國資、天津國資都是新增的出資單位（上海國盛、北京亦

44、莊前兩期也是出資單位），未來我們判斷對當地項目返投的投資比例會較大幅度上升。同時，我們認為三期重點投資方向為先進制程的晶圓廠，雖然成熟制程擴產可能放緩，但隨著AI應用催化、先進制程有望加速擴產，國內存儲大廠+邏輯大廠的擴產有望得到大基金較大支持。圖：大基金三期募資結構圖：大基金三期募資結構（億元億元）數據來源：愛企查，東吳證券研究所3.1 看好先進存儲看好先進存儲&邏輯邏輯2025年擴產年擴產24數據來源：TEL，東吳證券研究所龍頭陸續實現先進制程的量產，后續進程有望加速。龍頭陸續實現先進制程的量產，后續進程有望加速。1）DRAM：SK海力士于2024年成功實現12層與8層HBM3E的量產，并

45、計劃于2025年實現HBM4量產；2）NAND：我國長江存儲2021年已實現128層量產，目前已完成242層3D NAND的量產；3）邏輯：）邏輯：臺積電早在2020年就實現5nm的量產，目前可以量產3nm級別，預計2025年實現2nm的量產。存儲存儲/存儲持續迭代，有望帶動高價值先進設備加速放量。存儲持續迭代，有望帶動高價值先進設備加速放量。2031年邏輯制程將邁入 7A 時代，并采用 CFET 技術，極大提升芯片性能與集成度；存儲的NAND到2035年可實現2000層+，DRAM則由HBM4逐步升級，預計2034年推出HBM6。圖：邏輯圖：邏輯、NAND、DRAM領域工藝路線圖領域工藝路線

46、圖3.1 看好先進存儲看好先進存儲&邏輯邏輯2025年擴產年擴產25202420252026202720282029203020312032203320342035邏輯邏輯3nm，2-1FinFET3A，3rd Gen.CFETNAND4xxL7xxL*1yyyL*2xxxLDRAMHBM6HBM3EHBM4HBM4EHBM5HBM5E2nm，GAA NS7A，CFET5A，2nd Gen.CFET14A-10A，GAA NS Scaling3xxL5xxL1xxxL*1zzzLEEEEEEEEEEE3.2 設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成

47、差異化競爭數據來源：盛美上海，SEMI，東吳證券研究所26圖：圖：2024年半導體設備整體國產化率仍不足年半導體設備整體國產化率仍不足20%設備種類設備種類國產化率國產化率市場規模（億元）市場規模（億元）國內企業國內企業薄膜沉積設備20%497北方華創、拓荊科技、中微公司、微導納米等光刻機20%474中微公司、北方華創等量/檢測設備30%113盛美上海、北方華創、至純科技、芯源微等涂膠顯影設備30%68華海清科等熱處理設備30%56北方華創、屹唐半導體、盛美上海等離子注入設備10%45萬業企業、中科信圖：國內大部分半導體設備環節國產化率仍不足圖：國內大部分半導體設備環節國產化率仍不足20%（數

48、據截止至數據截止至2023年年）751101291612463764820%10%20%30%40%50%60%01002003004005006002017201820192020202120222023營業收入（億元）同比（%）國產化率（%）2024年初SEMI預測國內Capex約2200億人民幣，但實際2024年落地3000億，主要是地緣政治影響，在制裁政策落地之前，晶圓廠囤了很多海外設備，故整體的Capex落地約3000億，比預期高了30%，國內國內設備拿單大概設備拿單大概600億元，占比億元，占比20%。2025年初SEMI預測國內Capex約2800億元，國產設備會大概會有20%左

49、右的同比提升，即2800億中國億中國內設備大概內設備大概拿到拿到720億元左右，占比億元左右，占比24-25%。2018年以來中國大陸半導體設備企業快速進步，最直接的體現為相關企業市場份額快速提升。年以來中國大陸半導體設備企業快速進步，最直接的體現為相關企業市場份額快速提升。數據來源：SEMI，Wind，東吳證券研究所2018201920202021202220232024E薄膜沉積薄膜沉積設備設備中國大陸薄膜沉積設備市場規模（億元）168 176 255 388 370 479 649 拓荊科技營業收入（億元）0.72.54.47.617.127.041.0拓荊科技市場份額（拓荊科技市場份額

50、（%）0.4%1.4%1.8%2.0%4.6%5.6%6.3%刻蝕設備刻蝕設備中國大陸刻蝕設備市場規模（億元）160 168 244 370 354 457 619 中微公司刻蝕設備收入（億元）5.7-12.920.0 31.5 47.0 90.7 中微公司市場份額（中微公司市場份額（%）3.6%-5.5%5.4%8.9%10.3%14.6%清洗設備清洗設備中國大陸清洗設備市場規模（億元）38 40 56 88 84 109 147 盛美上海清洗設備收入（億元）5.0 6.3 8.2 10.6 20.8 26.1 40.6 盛美上海市場份額（盛美上海市場份額（%）13.1%15.7%14.7%

51、12.0%25.7%25.0%27.5%至純科技清洗設備收入（億元）-0.8 2.2 7.0 7.9 7.6 8.7 至純科技市場份額（至純科技市場份額（%）-2.0%4.0%7.9%9.4%7.0%5.9%芯源微清洗設備收入（億元）0.7 1.0 0.8 2.9 5.5 6.0 6.2 芯源微清洗設備市場份額（芯源微清洗設備市場份額（%）1.9%2.4%1.4%3.3%6.5%5.5%4.2%清洗設備國產化率（清洗設備國產化率（%）（僅考慮上述三）（僅考慮上述三家）家）15%20%20%24%41%37%38%涂膠顯影涂膠顯影設備設備中國大陸涂膠顯影設備市場規模（億元）30 32 45 70

52、 67 87 118 芯源微涂膠顯影設備收入（億元）1.31.12.45.17.6 10.7 11.5 芯源微市場份額（芯源微市場份額（%）4.3%3.4%5.4%7.2%11.2%12.2%9.8%CMP設備設備中國大陸CMP設備市場規模（億元）24 25 33 53 51 65 88 華海清科CMP設備收入（億元）0.31.93.56.914.3 22.8 30.7 華海清科市場份額（華海清科市場份額（%）1.3%7.9%10.5%13.1%28.3%34.9%34.7%量量/檢測設檢測設備備中國大陸量/檢測設備市場規模（億元）84 88 124 194 185 250 325 中科飛測營

53、業收入（億元）0.30.62.43.65.1 8.9 13.8 中科飛測市場份額（中科飛測市場份額（%）0.4%0.7%2.0%1.9%2.7%3.7%4.3%上海精測營業收入（億元）0.0 0.0 0.6 1.1 1.6 3.3 4.3 上海精測市場份額（上海精測市場份額（%）0.0%0.0%0.5%0.6%0.9%1.4%1.3%上海睿勵營業收入（億元）0.3 0.1 0.2 0.4-上海睿勵市場份額（上海睿勵市場份額（%）0.3%0.1%0.2%0.2%-量量/檢測設備國產化率（檢測設備國產化率（%）（僅考慮上述）（僅考慮上述三家）三家）0.7%0.9%2.6%2.6%-3.2 設備國產

54、化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭 27數據來源：天天IC，東吳證券研究所3.2 設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭 海外限制主要聚焦在先進制程領域，半導體設備國產替代訴求愈發迫切。海外限制主要聚焦在先進制程領域，半導體設備國產替代訴求愈發迫切。美國：美國：2022年10月7日，美國對向中國半導體產業制裁升級：1）對128層及以上3D NAND芯片、18nm半間距及以下DRAM內存芯片、16nm或14nm或以下非平面晶體管結構（即FinFET或GAAFET）邏輯芯片相關設備進一步

55、管控。2）在沒有獲得美國政府許可的情況下，美國國籍公民禁止在中國從事芯片開發或制造工作。荷蘭：荷蘭：2024年1月1日起，ASML的2000i及后續浸沒式光刻機出口需申請許可證，與美國1017光刻機法案保持一致；2024年9月7日起，ASML的1970i和1980i浸沒式光刻機出口需向荷蘭政府而非美國政府申請許可證。日本：日本：2024年3月31日，日本政府宣布將修訂外匯與外貿法相關法令：清單擬對六大類24種先進半導體制造設備追加出口管制，主要包括極紫外線（EUV）相關產品的制造設備和用于存儲元件立體堆疊的刻蝕設備。表：美日荷先進設備管理新規情況表：美日荷先進設備管理新規情況28國家國家日期日

56、期主要設備管制政策主要設備管制政策美國2022.10.7先進芯片、設備、人員全面管控，設備管控范圍為16nm或14nm以下的邏輯芯片、128層以上NAND存儲芯片以及半間距為18nm或以下的DRAM芯片的制造設備。2023.10.17發布先進計算芯片規則及半導體制造物項出口管制規則，為BIS針對其于2022年10月7日發布的出口管制規則的修訂，細化關于半導體設備及人員管制范圍。日本2024.5.24宣布修訂外匯與對外貿易法，將包括先進芯片制造設備在內的24類商品列入管制出口清單，2024年7月24日政策生效。荷蘭2024.6.30先進光刻機、ALD設備、Epi設備及Iow-k沉積設備、EUV光

57、罩保護膜及生產設備受到出口管制。2024.09.06ASML需要向荷蘭政府而非美國政府申請出口許可證，才能裝運其TWINSCAN NXT：1970i和1980i DUV浸沒式光刻機。該政策將于2024年9月7日生效。數據來源：中國海關，東吳證券研究所3.2 設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭 我國每年需要從美國進口較多半導體設備，如我國每年需要從美國進口較多半導體設備，如AMAT、LAM等半導體設備巨頭均為美國公司，從海關總署數據等半導體設備巨頭均為美國公司，從海關總署數據來看，來看，2024年我國來自美國的半導體設備（包括前道年我

58、國來自美國的半導體設備（包括前道+后道）進口金額約后道）進口金額約337億元，占總進口金額比重約為億元，占總進口金額比重約為20%。4月4日中國宣布對原產于美國的所有進口商品，在現行適用關稅稅率基礎上加征34%關稅，我們認為此次進口關稅的加征利好半導體設備國產化率的進一步提升。一方面對于成熟制程而言，一方面對于成熟制程而言，雖然此次芯片原產地的區分主要以封測廠所在地劃定，如2024年中國進口的芯片3856億美元，主要來自中國臺灣36%、韓國22%、中國香港15%，美國僅占3%，但我們認為成熟制程反傾銷有望加速，對原廠地的劃定不排除升級至晶圓廠層面，能夠推動國產成熟制程芯片的發展，而成熟制程對價

59、格更敏感，考慮到關稅34%以及海外進口設備普遍溢價10%+，關鍵設備的進口成本或增加50%以上，國產設備在價格端優勢明顯，我們認為成熟制程的設備國產替代進程有望加速。另一方面對于先進制程而言，另一方面對于先進制程而言，隨著國產設備商技術與服務的不斷突破與成熟，且進口設備成本增加50%+，設備的國產化率有望加速提升，看好半導體設備的自主可控。265.9249.8281.7336.622%21%19%20%0%5%10%15%20%25%0501001502002503003504002021202220232024進口美國主要半導體設備總金額（億元）進口美國設備占總進口設備金額比例（%，右軸）圖

60、：圖：2024年來自美國的半導體設備進口金額約年來自美國的半導體設備進口金額約337億元億元，占比約為占比約為20%（統計口徑為刻蝕統計口徑為刻蝕、薄膜沉積薄膜沉積、離子注入離子注入、量檢測等量檢測等）29數據來源：中國海關，東吳證券研究所直接進口自美國的設備主要為離子注入、量檢測設備。直接進口自美國的設備主要為離子注入、量檢測設備。從海關總署的數據來看，總量上，2024年來自美國的半導體設備（包括前道+后道）進口金額約337億元，占總進口金額比重約為20%；具體分環節來看，2024年來自美國的量檢測設備進口金額最大為122.5億元，其次為離子注入設備約101.5億元，其余為熱處理、CVD、刻

61、蝕設備、PVD、后道封裝的塑封機和引線鍵合機等；從占比來看，離子注入機進口自美國的占比最大，約為79%，其次為量檢測設備，約為34%。3.2 設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭 42.026.518.025.5101.50.5122.5020406080100120140氧化擴散/熱處理設備CVDPVD刻蝕設備離子注入設備后道封裝設備量檢測設備億元202120222023202467%67%69%79%0%25%50%75%100%2021202220232024氧化擴散/熱處理設備占比CVD占比PVD占比刻蝕設備占比離子注入設備占

62、比后道封裝設備占比量檢測設備占比圖：圖：2021-2024年各環節設備美國進口金額占比年各環節設備美國進口金額占比（單位：單位：%）圖：圖：2021-2024年各環節設備美國進口金額年各環節設備美國進口金額（單位：億元單位：億元）30數據來源：中國海關，AMAT，LAM，KLA，泰瑞達，東吳證券研究所根據各家披露的根據各家披露的2024年中國區營收來看，美國的年中國區營收來看，美國的AMAT、LAM、KLA、泰瑞達四家公司合計約、泰瑞達四家公司合計約1500億元。億元?？紤]到純半導體設備收入占比80%左右，則我們估算四家公司在中國的半導體設備收入約1200億元，與海關總署披露的設備進口金額存在

63、900億左右的差額，我們判斷主要系美國設備公司在新加坡、馬來西亞等地設有生產基地，根據2024年海關進口數據來看，我國進口的半導體設備總金額約為1689億元（刻蝕、薄膜沉積、離子注入、量檢測等），來自美國、日本（主要是TEL）的進口金額分別為337/392億元，非美日的進口金額為961億元，其中新加坡占比最高，約為26%。3.2 設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭設備國產化率仍有提升空間，各設備商形成差異化競爭 公司公司地區地區合計廠區合計廠區AMAT美國7德國3新加坡1（無研發，純生產）中國臺灣2韓國1（無研發，純生產）意大利1以色列1LAM美國7（其中6處無研發，純生產）韓國

64、3（無研發，純生產）馬來西亞1（無研發，純生產）中國臺灣1（無研發，純生產）奧地利1（無研發，純生產）KLA新加坡1（無研發，純生產）泰瑞達美國1馬來西亞1（原蘇州工廠搬移）圖：圖：AMAT、LAM、KLA、泰瑞達四家公司在全球泰瑞達四家公司在全球的主要生產基地的主要生產基地（截止至截止至2024年年）265.9249.8281.7336.6299.3256.3299.3391.7278.9259.6397.9441.142.681.2128.5127.7131.096.890.6120.2216.9218.5260.1272.10%25%50%75%100%2021202220232024億

65、元其他韓國馬來西亞新加坡日本美國圖：圖：2021-2024年我國進口的半導體設備主要地區收入年我國進口的半導體設備主要地區收入（統計口徑為刻統計口徑為刻蝕蝕、薄膜沉積薄膜沉積、離子注入離子注入、量檢測等量檢測等）1088.21137.11070.61508.431%29%26%38%0%10%20%30%40%040080012001600FY2021FY2022FY2023FY2024合計中國區營收（億元）中國區營收占比（%）圖：圖：2021-2024年美國的年美國的AMAT、LAM、KLA、泰泰瑞達四家公司合計中國區營收及占比瑞達四家公司合計中國區營收及占比313.3 看好設備公司平臺化進

66、程加速拓寬產品品類：北方華創看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：北方華創 北方華創北方華創通過自研、兼并購核心設備工藝覆蓋度已超通過自研、兼并購核心設備工藝覆蓋度已超60%，產品覆蓋度對標產品覆蓋度對標全球設備龍頭全球設備龍頭AMAT。在整個行業中，從產品種類上來看，薄膜產品占比最高，達21%，其中PECVD產品占比最高，達8%；其次，刻蝕產品種類占比第二，達22.1%，其中硅刻蝕占比最高，達12.0%。光刻、清洗、爐管種類產品各占21%、10%、6.1%，離子注入產品占比11.6%，電鍍產品ECD占比0.9%，CMP占比1.4%。北方華創生產的設備包括刻蝕、薄膜、清洗、離子注入、電鍍、爐

67、管等種類中的所有產品，占該行業所有產品約60+%。圖：北方華創核心設備工藝覆蓋度超過圖：北方華創核心設備工藝覆蓋度超過60%，核心拳頭產品優勢明顯，核心拳頭產品優勢明顯數據來源：Wind，北方華創官網，東吳證券研究所北方華創北方華創/AMAT設備覆蓋度設備覆蓋度種類產品用量占比北方華創AMAT光刻光刻21.0%涂膠顯影涂膠顯影4.0%Y刻蝕硅刻蝕12.0%YY介質刻蝕9.0%YY干法去膠1.1%YY薄膜PECVD8.0%YYALD2.2%YYPVD6.0%YYEPI1.8%YYMOCVD0.9%YY管式CVD2.1%YY清洗槽式清洗6.0%Y單片清洗4.0%Y爐管退火1.1%YY氧化擴散5.0

68、%YY電鍍ECD0.9%YYCMPCMP1.4%Y離子注入離子注入11.6%YY檢測及其他檢測及其他21.0%32數據來源：中微公司，東吳證券研究所中微公司中微公司：刻蝕機龍頭加速：刻蝕機龍頭加速平臺化布局，已覆蓋平臺化布局，已覆蓋33%的集成電路設備需求。的集成電路設備需求。其刻蝕設備產品涵蓋高能CCP刻蝕、低能ICP刻蝕以及邊緣刻蝕機，能夠滿足約22%的設備需求。同時，公司在薄膜設備領域深度布局，產品包括ALD設備、LPCVD導體設備以及EPI外延設備，目前其薄膜設備能覆蓋約5%的市場需求。此外，公司的電鍍設備和電子束檢測設備等產品也正在研發中。公司也通過參股優秀一級設備公司全面布局光學量

69、測、電鍍、清洗設備。公司也通過參股優秀一級設備公司全面布局光學量測、電鍍、清洗設備。其參股的睿勵科學儀器公司，主要產品包括光學膜厚測量設備和光學缺陷檢測設備等。圖：公司當前產品覆蓋約圖：公司當前產品覆蓋約33%集成電路設備集成電路設備需求需求333.3 看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：中微公司看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：中微公司中微公司中微公司從從ALD、EPI、LPCVD切入薄膜沉積設備領域，進行差異化競爭。切入薄膜沉積設備領域，進行差異化競爭。公司主要做導體與金屬類薄膜沉積，合計規劃開發26種導體薄膜沉積設備；目前已交付的產品主要包括鎢（W）沉積與鈦金屬ALD設備。20

70、25-2027年公司規劃超17款薄膜類新品，涵蓋鎢系列設備的三款產品、ALD設備的六款產品、PECVD設備的四款產品以及PVD設備的四款產品。公司公司LPCVD設備與設備與ALD設備產業化進展顯著設備產業化進展顯著。2025年公司產品中LPCVD獲得約4.76億訂單，形成批量訂單，后續放量有望加速。訂單以NAND客戶為主，主要用在NAND金屬鎢的填充。后續還會布局DRAM和LOGIC的客戶。用于氮化鈦等主要阻擋層薄膜的ALD設備，訂單預計2025年落地。圖：中微公司圖：中微公司12英寸英寸CVD金屬鎢設備金屬鎢設備數據來源：中微公司，東吳證券研究所343.3 看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品

71、品類：中微公司看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：中微公司數據來源：拓荊科技，東吳證券研究所圖：圖：ALD新產品新產品 VS-300t Astra-s SiO，膜厚與片內均膜厚與片內均勻性優勢明顯勻性優勢明顯圖：高產能平臺新品圖：高產能平臺新品 PF-300M具有旋轉功能改善膜厚具有旋轉功能改善膜厚均勻性均勻性，可配置可配置 5個反應腔個反應腔，以及多達以及多達30個反應站個反應站參數業界標準Astra-s SiO標準SiO薄膜厚度（nm）30+/-0.329.92片內均勻性（R/2,49點去邊3mm）0.35%0.13%拓荊科技：拓荊科技：公司發布三款公司發布三款ALD新品，助力先進邏輯

72、和存儲領域發展。新品，助力先進邏輯和存儲領域發展。(1)在當前EUV光刻機受限的背景下，公司新推出的VS-300T Astra-s SiO設備有望推動國內先進制程節點邁向更高水平，具有重大意義。其用于先進制程多重/多重曝光圖形制程以及先進封裝，是業界坪效比最高、擁有成本（CoO）最低的PEALD設備。同時其在關鍵參數上具有優異表現：SiO薄膜厚度達到29.92納米（業界標準為300.3納米），片內均勻性（R/2，49點去邊3mm）更是高達0.13%。(2)PF-300T Astra SiCO設備打破了國外壟斷，成為國內首創的低介電常數PEALD設備。其介電常數為4.35（低于業界標準的20%，

73、Stack和厚膜成本效益顯著提升。該平臺可配置 5個反應腔，以及多達30個反應站，可適配多種PECVD、PEALD、Thermal ALD反應腔。目前安裝體量已有36平臺+180反應腔。對于晶圓廠，尤其存儲廠是存儲廠來說，降本提效極為重要，因此新平臺有望大幅提升公司產品競爭優勢。353.3 看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：拓荊科技看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：拓荊科技拓荊科技拓荊科技發布四款先進封裝新品，完善先進封裝產品布局。發布四款先進封裝新品，完善先進封裝產品布局。公司此次發布的新品包括低形變熔融鍵合產品Dione 300F、Die-to-Wafer混合鍵合產品Pleio

74、ne、永久鍵合后載片激光剝離設備Lyra以及鍵合套準精度量測設備Crux 300，進一步豐富了公司在先進封裝領域的產品矩陣。公司鍵合領域設備產品線不斷完善，邁向先進封裝設備一體化供應商。公司鍵合領域設備產品線不斷完善，邁向先進封裝設備一體化供應商。先進封裝是大陸突破制程瓶頸、發展先進制程芯片的關鍵路徑，該產業正迎來快速發展的機遇期。公司此前已推出W2W鍵合產品Dione 300及芯片對晶圓混合鍵合前表面預處理產品Propus等。此次鍵合設備新品發布，標志著公司在先進封裝鍵合領域設備產品線的逐步完善，朝著成為先進封裝設備一體化供應商的目標邁進。目前，公司在國內鍵合領域設備裝機量和鍵合相關工藝覆蓋

75、率均位居第一（HBM應用），且在鍵合設備精度、產能效率等方面均處于業界領先水平。圖：拓荊科技后道封裝設備完成圖：拓荊科技后道封裝設備完成HBM及及3DIC全工藝覆蓋全工藝覆蓋數據來源：拓荊科技，東吳證券研究所應用類型先進邏輯先進DRAMNANDHBMCIS3D IC化合物半導體W2W混合鍵合熔融鍵合激光剝離（W2W，W2F）D2W預處理D2W鍵合Overlay量測363.3 看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：拓荊科技看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：拓荊科技數據來源：盛美上海，東吳證券研究所盛美上海盛美上海立足于清洗設備，平臺化布局開始加速立足于清洗設備，平臺化布局開始加速：（1）

76、電鍍設備：）電鍍設備：當芯片面積達到300平方毫米及以上時，由于對電鍍均勻性的更高要求（水平電鍍能夠顯著減少化學污染），則必須采用水平電鍍技術。公司是國內唯一能夠提供水平電鍍封裝設備的廠商。目前，公司的第一臺電鍍設備已經完成了晶圓驗證，預計將在2025年交付第一臺Demo機臺給客戶。公司的三維堆疊電鍍設備能夠處理 3D TSV及 2.5D Interposer 的高深寬比銅電鍍；前道大馬士革銅互連電鍍設備則適用于3D結構的FinFET、DRAM和3D NAND所需工藝；后道電鍍設備則能滿足Pillar Bump、RDL、HD Fan-Out 和 TSV中的銅、鎳、錫、銀、金等電鍍工藝。（2）立

77、式爐管設）立式爐管設備：備：公司的LPCVD 已通過多家 FAB 驗證并量產，ALD陸續進入客戶端驗證。（3）涂膠顯影設備：）涂膠顯影設備：公司的 Ultra Lith 涂膠顯影設備支持包括 i-line、KrF和ArF 系統在內的各種光刻工藝，目前正在客戶端進行驗證。（4）PECVD設備設備：公司已在客戶端驗證TEOS及SiN工藝。圖：盛美上海平臺化布局產品及其應用領域圖：盛美上海平臺化布局產品及其應用領域373.3 看好設備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：盛美上?？春迷O備公司平臺化進程加速拓寬產品品類：盛美上海隨著隨著ChatGPT、DeepSeek等等AI的興起，的興起，2024年中國智

78、能算力規模達年中國智能算力規模達640.7EFLOPS。根據IDC數據，2024年中國AI服務器市場規模將突破190億美元，同比增長87%；對應智能算力規模達到640.7百億次/秒（EFLOPS）。2026年中國智能算力規模則有望達1271.4 EFLOPS，2019-2026年復合增長率達69%。隨著AI的不斷發展，智能算力市場在中國將持續擴大，對AI算力芯片需求有望持續放量。云端算力中心外，端側應用發展迅猛。云端算力中心外，端側應用發展迅猛。DeepSeek等開源模型的出現，推動端側AI產品加速落地，SoC芯片有望加速放量。隨著云端與端側隨著云端與端側AI應用加速產業化，中國應用加速產業化

79、，中國2024年年AI芯片市場規模突破芯片市場規模突破1400億元。億元。根據IDC，中國AI芯片市場規模達1405.9億元，2019-2024年CAGR達63%。圖：中 國 智 能 算 力 規 模圖：中 國 智 能 算 力 規 模 2024 年 達年 達640.7EFLOPS數據來源：IDC，東吳證券研究所百億次/秒（EFLOPS）124 191 427 850 1,039 1,406 1,780 0%30%60%90%120%150%05001000150020002019202020212022202320242025EAI芯片市場規模（億元）yoy圖：中國圖：中國AI芯片市場規模芯片市

80、場規模2024年達年達1406億元億元383.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量芯片需求增加，看好后道封測起量AI算力芯片對存儲器件需求極高。算力芯片對存儲器件需求極高。AI算力卡需要處理包含億計的文本、圖像資料的數據集，以支持機器學習模型的訓練和推理。以OpenAI的SDXL應用為例，該應用能夠將文本轉換為圖像，其訓練過程中使用了超過1億張圖片作為數據集。這樣的大規模數據處理對內存的要求極高，不僅需要足夠的容量來存儲這些龐大的數據集，還需要足夠的帶寬來保證數據能夠迅速地在內存和處理器之間傳輸。AI算力芯片在內存、顯存、硬盤上均有更高性能需求：算力芯片在內存、顯存、硬盤上均有更

81、高性能需求：（1）內存方面，DDR5逐漸取代DDR4。DDR5的傳輸速率可達DDR4的2倍以上，同時，DDR5每個模塊的容量更高，為128GB，是DDR4的2倍。據美光數據，AI服務器中 DRAM 容量是普通服務器的8倍，NAND容量將是普通服務器的3倍。（2）顯存方面，HBM在加速卡上全面取代GDDR顯存，相較GDDR，HBM具有高帶寬、高容量、低功耗和小尺寸四大優勢。（3）硬盤方面，SSD逐漸替代HDD。訓練卡對比推理卡主要差異在顯存，訓練卡通常使用訓練卡對比推理卡主要差異在顯存，訓練卡通常使用HBM：訓練卡需要處理海量的數據，對存儲的帶寬和容量要求極高。HBM 具有高帶寬、低延遲的特點，

82、能夠滿足訓練過程中大量數據的快速讀寫需求，因此其成為訓練卡的首選存儲類型。推理卡雖然對存儲的要求相對訓練階段有所降低，但仍需要一定的帶寬和容量來保證推理的實時性和準確性，DDR內存具有較高的性價比和良好的兼容性，能夠滿足推理卡的存儲需求。數據來源：美光，半導縱橫，東吳證券研究所圖：算力芯片帶動先進存儲器放量圖：算力芯片帶動先進存儲器放量圖：圖：AI服務器服務器DRAM容量需求是普通服務器的容量需求是普通服務器的8倍倍NAND容量對比容量對比DRAM容量對比容量對比393.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量芯片需求增加，看好后道封測起量AI芯片需要更高的集成度和性能，芯片需要更高

83、的集成度和性能，HBM顯存顯存+COWOS封裝技術已成為主流方案。封裝技術已成為主流方案。HBM顯存的高帶寬突破了加速卡的顯存容量限制；COWOS封裝技術作為一種2.5D技術，是GPU與HBM高速互聯的關鍵支撐。2.5D和3D封裝技術需要先進的封裝設備的支撐，進一步推動了對先進封裝設備的需求增長。先進封裝與傳統封裝工藝流程最大的區別在于增加了前道圖形化的工序，主要包括先進封裝與傳統封裝工藝流程最大的區別在于增加了前道圖形化的工序，主要包括PVD或或CVD等薄膜沉積設等薄膜沉積設備、涂膠顯影設備、光刻機、刻蝕機、電鍍機等。備、涂膠顯影設備、光刻機、刻蝕機、電鍍機等。先進與傳統封裝均需要減薄機、劃

84、片機、固晶機、塑封機、鍵合機等設備，與傳統封裝不同的是，先進封裝也需要晶圓制造的前道圖形化設備，如TSV需要硅刻蝕鉆孔、需要PVD來制作種子銅層，凸塊也需要涂膠顯影、光刻、刻蝕來制作更精細的間距。先進封裝技術涉及的主要工藝設備功能TSV深孔刻蝕設備 用于在硅基板上形成垂直穿透的通孔。這些設備通?；诟煞涛g技術，如Bosch工藝。PVDCVD設備用于在通孔內壁沉積絕緣層、阻擋層和種子層。這些設備通過物理氣相沉積（PVD）或化學氣相沉積（CVD）技術來實現。電鍍設備用于在通孔內進行導電物質（如銅）的填充。電鍍設備通過電流作用在通孔內沉積金屬，形成導電通道。晶圓減薄設備在完成導電物質填充后，需要對

85、晶圓進行減薄，以便暴露出TSV的底部。晶圓減薄設備通常采用機械研磨或化學腐蝕等方法來實現。晶圓鍵合設備用于將多個帶有TSV的晶圓鍵合在一起，形成三維集成電路。晶圓鍵合設備通過施加壓力、溫度和/或電場等條件，促進晶圓之間的連接。RDL涂膠顯影機用于在芯片表面涂覆光刻膠，以定義出RDL圖形的輪廓。光刻機用于將RDL圖形從掩膜轉移到涂有光刻膠的芯片表面。光刻機通過曝光和顯影過程，將RDL圖形精確地轉移到芯片上?？涛g機用于通過濕法或干法刻蝕技術，將RDL圖形從芯片表面刻蝕出來?？涛g機根據光刻膠定義的圖形，去除芯片表面的材料，形成RDL布線結構。PVD用于在刻蝕出的RDL布線結構上沉積阻擋層和籽晶層。濺

86、射臺通過物理濺射技術，將金屬材料沉積在芯片表面，以形成良好的導電層。電鍍設備用于在籽晶層上進行銅的填充和增厚。電鍍設備通過電流作用，在籽晶層上沉積銅材料，形成RDL布線層的導電通道。圖圖：先進封裝主要增量在于前道的圖形化設備：先進封裝主要增量在于前道的圖形化設備-薄膜沉積薄膜沉積、涂膠顯影涂膠顯影、光刻機光刻機、刻蝕機刻蝕機、電鍍機等電鍍機等數據來源：High Yield，東吳證券研究所403.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量芯片需求增加，看好后道封測起量SoC芯片與先進存儲芯片是芯片與先進存儲芯片是AI產業化的關鍵基礎硬件，其復雜性均顯著提升，從而推動了測試機需求的增長。產

87、業化的關鍵基礎硬件，其復雜性均顯著提升，從而推動了測試機需求的增長。SoC芯片作為硬件設備的“大腦”，承擔著AI運算控制等核心功能，對計算性能和能耗的要求極高，這使得芯片設計和制造的復雜性大幅增加。與此同時，先進存儲芯片為AI算力芯片提供高帶寬的數據存儲和傳輸支持，其容量和帶寬的不斷提升也進一步增加了芯片的復雜性。因此，SoC芯片和先進存儲芯片的復雜性提升共同推動了對高性能測試機需求的顯著增長。根據愛德萬預測，受HPC/AI芯片需求增加，2025年全球存儲與SoC測試機市場空間有望突破70億美元。3.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量芯片需求增加，看好后道封測起量數據來源：SE

88、MI，東吳證券研究所圖圖：全球存儲與：全球存儲與SoC測試機需求有望在測試機需求有望在2025年突破年突破70億美元億美元5652.14460.370-20%0%20%40%025507520212022202320242025E存儲與SoC測試機市場空間（億美元）yoy413.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量芯片需求增加，看好后道封測起量下游景氣度預期向好，國內封測企業營收同比增速逐漸回升。下游景氣度預期向好，國內封測企業營收同比增速逐漸回升。據世界半導體貿易統計組織數據，全球半導體銷售額增速自2022年9月開始下滑，其中2023年4月同比-22%，創造了2009年以來的新

89、低。中國半導體銷售額增速自2022年7月開始下滑，其中2023年2月同比-34%，創造自有統計數據以來的最低點。截至截至2025.1中國及中國及全球半導體銷售額已連續全球半導體銷售額已連續16個月同比正增長，我們判斷隨著個月同比正增長，我們判斷隨著AI算力及智能汽車、家具等產品加速放量國內半算力及智能汽車、家具等產品加速放量國內半導體銷售仍將維持景氣，銷售終端景氣度有望沿產業鏈逐步傳導至晶圓制造、封測等上游環節。導體銷售仍將維持景氣，銷售終端景氣度有望沿產業鏈逐步傳導至晶圓制造、封測等上游環節。隨下游景氣度復蘇，以長電、通富、華天為代表的國內前三大封測廠營收自隨下游景氣度復蘇，以長電、通富、華

90、天為代表的國內前三大封測廠營收自2023Q4以來持續維持同比增長，以來持續維持同比增長，其中其中2024Q2三家合計三家合計營營收同比增長收同比增長25%。數據來源：Wind，東吳證券研究所-30%-20%-10%0%10%20%30%40%050100150200250華天科技通富微電長電科技合計同比（%）圖：圖：2024Q1以來國內三大封測廠營收同比增速回升以來國內三大封測廠營收同比增速回升-40%-20%0%20%40%2019-032020-012020-112021-092022-072023-052024-032025-01中國半導體銷售額同比（%）全球半導體銷售額同比（%）圖：圖

91、：截至截至2025.1中國及全球半導體銷售額已連續中國及全球半導體銷售額已連續16個月個月同比正增長同比正增長42單位：億元3.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量：長川科技芯片需求增加，看好后道封測起量：長川科技數據來源：各公司官網，東吳證券研究所長川科技長川科技自研自研ASIC芯片突破高端測試機瓶頸。芯片突破高端測試機瓶頸。1月發布可轉債發行預案擬募資不超過10億元，其中7.59億元投入基于自研 ASIC芯片。目前800Mbps及以下主頻的板卡，完全可以通過市場上的通用芯片來實現，1.6Gbps及更高主頻的板卡資源則需要依賴自研的高端芯片。自研芯片是公司邁向高端化的關鍵一步，

92、自研芯片項目預計在2028年前完成核心芯片的研發，其中3-4款芯片的研發難度較大，預計研發成本將達3-4億元。8600測試機對標愛德萬測試機對標愛德萬V9300K機型，可用于機型，可用于AI及及SoC、存儲芯片測試。、存儲芯片測試。8600具備超過4000個數字通道的輸出能力與超過2000安培的供電能力，適用于高需求高功耗芯片的測試；每顆數字通道具備1.5G的數據向量存儲空間，能夠處理復雜的測試數據。8600基本系統（包括主頻、通道數等）與愛德萬 93K系統沒有差別，模擬資源板卡也與93K系統一致（包括電壓、電流、響應和動態傳輸能力）。主要差距在于數字板卡：目前公司的數字板卡速度為800Mbp

93、s，而愛德萬 93K的數字板卡主頻為1.6Gbps；但800Mbps目前能夠滿足國內大多數算力芯片的測試需求。同時，8600系列測試機可用于HBM測試，改裝后能滿足部分存儲測試需求。SoC測試機存儲測試機數字測試機混合測試機模擬測試機其他測試機V93K、T2000TitanUltraFlexDiamondxDxV X系列D9000T58K、T55KMagnum 2/V/ET7912DE9000STS6100EVA100ETS80088364ASL1KCTA8280FCTA8290DSTS8300STS8205EVA100ETS80088200ASL1KCTA8280CTA8200STS8200

94、T6931 LCDIP750Ex圖像Pax射頻CM1028老化STS8600J75043數據來源：邁為股份，東吳證券研究所邁為股份邁為股份推出切磨拋推出切磨拋+鍵合設備，布局半導體后道封裝設備。鍵合設備，布局半導體后道封裝設備。（1）公司磨劃設備產品包括撕貼膜機、晶圓研磨設備、激光改質切割設備、激光開槽設備、擴片機等，零部件產品包括刀片、磨輪等，獲長電、華天、甬矽、佰維多個客戶認可，海外龍頭主要為DISCO。（2）公司推出的鍵合設備品類包括臨時鍵合、解鍵合、混合鍵合、熱壓鍵合等，用于先進封裝并對標海外龍頭企業，關鍵技術均已獲得突破和驗證，多套設備即將出貨。擁有擁有3D封裝成套工藝設備解決方案，

95、可應用于封裝成套工藝設備解決方案，可應用于microLED、HBM、CoWos等多領域。等多領域。針對3D封裝邁為推出了成套解決方案，主要工序包括研磨拋光、激光開槽、等離子體切割、鍵合預處理、混合鍵合設備D2W/W2W等，將晶圓wafer研磨后進行開槽和切割die，再進行D2W鍵合或者將好的die挑選出來后進行晶圓重構，再做W2W鍵合，可用于microLED、HBM、CoWos等多領域。圖：邁為股份推出圖：邁為股份推出3D封裝成套工藝設備解決方案封裝成套工藝設備解決方案443.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量：邁為股份芯片需求增加，看好后道封測起量：邁為股份數據來源：邁為股份

96、，東吳證券研究所推出切磨拋推出切磨拋+鍵合設備，布局半導體后道封裝設備。鍵合設備，布局半導體后道封裝設備。公司打造覆蓋切割、研磨拋光及輔助環節的設備矩陣，包含激光隱切割設備、刀輪切割設備、研磨設備、晶圓刻蝕設備、撕貼膜機等。全系設備對標全球龍頭Disco，以“核心部件+整機集成+關鍵耗材”構建競爭壁壘，多臺套設備已交付長電、華天等國內龍頭企業并實現量產，是國內唯一提供核心部件、整機集成、磨輪耗材及工藝方案的全方位供應商。圖：邁為股份進軍先進封裝對應鍵合設備及切磨拋設備圖：邁為股份進軍先進封裝對應鍵合設備及切磨拋設備453.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量：邁為股份芯片需求增加

97、，看好后道封測起量：邁為股份數據來源：邁為股份，東吳證券研究所半導體磨劃設備：全線對標全球標桿企業，多臺套設備順利交付并量產獲得國內龍頭企業的廣泛認可，如長半導體磨劃設備：全線對標全球標桿企業，多臺套設備順利交付并量產獲得國內龍頭企業的廣泛認可，如長電、華天、甬矽、佰維、星科金朋、盛合晶微等電、華天、甬矽、佰維、星科金朋、盛合晶微等。邁為除半導體磨劃設備外，還布局了磨劃環節的關鍵耗材，如減薄磨輪，包括陶瓷、樹脂等。邁為提供設備邁為除半導體磨劃設備外，還布局了磨劃環節的關鍵耗材，如減薄磨輪，包括陶瓷、樹脂等。邁為提供設備+耗材耗材+工藝完整解決方案，獲得國內同行的認可，典型客戶包括江陰長電、西安

98、奕斯偉、合肥世紀金芯等。工藝完整解決方案，獲得國內同行的認可，典型客戶包括江陰長電、西安奕斯偉、合肥世紀金芯等。圖：圖：半導體集成電路裝備半導體集成電路裝備-磨劃加工設備磨劃加工設備WaferHandling激光改質切割設備463.4 受益于受益于AI芯片需求增加，看好后道封測起量：邁為股份芯片需求增加，看好后道封測起量：邁為股份47目錄目錄三、看好自主可控趨勢下，設備三、看好自主可控趨勢下，設備&零部件國產替代零部件國產替代加速加速二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓四、投資建議四、投資建議五、風險提示五、風險提示一、半導體設備：營收一、半導體設備

99、：營收/存貨存貨&合同負債高增，利合同負債高增，利潤端因研發投入等有所分化潤端因研發投入等有所分化48投資建議投資建議數據來源：Wind，東吳證券研究所看好前后道半導體設備+零部件廠商，重點推薦前道平臺化設備商【北方華創】【中微公司】，低國產化率環節設備商【芯源微】【中科飛測】【精測電子】，薄膜沉積設備商【拓荊科技】【微導納米】，后道封裝測試設備【華峰測控】【長川科技】【邁為股份】；零部件環節【新萊應材】【富創精密】【晶盛機電】【英杰電氣】【漢鐘精機】。表：表：標的公司估值（截至標的公司估值（截至2025.5.9收盤價）（至純科技和賽騰股份來自收盤價）（至純科技和賽騰股份來自Wind一致預期，

100、其余公司為我方預期）一致預期，其余公司為我方預期）2025/5/9收盤價收盤價（元）（元）市值市值歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）PE代碼代碼公司公司（億元）（億元）20242025E2026E2027E20242025E2026E2027E002371.SZ北方華創440.852,35556.273.493.011.3 4333 2622 688012.SH中微公司181.701,13616.224.334.0 44.5 7248 34 26 688072.SH拓荊科技156.024366.910.0 15.5 22.16545 29 20 688120.SH華海清科159.183771

101、0.213.8 17.8 22.8 38 28 22 17 688082.SH盛美上海104.4546111.515.5 18.7 20.7 43 32 27 24 300604.SZ長川科技42.202664.68.511.214.4 58 31 24 18 688037.SH芯源微93.951892.02.3 3.8 5.99582 51 32 688200.SH華峰測控138.021873.34.6 5.4 6.0 60 42 36 32 600641.SH萬業企業14.221321.12.0 3.3 5.1 12569 41 26300567.SZ精測電子61.15171-1.02.2

102、3.6 5.6-186 8351 32603690.SH至純科技25.71990.23.65.17.0 411 28 20 15 603283.SH賽騰股份44.20885.54.05.5 6.3 5436 27 23 688147.SH微導納米29.911372.32.8 3.74.8 5847 36 27 688361.SH中科飛測80.55258-0.12.23.6 5.1-2315 123 73 52 300820.SZ英杰電氣43.36963.24.05.0 6.328 22 18 14 002158.SZ漢鐘精機19.361048.68.79.210.41111109300260.

103、SZ新萊應材32.451322.33.14.25.857413122688409.SH富創精密49.151512.03.24.76.57245312249目錄目錄三、看好自主可控趨勢下，設備三、看好自主可控趨勢下，設備&零部件國產替代零部件國產替代加速加速二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓二、半導體零部件：受其他業務影響短期承壓四、投資建議四、投資建議五、風險提示五、風險提示一、半導體設備：營收一、半導體設備：營收/存貨存貨&合同負債高增，利合同負債高增，利潤端因研發投入等有所分化潤端因研發投入等有所分化50風險提示風險提示半導體行業投資不及預期：半導體行業投資不及預期：若半導體行業景氣

104、度下滑，下游客戶資本支出減少，則對半導體設備的需求將可能下降，將給半導體設備行業的短期業績帶來一定壓力。設備國產化不及預期：設備國產化不及預期：集成電路專用設備技術門檻較高，某些環節的技術難點或者國內設備廠商產能瓶頸可能導致設備國產化進展不及預期。免責聲明免責聲明東吳證券股份有限公司經中國證券監督管理委員會批準，已具備證券投資咨詢業務資格。本研究報告僅供東吳證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議，本公司及作者不對任何人因使用本報告中的內容所導致的任何后果負任何責任。任何形式

105、的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。在法律許可的情況下，東吳證券及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券并進行交易，還可能為這些公司提供投資銀行服務或其他服務。市場有風險，投資需謹慎。本報告是基于本公司分析師認為可靠且已公開的信息，本公司力求但不保證這些信息的準確性和完整性，也不保證文中觀點或陳述不會發生任何變更，在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本報告的版權歸本公司所有，未經書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布。經授權刊載、轉發本報告或者摘要的，應當注明出處為東吳證券研究所，并注明本報告發布人和發布日

106、期，提示使用本報告的風險，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改。未經授權或未按要求刊載、轉發本報告的，應當承擔相應的法律責任。本公司將保留向其追究法律責任的權利。東吳證券投資評級標準東吳證券投資評級標準 投資評級基于分析師對報告發布日后6至12個月內行業或公司回報潛力相對基準表現的預期（A 股市場基準為滬深 300 指數，香港市場基準為恒生指數，美國市場基準為標普 500 指數，新三板基準指數為三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的），北交所基準指數為北證50指數），具體如下：公司投資評級：買入：預期未來6個月個股漲跌幅相對基準在15%以上；增持：預期未來6個月個

107、股漲跌幅相對基準介于5%與15%之間；中性：預期未來 6個月個股漲跌幅相對基準介于-5%與5%之間；減持：預期未來 6個月個股漲跌幅相對基準介于-15%與-5%之間；賣出：預期未來 6個月個股漲跌幅相對基準在-15%以下。行業投資評級：增持：預期未來6個月內，行業指數相對強于基準5%以上；中性：預期未來6個月內，行業指數相對基準-5%與5%；減持：預期未來6個月內，行業指數相對弱于基準5%以上。我們在此提醒您，不同證券研究機構采用不同的評級術語及評級標準。我們采用的是相對評級體系，表示投資的相對比重建議。投資者買入或者賣出證券的決定應當充分考慮自身特定狀況，如具體投資目的、財務狀況以及特定需求等，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。東吳證券研究所蘇州工業園區星陽街5號郵政編碼：215021傳真：（0512）6293852751東吳證券 財富家園