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1、 刻蝕設備分為 CCP 刻蝕(市場規模 48 億美元)、ICP 刻蝕(市場規模 76 億美元)、ALE、其他刻蝕設備,中微目前已開發 CCP 和 ICP,未來也會布局 ALE 和其他刻蝕設備。 中微的 CCP 刻蝕:(1)在國內領先 3D Nand 廠的市占率:64 層產線的市占率為 34%,128 層產線的市占率為 35%;(2)在國內 28nm 晶圓廠的市占率為 39%。(3)在中國臺灣地區某晶圓廠的22nm 產線的市占率為 22%,在中國臺灣地區某晶圓廠的 14nm 產線的市占率為 24%;(4)在中國臺灣地區某 DRAM 廠的 20nm 產線的市占率為 26%(9/22 layer)、
2、37%(12/22 layer)。(5)在成熟制程(如 55 納米),中微的 CCP 市占率已經超過 50%。 中微的 ICP Nanova 在線設備規模在 2020 年達到 55 個反應腔,工藝應用項目達到 70 個,主要向Logic 客戶、3D Nand 客戶提供,而 2021 年 ICP 的 3D Nand、DRAM 客戶會大比例增加采購量。CCP 與 ICP 刻蝕技術比較等離子體刻蝕設備包括電容性等離子體刻蝕設備(CCP, Capacitively Coupled Plasma)和電感性等離體刻蝕設備(ICP, Inductively Coupled Plasma)。ICP 刻蝕技術從 80 年代開始出現,目前其市場份額已經超過 CCP,即相當于超過了 50%的刻蝕市場。
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