2021年中國存儲市場兆易創新公司核心優勢分析報告（40頁）.pdf

1、半導體存儲器從易失性角度分為隨機存儲器 RAM 和只讀存儲器 ROM 兩 種。隨機存儲器 RAM 在斷電后無法保存數據，主要用于存儲短時間使用 的程序。ROM 也被稱為主存和只讀內存，它只能讀出事先所存數據，而不 能像隨機存儲器那樣能快速、方便的改寫，但具有隨時讀寫、速度快的特 性，通常作為操作系統或其他正在運行中的程序的臨時數據存儲媒介。 中國存儲芯片市場規模超 3000 億元，DRAM 和 Flash 合計占比達 98%。 Yoe 數據顯示，2014-2019 年，中國存儲芯片市場規模由 1274 億元增長至 2697 億元，年均復合增長率達到 16.18%，前瞻研究院估計，2020 年中

2、國 存儲芯片市場規模突破將近 3000 億元。從產品結構上看，智研咨詢數據 顯示 2020 年中國存儲市場中 DRAM 占比為 53%，NAND 占比為 42%， NOR 占比為 3%， DRAM 與 Flash 合計占比達 98%。兆易創新主要布局 SLC NAND Flash，不斷推出新產品。目前 SLC NAND 市場主流工藝結點在 19nm-38nm，公司于 2017 年開始布局 NAND 產品，2017Q2 成功研發出 38nm 工藝節點的 SLC NAND，并于 2017Q3 開始量產。2020 年 10 月，公司推出純國產化和自主化的 24nm 工藝節點 4Gb SPI NAND Flash 產品GD5F4GM5 系列，且已實現量產，標志著國 內 SLC NAND Flash 產品正式邁入 24nm 先進制程工藝時代，在 NAND 市 場需求端放量的情況下，公司將成功打開業務新空間。