拓荊科技-國產薄膜沉積設備龍頭有望進入設備放量期-220511（44頁）.pdf

1、 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 Table_Info1Table_Info1 拓荊科技拓荊科技(688072)(688072) 半導體半導體/ /電子電子 Table_Date 發布時間：發布時間：2022-05-11 Table_Invest 買入買入 首次 覆蓋 Table_Market 股票數據 2022/05/11 6 個月目標價（元） 174.8 收盤價（元） 128.00 12 個月股價區間（元） 89.71128.00 總市值（百萬元） 16,189.29 總股本（百萬股） 126 A 股（百萬股） 126 B 股/H 股（百萬股） 0/0 日均成交量

2、（百萬股） 4 Table_PicQuote 歷史收益率曲線 Table_Trend漲跌幅（%） 1M 3M 12M 絕對收益 相對收益 Table_Report 相關報告 機械行業 2021 年策略報告： 龍頭與景氣制造公司的盛宴！ -20201105 Table_Author 證券分析師：劉軍證券分析師：劉軍 執業證書編號：S0550516090002 021-20361113 研究助理：許光坦研究助理：許光坦 執業證書編號：S0550121050011 021-20361113 Table_Title 證券研究報告 / 公司深度報告 國產薄膜沉積設備龍頭，有望進入設備放量期國產薄膜沉積設

3、備龍頭，有望進入設備放量期 報告摘要：報告摘要： Table_Summary 公司專注于薄膜沉積設備，是晶圓制造核心工藝環節稀缺的國產設備供應商，現有 PECVD、ALD、SACVD 三大類產品，已廣泛應用于 14nm制程，并已開展 10nm 及以下驗證。本篇報告展示了薄膜沉積工藝在晶圓制造中的使用場景以及驅動因素，闡述公司的稀缺性和成長確定性。 薄膜沉積設備是半導體薄膜沉積設備是半導體前道前道設備中的優質賽道設備中的優質賽道， 預計到預計到 2025 年全球年全球 340億美元市場空間億美元市場空間，其中，其中 PECVD+ALD 達達 150 億美元。億美元。薄膜沉積是指在硅片襯底上沉積一

4、層待處理的薄膜材料，是晶圓制造的核心環節。具有空間大、增速高、競爭格局好的特點： （1）空間大：占前道設備投資的25%，僅次于刻蝕設備，2020 年國內薄膜沉積設備市場規模約為 300 億人民幣，且在快速增加； （2）增速高：化學薄膜沉積設備 2011-2021 年復合增速為 13.41%，僅次于干法刻蝕設備； （3）競爭格局較好：技術門檻高，國內沉積設備互為補充，競爭對手主要在海外。 稀缺性：在多個環節為國產唯一供應商。稀缺性：在多個環節為國產唯一供應商。拓荊科技憑借國家級重大項目經驗+35%的研發費用率+人才團隊構筑護城河，產品線較為完備，性能已達國際同類水平。公司與國際巨頭直接競爭，受到

5、中芯國際、長江存儲等客戶的認可， 成為唯一進入相關產線的國產設備供應商， PECVD 產品中標機臺數量市場份額占比為 16.56% （部分廠商公開中標結果統計） ，在國產替代大背景下稀缺性值得重視。 成長具有確定性：國內需求持續增長成長具有確定性：國內需求持續增長+滲透率提升。滲透率提升。公司的 PECVD、ALD、SACVD 三類產品在中國大陸市場空間約 150 億元人民幣（2020年） ， 2021 年公司國內市場份額僅 5.39%， 憑借稀缺性優勢滲透率有望逐步提升。需求方面，2020-2024 年，大陸內資晶圓廠 12 寸和 8 英寸潛在擴產產能約分別為 120 萬片/月及 42 萬片

6、/月，且先進工藝、先進制程增加薄膜沉積的材料和環節，需求有望保持強勁增長。 業績預測及估值業績預測及估值： 我們預計公司 2022-2024 年歸母凈利潤為 1.25 億、 2.22億、3.45 億。對應 PE 為 129/73/47 倍；PS 分別為 13/9/7 倍，首次覆蓋，給予“買入”評級。 風險提示：風險提示：新品新品驗證驗證不及預期；行業競爭加劇不及預期；行業競爭加劇 Table_Finance財務摘要（百萬元）財務摘要（百萬元） 2020A 2021A 2022E 2023E 2024E 營業收入營業收入 436 758 1,239 1,755 2,382 (+/-)% 73.3

7、8% 73.99% 63.51% 41.62% 35.73% 歸屬母公司歸屬母公司凈利潤凈利潤 -11 68 125 222 345 (+/-)% 40.68% 696.10% 82.92% 77.50% 55.21% 每股收益（元）每股收益（元） 0.00 0.72 0.99 1.76 2.73 市盈率市盈率 0.00 129.23 72.81 46.91 市凈率市凈率 0.00 4.55 4.32 4.00 凈資產收益率凈資產收益率(%) -1.02% 5.74% 3.52% 5.94% 8.52% 股息收益率股息收益率(%) 0.00% 0.00% 0.00% 0.00% 0.00% 總

8、股本總股本 (百萬股百萬股) 0 95 126 126 126 -10%0%10%20%30%40%50%2022/4/202022/4/272022/5/42022/5/11拓荊科技滬深300 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 2 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 目目 錄錄 1. 國內半導體薄膜沉積設備龍頭國內半導體薄膜沉積設備龍頭 . 5 1.1. 專注半導體薄膜沉積設備. 5 1.2. 2021 年已實現盈利，產品有望放量. 6 1.3. 管理團隊技術背景出身，員工持股激發活力. 7 2. 薄膜沉積設備是半導體設備中的優質賽道薄膜沉積設備是半導體

9、設備中的優質賽道 . 9 2.1. 半導體及半導體設備行業飛速發展. 9 2.2. 薄膜沉積直接影響芯片性能，該類設備系三大前道核心設備之一. 12 2.3. 薄膜沉積設備價值量高、增速快，預計到 2025 年全球 340 億美元市場空間. 16 2.4. 全球來看，行業基本由 AMAT、ASMI、Lam、TEL 等國際巨頭壟斷. 19 3. 公司具有稀缺性：在多個環節為國產唯一供應商公司具有稀缺性：在多個環節為國產唯一供應商 . 23 3.1. 國家級重大項目經驗+研發投入+人才+優質產品構筑護城河 . 23 3.2. 產品線較為完備，性能已達國際同類設備水平. 26 3.3. 唯一性：競爭

10、對手主要在海外，公司在多個環節為國產唯一供應商，客戶認可度高. 30 4. 公司成長具有確定性：國內需求持續增長公司成長具有確定性：國內需求持續增長+滲透率提升滲透率提升 . 33 4.1. 公司三類產品對應國內市場空間約 150 億人民幣，市占率有望持續提升. 34 4.2. 國內晶圓廠資本開支在未來幾年持續景氣. 36 4.3. 先進工藝&先進制程增加薄膜沉積的材料和環節 . 36 4.4. 多款產品驗證中，募投研發擴產有望形成新的增長點. 39 5. 投資建議及風險提示投資建議及風險提示 . 41 圖表目錄圖表目錄 圖圖 1： 2021 年公司營收構成年公司營收構成 . 5 圖圖 2：

11、2021 年公司毛利構成年公司毛利構成 . 5 圖圖 3： 拓荊科技發展歷程拓荊科技發展歷程 . 5 圖圖 4： 公司公司 2018-2022Q1 營業收入營業收入 . 6 圖圖 5： 公司公司 2018-2022Q1 歸母凈利潤歸母凈利潤 . 6 圖圖 6： 公司利潤率變化情況公司利潤率變化情況 . 6 圖圖 7： 公司期間費用變化情況公司期間費用變化情況 . 6 圖圖 8： 拓荊科技股權結構拓荊科技股權結構 . 7 圖圖 9： 半導體行業產業鏈半導體行業產業鏈 . 9 圖圖 10： 費城半導體指數費城半導體指數( (半導體行業周期半導體行業周期) ) . 10 圖圖 11： 半導體市場的驅

12、動因素及未來成長半導體市場的驅動因素及未來成長 . 10 圖圖 12： 全球半導體銷售收入全球半導體銷售收入 . 11 圖圖 13： 中國大陸集成電路銷中國大陸集成電路銷售收入售收入 . 11 圖圖 14： 晶圓生產流程及對應設備概覽晶圓生產流程及對應設備概覽 . 12 圖圖 15： 薄膜沉積工藝分類薄膜沉積工藝分類 . 13 圖圖 16： 薄膜沉積工藝發展歷程薄膜沉積工藝發展歷程 . 13 NAbWmUlUiXmUnZuXjZ8O8QaQpNoOsQnPiNoOmRfQrQsR7NmMuNxNmPoQwMrRoP 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 3 / 44 拓荊科

13、技拓荊科技/ /公司深度公司深度 圖圖 17： 常見的化學氣相沉積（常見的化學氣相沉積（CVD）工藝及設備）工藝及設備 . 15 圖圖 18： PECVD 與與 ALD 工藝對比工藝對比 . 15 圖圖 19： 拓荊科技的薄膜沉積設備在邏輯芯片中的應用圖示拓荊科技的薄膜沉積設備在邏輯芯片中的應用圖示 . 16 圖圖 20： 拓荊科技薄膜沉積設備在拓荊科技薄膜沉積設備在 3D NAND 應用圖示應用圖示 . 16 圖圖 21： 拓荊科技薄膜沉積設備在拓荊科技薄膜沉積設備在 DRAM 應用圖示應用圖示 . 16 圖圖 22： 全球半導體設備銷售收入全球半導體設備銷售收入 . 17 圖圖 23： 中

14、國大陸半導體銷售收入中國大陸半導體銷售收入 . 17 圖圖 24： 國產半導體裝備國產半導體裝備產業銷售額及自給率（億美元）產業銷售額及自給率（億美元） . 17 圖圖 25： 半導體設備投資占比情況半導體設備投資占比情況 . 18 圖圖 26： 2011-2021 不同種類設備年均復合增速不同種類設備年均復合增速 . 18 圖圖 27： 全球半導體薄膜沉積設備市場規模（億美元）全球半導體薄膜沉積設備市場規模（億美元） . 18 圖圖 28： 全球三大類薄膜沉積設備廠商占比全球三大類薄膜沉積設備廠商占比 . 19 圖圖 29： AMAT 凈銷售額、凈利潤、毛利率凈銷售額、凈利潤、毛利率. 20

15、 圖圖 30： AMAT 半導體產品業務半導體產品業務營收占比營收占比 . 20 圖圖 31： AMAT 分地區銷售收入占比分地區銷售收入占比. 20 圖圖 32： AMAT 薄膜沉積產品薄膜沉積產品 . 20 圖圖 33： TEL 營收、營收、毛利、毛利率毛利、毛利率 . 21 圖圖 34： 2021 TEL 營收占比營收占比 . 21 圖圖 35： TEL 薄膜沉積產品薄膜沉積產品 . 21 圖圖 36： 拉姆研究營收、凈利潤、毛利率拉姆研究營收、凈利潤、毛利率 . 22 圖圖 37： 拉姆研究拉姆研究主營主營業務業務營收占比營收占比 . 22 圖圖 38： 拉姆研究分拉姆研究分地區銷售收

16、入占比地區銷售收入占比 . 22 圖圖 39： ASMI 凈銷售額、凈利潤、毛利率凈銷售額、凈利潤、毛利率 . 23 圖圖 40： ASMI 主營主營業務業務營收占比營收占比 . 23 圖圖 41： ASMI 分地區銷售收入占比分地區銷售收入占比 . 23 圖圖 42： ASMI 薄膜沉積產品薄膜沉積產品 . 23 圖圖 43： 公司具備八項核公司具備八項核心技術，關鍵性能指標達國際先進水平心技術，關鍵性能指標達國際先進水平 . 24 圖圖 44： 半導體設備投資占比情況半導體設備投資占比情況 . 25 圖圖 45： 2011-2021 不同種類設備年均復合增速不同種類設備年均復合增速 . 2

17、5 圖圖 46： 公司現有產品在邏輯芯片生產領域的應用公司現有產品在邏輯芯片生產領域的應用 . 26 圖圖 47： 公司現有產品在公司現有產品在 DRAM 制造領域的應用制造領域的應用 . 26 圖圖 48： 公司現有產品在公司現有產品在 FLASH 制造領域的應用制造領域的應用 . 26 圖圖 49： 拓荊科技在國內薄膜沉積設備的占比拓荊科技在國內薄膜沉積設備的占比 . 30 圖圖 50： 2019-2020 年公司在下游客戶中的采購份額年公司在下游客戶中的采購份額 . 32 圖圖 51： 擴產持續擴產持續+先進工藝先進工藝+先進制程，推動薄膜沉積設備需求快速增長先進制程，推動薄膜沉積設備需

18、求快速增長 . 34 圖圖 52： 各類薄膜沉積設備占比各類薄膜沉積設備占比 . 34 圖圖 53： 國內各類薄膜沉國內各類薄膜沉積設備市場空間（積設備市場空間（2020 年）年） . 34 圖圖 54： 公司三類設備近年來銷售額（億元）公司三類設備近年來銷售額（億元） . 35 圖圖 55： 公司三類設備毛利率變化公司三類設備毛利率變化 . 35 圖圖 56： 晶體管結構的演變晶體管結構的演變 . 37 圖圖 57： 不同工藝節點薄膜沉積工序對比不同工藝節點薄膜沉積工序對比 . 37 圖圖 58： 更復雜更復雜的結構和更多的需沉積材料多薄膜沉積設備的需求量增加的結構和更多的需沉積材料多薄膜沉

19、積設備的需求量增加 . 37 圖圖 59： 圖圖 36：2D NAND 與與 3D NAND 結構簡圖結構簡圖 . 38 圖圖 60： 薄膜沉積設備在薄膜沉積設備在 2D 及及 3D 時代的占比時代的占比 . 38 圖圖 61： 中芯國際不同制程邏輯芯片產線薄膜沉積設備需求量（臺中芯國際不同制程邏輯芯片產線薄膜沉積設備需求量（臺/萬片月產能）萬片月產能） . 38 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 4 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 圖圖 62： 先進制程產品占比越來越多先進制程產品占比越來越多 . 39 圖圖 63： 公司存貨情況公司存貨情況 . 3

20、9 圖圖 64： 公司預收賬款公司預收賬款+合同負債情況合同負債情況 . 39 表表 1： 半導體設備公司毛利率對比半導體設備公司毛利率對比 . 7 表表 2： 拓荊科技部分管理人員情況拓荊科技部分管理人員情況 . 8 表表 3： 八名外籍專家獲得八名外籍專家獲得股權激勵及在公司任職情況股權激勵及在公司任職情況 . 8 表表 4： PVD、CVD、ALD 成膜效果展示及工藝對比成膜效果展示及工藝對比 . 14 表表 5： 公司核心技術情況及對產品貢獻公司核心技術情況及對產品貢獻 . 24 表表 6： 公司核心技術人員公司核心技術人員 . 25 表表 7： 公司產品總體性能和關鍵性公司產品總體性

21、能和關鍵性能參數已達到國際同類設備水平能參數已達到國際同類設備水平 . 27 表表 8： 公司公司 PECVD 設備介紹設備介紹 . 28 表表 9： 公司公司 ALD 設備介紹設備介紹 . 29 表表 10： 公司公司 SACVD 設備介紹設備介紹 . 30 表表 11： 國內部分薄膜沉積設備廠家工藝類型、技術原理及應用領域國內部分薄膜沉積設備廠家工藝類型、技術原理及應用領域 . 31 表表 12： 公司與客戶合作時間較長，具備穩定性公司與客戶合作時間較長，具備穩定性 . 32 表表 13： 公司近年來前五大客戶公司近年來前五大客戶 . 33 表表 14： 公司主要產品及市場格局公司主要產品

22、及市場格局 . 35 表表 15： 中國大陸新建晶圓廠及投資額（不完全統計）中國大陸新建晶圓廠及投資額（不完全統計） . 36 表表 16： 公司部分新品驗證進度公司部分新品驗證進度 . 40 表表 17： 公司公司 IPO 募投計劃（萬元）募投計劃（萬元） . 40 表表 18： 可比上市公司估值表可比上市公司估值表 . 41 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 5 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 1. 國內國內半導體薄膜沉積設備龍頭半導體薄膜沉積設備龍頭 1.1. 專注半導體薄膜沉積設備專注半導體薄膜沉積設備 拓荊科技專注的薄膜沉積設備領域系半導體晶

23、圓制造三大核心設備種類之一，主要產品包括等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）設備、原子層沉積（ALD）設備和次常壓化學氣相沉積 （SACVD） 設備三個產品系列， 已廣泛應用于國內晶圓廠 14nm及以上制程集成電路制造產線，并已展開 10nm 及以下制程產品驗證測試。 圖圖1：2021 年公司營收構成年公司營收構成 圖圖2：2021 年公司毛利構成年公司毛利構成 數據來源：Wind，東北證券 數據來源：Wind，東北證券 公司成立于 2010 年；2011 年首臺 12 英寸 PECVD 到中芯國際驗證，于 2013 年通過產品線測試，2014 年獲得其首臺量產機臺 PF-300T 訂單，2

24、015 年 PF-300T 在中芯國際產線突破一萬片；2016 年 ALD 設備、8 寸 PECVD 出廠到客戶端，2017 年首臺 ALD 通過客戶端 14nm 產業化驗證；2019 年 SACVD 研制成功并出廠到客戶端；2022 年 4 月 20 日于科創板上市。 目前，公司是國內唯一一家產業化應用的集成電路 PECVD、SACVD 設備廠商，產品已成功應用于中芯國際、華虹集團、長江存儲、廈門聯芯、燕東微電子等行業領先集成電路制造企業產線， 打破國際廠商對國內市場的壟斷， 與國際寡頭直接競爭，產品技術參數已達到國際同類設備水平。公司在研產品已發往某國際領先晶圓廠參與其先進制程工藝研發。

25、圖圖3：拓荊科技發展歷程拓荊科技發展歷程 資料來源：公司官網，拓荊科技招股說明書，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 6 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 1.2. 2021 年已實現盈利，產品有望放量年已實現盈利，產品有望放量 PECVD 設備銷量逐漸增加，設備銷量逐漸增加，2021 年實現盈利年實現盈利。公司營收穩健增長，盈利能力逐年向好，2021 年已實現盈利。我們認為主要受益于半導體設備行業的快速發展，以及公司實力不斷受到認可有關。 圖圖4：公司公司 2018-2022Q1 營業收入營業收入 圖圖5：公司公司 2018-2022Q1 歸母

26、凈利潤歸母凈利潤 數據來源：Wind，東北證券 數據來源：Wind，東北證券 隨著規模效應逐漸顯現，公司隨著規模效應逐漸顯現，公司毛利率已高于行業平均水平毛利率已高于行業平均水平。2018-2020 年，公司處于收入增長期，規模效應尚不明顯；且在開拓新業務時，部分商務談判中接受了優惠的報價，因此毛利率水平相比同行業可比公司平均水平較低。隨著公司技術水平和市場地位的提升，議價能力、產品先進性逐漸提高，規模效應逐漸顯現，2021 年及 2022Q1，公司的毛利率高于同行業可比公司平均水平。 圖圖6：公司公司利潤率變化情況利潤率變化情況 圖圖7：公司期間費用變化情況公司期間費用變化情況 數據來源：W

27、ind，東北證券 數據來源：Wind，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 7 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 表1：半導體設備公司毛利率對比半導體設備公司毛利率對比 公司名稱公司名稱 2018 2019 2020 2021 2022Q1 應用材料(AMAT) 45.31% 43.72% 44.72% 47.32% 47.19% 先晶半導體(ASMI) 40.86% 42.61% 53.05% 47.87% 47.81% 泛林半導體(Lam) 46.63% 45.15% 45.88% 46.53% 45.83% 東京電子(TEL) 42.00%

28、41.20% 40.10% 40.40% - 中微公司 35.50% 34.93% 37.67% 43.36% 11.58% 芯源微 46.27% 46.21% 41.95% 38.08% 22.22% 盛美上海 44.19% 45.14% 43.78% 42.53% 47.16% 華海清科 25.27% 31.27% 38.17% - - 平均值 40.75% 41.28% 43.17% 43.73% 36.97% 拓荊科技 33.00% 31.99% 34.12% 44.01% 47.44% 數據來源：Wind，東北證券 注：為公司財年，如 AMAT 的一個財年為 11 月-次年 10 月

29、 1.3. 管理團隊技術背景出身管理團隊技術背景出身，員工持股員工持股激發活力激發活力 截至 2022 年 4 月 20 日，公司無控股股東和實際控制人，第一大股東為國家集成電路基金，持股 19.86%。 公司董事會由 9 名董事組成， 6 名非獨立董事中， 國家集成電路基金有權提名 2 名，國投上海、中微公司分別有權提名 1 名，姜謙及其一致行動人有權提名 2 名。盡管無實際控制人，但該體系可使公司在重大決策和日常工作中穩健經營。 圖圖8：拓荊科技拓荊科技股權結構股權結構 資料來源：Wind，拓荊科技招股說明書，東北證券 管理團隊技術背景出身， 凸顯公司技術實力。管理團隊技術背景出身， 凸顯

30、公司技術實力。 公司高管多有豐富的海內外產業經歷，對公司的研發亦大有幫助。 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 8 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 表表2：拓荊科技部分管理人員情況拓荊科技部分管理人員情況 姓名 職務 學歷 經歷 呂光泉 董事長 美國加州大學圣地亞哥分校博士 1994 年 8 月至 2014 年 8 月， 先后任職于美國科學基金會尖端電子材料研究中心、美國諾發、德國愛思強公司美國 SSTS 部，歷任副研究員、工程技術副總裁等職 姜謙 董事 美國布蘭迪斯大學博士 1982 年 1 月至 2005 年 10 月，先后任職于麻省理工學院、英特爾

31、公司、美國諾發，歷任研究員、研發副總裁等職；2006 年 4 月至 2010 年 3 月，任欣欣科技（沈陽）有限公司執行董事 楊征帆 董事 英國布里斯托大學碩士 2004 年 12 月至今，先后任職于清華同方威視技術股份有限公司、中國人民銀行沈陽分行、開元（北京）城市發展基金有限公司、華芯投資管理有限責任公司（以下簡稱“華芯投資”） ，歷任軟件工程師、投資部門副總經理等職 楊柳 董事 清華大學材料學碩士及 MBA 2004 年 4 月至 2021 年 3 月，先后就職于應用材料公司、大族激光、中廣核太陽能開發有限公司和國開金融有限責任公司，歷任技術工程師、工藝總監、投資管理高級經理、總經理助理

32、等職；2021 年 4 月至今，就職于華芯投資，任資深經理 齊雷 董事 中國人民解放軍信息工程大學碩士 2004 年 8 月年至今，先后任職于中國人民解放軍某部隊、中國國投高新產業投資有限公司、國投創業投資管理有限公司，歷任助理研究員、執行總經理等職 尹志堯 董事 加州大學洛杉磯分校博士 1984 年 3 月至今，先后任職于英特爾中心、泛林半導體、應用材料、中微公司，歷任工藝工程師、董事長等職 資料來源：公開信息整理，拓荊科技招股說明書，東北證券 公司建有員工持股平臺，公司建有員工持股平臺，八名外籍專家八名外籍專家直接持股直接持股或或通過員工持股平臺間接持股通過員工持股平臺間接持股，激，激發活

33、力發活力。呂光泉等七名外籍專家直接持股并通過員工持股平臺間接持股，姜謙及其余員工通過員工持股平臺間接持有發行人激勵股份， 11 個員工持股平臺合計持有發行人 11,481,700 股股份，占發行前股份的 12.10%；合計持有發行人 15.19%的股份（發行前） 。 公司全員持股的激勵制度，吸引了大量具有豐富經驗的國內外半導體設備行業專家加入公司，強化專家團隊的技術能力、領導力和執行力。同時，公司大膽提拔國內中層干部，并在基層增補新鮮血液，為公司發展儲備人才。 表表3：八名外籍專家獲得八名外籍專家獲得股權股權激勵及在公司任職情況激勵及在公司任職情況 序號序號 姓名姓名 公司職務公司職務 直接持

34、股股數（股）直接持股股數（股） 間接持股股數（股）間接持股股數（股） 合計持股股數（股）合計持股股數（股） 1 呂光泉 現任董事長 500,000 655,000 1,155,000 2 姜 謙 現任董事 - 883,900 883,900 3 劉憶軍 曾任副總經理 280,000 140,000 420,000 4 凌復華 曾任副總經理 255,000 150,000 405,000 5 吳 飚 曾任副總經理 175,000 175,000 350,000 6 周 仁 曾任副總經理 175,000 175,000 350,000 7 張先智 現任公司顧問 160,000 345,000 50

35、5,000 8 張孝勇 現任副總經理 150,000 905,000 1,055,000 合計 1,695,000 3,428,900 5,123,900 資料來源：拓荊科技招股說明書，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 9 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 2. 薄膜沉積設備是半導體設備中的優質賽道薄膜沉積設備是半導體設備中的優質賽道 薄膜沉積設備具有空間大、增速高、競爭格局好的特點，是半導體設備行業的優質賽道： 1、空間大、空間大：薄膜沉積設備占前道設備投資的 25%，僅次于刻蝕設備，需求量大， 2020 年國內薄膜沉積設備市場規模約為 30

36、0 億人民幣，且在快速增加； 2、增速高、增速高：過去十年，化學薄膜沉積設備 2011-2021 年復合增速為 13.41%，僅次于干法刻蝕設備； “擴產持續+先進工藝+先進制程” 將持續推動半導體薄膜沉積設備行業成長； 3、競爭格局、競爭格局較較好好：半導體薄膜沉積設備技術門檻高，國內沉積設備互為補充，競爭對手主要在海外，有望充分授予于國產替代進程。 2.1. 半導體及半導體設備半導體及半導體設備行業飛速發展行業飛速發展 半導體產業鏈可按照主要生產過程進行劃分，整體可分為上游半導體支撐產業、中游晶圓制造產業、下游半導體應用產業。上游半導體材料、設備產業為中游晶圓制造產業提供必要的原材料與生產

37、設備。半導體產品下游應用廣泛，涉及通訊技術、消費電子、工業電子、汽車電子、人工智能、物聯網、醫療、新能源、大數據等多個領域。下游應用行業的需求增長是中游晶圓制造產業快速發展的核心驅動力。 圖圖9：半導體半導體行業產業鏈行業產業鏈 資料來源：拓荊科技招股說明書，東北證券 全球半導體行業處于景氣周期。全球半導體行業處于景氣周期。由于前幾年全球芯片產業制程布局與市場需求錯配，加之新冠疫情干擾供應鏈，多國出現了缺”芯”現象，下游需求增加，半導體產業處于景氣周期。 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 10 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 圖圖10：費城半導體指數費

38、城半導體指數( (半導體行業周期半導體行業周期) ) 資料來源：Wind，東北證券 5G、新能源汽車等景氣行業持續驅動半導體需求。、新能源汽車等景氣行業持續驅動半導體需求。據 ASM Pacific 公司 2021 年 Q2財報中援引 Gartner 數據，全球半導體銷售收入仍將強勁增長，智能手機對半導體的需求有望在 5G 推動下恢復成長，新能源汽車也將拉動需求。未來，隨著 5G 通訊網絡、人工智能、汽車電子、智能移動終端、物聯網的需求和技術不斷發展，市場需求不斷擴大，為國內封裝企業提供良好的發展機會，帶動半導體產業的發展，推動先進封裝的需求，成為封裝領域新的增長動能。 圖圖11：半導體市場的

39、驅動因素及未來成長半導體市場的驅動因素及未來成長 資料來源：ASM Pacific，Gartner，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 11 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 2022 年全球半導體市場規模將達到年全球半導體市場規模將達到 6760 億美元。億美元。根據 Gartner 的統計結果， 全球半導體行業銷售收入 2016 年至 2018 年一直保持增長趨勢，復合增長率達 17.34%。2019 年受全球宏觀經濟低迷影響， 半導體行業景氣度有所下降。 2020 年全球半導體收入恢復增長至 4,498.0 億美元，比 2019 年增長 7

40、.3%；2021 年同比增長 32.38%。據 Gartner 預測，2022 年全球半導體市場規模將達到 6760 億美元。 中國大陸集成電路銷售收入近年來穩健成長，2021 年實現 10458 億元人民幣，同比增長 18.2%，占全球的比重約為 27%。 圖圖12：全球半導體銷售收入全球半導體銷售收入 圖圖13：中國大陸中國大陸集成電路集成電路銷售收入銷售收入 數據來源：Gartner，東北證券 數據來源：半導體行業協會，東北證券 半導體設備是半導體行業的基礎支撐，光刻設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備是集成半導體設備是半導體行業的基礎支撐，光刻設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝

41、中的三大核心設備。電路前道生產工藝中的三大核心設備。半導體產業的發展衍生出巨大的半導體設備市場，主要包括光刻機、刻蝕機、薄膜沉積設備、離子注入機、測試機、分選機、探針臺等設備，屬于半導體行業產業鏈的技術先導者。應用于集成電路領域的設備通?？煞譃榍暗拦に囋O備 （晶圓制造） 和后道工藝設備 （封裝測試） 兩大類。 其中，晶圓制造設備的市場規模占集成電路設備整體市場規模的 80%以上。在前道晶圓制造中，共有七大工藝步驟，分別為氧化/擴散、光刻、刻蝕、薄膜生長、離子注入、清洗與拋光、 金屬化， 所對應的設備主要包括氧化/擴散設備、 光刻設備、 刻蝕設備、薄膜沉積設備、離子注入設備、清洗設備、機械拋光設

42、備等，其中光刻設備、刻蝕設備、薄膜沉積設備是集成電路前道生產工藝中的三大核心設備。 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 12 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 圖圖14：晶圓晶圓生產流程及對應設備概覽生產流程及對應設備概覽 數據來源：草根調研，拓荊科技招股說明書，東北證券 2.2. 薄膜沉積薄膜沉積直接影響芯片性能，直接影響芯片性能，該類該類設備系三大設備系三大前道前道核心設備之一核心設備之一 晶圓晶圓前道制造可以前道制造可以簡單簡單看作是一個看作是一個表表面加工的過程，薄膜沉積包含其中。面加工的過程，薄膜沉積包含其中。在硅片表面按照一定順序，生長出半導體

43、、絕緣介質和導電層等不同成分的膜層的工藝，稱之為薄膜沉積。有多種技術可以將需要的膜層沉積到晶圓的表面，其中比較重要的有化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)和原子層沉積(ALD)。薄膜沉積設備主要負責各個步驟當中的介質層與金屬層的沉積，在芯片完成制造、封測等工序后會留存在芯片中，薄膜的技術參數直接影響芯片性能。 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 13 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 圖圖15：薄膜沉積工藝分類薄膜沉積工藝分類 資料來源：拓荊科技招股說明書， 半導體制造技術 ，東北證券 CVD 開始時間最早，其次為開始時間最早，其次為 PVD、A

44、LD。1880 年用化學氣相沉積（CVD）碳補強白熾燈中的鎢燈絲開創了 CVD 的歷史，1950 年代 CVD 開始工業化應用，1960 年代 CVD 法不僅應用于宇航工業的特殊復合材料、 原子反應堆材料、 刀具、 耐熱耐腐蝕涂層等領域， 還被應用于半導體工業領域。 1963 年， PVD真空離子鍍膜 （VAC-ION PLATING）技術研制成功，主要用于人造衛星需要的耐磨零部件。原子層沉積(ALD)制程技術則于 1970 年代開始發展，至 1990 年代末期，由于半導體工業開始導入 ALD 制程，ALD 制程技術迅速成長。在 2007 年 Intel 利用 ALD 制程技術成長二氧化鉿(H

45、fO2)閘極氧化層，應用于 45nm 微處理器上的金氧半場效晶體管(MOSFET)，進一步奠定 ALD 制程技術在半導體產業上的重要性。 圖圖16：薄膜沉積工藝發展歷程薄膜沉積工藝發展歷程 資料來源：公開資料整理，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 14 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 表表4：PVD、CVD、ALD 成膜效果展示及工藝對比成膜效果展示及工藝對比 名稱 ALD （原子層沉積） CVD （化學氣相沉積） PVD （物理氣相沉積） 沉積效果 示意圖 沉積原理 表面反應-沉積 氣相反應-沉積 蒸發-凝固 沉積過程 層狀生長 形核長大

46、形核長大 臺階覆蓋率 優秀 好 一般 沉積速率 慢 快 快 沉積溫度 低 高 低 沉積均勻性 優秀 較好 一般 厚度控制 反應回圈次數 沉積時間，氣相分壓 沉積時間 成分 均勻，雜質少 易含雜質，夾雜 無雜質 資料來源：公開資料整理，東北證券 常用常用 CVD 設備包括設備包括 PECVD、SACVD、APCVD、LPCVD 等，適用于不同工藝節等，適用于不同工藝節點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。點對膜質量、厚度以及孔隙溝槽填充能力等的不同要求。常壓化學氣相沉積（APCVD）是最早的 CVD 設備，結構簡單、沉積速率高，至今仍廣泛應用于工業生產中。低壓化學氣相沉積（LPCVD

47、）是在 APCVD 的基礎上發展起來的，由于其工作壓力大大降低，薄膜的均勻性和溝槽覆蓋填充能力有所改善，相比 APCVD 的應用更為廣泛。 等離子體增強化學氣相沉積設備 （PECVD） 在從亞微米發展到 90nm的 IC 制造技術過程中，扮演了重要的角色，由于等離子體的作用，化學反應溫度明顯降低，薄膜純度得到提高，致密度得以加強，不傷害芯片已完成的電路。次常壓化學氣相沉積（SACVD）主要應用于溝槽填充工藝。集成電路結構中，溝槽孔洞的深寬比越來越大， SACVD 反應腔環境具有特有的高溫 （400-550） 、 高壓 （30-600Torr）環境，具有快速填空（Gap fill）能力。 請務必

48、閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 15 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 圖圖17：常見的化學氣相沉積（常見的化學氣相沉積（CVD）工藝及設備）工藝及設備 資料來源：拓荊科技招股說明書，東北證券 原子層沉積原子層沉積（ALD）可精確控制薄膜的厚度可精確控制薄膜的厚度，臺階覆蓋率高臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中特別適合深槽結構中的薄膜生長。的薄膜生長。原子層沉積可以將物質以單原子膜形式一層一層地鍍在基底表面的方法。因為某些 CVD 工藝涉及的溫度高于當今先進半導體中使用的材料所能承受的溫度，且 CVD 工藝是“糊狀的”工藝是“糊狀的”前體、等離子體、副產物和其

49、他分子碎片和前體、等離子體、副產物和其他分子碎片和物質都在腔室中漂浮，因此難以將薄膜沉積控制到原子級物質都在腔室中漂浮，因此難以將薄膜沉積控制到原子級。相對于傳統的沉積工藝而言， ALD 工藝具有自限制生長的特點，可精確控制薄膜的厚度，制備的薄膜具有均勻的厚度和優異的一致性，臺階覆蓋率高，特別適合深槽結構中的薄膜生長。 ALD 設備沉積的薄膜具有非常精確的膜厚控制和非常優越的臺階覆蓋率，在 28nm以下關鍵尺寸縮小的雙曝光工藝方面取得了越來越廣泛的應用。 目前， 28nm 以下先進制程的 FinFET 制造工藝中，難點在于形成 Fin 的形狀，Fin 的有源區并不是通過光刻直接形成的，而是通過

50、自對準雙重成像技術（SADP，Self-Aligned Double Patterning）工藝形成。 圖圖18：PECVD 與與 ALD 工藝對比工藝對比 資料來源：LAM，東北證券 請務必閱讀正文后的聲明及說明請務必閱讀正文后的聲明及說明 16 / 44 拓荊科技拓荊科技/ /公司深度公司深度 拓荊科技研發的 PECVD、ALD 及 SACVD 設備系列化產品已累計發貨超 150 臺，在集成電路制造及相關領域實現產業深度融合。公司系列設備在邏輯芯片、DRAM芯片及 3D NAND FLASH 芯片中的應用圖示如下： 圖圖19：拓荊科技的薄膜沉積設備在拓荊科技的薄膜沉積設備在邏輯芯片邏輯芯片