2024半導體刻蝕設備市場規模、競爭格局及國產替代空間分析報告（25頁）.pdf

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1、2 0 2 3 年深度行業分析研究報告目錄目錄C CO N T E N T SO N T E N T S二、格局：國產化之典范，成功打入國際市場二、格局：國產化之典范，成功打入國際市場一、刻蝕：半導體制造三大核心設備之一一、刻蝕：半導體制造三大核心設備之一三、看點：國產替代三、看點：國產替代+先進制程先進制程+海外拓展有望拉動增長海外拓展有望拉動增長2 21.1 1.1 刻蝕：半導體圖案化關鍵工藝，重要性凸顯刻蝕：半導體圖案化關鍵工藝，重要性凸顯數據來源：各公司官網，平安證券研究所3 3 刻蝕是半導體圖案化過程的核心工藝，刻蝕機被視為半導體制造三大核心設備之一?？涛g是半導體圖案化過程的核心工藝

2、，刻蝕機被視為半導體制造三大核心設備之一?？涛g設備主要用于去除特定區域的材料來形成微小的結構圖案，與光刻、薄膜沉積并稱為半導體制造三大核心設備，重要性凸顯，地位舉足輕重。氧化氧化氧化爐AMAT日本日立TEL北方華創屹唐半導體薄膜沉積薄膜沉積薄膜沉積設備AMATLAMTEL北方華創拓荊科技中微公司涂膠涂膠涂膠顯影設備TELDNS芯源微光刻光刻光刻機ASML尼康佳能上海微電子離子注入離子注入離子注入機AMATACLS凱世通中科信刻蝕刻蝕刻蝕機LAMTELAMAT北方華創中微公司拋光拋光CMP設備AMAT日本荏原華海清科電科裝備45所檢測檢測檢測設備KLAAMAT精測電子中科飛測華峰測控多次清洗多次

3、清洗清洗設備DNSTELLAM北方華創盛美上海芯源微半導體制造工藝流程半導體制造工藝流程1.2 1.2 刻蝕設備：三大核心設備之一，市場規?？捎^刻蝕設備：三大核心設備之一，市場規?？捎^數據來源：Gartner，Mordor Intelligence，平安證券研究所4 4 刻蝕機作為半導體制造三大設備之一刻蝕機作為半導體制造三大設備之一，價值量高價值量高，市場規?？捎^市場規?？捎^。根據Gartner數據，2022年，刻蝕設備占半導體前道設備價值量的22%，僅次于薄膜沉積設備，排名第二；從市場規模來看，根據Mordor Intelligence數據，2024年，全球半導體刻蝕設備市場規模預計為23

4、8.0億美元，到2029年預計將增長到343.2億美元，期間CAGR約為7.6%，市場規?？捎^，增速較快。半導體前道設備價值量分布（半導體前道設備價值量分布（%）20222022年年全球半導體刻蝕設備市場規模預測（億美元）全球半導體刻蝕設備市場規模預測（億美元）05010015020025030035040020242029E光刻刻蝕薄膜沉積量測涂膠顯影熱處理離子注入清洗CMP其它1.3 1.3 刻蝕設備：干法刻蝕為主，刻蝕設備：干法刻蝕為主，ICPICP、CCPCCP平分秋色平分秋色數據來源：華經產業研究院，中微公司年報，Gartner，平安證券研究所5 5 刻蝕可分為濕刻和干刻，濕刻各向異

5、性較差，側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差，通常用于工藝尺寸較大的應用，干刻是目前主流的刻蝕技術，其中，等離子體干刻應用最廣。根據等離子體產生方法不同，等離子體刻蝕又劃分為ICP（電感性等離子體刻蝕）和CCP（電容性等離子體刻蝕）兩大類，ICP主要用于硅、金屬以及部分介質刻蝕，CCP主要用于介質刻蝕。根據Gartner數據，2022年，在全球刻蝕設備市場中，ICP、CCP市占率分別為47.9%和47.5%，合計市占率95.4%，是刻蝕設備的主流?？涛g工藝分類刻蝕工藝分類ICPCCP其他各類刻蝕設備市場占比各類刻蝕設備市場占比20222022（%）ICPICP與與CCPCCP刻蝕反應腔刻蝕反應腔C

6、CPICP1.4 1.4 趨勢：原子層刻蝕（趨勢：原子層刻蝕（ALEALE）6 6 傳統等離子刻蝕設備會面臨刻蝕損傷、負載效應以及控制精度等一系列挑戰，而原子層刻蝕（ALE）可實現單原子層級的精準刻蝕，是有效的解決方案。ALE可視為ALD的鏡像過程，其原理為：1）將結合氣體導入刻蝕腔，吸附于材料的表面，形成一個結合層，此為改性步驟，具有自停止性；2）清除腔體中過量的結合氣體，引入刻蝕氣體轟擊刻蝕表面，去除原子層級的結合層，并使未經改性的表面裸露出來，此為刻蝕步驟，也具有自停止性，上述步驟完成后，表面的單原子層薄膜即可被精準去除。原子層沉積（ALE）的優勢包括：1）可實現定向刻蝕；2）即使深寬比

7、不同，也可實現等量刻蝕。ALEALE工藝流程工藝流程ALEALE應用范例應用范例數據來源：LAM Research，平安證券研究所目錄目錄C CO N T E N T SO N T E N T S7 7二、格局：國產化之典范，成功打入國際市場二、格局：國產化之典范，成功打入國際市場一、概論：半導體制造三大核心設備之刻蝕一、概論：半導體制造三大核心設備之刻蝕三、看點：國產替代三、看點：國產替代+先進制程先進制程+海外拓展有望拉動增長海外拓展有望拉動增長2.1 2.1 全球產業格局：門檻高，壟斷性強全球產業格局：門檻高，壟斷性強 刻蝕機是半導體圖案化工藝中必不可少的核心設備，對核心性能指標的可靠性

8、、穩定性、一致性等要求極高，產品開發難度大，技術壁壘高，市場參與玩家相對較為集中。全球刻蝕設備市場主要由LAM、TEL、AMAT壟斷。根據Gartner數據，2017年，LAM、TEL、AMAT在全球刻蝕設備市場中的市占率分別為55%、20%、19%，合計占比約94%，2021年，該TOP3市占率分別為46.7%、26.6%、17.0%，合計占比約90%?？梢钥闯?，全球刻蝕設備行業聚集度高企，但TOP3合計市占率呈下降趨勢。數據來源：Gartner，屹唐股份招股書，平安證券研究所8 8全球刻蝕設備市場競爭格局全球刻蝕設備市場競爭格局20212021（%）LAMTELAMAT中微公司北方華創其他

9、LAMTELAMAT其他全球刻蝕設備市場競爭格局全球刻蝕設備市場競爭格局20172017（%）2.2 2.2 國產化情況：已實現突破，進入海外市場國產化情況：已實現突破，進入海外市場 在國家政策的大力支持下，近年國內晶圓廠持續擴建，核心設備的國產替代成為主流，為國內半導體設備廠提供了優異的市場環境，國產刻蝕設備深度受益并取得巨大突破，很大程度上打破了國外壟斷，屬于國產替代的典范。中微公司中微公司、北方華創是國內刻蝕設備領頭羊北方華創是國內刻蝕設備領頭羊，部分產品不但批量應用至國內晶圓廠部分產品不但批量應用至國內晶圓廠，且成功破入海外市場且成功破入海外市場，具備全球競爭力具備全球競爭力。截止20

10、23年底，北方華創ICP刻蝕設備累計出貨超3200腔，中微公司CCP刻蝕設備已批量應用于海外5nm及以下集成電路產線。根據Gartner數據，2021年，中微公司、北方華創在全球刻蝕設備市場中的市占率分別為1.4%、0.9%，基數較低，未來增長潛力巨大。數據來源：Gartner，屹唐股份招股書，中國國際招標網，中微公司招股書，平安證券研究所全球刻蝕設備市場競爭格局全球刻蝕設備市場競爭格局20212021（%）中微公司在國內邏輯電路制造企業中微公司在國內邏輯電路制造企業C C的刻蝕設備訂單份額（臺數占比）的刻蝕設備訂單份額（臺數占比）9 9LAMTELAMAT中微公司北方華創其他LAMTEL中微

11、公司其他userid:93117,docid:166853,date:2024-07-04,2.3 2.3 國際巨頭國際巨頭|LAM:|LAM:刻蝕設備全球市占率近刻蝕設備全球市占率近50%50%LAM是全球最大的刻蝕設備廠商，同時在薄膜沉積、清洗等領域也有較強競爭力，擁有Kiyo、Versys、Flex、Vantex、Syndion等刻蝕設備產品系列，客戶群體廣泛分布于全球范圍內，2021年其刻蝕設備的全球市占率達到46.7%，接近半數，在導體、介質刻蝕中均具備強大的市場競爭力。業績方面，近年LAM收入體量總體呈現增長趨勢，毛利率維持在45%左右的較高水平，近三年凈利潤率維持在26%左右，盈

12、利能力趨于穩定。數據來源：iFind，LAM年報，平安證券研究所1010LAMLAM刻蝕設備產品分類刻蝕設備產品分類(部部分分)應用工藝應用工藝技術技術產品類別產品類別導體刻蝕RIEKiyo產品系列Versys產品系列介質刻蝕RIEFlex產品系列（ALE）Vantex產品系列TSV刻蝕DRIESyndion產品系列中國大陸韓國中國臺灣日本美國東南亞歐洲LAMLAM全球收入分布情況（全球收入分布情況（%）20232023050100150200FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023收入利潤0%20%40%60%80%FY2018FY2019FY2020FY20

13、21FY2022FY2023LAMLAM歷年營收利潤情況（億美元）歷年營收利潤情況（億美元）LAMLAM歷年毛利率情況（歷年毛利率情況（%）2.3 2.3 國際巨頭國際巨頭|TEL:|TEL:穩坐全球刻蝕設備市場第二把交椅穩坐全球刻蝕設備市場第二把交椅 TEL是全球半導體設備巨頭中成立時間較早的公司，在涂膠顯影、薄膜沉積、刻蝕、清洗、檢測等方面具備強大的競爭力，刻蝕設備是其重要的產品線之一，擁有EpisodeTMUL、TactrasTM、Certas LEAGTM等產品系列，在介質及導體刻蝕工藝中得到廣泛應用（主要是介質），2021年全球市占率為26.6%，僅次于LAM位居全球第二。從業績看，

14、2018-2023財年公司業績穩定增長，2024財年有所下降，毛利率近三年維持在45%左右，凈利潤率則維持在約20%-22%范圍內。數據來源：iFind，TEL年報，TEL官網，平安證券研究所1111TELTEL刻蝕設備產品線刻蝕設備產品線05,00010,00015,00020,00025,000FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023FY2024收入利潤0%20%40%60%80%FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023FY2024TELTEL歷年收入利潤（億日元）歷年收入利潤（億日元）TELTEL歷年毛利率情況（歷年毛利率情

15、況（%）EpisodeEpisodeTMTMULULTactrasTactrasTMTMCertasCertas LEAGLEAGTMTMWafer尺寸（mm）300300300搭載腔數1-121-61-6應用范圍介質、導體、反應離子刻蝕介質、導體、反應離子刻蝕介質、化學干刻圖示中國大陸中國臺灣韓國北美日本歐洲東南亞及其他TELTEL全球收入分布情況（全球收入分布情況（%）FY2023FY20232.3 2.3 國際巨頭國際巨頭|AMAT:|AMAT:最大的平臺型設備公司，刻蝕設備穩居全球第三最大的平臺型設備公司，刻蝕設備穩居全球第三 AMAT是全球最具代表性的半導體設備平臺公司，產品近乎涵蓋

16、除光刻機外的所有半導體設備，刻蝕是其重要的產品線。2021年，AMAT刻蝕設備的全球市占率為17.0%，穩居全球第三，其刻蝕設備主要用于導體刻蝕，介質刻蝕應用相對略少。業績來看，近年AMAT業績穩定增長，毛利率近三年維持在47%左右，凈利潤率則維持在25%左右，較為穩定。數據來源：iFind，AMAT年報，AMAT官網，平安證券研究所1212AMATAMAT先進的導體刻蝕系統先進的導體刻蝕系統CentrisCentrisTMTMSym3Sym3TMTMY YAMATAMAT歷年毛利率情況（億美元）歷年毛利率情況（億美元）中國大陸韓國臺灣日本東南亞美國歐洲AMATAMAT歷年收入利潤情況（億美元

17、）歷年收入利潤情況（億美元）AMATAMAT全球收入分布情況全球收入分布情況FY2023FY20230100200300FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023收入利潤0%20%40%60%80%FY2019FY2020FY2021FY2022FY20232.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|中微公司：刻蝕設備批量應用于國際先進中微公司：刻蝕設備批量應用于國際先進5nm5nm及以下產線及以下產線 中微公司是國內半導體刻蝕設備最具代表性的公司，在CCP、ICP設備領域均擁有強大的產品實力，部分產品已經進入海外產線，批量應用于5nm及以下先進制程生產線。中微公司刻蝕設備發展

18、歷程總結如下：2007年，中微首臺CCP刻蝕設備研制成功；2011年，中微45nm介質刻蝕設備研制成功；2013年，中微22nm介質刻蝕設備研制成功；2015年，美國商務部取消了等離子體刻蝕機對中國的出口控制；2016年，中微7nm介質刻蝕設備研制成功；2017年中微刻蝕設備進入國際先進7nm生產線。數據來源：中微公司招股說明書，中微公司官網，平安證券研究所1313中微公司發展歷程中微公司發展歷程2.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|中微公司：刻蝕設備在國內具備強大競爭力中微公司：刻蝕設備在國內具備強大競爭力 憑借優異的產品性能，中微公司在國內刻蝕設備市場中具備強大的競爭力，逐漸被主流集成

19、電路廠接受。根據中微公司招股說明書，在公開招標的兩家存儲芯片制造企業和一家邏輯電路制造企業采購的刻蝕設備臺數訂單份額方面，中微公司占據的訂單份額在15%-20%之間，已經具備與國際巨頭同臺競爭的能力。數據來源：中微公司招股說明書，中國國際招標網，平安證券研究所1414存儲芯片制造企業存儲芯片制造企業A A的刻蝕設備訂單份額的刻蝕設備訂單份額（臺數占比，（臺數占比，%）LAM中微公司TELAMAT其他存儲芯片制造企業存儲芯片制造企業B B的刻蝕設備訂單份額的刻蝕設備訂單份額（臺數占比，（臺數占比，%）TELAMATLAM中微公司其他LAMTEL中微公司其他邏輯電路制造企業邏輯電路制造企業C C的

20、刻蝕設備訂單份額的刻蝕設備訂單份額（臺數占比，（臺數占比，%）備注：企業A和企業B統計區間為2017-2018年；企業C統計區間為2016年11月-2019年3月。2.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|中微公司：中微公司：CCPCCP設備市場表現優異設備市場表現優異 中微公司CCP刻蝕設備產品可劃分為雙反應臺和單反應臺兩大類，雙反應臺中，D-RIE、AD-RIE系列被廣泛應用于邏輯產線的介質刻蝕，SD-RIE則是針對28nm及以下的一體化大馬士革工藝，正在開展現場驗證；單反應臺中，HD-RIE主要用于NAND、DRAM產線中高深寬比溝槽及深孔刻蝕，UD-RIE則主要用于60:1的超高深寬比

21、刻蝕。中微公司CCP刻蝕設備產品起步早，性能穩定，市場表現優異。根據中微公司年報，截止2023年底，公司累計生產付運超過2800個CCP刻蝕反應腔，超過270臺反應臺進入5nm及以下生產線，在手訂單充裕。數據來源：中微公司年報，平安證券研究所1515中微公司中微公司CCPCCP刻蝕設備產品系列及發展路徑刻蝕設備產品系列及發展路徑中微公司中微公司CCPCCP刻蝕設備產品交付情況（腔）刻蝕設備產品交付情況（腔）2.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|中微公司：中微公司：ICPICP設備增速迅猛設備增速迅猛 中微公司ICP刻蝕設備主要分為Nanova和TSV系列，其中，Nanova系列適用于1X納

22、米及以下的邏輯和存儲器件的刻蝕應用，包括Nanova VE、Nanova UE、Nanova LUX等型號；TSV系列則包括200E（8英寸）和300E（12英寸）型號，批量應用于晶圓級先進封裝、2.5D封裝和MEMS等領域。中微公司ICP設備近年交付量迅猛增長。根據中微公司年報，2023年，公司ICP單臺機Primo nanova累計安裝機臺數量增長約50%，近三年CAGR超過80%，截止2023年末，中微公司共有445個Nanova反應腔在邏輯、3D NAND和DRAM客戶生產線運行。數據來源：中微公司年報，平安證券研究所1616中微公司中微公司ICPICP刻蝕設備產品系列及發展路徑刻蝕設

23、備產品系列及發展路徑中微公司中微公司NanovaNanova刻蝕設備產品交付情況（腔）刻蝕設備產品交付情況（腔）2.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|中微公司：新簽訂單屢創新高，業績長期穩定增長中微公司：新簽訂單屢創新高，業績長期穩定增長 近年，在產品力穩步增長以及國內半導體產業擴張的雙重推動下，中微公司業績迅猛增長。2019-2023年，中微公司營收從19.5億元增長到62.6億元，期間CAGR為33.9%，歸母凈利潤從1.9億元增長到17.9億元，期間CAGR高達75.4%。中微公司年新簽訂單屢創新高，確保其業績長期穩定增長。2020-2023年，中微公司新簽訂單分別為21.7億元、4

24、1.3億元、63.2億元、83.6億元，期間CAGR約為56.8%，新簽訂單穩步增長，反映出公司的設備產品在旺盛的行業需求下充分受益。數據來源：iFind，公司歷年年報，平安證券研究所17170%20%40%60%80%201920202021202220230204060801002020202120222023中微公司歷年收入情況（億元）中微公司歷年收入情況（億元）中微公司歷年歸母凈利潤情況（億元）中微公司歷年歸母凈利潤情況（億元）中微公司歷年毛利率情況（中微公司歷年毛利率情況（%）中微公司歷年新簽訂單情況（億元）中微公司歷年新簽訂單情況（億元）0102030405060702019202

25、02021202220232024Q105101520201920202021202220232024Q12.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|北方華創：平臺型公司，刻蝕機主力為北方華創：平臺型公司，刻蝕機主力為ICPICP 北方華創是國內具有代表性的半導體設備平臺型公司，刻蝕設備是其重要產品線，以ICP為主，CCP在近年也有突破，與中微公司并列刻蝕設備雙雄。北方華創ICP硅/金屬刻蝕機產品類別豐富，實現了12英寸各技術節點的突破，產品型號包括NMC 612C/612D硅刻蝕機、NMC 612G金屬刻蝕機等，是公司刻蝕產品線的主力，截止2023年，公司ICP出貨量累計超3200腔；CCP設

26、備方面，2022年，北方華創發布NMC508 CCP介質刻蝕機，2024年發布12英寸AccuraLX CCP刻蝕機，進展順利，截止2023年末，北方華創CCP設備累計出貨超100腔，發展勢頭迅猛；此外，北方華創在TSV刻蝕設備（PSE V300）、去膠機（ACE i300）等領域也有優秀產品，廣泛應用于國內主流Fab廠和先進封裝廠，已形成批量銷售。數據來源：北方華創年報，北方華創官網，平安證券研究所1818北方華創刻蝕設備累計出貨情況（截止北方華創刻蝕設備累計出貨情況（截止20232023年底，腔數）年底，腔數）0500100015002000250030003500ICPCCP北方華創刻蝕

27、設備機型（代表）北方華創刻蝕設備機型（代表）2.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|北方華創：業績高速增長且持續性強北方華創：業績高速增長且持續性強 近年，北方華創業績維持高速增長。2019-2023年，北方華創收入從40.6億元增長到220.8億元，期間CAGR為52.7%，歸母凈利潤從3.1億元增長到39.0億元，期間CAGR為88.5%；2024Q1，公司收入為58.6億元，同比增長51.4%，歸母凈利潤為11.3億元，同比增長90.4%；毛利率方面，長期維持在40%左右，上下略有浮動。在手訂單充裕，未來業績增長趨勢明確。2023年公司新簽訂單超300億元；截止2024Q1，公司合同負

28、債92.5億元，較2020年增長204%，是公司未來業績穩定增長的基礎。數據來源：iFind，北方華創年報，平安證券研究所1919北方華創歷年收入情況（億元）北方華創歷年收入情況（億元）0%20%40%60%80%201920202021202220232024Q1北方華創歷年毛利率情況（北方華創歷年毛利率情況（%）02040608010020202021202220232024Q1050100150200250201920202021202220232024Q1北方華創歷年歸母凈利潤情況（億元）北方華創歷年歸母凈利潤情況（億元）北方華創歷年合同負債情況（億元）北方華創歷年合同負債情況（億元）

29、01020304050201920202021202220232024Q12.4 2.4 國內后起之秀國內后起之秀|屹唐半導體：干刻設備應用于三星電子、長存等客戶屹唐半導體：干刻設備應用于三星電子、長存等客戶 屹唐半導體成立于2015年，2016年收購MTI，成為跨中、美、德的半導體設備公司，核心產品包括干法去膠、快速熱處理以及干刻設備。屹唐半導體干刻設備可用于65nm-5nm邏輯芯片、1y-2xnm系列DRAM以及32層-128層3D NAND芯片制造中，產品類別包括ParadigmE系列以及Novyka系列，客戶包括三星電子、長江存儲等，2018-2021H1，公司干刻設備銷量分別為4、4

30、、8、2臺。干法去膠設備是屹唐半導體的核心產品，其可視為等離子刻蝕技術的延伸，負責清除刻蝕后的殘留光刻膠，根據公司招股說明書，2020年公司干法去膠設備市占率31.3%，位居全球第一。數據來源：屹唐股份招股書，平安證券研究所20200204060801001201401602018201920202021H1干法去膠設備干刻設備屹唐半導體各設備產品銷量（臺）屹唐半導體各設備產品銷量（臺）屹唐半導體比思科公司日立高新LAM泰仕半導體愛發科北方華創國際電氣全球干法去膠設備市場競爭格局（全球干法去膠設備市場競爭格局（%）目錄目錄C CO N T E N T SO N T E N T S二、格局：國產

31、化之典范，成功打入國際市場二、格局：國產化之典范，成功打入國際市場一、概論：半導體制造三大核心設備之刻蝕一、概論：半導體制造三大核心設備之刻蝕三、看點：國產替代三、看點：國產替代+先進制程先進制程+海外拓展有望拉動增長海外拓展有望拉動增長2 21 13.1 3.1 看點一：國產替代趨勢長期利好看點一：國產替代趨勢長期利好2222 國產替代在國內半導體產業中已經成為主流趨勢并將持續下去，國家對此出臺了大量支持政策，半導體設備便是重中之重。2021年，上海市先進制造業發展“十四五”規劃中重點提及了5nm刻蝕機；2024年5月，國家大基金三期成立，注冊資本3440億元，超過前兩期注冊資本之和，為國內

32、半導體產業的發展提供了強大的推動力。國家對半導體產業的支持政策（部分）國家對半導體產業的支持政策（部分）國家大基金三期成立國家大基金三期成立數據來源：政府官網，企查查，平安證券研究所政策名稱政策名稱發布時間發布時間發布單位發布單位主要內容主要內容中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和2035年遠景目標剛要2021年3月全國兩會科技前沿領域攻關：集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，集成電路先進工藝和絕緣柵雙極性晶體管（IGBT）、MEMS等特色工藝突破，先進存儲技術升級，碳化硅、氮化鎵等寬緊帶半導體發展。上海市先進制造業發展“十四五”規劃2021年7月上海市政府集成電

33、路實現14納米先進工藝規模量產，5納米刻蝕機、12英寸大硅片、國產CPU、5G芯片等技術產品打破壟斷?！笆奈濉眹倚畔⒒巹?021年12月網信委關鍵核心技術創新能力顯著提升，集成電路、基礎軟件、裝備材料、核心元器件等短板取得重大突破。廣州市半導體與集成電路產業發展行動計劃（2022-2024年）2022年3月廣州市工信局（1）推動產業特色集聚發展。（2）提升高端芯片設計能力。（3）做大做強芯片制造業。（4）布局發展寬禁帶半導體。（5）推動封裝測試業高端化發展。（6）引進培育高端材料重點裝備企業。（7）支持公共服務平臺建設。（8）完善產業投融資環境。（9）強化應用需求牽引作用。（10）深化行

34、業交流合作。深圳市培育發展半導體與集成電路產業集群行動計劃（2022-2025）2022年6月深圳市發改委九大重點工程：（1）EDA工具軟件培育工程；（2）材料裝備配套工程；（3）高端芯片突破工程；（4）先進制造補鏈工程；（5）先進封測提升工程；（6）化合物半導體趕超工程；（7）產業平臺強基工程；（8）人才引育聚力工程；（9）產業園區固基工程。3.2 3.2 看點二：先進制程看點二：先進制程&先進存儲拉動新需求先進存儲拉動新需求2323 先進制程需要更多的刻蝕工藝次數先進制程需要更多的刻蝕工藝次數。隨著先進芯片制程從7-5nm階段向更先進工藝方向發展，需采用多重模版工藝，對刻蝕的精準度和重復性

35、要求更高，且涉及多次刻蝕；定量來講，65nm制程需20次刻蝕工藝，10nm制程需117次刻蝕工藝，5nm制程需160次刻蝕工藝，工藝制程的往前推進對刻蝕工藝的需求大幅增長。工藝制程進步工藝制程進步，產線設備投資額大幅增長產線設備投資額大幅增長。以5萬片產能為例，90nm產線的設備投資額約21.34億美元，20nm產線的設備投資額約47.46億美元，漲幅122%。不同線寬刻蝕次數（次）不同線寬刻蝕次數（次）數據來源：華經產業研究院，中芯國際公告，平安證券研究所02040608010012014016018065nm45nm28nm20nm14nm10nm7nm5nm050001000015000

36、200002500090nm65nm45nm28nm20nm16/14nm10nm7nm5nm3nm產能產能5 5萬片對應的設備投資額（百萬美元）萬片對應的設備投資額（百萬美元）3.2 3.2 看點二：先進制程看點二：先進制程&先進存儲拉動新需求先進存儲拉動新需求2424 FlashFlash存儲芯片結構從存儲芯片結構從2 2D D NandNand發展到發展到3 3D D NandNand，結構越發復雜化結構越發復雜化，導致存儲芯片的制造對刻蝕設備的需求量增長導致存儲芯片的制造對刻蝕設備的需求量增長。集成電路2D存儲器件的線寬已接近物理極限，NAND閃存已進入3D時代，目前128層 3D N

37、AND閃存已進入大生產，200層以上閃存已處于批量生產階段，更高層數正在開發。3D NAND制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數，刻蝕要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上，加工40：1到60：1甚至更高的極深孔或極深的溝槽，3D NAND層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比，并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大。2D Nand2D Nand、3D Nand3D Nand芯片結構圖芯片結構圖數據來源：中微公司年報，平安證券研究所3.3 3.3 看點三：長期看，海外市場有望拉動業績增長看點三：長期看，海外市場有望拉動業績增長2525 全球半導體產業持續增長，主要半導體企

38、業的資本開支處于較高水平，對設備產生了規?？捎^的持續需求。根據Omdia數據，在經歷2023年的小幅回調后，全球半導體銷售額預計將在2024-2026年迎來新一輪增長；根據Gartner數據，預計2024年全球主要半導體企業的資本開支合計為1174億美元，設備是其中的主要組成部分。國內刻蝕設備技術產品先進，具備角逐全球市場的實力，長期看，海外市場有望為國內刻蝕設備廠商提供新的增長點?？涛g是國內率先打破海外壟斷的半導體核心設備，在技術產品力方面具備強大的競爭力，且已經進入了海外市場，長期看，隨著全球半導體產業的持續擴張，國內刻蝕設備廠有望受益其中。全球半導體銷售額（百萬美元）全球半導體銷售額（百萬美元）全球主要半導體企業資本開支（百萬美元）全球主要半導體企業資本開支（百萬美元）數據來源：Omdia，Gartner，各公司官網，平安證券研究所0400008000012000016000020202021202220232024ETSMCSamsung ElectronicsIntelMicron TechnologySK hynixSMIC0200000400000600000800000100000020172018201920202021202220232024E 2025E 2026E