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1、隨著半導體集成電路工藝節點的推進,作為晶圓廠制程控制主力設備的光學缺陷檢測設備的解析度已無法滿足大規模生產和先進制程開發需求,必須依靠更高分辨率的電子束復檢設備的進一步復查才能對缺陷進行清晰地圖像成像和類型的甄別,從而為半導體制程工藝工程師優化制程工藝提供依據。缺陷復查是一種使用掃描電子顯微鏡 (SEM)檢查晶圓上的缺陷。使用缺陷復查將半導體晶圓缺陷檢測系統檢測到的缺陷放大為高放大倍率圖像,以便對該圖像進行檢閱和分類。缺陷復查設備主要與電子設備和其他半導體生產線的檢測系統一起使用。在缺陷檢測系統中,將缺陷圖像與相鄰的模子圖像(參考圖像)進行比較,由于圖像差異(差值圖像處理)而檢測缺陷。與缺陷檢
2、測系統類似的缺陷復查設備通過與相鄰模具的電路模式進行比較來檢測缺陷,并獲得缺陷的正確位置。然后將缺陷移動到視場的中心,并拍攝放大的照片。光學檢測、電子束檢測兩者在制程工藝的檢測中應用互補。光學的特點在于快速與完整,通??梢匀旌蜻M行檢測,在需要實時檢測以及離工藝機臺較近甚至直接與工藝機臺集成的應用場景下就會使用光學檢測,通過光的反射、衍射光譜進行測量,具備檢測速度快、成本低、范圍廣的優點;但是傳統光學的波長是奈米等級,無法做非常精細的檢測,所以會再使用電子束做更精細的檢測。電子束波長是皮米等級,可以高分辨率的采集圖像進行分類與分析。對于工藝的將測必須要精確評估,如果未檢測到制程偏移和潛在良率問題,會使得生產的產品無法使用,因此需要多項檢測設備進行多方位的檢測。
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