晶盛機電-公司研究報告-長晶龍頭蛻變正當時碳化硅漸入收獲期-230131（55頁）.pdf

1、 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 Table_Info1Table_Info1 晶盛機電晶盛機電(300316)(300316)光伏設備光伏設備/電力設備電力設備 Table_Date 發布時間：發布時間：2023-01-31 Table_Invest 買入買入 上次評級：增持 Table_Market 股票數據 2023/01/31 6 個月目標價（元）收盤價（元）68.76 12 個月股價區間（元）44.0384.01 總市值（百萬元）89,987.32 總股本（百萬股）1,309 A 股（百萬股）1,309 B 股/H 股（百萬股）0/0 日均成交量（百萬股）6

2、 Table_PicQuote 歷史收益率曲線 Table_Trend漲跌幅（%）1M 3M 12M 絕對收益 8%-8%20%相對收益-1%-26%28%Table_Report 相關報告 晶盛機電（300316）：“設備+材料”雙重驅動，業績保持高速增長-20221031 晶盛機電（300316）：業績符合預期，半導體設備打開成長新曲線-20220505 TOPCon 搶跑領銜 N 型放量，經濟效益先行 -20221027 Table_Author 證券分析師：劉軍證券分析師：劉軍 執業證書編號：S0550516090002 021-20361113 Table_Title 證券研究報告/

3、公司深度報告 長晶龍頭蛻變正當時長晶龍頭蛻變正當時，碳化硅碳化硅漸入收獲期漸入收獲期 報報告摘要：告摘要：Table_Summary 光伏鑄造業績基石，光伏鑄造業績基石，N 型型 210 或迎結構性增長或迎結構性增長。目前光伏仍為公司重要發展領域。硅料硅片環節的產能過?？赡軒硗顿Y周期下行，但是我們認為(1)1600 單晶爐滲透率較低。單晶爐滲透率較低。210 組件具有高功率高功率和低低 BOS 成本等成本等優勢優勢。為了更好生產 210 尺寸硅片需要 1600 爐徑的單晶爐，而目前全市全市場場 1600 設備僅對應約設備僅對應約 200GW 產能產能。國內 1600 單晶爐供應商僅三到四家，

4、公司作為龍頭企業滲透率有望進一步提升。(2)高額在手訂單為公司高額在手訂單為公司鑄造較高的安全邊際鑄造較高的安全邊際，截止 2022Q3 公司未完成晶體生長設備及智能化加工設備合同總計 237.90 億元。N 型替代 P 型對硅片質量提出更高的要求，對高質量大爐徑單晶爐需求上升，有效提升訂單轉化率。泛泛半導體設備平臺化發展，半導體設備平臺化發展，碳化硅碳化硅設備放量在即設備放量在即。晶體生長技術為敲門磚，利用技術互通性將長晶技術從硅拓展至藍寶石、碳化硅(第三代)和金剛石(第四代)。光伏領域，光伏領域，核心布局長晶切片，向后道延伸組件疊瓦設備；半導體領域，半導體領域，在 8-12 英寸大硅片長晶

5、、切片、拋光和 CVD 等設備完成全部國產替代，開發 12 英寸雙軸減薄機進軍封裝端，并在先進制程領域開發外延和 LPCVD 等設備。功率半導體領域功率半導體領域，完成 SIC 的長晶、切片、拋光和外延設備開發，成功生長行業領先的 8 英寸 N 型 SIC 晶體，雙片式 SIC 外延設備蓄勢待發，助力國產碳化硅規?；慨a。關鍵關鍵材料業務集中釋放，材料業務集中釋放，提前提前布局石英坩堝布局石英坩堝+金剛線金剛線+碳化硅襯底產能。碳化硅襯底產能。(1)石英坩堝石英坩堝：公司 2017 年布局石英坩堝，石英坩堝供需偏緊有望迎來量價齊升，一期年產 4.8 萬只產能已于 2022 年 5 月投產；(2

6、)金剛線：金剛線：布局新一代差異化金剛線并于 2022 年 11 月投產，目前通過環評的金剛線規劃項目合計年產 3600 萬公里，有望在 2023 年開始貢獻業績。(3)碳化碳化硅襯底硅襯底:生產項目落地銀川，與客戶達成采購意向。領先布局為公司打造了強勁的材料業務增長極，有望集中在 2023 年釋放。投資評級投資評級：預計公司 2022-2024 年凈利潤分別為 29.29 億，39.49 億和47.88 億，對應 PE 分別為 31x、23x、19x，上調給予“買入”評級。風險提示：風險提示：硅片擴產不及預期；訂單交付不及預期 Table_Finance財務摘要（百萬元）財務摘要（百萬元）2

7、020A 2021A 2022E 2023E 2024E 營業收入營業收入 3,811 5,961 10,951 14,975 18,585(+/-)%22.54%56.44%83.70%36.74%24.11%歸屬母公司歸屬母公司凈利潤凈利潤 858 1,712 2,929 3,949 4,788(+/-)%34.64%99.46%71.10%34.82%21.26%每股收益（元）每股收益（元）0.67 1.33 2.24 3.02 3.66 市盈率市盈率 44.90 52.26 30.73 22.79 18.79 市凈率市凈率 7.38 13.08 8.29 6.25 4.79 凈資產收益

8、率凈資產收益率(%)17.48%28.47%26.97%27.40%25.50%股息收益率股息收益率(%)0.20%0.41%0.44%0.47%0.48%總股本總股本(百萬股百萬股)1,286 1,286 1,309 1,309 1,309-40%-20%0%20%40%60%2022/22022/52022/82022/11晶盛機電滬深300 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 2/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 目目 錄錄 1.公司概況：國內長晶設備龍頭，材料公司概況：國內長晶設備龍頭，材料+設備雙輪驅動設備雙輪驅動.5 1.1.股權結構穩定，積極推動員工

9、持股計劃股權結構穩定，積極推動員工持股計劃.5 1.2.發發展歷史展歷史:深耕長晶技術研發應用，厚積薄發助力半導體自主可控深耕長晶技術研發應用，厚積薄發助力半導體自主可控.7 1.3.高研發投入，打通長晶技術多領域協同應用高研發投入，打通長晶技術多領域協同應用.9 1.4.業績穩定增長，在手訂單確定未來業績業績穩定增長，在手訂單確定未來業績.12 2.光伏：核心布局長晶切片，向后道延伸打造平臺化設備供應光伏：核心布局長晶切片，向后道延伸打造平臺化設備供應.14 2.1.行業趨勢：硅料進入下行預期，大尺寸滲透率有望持續提升行業趨勢：硅料進入下行預期，大尺寸滲透率有望持續提升.14 2.1.1.N

10、 型漸成主流，大尺寸型漸成主流，大尺寸+薄片化趨勢明顯薄片化趨勢明顯.14 2.1.2.公司核心布局長晶切片環節，大尺寸滲透值得期待公司核心布局長晶切片環節，大尺寸滲透值得期待.16 2.2.長晶環節布局：大尺寸兼容優勢明顯，石英坩堝有望量價齊升長晶環節布局：大尺寸兼容優勢明顯，石英坩堝有望量價齊升.18 2.2.1.設備端：單晶爐龍頭企業，迭代升級新產品提升競爭力設備端：單晶爐龍頭企業，迭代升級新產品提升競爭力.18 2.2.2.材料端：石英坩堝供需缺口日漸明顯，領先布局收獲可期材料端：石英坩堝供需缺口日漸明顯，領先布局收獲可期.23 2.3.切片環節：布局金剛線切片機，新一代金剛線耗材投產

11、切片環節：布局金剛線切片機，新一代金剛線耗材投產.28 2.3.1.設備端：金剛線切片機不斷突破，出貨量超千臺設備端：金剛線切片機不斷突破，出貨量超千臺.28 2.3.2.材料端：新一代金剛線產品投產，差異化設計值得期待材料端：新一代金剛線產品投產，差異化設計值得期待.30 2.4.光伏硅片設備市場空間測算光伏硅片設備市場空間測算.33 3.半導體自主可控需求旺盛，持續創新為核心競爭力半導體自主可控需求旺盛，持續創新為核心競爭力.34 3.1.行業趨勢：晶圓廠持續擴產，行業趨勢：晶圓廠持續擴產，12 英寸大硅片產能存在缺口英寸大硅片產能存在缺口.34 3.2.前道硅片設備多環節打通，大尺寸確立

12、設備領先性前道硅片設備多環節打通，大尺寸確立設備領先性.37 3.3.創新突破：擴產減薄拋光設備，創新突破：擴產減薄拋光設備，12 英寸雙軸減薄機蓄勢待發英寸雙軸減薄機蓄勢待發.40 3.4.碳化硅：第三代半導體材料，聚焦前沿技術領域碳化硅：第三代半導體材料，聚焦前沿技術領域.41 3.4.1.行業：功率器件下游應用逐漸成熟行業：功率器件下游應用逐漸成熟.41 3.4.2.公司布局：擬發布公司布局：擬發布 6 英寸雙片式外延設備，襯底晶片達產采購意向英寸雙片式外延設備，襯底晶片達產采購意向.47 4.藍寶石：掌握領先生長技術，逐步爬坡開啟放量藍寶石：掌握領先生長技術，逐步爬坡開啟放量.49 5

13、.盈盈利預測和投資評級利預測和投資評級.51 6.風險提示風險提示.52 圖表目錄圖表目錄 圖圖 1：公司股權結構圖：公司股權結構圖.5 圖圖 2：公司發展歷史：公司發展歷史.7 圖圖 3：公司主要業務線：公司主要業務線.8 圖圖 4：研發費用：研發費用.9 圖圖 5：公司專利數量：公司專利數量.9 圖圖 6：公司晶體生長設備布局：公司晶體生長設備布局.10 圖圖 7：晶體生長設備與熱場模擬：晶體生長設備與熱場模擬.10 kUiXtVoYgY9YaVaXuZeX7NcM8OnPmMpNnOfQrRtReRnNoQ8OnNwPxNqQmPxNqNpM 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后

14、的聲明及說明 3/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 8：公司營業收入：公司營業收入.12 圖圖 9：公司歸母凈利潤：公司歸母凈利潤.12 圖圖 10：公司費用率：公司費用率.12 圖圖 11：公司毛利率和凈利率：公司毛利率和凈利率.12 圖圖 12：季末未完成晶體生長及智能價格設備合同：季末未完成晶體生長及智能價格設備合同(億元億元).13 圖圖 13：不同技術路線的電池片主流厚度變化：不同技術路線的電池片主流厚度變化(m).14 圖圖 14：主流電池片尺寸變化：主流電池片尺寸變化.15 圖圖 15：2020-2025 硅片尺寸產能占比趨勢硅片尺寸產能占比趨勢.15 圖圖 16：

15、2020-2025 電池片尺寸產能占比趨勢電池片尺寸產能占比趨勢.15 圖圖 17：光伏組件制備流程：光伏組件制備流程.16 圖圖 18：公司光伏設備布局：公司光伏設備布局.17 圖圖 19：區熔法：區熔法.18 圖圖 20：直拉法：直拉法.18 圖圖 21：單晶爐業務收入對比：單晶爐業務收入對比(萬元萬元).20 圖圖 22：主要單晶爐企業毛利率對比：主要單晶爐企業毛利率對比.20 圖圖 23：晶盛機電第五代單晶爐：晶盛機電第五代單晶爐.20 圖圖 24：公司第五代單晶：公司第五代單晶爐設計圖爐設計圖.21 圖圖 25：石英坩堝產業鏈圖：石英坩堝產業鏈圖.23 圖圖 26：石英坩堝示意圖：石

16、英坩堝示意圖.24 圖圖 27：石英坩堝成本構成：石英坩堝成本構成.24 圖圖 28：石英坩堝高純石英砂價格：石英坩堝高純石英砂價格.24 圖圖 29：寧夏鑫晶石英坩：寧夏鑫晶石英坩堝項目簽約堝項目簽約.25 圖圖 30：寧夏鑫晶石英坩堝擴產項目簽約：寧夏鑫晶石英坩堝擴產項目簽約.25 圖圖 31：傳統砂漿切割原理示意圖：傳統砂漿切割原理示意圖.28 圖圖 32：金剛線切割原理示意圖：金剛線切割原理示意圖.28 圖圖 33：公司金剛線切割設備布局：公司金剛線切割設備布局.29 圖圖 34：金剛線產業鏈圖：金剛線產業鏈圖.30 圖圖 35：金剛線縱向截面圖：金剛線縱向截面圖.30 圖圖 36：金

17、剛線橫向截面圖：金剛線橫向截面圖.30 圖圖 37：M10 和和 G12 A 品率品率.31 圖圖 38：M10 和和 G12 線徑線徑(m).31 圖圖 39：公司金剛線：公司金剛線產品產品.31 圖圖 40：公司金剛線生產車間：公司金剛線生產車間.31 圖圖 41：金剛線市場供應能力：金剛線市場供應能力.32 圖圖 42：光伏硅片設備市場空間測算：光伏硅片設備市場空間測算.33 圖圖 43：全球半導體硅片平均售價（美元：全球半導體硅片平均售價（美元/平方英寸）平方英寸）.34 圖圖 44：全球硅片出貨量：全球硅片出貨量(百萬平方英寸百萬平方英寸).34 圖圖 45：全球半導體硅片市場規模：

18、全球半導體硅片市場規模(億美元億美元).34 圖圖 46：全球半導體設備市場規模：全球半導體設備市場規模(億美元億美元).34 圖圖 47：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比(%).35 圖圖 48：半導體硅片生產流程：半導體硅片生產流程.37 圖圖 49：公司半導體設備布局：公司半導體設備布局.37 圖圖 50：有載片磨削減薄工藝流程：有載片磨削減薄工藝流程.40 圖圖 51：公司減薄拋光產品布局：公司減薄拋光產品布局.40 圖圖 52：碳化硅產業鏈圖：碳化硅產業鏈圖.41 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 4/55 晶盛機電晶盛機

19、電/公司深度公司深度 圖圖 53：半絕緣型碳化硅襯底：半絕緣型碳化硅襯底.41 圖圖 54：導電型碳化硅襯底：導電型碳化硅襯底.41 圖圖 55：同規格碳化硅器件與硅器件電阻對比：同規格碳化硅器件與硅器件電阻對比.42 圖圖 56：碳化硅器件與硅器件能量損失對比：碳化硅器件與硅器件能量損失對比.42 圖圖 57：碳化硅生產流程：碳化硅生產流程.43 圖圖 58：功率半導體器件成本占比：功率半導體器件成本占比.45 圖圖 59：2021 年碳化硅競爭格局年碳化硅競爭格局.45 圖圖 60：碳化硅新能源下游應用：碳化硅新能源下游應用.45 圖圖 61：主流碳化硅企業時間進度：主流碳化硅企業時間進度

20、.47 圖圖 62：公司：公司 6 英寸碳化硅生長爐英寸碳化硅生長爐.47 圖圖 63：公司碳化硅晶片產品圖：公司碳化硅晶片產品圖.47 圖圖 64：公司碳化硅業務發展歷史：公司碳化硅業務發展歷史.48 圖圖 65：公司外延及爐管布局：公司外延及爐管布局.48 圖圖 66：公司：公司 8 英寸英寸 N 型碳化硅晶體型碳化硅晶體.48 圖圖 67：公司藍寶石業務發展歷史：公司藍寶石業務發展歷史.49 圖圖 68：GaN-LED 外延片產量外延片產量(4 英寸，萬片英寸，萬片).49 圖圖 69：2021 年藍寶石下游應用年藍寶石下游應用.49 圖圖 70：2021-2024E 公司收入拆分公司收

21、入拆分(億元億元).51 表表 1：持股計劃名單及份額分配情況：持股計劃名單及份額分配情況.5 表表 2：員工持股計劃：員工持股計劃.6 表表 3：公司定增募集資金使用計劃：公司定增募集資金使用計劃(萬萬元元).6 表表 4：公司晶體生長技術及應用產品：公司晶體生長技術及應用產品.9 表表 5：不同晶體生長方式技術對比：不同晶體生長方式技術對比.11 表表 6：晶體生長設備的關聯性：晶體生長設備的關聯性.11 表表 7：光伏硅片生產流程及對應工藝設備：光伏硅片生產流程及對應工藝設備.16 表表 8：單晶拉棒：單晶拉棒工序工序.19 表表 9：直拉單晶技術規格：直拉單晶技術規格.19 表表 10

22、：單晶爐供應商：單晶爐供應商.22 表表 11：石英坩堝關鍵參數：石英坩堝關鍵參數.23 表表 12：石英砂耗量：石英砂耗量.24 表表 13：公司石英坩堝項目進度：公司石英坩堝項目進度.25 表表 14：石英坩堝產品細分領域主要企業：石英坩堝產品細分領域主要企業.27 表表 15：切割方式對比：切割方式對比.28 表表 16：公司金剛線項目：公司金剛線項目.31 表表 17：國內：國內 12 英寸半導體硅片產能英寸半導體硅片產能(不完全統計不完全統計).35 表表 18：半導體硅片制備及其下游領域：半導體硅片制備及其下游領域.36 表表 19：半導體級單晶爐參數對比：半導體級單晶爐參數對比.

23、38 表表 20：半導體單晶爐競爭情況：半導體單晶爐競爭情況.39 表表 21：第三代半導體材料參數對比：第三代半導體材料參數對比.42 表表 22：不同碳化硅單晶生長方式示意圖：不同碳化硅單晶生長方式示意圖.43 表表 23：國產碳化硅外延設備供應商：國產碳化硅外延設備供應商.44 表表 24：國內碳化硅材料廠商產能情況：國內碳化硅材料廠商產能情況(不完全統計不完全統計).46 表表 25：公司藍寶石產品圖：公司藍寶石產品圖.50 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 5/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 1.公司概況：公司概況：國內長晶設備龍頭國內長晶設備龍頭，

24、材料材料+設備雙輪驅動設備雙輪驅動 1.1.股權結構穩定，股權結構穩定，積極積極推動員工持股計劃推動員工持股計劃 圖圖 1：公司股權結構圖：公司股權結構圖 數據來源：iFinD,東北證券(截止 2023 年 1 月 11 日)公司股權結構穩定。公司股權結構穩定。曹建偉先生、邱敏秀女士直接持有公司 5.64%的股份，通過紹興上虞晶盛投資管理咨詢有限公司持有公司 47.46%的股份，合計直接及間接持有本公司 53.1%的股份，為公司實際控制人。何俊先生與何潔女士為實際控制人的一致行動人。表表 1：持股計劃名單及份額分配情況：持股計劃名單及份額分配情況 持有人持有人 職務職務 擬認購份額上限擬認購份

25、額上限(萬份萬份)擬認購份額占本員工持股計劃總份擬認購份額占本員工持股計劃總份額的比例額的比例 傅林堅 運營副總裁 684.9600 13.70%朱亮 董事、副總裁 342.4800 6.85%毛全林 董事、副總裁 114.1600 2.28%陸曉雯 副總裁、董事會秘書、財務總監 114.1600 2.28%張俊 副總裁 114.1600 2.28%石剛 副總裁 28.5400 0.57%核心技術/業務/管理人員(共 235 人)3,399.1140 67.96%預留 203.7471 4.07%合計合計 5,001.3211 100%數據來源：公司公告，東北證券 核心技術人員占據核心技術人員

26、占據主要份額主要份額，人才技術仍為重點。，人才技術仍為重點。公司 2022 年 9 月 15 日發布員工持股計劃，本次持有人認購持股計劃份額為不超過 4,797.5740 萬份，占本員工持股計劃比例上限為 95.93%；預留認購持股計劃份額為不超過 203.7471 萬份，占本員工持股計劃比例上限為 4.07%。本持股計劃持股規模不超過 175.2390 萬股，約占本員工持股計劃草案公告日公司股本總額 130,782.8097 萬股的 0.1340%。解鎖期，解鎖期，本持股計劃本次所獲標的股票分兩期解鎖，鎖定期分別為 12 個月、24 個月。業績考核目標：第一個解鎖期，第一個解鎖期，以 202

27、1 年凈利潤為基數，2022 年凈利潤增長率不低于 50.00%；第二個解鎖期第二個解鎖期，以 2021 年凈利潤為基數，2023 年凈利潤增長率不低于 70.00%。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 6/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 2：員工持股計劃：員工持股計劃考核目標考核目標 解鎖期解鎖期 業績考核目標業績考核目標 第一個解鎖期第一個解鎖期 以 2021 年凈利潤為基數，2022 年凈利潤增長率不低于 50.00%。第二個解鎖期第二個解鎖期 以 2021 年凈利潤為基數，2023 年凈利潤增長率不低于 70.00%。數據來源：公司公告，東北證券

28、定增募資完善半導體產業鏈布局定增募資完善半導體產業鏈布局。2022 年 7 月公司新增股份上市，公司擬投入 7.5億用于建設 12 英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目，半導體行業技術迭代較快，對每個環節材料的參數和工藝性能的驗證，較大程度依賴于下游客戶，實驗線的建設將對公司設備研發生產形成積極影響；5 億元用于建設半導體拋光和減薄設半導體拋光和減薄設備產能備產能，項目設計年產 35 臺半導體材料減薄設備、年產 45 臺套半導體材料拋光設備，解決產能瓶頸，助力國產半導體設備自主可控。表表 3：公司定增募集資金使用公司定增募集資金使用計劃計劃(萬元萬元)項目名

29、稱項目名稱 投資總額投資總額 擬投入募集資金金額擬投入募集資金金額 12 英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目英寸集成電路大硅片設備測試實驗線項目 75,000.00 56,370.00 年產年產 80 臺套半導體材料拋光及減薄設備生產制造項目臺套半導體材料拋光及減薄設備生產制造項目 50,000.00 43,210.00 補充流動資金補充流動資金 42,420.00 42,420.00 合計合計 167,420.00 142,000.00 數據來源：晶盛機電向特定對象發行股票募集說明書（注冊稿），東北證券 .請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 7/55 晶盛機電晶盛機電

30、/公司深度公司深度 1.2.發展歷史發展歷史:深耕長晶技術研發應用深耕長晶技術研發應用，厚積薄發，厚積薄發助力助力半導體自主可控半導體自主可控 圖圖 2：公司發展：公司發展歷史歷史 數據來源：晶盛機電，東北證券 “設備設備+材料材料”雙輪驅動雙輪驅動，平臺化布局，平臺化布局硅硅+碳化硅碳化硅+藍寶石三大藍寶石三大業務業務。公司專注于“先進材料、先進裝備”的高新技術企業，圍繞碳硅、碳化硅、藍寶石三大主線，針對長晶、切片、拋光、外延等多個核心環節進行設備研發，并逐步延伸到相應材料領域。公司依托單晶爐業務開啟高速成長之路，并針對關鍵耗材提前布局切入雙軌經營模式，持續投入研發保持設備領先性，對碳化硅業

31、務完成設備+材料雙重布局。設備設備端端，公司在光伏光伏和集成電路集成電路領域等泛半導體領域持續研發關鍵設備，主要包括全自動晶體生長設備（直拉單晶生長爐/區熔單晶爐）、晶體加工設備（單晶硅滾磨機、截斷機、開方機、金剛線切片機等）、晶片加工設備（晶片研磨機、減薄機、拋光機）、CVD 設備（外延設備、LPCVD 設備等）、疊瓦組件設備等。同時在半導體領域，公司成功研發 12 英寸雙軸減薄機，深耕國產半導體設備自主可控；在碳在碳化硅化硅領域領域，公司目前產品主要有碳化硅的長晶、拋光、外延設備，同時實現碳化硅外延設備批量出貨；在藍寶石領域在藍寶石領域，公司具備 LED 照明襯底材料和窗口材料所需的藍寶石

32、晶錠、晶棒和晶片的生產能力。公司設備產品主要應用于集成電路、太陽能光伏、工業 4.0 等多個領域。材料端，材料端，公司在光伏領域光伏領域圍繞石英坩堝、金剛線等關鍵耗材，積極布局產能。近年來在不斷保持設備領先性的優勢下，公司在上下游相關領域積極研發。包括研發合成砂石英坩堝、新一代金剛線等產品，實現差異化創新。在藍寶石領域在藍寶石領域，公司大尺寸藍寶石晶體生長工藝和技術已達到國際領先水平，目前已成功生長出全球領先的700kg 級藍寶石晶體，并實現 300kg 級及以上藍寶石晶體的規?；慨a；在碳化硅在碳化硅 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 8/55 晶盛機電晶盛機電/公司

33、深度公司深度 領領域域，2022 年 8 月 12 日，公司通過自有籽晶經過多輪擴徑，成功生長出 8 英寸 N 型碳化硅晶體，解決了 8 英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均，晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，破解了碳化硅器件成本中襯底材料占比過高的難題，為大尺寸碳化硅襯底的廣泛應用打下基礎。首顆 8 英寸 N 型碳化硅晶體晶坯厚度 25mm，直徑 214mm，標志著公司碳化硅產品步入 8 英寸時代，目前碳化硅主流應用仍為 6英寸，8 英寸尚未形成產業化，標志著公司具有“設備+材料”的雙重優勢。同時，公司建立 SiC 長晶和加工中試線，實驗線產品已通過下游部分客戶驗證助力第三代半導體材料國產化進程

34、。圖圖 3：公司主要業務線：公司主要業務線 數據來源：晶盛機電，政府公告，新聞整理，東北證券測算(注：公司石英坩堝和金剛線規劃來自新聞/政府公告整理)請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 9/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 1.3.高研發高研發投入投入，打通長晶技術多領域，打通長晶技術多領域協同協同應用應用 圖圖 4：研發費用研發費用 圖圖 5：公司專利數公司專利數量量 數據來源：Wind,東北證券 數據來源：晶盛機電，東北證券 研發費用持續提升研發費用持續提升，科技創新為第一驅動力科技創新為第一驅動力。公司持續投入研發，2022 年以來已經累計投入研發 5.1

35、億元。目前已建設 6 英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環節的研發實驗線，研發產品已通過下游部分客戶驗證，通過加強技術創新和工藝積累，縮短與國外廠商的差距。公司內部建立了 4 個研發中心，其中 1 個海外研發中心，9個專業研究所，2 個專業研發部和 2 個專業實驗室。2021 年公司研發投入 35,357.84萬元，占營業收入比例為 5.93%，相較 2020 年同比增長 55.65%。2021 年公司新增獲授權的專利 72 項，其中發明專利 9 項。截止 2021 年 12 月 31 日，公司及下屬子公司共有有效專利 512 項，其中發明專利 66 項。表表 4：公司晶體生長技術及應用產品公司晶

36、體生長技術及應用產品 技術名稱技術名稱 技術來源技術來源 是否形成專利是否形成專利 應用產品應用產品 基基于于 VG 理論的直拉硅單晶體內缺陷控制技術理論的直拉硅單晶體內缺陷控制技術 自主研發自主研發 是 TDR 系列全自動晶體生長爐 硅單晶內極低氧含量精確控制的濕式菱形橫向硅單晶內極低氧含量精確控制的濕式菱形橫向 超導磁場技術超導磁場技術 自主研發自主研發 是 硅單晶生長過程的在線監測和實時控制方法硅單晶生長過程的在線監測和實時控制方法 自主研發自主研發 是 基于工業總線技術的單晶硅生長爐數字化平臺基于工業總線技術的單晶硅生長爐數字化平臺 等核心技術等核心技術 自主研發自主研發 是 無間隙穩

37、定正反轉的下軸運動機構無間隙穩定正反轉的下軸運動機構 自主研發自主研發 是 FZ 系列區熔硅單晶爐 高精密單晶雙夾持裝置高精密單晶雙夾持裝置 自主研發自主研發 是 適應適應 8 英寸硅單晶生長的區熔熱場技術英寸硅單晶生長的區熔熱場技術 自主研發自主研發 是 頂側分開控制的多晶硅鑄錠爐加熱裝置技術頂側分開控制的多晶硅鑄錠爐加熱裝置技術 自主研發自主研發 是 高效節能氣致 冷多晶硅鑄錠 爐 氣冷式多晶硅鑄錠爐新型閉式冷卻系統技術氣冷式多晶硅鑄錠爐新型閉式冷卻系統技術 自主研發自主研發 是 垂直定向生長隨動隔熱環結構技術等核心技術垂直定向生長隨動隔熱環結構技術等核心技術 自主研發自主研發 是 數據來

38、源：公司公告，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 10/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 6：公司晶體生長設備布局公司晶體生長設備布局 圖圖 7：晶體生長設備與熱場模擬晶體生長設備與熱場模擬 數據來源：公司官網,東北證券 數據來源：半導體材料行業分會,東北證券 公司為公司為晶體生長設備龍頭晶體生長設備龍頭，深耕產業鏈多元發展深耕產業鏈多元發展。公司憑借多年對缺陷原理的理解和應用，將晶體生長設備擴展到光伏、半導體、藍寶石和碳化硅三大領域。在晶體生長方面，由于碳化硅晶體采用物理氣相傳輸（PVT）的生長方法，具有以下特點：1）碳化硅需要在高溫（2,100

39、-2,300）、真空環境中生長，相比硅晶體和藍寶石晶體生長材料的生長溫度更高，對溫場穩定性的要求更高；2）高溫下碳化硅原料為非同比例升華，坩堝內部的硅碳比控制也是晶體生長的關鍵；3）碳化硅存在 200 多種同質異構體，在密閉的高溫石墨坩堝中生長，無法即時觀察晶體的生長狀況，容易產生異質晶型，影響良率，因此長晶是碳化硅襯底制備的關鍵環節。在晶體生長工藝方面碳化硅晶體與硅單晶、藍寶石晶體的技術路線有所差異具體如下：碳化硅晶體生長碳化硅晶體生長-物理氣相傳輸(PVT)工藝：晶體生長是固體-氣體固體的物理過程；生長溫度一般在 2,200以上。坩堝底部的碳化硅原料在高溫下升華，氣體通過擴散和熱對流運輸到

40、在坩堝頂部的低溫籽晶處，重新凝聚為碳化硅晶體。晶體硅生長晶體硅生長-直拉法(CZ)工藝：晶體生長過程是固體-液體-固體的物理過程：將裝在 高純度石英坩堝中的硅料 加熱到 1,450以上熔化，然后將籽晶插入熔體表面 進行熔接，同時轉動籽晶，再反轉坩堝，籽晶緩慢向 上提升，經過引晶、放肩、轉肩、等徑生長、收尾等 過程，生長出單晶棒。藍寶石晶體生長藍寶石晶體生長-泡生法(KY)工藝：晶體生長過程是固體-液體-固體的物理過程：將氧化鋁原料放在坩堝中加熱至 2,050及以上，使籽晶接觸熔液，待籽晶穩定后緩慢向上拉升形成晶頸，通過精細的降溫緩慢冷卻形成晶錠。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲

41、明及說明 11/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 5：不同晶體生長方式技術對比不同晶體生長方式技術對比 產品類別產品類別 藍寶石單晶爐藍寶石單晶爐 半導體級單晶爐半導體級單晶爐 碳化硅單晶爐碳化硅單晶爐 晶體生長方式原理晶體生長方式原理 泡生法 直拉法(CZ 法)物理氣相傳輸法（PVT）晶體生長溫度晶體生長溫度 約 2,000 約 1,450 約 2,100-2,300 研發設計側重點研發設計側重點 晶體生長設備設計晶體生長設備設計 腔體冷卻、真空密封性、穩定性，精確可靠的稱重系統 結構強度，真空及測量系統的穩定性 極限真空度、真空漏率、高溫高壓控制、運行一致性 熱場設計熱場設計

42、 傳熱及熔體對流 氣體對流、恒定磁場環境下熔體洛倫茲 力對對流的影響、稀釋物質傳遞、化學反應 電磁加熱、升華與凝固、多孔介質傳熱與流動 傳動機構設計傳動機構設計 提拉機構的低速連續超高精度運轉、水平及對中調節、坩堝軸與晶軸的雙軸對中 晶軸轉動、晶軸升降、坩堝軸升降、坩堝軸旋轉的低速連續超高精度運轉、雙軸運動平穩連續性、雙軸對中 線圈升降機構的低速連續超高精度運轉、水平及對中調節 數據來源：晶升裝備，東北證券 晶體晶體生長技術具備關聯性生長技術具備關聯性，協同技術延伸至碳化硅等新領域協同技術延伸至碳化硅等新領域。公司憑借多年對長晶技術的積累和應用逐步推廣到碳化硅等全新領域。公司作為單晶爐龍頭已經

43、在光伏和半導體領域占據較高市場份額，依靠多年的技術積累拓展運用至藍寶石業務，目前正在穩定出貨。同時在 22 年的定增中移出了年產 40 萬片碳化硅計劃但是公司進軍碳化硅業務的大方向沒有變化，目前公司已成功生長出行業領先的 8 英寸碳化硅晶體。表表 6：晶體生長設備的關聯性：晶體生長設備的關聯性 基礎技術共性基礎技術共性 各類晶體生長設備技術關聯性各類晶體生長設備技術關聯性 晶體生長設備設計技術晶體生長設備設計技術 三類高溫真空設備設計及技術運用目標均為實現設備結構強度、真空密封性、冷卻性能等技術參數要求，在設計及技術原理、方法等方面具有共通價值及關聯性 熱場的設計與模擬技術熱場的設計與模擬技術

44、 三類高溫真空設備熱場的基礎物理場均主要為傳熱場和對流場，在熱場設計理念、溫度梯度的構建方式、熱場材料、熱場穩定性及解決方案等方面具有共通價值及關聯性 低速超高精度傳動機構低速超高精度傳動機構設計技術設計技術 三類高溫真空設備均包含多個運動輔助機構，通過協同運動實現晶體生長，對運動輔助機構的運轉速度、精度及連續穩定性均具有較高要求，在運動輔助機構設計及技術原理、方法等方面具有共通價值及關聯性 數據來源：晶升裝備，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 12/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 1.4.業績穩定增長，在手訂單確定未來業績業績穩定增長，在手訂單確定

45、未來業績 光伏光伏行業行業景氣景氣度有望延續度有望延續，業績穩定高增，業績穩定高增。2017-2021 年,公司營業收入由 19.49 億元增至 59.61 億元，歸母凈利潤由 3.87 億元增至 17.12 億元。2022 年前三季度，公司實現營業收入74.63億元，歸母凈利潤20.09億元，同比分別增加86.96%和80.92%。前三季度營收和凈利潤已超 21 年全年業績，主要原因受益于 2022 年以來下游硅料硅片廠的競爭性擴張。公司作為上游長晶設備龍頭廠商，充分受益此次擴產潮。圖圖 8：公司營業收入：公司營業收入 圖圖 9：公司歸母凈利潤：公司歸母凈利潤 數據來源：Wind,東北證券

46、數據來源：Wind,東北證券 費用管控良好費用管控良好，設備利潤率持續修復。，設備利潤率持續修復。公司為保持設備領先性，持續加大研發和設備投入，確保材料+設備雙重領先。除研發費用外，銷售費用、管理費用和財務費用基本維持在較低水平或下降趨勢，對于 2022 前三季度費用率分別為 0.43%，2.7%和-0.1%，對比 2021 年分別-0.08pct，-0.65pct 和+0.13pct。晶體生長設備毛利率相對較高，目前基本穩定在 40%左右，2018-2021 前三季度該業務毛利率分別為 43.62%、38.13%、40.52%、42.26%；智能化加工設備毛利率基本穩定在 37%左右，201

47、8-2021前三季度該業務毛利率分別為 37.85%、35.36%、37.10%、37.73%。后續設備收入口徑合并，2021 年及 2022H1 公司設備及其服務毛利率分別為 42.61%和 42.49%，維持在較高水平。圖圖 10：公司公司費用率費用率 圖圖 11：公司毛利率和凈利率：公司毛利率和凈利率 數據來源：Wind,東北證券 數據來源：Wind,東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 13/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 12：季末未完成晶體生長及智能價格設備合同：季末未完成晶體生長及智能價格設備合同(億元億元)數據來源：東北證券 在手訂

48、單持續增加，未來業績確定性高。在手訂單持續增加，未來業績確定性高。在下游客戶競爭性擴產趨勢下，公司訂單持續保持快速增長態勢，截至 2022 年 9 月 30 日，公司未完成晶體生長設備及智能化加工設備合同總計 237.90 億元，其中未完成半導體設備合同 24.6 億元。在手訂單量有效支撐公司未來的業績，公司作為國內長晶龍頭其設備具備領先性，在大尺寸熱場兼容性上具備優勢，疊加光伏大尺寸產能的結構性短缺，有望持續提升訂單轉化率。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 14/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.光伏光伏：核心布局長晶切片核心布局長晶切片，向向后道延伸后道

49、延伸打造打造平臺化平臺化設備供應設備供應 2.1.行業趨勢行業趨勢：硅料進入下行硅料進入下行預期預期，大，大尺寸尺寸滲透率滲透率有望持續提升有望持續提升 2.1.1.N 型漸成主流，大尺寸型漸成主流，大尺寸+薄片化趨勢明顯薄片化趨勢明顯 N 型電池漸成主流，型電池漸成主流，薄片化持續推進薄片化持續推進。目前 P-PERC 電池面臨效率天花板，效率進展已經放緩。在光伏硅片領域，2015 年以來單晶硅憑借更高的轉化效率優勢和不斷降低的成本優勢市占率不斷提升。在降本增效的核心邏輯下，光伏行業不斷開發和應用大尺寸硅片的趨勢，光伏硅片的尺寸從 20 世紀 80 年代的 100mm 增大到 2019年的

50、210mm，疊加高拉速、復投拉晶以及大熱場等新技術應用，設備持續迭代，使得光伏硅片成本不斷下降。目前，PERC 的主流厚度為 150 微米，TOPCON 為 140微米而 HJT 僅為 130 微米，并且向更低厚度進發。圖圖 13：不同技術路線的電池片主流厚度變化：不同技術路線的電池片主流厚度變化(m)數據來源：PVinfoLink,東北證券 大尺寸趨勢明顯，大尺寸趨勢明顯，182/210 滲透率快速提升滲透率快速提升。自 2018 年以來光伏尺寸持續上升，從2020 年主流的 166 發展到目前主流的 182 尺寸。硅片大尺寸化有助于帶來規?；兄诠杵?、電池片、組件產品和終端 BOS

51、等環節的成本攤薄。根據 TrendForce統計，2020 年 166 硅片產能占比約為 40.55%，而 182/210 合計占比不足 5%。但是2021 年兩者合計占比達到了約 49%，預計 2022 年 182 和 210 硅片產能占比已經高達 83%。182 及 210 已成為當前主流尺寸，其中 182 占比 50.86%而 210 占比僅為32.25%。我們認為在光伏大尺寸+薄片化的趨勢下，210 尺寸的滲透率有望迎來快速提升，成為新的主流尺寸。同樣，電池片作為硅片環節的直接下游，2022 年 182 及210 合計產能占比約為 82.51%，而 210 占比為 47.83%，仍然具

52、備發展潛力。1801801751701651601651551501501501501501501801801751701651601551501501401301301301301701701701601501501501501501401301301201202018201920202021H1 2021Q3 2021Q4 2022Q1 2022Q2 2022Q3 2022Q4 2023H1 2023H2 2024H22025P型硅片N型硅片-TOPConN型硅片-HJT 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 15/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 14：

53、主流電池片尺寸變化主流電池片尺寸變化 數據來源：CPIA,晶澳,東北證券 大尺寸大尺寸爐徑爐徑單晶爐單晶爐仍有仍有較高較高成長空間成長空間。通常情況下，M10 硅片需要拉制出 10 英寸的硅棒，對應于石英坩堝的尺寸為 30 英寸及以上，G12（210）硅片則需要 12 英寸硅棒，較好適配 12 英寸硅棒則需要 36 英寸以上的石英坩堝。兼容的石英坩堝尺寸又與單晶爐爐徑相關，目前老舊產能兼容極限為 182 產能，1400mm 爐型的單晶爐可以兼容 12 英寸拉棒，但是考慮效率良率，則需要 1600mm 爐型的單晶爐才能較好的生產210硅片。根據公開資料整理，當前全市場1600mm的單晶爐約對應2

54、00GW產能，若未來 210 成為主流尺寸，則硅片環節可能出現結構性短缺，同時老舊產能的升級也會帶來良率問題增加成本。市場上僅三到四家能提供 1600 單晶爐，同時公司作為龍頭企業，緊握中環等優質客戶資源，較早布局 1600 單晶爐同時提供完善的售后服務，因此在整體硅片投資額向下的情況下，有望繼續受益大尺寸需求提升。圖圖 15：2020-2025 硅片尺寸產能占比趨勢硅片尺寸產能占比趨勢 圖圖 16：2020-2025 電池片尺寸產能占比趨勢電池片尺寸產能占比趨勢 數據來源：TrendForce，東北證券 數據來源：TrendForce，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的

55、聲明及說明 16/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.1.2.公司核心布局長晶切片環節，大尺寸滲透值得期待公司核心布局長晶切片環節，大尺寸滲透值得期待 表表 7：光伏硅片生產流程及對應工藝設備：光伏硅片生產流程及對應工藝設備 工藝項目工藝項目 設備設備 工藝步驟工藝步驟 硅棒生產硅棒生產 直拉單晶 單晶硅生長爐 將硅料在長晶爐內高溫熔化，由籽晶引發單晶硅棒定向生長 多晶鑄錠 多晶硅鑄錠爐 硅料融化后順溫度梯度定向凝固，再經退火冷卻 截斷 截斷機 截斷硅棒，去掉兩段變徑區域 開方 開方機 切割大塊硅棒（硅錠），使其形成方棒 磨面倒角 滾磨一體機 砂輪磨削硅棒表面，并使硅片邊緣成光滑弧形

56、 切片 切片機 將硅棒（硅錠）切割成單晶/多晶硅片 清洗 脫膠插片清洗一體機 硅片清洗 分選、測試 檢測設備 硅片分選，檢驗硅片尺寸、厚度、表面質量等 數據來源：公司公告，東北證券 光伏硅片生產光伏硅片生產流程流程：拉晶、截斷、開方、磨面倒角、切片、清洗和分選測試。硅片制造屬于光伏上游環節，為電池片的前道工藝。該環節上公司產品產品覆蓋全自動單晶覆蓋全自動單晶爐、環線截斷機、環形金剛線開方機、滾圓磨面一體機、金剛線切片機爐、環線截斷機、環形金剛線開方機、滾圓磨面一體機、金剛線切片機和脫膠插片和脫膠插片清洗一體機清洗一體機等，協同客戶在行業內率先開發并批量銷售 G12 技術路線的單晶爐、智能化加工

57、設備、疊瓦自動化產線的廠商。圖圖 17：光伏組件制備流程：光伏組件制備流程 數據來源：晶盛機電，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 17/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 重點布局長晶和切片環節，重點布局長晶和切片環節，設備領先性為第一競爭力設備領先性為第一競爭力。長晶和切片環節涉及單晶爐和切片機設備，兩者價值量合計占硅片設備的 70%左右，為硅片端的核心設備。單單晶爐方面，晶爐方面，公司 2007 年出國國內首臺全自動直拉式單晶爐，目前全自動單晶爐系列產品被四部委評為國家重點新產品，并入選國家半導體器件專用設備領域企業標準“領跑者”榜單，具備設備領先性

58、。市占率方面，公司在除隆基外市場可達 90%，全市場占有率在 60%-70%左右，為該領域絕對的龍頭企業，目前單晶爐產品已累積下線 25000 臺。切片機方面，切片機方面，2020 年公司成功向市場批量供應新一代切片機，為國內第一款批量供應針對 G12 大尺寸的專用金剛線切片設備，具備高線速、高承載、高精度切割能力，目前累計出貨已超千臺。圖圖 18：公司光伏設備布局：公司光伏設備布局 數據來源：晶盛機電，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 18/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.2.長晶環節布局長晶環節布局：大尺寸兼容優勢明顯大尺寸兼容優勢明顯，石英

59、坩堝，石英坩堝有望量價齊升有望量價齊升 2.2.1.設備端：設備端：單晶爐龍頭企業，迭代升級新產品提升競爭力單晶爐龍頭企業，迭代升級新產品提升競爭力 圖圖 19：區熔法區熔法 圖圖 20：直拉法直拉法 數據來源：晶升裝備，東北證券 數據來源：晶升裝備，東北證券 直拉法為當前主流技術路線直拉法為當前主流技術路線，精密控制為核心壁壘，精密控制為核心壁壘。直拉法半導體級硅片制造對于晶體技術指標（微缺陷水平、金屬含量、氧含量等）具有極高的精密控制要求，晶體生長設備及生長工藝設計方案需完美實現與客戶技術指標需求的對應及匹配。由于晶體生長是一個復雜的多物理場強耦合系統，生長原理涉及多學科交叉，通常在高溫、

60、高真空及工藝氣氛狀態中運行，生長過程動態變化并時刻伴有復雜的物理作用及化學反應，為有效控制晶體技術指標，需對設備內的氣流、氣壓、晶體生長工藝參數（如籽晶及坩堝的轉速及拉晶速度等）、熱場溫度梯度、液面距、設備設計的合理性、真空密封性及傳動機構等多重因素精密控制，晶體生長技術壁壘較高。直拉法直拉法(CZ 法法)。直拉法為目前國際大尺寸硅片的主流生長技術路線，具有生長速度快、單爐產量高、晶體直觀可控、設備技術方案成熟等特點。為克服硅熔液對流對晶體生長過程帶來的不利影響，有效實現氧含量及微缺陷控制，通常采用外加強磁場的技術方案。工藝原理：工藝原理：將高純度的多晶硅在石英坩堝中進行高溫熔化，然后將單晶硅

61、籽晶插入 熔體中進行熔接，通過轉動籽晶和坩堝，經過引晶、縮頸、放肩和收尾等步驟形成單晶硅棒。區熔法區熔法(FZ 法法)。由于區熔法不需要坩堝，而是在氣氛或真空爐中進行，產品的純度更高，不易受氧、碳等雜質影響，因此區熔硅片常用做 IGBT 功率半導體器件的原材料。主要缺點為熔體與晶體界面復雜、成本較高，且受制于生長方法，制備大尺寸單晶硅棒難度較大，目前占市場份額較小。工藝原理：工藝原理：區熔法是利用熱能在多晶硅錠的一端產生熔區，熔接單晶籽晶，再通過調節溫度使得熔區緩慢向上移動，生長成晶向與籽晶相同的單晶硅棒，具體工藝分為水平區熔法和立式懸浮區熔法 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲

62、明及說明 19/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 8：單晶拉棒工序：單晶拉棒工序 工藝流程工藝流程 工藝簡介工藝簡介 熱場安裝熱場安裝 將單晶拉棒用的熱場部件按順序安裝到清理好的單晶爐內。配料配料 按照工藝要求，將多晶硅料和摻雜劑按一定比例進行配比。裝料裝料 將配好的多晶硅料和摻雜劑裝到石英坩堝內。吊料吊料 使用真空吸盤將裝好多晶硅料的石英坩堝吊入單晶爐熱場內。合爐合爐 封閉裝好多晶硅料和熱場的單晶爐腔室，完成合爐。抽真空抽真空 對單晶爐腔室進行抽真空，排除腔室內的空氣。檢漏檢漏 將單晶爐腔室抽空至極限，檢驗腔室是否存在漏氣現象。壓力化壓力化 拉晶過程是在負壓通氬氣保護的動態恒壓

63、狀態下運行，在開始加熱前需要檢驗各控制單元是否正常。熔料熔料 將石英坩堝內的塊狀多晶硅料加熱熔化至液態。二次加料二次加料 1.化料后坩堝內硅液僅有約坩堝容量的一半再添加多晶硅料至滿堝狀態；2.RCZ 工藝生產出一根單晶棒后，可繼續添加多晶硅料重復進行生產。籽晶熔接籽晶熔接 將軟軸懸掛的籽晶下降至接觸熔體液面。調溫調溫 將熔化后的硅液溫度逐漸調整至熔點并保持溫度。引晶引晶 排除籽晶熔接時晶體中產生的位錯。放肩放肩 晶體直徑逐漸增大至目標直徑。轉肩轉肩 放肩過程接近目標直徑時，通過控制拉棒速度將晶體直徑控制在目標直徑。等徑等徑 晶體保持在目標直徑，等待持續生長。收尾收尾 晶體生長至一定長度后逐漸縮

64、小晶體直徑，避免斷面直徑過大造成熱沖擊，使晶體產生位錯。冷卻提出冷卻提出 等晶體脫離液面、逐漸冷卻后，將晶體取出。停爐停爐 一個生產周期完結后，停止加熱，熱場逐漸冷卻。數據來源：美科股份，東北證券 單晶爐為長晶的核心設備單晶爐為長晶的核心設備，公司龍頭地位穩固，公司龍頭地位穩固。單晶爐通常在惰性氣體（氮氣、氦氣為主）環境中,用石墨加熱器將多晶硅等多晶材料熔化并通過直拉法生長無錯位單晶。單晶直徑在生長過程中可受到溫度，提拉速度與轉速，坩堝跟蹤速度與轉速，保護氣體的流速等因素的影響。其中溫度-主要決定能否成晶；速度-影響到晶體的內在質量；熱場的溫度分布-長晶缺陷及生長質量。因此熱場大小及溫度將直接

65、影響硅棒及硅片質量。公司公司光伏單晶爐光伏單晶爐領域龍頭地位穩固。領域龍頭地位穩固。目前單晶爐主要供應商包括晶盛機電、連城數控、北方華創、京運通等；新玩家包括奧特維(控股子公司松瓷機電)等?？蛻艚Y構來看，晶盛機電為隆基股份之外硅片企業最主要的單晶爐供應商，核心客戶為另一硅片龍頭中環股份，同時憑借設備領先性不斷提升在其他硅片企業市占率。表表 9：直拉單：直拉單晶技術規格晶技術規格 長晶尺寸長晶尺寸(英寸英寸)6 8 12 裝料量(kg)60 150 300 350 450 450 600 熱場尺寸(英寸)16 22-24 26-28 26-28 28-32 28-36 28-36 晶棒長度(mm

66、)1400 1750 3500 4200 5200 2600 3500 數據來源：光伏技術,東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 20/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 21：單晶爐業務單晶爐業務收入對比收入對比(萬元萬元)圖圖 22：主要單晶爐企業毛利率對比主要單晶爐企業毛利率對比 數據來源：各公司公告，東北證券(注：奧特維取當期已履行合同標的金額)數據來源：iFinD，東北證券 圖圖 23：晶盛機電第五代單晶爐晶盛機電第五代單晶爐 數據來源：晶盛機電，東北證券 公司單晶爐歷史沿革：公司單晶爐歷史沿革：第一代：全自動單晶爐第一代：全自動單晶爐。20

67、06 年，公司推出第一代全自動單晶爐；2007 年 4 月公司成功研制出國內首臺全自動直拉式單晶硅生長爐（TDR80A-ZJS 型）并銷售給有研硅股，打破長晶設備被國外企業壟斷的競爭格局；2008 年 3月公司成功研制出當時國內規格最大的全自動直拉式單晶硅生長爐（TDR120A-ZJS 型），結束了長期以來 12 英寸大規格單晶硅生長爐設備依賴國外進口的格局；第二第二代：高拉速代：高拉速+超級水冷套技術的單晶爐。超級水冷套技術的單晶爐。2009 年 9 月公司研制出應用水冷夾套技術的 TDR95A-ZJS 型單晶硅生長爐，該產品可顯著提高單晶硅生長速度、降低能耗。根據中國電子材料行業協會、中國

68、電子專用設備工業協會出具的科學技術成果鑒定證書，該產品能夠提高晶體生長速度 30%，縮短拉晶周期約 15%，降低拉晶單位能耗 20%左右；第三代：復投拉晶第三代：復投拉晶+大熱場技術單晶爐。大熱場技術單晶爐。2013 年公司研發出復投器+大熱場，開創第三代 RCZ 高產單晶爐；第四代：第四代：自動化自動化+智能化單晶爐。智能化單晶爐。硅片薄片化、大尺寸是光伏技術進一步發展的趨勢，公司推出了基于基于 G12 的第四代自動化、智能化技術的全自動單晶硅生長爐。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 21/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 24：公司：公司第五代單晶爐第

69、五代單晶爐設計圖設計圖 數據來源：晶盛機電，東北證券 2023 年即將發布：年即將發布：第五代單晶爐第五代單晶爐-開放性開放性+可編程線可編程線性性+自定自定義義工藝工藝平臺平臺（Software Defined Process,SDP）。SDP 是參照 SDN（Software Defined Network）提出的一種新型設備控制架構，其核心在于將控制層與數據業務層分離開來，從而實現了客戶工藝制程的靈活控制，為用戶制程的創新提供了良好的平臺。系統定義核心工藝模型和控制接口，用戶只需按模型接口即可實現定制開發。通過此平臺技術，客戶可以利用平臺的數據接口，將自己的特殊制程工藝制作成特定的模塊，

70、利用架構平臺調用，同時也可以實現造設備與用設備層面的特定分離，更好地推動客戶的個性發展。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 22/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 10：單晶爐供應商：單晶爐供應商 企業企業 所屬所屬 簡介簡介 晶盛機電晶盛機電 中國 國內領先的專注于“先進材料、先進裝備”的高新技術企業，以“打造半導體材料裝備領先企業，發展綠色智能高科技制造產業”為使命，圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料展開，在光伏產業鏈裝備取得了行業認可的技術和規模雙領先地位，全市場單晶爐占有率約 60%。京運通京運通 中國 成立于 2002 年公司產品包括單晶硅生

71、長爐、多晶硅鑄錠爐、區熔爐等光伏及半導體設備。單晶爐優先自供，2021 年公司生產的單晶爐設備多用于樂山一期 12GW 拉棒、切方項目的擴產所需。截至 2022 年 3 月，公司 2022 年高端裝備業務對外銷售軟軸全自動單晶爐及單晶生長控制系統的在手訂單總額約 6.5 億元 連城數控連城數控 中國 成立于 2007 年，公司主要產品包括單晶爐、線切設備、磨床、智能化生產線、電池片設備等。2013 年率先在國內批量交付光伏金剛線切片機；收購美國斯必克旗下凱克斯單晶爐事業部；2018 年世界首臺 24 英寸晶體生長爐在連城誕生、成功交付客戶；2019 年與隆基聯合研制 全球首臺 1600 mm

72、單晶爐 奧特維奧特維 中國 松瓷機電是無錫奧特維科技股份有限公司（股票代碼：688516）的控股子公司，主要從事光伏和半導體行業單晶爐、加料機設備的研發、制造、銷售及綜合性解決方案，其核心產品 SC-1600 大尺寸單晶爐及加料機，已取得晶澳晶科等知名企業訂單，并與晶科、宇澤等多家行業知名客戶達成合作。公司自產 OCZ 加料機能靈活匹配 SC-1600 單晶爐，單次投料量最大可達 700KG，產能提升 5%。天通股份天通股份 中國 公司于 2015 年以自有品牌生產銷售光伏單晶爐，按照“成熟一代、研制一代、儲備一代”的思路對太陽能光伏行業大尺寸、大投料量、高效單晶硅生長爐進行提前研發及配套長晶

73、工藝的技術儲備。公司在 2017 年推出了 SIF130 單晶爐，2018 年推出了 SIF140 單晶爐，2019 年推出了 SIF145單晶爐。2020 年新推出的 SIF160 單晶爐可實現工藝階段全自動晶體生長、多種提速方案、線運行時間最大化、復投技術運用、輔助工序的自動化控制在內的多種應用。S-Tech 韓國 成立于 1990 年，2008 年實現長晶商業化是世界領先的單晶爐設備供應商，2016 年進入中國半導體長晶設備市場。PVA TePla AG 德國 成立于 1991 年，是高度創新的真空系統的領先制造商，1999 年在德國成立了 Crystal Growing Systems

74、(CGS)專門為半導體行業建造單晶硅晶體制造系統；2004 年在中國與西安工業大學(TUX)合資成立了西安華德 CGS 有限公司；2005 年在北京開設服務銷售分公司進入中國市場。北方華創北方華創 中國 2001 年成立，主要從事半導體基礎產品的研發、生產、銷售和技術服務，主要產品為電子工藝裝備和電子元器件，是國內主流高端電子工藝裝備供應商。數據來源：各公司公告，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 23/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.2.2.材料端：石英坩堝供需缺口日漸明顯，領先布局收獲可期材料端：石英坩堝供需缺口日漸明顯，領先布局收獲可期 圖圖

75、 25：石英坩堝產業鏈圖：石英坩堝產業鏈圖 數據來源：歐晶科技招股書，東北證券 電弧法是制備石英坩堝的主流制備技術電弧法是制備石英坩堝的主流制備技術，坩堝呈現內外雙層結構。坩堝呈現內外雙層結構。石英坩堝是用來裝放多晶硅原料（工作中原料處于熔化狀態的硅液）的一次性石英器件，為單晶拉制以及單晶品質提供保障，是單晶拉制系統的關鍵輔料之一。早期的石英坩堝是全透明的結構，這種透明的結構容易導致不均勻的熱傳輸條件，增加晶棒生長的難度，且均勻的結構對高品質的高純石英砂需求較大，成本較高。目前主流電弧法制備的石英坩堝為半透明狀，有內外兩層結構，外層是高氣泡密度的區域，稱為氣泡復合層。氣泡復合層受熱較均勻，保溫

76、效果較好；內層是一層 3-5mm 的透明層，稱為氣泡空乏層。氣泡空乏層的存在使坩堝與溶液接觸區的氣泡密度降低，從而提高單晶生長的成功率及晶棒品質。表表 11：石英坩堝關鍵參數：石英坩堝關鍵參數 單晶發展方向單晶發展方向 坩堝綜合性能坩堝綜合性能 坩堝具體性能要求坩堝具體性能要求 大幅增加投料量，控制多根單晶大幅增加投料量，控制多根單晶棒棒 RCZ 復投料復投料/CCZ 連續性補料連續性補料 a）長壽命 坩堝核心性能-內表層低氣泡含量 坩堝次內表層氣泡抗生長能力 b）高強度 坩堝在拉晶溫度下的高粘度 c）大尺寸 各方面性能(尤其是內表層氣泡性能)滿足拉晶需求 整棒率、成晶率提升整棒率、成晶率提升

77、 d）內表層結構穩定性 坩堝核心性能-內表層低氣泡含量 高晶棒品質高晶棒品質(低少子壽命、低氧低少子壽命、低氧)e）高純度 內表層低雜志含量 低非硅成本低非硅成本 f）低造價 低成本石英砂和低加工成本 g）品質一致性 各方面性能保持長期的穩定性 數據來源：中國粉體網，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 24/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 26：石英坩堝示意圖：石英坩堝示意圖 圖圖 27：石英坩堝成本構成：石英坩堝成本構成 數據來源：晶盛機電，中國粉體網，東北證券 數據來源：中國粉體網，東北證券 高純石英砂為主要成本，石英坩堝有望迎來量價齊升高純

78、石英砂為主要成本，石英坩堝有望迎來量價齊升。雜質的引入對單晶性能和成品率構成直接的影響。目前高純石英砂分為低端（3N）、中端（4N）、高端（4N8）和超高純（5N2）。國際公認的高純石英砂以美國尤尼明公司 IOTA-CG 為標準。隨著硅片大幅擴產，高純石英砂供需偏緊價格不斷走高，同時大尺寸化加大了耗砂量。圖圖 28：石英坩堝高純石英砂價格：石英坩堝高純石英砂價格 數據來源：中粉資訊，東北證券 表表 12：石英砂耗量石英砂耗量(單位：公斤單位：公斤)單只石英坩堝單只石英坩堝的石英砂耗量的石英砂耗量 2021 年年 2020 年年 2019 年年 價格(元)耗用量 價格(元)耗用量 價格(元)耗用

79、量 進口砂 31.74 22.65 32.73 30.04 31.60 38.46 國產砂 18.91 33.35 18.81 11.19 19.39 0.30 反洗砂 15.50 1.61 13.47 3.97 9.10 0.50 石英砂合計石英砂合計 23.87 57.61 27.59 45.20 31.22 39.26 數據來源：歐晶科技，東北證券 高純石英砂,72%輔料,11%水電費,4%折舊,2%人工,7%其它,4%高純石英砂輔料水電費折舊人工其它 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 25/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 29：寧夏鑫晶石英坩堝項

80、目簽約：寧夏鑫晶石英坩堝項目簽約 圖圖 30：寧夏鑫晶石英坩堝擴產項目簽約：寧夏鑫晶石英坩堝擴產項目簽約 數據來源：新聞整理，東北證券 數據來源：新聞整理，東北證券 多點布局石英坩堝產能，多點布局石英坩堝產能，大尺寸坩堝大尺寸坩堝逐步逐步放量放量。公司自 2017 年開始分別在浙江紹興、內蒙包頭和寧夏銀川布局石英坩堝的研發與生產。當前公司石英坩堝重點布局集中在寧夏銀川，由控股子公司浙江美晶的全資子公司寧夏鑫晶新材料有限公司負責，寧夏鑫晶石英坩堝生產項目及擴產項目總計規劃 36 條石英坩堝生產線，均具備大尺寸石英坩堝生產能力，在當前時點，石英坩堝作為關鍵耗材供需偏緊，公司鎖定海外高質量石英砂保障

81、坩堝生產，隨著產能爬坡將成為公司全新業務增長極。表表 13：公司石英坩堝項目進度：公司石英坩堝項目進度 項目項目 進度進度 情況簡介情況簡介 寧夏鑫晶石英坩堝生產項目寧夏鑫晶石英坩堝生產項目(共共 2 期期)一期 22 年 5 月投產 二期 22 年 5 月簽約 2022 年 5 月 10 日上午，首批 40 英寸石英坩堝正式下線，標志著晶盛年產 16 萬只石英坩堝生產基地，一、一、二期配置二期配置 12 條生產線條生產線，均具備生產 2848 英寸石英坩堝能力。寧夏鑫晶石英坩堝擴產項目寧夏鑫晶石英坩堝擴產項目(共共 4 期期)一期 22 年 8 月簽約 總投資 5 億元，計劃建設計劃建設 2

82、4 條坩堝生產線條坩堝生產線。項目分四期建設，一期項目預計一期項目預計 2023 年年 6 月試投產月試投產，項目一期、二期達產后預計可實現年產值 10 億元以上。內蒙古鑫晶石英坩堝項目內蒙古鑫晶石英坩堝項目 投產 2021 年 3 月內蒙古鑫晶新材料公司成立，2021 年 9 月16 日首個坩堝下線，具備 28-40 英寸的石英坩堝生產能力 半導體級石英坩堝項目半導體級石英坩堝項目 2017 年項目啟動 2018 年批量銷售 2018 年公司投資的半導體級石英坩堝項目順利投產，填補了我國大尺寸半導體石英坩堝產業化空白，產品已經進入國內大型半導體硅片廠商供應鏈，規模穩步擴大。數據來源：公司公告

83、，新聞整理，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 26/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 31：內蒙古鑫晶內蒙古鑫晶坩堝坩堝下線下線 圖圖 32：公司石英坩堝產品圖公司石英坩堝產品圖 數據來源：晶盛機電，東北證券 數據來源：晶盛機電，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 27/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 14：石英坩堝產品細分領域主要企業石英坩堝產品細分領域主要企業 企業企業 所屬所屬 簡介簡介 江陰龍源江陰龍源 中國 江陰龍源石英制品有限公司成立于 2011 年，位于江蘇省江陰市周莊鎮，主營石英坩堝

84、、石英管、石英棒的制造、加工、銷售，石英制品的回收。江陰龍源目前是中環股份石英坩堝的供應商之一。寧夏晶隆寧夏晶隆 中國 寧夏晶隆石英有限公司成立于 2007 年，位于寧夏回族自治區中寧縣，主營業務為生產、銷售半導體級單晶硅石英坩堝，是隆基股份的石英坩堝供應商。歐晶科技歐晶科技 中國 主營業務一直為耐高溫石英制品的研發、生產和銷售，主要產品為石英坩堝。石英坩堝主要用于太陽能或半導體單晶拉制行業，是用來裝放多晶硅原料(工作中原料處于熔化狀態的硅液)的一次性石英器件 南通路博南通路博 中國 南通路博石英材料股份有限公司成立于 2009 年，位于中國江蘇海門工業園區，產品主要為各種類型的石英材料，產品

85、應用于半導體工業、光導纖維、化學工業、光學和光源工業。目前主要產品為太陽能用石英坩堝及半導體用石英坩堝。公司于 2015 年 6 月新三板掛牌上市，2017 年公司營業收入為 4,244.35 萬元。陽光硅谷電子科技陽光硅谷電子科技 中國 陽光硅谷電子科技有限公司成立于 2004 年，主要生產多晶硅、單晶硅棒、多晶硅片、單晶硅片、石英坩堝等，其中石英坩堝以 16-28 英寸為主，是晶澳太陽能有限公司的全資子公司。錦州佑鑫電子材料錦州佑鑫電子材料 中國 錦州佑鑫電子材料有限公司成立于 2004 年，位于錦州高新技術產業開發區工業園區。公司主要生產太陽能級和半導體級石英坩堝、工業坩堝、石英導流罩等

86、產品。錦州佑鑫是錦州陽光能源控股有限公司的主要供應商。寧夏富樂德寧夏富樂德 日本 寧夏富樂德石英材料有限公司成立于 2011 年，位于銀川經濟技術開發區，是日本磁性流體技術株式會社（FerrotecCorporation）在華投資全資子公司杭州大和熱磁電子有限公司的控股子公司。公司主要產品為單晶石英坩堝。邁圖高新材料集團邁圖高新材料集團 美國 總部位于美國康涅狄格州威爾頓市，是有機硅及其關聯產品的生產商、全球石英及陶瓷材料行業龍頭企業。MomentivePerformanceMaterials石英玻璃材料類業務以電熔工藝生產石英玻璃材料為主。HeraeusHolding 德國 HeraeusH

87、olding（德國賀利氏控股集團）成立于 1851 年，總部設在德國哈瑙市，是全球制造和加工石英玻璃公司中歷史最悠久的公司之一。德國賀利氏控股集團是一家活躍于全球的貴重金屬和科技集團公司，核心業務包括貴金屬、傳感器、生物材料與醫用產品、齒科產品、石英玻璃和特種光源等。該公司生產的石英產品主要服務于光通訊、半導體、光學等領域的高端運用。2019 年德國賀利氏控股集團營業收入為 224 億歐元。錦州億仕達石英新材料錦州億仕達石英新材料股份有限公司股份有限公司 中國 錦州億仕達石英新材料股份有限公司成立于 2009 年 7 月，座落在遼寧省錦州經濟技術開發區西海工業園區，主營業務為高性能石英玻璃材料

88、及制品的研發、生產及銷售，主要產品為高純度大尺寸石英材料，如方形石英錠、石英棒、大口徑石英管等，高品質不透明石英系列產品以及石英坩堝、紅外石英加熱燈等專用石英器件產品，產品廣泛應用于半導體、光通信、電光源、光伏、環保等各個領域。公司 2016 年 12 月掛牌新三板上市，2018 年營業收入為 1.46 億元。數據來源：各公司公告，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 28/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.3.切片環節：布局金剛線切片機，新一代金剛線耗材投產切片環節：布局金剛線切片機，新一代金剛線耗材投產 2.3.1.設備端：金剛線切片機不斷突破，出

89、貨量超千臺設備端：金剛線切片機不斷突破，出貨量超千臺 圖圖 33：傳統砂漿切割原理示意圖傳統砂漿切割原理示意圖 圖圖 34：金剛線切割原理示意圖金剛線切割原理示意圖 數據來源：高測股份，東北證券 數據來源：高測股份，東北證券 表表 15：切割方式對比：切割方式對比 對比項目對比項目 游離磨料砂漿切割游離磨料砂漿切割 固結磨料金剛線切割固結磨料金剛線切割 切割磨損切割磨損 磨料顆粒磨損約為 60m 金剛石顆粒磨損約為 20m 以切割硅材料為例，相同線徑下金剛線切割比砂漿切割硅料損耗更低，單位硅料的硅片產出增加 20%左右，且砂漿切割最細線徑約為 80m。切割速度切割速度 砂漿切片機線網速度約為

90、580-900m/min。金剛線切片機線網速度已達到 2,000m/min 以上。金剛線切割速度約為砂漿切割的 2-3 倍。輔料消耗輔料消耗 PEG 懸浮液，較難處理。水基切割液，較易處理。金剛線切割工藝更為環保。數據來源：高測股份，東北證券 金剛線切片機具備高線速優勢金剛線切片機具備高線速優勢。在硅片切割過程中，金剛線網的線速度在 4 秒內從靜止狀態加速至 2,400 米/分鐘（折合 144 公里/小時），并持續運行 30 秒后，再在 4 秒內減速至 0 米/分鐘；隨后反向加速至 2,400 米/分鐘，持續運行 30 秒后，再減速至 0 米/分鐘；金剛線網如上往返高速運動切割硅棒。對比砂漿切

91、割單位硅料產出增加約 20%，目前已經成為主流光伏硅片切割方式。金剛線切割設備布局逐步完善，切片技術協同應用多元領域金剛線切割設備布局逐步完善，切片技術協同應用多元領域。除開光伏領域的應用，金剛線切片機在藍寶石和半導體硅片等硬脆材料切割同樣具有重要意義。目前公司研發出了光伏硅、半導體硅、藍寶石三大領域的晶體切片設備，滿足 4 至 12 英寸多規格的高質量切片需求。同樣，對后續的截斷開方環節，公司也做了多元延伸積極布局了半導體環線截斷機、藍寶石多線開方機、藍寶石截斷機等，進一步完善平臺化布局。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 29/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度

92、 圖圖 35：公司：公司金剛線切割設備金剛線切割設備布局布局 數據來源：半導體材料行業分會，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 30/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.3.2.材料端：材料端：新一代金剛線產品投產，差異化設計值得期待新一代金剛線產品投產，差異化設計值得期待 圖圖 36：金剛線產業鏈圖：金剛線產業鏈圖 數據來源：美暢股份招股書，東北證券 金剛線金剛線位于光伏產業鏈上游位于光伏產業鏈上游。光伏產業鏈主要包括硅料、硅片、晶硅電池片、光伏組件、光伏發電系統 5 個環節。上游為硅料的采集、硅片的生產環節；中游為晶硅電池片、光伏組件的生產環節；下

93、游為光伏發電系統的集成與運營。其中，硅片切割是切片生產環節的主要工序，電鍍金剛石線（簡稱“金剛線”）可用于硅棒截斷、硅錠開方、硅片切割，其切割性能直接影響硅片的質量及光伏組件的光電轉換性能。電鍍電鍍金剛線為當前主流金剛線為當前主流，細線化推動鎢絲金剛線，細線化推動鎢絲金剛線。電鍍金剛石線是用電鍍的方法在鋼線基體上沉積一層金屬鎳，金屬鎳層內包裹有金剛石顆粒，使金剛石顆粒固結在鋼線基體上，從而制得的一種線形超硬材料切割工具。2021 年 H1 的金剛線母線主流直徑為 42-47m,目前已經下降到 36-40m,部分廠商引進鎢絲金剛線實現母線 32m 的金剛線切割。高碳鋼絲極限線徑約為 35m，隨著

94、硅片的進一步薄片化，金剛線細線化或將面臨瓶頸。而鎢絲鋼線具備高破斷拉力值、低電阻率和高耐腐蝕能力有效解決細徑化瓶頸但成本較高，后續有望通過規模效應降本放量。圖圖 37：金剛線：金剛線縱向縱向截面圖截面圖 圖圖 38：金剛線橫向截面圖金剛線橫向截面圖 數據來源：高測股份，東北證券 數據來源：高測股份，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 31/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 39：M10 和和 G12 A 品率品率 圖圖 40：M10 和和 G12 線徑線徑(m)數據來源：CPIA，晶澳，東北證券 數據來源：CPIA，晶澳，東北證券 公司公司新一代新

95、一代金剛線項目投產，金剛線項目投產，設備材料相結合助力價值最大化設備材料相結合助力價值最大化。目前光伏領域金剛線的主流線徑在 37-42m，對應 M10 和 G12 的 A 品率仍能保持在 90%以上，足以滿足現階段硅片廠生產并且細徑化的持續或將進一步打開降本空間。根據PVinfoLink 測算，182 硅片綜合耗線量約 3.5-4m/片，210 硅片綜合耗線量 4.8-5.3m/片，折合單瓦耗線量約為 0.46-0.53 米。預計到 2022 年末金剛線產能約為 33500 萬公里。2022 年 11 月公司新一代金剛線生產項目在上虞投產，同時公司金剛線切片機歷經兩次技術迭代升級，設備性能和

96、功能均得到大幅提升，結合自研的核心耗材金剛線產品，形成切片設備加核心耗材的綜合能力。表表 16：公司金剛線項目：公司金剛線項目 項目項目 環評環評進度進度 情況簡介情況簡介 浙江晶鈺年產浙江晶鈺年產 600 萬千米金剛線生產項目萬千米金剛線生產項目 2022 年 7 月通過 通過購置金剛線生產線、復繞機、鍍液處理系統等其它公用工程設備形成年產 600 萬千米生產能力 浙江晶鈺年產浙江晶鈺年產 3000 萬千米金剛線生產項目萬千米金剛線生產項目 2022 年 10 月通過 通過購置金剛線生產線、復繞機等設備，形成年產3000 萬千米金剛線生產能力 數據來源：公司公告，政府公告，東北證券 圖圖 4

97、1：公司金剛線產品：公司金剛線產品 圖圖 42：公司金剛線生產車間公司金剛線生產車間 數據來源：公司官網，東北證券 數據來源：公司官方公眾號，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 32/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 43：金剛線市場供應能力：金剛線市場供應能力 公司公司 20212021 末產能末產能(萬公里萬公里)20222022 末產能末產能(萬公里萬公里)20212021 銷量銷量(萬公里萬公里)美暢 7000 12000 4541 高測 1500 3000 829 恒星科技 1200 4600 806 岱勒 1200 3600 336(含

98、部分粗線)三超 720 1200 262(含部分粗線)宇晶 1000 2000 193 東尼 180 600-原軾 1500 5500-聚成 1500 3000-合計合計 1580015800 3350033500 約約 67006700 數據來源：PVInfoLink，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 33/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 2.4.光伏光伏硅片硅片設備設備市場空間測算市場空間測算 2022年和年和 2023年新增硅片設備市場空間約為年新增硅片設備市場空間約為305億元和億元和 223億元億元。當前光伏領域，硅料和硅片環節面臨產能過剩

99、問題，隨著 2022Q4 產能逐步釋放，硅料價格開始腰斬。因此，我們認為 2022 年為硅片設備投資高點，但是在大尺寸尤其是 210 產能上仍然欠缺，目前 1600 單晶爐對應產能僅 200GW，公司作為龍頭企業在大尺寸趨勢下仍然有望持續收益。測算假設/條件如下：1）2020-2023E 單晶爐存量升級比例分別為當年硅片產能的 5%/7%/10%/12%2）2019-2023E 截斷機、開方機、磨倒一體機的價格相對穩定 3）國外硅片產能相對穩定，2023E 預計硅片產能 700GW 4）隨著更多 1600 等大爐徑投產，單 GW 所需單晶爐數量下降 圖圖 44：光伏硅片設備市場空間測算光伏硅片

100、設備市場空間測算 20202020 20212021 2022E2022E 2023E2023E 全球新增光伏裝機量全球新增光伏裝機量 130 170 240 275 硅片產能硅片產能 247.4 415.1 591 700 每年新增硅片產能 62.1 167.7 175.9 109 單 GW 所需單晶爐數量 85 83 78 78 單臺價值量(萬元)150 150 140 130 增量市場-單晶爐需求量 5279 13919 13720 8502 存量升級-單晶爐需求量 1051 2412 4610 6552 單晶爐總需求 6330 16331 18330 15054 單晶爐市場空間(億元)

101、95 245 257 196 單 GW 所需截斷機數量 2 2 1 1 單臺價值量(萬元)100 90 85 80 截斷機市場空間(億元)1 3 1 1 單 GW 所需開方機數量 5 3 2 2 單臺價值量(萬元)90 80 80 75 開方機市場空間(億元)3 4 3 2 單 GW 所需磨倒一體機數量 8 7 6 6 單臺價值量(萬元)130 120 110 100 磨倒一體機市場空間(億元)6 14 12 7 單 GW 所需切片機數量 16 13 13 12 單臺價值量(萬元)130 130 140 140 切片機市場空間(億元)13 28 32 18 合計 118 294 305 223

102、 數據來源：高測股份，CPIA，世紀新能源網，東北證券測算 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 34/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 3.半導體自主可控需求旺盛，持續創新為核心競爭力半導體自主可控需求旺盛，持續創新為核心競爭力 3.1.行業趨勢：行業趨勢：晶圓廠晶圓廠持續擴產持續擴產，12 英寸大硅片產能英寸大硅片產能存在缺口存在缺口 圖圖 45：全球半導體硅片平均售價（美元全球半導體硅片平均售價（美元/平方英寸）平方英寸）圖圖 46：全球硅片出貨量全球硅片出貨量(百萬平方英寸百萬平方英寸)數據來源：SEMI，東北證券 數據來源：Wind，東北證券 圖圖 47：

103、全球半導體硅片市場規模：全球半導體硅片市場規模(億美元億美元)圖圖 48：全球半導體設備市場規模：全球半導體設備市場規模(億美元億美元)數據來源：SEMI，東北證券 數據來源：SEMI，Gartner，東北證券 2022 年全球半導體設備規?；蜻_年全球半導體設備規?；蜻_ 1005 億美元億美元。自 2017 年以來全球半導體設備市場持續增長，由 2017 年的 507 億美元增至 2021 年的 923 億美元，增長近 82.05%，中國大陸市場占比也從 12%提升至 28%。從量價角度，2019-2021 全球硅片出貨持續提升，根據 SEMI 數據顯示 2021 年全球半導體硅片市場規模達到

104、 126 億美元。半導體硅片大尺寸演變，半導體硅片大尺寸演變，2021 年年 12 英寸占比英寸占比或或達達 68.47%。2008 年以前，全球半導體硅片中 8 英寸占比最高；2008 年 開始 12 英寸硅片首次超過 8 英寸硅片的市場份額，這主要得益于移動通信、計算機等終端市場持續高速發展。12 英寸硅片出貨面積自 2000 年以來市場份額逐步提高，從 9,400 萬平方英寸擴大至 2021 年的 95.98 億平方英寸，市場份額從 1.69%大幅提升至 68.47%，成為半導體硅片市場主流的產品，預計到 2022 年市場份額將接近 70%。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的

105、聲明及說明 35/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 49：全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比全球不同尺寸半導體硅片出貨面積占比(%)數據來源：SEMI，東北證券 國內國內 12 英寸大硅片產能存在缺口英寸大硅片產能存在缺口。供給端，供給端，中美貿易爭端日趨激烈，國內現在處于普及 8 英寸的階段，但 28nm 以及 14nm 制程工藝的下游應用價值量更高，例如功率器件、各類芯片、計算機、移動計算通訊等領域普遍需要使用 12 英寸大硅片。根據下表統計，五家主要企業合計產能約為 77 萬片/月。需求端需求端，2015 年至 2021 年中國硅片市場從 4.3 億美元增長至 16.5 億

106、美元，年均復合增長率為 25.5%，遠高于全球硅片市場的 9.85%。根據 NSIG 預測，2025 年中國市場需求量可達年中國市場需求量可達 200 萬片萬片/月月，中國 300mm 半導體硅片存在巨大缺口。表表 17：國內國內 12 英寸英寸半導體硅片產能半導體硅片產能(不完全統計不完全統計)企業企業 年度產能年度產能 業務發展及融資情況業務發展及融資情況 滬硅產業滬硅產業 360 萬片/年（1）2019 年首次公開發行股票并在科創板上市募投項目之一為“集成電路制造用 300mm 硅片技術研發與產業化二期項目”，總投資額為21.73 億元；（2）2021 年向特定對象發行股票募集資金投資項

107、目之一為“集成電路制造用 300mm 高端硅片研發與先進制造項目”，總投資額為 46.04 億元 TCL 中環中環 204 萬片/年 2020 年非公開發行股票募集資金投資項目之一為“集成電路用 8-12 英寸半導體硅片之生產線項目”，總投資額為 57.07 億元 立昂微立昂微 180 萬片/年（1）2020 年首次公開發行股票并上市募投項目為“年產 120 萬片集成電路用 8 英寸硅片項目”；（2）2021 年非公開發行股票募集資金投資項目之一“年產 180 萬片集成電路用 12 英寸硅片”；（3）2022 年公開發行 A 股可轉換公司債券募集資金投資者項目之一“年產 180 萬片 12 英

108、寸半導體硅外延片項目”奕斯偉奕斯偉 60 萬片/年 2021 年，奕斯偉完成 B 輪融資，融資金額超過 30 億元人民幣，用于擴大硅片生產的產能 中欣晶圓中欣晶圓 120 萬片/年 2021 年，中欣晶圓順利完成 B 輪融資，融資金額 33 億元人民幣，將用于 12 英寸硅片第二個 10 萬片產線建設 數據來源：各公司公告，東北證券(注：(1)年度產能均為 12 英寸硅片產能;TCL 中環與立昂微均為截至 2021 年末;（2）奕斯偉數據為截至 2020 年末產能達產情況；（3）中欣晶圓 12 英寸硅片產能為 2021 年 9 月產能數據。)請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及

109、說明 36/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 18：半導體硅片制備及其下游領域：半導體硅片制備及其下游領域 公司公司 對應客戶對應客戶 應用硅片制應用硅片制備領域備領域 下游應用下游應用 可應用制程工可應用制程工藝藝 晶盛機電晶盛機電 TCL 中環 4-12 英寸 8 英寸及以下：功率器件、邏輯芯片、存儲芯片、模擬芯片、圖像處理芯片、傳感器、微處理芯片、射芯片等；12 英寸：Logic、CIS、Power 等產品門類設計 28nm 以上 晶升裝備晶升裝備 上海新昇 12 英寸 CIS/BSI 圖像傳感器芯片、通用處理器芯片、存儲芯片；已實現量產 28nm 以上 金瑞泓 12 英寸

110、 CIS 芯片、功率器件芯片；已實現量產 28nm 以上 神工股份 8 英寸 指紋識別、電源管理、信號管理、液晶驅動（面板驅動）芯片；送樣認證階段，未實現量產 90nm 以上 連城數控連城數控 麥斯克電子材料 8 英寸 指紋識別芯片、影像傳感器、MCU、電源管理芯片、液晶驅動 IC、傳感器芯片、影像傳感器等 0.13m-0.15m 0.18m-0.25m S-TECH Co.,Ltd.上海新昇 12 英寸 存儲芯片、移動計算通訊芯片、數字與模擬集成電路等 14nm 及以上 PVA TePla AG 德國世創 5-12 英寸 存儲芯片、高度集成微處理器、電源管理芯片等，主要應用于計算機、平板電腦

111、、智能手機、固態驅動器、汽車輔助和控制系統、可穿戴設備、電信、高壓、網絡技術等領域 14nm 及以上 14nm 及以下 數據來源：晶升裝備招股書，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 37/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 3.2.前道硅片設備多環節打通，前道硅片設備多環節打通，大尺寸確立設備領先性大尺寸確立設備領先性 半導體硅片生產流程：半導體硅片生產流程：拉晶、滾磨切斷、線切割、倒角、研磨、腐蝕、熱退火、邊緣拋光、雙面拋光、最終拋光、清洗、檢測、外延等步驟和工藝環節。硅片制造過程中涉及到多種生產設備，拉晶、成型和拋光是保證半導體硅片質量的關鍵環節，涉及

112、包括單晶爐、滾磨機、切片機、倒角機、研磨設備、CMP 拋光設備、清洗設備、檢測設備等多種生產設備。圖圖 50：半導體硅片生產流程半導體硅片生產流程 數據來源：高測股份招股書，東北證券 公司積極公司積極布局前道布局前道硅片硅片，并向，并向封裝市場封裝市場延伸。延伸。半導體設備主要分為硅片制造硅片制造、芯片芯片制造制造、封裝制造封裝制造三大主要環節設備。公司主要布局用于半導體晶體的生長和加工的于硅片制造環節設備，同時在部分工藝環節布局至芯片制造和封裝制造端。在半導體 8-12 英寸大硅片設備領域，公司產品在晶體生長、切片、拋光、CVD 等環節已基本實現 8 英寸設備的全覆蓋，12 英寸長晶、切片、

113、研磨、拋光等設備也已實現批量銷售。同時在 8-12 英寸減薄機上不斷突破向封裝端進軍。圖圖 51：公司半導體設備布局：公司半導體設備布局 數據來源：公司公告，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 38/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 公司半導體單晶爐性能優異公司半導體單晶爐性能優異，領先布局第四代半導體材料領先布局第四代半導體材料。公司持續推進 12 英寸大硅片設備的下游驗證和推廣，不斷進行技術積累。公司半導體單晶爐在熱場兼容性上可達到 28-36 英寸兼容，達到國際領先水平，有效助力半導體大硅片設備的國產化進程，并將逐步實現12英寸硅片設備的自主可控。

114、目前市場占有率在10%-15%，較龍頭 S-TECH Co.,Ltd 的 40%仍有較大的替代空間。同時公司成功研發第四代半導體材料 MPCVD 法金剛石晶體生長設備，進一步豐富半導體晶體生長裝備產品體系，確保了設備的領先性。發布定增發布定增擴大半導體設備產能擴大半導體設備產能。募投項目中的年產 80 臺套半導體材料拋光及減薄設備生產制造項目涉及新增產能，在原有 8 英寸減薄、拋光設備批量制造的基礎上新增 8-12 英寸減薄機、邊緣拋光機、雙面拋光機、最終拋光機的規?；a，提高公司在高端精密零部件的生產能力，提升 8-12 英寸減薄和拋光設備產能，建成后將形成年產 35 臺/套減薄設備與 4

115、5 臺/套拋光設備的產能，當前半導體行業緊跟國產自主可控趨勢，預計項目投產后為公司業績帶來較大增量。表表 19：半導體級單晶爐參數對比：半導體級單晶爐參數對比 設備規格指標參數設備規格指標參數 晶盛機電晶盛機電 晶升裝備晶升裝備 連城數控連城數控 S-TECH Co.,Ltd PVA TePla AG 主爐室大小(mm)1300 1350 1300-1320 爐體總高(mm)8520 11700 9436 10500 12700 最大裝料量(kg)300 420-450 440 440 450 晶棒最大等徑長度(mm)-2050-2200-2000 2100 晶體升降速率(mm/min)0-8

116、 0-8 0-8.47 0.1-6 0.05-8 晶體轉速(rpm)0-30 0-30 0-30 1-20 0.7-35 坩堝升降速率(mm/min)0-4 0-4 0-2.1 0.01-1 0.025-4 坩堝轉速(rpm)0-20 0-20 0-30 0.1-20 0.1-20 熱場大小(英寸)28-36 32 32 32 36 數據來源：晶升裝備，東北證券(注：300KG 為初始裝料量)請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 39/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 20：半導體單晶爐競爭情況：半導體單晶爐競爭情況 公司公司 產品單價產品單價(萬元萬元/臺臺

117、)市場占有率市場占有率 主要客戶主要客戶 備注備注 晶盛機電晶盛機電 1000-1600 約 10%-15%TCL 中環 成立于 2006 年，圍繞硅、碳化硅、藍寶石三大主要半導體材料開發出一系列關鍵設備，并適度延伸到材 料領域。主營產品包括全自動晶體生長設備、晶體加工設備、晶片加工設備、碳化硅長晶設備及外延設備等，主要應用于集成電路、太陽能光伏及 LED 等領域。連城數控連城數控-成立于 2007 年，專注于光伏及半導體行業晶體硅生長和加工設備，為光伏及半導體行業客戶提供高性能 的晶硅制造和硅片處理等生產設備，主要產品包括單晶爐、線切設備、磨床、和氬氣回收裝置等產品。S-TECH Co.,L

118、td 1300-2000 約 40%滬硅產業 奕斯偉 成立于 1990 年，是世界領先的半導體及光伏 單晶爐設備供應商，于 1993 成立真空事業部，生產高真空設備。經過多年的研發投入，S-TECH Co.,Ltd.于 2008 年成功商業化硅晶體生長設備，2015 成功生產了韓國最長的鑄錠，2016 年進入中國半導體級晶體生長設備市場 PVA TePla AG 1500-2500-成立于 1991 年，總部位于德國 Wettenberg，是一家國際化的設備和系統供應商，主要產品包括高溫真空爐設備、晶體生長設備、等離子體設備。PVA TePla AG 于 2003 年在法蘭克福證券交易所上市，

119、2021 年營業收入 1.55 億歐元，凈利潤 1,215.50 萬歐元 晶升裝備晶升裝備 1300-1700 9.01%-15.63%滬硅產業 立昂微 成立于 2012 年，主要從事晶體生長設備的研發、生產和銷售，業務聚焦于半導體級晶體生長設備領域，主要向半導體材料廠商及其他材料客戶提供半導體級單晶硅爐、碳化硅單晶爐和藍寶石單晶爐等定制化的晶體生長設備。公司 2021 年營業收入 1.95 億元，凈利潤 4,697.96 萬元 數據來源：晶升裝備招股書，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 40/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 3.3.創新突破：創新突

120、破：擴產減薄拋光設備，擴產減薄拋光設備，12 英寸雙軸減薄機英寸雙軸減薄機蓄勢待發蓄勢待發 圖圖 52：有載片磨削減薄工藝流程有載片磨削減薄工藝流程 數據來源：晶圓留邊磨削減薄工藝基礎研究 李彧，東北證券 減薄拋光為硅片平坦化的重要環節減薄拋光為硅片平坦化的重要環節。公司在 8-12 英寸半導體硅片制造上逐步實現國產化自主替代。目前公司的 12 英寸雙軸減薄機，立項到成功下線歷時 9 個月，研發周期縮短50%，得益于原有的8英寸單/雙軸減薄機和12英寸單軸減薄機設備積累，助力公司完善半導體設備產業鏈。圖圖 53：公司減薄拋光產品布局：公司減薄拋光產品布局 數據來源：晶盛機電，東北證券 請務必閱

121、讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 41/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 3.4.碳化硅：第三代半導體材料碳化硅：第三代半導體材料，聚焦聚焦前沿技術領域前沿技術領域 3.4.1.行業：功率器件下游應用逐漸成熟行業：功率器件下游應用逐漸成熟 圖圖 54：碳化硅產業鏈圖：碳化硅產業鏈圖 數據來源：晶升裝備，東北證券 碳化硅襯底可分為半絕緣型和導電型碳化硅襯底可分為半絕緣型和導電型。碳化硅晶體主要應用于射頻器件（半絕緣型襯底）及功率器件（導電型襯底）領域。碳化硅射頻器件碳化硅射頻器件（半絕緣型襯底）應用于 5G 通信、衛星、雷達等國防軍工領域；碳化硅功率器件（導電型襯底）應用

122、于新能源汽車、光伏逆變、軌道交通、工業、家電、智能電網、航空航天等領域，涉及領域較廣，同時光伏逆變和新能源汽車等領域處于高速增長階段，也是當前國內碳化硅廠的主要目標領域。從尺寸看，從尺寸看，導電型襯底應用的碳化硅二極管以及碳化硅 MOSFET 國內主流量產在 6 英寸及以下，而國外主流廠商已實現 8 英寸襯底量產應用，如 2010 年至 2011 年，美國科銳公司、德國 SiCrystal 已實現碳化硅 MOSFET 器件的發布及量產，通過向意法半導體等客戶供應導電型襯底；半絕緣型襯底主要應用的碳化硅射頻器件也屬于類似情況，國內實現 6 英寸量產應用，國外實現 8 英寸量產，2020 年美國-

123、半絕緣型碳化硅襯底市占率為 35%，市占全球第一。圖圖 55：半絕緣型碳化硅襯底：半絕緣型碳化硅襯底 圖圖 56：導電型碳化硅襯底：導電型碳化硅襯底 數據來源：天岳先進，東北證券 數據來源：天岳先進，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 42/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 21：第三代半導體材料參數對比：第三代半導體材料參數對比 指標參數指標參數 硅硅(第一代第一代)砷化鎵砷化鎵(第二代第二代)碳化硅碳化硅(第三代第三代)氮化鎵氮化鎵(第三代第三代)禁帶寬度（eV）1.12 1.43 3.2 3.4 飽和電子漂移速率（107cm/s）1.0 1.

124、0 2.0 2.5 熱導率（Wcm-1K-1）1.5 0.54 4.0 1.3 擊穿電場強度（MV/cm）0.3 0.4 3.5 3.3 數據來源：寬禁帶半導體高頻及微波功率器件與電路趙正平著，東北證券 第三代半導體第三代半導體有望有望開啟新一輪技術升級開啟新一輪技術升級。由于碳化硅具有禁帶寬度大、熱導率高、臨界擊穿場強高、電子飽和漂移速率高等特點，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應用需求，可廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控、射頻通信等領域，隨著下游行業快速發展，以碳化硅為代表的第三代半導體市場迎來高速發展。以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件具有優越的電氣性能以碳化硅為襯底

125、制成的功率器件相比硅基功率器件具有優越的電氣性能 具體如下：具體如下：耐高壓。碳化硅的擊穿電場強度是硅的 10 余倍，使得碳化硅器件耐高壓特性顯著高于同等硅器件。耐高溫。碳化硅相較硅擁有更高的熱導率，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐高溫特性可以帶來功率密度的顯著提升，同時降低對散熱系統的要求，使終端可以更加輕量和小型化。低能量損耗。碳化硅具有 2 倍于硅的飽和電子漂移速率，使得碳化硅器件具有極低的導通電阻，導通損耗低；碳化硅具有 3 倍于硅的禁帶寬度，使得碳化硅器件泄漏電流比硅器件大幅減少，從而降低功率損耗 圖圖 57：同規格碳化硅器件與硅器件同規格碳化硅器件與硅器件電阻電阻對比對比

126、圖圖 58：碳化硅器件與硅器件碳化硅器件與硅器件能量損失對比能量損失對比 數據來源：天科合達，東北證券 數據來源：天科合達，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 43/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 碳化硅生產核心仍為長晶和切片碳化硅生產核心仍為長晶和切片。長晶環節，長晶環節，將高純碳化硅微粉和籽晶分別置于單晶生長爐內圓柱狀密閉的石墨坩堝下部和頂部，通過電磁感應將坩堝加熱至 2,000以上，控制籽晶處溫度略低于下部微粉處，在坩堝內形成軸向溫度梯度。碳化硅微粉在高溫下升華形成氣相的 Si2C、SiC2、Si 等物質，在溫度梯度驅動下到達溫度較低的籽晶處，并

127、在其上結晶形成圓柱狀碳化硅晶錠。切片切片環節，環節，將制得的碳化硅晶錠使用 X 射線單晶定向儀進行定向，之后磨平、滾磨，加工成標準直徑尺寸的碳化硅晶體。使用多線切割設備，將碳化硅晶體切割成厚度不超過 1mm 的薄片。圖圖 59：碳化硅生產流程：碳化硅生產流程 數據來源：天科合達，東北證券 表表 22：不同不同碳化硅單晶生長方式示意圖碳化硅單晶生長方式示意圖 物理氣相傳輸物理氣相傳輸(PVT)高溫化學氣相積淀高溫化學氣相積淀(HTCVD)液相外延液相外延(LPE)數據來源：晶升裝備，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 44/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度

128、 碳化硅單晶爐長晶方式碳化硅單晶爐長晶方式 物理氣相傳輸（物理氣相傳輸（PVT）：）：在高溫區（2000）將 SiC 粉末升華，將 SiC 氣體沿著溫度梯度輸送，在較冷的尾部 SiC 籽晶凝聚為晶體 工藝：工藝：目前國際主流大規模應用的晶體生長方法，具有技術方案成熟、生長過程簡單、設備成本低等特點。技術難點主要為大尺寸襯底制備缺陷水平控制及良率提升 高溫化學氣相積淀（高溫化學氣相積淀（HTCVD）：將 SiH4、C2H4 等反應氣體通過載氣從反應器的底部通入，在中部熱區發生反應并形成 SiC 簇，升華至反應器頂端籽晶處生長，工藝溫度為 1800-2300 工藝：工藝：可制備高純度、高質量的半絕

129、緣型碳化硅晶體，具有工藝參數可調性、產品多樣性等優勢。受晶體生長設備、高純氣體成本較高、生長工藝尚未成熟等因素制約，商業化進展緩慢，未實現大規模應用 液相外延（液相外延（LPE）：）：在 1800的溫度下碳硅溶液共溶，從過冷飽和溶液中析出 SiC晶體 工藝：工藝：目前技術成熟度仍相對較低，具有質量高、易擴徑、易實現穩定的 P 型摻雜、長晶過程可觀測等特點，有望成為未來制備尺寸更大、結晶質量更高、成本更低的碳化硅單晶生長方法 表表 23：國產碳化硅外延設備供：國產碳化硅外延設備供應商應商 企業企業 進度進度 簡介簡介 晶盛機電晶盛機電 6 英寸外延 8 英寸長晶 在碳化硅領域，公司開發生產的主要

130、設備有碳化硅長晶設備、核心加工設備及外延設備。目前形成營業收入的設備產品主要屬于硅材料領域，其下游為光伏和集成電路兩大產業領域。北方華創北方華創 4-6 英寸 2021 年 9 月北方華創在投資者互動平臺表示，公司碳化硅外延設備已實現市場銷售，產品各項性能滿足客戶要求。這是北方華創在碳化硅外延設備領域的又一新突破。48 所所-2022 年 9 月 26 日，48 所第三代半導體核心裝備 SiC 外延裝備批量發往用戶現場 深圳納設智能深圳納設智能-2021 年 3 月出產的第一臺設備至今，納設智能不斷進行產品的創新迭代，在團隊的共同努力下，成功開發升級版二代產品機并正式交付客戶。2022 年 8

131、 月 3 日公司 7 月與國內龍頭碳化硅外延廠商簽訂了數十臺復購訂單，這是公司在第三代半導體碳化硅外延設備領域的關鍵進展。數據來源：各公司公告，東北證券 襯底占功率半導體器件襯底占功率半導體器件 47%的成本的成本，國外壟斷大部分份額，國外壟斷大部分份額?，F有的功率器件大多基于硅半導體材料，由于硅材料物理性能的限制，器件的能效和性能已逐漸接近極限，難以滿足迅速增長和變化的電能應用新需求。碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。目前功率半導體器件成本中，襯底和外延分別占成本的47%和23%，合計達70%。從競爭格局來看，美國科銳

132、為市場龍頭，根據 Yole 數據顯示其 2021 年市占率達62%。同時，新能源汽車作為其重要下游，根據 CASA Research 預測，到 2025 年國內外新能源汽車 SIC/GAN 市場規模約為 45.9 億元和 100.2 億元。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 45/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 60：功率半導體器件成本占比：功率半導體器件成本占比 圖圖 61：2021 年年碳化硅碳化硅競爭格局競爭格局 數據來源：芯 TIP，東北證券 數據來源：Yole，東北證券 圖圖 62：碳化硅碳化硅新能源下游應用新能源下游應用 數據來源：公司公告，C

133、ASA Research，東北證券 科銳公司,62%II-IV,14%SiCrystal,13%其他,11%科銳公司II-IVSiCrystal其他5.915.819.22226.433.845.914.52027.638.152.672.6100.2020406080100120201920202021E2022E2023E2024E2025E中國新能源汽車SICGAN市場規模全球新能源汽車SICGAN市場規模 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 46/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 表表 24：國內碳化硅材料廠商國內碳化硅材料廠商產能情況產能情況(不完全統計

134、不完全統計)企業企業 年度產能年度產能 業務發展及融資情況業務發展及融資情況 三安光電三安光電 7.2 萬片/年 主要從事碳化硅等第三代化合物半導體的研發及產業化，投資總額 160 億元（含土地使用權和流動資金），項目達產后，配套產能約 36 萬片/年的生產能力。截至 2022 年 6 月末，湖南三安碳化硅產能達到 6,000 片/月（7.2 萬片/年）天岳先進天岳先進 4.81 萬片/年 2022 年首次公開發行股票并在科創板上市募投項目之一為“碳化硅半導體材料項目”，總投資額為 25.00 億元 天科合達天科合達 3.75 萬片/年 2020 年首次公開發行股票并在科創板上市募投項目為“第

135、三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設項目”，總投資額為 9.57 億元 東尼電子東尼電子-2021 年非公開發行股票募集資金投資項目之一“年產 12 萬片碳化硅半導體材料項目”，總投資額為 4.69 億元 河北同光半導體河北同光半導體-2021 年，河北同光半導體股份有限公司“年 產 10 萬片碳化硅單晶襯底項目”正式投產，總投資約 9.5 億元 山西爍科新材料山西爍科新材料 4 英寸高純半絕緣晶片產能可達 9.6 萬片/年 公司所在的碳化硅產業園一期和二期總投資 40 億元，用于生產碳化 硅單晶襯底 浙江晶越浙江晶越-2020 年 6 月，浙江晶越碳化硅晶圓生產線項目簽訂三方投資協議書。該項目

136、簽約共分三期，總投資達 100 億元；2021 年 7 月，浙江晶越碳化硅項目一期擬投資約 1.35 億元，年產 1.2 萬片 6 英寸碳化硅晶片；2022 年 6 月，浙江晶越完成新一輪融資，領投方為紅杉資本、和利資本等 露笑科技露笑科技 2.5 萬片/年 2022 年非公開發行股票募集資金投資項目包括“第三代功率半導體（碳化硅）產業園項目”和“大尺寸碳化硅襯底片研發中心項目”，合計總投資額為 26.00 億元；前期“新建碳化硅襯底片產業化項目”和“碳化硅研發中心項目”，合計總投資額為 7.45 億元 中電化合物半導體中電化合物半導體 2 萬片/年 2019 年，中電化合物半導體項目落戶浙江

137、寧波，項目總投資 10.5 億元，規劃建設年產 7 萬片 6 英寸 SiC 同質外延片生產線和年產 1 萬片 GaN 外延片生產線 數據來源：各公司公告，東北證券(注：三安光電產能為截至 2022 年 6 月末，根據月度產能年化后計算得出)請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 47/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 3.4.2.公司布局：公司布局：擬發布擬發布 6 英寸雙片式外延設備，襯底晶片達產采購意向英寸雙片式外延設備，襯底晶片達產采購意向 圖圖 63：主流碳化硅：主流碳化硅企業企業時間時間進度進度 數據來源：公開資料整理，東北證券 公司公司突破突破 8 英寸英

138、寸 N 型型 SIC 晶體，晶體，雙片外延設備蓄勢待發雙片外延設備蓄勢待發。公司 2017 年開始布局碳化硅業務，到 2020 年建立長晶和加工中試線，SiC 晶體直徑也從最初的 4 英寸增大到如今的 8 英寸，當前主流應用在 6 英寸，公司于 2022 年 8 月成功生長首顆 8 英寸 N 型 SiC 晶體，縮小國內外技術差距助力寬禁帶半導體產業的國產化發展。目前在碳化硅領域，公司已經建立中試產線，同時客戶 A 已與公司形成采購意向，2022年-2025 年公司將優先向其提供碳化硅襯底合計不低于 23 萬片。設備方面，公司已經開發了碳化硅的長晶、切片、拋光和外延設備，并實現了外延設備的批量銷

139、售。目前公司即將發布 6 英寸雙片式外延設備，進一步完善碳化硅領域設備供應能力。圖圖 64：公司：公司 6 英寸碳化硅生長爐英寸碳化硅生長爐 圖圖 65：公司：公司碳化硅晶片產品圖碳化硅晶片產品圖 數據來源：半導體材料行業分會，東北證券 數據來源：半導體材料行業分會，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 48/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 圖圖 66：公司：公司碳化硅碳化硅業務業務發展歷史發展歷史 數據來源：公司官網，東北證券 圖圖 67：公司外延及爐管布局：公司外延及爐管布局 圖圖 68：公司：公司 8 英寸英寸 N 型碳化硅晶體型碳化硅晶體 數據來

140、源：半導體材料行業分會，東北證券 數據來源：公司官方公眾號，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 49/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 4.藍寶石：掌握領先生長技術，藍寶石：掌握領先生長技術，逐步爬坡逐步爬坡開啟放量開啟放量 圖圖 69：公司公司藍寶石藍寶石業務發展歷史業務發展歷史 數據來源：公司官網，東北證券 公司藍寶石業務發展歷史公司藍寶石業務發展歷史：公司研發藍寶石的歷史已超 11 年。2011 年首臺 KY35S藍寶石生長爐研發成功；2017 年國內首顆 300kg 級藍寶石晶體出爐；時隔 8 個月，2018 年 450kg 級藍寶石晶體創該領域

141、研發紀錄；2020 年 700kg 級藍寶石晶體再次刷新研發紀錄；2022 年成功生長高品質紅寶石。藍寶石物理性質藍寶石物理性質優良，優良，LED 襯底材料襯底材料為為藍寶石藍寶石當前主要當前主要應用應用。藍寶石為 Al2O3 晶體，工作溫度高達 1,900C。單晶 C 面與 GaN 襯底沉積薄膜間的晶格常數失配率低，且符合 GaN 磊晶制程中耐高溫的要求，因此藍寶石晶片是制作 LED 的關鍵材料。從全球來看，2020 年全球 LED 照明滲透率達 59.00%；從國內來看，禁白令-逐步淘汰白熾燈，使得國內 LED 對傳統燈源的替代需求持續釋放。圖圖 70：GaN-LED 外延片產量外延片產量

142、(4 英寸，英寸，萬片萬片)圖圖 71：2021 年藍寶石下游應用年藍寶石下游應用 數據來源：TrendForce，東北證券 數據來源：華經產業研究院，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 50/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 新型顯示新型顯示技術帶動技術帶動 LED 外延片需求。外延片需求。根據 TrendForce 數據預測到 2025 年，Mini/Micro LED 新型顯示帶來的 LED 外延片需求量將達到 1011 萬片/年。除此之外，UV LED 同樣為 LED 應用的后續發展方向。到 2024 年，UV LED 市場規模預計將達到 10.

143、2 億美金，2019-2024 年復合增長率達到 27%。UV LED 的成長也將會推動 LED 外延片市場需求增長。表表 25：公司藍寶石產品圖：公司藍寶石產品圖 產品產品 應用領域應用領域 產品圖示產品圖示 特點特點 藍寶石晶體藍寶石晶體 LED 1、化學性質和物理性質穩定，硬度高達莫氏9 級，具有很好的透光性、熱傳導性、電氣絕緣性，力學機械性，并且具有耐磨和抗風蝕的特點；2、具備 120Kg 到 700Kg 全系列的泡生法藍寶石晶體，450Kg 級泡生法藍寶石晶體已量產，且成功生長出全球領先 700Kg 級藍寶石晶體。藍寶石晶棒藍寶石晶棒 LED 2 寸、4 寸、6 寸、8 寸襯底級藍寶

144、石晶棒，高品質、非標大尺寸晶棒可定制。2 2-6 6 寸藍寶石拋光片寸藍寶石拋光片 LED 重要的 LED 襯底材料，化學穩定性好，透光性能好，大尺寸、良好拋光，可定制。數據來源：公司公告，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 51/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 5.盈利預測和投資評級盈利預測和投資評級 1）設備及其服務：設備及其服務：2022 年下游硅片廠呈現快速擴張，公司單晶爐業務充分受益；2023 年后光伏硅片面臨產能過剩等問題，但是部分老舊產能無法兼容大尺寸拉晶，同時公司碳化硅設備將開啟放量，預計 2022-2024 年實現營收 92.07、9

145、9.44、111.37億元 2）材料：材料：2021 年公司材料業務以藍寶石為主，2022 年公司針對光伏關鍵耗材石英坩堝和金剛線進行產能建設開始投產，同時碳化硅材料也在積極建設，因此 2022 年和 2023 年材料業務收入大幅增長。3）其其他他：假設其他業務保持相對穩定，預計毛利率分別為 25.80%、28%和 29%。圖圖 72：2021-2024E 公司收入拆分公司收入拆分(億元億元)數據來源：公司官網，東北證券 投資評級：投資評級：預計公司2022-2024年公司營收分別為109.51億、149.75億和185.85億；凈利潤分別為 29.29 億，39.49 億和 47.88 億，

146、對應 PE 分別為 31x、23x、19x，對應每股收益分別為 2.24 元、3.02 元和 3.66 元，上調給予“買入”“買入”評級。202120212022E2022E2023E2023E2024E2024E設備及其服務設備及其服務收入49.7792.0799.44111.37YOY51.93%85.00%8.00%12.00%毛利率42.61%42.82%42.75%41.80%材料材料收入3.8910.8943.5767.53YOY100.78%180.00%300.00%55%毛利率24.54%29.00%36.00%35.50%其他其他收入5.956.556.746.94YOY7

147、4.57%10.00%3.00%3.00%毛利率25.54%25.80%28.00%29.00%合計合計收入59.61109.51149.75185.85YOY56.44%83.71%36.74%24.11%毛利率39.73%40.43%40.12%39.03%請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 52/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 6.風險提示風險提示 硅片擴產不及預期；訂單交付不及預期 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 53/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 附表：財務報表預測摘要及指標附表：財務報表預測摘要及指標 資產負債表

148、（百萬元）資產負債表（百萬元）2021A 2022E 2023E 2024E 現金流量表（百萬元）現金流量表（百萬元）2021A 2022E 2023E 2024E 貨幣資金 1,867 4,291 5,790 10,762 凈利潤凈利潤 1,728 2,945 3,967 4,816 交易性金融資產 456 456 456 456 資產減值準備 100 146 5 4 應收款項 1,666 4,826 3,888 6,806 折舊及攤銷 159 177 205 233 存貨 6,051 6,899 11,636 12,108 公允價值變動損失 0 0 0 0 其他流動資產 3,151 6,3

149、26 8,481 10,437 財務費用 5 2 3 3 流動資產合計流動資產合計 13,190 22,798 30,251 40,569 投資損失-52-94-131-162 可供出售金融資產 運營資本變動-147-993-1,414 1,230 長期投資凈額 977 1,201 1,417 1,626 其他-55-2-18-21 固定資產 1,509 1,651 1,787 1,916 經營活動經營活動凈凈現金流現金流量量 1,737 2,180 2,617 6,104 無形資產 246 259 273 288 投資活動投資活動凈凈現金流現金流量量-886-705-709-705 商譽 0

150、 0 0 0 融資活動融資活動凈凈現金流現金流量量 75 949-408-427 非非流動資產合計流動資產合計 3,693 4,314 4,963 5,614 企業自由現金流企業自由現金流 1,259 1,688 2,012 5,469 資產總計資產總計 16,884 27,112 35,214 46,183 短期借款 24 19 14 11 應付款項 4,147 7,998 8,979 12,417 財務與估值指標財務與估值指標 2021A 2022E 2023E 2024E 預收款項 0 591 404 585 每股指標每股指標 一年內到期的非流動負債 5 5 5 5 每股收益（元）1.3

151、3 2.24 3.02 3.66 流動負債合計流動負債合計 9,620 15,806 20,341 26,913 每股凈資產（元）5.31 8.30 11.01 14.35 長期借款 2 2 2 2 每股經營性現金流量（元）1.35 1.67 2.00 4.66 其他長期負債 146 146 146 146 成長性指標成長性指標 長期負債合計長期負債合計 147 147 147 147 營業收入增長率 56.4%83.7%36.7%24.1%負債合計負債合計 9,767 15,953 20,488 27,060 凈利潤增長率 99.5%71.1%34.8%21.3%歸屬于母公司股東權益合計 6

152、,835 10,861 14,409 18,778 盈利能力指標盈利能力指標 少數股東權益 281 298 317 345 毛利率 39.7%40.4%40.1%39.0%負債和股東權益總計負債和股東權益總計 16,884 27,112 35,214 46,183 凈利潤率 28.7%26.7%26.4%25.8%運營效率指標運營效率指標 利潤表（百萬元）利潤表（百萬元）2021A 2022E 2023E 2024E 應收賬款周轉天數 93.79 106.71 104.75 103.58 營業收入營業收入 5,961 10,951 14,975 18,585 存貨周轉天數 432.39 357

153、.30 372.07 377.20 營業成本 3,593 6,524 8,967 11,331 償債能力指標償債能力指標 營業稅金及附加 84 131 207 227 資產負債率 57.9%58.8%58.2%58.6%資產減值損失-60-40-5-4 流動比率 1.37 1.44 1.49 1.51 銷售費用 30 82 130 286 速動比率 0.62 0.91 0.81 0.95 管理費用 200 367 675 624 費用率指標費用率指標 財務費用-14 2 3 3 銷售費用率 0.5%0.8%0.9%1.5%公允價值變動凈收益 0 0 0 0 管理費用率 3.3%3.4%4.5%

154、3.4%投資凈收益 52 94 131 162 財務費用率-0.2%0.0%0.0%0.0%營業利潤營業利潤 1,992 3,399 4,576 5,552 分紅指標分紅指標 營業外收支凈額-8 2 3 3 股息收益率 0.4%0.4%0.5%0.5%利潤總額利潤總額 1,984 3,401 4,579 5,554 估值指標估值指標 所得稅 256 456 611 738 P/E（倍）52.26 30.73 22.79 18.79 凈利潤 1,728 2,945 3,967 4,816 P/B（倍）13.08 8.29 6.25 4.79 歸屬于母公司凈歸屬于母公司凈利潤利潤 1,712 2,

155、929 3,949 4,788 P/S（倍）15.00 8.22 6.01 4.84 少數股東損益 17 16 19 28 凈資產收益率 28.5%27.0%27.4%25.5%資料來源：東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 54/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 研究團隊研究團隊簡介：簡介：Table_Introduction 劉軍：華中科技大學動力機械/會計學專業畢業，現任東北證券機械行業首席分析師。有多年的工程機械與重卡行業相關實業經驗，曾任長江證券研究所行業研究員，2010 年以來具有 10 年證券研究從業經歷。重要重要聲明聲明 本報告由東北證券股

156、份有限公司（以下稱“本公司”）制作并僅向本公司客戶發布，本公司不會因任何機構或個人接收到本報告而視其為本公司的當然客戶。本公司具有中國證監會核準的證券投資咨詢業務資格。本報告中的信息均來源于公開資料，本公司對這些信息的準確性和完整性不作任何保證。報告中的內容和意見僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，不保證所包含的內容和意見不發生變化。本報告僅供參考，并不構成對所述證券買賣的出價或征價。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的證券買賣建議。本公司及其雇員不承諾投資者一定獲利，不與投資者分享投資收益，在任何情況下，我公司及其雇員對任何人使用本報告及其內容所引發的任何直接或間接損

157、失概不負責。本公司或其關聯機構可能會持有本報告中涉及到的公司所發行的證券頭寸并進行交易，并在法律許可的情況下不進行披露；可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行業務、財務顧問等相關服務。本報告版權歸本公司所有。未經本公司書面許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制、發表或引用。如征得本公司同意進行引用、刊發的，須在本公司允許的范圍內使用，并注明本報告的發布人和發布日期，提示使用本報告的風險。若本公司客戶（以下稱“該客戶”）向第三方發送本報告，則由該客戶獨自為此發送行為負責。提醒通過此途徑獲得本報告的投資者注意，本公司不對通過此種途徑獲得本報告所引起的任何損失承擔任何責任。分析師聲明分析師聲明

158、作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，并在中國證券業協會注冊登記為證券分析師。本報告遵循合規、客觀、專業、審慎的制作原則，所采用數據、資料的來源合法合規，文字闡述反映了作者的真實觀點，報告結論未受任何第三方的授意或影響，特此聲明。投資投資評級說明評級說明 股票 投資 評級 說明 買入 未來 6 個月內，股價漲幅超越市場基準 15%以上。投資評級中所涉及的市場基準：A 股市場以滬深 300 指數為市場基準，新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為市場基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為市場基準；美國市場以納斯達克綜合指數或標普 500 指數為市場基

159、準。增持 未來 6 個月內，股價漲幅超越市場基準 5%至 15%之間。中性 未來 6 個月內，股價漲幅介于市場基準-5%至 5%之間。減持 未來 6 個月內，股價漲幅落后市場基準 5%至 15%之間。賣出 未來 6 個月內，股價漲幅落后市場基準 15%以上。行業 投資 評級 說明 優于大勢 未來 6 個月內，行業指數的收益超越市場基準。同步大勢 未來 6 個月內，行業指數的收益與市場基準持平。落后大勢 未來 6 個月內，行業指數的收益落后于市場基準。請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 55/55 晶盛機電晶盛機電/公司深度公司深度 Table_SalesTable_Sal

160、es 東北證券股份有限公司東北證券股份有限公司 網址：網址：http:/http:/ 電話：電話：400400-600600-06860686 地址地址 郵編郵編 中國吉林省長春市生態大街 6666 號 130119 中國北京市西城區錦什坊街 28 號恒奧中心 D 座 100033 中國上海市浦東新區楊高南路 799 號 200127 中國深圳市福田區福中三路 1006 號諾德中心 34D 518038 中國廣東省廣州市天河區冼村街道黃埔大道西 122 號之二星輝中心 15 樓 510630 機構銷售聯系方式機構銷售聯系方式 姓名姓名 辦公電話辦公電話 手機手機 郵箱郵箱 公募銷售公募銷售 華

161、東地區機構銷售華東地區機構銷售 王一（副總監）021-61001802 13761867866 吳肖寅 021-61001803 17717370432 李瑞暄 021-61001802 18801903156 周嘉茜 021-61001827 18516728369 陳梓佳 021-61001887 19512360962 chen_ 屠誠 021-61001986 13120615210 康杭 021-61001986 18815275517 丁園 021-61001986 19514638854 吳一凡 021-20361258 19821564226 王若舟 021-61002073

162、17720152425 華北地區機構銷售華北地區機構銷售 李航（總監）010-58034553 18515018255 殷璐璐 010-58034557 18501954588 曾彥戈 010-58034563 18501944669 呂奕偉 010-58034553 15533699982 孫偉豪 010-58034553 18811582591 陳思 010-58034553 18388039903 chen_ 徐鵬程 010-58034553 18210496816 曲浩蘊 010-58034555 18810920858 華南地區機構銷售華南地區機構銷售 劉璇（總監）0755-3397

163、5865 13760273833 liu_ 劉曼 0755-33975865 15989508876 王泉 0755-33975865 18516772531 王谷雨 0755-33975865 13641400353 張瀚波 0755-33975865 15906062728 zhang_ 王熙然 0755-33975865 13266512936 wangxr_ 陽晶晶 0755-33975865 18565707197 yang_ 張楠淇 0755-33975865 13823218716 鐘云柯 0755-33975865 13923804000 楊婧 010-63210892 188

164、17867663 梁家瀠 0755-33975865 13242061327 非公募銷售非公募銷售 華東地區機構銷售華東地區機構銷售 李茵茵（總監）021-61002151 18616369028 杜嘉琛 021-61002136 15618139803 王天鴿 021-61002152 19512216027 王家豪 021-61002135 18258963370 白梅柯 021-20361229 18717982570 劉剛 021-61002151 18817570273 曹李陽 021-61002151 13506279099 曲林峰 021-61002151 18717828970 華北地區機構銷售華北地區機構銷售 溫中朝（副總監）010-58034555 13701194494 王動 010-58034555 18514201710 wang_ 閆琳 010-58034555 17862705380 張煜苑 010-58034553 13701150680