長光華芯-半導體激光芯片第一股引領國產光子應用新時代-220601（34頁）.pdf

1、請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 評級評級：買入（維持）：買入（維持） 市場價格：市場價格：89.289.2 元元 分析師：分析師：王芳王芳 執業證書編號：執業證書編號： S0740521120002 Email： 研究助理：張瓊研究助理：張瓊 Email： 基本狀況基本狀況 總股本(百萬股) 136 流通股本(百萬股) 29 市價(元) 89.20 市值(百萬元) 12,096 流通市值(百萬元) 2,608 股價與行業股價與行業- -市場走勢對比市場走勢對比 相關報告相關報告 公司盈利預測及估值公司盈利預測及估值 指標 2019A 2020A 2021E 2

2、022E 2023E 營業收入（百萬元） 247 429 666 974 1,366 增長率 yoy% 78% 74% 55% 46% 40% 凈利潤（百萬元） 26 115 186 270 404 增長率 yoy% 120% 340% 61% 46% 49% 每股收益（元） 0.19 0.85 1.37 1.99 2.98 每股現金流量 -0.14 0.16 1.17 2.99 2.67 凈資產收益率 5% 18% 23% 26% 28% P/E 462.0 104.9 65.2 44.8 30.0 P/B 23.9 19.0 15.1 11.5 8.4 備注： 報告摘要報告摘要 成立近十載

3、，聚焦高功率半導體激光芯片國產替代。成立近十載，聚焦高功率半導體激光芯片國產替代。自 2012 年成立，公司始終專注于半導體激光行業，目前公司已建成 3 寸、6 寸半導體激光芯片量產線，同時擁有一套完整從外延生長、晶圓制造，到封裝測試、可靠性驗證的專業設備，主要產品性能指標與國外先進水平同步，打破國外技術封鎖。同時，公司以蘇州半導體激光創新研究院為“平臺”，以高功率半導體激光芯片為“支點”，“橫向擴展”至 VCSEL芯片及光通信芯片，“縱向延伸”至激光器件、模塊及直接半導體激光器等產品，不斷增強規模與競爭優勢。 2021 年公司實現營收 4.3 億元，2018-21 年的 CAGR 達 66.

4、8%，22Q1 實現 1.1 億元，同比+43.6%；2021 年歸母凈利潤達 1.2 億元，同比+341%，22Q1 達 0.3 億元，同比+45.7%。隨著規模效應顯現，加上高功率巴條芯片和 VCSEL 芯片等高毛利產品營收占比提升，盈利能力亦持續增強，2021 年毛利率達到 52.8%，同比+21.5pct，凈利率達到 26.9%，同比+16.3pct；22Q1 毛利率 50.2%，凈利率 24.7%，同比基本持平。 國產半導體激光芯片第一股，高功率半導體激光芯片國內市占率第一。國產半導體激光芯片第一股，高功率半導體激光芯片國內市占率第一。高功率半導體激光器在效率、可靠性、成本、尺寸等各

5、方面都具有明顯優勢，主要作為固體和光纖激光器的泵浦源進行應用，也可直接應用于焊接、激光剝離和退火、激光雷達等領域。據 Strategies Unlimited 預測，2019-2025 年全球高功率半導體激光器的市場規模將從 16.4 億美元增長至 28.2 億美元，CAGR 達到 9.4%。目前我國已突破激光器大部分器件制造技術，但高功率半導體激光芯片等核心器件仍依賴進口。 公司已實現最大輸出功率達 30w 的單管芯片商業化應用，打破國外技術封鎖，在國內高功率半導體激光芯片的市場占有率達 13.4%， 在全球市場的占有率約為 3.9%，市占率位居國內第一。 為滿足客戶國產替代需求， 公司投資

6、 5 億元建設蘇州半導體激光創新研究院擴建產能，建成后半導體激光芯片及模塊產能將提升 5-10 倍，大幅提升規模競爭力。 拓展拓展 VCSEL 芯片和光通信芯片，打造未來新增長點。芯片和光通信芯片，打造未來新增長點。為進一步擴大業務規模和增強產品競爭力，公司將產品線擴展至 VCSEL 芯片和光通信芯片。其中，VCSEL 芯片主要面向激光雷達和 3D 傳感應用，公司于 2018 年成立 VCSEL 事業部并開始建立6 寸生產線， 成為國內少數具備 VCSEL 芯片量產制造能力的廠商， 2021 年已實現部分高效率 VCSEL 訂單落地并量產交付。光通信芯片是光器件的核心元件，公司已建立了包含外延

7、生長、光柵制作、條形刻蝕、端面鍍膜、劃片裂片、特性測試、封裝篩選和芯片老化的完整工藝產線，具備光通信芯片的量產制造能力。隨著智能駕駛對激光雷達搭載需求的提升、3D 傳感在消費電子領域的應用增多以及數據中心對光通信基礎設施的推動，公司憑借在半導體激光芯片制造領域的技術優勢， 逐漸導入新客戶、 新市場， 有望將 VCSEL 芯片和光通信芯片打造成未來新的增長點。 投資建議：投資建議：預計 2022-24 年公司實現歸母凈利潤 1.9/2.7/4.0 億元， 對應 PE 分別為65/45/30 倍， 2022 年可比公司平均 PE 為 47 倍， 考慮到公司在國內高功率半導體激光芯片行業的稀缺性，

8、以及切入VCSEL芯片和光通信芯片帶來的長期增長潛力，首次覆蓋，給予“買入”投資評級。 風險提示事件：風險提示事件：技術迭代升級不及預期；訂單交付進度不及預期；研究報告使用的公開資料可能存在信息滯后或更新不及時的風險；市場需求/規模測算不及預期風險等 半導體激光芯片第一股，引領國產光子應用新時代半導體激光芯片第一股，引領國產光子應用新時代 長光華芯(688048.SH)/電子 證券研究報告/公司深度報告 2022 年 6 月 1 日 -35%-30%-25%-20%-15%-10%-5%0%2021-062021-072021-082021-092021-102021-112021-12202

9、2-012022-022022-032022-042022-05長光華芯 滬深300 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 2 - 公司深度報告公司深度報告 內容目錄內容目錄 一、國產半導體激光芯片第一股，逐漸打破國外技術壟斷一、國產半導體激光芯片第一股，逐漸打破國外技術壟斷 . - 5 - 二、技術創新推動高功率半導體激光芯片國產替代，產能擴充滿足下游客戶需求二、技術創新推動高功率半導體激光芯片國產替代，產能擴充滿足下游客戶需求- 12 - 三、面向激光雷達和三、面向激光雷達和 3D 傳感布局傳感布局 VCSEL 芯片，打造未來新增長點芯片，打造未來新增長點

10、. - 19 - 3.1 智能駕駛迎來風口，激光雷達乘風而起 . - 20 - 3.2 3D 傳感成為手機功能升級重要方向，VCSEL 應用優勢明顯 . - 23 - 四、布局光通信芯片，進一步拓寬產品應用四、布局光通信芯片，進一步拓寬產品應用 . - 27 - 五、盈利預測與投資建議五、盈利預測與投資建議 . - 30 - 六、風險提示六、風險提示 . - 32 - 圖表目錄圖表目錄 圖表圖表1： 公司歷史發展大事記公司歷史發展大事記 . - 5 - 圖表圖表2：邊發射和面發射激光芯片示意圖：邊發射和面發射激光芯片示意圖 . - 5 - 圖表圖表3：單管芯片和巴條芯片示意圖：單管芯片和巴條芯

11、片示意圖 . - 5 - 圖表圖表4：“一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略發展戰略 . - 6 - 圖表圖表5： 公司主要芯片產品的性能及應用場景公司主要芯片產品的性能及應用場景 . - 6 - 圖表圖表6：高功率單管系列產品為目前主要收入來源（單位：百萬元）：高功率單管系列產品為目前主要收入來源（單位：百萬元） . - 7 - 圖表圖表7：高功率巴條系列和：高功率巴條系列和VCSEL芯片的毛利率較高芯片的毛利率較高 . - 7 - 圖表圖表8：高功率單管系列各細分產品收入變化（單位：百萬元）：高功率單管系列各細分產品收入變化（單位：百萬元） . -

12、 7 - 圖表圖表9：高功率巴條系列各細分產品收入變化（單位：百萬元）：高功率巴條系列各細分產品收入變化（單位：百萬元） . - 7 - 圖表圖表10：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元）：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元） . - 8 - 圖表圖表11：整體盈利能力明顯抬升：整體盈利能力明顯抬升 . - 8 - 圖表圖表12：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元）：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元） . - 9 - 圖表圖表13：整體盈利能力明顯抬升：整體盈利能力明顯抬升 . - 9 - 圖表圖表14：主要產品性能指標與可比公司的對比：主要產品性能指標與可比公司的對比 . - 9

13、- 圖表圖表15：通過員工持股平臺綁定核心技術、管理人才（截止：通過員工持股平臺綁定核心技術、管理人才（截止2022/5/4） . - 10 - 圖表圖表16：公司核心管理層擁有多年技術研發和運營管理經驗：公司核心管理層擁有多年技術研發和運營管理經驗 . - 11 - 圖表圖表17：激光器原理示意圖：激光器原理示意圖 . - 12 - 圖表圖表18：激光器結構示意圖：激光器結構示意圖 . - 12 - 圖表圖表19：激光器主要：激光器主要分類分類 . - 12 - 圖表圖表20：2020年全球激光器各應用市場占比年全球激光器各應用市場占比 . - 12 - 圖表圖表21：全球激光器總收入及增速

14、（億美元）：全球激光器總收入及增速（億美元） . - 13 - 圖表圖表22：全球半導體激光器市場規模及增速（億美元）：全球半導體激光器市場規模及增速（億美元） . - 13 - mNrOrQnOyQtOoMtQzQmOqR9PcM9PmOnNpNmOeRrRpRfQpPpN9PoOzQuOqRpPxNtRqQ 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 3 - 公司深度報告公司深度報告 圖表圖表23：全球高功率半導體激光器市場規模（單位：全球高功率半導體激光器市場規模（單位:億美元）億美元） . - 14 - 圖表圖表24：小功率激光器國產與進口出貨量（千臺）：小功

15、率激光器國產與進口出貨量（千臺） . - 14 - 圖表圖表25：高功率激光器國產與進口出貨量（千臺）：高功率激光器國產與進口出貨量（千臺） . - 14 - 圖表圖表26： 公司主要布局業務在產業鏈中的位臵公司主要布局業務在產業鏈中的位臵 . - 15 - 圖表圖表27：半導體激光單管芯片功率持續提升：半導體激光單管芯片功率持續提升. - 16 - 圖表圖表28：2020年中國光纖激光器廠商份額年中國光纖激光器廠商份額 . - 16 - 圖表圖表29：21H1公司前五大客戶銷售收入占比公司前五大客戶銷售收入占比 . - 16 - 圖表圖表30：重點儲備技術研發及進展情況：重點儲備技術研發及進

16、展情況 . - 17 - 圖表圖表31：公司具備半導體激光芯片的完整工藝平臺和量產線：公司具備半導體激光芯片的完整工藝平臺和量產線 . - 18 - 圖表圖表32：公司各產品線產能持續擴張：公司各產品線產能持續擴張. - 18 - 圖表圖表33：公司：公司VCSEL業務主要產品業務主要產品 . - 19 - 圖表圖表34：3D傳感和激光雷達領域的主要應用場景傳感和激光雷達領域的主要應用場景 . - 19 - 圖表圖表35：VCSEL激光器細分市場規模變激光器細分市場規模變化（百萬美元）化（百萬美元） . - 20 - 圖表圖表36：VCSEL業務收入快速增長業務收入快速增長 . - 20 -

17、圖表圖表37：激光雷達產業鏈示意圖：激光雷達產業鏈示意圖 . - 20 - 圖表圖表38：全球激光雷達市場規?？焖贁U容（單位：億美元）：全球激光雷達市場規?？焖贁U容（單位：億美元） . - 21 - 圖表圖表39：激光雷達在無人駕駛領域的出貨量和銷售額：激光雷達在無人駕駛領域的出貨量和銷售額 . - 22 - 圖表圖表40：激光雷達在高級輔助駕駛系統的出貨量和銷售額：激光雷達在高級輔助駕駛系統的出貨量和銷售額 . - 22 - 圖表圖表41：向固態方案演進的兩種路徑：向固態方案演進的兩種路徑. - 22 - 圖表圖表42：2021年全球激光雷達整機廠份額占比年全球激光雷達整機廠份額占比 . -

18、 22 - 圖表圖表43：VCSEL和和EEL、LED激光器的成像效果對比激光器的成像效果對比 . - 23 - 圖表圖表44：相比于光纖激光器，半導體激光器的車規成熟度更高：相比于光纖激光器，半導體激光器的車規成熟度更高 . - 23 - 圖表圖表45：3D傳感領域細分市場規模變化（單位：百萬美元）傳感領域細分市場規模變化（單位：百萬美元） . - 24 - 圖表圖表46：手機：手機3D攝像頭滲透率預測攝像頭滲透率預測 . - 24 - 圖表圖表47：手機：手機3D 攝像頭市場規模（億美元）攝像頭市場規模（億美元） . - 24 - 圖表圖表48：iToF與與dToF技術對比技術對比 . -

19、 25 - 圖表圖表49：各大品牌：各大品牌3D sensing方案演進歷程方案演進歷程 . - 25 - 圖表圖表50：3D傳感應用中，傳感應用中，LED與與VCSEL光源的性能對比光源的性能對比 . - 26 - 圖表圖表51：光通信芯片位于光通信行業上游：光通信芯片位于光通信行業上游 . - 27 - 圖表圖表52：光通信芯片原理圖：光通信芯片原理圖 . - 27 - 圖表圖表53：光模塊構造原理圖：光模塊構造原理圖 . - 27 - 圖表圖表54：全球高端光芯片技術主要被美日企業把控：全球高端光芯片技術主要被美日企業把控 . - 28 - 圖表圖表55：光芯片國產化率不足：光芯片國產化

20、率不足5% . - 28 - 圖表圖表56：全球數據總量快速攀升（單位：全球數據總量快速攀升（單位:ZB） . - 29 - 圖表圖表57：我國：我國5G基站建設規模預測（單位基站建設規模預測（單位:萬個）萬個） . - 29 - 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 4 - 公司深度報告公司深度報告 圖表圖表58：光通信芯片工藝生產線流程圖：光通信芯片工藝生產線流程圖 . - 29 - 圖表圖表59：分業務營收預測拆分（單位：百萬元）分業務營收預測拆分（單位：百萬元） . - 30 - 圖表圖表60：分業務毛利率預測分業務毛利率預測 . - 31 - 圖表圖表

21、61：公司期間費用率預測公司期間費用率預測 . - 31 - 圖表圖表62：可比公司估值：可比公司估值 . - 31 - 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 5 - 公司深度報告公司深度報告 一、國產半導體激光芯片第一股，逐漸打破國外技術壟斷一、國產半導體激光芯片第一股，逐漸打破國外技術壟斷 聚焦半導體激光行業近十年，成為全球少數具備高功率半導體激光芯片聚焦半導體激光行業近十年，成為全球少數具備高功率半導體激光芯片量產能力的企業之一。量產能力的企業之一。公司成立于 2012 年，始終專注于半導體激光芯片的研發、設計及制造，形成了由半導體激光芯片、器件、模塊和直

22、接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣，實現在半導體激光行業的垂直化布局。2021 年，公司成功實現 30W 高功率半導體單管芯片的量產，波長范圍覆蓋 808-1064nm，電光轉換效率達到 60%-65%，技術水平與國際先進水平同步，成功導入銳科激光、創鑫激光和大族激光等下游主流客戶，基本實現高功率激光芯片的國產替代。目前公司已建成 3 寸、6 寸半導體激光芯片量產線，同時擁有一套完整從外延生長、晶圓制造，到封裝測試、可靠性驗證的專業設備，并突破晶體外延生長、晶圓工藝處理等關鍵核心技術及工藝，芯片功率、效率等重要指標達到國際先進水平。 圖表圖表1： 公司歷史發展大事記公司歷史發展大事記

23、來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 半導體激光器引領光子時代，激光芯片是其核心元件。半導體激光器引領光子時代，激光芯片是其核心元件。半導體激光芯片以半導體材料為增益介質，通過電激勵的方式實現諧振放大選模輸出激光，從而完成電光轉換。其中，增益介質與襯底主要為摻雜 III-V 族化合物的半導體材料，如 GaAs（砷化鎵）、InP （磷化銦）等。 1） 按制造工藝不同， 激光芯片可分為邊發射 （EEL） 和面發射 （VCSEL）激光芯片：a）EEL 激光芯片在芯片兩側鍍光學膜形成諧振腔，激光沿平行于襯底表面發射；b）VCSEL 激光芯片在芯片上下面鍍光學膜形成諧振腔， 激光沿垂直于芯片表面發射。

24、VCSEL 激光芯片具備易二維集成、制造成本低等優點，但輸出功率和電光效率相比 EEL 較低，產業應用仍處于不斷完善的階段。 2）按發光單元數量，激光芯片可分為單管芯片和巴條芯片：a）單管芯片只有一個發光單元；b）巴條芯片由多個發光單元并成直線排列，經過鈍化、鍍膜后，可解理為單個發光單元的單管芯片。 圖表圖表2：邊發射和面發射激光芯片示意圖：邊發射和面發射激光芯片示意圖 圖表圖表3：單管芯片和巴條芯片示意圖單管芯片和巴條芯片示意圖 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 6 - 公司深度報告公司深度報告 來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 來源：公司招股說明書，

25、中泰證券研究所 公司持續專注半導體激光行業，秉承“一平臺、一公司持續專注半導體激光行業，秉承“一平臺、一支點、橫向擴展、縱支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略。向延伸”發展戰略。公司以蘇州半導體激光創新研究院為“平臺”，打造可持續的研發創新能力，將高功率半導體激光芯片作為“支點”產品，同時“橫向擴展”至 VCSEL 芯片及光通信芯片，將應用領域拓展至消費電子、激光雷達、網絡通信等領域，“縱向延伸”至激光器件、模塊及直接半導體激光器等產品，不斷提升綜合競爭能力。其中，高功率半導體激光芯片和光通信芯片屬于邊發射激光芯片， VCSEL 芯片屬于面發射激光芯片。 圖表圖表4：“一平臺、一支點、橫向擴展、

26、縱向延伸”發展戰略：“一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸”發展戰略 來源：MEMS，中泰證券研究所 圖表圖表5： 公司主要芯片產品的性能及應用場景公司主要芯片產品的性能及應用場景 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 7 - 公司深度報告公司深度報告 芯片芯片類型類型 芯片介紹芯片介紹 公司布局公司布局 應用領域應用領域 高功率單管芯片 采用半導體工藝制造的單個發光單元的邊發射激光芯片，由高功率巴條芯片經過鈍化、鍍膜，進一步解理而成 可量產功率達 30W， 波長范圍覆蓋 808-1064nm，電光轉換效率達 60%- 65%，技術與國外先進水平同步 工業泵浦、科

27、學研究、生物醫學、激光裝備等 高功率巴條芯片 采用半導體工藝制造的由多個發光單元并成直線排列的邊發射激光芯片 電光轉換效率在 63%以上，波長包括 808、940nm，廣泛用于固體激光器泵浦源 工業泵浦、科學研究、生物醫學、激光裝備等 高功率 VCSEL 芯片 包含接近傳感器、結構光及飛行時間 TOF 等類型 基本實現對主流市場 VCSEL 芯片需求的覆蓋，同時開發了下一代基于 D-TOF 技術的 VCSEL 芯片 消費電子、3D 傳感、 激光雷達等 光通信芯片 用于實現電光信號轉換，是光電技術產品的核心 具備晶圓制造、芯片加工、封裝測試的全流程生產能力 5G 前傳、光接入網絡、城域網和數據中

28、心等 來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 高功率單管系列產品為公司主要收入來源，營收占比超過高功率單管系列產品為公司主要收入來源，營收占比超過 80%。2018-2021 年， 高功率單管系列產品的收入從 0.7 億元增長至 3.6 億元，CAGR 達到 71.3%，2021 年營收占比達到 84%；高功率巴條系列產品的收入從 0.2 億元增長至 0.6 億元， CAGR 達到 42.4%， 2021 年營收占比達到 13%。VCSEL 芯片自 2020 年開始產生收入，2021 年達到 820萬元，同比+140.5%，營收占比約為 2%。從盈利能力來看，2021 年高功率巴條系列產品的毛利

29、率為 72.9%，VCSEL 芯片的毛利率為 67.3%，遠高于高功率單管系列產品的 25.8%。隨著高功率巴條系列產品和VCSEL 芯片產品的收入占比提升，公司的毛利率具備較大提升空間。 圖表圖表6：高功率單管系列產品為目前主要收入來源：高功率單管系列產品為目前主要收入來源（單位：百萬元）（單位：百萬元） 圖表圖表7：高功率巴條系列和高功率巴條系列和VCSEL芯片的毛利率較高芯片的毛利率較高 來源：wind，中泰證券研究所 來源：wind，中泰證券研究所 圖表圖表8： 高功率單管系列各細分產品收入變化 （單位： 高功率單管系列各細分產品收入變化 （單位：百萬元）百萬元） 圖表圖表9： 高功率

30、巴條系列各細分產品收入變化 （單位： 高功率巴條系列各細分產品收入變化 （單位：百萬元）百萬元） 78% 74% 88% 84% 0501001502002503003504004505002018201920202021高功率單管系列 高功率巴條系列 VCSEL芯片系列 其他 22.9% 23.6% 25.8% 63.1% 72.2% 72.9% 系列名稱,值 0%10%20%30%40%50%60%70%80%201820192020高功率單管系列 高功率巴條系列 VCSEL芯片系列 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 8 - 公司深度報告公司深度報告 來

31、源：wind，中泰證券研究所 來源：wind，中泰證券研究所 整體營收規?？焖贁U大，盈利能力明顯抬升整體營收規?？焖贁U大，盈利能力明顯抬升。公司具備超高功率邊發射激光器芯片和 VCSEL 芯片的量產制造能力，在高功率半導體激光芯片領域的國產替代過程中具備稀缺性優勢，自 2018 年起營收規模開始快速擴大。2018 年公司營收規模達到 0.9 億元，同比+193%；之后保持快速增長趨勢， 2021 年實現營收 4.3 億元， 2018-21 年的 CAGR 為 66.8%。同時，由于前期研發投入過多導致公司 2018-19 年處于虧損狀態，隨著高毛利的高功率巴條系列產品和 VCSEL 芯片產品量

32、產， 加上 2018 年以來芯片生產良率不斷提升，2018-20 年的良率復合增長率達到 33.4%，從而抬高公司整體盈利能力。 2020 年公司實現扭虧為盈， 歸母凈利潤達到 0.3 億元，2021 年進一步達到 1.2 億元，同比+341%。對應 2021 年毛利率達到 52.8%，同比+21.5pct；凈利率達到 26.9%，同比+16.3pct。 圖表圖表10：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元） 圖表圖表11：整體盈利能力明顯抬升：整體盈利能力明顯抬升 來源：wind，中泰證券研究所 來源：wind，中泰證券研究所 持續投入研發保持技術優勢，期

33、間費用率隨著營收規模擴大而下降持續投入研發保持技術優勢，期間費用率隨著營收規模擴大而下降。隨著公司整體營收的持續擴大，規模效應顯現，期間費用率呈逐年下降趨勢， 銷售、 管理、 研發和財務費用率合計從 2018 年的 59.9%下降至 2021年的 31.4%。其中，2019 年公司管理費用率高達 103.3%，主要是因為在 2019 年實施股權激勵計劃，確認股份支付金額 1.3 億元，若剔除股050100150200250201820192020單管芯片 單管器件 光纖耦合模塊 直接半導體激光器 0510152025303540201820192020巴條芯片 巴條器件 陣列模塊 -400%-

34、200%0%200%400%600%800%1000%-200-10001002003004005002018201920202021營收 歸母凈利潤 營收同比 歸母凈利潤同比 31.0% 36.0% 31.4% 52.8% -15.6% -93.1% 10.6% 26.9% -120%-100%-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%2018201920202021毛利率 凈利率 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 9 - 公司深度報告公司深度報告 份支付影響，2019 年管理費用率僅為 7.4%。此外，公司仍處于快速發展期，圍繞半導體激

35、光芯片、器件及模塊等產品加大研發投入，同時自2018H2 起增大自研和改造設備投入，2018-2021 年研發費用從 0.37 億元增長至 0.86 億元，CAGR 為 32.2%。 圖表圖表12：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元）：公司營收和歸母凈利變化（單位：百萬元） 圖表圖表13：整體盈利能力明顯抬升：整體盈利能力明顯抬升 來源：Wind，中泰證券研究所 來源：Wind，中泰證券研究所 主要產品性能指標與國外先進水平同步，打破國外技術封鎖。主要產品性能指標與國外先進水平同步，打破國外技術封鎖。公司研發重心覆蓋半導體激光行業最核心領域，包括器件設計及外延生長技術、FAB 晶圓工藝技術、

36、 腔面鈍化處理技術以及高亮度合束及光纖耦合技術等。相比其他競爭對手，公司目前商業化單管芯片輸出功率達到 30W，巴條芯片可實現 50-250W 的連續激光輸出及 500-1000W 的準連續激光輸出，VCSEL 芯片的最高轉換效率達 60%以上，產品性能指標與國外先進水平同步，打破國外技術封鎖，在性能、功耗、成本等各方面均具備國內領先優勢。 圖表圖表14：主要產品性能指標：主要產品性能指標與可比公司的對比與可比公司的對比 高功率單管芯片高功率單管芯片 波長波長(nm) 功率功率(W) 條寬（條寬（m） 電光轉化效率（電光轉化效率（%） 長光華芯 915 30 230 62 976 30 230

37、 62 貳陸集團 915 27 230 57 武漢銳晶 915 25 190 60 朗美通 915 25 220 - 高功率巴條芯片高功率巴條芯片 波長波長(nm) 功率功率(W) 條寬（條寬（m) 電光轉化效率（電光轉化效率（%） 長光華芯 940 200（CW） 200 63 940 700（QCW） 232 63 貳陸集團 940 80（CW） 100 62 武漢銳晶 940 500（QCW） 200 62 華光光電 806 200（QCW） 120 55 光纖耦合?？旃饫w耦合?？?波長波長(nm) 功率功率(W) 光纖芯徑（光纖芯徑（m) 長光華芯 915 680 200 976 63

38、0 200 -200204060801001201401602018201920202021銷售費用 管理費用 研發費用 財務費用 -20%0%20%40%60%80%100%120%2018201920202021銷售費用率 管理費用率 研發費用率 財務費用率 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 10 - 公司深度報告公司深度報告 凱普林 976 540 200 星漢激光 976 1000 250 華光光電 915 200 135 陣列模塊陣列模塊 波長波長(nm) 單單 Bar 功率功率(W) 巴條數（個）巴條數（個） 長光華芯 808 300 260 9

39、40 700 260 貳陸集團 8xx、9xx、10 xx 50200 12、20、36 炬光科技 9xx 500 220 華光光電 808 300 230 來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 獲華為哈勃投資入股，核心管理層擁有多年技術研發和運營管理經驗，獲華為哈勃投資入股，核心管理層擁有多年技術研發和運營管理經驗，通過蘇州英鐳持有公司約通過蘇州英鐳持有公司約 15%股權。股權。 公司董事長兼總經理閔大勇先生為高級工程師、享受國務院特殊津貼專家，先后在華工科技、銳科激光、華日精密等公司擔任重要管理職位；首席技術官兼常務副總經理王俊先生 擁 有 豐 富 的 專 業 背 景 ， 先 后 在SL-

40、Industries,Inc. 、Spectra-Physics,Inc.、Lasertel Inc.、nLIGHT,Inc.、Mighty Lift, Inc.等公司的主要技術崗位任職，是國家重大人才工程專家。蘇州英鐳為公司核心管理層持股平臺，上市后閔大勇、王俊、廖新勝、潘華東先生通過蘇州英鐳持有公司 14.8%的股權。蘇州芯誠、蘇州芯同是公司骨干員工持股平臺，上市后分別持有公司 1.59%和 1.47%的股權。借助員工持股平臺，公司綁定核心技術與管理人才，維持長期競爭優勢，同時華為旗下的哈勃投資通過增資入股持有公司 3.74%的股權，助力公司發展。 圖表圖表15：通過員工持股平臺綁定核心技

41、術、管理人才（截止：通過員工持股平臺綁定核心技術、管理人才（截止2022/5/4） 來源：公司公告，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 11 - 公司深度報告公司深度報告 圖表圖表16：公司核心管理層擁有多年技術研發和運營管理經驗：公司核心管理層擁有多年技術研發和運營管理經驗 姓名姓名 職位職位 履歷履歷 閔大勇 董事長、 總經理 曾任華工科技副總經理、常務副總經理、總經理及董事職務，銳科激光監事職務，華日精密董事長職務。2017 年 8 月至今，任長光華芯董事長、總經理職務。 王俊 首席技術官、董事、常務副總經理 曾任 SL-Industri

42、es,Inc. 外延技部經理，Spectra-Physics,Inc. 外延科學家， Lasertel Inc. 晶體生長部經理， nLIGHT, Inc. 技術總監，Mighty Lift, Inc. 技術副總，華工科技技術總監。2017 年 8 月至今，歷任長光華芯首席技術官、董事、常務副總經理。 廖新勝 董事、副總經理 曾任深圳聯芯激光副總經理，恩耐激光副總經理，中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所研究員。2012 年 3 月至今，歷任長光華芯總經理、董事、副總 經理等職務；現擔任長光華芯董事、副總經理職務。 孫守紅 董事 2001 年 7 月至今，就職于中科院長光所，歷任主任、所長特別

43、助理、所長助理、所務委員等職務；現擔任長光華芯董事職務。 許立群 董事 曾任武漢實達科技總經理，現擔任長光華芯董事職務。 齊雷 董事 曾任中國國投高新產業投資有限公司投資經理、 高級投資經理等職務； 2018 年 3 月至今，擔任長光華芯董事職務。 陸殷華 董事 曾任德勤審計經理；南京華泰瑞泰高級投資經理；南京致遠股權投資投資副總監；華泰紫金投資副總監；現擔任長光華芯董事職務。 來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 12 - 公司深度報告公司深度報告 二、技術創新推動高功率半導體激光芯片國產替代，產能擴充滿二、技術創新推動高

44、功率半導體激光芯片國產替代，產能擴充滿足下游客戶需求足下游客戶需求 激光器是激光設備最核心部件，其性能決定激光設備輸出光束的質量和激光器是激光設備最核心部件，其性能決定激光設備輸出光束的質量和功率，居于激光產業鏈的核心中樞位臵。功率，居于激光產業鏈的核心中樞位臵。激光器利用受激輻射原理產生可見光或不可見光，主要包括光學系統、電源系統、控制系統和機械機構四大部分， 其中光學系統最為關鍵。 光學系統主要由泵浦源 （激勵源） 、增益介質（工作物質）和諧振腔等光學器件材料組成，增益介質通過吸收泵浦源產生的能量產生光子，并在光學諧振腔內不斷反射、放大，最終形成輸出激光束。目前國內廠商已突破激光器大部分器

45、件制造技術，但高功率半導體激光芯片等核心器件仍依賴進口，實現高功率半導體激光芯片的國產替代，有助于進一步提高國內激光器廠商的國際競爭力。 圖表圖表17：激光器原理示意圖：激光器原理示意圖 圖表圖表18：激光器結構示意圖：激光器結構示意圖 來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 來源：貳陸公司官網，中泰證券研究所 激光器種類多樣，下游應用領域眾多。激光器種類多樣，下游應用領域眾多。按照增益介質、輸出波長、運轉方式、泵浦方式的不同，激光器具備多種不同的分類，固體激光器由于穩定性好、功率較高、維護成本低，目前應用最廣泛、市場占有率最高。固體激光器中的半導體激光器可直接應用于下游領域，也可以作為固體激光

46、器（以晶體為增益介質）、光纖激光器等其他激光器的核心泵浦光源。激光器可廣泛用于工業加工裝備、激光雷達、光通信、醫療美容等下游應用行業， 其中材料加工與光刻市場的應用占比最高， 2020 年達到39.3%。 圖表圖表19：激光器主要分類：激光器主要分類 圖表圖表20：2020年全球激光器各應用市場占比年全球激光器各應用市場占比 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 13 - 公司深度報告公司深度報告 來源：公司招股說明書，中泰證券研究所 來源：前瞻產業研究院，中泰證券研究所 全球激光器市場規模持續擴大，半導體激光器占比約為全球激光器市場規模持續擴大，半導體激光器占

47、比約為 43%。據。據 Laser Focus World 統計， 2015-2021 年全球激光器的總收入從 97.1 億美元增長至 184.8 億美元，整體保持穩定增長。半導體激光器具有電光轉換效率高、體積小、壽命長、低能耗等優點，隨著智能化設備以及醫療美容等新興應用領域的持續拓展，半導體激光器的直接應用和作為泵浦源的應用規模持續增長， 2015-2021 年的市場規模從 41.8 億美元增長至 79.5億美元，CAGR 達到 11.3%，對應 2021 年在全球激光器市場的規模占比為 43%。 圖表圖表21：全球激光器總收入及增速：全球激光器總收入及增速（億美元）（億美元） 圖表圖表22

48、： 全球半導體激光器市場規模及增速 （億美元）： 全球半導體激光器市場規模及增速 （億美元） 來源：Laser Focus World，中泰證券研究所 來源：Laser Focus World，中泰證券研究所 半導體激光器應用功率不斷提升，高功率半導體激光器應用市場持續擴半導體激光器應用功率不斷提升，高功率半導體激光器應用市場持續擴容。容。半導體激光器可以分為低功率半導體激光器（輸出功率1W）和高功率半導體激光器（輸出功率1W）。高功率半導體激光器在效率、可靠性、成本、尺寸等各方面都具有明顯優勢，但由于光束質量較差，主要作為固體和光纖激光器的泵浦源進行應用， 通過微光學透鏡進行整形，也可直接應

49、用于焊接、 激光剝離和退火、 激光雷達等領域。 據 Strategies 39.3% 24.4% 14.0% 5.8% 12.8% 3.7% 材料加工與光刻市場 通信與光儲存市場 科研與軍事市場 醫療與美容市場 儀器與傳感器市場 娛樂顯示與打印市場 97.1 107.5 137.7 149.4 147.2 160.1 184.8 -5%0%5%10%15%20%25%30%020406080100120140160180200201520162017201820192020 2021E全球激光器總收入 增長率（%） 41.8 48.4 59.2 61.3 58.9 67.2 79.5 -5%0

50、%5%10%15%20%25%01020304050607080902015201620172018201920202021E全球半導體激光器市場規模 增長率 請務必閱讀正文之后的重要聲明部分請務必閱讀正文之后的重要聲明部分 - 14 - 公司深度報告公司深度報告 Unlimited 預測， 2019-2025 年全球高功率半導體激光器的市場規模將從16.4 億美元增長至 28.2 億美元，CAGR 達到 9.4%。其中，直接應用類器件/系統的市場規模將從 7.7 億美元增長至 12.7 億美元，CAGR 為8.7%；用于固體激光器泵浦源的市場規模將從 4.3 億美元增長至 7.3 億美元，C