1、 請閱讀最后評級說明和重要聲明 分析師:吳起滌 執業登記編號:A0190523020001 研究助理:程治 執業登記編號:A0190123070008 集成電路指數與滬深 300 指數走勢對比 資料來源:Wind,源達信息證券研究所 1.源達信息雄安新區專題研究:發展新質生產力,疏解北京非首都職能,推動京津冀一體化發展2024.08.19 2.源達信息雄安新區專題研究:系統布局高端產業,打造中國經濟新增長極2024.09.03 投資評級:看好-40%-30%-20%-10%0%10%20%30%2023/102024/22024/6集成電路指數滬深300重點布局半導體產業發展,助力國內高新技術
2、產業向前 雄安新區專題研究 證券研究報告/行業研究 打造中國經濟新增長極,雄安新區重視半導體產業發展 雄安新區毗鄰京津冀,承載疏解北京非首都功能,不斷承接北京優質企業資源,肩負推動京津冀協同發展,打造中國經濟新增長極的歷史使命。政策優勢明顯,區位優勢突出,產業基礎設施完善,利于系統布局前沿產業,打造能夠協調帶動全國經濟發展的新的增長極。雄安新區將新一代信息技術作為重點布局產業,并大力發展半導體產業,目前已正式投產首條信創產品數字化產線,設立未來芯片創新研究院并正式簽約SPU芯片研發及產業化項目。半導體行業迎來復蘇,美日荷制裁推動國內自主可控 2024年半導體行業逐步進入周期上行階段,2024年
3、行業有望迎來更快增長。根據SEMI預測,2024/2025年全球半導體設備行業市場規模為983/1128億美元,同比+3%/+15%。從產業鏈全球分布看,我國在半導體設備、材料和EDA&IP等上游供應端和中游IC設計端份額較小,存在“卡脖子”風險。在晶圓制造和封裝測試端已形成一定規模,并持續發展。自2022年美國發布BIS條例以來,美日荷聯合制裁國內半導體制造業,自主可控需求愈發迫切,補短板意識顯著增加。上游供應鏈“卡脖子”風險高,國產替代加速進行 我國在半導體行業起步較晚,設備、材料和EDA&IP等上游供應鏈環節長期依賴歐美日進口。國產替代存在技術難度大、供應鏈切入難的問題。近年來國產設備、
4、材料和EDA&IP等環節在技術端已取得較大突破,并以設備進展最為顯著。而美日荷聯合制裁下,國內晶圓廠國產化意識增強,采購國產設備、材料等的意愿上升。未來上述環節將充分受益國產替代。投資建議 雄安新區重點布局高端產業,不斷疏解央企總部、子公司及分支機構落戶雄安,引進高技術企業、一流實驗室等,預期將對高新產業起到系統推動作用,促進相關產業鏈逐漸完善。建議關注半導體產業投資機會。雄安新區建設推動京津冀一體化趨勢深化,協同京津冀打造產業集群,建議關注雄安新區建設帶來的區域性投資機會。風險提示 半導體行業復蘇不及預期的風險,國內晶圓廠擴產不及預期的風險,國產替代不及預期的風險,國際貿易摩擦和沖突加劇的風
5、險。投資要點 2 目錄 一、疏解北京非首都功能,打造中國經濟增長極.4 1、重點布局五大高新產業,發展新質生產力.4 二、半導體產業迎來復蘇,自主可控迫在眉睫.6 三、上游供應鏈:國產薄弱環節,“卡脖子”風險大.10 1.半導體設備.10 2.半導體材料.12 3.EDA&IP.14 四、國內晶圓產能穩步提升,推動半導體設備國產化.19 五、投資建議.21 六、風險提示.21 圖表目錄 圖 1:雄安新區產業布局.4 圖 2:中國數字經濟規模(萬億元).5 圖 3:數字經濟增速(%)和 GDP 增速(%).5 圖 4:新材料產業鏈.5 圖 5:雄安新區成立高新技術產業開發區.6 圖 6:專注 R
6、ISC-V 產業發展的未來芯片創新研究院正式成立.6 圖 7:2022 年全球半導體器件分類型銷售收入(億美元).7 圖 8:全球半導體行業銷售收入(億美元).7 圖 9:半導體行業產業鏈.7 圖 10:半導體器件分類.8 圖 11:2024 年全球晶圓廠設備支出預計至 983 億美元.10 圖 12:半導體前道晶圓制程對應的主要工序.10 圖 13:2022 年全球半導體設備各類型價值占比.11 圖 14:每 5 萬片晶圓產能對應設備投資額(億美元).11 圖 15:二重模板/四重模板增加多道薄膜沉積、刻蝕工序.11 圖 16:三維存儲芯片增加多道薄膜沉積、刻蝕工序.11 圖 17:半導體材
7、料中晶圓制造材料市場空間較封裝材料更大.13 圖 18:硅/工藝化學品/光掩膜是晶圓制造材料前三大品類.13 圖 19:封裝基板占封裝材料市場份額超一半.13 圖 20:EDA 工具主要用于工藝平臺開發、電路設計和制造環節三個階段.14 圖 21:EDA 工具在模擬電路全流程設計中的應用.15 圖 22:預計 2024 年全球 EDA 工具市場達 87 億美元.15 圖 23:2022 年中國 EDA 工具市場規模為 115 億元.15 圖 24:2022 年全球 EDA 市場中國產份額不足 2%.16 圖 25:2022 年中國 EDA 市場中國產份額不足 20%.16 3 圖 26:芯片向
8、先進制程工藝演進過程中,IP 使用數量大幅增加.16 圖 27:2023 年全球 IP 市場中 CR3 為 69%,均為歐美企業.17 圖 28:2023 年中國晶圓產能同比增長 13.8%.19 圖 29:2023 年中國晶圓產能結構.19 圖 30:2023 年全球 8 寸晶圓廠產能預計為 670 萬片/月.19 圖 31:2023 年全球 12 英寸晶圓廠產能預計為 730 萬片/月.19 圖 32:2023-2027 年先進制程產能分布的變化趨勢.20 圖 33:2023-2027 年成熟制程產能分布的變化趨勢.20 表 1:半導體產業鏈中游企業不同經營模式.8 表 2:美日荷聯合對華
9、出口管制,以設備和芯片端力度最大.9 表 3:從整體看半導體設備國產化率仍處于較低水平.12 表 4:晶圓制造材料部分細分環節的國內外玩家.14 表 5:晶圓制造材料部分細分環節的國內外玩家.18 表 6:中國大陸部分成熟制程晶圓廠產能擴建項目(產能單位:萬片/月).20 4 一、疏解北京非首都功能,打造中國經濟增長極 雄安新區毗鄰京津冀,承載疏解北京經濟功能,不斷承接北京優質企業資源,肩負推動京津冀協同發展,打造中國經濟新增長極的歷史使命。政策優勢明顯,區位優勢突出,產業基礎設施完善,利于系統布局前沿產業,打造能夠協調帶動全國經濟發展的新的增長極。1、重點布局五大高新產業,發展新質生產力 河
10、北雄安新區規劃綱要指出,雄安新區將高起點布局包括新一代信息技術產業、現代生命科學和生物技術產業、新材料產業、高端現代服務業、綠色生態農業等五大高端產業。積極推進軍民深度融合發展,加快傳統產業改造升級,建設實體經濟、科技創新、現代金融、人力資源協同發展的現代產業體系。圖 1:雄安新區產業布局 資料來源:Wind,源達信息證券研究所 雄安新區致力于發展以人工智能、集成電路為代表的新一代信息技術產業。在軟件與信息服務業發展硬環境方面,雄安已適度超前部署新一代網絡設施,構建了邊云超協同的城市計算體系,能夠為大數據、云計算、工業互聯網等數字產業提供良好的發展基礎,雄安新區將依托于數字城市建設重點發展數字
11、經濟與數字產業。中國數字經濟市場規??焖僭鲩L,從 2017年的 27 萬億元一路增長至 2023 年的 55 億元,年復合增速高達 12.5%,且中國數字經濟增長速度自 2016 年來一直保持高于 GDP 增速,2023 年數字經濟增速超過 GDP 增速 9.1個百分點。5 圖 2:中國數字經濟規模(萬億元)圖 3:數字經濟增速(%)和 GDP 增速(%)資料來源:中國信通院,源達信息證券研究所 資料來源:中國信通院,源達信息證券研究所 雄安新區部署以增材制造、儲能材料、半導體材料為主發展新材料產業,有望助力半導體材料自主可控。新材料產業廣泛應用于下游電子信息、新能源、醫療器械、紡織機械、航空
12、航天等領域。雄安新區毗鄰京津冀,化工、鋼鐵、建材產業發達,交通便利,靠近原料產地,并且生物制藥、航空航天、新能源等產業也在京津冀地區密集布局,靠近消費市場,預期能夠實現良好的產業協同,利于新材料產業在雄安新區的未來發展,并有望發展半導體材料產業,助力國內半導體產業供應鏈的自主可控,并受益行業周期上行趨勢。圖 4:新材料產業鏈 資料來源:Wind,源達信息證券研究所 雄安新區高新技術開發區正式成立,并著力構建“一核兩翼三支撐”的空間格局,支撐保障高新技術產業發展。高新技術開發區以核心區南北為兩翼,布局空天園、信息園、生物技術園、新材料園、未來科技園等五大產業園區,圍繞衛星互聯網、北斗等七個創新生
13、態鏈發展新一代信息技術產業,其中新材料園將重點以半導體材料、增材制造等為主發展新材料產業。01020304050602017201820192020202120222023中國數字經濟規模(萬億元)0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%2016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023數字經濟增速(%)和GDP增速(%)數字經濟增速GDP增速 6 目前雄安新區首條信創產品數字化產線已正式投產,該產品基于鯤鵬芯片制造,可為企業應用提供高并發的多核算力,有望助力國內數字經濟及算力產業發展。此外 RISC-V 產業也是雄安新區的發展重點。20
14、24 年由雄安新區管委會改革發展局發起的雄安新區未來芯片創新研究院正式成立,并負責推進 RISC-V 產業發展。RISC-V是當今世界三大 IP 指令集之一,在國內芯片全產業鏈自主可控趨勢下,RISC-V 的開源開放特性有望成為中國芯片產業發展機遇,實現 IP 領域的自主可控。2023 年雄安新區 SPU 芯片研發及產業化項目正式簽約。SPU 芯片研發及產業化項目是基于 RISC-V 指令集架構研發的具有可信計算特征的芯片,該芯片可以獨立于計算系統進行安全防護,具有防篡改、防破解的能力,在安全芯片領域應用前景遠大。圖 5:雄安新區成立高新技術產業開發區 圖 6:專注 RISC-V 產業發展的未
15、來芯片創新研究院正式成立 資料來源:中工網,源達信息證券研究所 資料來源:人民網,源達信息證券研究所 二、半導體產業迎來復蘇,自主可控迫在眉睫 全球半導體行業銷售收入在 2024 年迎來回升。根據 SIA 數據,2022 年全球半導體行業銷售收入為 5740 億美元,實現同比增長 3.20%。而根據 SIA 轉引的 WSTS 預測,2023 年全球半導體行業銷售收入為 5150 億美元,同比下降 10.0%,系消費電子需求疲軟,芯片廠商庫存過剩。2024 年在行業清庫存和 AI 數據中心、汽車電子等行業需求拉動的共同作用下,銷售收入有望回升。從 2022 年下游半導體器件銷售收入看,邏輯、存儲
16、和模擬芯片是前三大產品,合計市場份額達 69%。雄安新區大力部署半導體產業,有望受益行業周期上升紅利。7 圖 7:2022 年全球半導體器件分類型銷售收入(億美元)圖 8:全球半導體行業銷售收入(億美元)資料來源:SIA,WSTS,源達信息證券研究所 資料來源:SIA、WSTS,源達信息證券研究所 半導體行業上下游聯系緊密,各環節缺一不可。半導體行業產業鏈上游包括 EDA 軟件、IP委托和委外設計服務、制造設備和材料;中游包括集成電路設計、晶圓制造和封裝測試;下游為終端系統廠商,主要應用行業包括移動通信、數據中心、汽車電子、計算機和工業應用等。圖 9:半導體行業產業鏈 資料來源:芯原公司招股說
17、明書,源達信息證券研究所 半導體器件按照國際通用產品標準可分為四類:集成電路、分立器件、傳感器和光電器件。集成電路按照處理信號可分為數字芯片和模擬芯片,其中數字芯片按照使用功能分為存儲芯片、邏輯芯片和微控制器 MCU。分立器件主要為功率器件,包括 IGBT、MOSFET、二極管和晶閘管等產品。4123440455595740515001000200030004000500060007000 8 圖 10:半導體器件分類 資料來源:光耦網,源達信息證券研究所 半導體產業鏈中游企業按經營模式可分為垂直整合模式(IDM)、晶圓代工模式(Foundry)和無晶圓廠模式(Fabless)。早期行業以 I
18、DM 模式為主,目前根據芯片特點,行業經營模式出現分化:邏輯芯片:早期 intel、AMD 等公司均為 IDM 模式,而臺積電將代工模式發揚光大。主要系邏輯芯片按照摩爾定律發展,制程節點迭代快;邏輯芯片類型多樣,下游需求碎片化,難以發揮晶圓制造的規模效應;邏輯 IC 設計和晶圓制造的技術壁壘不同,分工模式實現雙方共贏。存儲芯片:三星、海力士等存儲巨頭均為 IDM 模式,主要系存儲產品的迭代速度較慢,產品趨同性高,規模效應明顯;存儲芯片具有一定大宗商品性質,下游需求變動大,IDM 模式可以更靈活的擴減產。國內部分存儲廠商如兆易創新目前是 fabless 模式,系國內存儲份額較小,規模效應不顯著。
19、功率器件:英飛凌等國際巨頭為 IDM 模式,國內 IDM 和 fabless 模式并行,主要系功率器件的核心壁壘在于特色制造工藝,代工模式有技術泄露風險;功率器件產品迭代速度較慢;國內 IDM 和 fabless 模式并行的原因是國產功率器件在特色工藝端處于發展早期,市場份額較小,較難發揮 IDM 模式的規模效應,與華虹半導體、中芯集成等特色工藝代工平臺合作是目前不錯的選擇。表 1:半導體產業鏈中游企業不同經營模式 類型 模式 垂直整合模式(IDM)涵蓋芯片設計、晶圓制造、封裝測試以及后續的產品銷售等環節 晶圓代工模式(foundry)不涵蓋芯片設計環節,專門負責晶圓制造,為芯片產品公司提供晶
20、圓代工服務 9 無晶圓廠模型(fabless)不涵蓋晶圓制造環節和封裝測試環節,專門負責芯片設計和后續的產品銷售,將晶圓制造和封裝測試外包給專業的晶圓制造、封測企業 資料來源:華虹公司招股說明書,源達信息證券研究所 國內半導體產業鏈自給率低。從全球半導體產業鏈區域占比看,美國、歐洲等國家區域具有多數份額,國內僅在產業鏈中游的晶圓制造和封裝測試占有一定比例。但在上游 EDA&IP、設備、高端制造材料等供應鏈環節仍無法滿足自給,存在“受制于人”情況。美日荷聯合發布對華出口管制條例,設備和芯片端制裁力度最大。自 2022 年 10 月 7 日美國商務部公布 BIS 條例以來,美日荷相繼發布對華出口管
21、制措施,主要限制范圍在于國內薄弱的先進制程芯片和相關制造設備。上游設備、制造材料和 EDA&IP 等存在“卡脖子”風險的領域是芯片制造的基礎,國內仍要依靠美日荷進口。當前國際環境下上述領域已成為供應鏈高風險環節,國產替代愈發迫切。雄安新區高新技術產業區構建“一核兩翼三支撐”的空間格局,并設立有新材料園,以增材制造、儲能材料、半導體材料為主發展新材料產業,有望助力半導體材料自主可控。表 2:美日荷聯合對華出口管制,以設備和芯片端力度最大 日期 事件 2022/10/7 美國商務部將 31 家中國公司加入“未經核實的名單”,對中國14nm 及以下 logic、128 層及以上 NAND Flash
22、、18nm 及以下DRAM 芯片、制造設備和零部件出口管制 2022/12/15 美國商務部決定將長存、寒武紀、ICRD、上海微電子和鵬芯微等36 家中國實體加入實體清單 2023/1/27 美日荷就對中國先進設備出口限制達成協議,限制內容與 10 月 7日 BIS 新規一致 2023/3/8 ASML 在官網發布關于額外出口管制的聲明,將光刻機限制范圍設定在 2000i 及之后的高端浸沒式機型 2023/3/31 日本政府宣布將 23 類先進制程半導體設備新增為出口管控對象,限制 7 月生效 2023/6/30 荷蘭發布出口管制新規,限制 ASML 的 TWINSCAN NXT:2000i
23、及之后的浸沒式光刻機對華出口,管制在 9 月 1 日正式生效 2023/7/23 日本政府宣布對 23 個品類先進制程半導體設備的出口管制措施正式生效 資料來源:半導體行業觀察,電子創新網,電子發燒友網,虎嗅,中國工業網,源達信息證券研究所 10 三、上游供應鏈:國產薄弱環節,“卡脖子”風險大 1.半導體設備 2025 年全球半導體設備銷售額有望加速增長。根據 SEMI 在 2024 年 7 月發布的年中總半導體設備預測報告:2024 年全球晶圓廠設備支出將由 2023 年的 956 億美元增長至983 億美元,同比增長 3%,主要系行業逐步好轉,進入周期上行階段。展望 2025 年,人工智能
24、等行業對高性能芯片需求進一步增長,疊加汽車、消費電子和工業等行業的需求復蘇,全球晶圓廠設備支出有望增長至 1128 億美元,實現同比增長 15%。圖 11:2024 年全球晶圓廠設備支出預計至 983 億美元 資料來源:SEMI,源達信息證券研究所 半導體設備是高技術門檻&高附加值行業。前道晶圓加工的主要工序包括光刻、刻蝕和薄膜沉積等,其特點是對晶圓加工精度要求極高,通常在幾十至幾百納米;并且部分工序需要多次進行,對設備產能效率要求高。上述原因也導致用于前道晶圓加工的半導體設備價格高昂,一條產能 1 萬片/月的 12 英寸晶圓產線設備投資額在數十億元。圖 12:半導體前道晶圓制程對應的主要工序
25、 資料來源:芯源微招股說明書,源達信息證券研究所-20%-10%0%10%20%30%40%50%020040060080010001200全球晶圓廠設備支出(億美元)YOY 11 根據中微公司 2022 年業績說明會,薄膜沉積設備、刻蝕機和光刻機約占半導體設備價值量的 22%、22%和 17%。根據摩爾定律:芯片中的晶體管數目,約每兩年增加一倍。未來在晶圓制造向更先進制程節點轉變趨勢下,對設備的投資額將會大幅增加。同時邏輯芯片制程中兩重模板、四重模板等工藝需求增加,存儲芯片向三維結構轉變都會顯著增加對薄膜沉積、刻蝕等工序的需求。未來薄膜沉積、刻蝕價值占比或將進一步提升。圖 13:2022 年
26、全球半導體設備各類型價值占比 圖 14:每 5 萬片晶圓產能對應設備投資額(億美元)資料來源:SEMI,中微公司,源達信息證券研究所 資料來源:中芯國際招股說明書,源達信息證券研究所 圖 15:二重模板/四重模板增加多道薄膜沉積、刻蝕工序 圖 16:三維存儲芯片增加多道薄膜沉積、刻蝕工序 資料來源:中微公司,源達信息證券研究所 資料來源:拓荊科技招股說明書,源達信息證券研究所 全球半導體設備市場被美日荷壟斷。半導體設備行業是高壁壘行業,AMAT(應用材料)、ASML、LAM(泛林半導體)、TEL(東京電子)、KLA(科磊半導體)等公司起步較早,在技術和工藝上積累深厚,占據了全球主要市場份額。近
27、年來北方華創、中微公司和盛美上海等國產廠商在熱處理、薄膜沉積、刻蝕和清洗等領域已取得較大突破,客戶端進展順利。而涂膠顯影和過程控制設備屬于國產設備薄弱環節,在目前國際形勢下“補短板”需求迫切。根據芯源微公告,公司已在 2022 年底發布可用于 28nm 節點的第三代浸沒式機型,有望迎來“0-1 突破”后的放量階段。目前光刻機國產化率幾乎為零,上海微電子是目前最有望打破光刻機進口壟斷的國產公司,目前公司官網已推出光刻精度在 90nm 的 ArF 光刻機,并正在開展 28nm 浸沒式光刻機的研發工作。050100150200250 12 表 3:從整體看半導體設備國產化率仍處于較低水平 設備種類
28、國外主要廠商 國產主要廠商 國產化率 PVD 應用材料(美國)北方華創 20%CVD 應用材料(美國)、泛林半導體(美國)、TEL(日本)北方華創、拓荊科技 ALD TEL(日本)、應用材料(美國)北方華創、拓荊科技、微導納米 刻蝕 泛林半導體(美國)、TEL(日本)、應用材料(美國)中微公司、北方華創、屹唐半導體 20%光刻 ASML(丹麥)、尼康(日本)、佳能(日本)上海微電子 20%清洗 DNS(日本)、TEL(日本)、泛林半導體(美國)盛美上海、北方華創、至純科技、芯源微 50%CMP 應用材料(美國)、TYK(日本)華海清科 30%離子注入 應用材料(美國)、Axcell(美國)萬業
29、企業(凱世通)10%過程控制 科磊半導體(美國)、陸得斯科技(美國)、日立(日本)精測電子、中科飛測、上海睿勵 30%資料來源:Gartner,半導體行業縱橫,源達信息證券研究所 2.半導體材料 根據 SEMI 公布數據,2023 年全球半導體材料市場下滑至 667 億美元。其中晶圓制造材料和封裝材料市場分別為 415 億美元和 252 億美元,分別同比下滑 7.0%和 10.1%。半導體材料市場景氣度與制造端稼動率密切相關,2023 年受需求疲軟和芯片庫存過剩影響,晶圓廠和封測廠產能利用率有所下降??春?2024 年行業周期反彈后對半導體材料的需求拉升。13 圖 17:半導體材料中晶圓制造材
30、料市場空間較封裝材料更大 資料來源:SEMI,源達信息證券研究所 材料特點是多而雜,需要逐一突破。硅材料、工藝化學品、光掩膜是晶圓制造材料前三大品類,市場份額分別約占 33%、14%和 12.9%。其中 CMP 拋光材料、光刻膠和電子氣體等是國產薄弱環節,具有對應不同工藝的多個細分品類,造成國產突破難度大,需要長時間的積累和逐一攻克。封裝材料市場中,主要材料有封裝基板、引線框架、鍵合導線和密封膠等。圖 18:硅/工藝化學品/光掩膜是晶圓制造材料前三大品類 圖 19:封裝基板占封裝材料市場份額超一半 資料來源:SEMI,源達信息證券研究所 資料來源:SEMI,源達信息證券研究所 我們整理了硅材料
31、、特氣、光刻膠和CMP拋光材料等晶圓制造材料領域的國內外主要企業,整體來看晶圓制造材料市場中美日企業占壟斷地位,國產份額仍處于較低水平,且材料細分品類較多、突破難度較大。未來的材料國產突破會是一場長時間的攻堅戰,需要晶圓廠與上游材料廠商的密切合作與反饋試錯。雄安新區高新技術產業區構建“一核兩翼三支撐”的空間格局,并設立有新材料園,以增材制造、儲能材料、半導體材料為主發展新材料產業,有望助力半導體材料自主可控。010020030040050060070080020162017201820192020202120222023晶圓制造材料封裝材料33.0%14.0%12.9%7.0%7.1%6.1%
32、4.0%2.9%12.9%硅材料工藝化學品光掩膜光刻膠配套試劑CMP拋光材料光刻膠電子氣體濺射靶材其他 14 表 4:晶圓制造材料部分細分環節的國內外玩家 產品類別 國外企業 國內企業 硅材料 滬硅產業、中環股份 信越化學、SUMCO 工藝化學品 江化微、格林達 霍尼韋爾、住友化學 光掩模 清溢光電、路維光電 晶圓廠自產、Toppan 光刻膠 華懋科技、彤程新材 JSR、TOK CMP 拋光材料 鼎龍股份、安集科技 DOW、Cabot 電子氣體 華特氣體 空氣化工、林德集團 濺射靶材 江豐電子 日礦金屬、霍尼韋爾 資料來源:各公司公告,源達信息證券研究所 3.EDA&IP EDA 工具是“芯片
33、之母”,是連接設計和制造兩個環節的紐帶和橋梁。百億級美元的 EDA市場支撐了千億級美元的半導體市場發展。EDA 工具主要分為三類,可用于晶圓廠工藝平臺開發(開發 IP 模塊)、fabless 廠電路設計和晶圓廠制造測試環節。圖 20:EDA 工具主要用于工藝平臺開發、電路設計和制造環節三個階段 資料來源:概倫電子招股說明書,源達信息證券研究所 EDA 工具根據模擬電路和數字電路的不同特點,分為用于模擬電路設計的 EDA 工具和用于數字電路設計的 EDA 工具。以模擬電路為例,電路設計流程包括原理圖編輯、電路仿真、版圖編輯、物理驗證、寄生參數提取、可靠性分析等環節。而數字電路設計流程包括前端功能
34、設計、前端驗證、邏輯綜合、時序分析、布局布線、版圖驗證和后端仿真等環節。15 圖 21:EDA 工具在模擬電路全流程設計中的應用 資料來源:華大九天招股說明書,源達信息證券研究所 國內 EDA 工具市場規模在百億級。根據 SEMI 數據和 ESDA 的預測,預計 2023 年全球EDA 工具市場規模約為 85 億美元,2024 年市場規模穩步增長至 87 億美元。根據中國半導體行業協會數據,2022 年中國 EDA/IP 工具市場規模約為 115 億元,約占全球市場的19%。目前國內半導體產業中晶圓制造占大頭,未來伴隨產業鏈進一步完善,IC 設計企業的增加將帶動 EDA 工具市場成長。圖 22
35、:預計 2024 年全球 EDA 工具市場達 87 億美元 圖 23:2022 年中國 EDA 工具市場規模為 115 億元 資料來源:SEMI,ESDA,源達信息證券研究所 資料來源:中國半導體行業協會,源達信息證券研究所 從 EDA 工具競爭格局看,市場被歐美企業占據。Synopsys、Cadence 和 Siemens EDA 是全球三強,合計占 2022 年全球份額的 74%。其中以 Synopsys、Cadence 的產品體系最為健全,而 Siemens EDA 在部分環節較為優秀。同時 EDA 工具中通常內嵌 IP 模塊,方便IC 設計企業使用,二者構成更堅固壁壘。而從中國市場看,
36、華大九天、概倫電子和廣立微只占到 2022 年中國市場 11%的份額。其中華大九天在模擬電路設計領域實現全流程覆蓋,050100全球EDA/IP市場規模(億美元)02040608010012014020182019202020212022 16 數字電路設計領域部分覆蓋;概倫電子在工藝平臺開發類 EDA 運用較多,并往電路設計類EDA 拓展;廣立微主要覆蓋制造測試類 EDA 產品。圖 24:2022 年全球 EDA 市場中國產份額不足 2%圖 25:2022 年中國 EDA 市場中國產份額不足 20%資料來源:集微咨詢,源達信息證券研究所 資料來源:集微咨詢,源達信息證券研究所 如果把集成電路
37、設計比作搭積木,IP 則是其中的積木塊。半導體 IP 授權業務是將集成電路設計中可重復使用且具備特定功能的 IP 模塊授權給客戶使用,并提供相應的配套軟件。在芯片向先進制程節點演進過程中,芯片單位面積內晶體管數量大幅上升,增加 IC 設計復雜度,為提升 IC 設計效率、降低成本,會使用更多的 IP 種類。以 28nm 芯片為例,會使用到50 個數字 IP 和 37 個數?;旌?IP。根據 IP Nest 數據,2022 年全球 IP 市場規模為 66.8 億美元,其中應用于處理器的 IP 占比約為 50%。圖 26:芯片向先進制程工藝演進過程中,IP 使用數量大幅增加 資料來源:芯原股份招股說
38、明書,源達信息證券研究所 2023 年全球 IP 市場中 ARM 份額超 40%。根據 IP Nest 數據,2023 年全球 IP 市場 TOP3為 ARM、Synopsys 和 Cadence。其中 ARM 總部位于英國,2016 年被日本軟銀收購,其Synopsys,30%Cadence,29%Siemens EDA,15%Ansys,5%Keysight,4%華大九天,1%其他,15%Cadence,29%Synopsys,28%Siemens EDA,16%華大九天,7%Ansys,5%Keysight,3%概倫電子,2%廣立微,2%其他,8%91014202838506481102
39、1261451119273749627692050100150200250250nm 180nm 130nm 90nm65nm45nm28nm16nm10nm7nm5nm數字IP數?;旌螴P 17 在中國的最大客戶是 ARM 中國。而 Synopsys 和 Cadence 同時也是 EDA 工具公司。國產公司中芯原股份占 2023 年全球份額的 1.9%。圖 27:2023 年全球 IP 市場中 CR3 為 69%,均為歐美企業 資料來源:IP Nest,源達信息證券研究所 IP 種類覆蓋度是對 IP 企業技術能力和未來空間的重要考證因素。從覆蓋度看,IP 領域 TOP3的 ARM、Synop
40、sys 和 Cadence 的 IP 種類已覆蓋大多數半導體器件。而芯原公司是國內唯一一家進入全球IP市場TOP10的中國公司,旗下IP種類已能覆蓋多數半導體器件類型。RISC-V 是當今世界三大 IP 指令集之一,是全新的開源開放特性 IP 指令集。在國內芯片全產業鏈自主可控趨勢下,RISC-V 的開源開放特性有望成為中國芯片產業發展機遇,實現 IP領域的自主可控。雄安新區大力發展 RISC-V 產業。2024 年由雄安新區管委會改革發展局發起的雄安新區未來芯片創新研究院正式成立,并負責推進 RISC-V 產業發展,助力半導體IP 產業的國產自主可控。ARM,41.80%Synopsys,2
41、1.90%Cadence,5.60%Imagination Alphawave,Ceva,1.40%芯原股份,1.90%其他,22.10%18 表 5:晶圓制造材料部分細分環節的國內外玩家 覆蓋芯片類型 ARM Synopsys Cadence Imagination CEVA 芯原 中央處理器 數字信號處理器 圖形處理器 圖像信號處理器 接口模塊 通用模擬 IP 基礎庫 嵌入式非揮發性存儲器 內存編譯器 射頻 IP 周邊 IP 資料來源:IP Nest,源達信息證券研究所 19 四、國內晶圓產能穩步提升,推動半導體設備國產化 2023 年中國晶圓產能穩步增長。2023 年中國晶圓產能合計達
42、658.72 萬片/月,同比增長13.8%。其中 12 英寸產能占比達 56.9%,8 英寸和 6 英寸及以下晶圓產能占比分別為 24.4%和 18.6%。圖 28:2023 年中國晶圓產能同比增長 13.8%圖 29:2023 年中國晶圓產能結構 資料來源:TrendBank,源達信息證券研究所 資料來源:TrendBank,源達信息證券研究所 晶圓廠產能穩步擴建,半導體產業國產供應鏈有望受益。根據 Semi 在 2023 年 Q3 的預測,預計 2023 年全球 8 寸晶圓廠的產能約為 670 萬片/月,在汽車芯片、工業芯片等行業拉動下,在 2026 年增長 14%至 770 萬片/月的產
43、能。此外 Semi 在 2023 年 Q1 預測 2023 年全球 12 英寸晶圓廠產能約為 730 萬片/月,并在 2026 年增長至 960 萬片/月。半導體材料作為晶圓生產的必備制材,需求有望受益產能擴建。雄安新區高新技術產業區構建“一核兩翼三支撐”的空間格局,并設立有新材料園,以增材制造、儲能材料、半導體材料為主發展新材料產業,有望助力半導體材料自主可控。圖 30:2023 年全球 8 寸晶圓廠產能預計為 670 萬片/月 圖 31:2023 年全球 12 英寸晶圓廠產能預計為 730 萬片/月 資料來源:Semi,源達信息證券研究所 資料來源:Semi,源達信息證券研究所 02004
44、0060080020222023中國晶圓產能(折合8英寸:萬片/月)12英寸56.9%8英寸24.4%6英寸及以下18.6%20 中國大陸大力推動成熟制程擴產,利好半導體材料國產化。受美日荷聯動對華半導體設備進口制裁影響,中國大陸先進制程擴產受阻。根據 TrendForce 數據,2021 年全球晶圓出貨量中成熟制程占比為 86%,銷售額占 76%。成熟制程芯片主要有驅動芯片、CIS/ISP、功率器件等,在顯示面板、消費電子、5G、汽車和工業領域應用廣泛。國內大力推動成熟制程產能擴產,提高國產芯片比例。根據 TrendForce 在 2023 年 12 月的預測,2023-2027 年中國大陸
45、的成熟制程產能占比將由 31%增長至 39%。成熟制程相對于先進制程工藝制程節點更低,對半導體材料要求中等,國產半導體材料廠商有望抓住機遇,推動自身產品進入供應鏈。圖 32:2023-2027 年先進制程產能分布的變化趨勢 圖 33:2023-2027 年成熟制程產能分布的變化趨勢 資料來源:TrendForce,源達信息證券研究所 資料來源:TrendForce,源達信息證券研究所 成熟制程仍是擴產主流,國產半導體材料廠商切入機會大。對中國大陸成熟制程產線擴建項目梳理,部分項目規劃產能合計超 40 萬片/月。中國大陸廠商作為擴產主力,在美國制裁后推動供應鏈國產化的意識逐步增強,國產半導體材料
46、廠商有望獲得更多機會。表 6:中國大陸部分成熟制程晶圓廠產能擴建項目(產能單位:萬片/月)廠商 產線 規劃產能 現有產能 廠房狀態 聯芯集成 廈門(12 英寸)5 2.5 建成 華虹集團 無錫(12 英寸)8.3/在建 積塔半導體 臨港二期(12 英寸)5 0 在建 廣州粵芯 三期(12 英寸)4 0 在建 青島芯恩 二期(12 英寸)2 0 在建 士蘭微 士蘭集科(12 英寸)8 6 建成 士蘭集昕(12 英寸)3 0 在建 燕東微 北京(12 英寸)4 0 在建 晶合集成 N2(12 英寸)4 1.5 建成 資料來源:ittbank、semitrade、各公司公告,源達信息證券研究所 21
47、 五、投資建議 雄安新區重點布局高端產業,不斷疏解央企總部、子公司及分支機構落戶雄安,引進高技術企業、一流實驗室等,預期將對高新產業起到系統推動作用,促進相關產業鏈逐漸完善。建議關注半導體產業投資機會。雄安新區建設推動京津冀一體化趨勢深化,協同京津冀打造產業集群,建議關注雄安新區建設帶來的區域性投資機會。六、風險提示 半導體行業復蘇不及預期的風險;國內晶圓廠擴產不及預期的風險;國產替代不及預期的風險;國際貿易摩擦和沖突加劇的風險。22 投資評級說明 行業評級 以報告日后的 6 個月內,證券相對于滬深 300 指數的漲跌幅為標準,投資建議的評級標準為:看 好:行業指數相對于滬深 300 指數表現
48、10%以上 中 性:行業指數相對于滬深 300 指數表現10%10%以上 看 淡:行業指數相對于滬深 300 指數表現10%以下 公司評級 以報告日后的 6 個月內,行業指數相對于滬深 300 指數的漲跌幅為標準,投資建議的評級標準為:買 入:相對于恒生滬深 300 指數表現20以上 增 持:相對于滬深 300 指數表現1020 中 性:相對于滬深 300 指數表現1010之間波動 減 持:相對于滬深 300 指數表現10以下 辦公地址 石家莊 上海 河北省石家莊市長安區躍進路 167 號源達辦公樓 上海市浦東新區峨山路91弄100號陸家嘴軟件園2號樓701室 分析師聲明 作者具有中國證券業協
49、會授予的證券投資咨詢執業資格并注冊為證券分析師,以勤勉的職業態度,獨立、客觀地出具本報告。分析邏輯基于作者的職業理解,本報告清晰準確地反映了作者的研究觀點。作者所得報酬的任何部分不曾與,不與,也不將與本報告中的具體推薦意見或觀點而有直接或間接聯系,特此聲明。重要聲明 河北源達信息技術股份有限公司具有證券投資咨詢業務資格,經營證券業務許可證編號:911301001043661976。本報告僅限中國大陸地區發行,僅供河北源達信息技術股份有限公司(以下簡稱:本公司)的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告的信息均來源于公開資料,本公司對這些信息的準確性和完整性不作任何保證,也不保
50、證所包含信息和建議不發生任何變更。本公司已力求報告內容的客觀、公正,但文中的觀點、結論和建議僅供參考,不包含作者對證券價格漲跌或市場走勢的確定性判斷。本報告中的信息或所表述的意見均不構成對任何人的投資建議,投資者應當對本報告中的信息和意見進行獨立評估。本報告僅反映本公司于發布報告當日的判斷,在不同時期,本公司可以發出其他與本報告所載信息不一致及有不同結論的報告;本報告所反映研究人員的不同觀點、見解及分析方法,并不代表本公司或其他附屬機構的立場。同時,本公司對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改,投資者應當自行關注相應的更新或修改。本公司及作者在自身所知情范圍內,與本報告中所評價或推薦的證券不存在法律法規要求披露或采取限制、靜默措施的利益沖突。本報告版權僅為本公司所有,未經書面許可,任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布。如引用須注明出處為源達信息證券研究所,且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改??d或者轉發本證券研究報告或者摘要的,應當注明本報告的發布人和發布日期,提示使用證券研究報告的風險。未經授權刊載或者轉發本報告的,本公司將保留向其追究法律責任的權利。