拓荊科技-首次覆蓋：薄膜沉積設備龍頭公司揚帆起航-220505（22頁）.pdf

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1、 Table_yemei1 觀點聚焦 Investment Focus Table_yejiao1 本研究報告由海通國際分銷，海通國際是由海通國際研究有限公司，海通證券印度私人有限公司，海通國際株式會社和海通國際證券集團其他各成員單位的證券研究團隊所組成的全球品牌，海通國際證券集團各成員分別在其許可的司法管轄區內從事證券活動。關于海通國際的分析師證明，重要披露聲明和免責聲明，請參閱附錄。(Please see appendix for English translation of the disclaimer) 研究報告 Research Report 5 May 2022 拓荊科技拓荊科技

2、Piotech Inc. (688072 CH) 首次覆蓋: 薄膜沉積設備龍頭公司揚帆起航 Domestic Leader in Deposition Equipment: Initiation Table_Info 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市Initiate with OUTPERFORM 評級 優于大市 OUTPERFORM 現價 Rmb110.85 目標價 Rmb100.19 市值 Rmb14.02bn / US$2.13bn 日交易額 (3 個月均值) US$114.52mn 發行股票數目 26.17mn 自由流通股 (%) - 1 年股價最高最低值 Rmb119.28-Rmb8

3、9.71 注：現價 Rmb110.85 為 2022 年 5 月 5 日收盤價 資料來源： Factset 1mth 3mth 12mth 絕對值 絕對值（美元） 相對 MSCI China Table_Profit (Rmb mn) Dec-20A Dec-21E Dec-22E Dec-23E 營業收入 436 758 975 1,176 (+/-) 73% 74% 29% 21% 凈利潤 -11 68 91 148 (+/-) n.m. 696% 33% 62% 全面攤薄 EPS (Rmb) -0.09 0.54 0.72 1.17 毛利率 34.1% 44.0% 45.2% 46.2%

4、 凈資產收益率 -1.0% 5.7% 2.6% 4.0% 市盈率 n.m. 205 154 95 資料來源：公司信息, HTI (Please see APPENDIX 1 for English summary) 國內薄膜沉積設備領先供應商。國內薄膜沉積設備領先供應商。拓荊科技主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售和技術服務，主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備、次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列，是國內唯一一家產業化應用的集成電路 PECVD 設備、SACVD 設備廠商，也是國內領先的集成電路 ALD 設備廠商。 海外技術專家

5、及高端技術人才牽頭，專注于薄膜沉積設備的國產海外技術專家及高端技術人才牽頭，專注于薄膜沉積設備的國產化?；?。截止 2021 年 9 月 30 日，公司科研人員 189 人，占員工總數的44.06%，其中海外技術專家及高端技術人才十余人。公司的PECVD設備、ALD 設備、SACVD 設備三大產品已廣泛應用于國內晶圓廠14nm 及以上制程集成電路制造產線，并已開展 10nm 及以下制程產品驗證測試。 營收增長迅速，毛利率提升明顯。營收增長迅速，毛利率提升明顯。公司 2018 年-2020 年營業收入7064.4 萬元、25125.15 萬元、43562.77 萬元，2019 年/2020 年同比

6、增 255.56%、73.38%；2021 年 1-9 月收入 37389.57 萬元。按產品分，2018-2020公司PECVD設備收入分別為5170.28萬元、24772.45萬元、41824.53 萬元，在主營業務收入中占比最大。2018 年-2020年公司整體毛利率分別為 33.00%、31.99%、34.12%，2021 年 1-9月的毛利率則高達 45.55%，提升較為明顯。 薄膜沉積設備市場空間大，薄膜沉積設備市場空間大，ALD 設備市場規模預期將快速增長。設備市場規模預期將快速增長。薄膜沉積設備中，PECVD設備是占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的 33%；ALD 設

7、備占據薄膜沉積設備市場的 11%。經測算，2020 年 PECVD 設備、ALD 設備的全球市場規模分別為 56.76億美元、18.92 億美元。由于半導體先進制程產線數量增加，根據拓荊科技招股說明書援引 Acumen research and Consulting 預測 ALD設備的市場規模將快速增長，到 2026E 全球 ALD 設備市場規模將達到 32 億美元。 盈利預測與投資建議。盈利預測與投資建議。我們預測拓荊科技2022E-2024E收入9.75億元、11.76 億元、13.30 億元，同比增 28.61%、20.69%、13.04%；歸母凈利潤分別為 0.91 億元、1.48 億

8、元、1.85 億元，同比增33.36%、62.08%、25.25%。采用 PS 估值方法，結合可比公司估值PS（2022E）均值為 11.91 倍，給予公司 PS（2022E）13x，對應合理價值 100.19 元/股，首次覆蓋“優于大市”評級 風險提示。風險提示。1)無法引進技術人才；2)客戶驗收時間延長；3)競爭加劇。 Table_Author Nathan Zheng Yang Zhou 85100115130145Price ReturnMSCI ChinaApr-22Volume 5 May 2022 2 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市

9、首次覆蓋優于大市 拓荊科技是由擁有專業技術知識、豐富行業經驗的管理層、專家組建成立的半導體設備供應商，成立至今一直專注于半導體薄膜沉積設備業務，主要產品包括 PECVD設備、ALD 設備、SACVD 設備三個系列。公司是國內唯一一家產業化應用的集成電路PECVD 設備、SACVD 設備廠商，也是國內領先的集成電路 ALD 設備廠商。 我們認為公司在薄膜沉積設備領域的技術能力強，目前 PECVD 設備為貢獻收入的主力設備機型，ALD 設備、SACVD 設備新產品也在不斷推出，伴隨國內芯片本地化生產的需求不斷增加，下游晶圓廠未來幾年仍將持續擴產，拓荊科技作為國內優秀的薄膜沉積設備龍頭公司將持續成長

10、。 1. 國內領先的半導體薄膜沉積設備廠商國內領先的半導體薄膜沉積設備廠商 拓荊科技股份有限公司（簡稱“拓荊科技”）主要從事高端半導體專用設備的研發、生產、銷售和技術服務，主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備、次常壓化學氣相沉積（SACVD）設備三個產品系列。公司是國內唯一一家產業化應用的集成電路 PECVD 設備、SACVD 設備廠商，也是國內領先的集成電路 ALD 設備廠商。 1.1 股東背景：公司管理層及員工持股平臺合計持有公司股東背景：公司管理層及員工持股平臺合計持有公司 15.19%股權股權 拓荊科技成立于 2010 年 4 月 28 日，

11、法定代表人呂光泉，注冊資金 1000 萬元，其中中國科學院沈陽科學儀器股份有限公司、孫麗杰分別出資 600 萬元、400 萬元持有公司 60%、40%的股權。截止招股說明書披露之日，公司無控股股東或實際控制人，國家集成電路基金、國投上海、中微公司、嘉興君勵分別持有公司 26.48%、18.23%、11.20%、7.39%股權。 圖圖1 拓荊科技無控股股東、實際控制人，姜謙及其一致行動人持有拓荊科技無控股股東、實際控制人，姜謙及其一致行動人持有 15.19%股權股權 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 截止招股說明書披露之日，姜謙及其一致行動人包括股東呂光泉、劉憶軍、凌復華、吳飚、周

12、仁、張先智、張孝勇，以及沈陽盛騰、芯鑫和等公司的 11 個員工持股平臺，姜謙及其一致行動人合計持有公司 15.19%股權；公司的 11 個員工持股平臺合計持有科創板 IPO 發行前股份的 12.1040%。 xUbWjZlUhUmUhXuXmUaQaO7NmOoOsQtRfQqQnQkPmMoR6MoOuNuOpMpQNZrNrR 5 May 2022 3 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 1.2 技術實力：核心技術人員的專業技術知識、行業經驗非常豐富技術實力：核心技術人員的專業技術知識、行業經驗非常豐富 拓荊科技專注于高端半導體專

13、用設備的研發、生產和銷售，公司有 7 名核心技術人員，包括董事長呂光泉、董事姜謙、總經理田曉明、副總經理張孝勇、副總經理周堅、資深技術總監葉五毛、產品部總監寧建平，幾位核心技術人員在公司任職之前的履歷如下所示： 呂光泉先生，1965 年出生，美國國籍，美國加州大學圣地亞哥分校博士。1994年 8 月至 2014 年 8 月，先后任職于美國科學基金會尖端電子材料研究中心、美國諾發、德國愛思強公司美國 SSTS 部，歷任副研究員、工程技術副總裁等職。 姜謙先生，1952年出生，美國國籍，美國布蘭迪斯大學博士。1982年1月至2005年 10 月，先后任職于麻省理工學院、英特爾公司、美國諾發，歷任研

14、究員、研發副總裁等職。 田曉明先生，1956 年出生，美國國籍，美國東北大學電子工程學碩士，新加坡南洋理工大學工商管理碩士。1982 年 2 月至 2018 年 2 月，先后任職或就讀于江西景光電子有限公司、美國東北大學、美國 Codi Semiconductor.Inc.、泛林半導體、尼康精機（上海）有限公司，歷任設計工程師、資深副總裁等職。 張孝勇先生，1971 年出生，美國國籍，美國馬里蘭州大學化學工程博士。2000年 9 月至 2011 年 2 月，就職于美國諾發，在 PECVD 及 ALD 產品部歷任工藝開發工程師、資深工藝開發工程師、超低介電質工藝開發經理、資深重要客戶經理。 周堅

15、先生，1963 年出生，美國國籍，美國德克薩斯 A&M 大學電氣工程碩士。1984 年 8 月至 2018 年 10 月，先后就職或就讀于江西郵電科研所、美國德克薩斯 A&M大學、Nanometrics Inc.、Mattson Technology,Inc.、Ecovoltz Inc.、睿勵科學儀器（上海）有限公司，歷任工程師、軟件部總監等職。 表表 1 核心技術人員主要的研發貢獻核心技術人員主要的研發貢獻 姓名姓名 職位職位 研發貢獻研發貢獻 姜謙姜謙 董事 成功領導研發團隊完成“90-65nm”PECVD 設備的研發與應用，參與“1xnm 3D NAND PECVD 研發及產業化”國家重

16、大科技專項及多項產品研發 呂光泉呂光泉 董事長 成功領導團隊研發完成“1x nm 3D NAND PECVD 研發及產業化”國家重大科技專項，領導團隊研發“國家科技重大專項課題 A（ALD 相關）”等 田曉明田曉明 總經理 參與領導“國家科技重大專項課題 A（ALD 相關）”、“國家科技重大專項課題B（先進工藝 PECVD 相關）”、“國家集成電路裝備項目 A（介質薄膜先進工藝相關）”等國家重大科技項目/課題研發 張孝勇張孝勇 副總經理 參與公司 12 英寸 PECVD 設備生產型號 PF-300T 的研發及產業化應用，負責“國家科技重大專項課題 A（ALD 相關）”及公司先進工藝 PECVD

17、 設備研發 周堅周堅 副總經理 負責領導公司半導體設備軟件開發及優化，設備電氣、系統平臺的設計和優化 葉五毛葉五毛 監事會主席、資深技術總監 負責 HTM PECVD 工藝技術開發及優化改進，完成 12 英寸 ACHM 工藝 PECVD設備研發及產業化應用 寧建平寧建平 產品部總監 作為研發骨干參與多項國家重大科技專項的研發，負責“國家重大科技專項課題 B（先進工藝 PECVD 相關）”及先進制程 PECVD 設備的研發及產業化 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿）， HTI 5 May 2022 4 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于

18、大市 截止 2022 年 3 月 8 日，公司已獲授權專利 174 項（境內 153 項，其他國家或地區 21 項），其中發明專利 98 項（境內 77 項，其他國家或地區 21 項）。我們認為，公司管理層在半導體設備領域擁有非常專業的技術知識，且在海外公司從業多年擁有非常豐富的行業經驗，回國創立拓荊科技，不管是專業技術、行業經驗等都是公司發展的堅實保障。 1.3 公司是國內唯一一家產業化應用集成電路公司是國內唯一一家產業化應用集成電路 PECVD、SACVD 的設備廠商的設備廠商 公司成立至今，一直專注于半導體薄膜沉積設備業務。2011 年國家重大專項成果-12 英寸 PECVD 出廠到中芯

19、國際驗證，2012 年推出 12 英寸多反應腔 PF-300T 設備，2013 年 PF-300T 通過中芯國際產品線測試，2015 年 PF-300T 在中芯國際產線突破 1 萬片，2016 年 ALD、8 吋 PECVD 設備出廠到客戶端，2017 年首臺量產型 HTM PECVD 設備出廠到客戶端，2018 年首臺 ACHM 機臺發往客戶端、首臺 ALD 通過客戶端 14nm 產業化驗證，2019 年 SACVD 設備研制成功并出廠到客戶端。 目前公司的 PECVD 設備、ALD 設備、SACVD 設備三大產品已廣泛應用于國內晶圓廠 14nm 及以上制程集成電路制造產線，并已開展 10n

20、m 及以下制程產品驗證測試。 PECVD 設備。公司的 PECVD 設備已配適 180-14nm 邏輯芯片、19/17nm DRAM 及64/128 層 FLASH 制造工藝需求，產品能夠兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、Lok I、Lok II、ACHM、ADC I 等多種反應材料。 ALD 設備。公司的 PE-ALD 設備是在 PECVD 設備的基礎上，根據 ALD 反應原理進行創新設計的，可以沉積 SiO2 和 SiN 材料薄膜，目前已適配 55-14nm 邏輯芯片制造工藝需求。在 PE-ALD 設備成功量產基礎上，正在研發 Thermal ALD 設備，為了

21、滿足 28nm 以下芯片制造所需的 Al2O3、AIN 等金屬化合物薄膜的工藝需求。 SACVD 設備。公司的 SACVD 設備可以沉積 BPSG、SAF 材料薄膜，適配 12 英寸40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的邏輯芯片制造工藝需求。 表表 2 PECVD、SACVD、ALD 三大設備的主要應用領域三大設備的主要應用領域 設備設備 研發貢獻研發貢獻 PECVD 設備 在亞微米發展到 90nm 的 IC 制造技術過程中，扮演了重要角色。PECVD 設備相比傳統的 CVD 設備可以在相對較低的反應溫度下形成高致密度、高性能薄膜，不破壞已有薄膜和已形成的底層電路，實現更快的薄膜沉積

22、速度，是薄膜沉積工藝中運用最廣泛的設備種類 SACVD 設備 主要應用于溝槽填充工藝，溝槽孔洞的深寬比越來越大 ALD 設備 具有非常精確的膜厚控制和非常優越的臺階覆蓋率，在 28nm 以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面應用越來越廣泛 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿）， HTI 5 May 2022 5 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 Table_PicPe 圖圖2 PECVD、ALD、SACVD 三大設備產品系列三大設備產品系列 資料來源：拓荊科技官網，HTI 客戶方面，公司的 PECVD 設備主要客戶包括中芯國際、長江存儲

23、、重慶萬國半導體；ALD 設備主要客戶包括 ICRD；SACVD 設備包括北京燕東微電子科技有限公司。 公司是國內半導體設備行業重要的領軍企業之一，三次（2016 年、2017 年、2019 年）獲得中國半導體行業協會頒布的“中國半導體設備五強企業”稱號，是國內唯一一家產業化應用的集成電路 PECVD、SACVD 設備廠商，產品技術參數已達到國際同類設備水平。 2. PECVD 設備貢獻主要收入，快速增長設備貢獻主要收入，快速增長 2.1 PECVD 主力機型主力機型 PF-300T、PF-200T 銷量、平均單價上升明顯銷量、平均單價上升明顯 公司的每臺薄膜沉積設備由 1 個平臺（TM）和多

24、個反應腔（PM）組成，PM 的數量通常為 1-3 個。根據表 3 可以看到，公司 PECVD 設備的銷量從 2018 年 4 臺增加到2021 年 1-9 月的 23 臺；ALD 設備在 2018 年實現了 1 臺銷量；SACVD 設備在 2020 年、2021 年 1-9 月分別實現了 1 臺銷量。 公司銷售 PECVD 設備為一臺設備（包含 1-3 個腔），或者單獨銷售腔體，我們將單獨銷售腔的數量全部折算進設備進行處理分析，計算得到表 4 平均每臺 PECVD 設備2018 年、2019 年、2020 年、2021 年 1-9 月平均每臺設備配置 3 腔、2.74 腔、2.68腔、2.70

25、 腔。 表表 3 拓荊科技主要產品歷年銷售量（臺）拓荊科技主要產品歷年銷售量（臺） 產品類別產品類別 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 2019 年年 2018 年年 PECVD 23 31 19 4 ALD 0 0 0 1 SACVD 1 1 0 0 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿）， HTI 備注：表中統計的銷量（臺）是根據當年銷售的平臺數量計算的，如果單獨銷售反應腔則不計算在內。 5 May 2022 6 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 PECVD 設備的兩大主力機型為 PF-300T、PF-200T，其中

26、 PF-300T 的銷售平均單價（萬元/PM+TM）由 2018 年的 349.11 萬元增加到 2020 年的 373.46 萬元，主要是因為PF-300T設備中包括了 ADCII、LOkII、ADHM 等新工藝，使得總體均價提升；PF-200T的銷售平均單價（萬元/PM+TM）由 2018 年的 245.25 萬元增加到 2020 年的 346.67 萬元，主要是因為 PF-200T 設備中包括了 ACHM 等新工藝，使得總體均價提升。 2.2 公司收入以公司收入以 PECVD 設備為主，毛利率增加較為明顯設備為主，毛利率增加較為明顯 公司 2018 年-2020 年實現營業收入 7064

27、.4 萬元、25125.15 萬元、43562.77 萬元，2019 年/2020 年同比增 255.56%、73.38%；2021 年 1-9 月實現收入 37389.57 萬元。 圖圖3 2018-2021Q1-Q3 營業收入營業收入 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 圖圖4 2018-2021Q1-Q3 收入（按產品分，單位：萬元）收入（按產品分，單位：萬元） 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 0%50%100%150%200%250%300%05000100001500020000250003000035000400004500050000201820192

28、0202021Q1-Q3營業收入（萬元，左軸）同比（%，右軸）0500010000150002000025000300003500040000450002018201920202021Q1-Q3PECVD設備ALD設備SACVD設備表表 4 拓荊科技拓荊科技 PECVD 設備的主要型號產品歷年銷售情況設備的主要型號產品歷年銷售情況 產品類別產品類別 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 2019 年年 2018 年年 PECVD（臺）（臺） 23 31 19 4 PF-300T 46 86 41 12 PF-200T 39 28 30 4 平臺平臺+腔合計腔合計 85 114 71 1

29、6 平均每臺平均每臺 X 腔腔 2.70 2.68 2.74 3 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿）， HTI 備注：表中的第一行數據與表 3 中相同，因為 PF-300T、PF-200T 的銷售量統計口徑為平臺+腔的合計數，也有可能存在腔的單獨銷售也計算在內，我們假設不考慮單獨銷售腔，全部折算進每臺 X 腔中。 表表 5 拓荊科技拓荊科技 PECVD 設備主要產品歷年銷售價格、銷售成本、毛利率變化情況設備主要產品歷年銷售價格、銷售成本、毛利率變化情況 產品類別產品類別 2021 年年 1-9 月月 2020 年年 2019 年年 2018 年年 銷售價格（萬片銷售價格（萬片/TM+PM）

30、 PF-300T 449.84 373.46 362.77 349.11 PF-200T 297.20 346.67 329.96 245.25 銷售成本（萬元銷售成本（萬元/TM+PM） PF-300T 249.61 241.74 244.62 233.15 PF-200T 174.85 221.07 227.24 215.09 毛利率毛利率 PF-300T 44.51% 35.27% 32.57% 33.22% PF-200T 41.17% 36.23% 31.13% 12.30% 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿）， HTI 5 May 2022 7 Table_header1 拓荊

31、科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 收入按產品分，2018 年-2020 年公司 PECVD 設備分別實現收入 5170.28 萬元、24772.45 萬元、41824.53 萬元，在主營業務收入中占比最大；ALD 設備、SACVD 設備的收入仍尚小。2021 年 1-9 月 PECVD 設備、ALD 設備、SACVD 設備的收入分別為32283.16 萬元、0 萬元、4115.89 萬元。 圖圖5 2018-2021Q1-Q3 毛利率毛利率 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 圖圖6 2018-2021Q1-Q3 歸母凈利潤（單位：萬元）歸母凈利潤（單

32、位：萬元） 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 圖圖7 2018-2021Q1-Q3 三項費用率三項費用率 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 圖圖8 2018-2021Q1-Q3 研發費用（單位：萬元）研發費用（單位：萬元） 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 圖圖9 2018-2021Q1-Q3 流動比率流動比率&速動比率（倍）速動比率（倍） 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 圖圖10 2018-2021Q1-Q3 應收賬款周轉率（次）應收賬款周轉率（次） 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿），HTI 毛利率呈上升趨勢。2018 年-20

33、20 年公司的整體毛利率分別為 33.00%、31.99%、34.12%，2021 年 1-9 月的毛利率則高達 45.55%，提升較為明顯。 20%25%30%35%40%45%50%2018201920202021Q1-Q3-12000-10000-8000-6000-4000-2000020004000600080002018201920202021Q1-Q3-10%0%10%20%30%40%50%60%70%2018201920202021Q1-Q3銷售費用率管理費用率財務費用率020004000600080001000012000140002018201920202021Q1-Q3

34、0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.52018201920202021Q1-Q3流動比率速動比率0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.52018201920202021Q1-Q3 5 May 2022 8 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 公司 2018 年-2020 年歸母凈利潤分別為-10322.29 萬元、-1936.64 萬元、-1169.99萬元，扣非后歸母凈利潤分別為-14993.05 萬元、-6246.63 萬元、-5711.62 萬元，主要是由于半導體設備行業技術含量高，研發

35、投入大，產品驗證周期長，需要進行大量的研發投入導致。2021 年 1-9 月歸母凈利潤 5796.38 萬元，已實現扭虧為盈；扣非后歸母凈利潤-2305.21 萬元，虧損幅度有所收窄。 伴隨公司營業收入的不斷增加，三項費用率均有所降低。2018 年-2020 年銷售費用率分別為56.99%、18.70%、15.23%；管理費用率分別為31.86%、8.53%、6.41%；財務費用率分別為-4.48%、-1.32%、-2.38%。2021年1-9 月銷售費用率、管理費用率、財務費用率為 14.16%、6.28%、-4.06%。 2018 年-2021 年 1-9 月流動比率分別為 3.95、4.

36、26、4.09 和 2.23；2018 年-2021 年1-9 月的速動比率分別為 2.12、2.52、2.79 和 1.16；2018 年-2021 年 1-9 月應收賬款周轉率分別為 1.22 次、2.51 次、4.17 次和 3.78 次。 2.3 專注于薄膜沉積設備領專注于薄膜沉積設備領域，持續研發投入域，持續研發投入 截止 2021 年 9 月 30 日，公司的科研人員 189 人，占員工總數的 44.06%，其中海外技術專家及高端技術人才十余人，經過十余年的發展，公司已形成一支以國際技術專家為帶頭人，以國內技術骨干為基礎，研發經驗和產線調試經驗豐富的研發團隊。公司與外部科研結構的主

37、要合作研發情況如下： 與復旦大學合作 ACHM 工藝開發及 3D 結構集成，與蘇州珂瑪合作 PECVD 設備用陶瓷加熱盤的關鍵技術與產業化，與武漢新芯合作 3D NAND PECVD 設備驗證，與長江存儲合作國家科技重大專項課題 A（ALD 相關） ，與公司 A 合作國家科技重大專項課題B（先進工藝 PECVD 相關） 。 公司持續研發投入，2018-2021 年 1-9 月的研發費用分別為 10797.31 萬元、7431.87 萬元、12278.18 萬元和 12955.63 萬元，目前正在研發的主要項目包括： 表表 6 拓荊科技正在研發的主要項目基本情況拓荊科技正在研發的主要項目基本情況

38、 項目名稱項目名稱 研究目標研究目標 所處階段及進展情況所處階段及進展情況 40nm 以上低介電常數薄膜和硬掩膜等先進薄膜以上低介電常數薄膜和硬掩膜等先進薄膜系列產品系列產品 應用于 40nm 以上制程的 Lok I、Lok II、ACHM、ADC I 材料工藝型號PECVD 設備 產業化驗證 28nm-14nm 通用介質薄膜系列產品通用介質薄膜系列產品 對原有工藝和設備升級，適用于 28-14nm 的 SiO2、SiN、TEOS、DARC、HTN、a-Si 材料工藝型號 PECVD 設備 產業化驗證 10nm 以下通用介質薄膜系列產品以下通用介質薄膜系列產品 適用于 10nm 以下制程生產線

39、的多重材料工藝型號 PECVD 設備 設計階段 28nm 以下低介電常數薄膜和硬掩膜等先進薄膜以下低介電常數薄膜和硬掩膜等先進薄膜系列產品系列產品 篩選合適的化學前軀體，有效提升設備穩定性和工藝表現；設計特殊的腔室，大幅提升薄膜性能、設備穩定性和顆粒表現 設計階段 多站式后端功能薄膜工藝系列產品多站式后端功能薄膜工藝系列產品 開發外徑應用于先進封裝領域的低溫氧化硅介質薄膜 產業化驗證 TF-Lite 開發應用于沉積 LED 絕緣層和保護層的 4/6 英寸 SiO2 PECVD 設備 產業化驗證 12 英寸英寸 HDPCVD 介質薄膜先進工藝研發介質薄膜先進工藝研發 開發 12 英寸高密度等離子

40、體 PECVD 設備 設計階段 ALD HTM SiO2薄膜沉積設備及工藝研發薄膜沉積設備及工藝研發 滿足 128 層 3D NAND 存儲芯片制造工藝要求的高質量 SiO2材料工藝型號 ALD 設備 設計階段 28nm 以下以下 Thermal ALD AlOx 設備及工藝研發設備及工藝研發 滿足 28nm 制程及以下的 Thermal ALD AlOx 工藝技術及成套設備 設計階段 深溝槽填充薄膜工藝產品深溝槽填充薄膜工藝產品 用于 28nm 及以下技術節點的薄膜沉積設備，實現深寬比大于 5:1 的淺溝槽隔離、金屬前介質等溝槽填充的薄膜工藝 設計階段 5 May 2022 9 Table_

41、header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 3. 全球薄膜沉積設備市場快速發展，全球薄膜沉積設備市場快速發展，2020-2025E 復合增速達復合增速達 13.3%，海外龍頭公司高度壟斷海外龍頭公司高度壟斷 薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一層待處理的薄膜材料，沉積的薄膜材料可以是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金屬以及銅等金屬，薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，包括 CVD（化學氣相沉積）設備、PVD（物理氣相沉積）設備/電鍍設備和 ALD（原子層沉積）設備，其中： CVD（化學氣相沉積）是通過化學反應的方式，利用加熱、等離子或光輻射等各

42、種能源，在反應器內使氣態或蒸汽狀態的化學物質在氣相或氣固界面上經化學反應形成固態沉積物的技術，是一種通過氣體混合的化學反應在硅片表面沉積薄膜的工藝，可應用于絕緣薄膜、硬掩膜層以及金屬膜層的沉積。常用的 CVD 設備包括PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD等，適用于不同工藝節點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。 ALD（原子層沉積）可以將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面的方法，ALD 工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長。 2020-2025E 全球薄膜沉積設備市場規模的

43、年復合增速將達 13.3%。在 90nm CMOS工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序；在 3nm FinFET 工藝產線，超過 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6種增加至近 20種，對薄膜顆粒的要求也有微米級提高到納米級。根據拓荊科技招股說明書援引 Maximize Market Research 數據統計，2018-2020全球半導體薄膜沉積設備市場規模分別為 145 億美元、155 億美元和 172 億美元，預計到 2025E 將達到 340 億美元，2020-2025E 的年復合增速達 13.3%。 2020 年 PECVD 設備、ALD 設備的市場規模合計 75.68 億美

44、元。薄膜沉積設備中，PECVD 設備是占比最高的設備類型，占整體薄膜沉積設備市場的 33%；ALD 設備占據薄膜沉積設備市場的 11%；SACVD 是新興的設備類型，屬于其他薄膜沉積設備類目下的產品，占比較小。我們測算，2020 年 PECVD 設備、ALD 設備的全球市場規模分別為56.76 億美元、18.92 億美元。由于半導體先進制程產線數量增加，根據拓荊科技招股說明書援引 Acumen research and Consulting 預測，ALD 設備的市場規模將快速增長，到 2026E 全球 ALD 設備市場規模將達到 32 億美元。 表表 7 募集資金投資方向（單位：萬元）募集資金

45、投資方向（單位：萬元） 項目名稱項目名稱 利用募集資利用募集資金投資額金投資額 項目備案項目備案 高端半導體設備擴產項目高端半導體設備擴產項目 7986.46 沈陽市渾南區工信局出具關于項目備案證明（項目代碼：2103-210112-04-02-424612） 先進半導體設備的技術研先進半導體設備的技術研發與改進項目發與改進項目 39948.34 沈陽市渾南區工信局出具關于項目備案證明（項目代碼：2103-210122-04-02-185923） ALD 設備研發與產業化項設備研發與產業化項目目 27094.85 上海臨港地區開發建設管理委員會出具上海市企業投資項目備案證明（項目代碼：2108

46、-310115-04-05-492438） 補充流動資金補充流動資金 25000.00 不適用 合計合計 100029.65 - 資料來源：拓荊科技招股說明書（注冊稿）， HTI 5 May 2022 10 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 全球薄膜沉積設備市場呈現出高度壟斷的競爭格局： 、CVD 市場。應用材料全球占比約 30%，Lam Research 占比 21%，TEL 占比19%，三大廠商占據了全球 70%的市場份額； 、ALD 市場。2019 年 TEL、ASMI 分別占據了 31%、29%的市場份額，剩下的40%份額由

47、其它廠商占據。 根據招股說明書披露數據，拓荊科技 2020 年 PECVD 設備、SACVD 設備收入合計4.27 億元，ALD 設備收入 184.48 萬元，在全球 CVD 設備、ALD 設備中的占比極小，CVD 設備的全球市場占比僅為 1%左右。 4. 盈利預測與估值建議盈利預測與估值建議 4.1 募投項目募投項目 公司 IPO 募集資金扣除發行費用后將投資于如表 7 所示的四個項目，利用募集資金投資額合計 100029.65 萬元。 高端半導體設備擴產項目。將在公司現有的半導體薄膜設備研發和生產基地基礎上進行二期潔凈廠房建設、配套設施及生產自動化管理系統建設，項目建設期 2年。 先進半導

48、體設備的技術研發與改進項目。將面向 28nm-10nm 制程 PECVD 設備的多種工藝型號開發、面向 10nm 以下制程 PECVD 設備的平臺架構研發及 UV Cure系統設備研發。通過在集成電路生產廠商進行生產線驗證，實現產品的產業化，進一步提升產品技術水平和拓展產品應用領域，推動公司業務規模的持續增長，項目預計建設期為 3 年。 ALD 設備研發與產業化項目。項目實施主體為公司全資子公司拓荊科技（上海）有限公司，擬在上海臨港新片區購置整體廠房，進行裝修改造，購置研發設備及生產設備，建設新的研發及生產環境。項目擬通過開展系列技術研發，基于公司現有 ALD 設備技術基礎，開發面向 28nm

49、-10nm 制程的 ALD 設備平臺架構，發展多種工藝機型，同步開發不同腔室數量的機臺型號，滿足邏輯芯片、存儲芯片制造不同的工藝需求，并進行規?；慨a。本項目預計建設期為 3 年。 補充流動資金。擬以實際經營情況為基礎，結合未來戰略發展目標，適量補充流動資金。 4.2 盈利預測盈利預測 我們預測拓荊科技 2022E-2024E 收入實現 9.75 億元、11.76 億元、13.30 億元，同比增28.61%、20.69%、13.04%；歸母凈利潤分別為 0.91 億元、1.48 億元、1.85 億元，同比增 33.36%、62.08%、25.25%。我們作預測的相關假設條件如下： 、收入的季節

50、性因素。根據招股說明書披露，公司 2018-2020 主營業務收入分別為 6629.86 萬元、24772.45 萬元、42876.27 萬元；以 2020 年的季度性收入占比來看，三季度、四季度的收入占比分別達到了 31.94%、62.97%，季節性因素非常明顯。公司的下游客戶，通常于年初作出全年的資本性支出計劃，此后開展采購、安裝、調 5 May 2022 11 Table_header1 拓荊科技 (688072 CH) 首次覆蓋優于大市首次覆蓋優于大市 試、驗收，所以導致公司大部分設備取得客戶驗收、確認收入的試點相對集中于下半年。因此，我們假設 2022E-2024E 公司的收入確認也