新潔能-受益功率器件國產化加速產品結構升級帶來新成長空間-220720（25頁）.pdf

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1、 證券研究報告 請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明 公司深度報告公司深度報告 Table_IndustryName 半導體半導體 Table_ReportDate 2022 年年 07 月月 20 日日 Table_Title 受益功率器件國產化加速，受益功率器件國產化加速，產品結構產品結構升級帶來新成長空間升級帶來新成長空間 新潔能新潔能(605111.SH)推薦推薦(首次首次評級評級)核心觀點核心觀點：Table_SummaryTable_Summary 功率器件設計龍頭企業，產品覆蓋面廣泛，擁有多行業標桿客戶。功率器件設計龍頭企業，產品覆蓋面廣泛，擁有多行業標桿客戶。新潔能

2、是國內功率器件設計類企業龍頭，從事 MOSFET 和 IGBT 等功率芯片和器件的研發設計及銷售，產品種類豐富，覆蓋了12V1700V 電壓范圍、0.1A450A 電流范圍的多系列細分型號產品，公司產品料號數量高達 1500 余種，在國內 MOSFET 市場具備最齊全的產品品類，同時不同產品的組合方案也能夠滿足不同客戶的需求。公司憑借多年在 MOSFET 和 IGBT 的領域積累，其下游行業分布廣泛，行業內擁有多家標桿客戶，例如比亞迪、寧德時代、陽光電源、固德威、富士康、視源股份、大疆等，經銷與直銷模式并存，拓寬了公司客戶結構，搶占龍頭標桿客戶。國內功率市場增長快于全球國內功率市場增長快于全球

3、，國產替代為，國產替代為行業成長最強催化劑行業成長最強催化劑。預計全球 2024 年功率器件市場規模將達到 532.19 億美元，未來三年復合增速為 6.9%；2021 年中國功率半導體市場規模約為 157億美元，預計 2024 年市場規模將達到 195.22 億美元，未來三年復合增速為 7.53%，占全球市場約為 36.68%，中國作為全球最大的功率半導體消費國，國產替代具備極大空間。產業鏈協同緊密產業鏈協同緊密，發力第三代半導體業務。，發力第三代半導體業務。公司與華虹宏力和華虹半導體（無錫）等國內主要的具備 MOSFET、IGBT 等大尺寸晶圓芯片代工能力的本土芯片代工供應商保持良好合作關

4、系，其中2021 年華虹宏力供應商占年度采購總額比例為 38.23%，華虹半導體（無錫）占 30%。同時公司早已創建研發第三代半導體功率器件平臺，目前已推出 1200V 60mohm SiC MOSFET 樣品，同時，公司將在 Q3 推出 1200V 17mohm、1200 V 32mohm、1200V 75mohm 等SiC MOSFET 系列產品，預計今年下半年會推向市場，主要目標市場是光伏逆變和汽車；此外，也有多家客戶在和公司溝通定制不同規格的 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 樣品，相關業務未來成長可期。投資建議投資建議 我們認為，公司憑借多年在行業內深耕，從設計逐步延伸到封

5、測領域，形成產業鏈縱向整合，提升公司競爭壁壘。公司短期受益于光伏逆變、新能源車領域對功率器件的國產替代，長期看好公司超結 MOS、IGBT 和 SiC 等新產品放量帶來更強的競爭優勢。我們預計公司 2022-2024 年收入分別為 20.46 億元、25.61 億元、31.33 億元，對應 EPS 分別為 3.80/4.90/6.03，對應 PE 為 33.37X、25.85X、20.99X，首次覆蓋，給與“推薦推薦”評級。風險提示風險提示 采購價格波動風險；功率器件景氣度下滑風險；產品研發和推廣不及預期風險。Table_Authors 分析師分析師 高峰：010-80927671：gaofe

6、ng_ 分析師登記編碼：S0130522040001 王子路：010-80927632：wangzilu_ 分析師登記編碼：s0130522050001 市場數據市場數據 2022-07-20 A 股收盤價(元)126.66 股票代碼 605111.SH A 股一年內最高價(元)228.00 A 股一年內最低價(元)86.61 上證指數 3,279.43 市盈率 43.68 總股本（萬股）19,995 實際流通 A 股（萬股）14,207 流通 A 股市值(億元)182 Table_Chart Table_QuotePic相對滬深相對滬深 300300 表現圖表現圖 Table_Chart 資

7、料來源：Wind，中國銀河證券研究院 -60%-40%-20%0%20%40%60%21/7/2021/9/3021/12/1122/2/2122/5/422/7/15新潔能滬深300 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。2 主要財務主要財務指標指標 2021 2022E 2023E 2024E 營業收入(億元)14.98 20.46 25.61 31.33 收入增長率%56.89%36.57%25.18%22.31%歸母凈利潤（億元）4.10 5.38 6.94 8.55 歸母凈利潤增速 194.55%31.01%2

8、9.09%23.13%毛利率 39.12%39.62%39.51%38.57%攤薄 EPS(元)2.90 3.80 4.90 6.03 PE 43.68 33.37 25.85 20.99 PB 11.73 8.68 6.50 4.96 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 WY5XSVAV4YOVAUDVbRcM6MmOmMsQnPkPoOsNkPsQtR6MoPpQxNpNqRxNmPoO 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。3 目目 錄錄 一、功率器件領先企業，盈利能力穩步提升一、功率器件領先企業，盈利能力穩步

9、提升.4（一）深耕多年國內市場，專注功率器件產品研發和設計.4（二）股權結構穩定，管理層多為技術出身.5（三）盈利能力持續增長，研發鑄就長期護城河.6 二、功率器件供需錯配仍將持續，應用領域廣泛二、功率器件供需錯配仍將持續，應用領域廣泛.8（一）功率器件迭代升級，市場需求不斷增加.8（二）國內功率市場增長快于全球，國內廠商有望實現國產替代.10（三）新能源產業鏈為功率器件最大催化劑.13 三、多優勢帶來更多協同效應三、多優勢帶來更多協同效應.15（一）產品滲透多標桿客戶，產品能力獲得多方認證.15（二）產業鏈協同緊密，與上下游保持良好合作關系.17（三）發力 SiC/GaN 產品研發，推動公司

10、產品進一步升級.18 四、盈利預測與投資建議四、盈利預測與投資建議.19（一）盈利預測.19（二）估值分析與投資建議.20 五、風險提示五、風險提示.21 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。4 一、一、功率器件領先企業，盈功率器件領先企業，盈利能力穩步提升利能力穩步提升 （一）深耕多年國內市場，專注功率器件產品研發和設計 深耕功率半導體產業，產品推陳出新深耕功率半導體產業，產品推陳出新，應用廣泛。應用廣泛。公司是國內 MOSFET、IGBT 等半導體功率器件設計領域龍頭企業，一直以來從事 MOSFET 和 IGBT

11、等半導體芯片和功率器件的研發設計以及銷售，是國內率先掌握超結理論技術、并量產屏蔽柵功率 MOSFET 及超結功率 MOSFET 的企業，也是國內最早在 12 英寸工藝平臺實現溝槽型 MOSFET、屏蔽柵 MOSFET 量產的企業。是國內 8 寸和 12 寸功率器件累計出貨量最大的設計公司，作為唯一的功率器件設計公司，2016 年以來連續五年被中國半導體行業協會評為“中國半導體功率器件十強企業”。根據 IHS 統計數據，2020 年國內 MOSFET 市場銷售額排名中，包括國際廠商在內公司排名第八，其中設計領域公司名列第一。圖圖 1：公司公司歷史發展歷史發展和產品演進情況和產品演進情況 資料來源

12、：中國銀河證券研究院 從目前公司主要銷售產品來看，公司主要銷售產品包括半導體芯片以及功率器件，具體可以包括溝槽型 MOSFET、超結 MOSFET、屏蔽柵 MOSFET 及 IGBT，公司未來戰略聚焦高附加值超結 MOSFET 和 IGBT 產品，應用領域覆蓋汽車電子、光伏及儲能、數據中心、5G 通訊、工業電源、機器人、智慧農業無人機、安防、鋰電保護、消費電子等領域。表表 1：公司目前產品情況公司目前產品情況 產品分類產品分類 電壓范圍電壓范圍 特點與優勢特點與優勢 應用領域應用領域 溝槽型功率MOSFET 12V-200V 低 FOM（Rdson*Qg）：高雪崩耐量，100%經過 EAS 測

13、試；低反向恢復電荷（Qrr），低反向恢復峰值電流（Irm）；抗靜電能力（ESD）；符合 RoHS 標準 各類鋰電池保護模塊：豐機、平板電腦等伸攜式數碼產品電源管理：LEDTV 等消費類電子產品電源：電動交通工具控制器：不間斷電源，逆變器和各類電力電源；LED 照明 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。5 屏蔽柵功率MOSFET 30-300V 極低的 Rdson；極低的 Qg 和 Qgd；極低的 FOM（Rdson*Qg）；高溫下的電流能力更強；快速柔軟恢復的體二極管特性：低 Crss/Ciss，增強抗 EI 能力；高

14、 UIS 耐量，100%出廠測試：符合 RoHS 標準 交流/直流電源的同步整流；直流電機驅動；逆變器；電他棄電器和電池保護電路：36V-96V 系統中的馬達控制：隔離的直流-直流轉換器；不間斷電源 超結功率MOSFET 500V-900V 卓越的功率轉換效率；極低的導通功率損耗源于極低的特征導通電阻（Ron*A）：極低的開關功率損耗和驅動功率損耗源于極低的 FOM（Ron*Qg）；更小的封裝體積：卓越的 EAS 能力（100%EAS 測試）電腦、服務器的電源：適配器（筆記本電腦，打印機等：強明（HID/LED 照明，工業照明，道路照明等；消費類電子產品（液晶電視，等離子電視等）IGBT 60

15、0V-1700V 低導通壓降（VCEsat）；低開關損耗（Ets）；短路能力 10us：低電磁干擾；電參數重復性和一致性；高可靠性；高溫穩定性；符合 RoHS 標準 電機驅動；逆變焊機；不間斷電源 UPS：變頻器；工業逆變器；太陽能功率轉換器；電磁感應加熱；諧振開關應用 資料來源：公司官網，中國銀河證券研究院整理（二）股權結構穩定，管理層多為技術出身 公司實際控制人為公司創始人朱袁正，股權激勵綁定核心員工。公司實際控制人為公司創始人朱袁正，股權激勵綁定核心員工。截止 2022 年一季度末，公司董事長兼總經理朱袁正先生持有公司 23.15%的股份，他在半導體行業中有豐富的研究和工作經歷，是帶領公

16、司發展的核心人物，公司創始人董事長朱袁正是公司核心研發人員，具備長達 32 年的半導體研究和工作經歷，是國內極少數同時掌握半導體工藝、器件設計及應用的綜合人才，核心研發團隊幫助公司鑄就長期成長的護城河。同時公司于 2017 年和 2021 年兩次實施股權激勵，綁定核心團隊，穩定員工利益和公司發展。子公司布局封測環子公司布局封測環、功率模塊封裝和集成電路業務。、功率模塊封裝和集成電路業務。子公司電基集成主要布局封測領域，金蘭功率半導體主要致力于半導體功率模塊的研發、設計、生產和銷售，國硅集成專注于車規級智能功率集成電路芯片的設計。圖圖 2：公司公司股權股權架構架構 資料來源：Wind，中國銀河證

17、券研究院 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。6（三）盈利能力持續增長，研發鑄就長期護城河 行業景氣度向上，公司業績迅速增長。行業景氣度向上，公司業績迅速增長。從收入來看，公司 2016 年的營業收入從 4.22 億元增長至 2021 年的 14.98 億，復合增長率達到 23.5%；歸母凈利潤從 0.36 億提高至 4.1 億，復合增長率達 50%。2020 年下半年以來，由于上游晶圓廠 8 英寸產能供不應求且下游多重需求旺盛，功率器件迎來缺貨漲價潮，公司多產品供不應求。公司和上游晶圓廠保持良好合作，憑借自身布局多年

18、行業設計能力和子公司封測能力，產能供給得到保證，下游需求轉化為收入能力突出。圖圖 3：公司：公司 2016-2021 年收入及增長情況年收入及增長情況 圖圖 4：公司：公司 2016-2021 年歸母凈利潤及增長情況年歸母凈利潤及增長情況 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 功率器件銷售占比穩步提升，功率器件銷售占比穩步提升，IGBT 出貨量快速增長。出貨量快速增長。從公司銷售的產品類別來看，公司主要銷售功率芯片和功率器件，公司根據客戶需求進行出貨，器件即公司通過封測子公司或者委外加工芯片后得到的最終產品，從趨勢上來看，功率器件銷售占比穩步提升，功率

19、器件營收占比從 2016 年的 57.34%提升到 2021 年的 90.47%，芯片業務相應的下降至 9.53%。IGBT 與超結與超結 MOSFET 產品需求快速成長，高附加值產品占比提升。產品需求快速成長，高附加值產品占比提升。公司中低壓主要產品為溝槽型功率 MOSFET 和屏蔽柵 MOSFET，目前公司正在調整兩種產品的比重，減少了傳統成熟工藝的溝槽型 MOSFET 的生產銷售，從 2020 年的 55.79%減少至 2021 的 45.31%，擴大了屏蔽柵型功率 MOSFET，從 2020 年的 31.69%增加至 2021 年的 38.96%。從絕對收入來看，2021 年公司超級

20、MOSFET 收入 1.39 億元，同比增長 61.72%，IGBT 收入 0.73 億元，同比增長 649.69%，公司產品結構逐步向高附加值產品轉型，提升公司產品護城河。圖圖 5：公司公司 2017-2021 年功率器件和芯片的比重年功率器件和芯片的比重 圖圖 6：2021 年各類產品年各類產品占比占比 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 0%10%20%30%40%50%60%05101520201620172018201920202021營業收入（億元）yoy-50%0%50%100%150%200%250%01234520162017201

21、8201920202021歸母凈利潤（億元）yoy0510152020172018201920202021功率器件芯片45.31%38.96%10.34%5.39%溝槽型功率MOSFET屏蔽柵型功率MOSFET超級結MOSFETIGBT 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。7 毛利率穩步提升，費控情況表現良好。毛利率穩步提升，費控情況表現良好。公司整體毛利率表現與全球功率半導體行業周期存在相關性，同時也與自身業務線調整相關，由于 2019 年國內半導體行業周期波動以及上游晶圓廠提高代工成本，使得產品價格下降、芯片代工成

22、本上升，毛利率有所下降，隨后 2021 年新能源車和光伏需求大幅提升，供需錯配成為行業共識，功率器件產品單價增長明顯。同時公司在 2018 年后增加器件產品出貨量，器件經后代加工后，產品利潤率提升，2021 年公司整體毛利率達到 39.12%，同比增加 13.75pct。圖圖 7：公司公司 2016-2021 年年毛利率和毛利率和凈利率凈利率 圖圖 8：公司各項業務的毛利率情況：公司各項業務的毛利率情況 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 持續研發投入，股權激勵穩定核心團隊。持續研發投入，股權激勵穩定核心團隊。公司持續投入研發，2021 年公司整體研

23、發支出0.8 億元，同比增長 54.05%，研發人員在 2021 年末達到 78 人，占總員工人數的 25.32%。2019年以來，公司研發人員占比減少，主要系電基集成子公司封裝人員需求提升，整體研發人員的減少具備合理性。截至 2021 年末，公司擁有 135 項專利，其中發明專利 36 項，發明專利數量和占比在國內半導體功率器件行業內位居前列。同時公司在 2022 年 2 月，公司向 136 名員工以 84.25 元/股的價格共授予 114.1 萬股，其中核心技術人員、骨干業務人員和子公司高管人員等均完成授予。圖圖 9：2018-2021 公司研發費用以及同比增長公司研發費用以及同比增長 圖

24、圖 10：2018-2021 公司研究人員數量以及占比公司研究人員數量以及占比 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 費用把控能力出眾，現金流保持穩定水平。費用把控能力出眾，現金流保持穩定水平。公司自 2018 年后，費用把控能力穩步提升，銷售費用率常年保持在 2%左右，并且呈現下降趨勢，體現出公司產品力水平提升，對銷售支出把控嚴格，管理費用率常年保持 3%水平。同時公司經營活動現金流量保持穩定水平，銷售0%10%20%30%40%50%201620172018201920202021銷售毛利率銷售凈利率0%10%20%30%40%50%2016201

25、72018201920202021功率器件芯片0%10%20%30%40%50%60%00.20.40.60.812018201920202021研發費用同比增長0%10%20%30%40%0204060801002018201920202021研發人員研發人員占比 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。8 商品提供勞務收現/營業收入基本保持 100%，證明公司的強回款能力和業務穩定水平。圖圖 11：公司：公司 2018-2021 年費用率情況年費用率情況 圖圖 12：公司經營活動現金流和收現比：公司經營活動現金流和收現

26、比 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 二、功率器件供需錯配仍將持續，應用領域廣泛二、功率器件供需錯配仍將持續，應用領域廣泛 （一）功率器件迭代升級，市場需求不斷增加 功率半導體是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件。功率半導體是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件。功率半導體經過了多次技術進步，從 20 世紀 50 年代的二極管，再到 70 年代的晶閘管，再到 80 年代的 MOSFET 和21 世紀開始逐漸成熟的 IGBT。目前行業內的發展方向依舊是高端化的 MOSFET 和 IGBT。功率半導體主要分為功率分立器件和功率 IC

27、兩大類。功率 IC 是由功率分立器件加上保護電路和驅動電路組成的，屬于集成電路中的模擬 IC，包括 DC/DC、AC/DC、PMIC、驅動 IC 等，而功率器件主要包括二極管、晶閘管、MOSFET、IGBT 等產品。圖圖 13：功率半導體主要分類功率半導體主要分類 資料來源：中國銀河證券研究院-2%-1%0%1%2%3%2018201920202021銷售費用率管理費用率財務費用率0%50%100%150%05101520201620172018201920202021銷售商品收到的現金營業收入銷售商品現金流/營業收入 占比 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必

28、閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。9 功率器件迭代路徑從制程，到工藝，再到材料不斷突破。功率器件迭代路徑從制程，到工藝，再到材料不斷突破。MOSFET 自 1970s 問世以來，伴隨摩爾定律的步伐不斷縮小制程線寬，從早期的 10 微米迭代至現在的 0.15-0.35 微米區間，而后成本和電容之間的壁壘使得功率芯片在制程的優化上進展緩慢，在制作工藝上，最早由平面結構到溝槽型再到超級結，器件結構變化，使得某些單項技術指標和產品性能得到了優化。再到現在材料領域，SiC/GaN 等第三代半導體的應用使得寬禁帶材料進入了功率領域。圖圖 14：功率功率器件各代產品器件各代產品演進和特點演進和特點

29、 資料來源：招股說明書，中國銀河證券研究院 新能源車、儲能、光伏、工控領域為其需求增長最快領域新能源車、儲能、光伏、工控領域為其需求增長最快領域。針對不同應用場景所對應的功率、電壓和頻率不同，各細分行業所選用的功率器件不同，MOSFET 憑借其高開關頻率、低損耗特點，主要用于手機、PC、LED 等消費電子領域。IGBT 因耐高壓的特點，主要應用于智能家電、新能源車和工控領域。根據行業發展來看，新能源車相關產業鏈為功率半導體下游中最具發展潛力的需求市場，同時低碳概念包括光伏、儲能等也同樣會加速成長，這些領域的功率半導體市場需求增長較快。圖圖 15：功率半導體應用趨勢：功率半導體應用趨勢 圖圖 1

30、6：功率半導體需求增速較快領域：功率半導體需求增速較快領域 資料來源：Yole，中國銀河證券研究院 資料來源：中國銀河證券研究院 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。10（二）國內功率市場增長快于全球，國內廠商有望實現國產替代 從市場空間來看，中國功率半導體市場增速高于全球增速。從市場空間來看，中國功率半導體市場增速高于全球增速。根據 Omida 數據顯示，全球2021 年功率半導體市場規模約為 435.62 億美元，預計 2024 年市場規模將達到 532.19 億美元，未來三年復合增速為 6.9%；2021 年中國

31、功率半導體市場規模約為 157 億美元，預計 2024 年市場規模將達到 195.22 億美元，未來三年復合增速為 7.53%，占全球市場約為 36.68%，中國作為全球最大的功率半導體消費國，未來市場發展前景良好。圖圖 17：全球功率半導體市場規模及增速：全球功率半導體市場規模及增速 圖圖 18：中國：中國功率半導體市場規模及增速功率半導體市場規模及增速 資料來源：Omdia，中國銀河證券研究院 資料來源：Omdia，中國銀河證券研究院 功率半導體頭部企業占據比重高，且均為海外企業功率半導體頭部企業占據比重高，且均為海外企業。從整個功率半導體試產來看，海外IDM 廠商處于領先地位，占市場規模

32、高。根據 Omdia 數據，2020 年全球功率器件 CR5 約為44%，英飛凌市場占比高達 20%，安森美占比 8%，意法半導體占比 6%；功率 IC 市場 CR5 約為 43%，德州儀器占比接近 16%。全球前十大功率半導體廠商均為外國公司。圖圖 19：全球功率器件與模塊市場全球功率器件與模塊市場格局及占比格局及占比 圖圖 20：功率功率 IC 市場格局市場格局及占比及占比 資料來源：Omdia，中國銀河證券研究院 資料來源：Omdia，中國銀河證券研究院 0%2%4%6%8%10%12%010020030040050060020172018201920202021E 2024E市場規模（

33、億美元）同比增長0%2%4%6%8%10%12%14%05010015020025020172018201920202021E2024E市場規模（億美元）同比增長InfineonOn SemiSTMicroMitsubishToshibaVishayRenesasFujiRohmSemikronOthers德州儀器英飛凌亞德諾半導體高通意法半導體安森美聯發科MaximDialog瑞薩其他 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。11 MOSFET：全球市場規模約：全球市場規模約 80 億美元，國產替代空間巨大。億美元，國產

34、替代空間巨大。根據 Omdia 數據顯示，功率MOSFET 全球市場規模在近幾年保持比較穩定，約為 80 億美元，約占功率器件市場 54%。國內市場約 30 億美元，約占全球市場 39.9%，未來 3 年市場保持穩定增長。從國內市場景競爭來看，2019 年市場份額前 8 位的公司里僅有華潤微和新潔能，兩家合計占比接近 12%，而海外龍頭企業英飛凌及安森美市占率合計約為 45%，占據近一半市場，國產廠商具備較大替代市場空間。圖圖 21：國內和全球市場規模情況（億美元）：國內和全球市場規模情況（億美元）圖圖 22：2019 國內國內 MOSFET 市場競爭格局市場競爭格局 資料來源：Omdia，中

35、國銀河證券研究院 資料來源：IHS market，中國銀河證券研究院 IGBT：全球市場空間約：全球市場空間約 57 億美元，國內消費占億美元，國內消費占 40%，新能源領域為其核心增長催化劑。，新能源領域為其核心增長催化劑。從 IGBT 市場空間來看，2021 年全球 IGBT（分立+模塊）市場規模約 57 億美元，國內 IGBT市場約為 22.43 美元，國內市場規模占全球比約為 40%，國內市場規模增長與海外基本同步。新能源汽車、新能源發電這些領域都是行業發展最大的催化劑。圖圖 23：全球與中國全球與中國 IGBT 市場規模及增長預測市場規模及增長預測（億美元億美元）資料來源：Omdia

36、，中國銀河證券研究院 0%10%20%30%40%50%01020304050607080902017201820192020 2021E 2022E國內市場規模全球市場規模國內市場占比英飛凌安森美華潤微瑞薩東芝意法新潔能其他企業-15%-10%-5%0%5%10%15%20%25%30%0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.00201720182019202020212022E2023E2024E全球市場規模中國市場規模全球yoy中國yoy 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。12

37、 國產功率半導體自給率逐步抬升國產功率半導體自給率逐步抬升。根據 Yole 數據顯示，從 IGBT 產品自給率來看，2020年前 IGBT 國內廠商產量占比約 13%，2020 年 IGBT 產品自給率不到 20%，其主要受海外品牌多年行業積累，產品在認可度和行業認知方面積累較高，國內企業目前還處于追趕者狀態，因此產品自給率水平更低。但是隨著國內廠商發力布局功率器件，預計 2024 年，IGBT 產品國產化率能達到 40%。圖圖 24：國內國內 IGBT 自給率情況自給率情況 資料來源：Yole，銀河證券研究院 全球功率半導體交付周期延長，供需仍保持錯配。全球功率半導體交付周期延長，供需仍保持

38、錯配。根據富昌電子數據顯示，2021 年高壓MOSSET 和 IGBT 產品交付周期延長，帶來市場供給不足和產品單價上漲。以全球頭部廠商英飛凌為例，高壓 MOSFET 交貨周期已由 21Q1 的 26-52 周延長至 36-52 周，IGBT 的交貨周期由 26-36 周延長至 39-50 周，并且價格也處于上升趨勢之中，供需錯配局面仍將維持。圖圖 25：高壓高壓 MOSFET 交付期（周）交付期（周）圖圖 26：IGBT 交付期（周）交付期（周）資料來源：富昌電子，中國銀河證券研究院 資料來源：富昌電子，中國銀河證券研究院 0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%050001

39、0000150002000025000201520162017201820192020E2021E2022E2023E2024E國內IGBT產量（萬）國內IGBT需求（萬）自給率01020304050FairchildSTMicroelectronicsVishayInfineon05101520253035404550FairchildIXYSMicrosemiInfineon 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。13（三）新能源產業鏈為功率器件最大催化劑 功率半導體在下游應用領域的需求持續增長，包括電子通信、工業電

40、子、計算機、汽車電子，還有近幾年的新能源汽車，智能電網等發展都對功率半導體提出了大量需求，這也帶給功率半導體行業廣闊的發展空間，驅動整個產業發展。單車功率半導體價值量隨著汽車電動化趨勢的推進而增長單車功率半導體價值量隨著汽車電動化趨勢的推進而增長。區別于燃料汽車，電動車中的功率器件對于工作電流和電壓有跟高的要求，應用領域主要有驅動系統、引擎系統和車身三大方面，尤其是 MOSFET 和 IGBT，是新能源汽車的重要組成部分，其中 MOSFET 產品可以用于電動助力轉向系統、電制動系統，輔助驅動各種電動馬達，參與車燈控制。IGBT 也是新能源汽車中的核心器件之一，作為大功率高頻開關在逆變器、電源變

41、換器中被大量使用，主要應用于新能源汽車的電力驅動系統與電源系統中。而且，在新能源汽車中，功率半導體的價值量大幅提升，根據 Strategy Analytics 的數據，2019 年傳統燃油車的車均半導體用量為 338 美元，而功率半導體僅占 21%，為 71 美元。純電動車的半導體成本合計金額為 704 美元，其中功率半導體占比 55%，價值量高達 387 美元，其價值為傳統汽車的 4 倍。因此新能源汽車的發展驅動功率半導體的需求進一步爆發。圖圖 27：新能源汽車中的功率半導體新能源汽車中的功率半導體 圖圖 28：按驅動力分車均半導體含量（單位：美元）按驅動力分車均半導體含量（單位：美元）資料

42、來源：安森美，中國銀河證券研究 資料來源：Strategy Analytics，中國銀河證券研究院 伴隨著汽車電動化的大趨勢，新能源汽車有望成為功率半導體的主要需求增長點。伴隨著汽車電動化的大趨勢，新能源汽車有望成為功率半導體的主要需求增長點。根據EV 的數據，盡管全球市場 2021 年全球新能源汽車銷量達到 681 萬輛，同比增長72%，國內市場新能源車銷量同比增長 157.6%，銷量 352 萬輛。預計未來全球市場 2022 年新能源車銷量有望達 1069 萬輛，同比增長 57%，國內市場隨著雙碳政策和補貼政策推進，國內2022 年新能源車銷量有望達 560 萬輛，同比增加 59%。預計

43、2025 年，全球新能源車銷量有望達 2625 萬輛，全球未來四年 CAGR 達 34%。0200400600800傳統內燃汽車混合動力汽車純電動汽車功率半導體IC傳感器其他 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。14 圖圖 29：國內和國內和全球新能源車銷量全球新能源車銷量預測預測 資料來源：EV Volumes，SNE Researsh，中國銀河證券研究院 光伏裝機量提升，逆變器需求將迎來需求爆發。光伏裝機量提升，逆變器需求將迎來需求爆發。隨著國家節能減排力度提升，光伏發電、風能發電等產業迅速發展。國內市場光伏裝機量

44、達到全球 1/3，功率模塊及分立器件成本約占功率器件總成本的 9%。據中國光伏行業協會統計，2025 年，我國光伏市場新增裝機將介于 90和 110GW 之間。2020-2025 年 CAGR 在 13.30%-17.94%之間。從成本測算來看，國內光伏逆變加權成本將由 2020 年的 0.2/W 下降到 2025 年的 0.15/W，并且根據 IMS Research 數據顯示，光伏逆變器中功率模塊約占成本的9%，預計2025年光伏逆變器中功率器件單位成本約為1350萬元/GW。圖圖 30：中國光伏市場新增裝機中國光伏市場新增裝機預測預測 圖圖 31：光伏逆變器成本結構光伏逆變器成本結構 資

45、料來源：中國銀河證券研究院 資料來源：IMS Research，中國銀河證券研究院 0%20%40%60%80%100%120%140%160%180%05001000150020002500300035002019202020212022E2023E2024E2025E2026E國內新能源汽車銷量（萬輛）海外新能源汽車銷量（萬輛）國內新能源汽車增速（%）海外新能源汽車增速（%）-40%-20%0%20%40%60%80%0200040006000800010000120002018 2019 2020 2021 2022E2023E2024E2025E新增裝機量（GW，左軸）同比增長機械部分

46、無源器件電器結構集成電路配件其他功率模組分立器件 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。15 三、多優勢帶來更多協同效應三、多優勢帶來更多協同效應 （一）產品滲透多標桿客戶，產品能力獲得多方認證 自成立以來，公司始終專注于半導體功率器件行業，具備獨立的 MOSFET 和 IGBT 芯片設計能力和自主的工藝技術平臺。公司持續推進高端 MOSFET、IGBT 的研發和產業化，在已推出先進的超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 和超薄晶圓 IGBT 數款產品基礎上，進一步對上述產品升級換代，并陸續推出 SiC MO

47、SFET/GaN HEMT/功率模塊/智能功率驅動 IC等新產品。公司的主要產品種類豐富，擁有覆蓋了 12V1700V 電壓范圍、0.1A450A 電流范圍的多系列細分型號產品，是國內領先的半導體功率器件行業中 MOSFET 產品系列最齊全且技術先進的設計企業。圖圖 32：公司的主要產品類型公司的主要產品類型 圖圖 33：公司的功率器件產品：公司的功率器件產品 資料來源：招股說明書，中國銀河證券研究院 資料來源：招股說明書，中國銀河證券研究院 采用“構建采用“構建-衍生衍生-升級”的發展模式，升級”的發展模式，MOSFET 產品料號數量領先。產品料號數量領先。通過構建工藝平臺推動產品繼續細分開

48、發，開發產品又反過來推動生產平臺的持續升級，提高了產品的研發效率和實際效果，實現了公司產品裂變式的增加，極大程度地滿足了下游企業的不同需求。截至 2021年底，公司產品料號數量高達 1500 余種，在國內 MOSFET 市場具備齊全產品范圍，同時不同產品的組合方案也能夠滿足不同客戶的需求。表表 2：國內部分國內部分 MOSFET 經營模式及料號數量經營模式及料號數量 廠商名稱廠商名稱 經營模式經營模式 MOSFETMOSFET 產品料號數產品料號數 華潤微 IDM 670+士蘭微 IDM 370+捷捷微電 Fabless+封測 360+揚杰科技 IDM 210+吉林華微 IDM 240+新潔能

49、 Fabless+先進封裝 1500+公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。16 富滿電子 Fabless 60+龍騰半導 Fabless 500+東微半導 Fabless 490+資料來源：半導體行業觀察，中國銀河證券研究院 公司以市場需求為導向，加速新產品的研發設計，調整產品結構，持續推進高端公司以市場需求為導向，加速新產品的研發設計，調整產品結構，持續推進高端功率的功率的MOSFET 和和 IGBT 等產品的研發等產品的研發。公司加大了 IGBT 和屏蔽柵 MOSFET 等產品的銷售比例，減少了原有成熟的溝槽型功率

50、 MOSFET。我們可以從公司申請專利的結構中發現，公司的專利申請基本集中在最具有活躍度的功率半導體器件領域，根據企知道的專利數據庫顯示的公開數據，公司在分類為 H01L29、H01L21 的專利占據了總專利數量中的 85%，而這兩個專利基本都是集中在半導體功率器件結構和工藝方面。截至公司 21 年年報，公司累計獲取 135 個專利，其中發明專利 36 個，當年新增產品近 300 多款，21 年新增申請發明專利 21 個，新增獲得 9 個。表表 3：公司獲取公司獲取專利的主要分類專利的主要分類 分類號分類號 定義定義 專利數量專利數量 占比占比 H01L29 專門適用于整流、放大、振蕩或切換，

51、并具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘的半導體器件，具有至少一個電位躍變勢壘或表面勢壘，例如PN 結耗盡層或載流子集結層的電容器或電阻器 105 48.82%H01L21 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其不見的方法或設備 79 36.74%H01L23 半導體或其他固態器件的零部件（H01L25/00 優先）16 7.44%資料來源：專利數據庫，中國銀河證券研究院 深耕行業多年，積累多優質客戶。深耕行業多年，積累多優質客戶。公司憑借多年在 MOSFET 領域積累，其下游行業分布廣泛，主要應用于汽車電子、光伏及儲能、數據中心、5G 通訊、工業電源、機器人、智慧農業無人機、安防、鋰電保護、消

52、費電子等領域。從下游客戶結構來看，在行業內擁有多家標桿客戶，例如比亞迪、寧德時代、陽光電源、固德威、富士康、視源股份、大疆等，經銷與直銷模式并存，拓寬了公司客戶結構，搶占龍頭標桿客戶。表表 4：公司下游領域的標桿客戶公司下游領域的標桿客戶 行業分布行業分布 部分客戶部分客戶 新能源 陽光電源、固德威、德業股份、上能電氣 汽車 比亞迪、理想、小鵬、蔚來、極氪 電源 明緯電子、高斯寶 家電及電動設備 視源股份、海爾、美的、九號公司、晶匯電子 電動工具 TTI、泉峰工具、寶時得 LED 照明 晶豐明源、杰華特、飛利浦照明 安防 浙江宇視、大華、?？低?通信 中興、TP-link、三星 資料來源：招

53、股說明書，中國銀河證券研究院 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。17（二）產業鏈協同緊密，與上下游保持良好合作關系 公司采用 fabless+先進封測的商業模式，大部分芯片生產為外包，封測環節則通過子公司電基集成以及外協廠進行。公司為了保障芯片供給產能，和上游的晶圓制造廠商、封測廠等供應商都建立了較為穩定的合作關系。芯片代工業務方面，公司選擇華虹宏力和華虹半導體（無錫）等國內主要的具備 MOSFET、IGBT 等大尺寸晶圓芯片代工能力的本土芯片代工供應商，其中 2021 年華虹宏力供應商占年度采購總額比例為 38.2

54、3%，華虹半導體（無錫）占 30%；尤其是華虹宏力，公司與其建立了長期戰略合作關系，在華虹宏力一廠、二廠、三廠、七廠均已實現投產。公司和華虹宏力十幾年來的深入合作，為國內功率半導體公司中唯一一家，也是華虹宏力最大的功率半導體客戶，且是華虹宏力平臺上新產品開發成功率最高的客戶。華虹宏力 12 英寸平臺 2022 年以來持續擴充產能，并在籌劃新廠進一步擴充產能，預計公司將獲得更多的產能支持。在封測廠方面，一方面，公司子公司電基集成封裝測試產量穩定提升，已能夠滿足公司近四成產品的自主封測需求；另一方面，公司進一步加強與長電科技、日月光、捷敏電子、成都集佳等十余家優秀的封裝測試企業合作。圖圖 34：新

55、潔能產業鏈新潔能產業鏈下游下游行業分布行業分布情況情況 資料來源：公司官網，中國銀河證券研究院 公司與產業鏈中重要供應商簽訂了框架合作協議，保持長期穩定的合作關系，公司加強了對于上下游企業的合作關系，公司與產業鏈中大部分優秀供應商已形成了相互依存、共同發展的緊密合作，形成了公司較為突出的產業鏈協作優勢。經銷為主，直銷為輔，建立良好銷售關系。經銷為主，直銷為輔，建立良好銷售關系。公司采用“經銷加直銷”的銷售模式。在經銷模式下，經銷商可以幫助芯片設計企業快速地建立銷售渠道、擴大市場份額，實現產品和資金的較快周轉，節省了公司的資金及資源投入，有利于芯片設計企業將主要精力投入到產品研發及供應鏈管控環節

56、。從 2021 年來看，公司經銷占比 64.8%，相比過去比重有所上升。公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。18 表表 5：過去年度公司的銷售模式及占比情況過去年度公司的銷售模式及占比情況 銷售銷售模式模式 20212021 年度年度 20202020 年度年度 20192019 年度年度 20182018 年度年度 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 金額金額 占比占比 經銷 96857.41 64.81%50276.36 52.74%33498.65 43.42%29983.76 41.93

57、%直銷 52582.29 35.19%45057.66 47.26%43648.9 56.58%41524.47 58.07%合計 149439.7 100.00%95334.02 100.00%77147.55 100.00%71508.23 100.00%資料來源：Wind，中國銀河證券研究院（三）發力 SiC/GaN 產品研發，推動公司產品進一步升級 產學研一體化推進，加快功率半導體平臺模式發展產學研一體化推進，加快功率半導體平臺模式發展。公司緊跟國際最新半導體功率技術，提前布局下一代半導體功率器件產品，公司一方面不斷通過外部引進和自主培養等方式培育高端技術人才，另一方面將進一步鞏固與科

58、研院所的產學研合作關系，截至目前，公司已建立江蘇省企業研究生工作站、東南大學-新潔能功率器件技術聯合研發中心、江南大學-新潔能功率器件技術聯合研發中心。利用江蘇省企業研究生工作站平臺，提高半導體功率器件的研發成果轉化效率，加快研發成果轉化進度，為公司長期發展打下基礎。創建研發第三代半導體功率器件平臺，加快與車企認證步伐。創建研發第三代半導體功率器件平臺，加快與車企認證步伐。目前已推出 1200V 60mohm SiC MOSFET 樣品，同時，公司將在 22Q3 推出 1200V 17mohm、1200 V 32mohm、1200V 75mohm 等 SiC MOSFET 系列產品，預計今年下

59、半年會推向市場，主要目標市場是光伏逆變和汽車；此外，也有多家客戶在和公司溝通定制不同規格的 SiC MOSFET 和 GaN HEMT 樣品，相關業務未來成長可期。表表 6：不同半導體材料的應用和特點：不同半導體材料的應用和特點 材料材料 應用應用 特特點點 第一代 以硅、鍺等元素為代表 典型應用是集成電路，主要應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中 硅基半導體材料是目前產量最大、應用最廣的半導體材料，90%以上的半導體產品是用硅基材料制作的 第二代 是以確化鎵為代表 光電子和微電子領域，是制作半導體發光二極管和通信器件的關鍵襯底材料 砷化鎵材料的電子遷移率約是硅的 6 倍,具有自接帶算，

60、故其器件相對硅基器件具有高頻、高速的光電性能 第三代 以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料 適用于高電壓、高頻率場景 禁帶寬度大，具有擊穿電場高、熱導率高、電子飽遷移率高、杭輻射能力強等優勢 資料來源：公司公告，中國銀河證券研究院 公司擬定增募資不超過公司擬定增募資不超過 15 億元，億元，定增推動進一步產業化定增推動進一步產業化。公司募資主要用于第三代半導體 SiC/GaN 功率器件、封測的研發及產業化、功率驅動 IC 及 IPM 模塊的研發及產業化、SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模塊(含車規級)的研發及產業化公司全球范圍內積極尋找代工合作伙伴，目前已選定境內外的代工合作伙伴

61、，1200V 新能源汽車用 SiC MOSFET 和 650V PD 電源用 GaN HEMT 正在積極研發中。有望在第三代半導體的競爭市場中奪得先機，取得我國碳化硅功率器件國產化的重大進步，有利于打破國外公司在碳化硅半導體功率器件的技術壟斷。公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。19 表表 7：非公開發行募集資金項目情況（單位：萬元）：非公開發行募集資金項目情況（單位：萬元）項目名稱項目名稱 總投資金額總投資金額 擬投入募集資金金額擬投入募集資金金額 功率驅動 IC 及 IPM 模塊的研發及產業化 61726.54 6

62、0000 第三代半導體 SiC/GaN 功率器件及封測的研發及產業化 22380.52 20000 SiC/IGBT/MOSFET 等功率集成模塊(含車規級)的研發及產業化 50852.30 50000 補充流動資金 11800 11800 合計 146759.36 141800.00 資料來源：公司公告，中國銀河證券研究院 四、盈利預測與投資建議四、盈利預測與投資建議 （一）盈利預測 公司主營產品包括功率器件和功率芯片，商業模式上采用 Fabless 模式，從產品收入構成上來看，功率器件在 2021 年收入占比高達 90%，芯片收入占比為 10%，公司逐漸增加對高毛利器件產品的銷售，提升公司

63、整體的毛利率水平。其中器件從技術類型上分為溝槽型 MOSFET、屏蔽柵 MOSFET、超級 MOFETS 和 IGBT 產品，公司與華虹半導體產線合作良好，預計 2022下半年部分產品的產能持續爬升，看好公司產品的長期發展。在產品類型的增長預測上，預計市場對公司 IGBT、超結 MOSFET 和屏蔽柵 MOSFET 的需求繼續增長，多項產品長期收入貢獻將穩步爬升。綜合公司下游市場需求，整體成本和收入情況后，我們預計公司 2022-2024 年收入分別為20.46 億元、25.61 億元、31.33 億元，同比增長 36.57%/25.18%/22.31%。表表 8：新潔能公司主要盈利關鍵假設新

64、潔能公司主要盈利關鍵假設 單位：億元單位：億元 20212021 2022E 2022E 2023E 2023E 2024E 2024E 總收入 營業收入 14.98 20.46 25.61 31.33 同比增長 56.89%36.57%25.18%22.31%毛利率 38.93%39.62%39.51%38.57%功率器件 營業收入 13.52 18.47 22.98 27.94 營收占比 90.24%90.28%89.72%89.17%同比增長 73.77%36.63%24.40%21.56%毛利率 38.71%35.00%35.00%35.00%芯片 營業收入 1.42 1.93 2.5

65、5 3.29 營收占比 9.50%9.44%9.97%10.50%同比增長-18.77%20.00%17.00%14.00%毛利率 41.43%36.00%35.00%35.00%其他 營業收入 0.04 0.06 0.08 0.11 營收占比 0.26%0.28%0.32%0.34%公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。20 同比增長 134.57%50.00%40.00%30.00%毛利率 26.00%26.00%26.00%26.00%資料來源：Wind，中國銀河證券研究院預測（二）估值分析與投資建議 在進行估值分

66、析時，因公司主營產品主要為功率器件產品，我們選取 A 股市場功率半導體領域公司進行對比，對比 Fabless 商業模式公司宏微科技、斯達半導、東微半導進行對比，功率產品 IDM 廠商華潤微、士蘭微、揚杰科技進行對比。通過對比發展，公司在可參考行業內預計未來三年 PE 水平均低于行業平均水平，公司長期來看，IGBT 和超結 MOSFET、屏蔽柵 MOSFET 等高毛利率產品出貨繼續增長，公司未來成長將迎來確定性機會。表表 9：可比公司估值情況可比公司估值情況 商業模商業模式式 證券代碼證券代碼 可比公司可比公司 股價股價 總市值總市值 EPSEPS（億元）（億元）PEPE 2022E2022E

67、2023E2023E 2024E2024E 2022022E2E 2023E2023E 2024E2024E Fabless 603290.SH 斯達半導 375.40 640.46 4.07 5.66 7.75 92.33 66.28 48.42 688261.SH 東微半導 259.51 174.85 3.63 5.05 6.74 71.56 51.41 38.49 688711.SH 宏微科技 92.25 127.20 0.74 1.16 1.83 124.63 79.73 50.53 IDM 688396.SH 華潤微 53.33 704.00 1.97 2.26 2.57 27.05

68、 23.63 20.73 300373.SZ 揚杰科技 64.40 329.99 2.13 2.70 3.49 30.28 23.84 18.44 600460.SH 士蘭微 46.48 658.19 1.05 1.35 1.74 44.22 34.39 26.65 平均值 65.01 46.55 33.88 605111.SH 新潔能 126.66 253.26 3.80 4.90 6.03 33.37 25.85 20.99 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 注：收盤股價日期為 2022 年 7 月 20 日 我們認為，公司憑借多年在行業內深耕，從設計逐步延伸到封測領域，形成產業鏈縱

69、向整合，提升公司競爭壁壘。公司短期受益于光伏逆變、新能源車領域對功率器件的國產替代，長期看好公司超結 MOS、IGBT 和 SiC 等新產品放量帶來更強的競爭優勢。我們預計公司 2022-2024 年收入分別為 20.46 億元、25.61 億元、31.33 億元，對應 EPS 分別為 3.80/4.90/6.03，對應 PE 為 33.37X、25.85X、20.99X，首次覆蓋，給與“推薦推薦”評級。公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。21 五、風險提示五、風險提示 采購價格波動風險采購價格波動風險。芯片代工和封測

70、服務為公司主要的采購內容，占產品成本的比重較大。芯片代工和封測服務價格的波動將對公司的經營業績產生一定影響。芯片代工價格一方面受到硅晶圓材料價格和制造成本、人工成本影響，另一方面則受到芯片代工企業投資規模和產能影響；封測服務價格受到原材料價格和人工成本等影響。如果芯片代工和封測服務的市場價格持續大幅上漲，而公司無法采取有力措施進行應對，則將對公司盈利能力造成不利影響；功率器件景氣度下滑風險。功率器件景氣度下滑風險。2020 年三季度以來，功率器件景氣度持續高漲，缺芯成為行業共識，并且上游代工和封測廠的成本價格上移，整體行業景氣度遠超預期，從遠期來看，若未來存在行業景氣度下滑因素，可能會造成公司

71、整體業績不及預期；產品研發和推廣不及預期風險產品研發和推廣不及預期風險。公司針對國內市場供需失衡狀態加緊對第三代半導體SiC/GaN 產品的研發，從材料到器件等全產業鏈均處于爬坡階段，若未來第三代半導體產品出貨量不及預期，會對公司的業績低于預期。公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。22 附表：財務預測表附表：財務預測表 利潤表利潤表 單位：億單位：億元元 現金流量表現金流量表 單位：億單位：億元元 2022021 1A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 2022021 1

72、A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2 202024 4E E 營業收入營業收入 14.98 20.46 25.61 31.33 經營活動現金流經營活動現金流 4.51 4.84 6.23 8.70 營業成本 9.12 12.36 15.50 19.25 凈利潤 4.10 5.38 6.94 8.55 營業稅金及附加 0.09 0.12 0.13 0.16 折舊攤銷 0.15 0.22 0.24 0.25 營業費用 0.21 0.31 0.26 0.31 財務費用 0.01 0.00 0.00 0.00 管理費用 0.31 0.53 0.61 0.63 投資損失-0.0

73、2 0.00 0.00 0.00 財務費用-0.17 -0.13 -0.20 -0.29 營運資金變動 0.24 -0.76 -0.95 -0.10 資產減值損失-0.01 0.00 0.00 0.00 其它 0.02 0.00 0.00 0.00 公允價值變動收益 0.00 0.00 0.00 0.00 投資活動現金流投資活動現金流 -2.17 -0.20 -0.20 -0.20 投資凈收益 0.02 0.00 0.00 0.00 資本支出-1.46 -0.20 -0.20 -0.20 營業利潤營業利潤 4.70 6.15 7.89 9.71 長期投資-0.71 0.00 0.00 0.00

74、 營業外收入 0.00 0.00 0.00 0.00 其他 0.00 0.00 0.00 0.00 營業外支出 0.00 0.00 0.00 0.00 籌資活動現金流籌資活動現金流 -0.25 0.00 0.00 0.00 利潤總額利潤總額 4.70 6.15 7.89 9.71 短期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 所得稅 0.59 0.77 0.95 1.17 長期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 凈利潤凈利潤 4.10 5.38 6.94 8.55 其他-0.25 0.00 0.00 0.00 少數股東損益 0.00 0.00 0.00 0.00 現金凈增加額現金

75、凈增加額 2.08 4.63 6.03 8.50 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 4.10 5.38 6.94 8.55 資產負債表資產負債表 單位：億單位：億元元 主要財務比率主要財務比率 2022021 1A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 2022021 1A A 2022022 2E E 2022023 3E E 2022024 4E E 流動資產流動資產 15.08 21.54 29.97 39.89 盈利能力盈利能力 現金 8.89 13.53 19.56 28.06 毛利率 39.12%39.62%39.51%38.57%應收賬

76、款 1.36 2.24 2.81 3.43 凈利率 27.40%26.28%27.10%27.28%其它應收款 0.04 0.06 0.06 0.09 ROE 26.82%26.00%25.13%23.63%預付賬款 0.05 0.06 0.08 0.15 ROIC 25.68%24.98%24.06%22.52%存貨 2.40 2.71 2.55 3.16 成長能力成長能力 其他 2.33 2.94 4.91 4.99 營業收入增長率 56.89%36.57%25.18%22.31%非流動資產非流動資產 3.78 3.76 3.72 3.67 營業利潤增長率 197.87%31.01%28.

77、22%23.13%長期投資 0.00 0.00 0.00 0.00 凈利潤增長率 194.55%31.01%29.09%23.13%固定資產 2.03 2.03 2.02 1.98 償債能力償債能力 無形資產 0.13 0.12 0.11 0.10 資產負債率 18.83%18.25%18.00%16.97%其他 1.61 1.60 1.59 1.58 流動比率 23.19%22.32%21.95%20.43%資產總計資產總計 18.85 25.30 33.69 43.56 速動比率 4.67 5.01 5.22 5.64 流動負債 3.23 4.30 5.74 7.07 總資產周轉率 3.9

78、1 4.37 4.76 5.17 短期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 應收帳款周轉率 0.79 0.81 0.76 0.72 應付賬款 1.85 2.37 3.40 4.22 應付帳款周轉率 10.99 9.13 9.13 9.13 其他 1.38 1.93 2.35 2.85 每股指標每股指標 非流動負債 0.32 0.32 0.32 0.32 每股收益 2.90 3.80 4.90 6.03 長期借款 0.00 0.00 0.00 0.00 每股經營現金 3.18 3.41 4.40 6.14 其他 0.32 0.32 0.32 0.32 每股凈資產 10.80 14.60

79、19.50 25.53 負債合計負債合計 3.55 4.62 6.06 7.39 估值估值 少數股東權益 0.00 0.00 0.00 0.00 P/E 43.68 33.37 25.85 20.99 歸母歸母股東權益股東權益 15.30 20.68 27.62 36.17 P/B 11.73 8.68 6.50 4.96 負債和股東權益負債和股東權益 18.85 25.30 33.69 43.56 P/S 11.98 8.77 7.01 5.73 資料來源：Wind，中國銀河證券研究院 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責

80、聲明。23 插插 圖圖 目目 錄錄 圖 1：公司歷史發展和產品演進情況.4 圖 2：公司股權架構.5 圖 3：公司 2016-2021 年收入及增長情況.6 圖 4：公司 2016-2021 年歸母凈利潤及增長情況.6 圖 5：公司 2017-2021 年功率器件和芯片的比重.6 圖 6：2021 年各類產品占比.6 圖 7：公司 2016-2021 年毛利率和凈利率.7 圖 8：公司各項業務的毛利率情況.7 圖 9：2018-2021 公司研發費用以及同比增長.7 圖 10：2018-2021 公司研究人員數量以及占比.7 圖 11：公司 2018-2021 年費用率情況.8 圖 12：公司

81、經營活動現金流和收現比.8 圖 13：功率半導體主要分類.8 圖 14：功率器件各代產品演進和特點.9 圖 15：功率半導體應用趨勢.9 圖 16：功率半導體需求增速較快領域.9 圖 17：全球功率半導體市場規模及增速.10 圖 18：中國功率半導體市場規模及增速.10 圖 19：全球功率器件與模塊市場格局及占比.10 圖 20：功率 IC 市場格局及占比.10 圖 21：國內和全球市場規模情況（億美元）.11 圖 22：2019 國內 MOSFET 市場競爭格局.11 圖 23：全球與中國 IGBT 市場規模及增長預測（億美元）.11 圖 24：國內 IGBT 自給率情況.12 圖 25：高

82、壓 MOSFET 交付期（周）.12 圖 26：IGBT 交付期（周）.12 圖 27：新能源汽車中的功率半導體.13 圖 28：按驅動力分車均半導體含量（單位：美元）.13 圖 29：國內和全球新能源車銷量預測.14 圖 30：中國光伏市場新增裝機預測.14 圖 31：光伏逆變器成本結構.14 圖 32：公司的主要產品類型.15 圖 33：公司的功率器件產品.15 圖 34：新潔能產業鏈下游行業分布情況.17 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。24 表表 格格 目目 錄錄 表 1：公司目前產品情況.4 表 2：國內

83、部分 MOSFET 經營模式及料號數量.15 表 3：公司獲取專利的主要分類.16 表 4：公司下游領域的標桿客戶.16 表 5：過去年度公司的銷售模式及占比情況.18 表 6：不同半導體材料的應用和特點.18 表 7：非公開發行募集資金項目情況（單位：萬元）.19 表 8：新潔能公司主要盈利關鍵假設.19 表 9：可比公司估值情況.20 公司深度報告公司深度報告/新潔能（新潔能（605111.SH）請務必閱讀正文最后的中國銀河證券股份公司免責聲明。25 分析師簡介分析師簡介及承諾及承諾 Table_Resume 高峰高峰,北京郵電大學電子與通信工程碩士，吉林大學工學學士。2 年電子實業工作經

84、驗，6 年證券從業經驗，曾就職于渤海證券、國信證券、北京信托證券部。2022 年加入中國銀河證券研究院，擔任電子團隊組長，主要從事硬科技方向研究。王子路，王子路，英國布里斯托大學金融與投資碩士，山東大學經濟學學士，2 年科技產業研究經驗，2020 年加入中國銀河證券研究院，從事電子行業研究。本人承諾以勤勉的執業態度，獨立、客觀地出具本報告，本報告清晰準確地反映本人的研究觀點。本人薪酬的任何部分過去不曾與、現在不與、未來也將不會與本報告的具體推薦或觀點直接或間接相關。評級標準評級標準 行業評級體系行業評級體系 未來 6-12 個月，行業指數（或分析師團隊所覆蓋公司組成的行業指數）相對于基準指數（

85、交易所指數或市場中主要的指數）推薦：行業指數超越基準指數平均回報 20%及以上。謹慎推薦：行業指數超越基準指數平均回報。中性：行業指數與基準指數平均回報相當?；乇埽盒袠I指數低于基準指數平均回報 10%及以上。公司評級體系公司評級體系 推薦：指未來 6-12 個月，公司股價超越分析師（或分析師團隊）所覆蓋股票平均回報 20%及以上。謹慎推薦：指未來 6-12 個月，公司股價超越分析師（或分析師團隊）所覆蓋股票平均回報 10%20%。中性：指未來 6-12 個月，公司股價與分析師（或分析師團隊）所覆蓋股票平均回報相當?；乇埽褐肝磥?6-12 個月，公司股價低于分析師（或分析師團隊）所覆蓋股票平均回

86、報 10%及以上。免責聲明免責聲明 Table_Avow 本報告由中國銀河證券股份有限公司（以下簡稱銀河證券）向其客戶提供。銀河證券無需因接收人收到本報告而視其為客戶。若您并非銀河證券客戶中的專業投資者，為保證服務質量、控制投資風險、應首先聯系銀河證券機構銷售部門或客戶經理，完成投資者適當性匹配，并充分了解該項服務的性質、特點、使用的注意事項以及若不當使用可能帶來的風險或損失。本報告所載的全部內容只提供給客戶做參考之用，并不構成對客戶的投資咨詢建議，并非作為買賣、認購證券或其它金融工具的邀請或保證?？蛻舨粦獑渭円揽勘緢蟾娑〈晕要毩⑴袛?。銀河證券認為本報告資料來源是可靠的，所載內容及觀點客觀

87、公正，但不擔保其準確性或完整性。本報告所載內容反映的是銀河證券在最初發表本報告日期當日的判斷，銀河證券可發出其它與本報告所載內容不一致或有不同結論的報告，但銀河證券沒有義務和責任去及時更新本報告涉及的內容并通知客戶。銀河證券不對因客戶使用本報告而導致的損失負任何責任。本報告可能附帶其它網站的地址或超級鏈接，對于可能涉及的銀河證券網站以外的地址或超級鏈接，銀河證券不對其內容負責。鏈接網站的內容不構成本報告的任何部分，客戶需自行承擔瀏覽這些網站的費用或風險。銀河證券在法律允許的情況下可參與、投資或持有本報告涉及的證券或進行證券交易，或向本報告涉及的公司提供或爭取提供包括投資銀行業務在內的服務或業務

88、支持。銀河證券可能與本報告涉及的公司之間存在業務關系，并無需事先或在獲得業務關系后通知客戶。銀河證券已具備中國證監會批復的證券投資咨詢業務資格。除非另有說明，所有本報告的版權屬于銀河證券。未經銀河證券書面授權許可，任何機構或個人不得以任何形式轉發、轉載、翻版或傳播本報告。特提醒公眾投資者慎重使用未經授權刊載或者轉發的本公司證券研究報告。本報告版權歸銀河證券所有并保留最終解釋權。聯系聯系 中國銀河證券股份有限公司中國銀河證券股份有限公司 研究院研究院 機構請致電：機構請致電：深圳市福田區金田路 3088 號中洲大廈 20 層 深廣地區：蘇一耘 0755-83479312 suyiyun_ 崔香蘭 0755-83471963 上海浦東新區富城路 99 號震旦大廈 31 層 上海地區：何婷婷 021-20252612 陸韻如 021-60387901 luyunru_ 北京市豐臺區西營街 8 號院 1 號樓青海金融大廈 北京地區：唐嫚羚 010-80927722 tangmanling_ 公司網址：