機械設備行業專題研究：Perc、TOPCon、HJT與IBC各家電池片技術路線差異幾何？-220523（23頁）.pdf

1、1證券研究報告作者：行業評級：上次評級：行業報告 | 請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明機械設備機械設備強于大市強于大市維持2022年05月23日（評級）分析師 李魯靖 SAC執業證書編號：S1110519050003聯系人 朱曄聯系人 張鈺瑩Perc、TOPCon、HJT與與IBC，各家電池片技術路線差異幾何？，各家電池片技術路線差異幾何？行業專題研究摘要摘要2核心組合：核心組合：先導智能、邁為股份、新萊應材、聯贏激光、江蘇神通、華測檢測、高測股份、帝爾激光、春風動力、奕瑞科技、潤邦股份、蘇試試驗。重點組合：重點組合：中聯重科、銳科激光、歐科億、華銳精密、國茂股份、杰克股份、弘亞數控、美

2、亞光電、三一重工、中聯重科。本周專題：本周專題：Perc、TOPCon、HJT與與IBC，各家電池片技術路線差異幾何？，各家電池片技術路線差異幾何？1）PERC：PERC電池的工藝流程相對簡單且設備成熟，近兩年來，標配一些提效工藝，如激光SE、堿拋、光注入/電注入等。PERC技術以背面鈍化層的沉積和激光開槽為主，后續在此基礎上進行工藝改進優化時增加正面SE激光和光注入/電注入退火等工藝。2）TOPCon：首先在電池背面制備一層12nm的隧穿氧化層，然后再沉積一層摻雜多晶硅，二者共同形成鈍化接觸結構，為硅片的背面提供良好的界面鈍化。3）HJT：以N型單晶硅(C-Si)為襯底光吸收區，經過制絨清洗

3、后，其正面依次沉積厚度為5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和摻雜的P型非晶硅(P-a-Si:H)，和硅襯底形成p-n異質結。硅片的背面又通過沉積厚度為5-10nm的i-a-Si:H和摻雜的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面場，雙面沉積的透明導電氧化物薄膜(TCO) ，最后通過絲網印刷在兩側的頂層形成金屬基電極，即為異質結電池的典型結構。4）IBC：將p+摻雜區域和n+摻雜區域均放置在電池背面（非受光面）的太陽能電池，ibc電池的受光面無任何金屬電極遮擋，從而有效增加電池的短路電流，使電池的能量轉化效率得到提高。鋰電設備：鋰電設備：建議關注：先導智能、杭可科技、贏合科技、聯

4、贏激光、杰普特。建議關注：先導智能、杭可科技、贏合科技、聯贏激光、杰普特。光伏設備：光伏設備：建議關注：邁為股份、帝爾激光、高測股份、晶盛機電、奧特維等。建議關注：邁為股份、帝爾激光、高測股份、晶盛機電、奧特維等。摩托車兩輪車：摩托車兩輪車：建議關注：春風動力。建議關注：春風動力。風電風電&核電設備：核電設備：建議關注：潤邦股份、恒潤股份、江蘇神通、華榮股份、杰瑞股份。建議關注：潤邦股份、恒潤股份、江蘇神通、華榮股份、杰瑞股份。半導體半導體&IGBT：建議關注：新萊應材、至純科技。建議關注：新萊應材、至純科技。工控自動化：工控自動化：受益于外資品牌供應鏈短缺問題。建議關注：匯川技術、禾川科技、

5、埃斯頓、新時達、綠的諧波。建議關注：匯川技術、禾川科技、埃斯頓、新時達、綠的諧波。風險提示：風險提示：宏觀環境與政策風險；行業競爭風險；電池片技術路徑變化風險等。注：華測檢測為機械與環保共公用團隊聯合覆蓋；銳科激光為機械與電子團隊聯合覆蓋；美亞光電為機械與醫藥團隊聯合覆蓋注：華測檢測為機械與環保共公用團隊聯合覆蓋；銳科激光為機械與電子團隊聯合覆蓋；美亞光電為機械與醫藥團隊聯合覆蓋qRoRqRmPvNmRnPnOvMsQpOaQaO9PoMqQpNnPiNpPmReRnPmQ7NnNuNvPsRpNMYtQsMPerc電池：電池：量產十年，量產十年，2021年市占率高達年市占率高達91.2%13

6、請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明4數據來源：全球光伏公眾號，天風證券研究所數據來源：全球光伏公眾號，天風證券研究所圖：圖：percperc電池結構圖電池結構圖1.1 1.1 PercPerc電池綜述電池綜述 PERC電池是從早期的BSF電池升級而來，并且得到行業的廣泛應用，其電池結構在BSF結構的基礎上，增加背面鈍化層，降低少數載流子，提升電池轉換效率。 PERC電池的工藝流程相對簡單且設備成熟，近兩年來，標配一些提效工藝，如激光SE、堿拋、光注入/電注入等。PERC技術以背面鈍化層的沉積和激光開槽為主，后續在此基礎上進行工藝改進優化時增加正面SE激光和光注入/電注入退火等工藝。清洗制絨

7、圖：圖：percperc電池工藝流程圖電池工藝流程圖擴散激光SEPSG去除和背面刻蝕背面鈍化AlOx+SiNx正面鍍膜SiNx激光開槽印刷燒結光注入/電注入退火測試分選5數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：專利愛旭股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：專利愛旭股份一種一種percperc電池和電池和percperc電池的制作方法電池的制作方法，申請時間為，申請時間為 2021.10 2021.10 ）圖：愛旭股份圖：愛旭股份PercPerc電池結構圖電池結構圖1.2.1 1.2.1 PercPerc電池：愛旭股份電池：愛旭股份 下圖圖例，下圖圖例，1111- -硅基底，硅

8、基底，1212- -氧化硅層，氧化硅層，1313- -第一氮化硅層，第一氮化硅層，1414- -第二氮化硅層，第二氮化硅層，1515- -第三氮化硅層。第三氮化硅層。 優勢：優勢：對比氧化鋁ALD沉積法，反應速率更快；無需退火。圖：愛旭股份圖：愛旭股份PercPerc電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨疊加SE激光去除PSG刻蝕激光開槽可正面鍍膜硅片硅基底磷擴散（選擇性發射極）背面鍍膜PECVD內部 通入硅烷+笑氣 沉積氧化硅層(12)沉積氮化硅層（鈍化）* PECVD內部 通入氨氣+硅烷 沉積第一氮化硅層(第一鈍化層)* PECVD內部 通入氨氣+硅烷 沉積第二氮化硅層(第二鈍化層)* PE

9、CVD內部 通入氨氣+硅烷 沉積第三氮化硅層(第三鈍化層)絲網印刷燒結61.2.2 1.2.2 PercPerc電池：阿特斯電池：阿特斯6圖：阿特斯份圖：阿特斯份PercPerc電池結構圖電池結構圖 下圖圖例，下圖圖例，SiSi- -硅基底，硅基底，1 1- -氧化鋁薄膜，氧化鋁薄膜，2 2- -氮化硅薄膜，氮化硅薄膜，3 3- -氮氧化硅薄膜。氮氧化硅薄膜。圖：阿特斯圖：阿特斯PercPerc電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨疊加SE激光去除PSG刻蝕激光開槽背面鍍膜硅片硅基底磷擴散（選擇性發射極）退火* 石墨板覆蓋-放入ALD內部沉積氧化鋁薄膜(1)* 放入石墨舟-放入PECVD內部 通

10、入氨氣+硅烷 沉積氮化硅薄膜(2)* 通入笑氣+氨氣+硅烷-外部沉積氮氧化硅薄膜(3)絲網印刷燒結數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：阿斯特數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：阿斯特一種同時提高雙面一種同時提高雙面PERCPERC背面及正面效率的背膜結構及其制備方法和應背面及正面效率的背膜結構及其制備方法和應用用，申請時間為，申請時間為 2020.10 2020.10 ）71.2.3 1.2.3 PercPerc電池：通威股份電池：通威股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：通威股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：通威股份一種一種PERCPERC電池

11、片的制作工藝電池片的制作工藝，申請時間為，申請時間為 2021.12 2021.12 ）圖：通威股份圖：通威股份PercPerc電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨疊加SE激光熱氧化背面鍍膜退火硅片硅基底磷擴散（選擇性發射極）拋光* PECVD內部 臭氧+三甲基鋁 沉積氧化鋁層；硅烷+氨氣 沉積氮化硅層正面鍍膜絲網印刷* PECVD內部 射頻反應 沉積氮化硅層燒結 正面銀漿 背面鋁漿TOPCon：產業化進程加速：產業化進程加速28請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明9數據來源：任程超等數據來源：任程超等基于隧穿氧化物鈍化接觸的高效晶體硅太陽電池的研究現狀與展望基于隧穿氧化物鈍化接觸的高效晶體

12、硅太陽電池的研究現狀與展望，天風證券研究所天風證券研究所2.1 2.1 TOPConTOPCon電池綜述電池綜述 隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池（隧穿氧化層鈍化接觸太陽能電池（Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell, Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell, TOPconTOPcon），高質量的超薄氧化硅和重摻雜多晶硅的疊層結構，對全背表面實現了高效鈍化，同時載流子選擇性地被收集，具有制備工藝簡單、使用 N 型硅片無光致衰減問題和與傳統高溫燒結技術相兼容等優點。圖：圖：TOPConTOPCon電池示意圖電

13、池示意圖圖：圖：TOPConTOPCon電池摻雜層制備方法電池摻雜層制備方法102.2.1 2.2.1 TOPConTOPCon電池：隆基股份電池：隆基股份 下圖圖例，下圖圖例，1-硅基底2-隧穿氧化硅層3-多晶硅層（摻雜前），磷摻雜多晶硅（摻雜后）4-第一層鈍化層SiO5-背面電極 銀電極6-第二層鈍化層 AlO Si3N47-正面電極 鋁電極8-P+層圖：隆基股份圖：隆基股份TOPConTOPCon電池示意圖電池示意圖數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：隆基股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：隆基股份太陽能電池及其制備方法太陽能電池及其制備方法，申請時間為，申請時間

14、為 2021.122021.12；隆基股份；隆基股份N N型型TOPConTOPCon及其制備方法及其制備方法，申請時間為，申請時間為2021.112021.11）圖：隆基股份圖：隆基股份TOPConTOPCon電池工藝流程圖電池工藝流程圖正面制絨LPCVD內沉積隧穿氧化硅層（2）沉級本征多晶硅層（3-摻雜前）背面沉積：背面沉積：背面鈍化處理：沉積氮化硅-第一層鈍化層（4）正面沉積：正面沉積：正面鈍化處理：沉積氧化鋁 氮化硅層-第二層鈍化層（6）硅片硅基底去除PSG本征多晶硅層-磷摻雜-磷摻雜多晶硅層（3）正面電極區域激光處理（打開第二鈍化層）正面印刷鋁漿-燒結-正面電極（7）接觸面形成鋁硅合

15、金P+層（8）導電+鈍化作用背面印刷銀漿-燒結-背面電極（5）112.2.2 2.2.2 TOPConTOPCon電池：天合光能電池：天合光能數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：天合光能數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：天合光能一種一種TOPConTOPCon電池的疊層鈍化結構和電池的疊層鈍化結構和TOPConTOPCon電池電池，申請時間為，申請時間為2021.092021.09） 下圖圖例，下圖圖例，1-第一鈍化層2-第二鈍化層3-第三鈍化層4-第四鈍化層、5-硅基底6-隧穿氧化硅層7-多晶硅層8-氮化硅膜9-正面印刷銀層（背面電極）10-背面印刷銀層（背面電極）圖：

16、天合光能圖：天合光能TOPConTOPCon電池示意圖電池示意圖正面制絨沉積隧穿氧化硅層（6）和多晶硅層（7）硅片硅基底(5)去除正面PSG刻蝕正面沉積* 沉積第一鈍化層(1)CVD沉積法沉積氧化鋁層；* 沉積第二鈍化層(2)CVD沉積法 氧化硅、碳化硅或氮氧化硅層重任意一層或至少兩種疊層；* 沉積第三鈍化層(3)氮化硅層；* 沉積第四鈍化層(4)CVD沉積法 氧化硅、碳化硅或輕氧化硅層重任意一層或至少兩種疊層；圖：天合光能圖：天合光能TOPConTOPCon電池工藝流程圖電池工藝流程圖背面沉積氮化硅（8）正面印刷燒結（9）背面印刷燒結（10）122.2.3 2.2.3 TOPConTOPCo

17、n電池：中來股份電池：中來股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：中來股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：中來股份一種鈍化接觸結構的制備方法及應用方法一種鈍化接觸結構的制備方法及應用方法，申請時間為，申請時間為2021.122021.12；中來股份中來股份N N- -TOPConTOPCon太陽能電池、組件、系統及電池中制備雙面氧化硅的方法、設備太陽能電池、組件、系統及電池中制備雙面氧化硅的方法、設備，申請時間為，申請時間為2021.032021.03）圖：中來股份圖：中來股份TOPConTOPCon電池示意圖電池示意圖圖：中來股份圖：中來股份TOPConTOPCon電

18、池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨硅片硅基底沉積隧穿氧化層（2）圖案化鏤空第二載板（8，石墨板/碳纖維）覆蓋-PVD法沉積第二本征非晶硅層（4）臭氧氧化法/硝酸氧化法/臭氧水氧化法/熱氧化法/PECVD原位氧化法沉積鈍化層（5）背面印刷銀/鋁漿中間空心第一載板（7，石墨板/碳纖維）覆蓋-PVD法沉積第一本征非晶硅層（3）退火非晶硅層（3、4）轉化為磷擴散多晶硅層氮化硅、氮氧化硅和氧化鋁中一種或多種膜層組合燒結形成電極（6）HJT：鈍化接觸技術的掌上明珠：鈍化接觸技術的掌上明珠313請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明14數據來源：全球光伏公眾號，摩爾光伏公眾號，天風證券研究所數據來源：全球光

19、伏公眾號，摩爾光伏公眾號，天風證券研究所3.1 HJT3.1 HJT電池綜述電池綜述 異質結 HJT ( Hereto- junction with Intrinsic Thin-layer )電池，以N型單晶硅(C-Si)為襯底光吸收區，經過制絨清洗后，其正面依次沉積厚度為5-10nm的本征非晶硅薄膜(i-a-Si: H)和摻雜的P型非晶硅(P-a-Si:H)，和硅襯底形成p-n異質結。 硅片的背面又通過沉積厚度為5-10nm的i-a-Si:H和摻雜的N型非晶硅(n-a-Si:H)形成背表面場，雙面沉積的透明導電氧化物薄膜(TCO)不僅可以減少收集電流時的串聯電阻，還能起到像晶硅電池上氮化硅

20、層那樣的減反作用。最后通過絲網印刷在兩側的頂層形成金屬基電極，即為異質結電池的典型結構。圖：圖：HJTHJT電池示意圖電池示意圖圖：圖：HJTHJT電池制備流程圖電池制備流程圖153.2 3.2 HJTHJT電池：隆基股份電池：隆基股份圖：隆基樂葉圖：隆基樂葉HJTHJT電池示意圖電池示意圖數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：隆基股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：隆基股份一種太陽能電池及其制備方法一種太陽能電池及其制備方法，申請時間為，申請時間為2022.012022.01） 下圖圖例，下圖圖例，1-第一金屬電極，銀2-第一透明導電層（TCO膜）3-n型非晶硅層（摻磷

21、）4-第一本征非晶硅層5-硅基底層6-二氧化硅層(6第二本征非晶硅層)7-p型微晶硅層（摻硼）8-第二透明導電層（TCO膜）9-第二金屬電極，銀圖：隆基股份圖：隆基股份HJTHJT電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨硅片硅基底（5）沉積二氧化硅層（6）二氧化硅表面沉積非晶硅層（6）（待晶化）非晶硅層沉積金屬薄膜-退火-將非晶硅層（ 6）轉化為微晶硅層（7）酸性洗液清洗金屬殘留硅基底正面沉積本征非晶硅層（4）沉積非晶硅層（3）沉積第一透明導電層（2）和第二透明導電層（8）絲網印刷沉積第一電極（1）和第二電極（9）（不同于燒結，是低溫工藝）IBC：有望成為賽道黑馬有望成為賽道黑馬416請務必閱讀正

22、文之后的信息披露和免責申明174.1 IBC4.1 IBC：普樂新能源：普樂新能源/ /蘇州騰暉蘇州騰暉圖：蘇州騰暉圖：蘇州騰暉IBCIBC電池示意圖電池示意圖數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：蘇州騰暉數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：蘇州騰暉一種一種P P型型IBCIBC電池的制備方法電池的制備方法；普樂新能源；普樂新能源一種一種IBCIBC晶硅太陽能晶硅太陽能電池及其制備方法電池及其制備方法）圖：普樂新能源圖：普樂新能源IBCIBC電池示意圖電池示意圖圖：圖：IBCIBC電池示意圖電池示意圖 以左圖為例，10-硅基底，101-正面前場，102-鈍化層，103-多晶硅

23、薄膜，104-多晶硅薄膜，105-硅基底，106-鈍化層，107-鋁電極(“背面”電極)，108銀電極(“正面”電極)。圖：圖：IBCIBC電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨硅片硅基底（10）生成正面前場背面沉積隧穿氧化硅層和多晶硅薄膜（103）*離子注入進行磷摻雜需要退火，如果是通過磷擴散工藝實現，則不進行本操作多晶硅薄膜-磷摻雜-N型多晶硅薄膜激光刻蝕-去除部分多晶硅薄膜，露出P型硅基底（105及右側同區域）去除正面BSG退火正面鈍化處理（102）背面鈍化處理（106）激光刻蝕去除硅基底(105部分區域及右側同位置)的鈍化層絲網印刷在硅基底(105部分區域及右側同位置)上印刷鋁漿（即“背

24、面電極”，107），在多晶硅薄膜（104）上印刷銀漿（即所“正面電極”，108）共燒形成電極（燒結）184.2 IBC4.2 IBC：隆基股份：隆基股份HPBCHPBC隆基股份隆基股份HPBCHPBC電池示意圖電池示意圖圖圖1 1：數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：隆基股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：隆基股份一種太陽能電池的制備方法以及太陽能電池一種太陽能電池的制備方法以及太陽能電池，申請時間：，申請時間：2021.112021.11） 以左圖為例，1-硅基底，2-第一鈍化層，3-第一傳輸層，4-掩膜，5-第二鈍化層，6-第二傳輸層，7-透明導電薄膜，8-第三鈍化

25、層，9-減反射層，10-背面電極。圖：隆基股份圖：隆基股份HPBCHPBC電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨硅片硅基底（1）沉積第一鈍化層（2，氧化硅層）和第一傳輸層（3，非晶硅層）掩膜沉積第二鈍化層（5，氧化硅層）和第二傳輸層（6，非晶硅層）移除掩膜及上層沉積層沉積透明導電薄膜（7）沉積第三鈍化層（8）制備減反射層（9）絲網印刷-制備背面電極（10）呈叉指狀排列-刻蝕，如圖1圖圖2 2圖圖3 3：如圖2絲網印刷/掩膜蒸鍍/電鍍法銀/銅電極如圖3194.3 IBC4.3 IBC：中來股份：中來股份TBCTBC數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（注：中來股份數據來源：國家知識產權局，天風

26、證券研究所（注：中來股份一種極性相異的鈍化接觸結構及電池、組件和系統一種極性相異的鈍化接觸結構及電池、組件和系統，申請時間：，申請時間：2021.042021.04）中來股份中來股份TBCTBC電池示意圖電池示意圖圖圖1 1： 以左圖為例，2-掩膜，3-PSG膜，4-n+前場，5-硅基底，6-電介質鈍化層-氧化鋁、氧化硅和氧化鉻一種或多種組合，8-多晶硅層，9-第一多晶硅摻雜層，10-第二多晶硅摻雜層，11-第三多晶硅摻雜層，12-第四多晶硅摻雜層圖：中來股份圖：中來股份TBCTBC電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨硅片硅基底（5）離子注入背面沉積隧穿氧化電介質層（6）沉積本征非晶硅層-絲網

27、印刷法-選擇性摻雜摻雜n+生成n+前場（4）圖圖2 2圖圖3 3：第一多晶硅摻雜層(9)；第三多晶硅摻雜層(11)；背面PSG膜(13)生成正面PSG膜（3）沉積正面掩膜（2）CVD/APCVD/熱氧化多晶硅層（8）摻雜p+第二多晶硅摻雜層(10)；第四多晶硅摻雜層(12)；背面BSG膜(14)去除掩膜（2）去除PSG膜（3、13）、BSG膜（14）如圖2正面鈍化-ALD/CVD/PVD沉積-N+前場鈍化處理（1）第三多晶硅摻雜層-銀漿印刷-燒結-第一電極（16）背面鈍化（15）-ALD/CVD/PVD沉積第四多晶硅摻雜層-銀鋁漿印刷-第二金屬電極（17）如圖3204.4 IBC4.4 IBC

28、：愛旭股份：愛旭股份TBCTBC數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（愛旭股份數據來源：國家知識產權局，天風證券研究所（愛旭股份一種太陽能電池掩膜制備方法、太陽能電池及制備工藝一種太陽能電池掩膜制備方法、太陽能電池及制備工藝，申請時間：，申請時間：2021.112021.11；愛旭股份；愛旭股份一種雙面背接觸太陽能電池及其背面結構一種雙面背接觸太陽能電池及其背面結構，申請時間：，申請時間：2021.102021.10）圖：愛旭股份圖：愛旭股份TBCTBC電池示意圖電池示意圖圖：中來股份圖：中來股份TBCTBC電池工藝流程圖電池工藝流程圖清洗制絨硅片硅基底（S1）雙面同時沉積隧穿氧化層、非晶

29、硅層激光消融法刻蝕-叉指狀，露出P型硅基底去除正面PSG雙面同時磷擴沉積第一鈍化膜S3激光開槽-刻蝕-P區形成第一開槽絲網印刷與燒結-第一開槽鋁漿印刷-形成P型電極20 以下圖為例，10-N型電極；20-P型電極；S1-硅基底；S2-浮動結FFE；S3-沉積第一鈍化膜；S5-非晶硅層；S6-沉積第二鈍化膜。正面-重度磷擴散-非晶硅層阻擋-形成優異性能的浮動結FFE（S2）背面磷擴散-非晶硅層S5轉化為N型多晶硅層 背面形成PSG-無需掩膜去除背面PSG去除正面隧穿氧化層、非晶硅層沉積第二鈍化膜S6N區不開槽-銀漿料燒穿N區S6，接觸S5形成N型電極1021請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明

30、風險提示：風險提示：1）宏觀環境與政策風險：基建和地產投資大幅下滑等；2）行業競爭風險：電池片行業競爭激烈；3）電池片技術路徑變化風險：HJT、TOPCon、IBC等電池路線迭代較快等風險提示風險提示請務必閱讀正文之后的信息披露和免責申明股票投資評級自報告日后的6個月內，相對同期滬深300指數的漲跌幅行業投資評級自報告日后的6個月內，相對同期滬深300指數的漲跌幅買入預期股價相對收益20%以上增持預期股價相對收益10%-20%持有預期股價相對收益-10%-10%賣出預期股價相對收益-10%以下強于大市預期行業指數漲幅5%以上中性預期行業指數漲幅-5%-5%弱于大市預期行業指數漲幅-5%以下投資

31、評級聲明投資評級聲明類別類別說明說明評級評級體系體系分析師聲明分析師聲明本報告署名分析師在此聲明：我們具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，本報告所表述的所有觀點均準確地反映了我們對標的證券和發行人的個人看法。我們所得報酬的任何部分不曾與，不與，也將不會與本報告中的具體投資建議或觀點有直接或間接聯系。一般聲明一般聲明除非另有規定，本報告中的所有材料版權均屬天風證券股份有限公司（已獲中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格）及其附屬機構（以下統稱“天風證券”）。未經天風證券事先書面授權，不得以任何方式修改、發送或者復制本報告及其所包含的材料、內容。所有本報告中使用的商標、

32、服務標識及標記均為天風證券的商標、服務標識及標記。本報告是機密的，僅供我們的客戶使用，天風證券不因收件人收到本報告而視其為天風證券的客戶。本報告中的信息均來源于我們認為可靠的已公開資料，但天風證券對這些信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告中的信息、意見等均僅供客戶參考，不構成所述證券買賣的出價或征價邀請或要約。該等信息、意見并未考慮到獲取本報告人員的具體投資目的、財務狀況以及特定需求，在任何時候均不構成對任何人的個人推薦?？蛻魬攲Ρ緢蟾嬷械男畔⒑鸵庖娺M行獨立評估，并應同時考量各自的投資目的、財務狀況和特定需求，必要時就法律、商業、財務、稅收等方面咨詢專家的意見。對依據或者使用本報告所造成

33、的一切后果，天風證券及/或其關聯人員均不承擔任何法律責任。本報告所載的意見、評估及預測僅為本報告出具日的觀點和判斷。該等意見、評估及預測無需通知即可隨時更改。過往的表現亦不應作為日后表現的預示和擔保。在不同時期，天風證券可能會發出與本報告所載意見、評估及預測不一致的研究報告。天風證券的銷售人員、交易人員以及其他專業人士可能會依據不同假設和標準、采用不同的分析方法而口頭或書面發表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。天風證券沒有將此意見及建議向報告所有接收者進行更新的義務。天風證券的資產管理部門、自營部門以及其他投資業務部門可能獨立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。特別聲明特別聲明在法律許可的情況下，天風證券可能會持有本報告中提及公司所發行的證券并進行交易，也可能為這些公司提供或爭取提供投資銀行、財務顧問和金融產品等各種金融服務。因此，投資者應當考慮到天風證券及/或其相關人員可能存在影響本報告觀點客觀性的潛在利益沖突，投資者請勿將本報告視為投資或其他決定的唯一參考依據。22THANKS23