長光華芯-首次覆蓋：稀缺的半導體激光芯片平臺型企業縱橫向一體化布局-220518（34頁）（34頁）.pdf

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1、公司深度研究 | 長光華芯 1 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 稀缺的半導體激光芯片平臺型企業，縱橫向一體化布局 長光華芯（688048.SH）首次覆蓋 公司深度研究公司深度研究 | 長光華芯長光華芯 公司評級 增持 股票代碼 688048 前次評級 評級變動 首次 當前價格 80.74 近一年股價走勢近一年股價走勢 分析師分析師 雒雅梅雒雅梅 S0800518080002 相關研究相關研究 -27%-15%-3%9%21%33%45%2021-052021-092022-01長光華芯半導體滬深300 核心結論核心結論 稀缺的半導體激光芯片平臺稀缺的半導體激光芯片平臺型型企業企業。公司成

2、立于2012年，產品包括高功率單管系列、 高功率巴條系列、 高效率VCSEL系列， 21年收入占比為84%、13%、2%。依托半導體激光芯片優勢，公司縱向延伸器件、模塊、直接半導體激光器，橫向拓展VCSEL、光通信芯片。公司是全球第二、國內唯一擁有6時量產線廠商。受益核心技術及國產替代趨勢，公司業績快速增長， 21年實現營收4.3億元， 同比74%； 歸母凈利潤1.15億元， 同比340%。 縱向縱向延伸延伸：芯片器件模塊直接半導體激光器：芯片器件模塊直接半導體激光器。據我們測算，21-25年國內高功率激光芯片市場規模為15/17/19/21/23億元， 21年公司份額僅13%，未來有望占據超

3、50%份額，主要基于：1）技術優勢：公司高功率激光芯片技術能力國內領先，產品性能對標甚至超海外廠商；2）國產替代： 中美貿易摩擦加速高功率激光芯片及光纖激光器國產化進程。 依托高功率激光芯片優勢，公司縱向延伸至器件、模塊及直接半導體激光器。據我們測算， 21-25年國內模塊市場規模為90/98/109/120/135億元， 21年公司份額僅1.6%。公司具備從芯片到模塊自主可控能力，具備核心優勢。 橫向橫向擴展擴展：EELVCSEL光通信芯片光通信芯片。VCSEL主要用于消費電子，如手機、AR、安全支付等。據Yole數據，VCSEL市場規模將由20年的11億美元增長至25年的27億美元。此外，

4、激光雷達為新應用場景，據我們測算， 22年車規激光雷達發射芯片市場為0.2億美元， 預計25/30年分別達2.0/7.8億美元。全球VCSEL市場被海外廠商壟斷，合計份額超94%。公司是國內VCSEL領先廠商，IDM模式自主可控。此外，公司還布局InP光通信芯片， 目前已具備量產能力， 有望打破高速率光通信芯片卡脖子技術。 盈利預測與估值盈利預測與估值。預計22-24年凈利潤2.0/3.1/4.1億元，未來三年業績增速較快，給予23年40 xPE，目標價91.2元，首次覆蓋，給予“增持”評級。 風險提示：市場競爭加劇風險；產品價格下降風險；技術迭代風險。 核心數據核心數據 2020 2021

5、2022E 2023E 2024E 營業收入（百萬元） 247 429 727 1,047 1,401 增長率 78.5% 73.6% 69.5% 43.9% 33.8% 歸母凈利潤 (百萬元) 26 115 200 309 410 增長率 120.3% 340.5% 73.5% 54.3% 32.9% 每股收益（EPS） 0.19 0.85 1.48 2.28 3.02 市盈率（P/E） 418.2 94.9 54.7 35.5 26.7 市凈率（P/B） 16.2 12.9 3.2 3.0 2.7 數據來源：公司財務報表，西部證券研發中心 證券研究報告證券研究報告 2022 年 05 月

6、18 日 公司深度研究 | 長光華芯 2 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 索引 內容目錄 投資要點 . 5 關鍵假設 . 5 區別于市場的觀點 . 5 股價上漲催化劑 . 5 估值與目標價 . 5 長光華芯核心指標概覽. 6 一、長光華芯：稀缺的半導體激光芯片平臺型企業，縱橫向一體化布局 . 7 1.1 公司概況：稀缺的半導體激光芯片平臺型企業 . 7 1.2 主營業務：國內高功率激光芯片龍頭，縱橫向一體化布局 . 8 1.3 股權結構：無實際控制人，核心骨干共同管理 . 10 1.4 歷史復盤：技術突破疊加國產替代，業績加速增長

7、 . 11 1.5 核心技術：外延生產、腔面鈍化、鍍膜、封裝 . 13 1.6 財務分析：盈利能力持續提升，期間費用率大幅降低 . 13 1.7 募投項目：一平臺、一支點、橫向擴展、縱向延伸 . 14 二、縱向延伸：芯片器件模塊直接半導體激光器 . 15 2.1 “一支點”：國內高功率半導體激光芯片龍頭，技術性能比肩國際巨頭 . 15 2.2 縱向延伸：延伸至激光器件、模塊及直接半導體激光器 . 22 三、橫向擴展：EELVCSEL光通信芯片 . 24 3.1 VCSEL：國內 VCSEL 領先廠商，激光雷達+3D 傳感市場星辰大海 . 24 3.1.1 激光雷達：2022 年行業實現從 0

8、到 1，享整車智能化浪潮 . 25 3.1.2 3D 傳感：國內手機廠商尚未規模應用，長期看 AR 發展 . 26 3.1.3 競爭優勢：國內 VCSEL 領先廠商，IDM 模式自主可控. 27 3.2 光通信芯片：5G 催生數據量激增，高速光通信芯片需求旺盛 . 28 四、盈利預測與估值 . 30 4.1 盈利預測 . 30 4.2 估值 . 31 4.3 投資建議 . 31 五、風險提示 . 32 圖表目錄 圖 1：長光華芯核心指標概覽圖 . 6 圖 2：公司歷史發展歷程 . 7 圖 3：高功率半導體激光器單管及巴條芯片示意圖 . 7 mNtMnMnOxPqNsQnOwPnPqR7N8Q6

9、MnPnNnPtRiNrRsPkPqRzQ8OoOyRNZsPyRxNoPmN 公司深度研究 | 長光華芯 3 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 圖 4：公司各項業務收入增長情況（億元） . 8 圖 5：公司各項業務收入與占比情況 . 8 圖 6：公司股權結構 . 10 圖 7：公司營業收入及增速情況（億元） . 12 圖 8：公司歸母凈利潤及增速情況（億元） . 12 圖 9：器件工藝線系統聯合調試快速反饋、優化 . 13 圖 10：公司核心底層技術 . 13 圖 11：公司盈利能力情況 . 14 圖 12：公司各項業務毛利率情況

10、 . 14 圖 13：公司期間費用率持續降低 . 14 圖 14：公司資產負債率較低 . 14 圖 15：高功率激光芯片、器件、模塊產能擴充項目建設規劃 . 15 圖 16：VCSEL 及光通訊激光芯片產業化項目建設規劃 . 15 圖 17：半導體激光芯片分為 EEL 及 VCSEL 芯片 . 16 圖 18：半導體激光器屬于半導體之分立器件之光電子器件行業 . 16 圖 19：激光器產業鏈 . 17 圖 20：固體激光器的原理 . 17 圖 21：2021 年全球激光器市場規模約為 184.8 億美元 . 17 圖 22：2019 年全球激光器應用市場分布 . 17 圖 23：2019-20

11、20 年中國光纖激光器市場分布情況 . 21 圖 24：2013-20 年小功率（100W）光纖激光器進出口情況（臺） . 21 圖 25：2013-20 年中功率（1.5KW）光纖激光器進出口情況（臺） . 21 圖 26：2013-20 年中功率（1.5KW）光纖激光器進出口情況（臺） . 21 圖 27：2019-20 年中國光纖激光器出貨量（臺） . 21 圖 28：全球泵浦源（光纖耦合模塊）市場空間（億美元） . 22 圖 29：中國泵浦源（光纖耦合模塊）市場空間（億元） . 22 圖 30：各類型激光雷達發射芯片占比情況 . 25 圖 31：不同類型發光芯片的優劣勢 . 25 圖

12、32：不同應用領域對于 VCSEL 功率要求 . 25 圖 33：VCSLE 結構示意圖 . 25 圖 34：3D 視覺主要實現方式包括雙目視覺、3D 結構光和 3D TOF . 27 圖 35：3D 視覺主要實現方式包括雙目視覺、3D 結構光和 3D TOF . 27 圖 36：2019-25 年 3D 傳感器市場規模（百萬美元） . 27 圖 37：2019-25 年 VCSEL 芯片市場規模（百萬美元） . 27 圖 38：2019 年全球 VCSEL 市場競爭格局 . 28 圖 39：光通信產業鏈 . 28 圖 40：全球數據量增長趨勢（ZB） . 28 圖 41：全球高速率模塊光芯片

13、（25G 以上）市場空間及預測（億美元） . 29 公司深度研究 | 長光華芯 4 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 表 1：高功率單管系列產品 . 8 表 2：高功率巴條系列產品 . 9 表 3：公司 VCSEL 系列產品 . 10 表 4：公司核心管理層簡介 . 11 表 5：公司營業收入按客戶拆分情況 . 12 表 6：公司募投項目情況 . 15 表 7：公司募投項目建設進度 . 15 表 8：根據不同的光子類型，其下游激光器類型眾多 . 16 表 9：全球及中國高功率半導體激光芯片市場空間測算 . 18 表 10：公司高功率

14、單管芯片性能指標與國內外廠商對比情況 . 19 表 11：公司高功率單管芯片波長范圍與國內外廠商對比情況 . 19 表 12：公司高功率巴條芯片性能指標與國內外廠商對比情況 . 19 表 13：公司高功率巴條芯片波長范圍與國內外廠商對比情況 . 20 表 14：公司光纖耦合模塊與可比公司對比情況 . 22 表 15：公司陣列模塊的性能指標與可比公司對比情況 . 23 表 16：VCSEL 與其他半導體光源相比是通信、傳感光源的最優選擇 . 24 表 17：激光雷達發射芯片市場空間測算 . 26 表 18：不同類型激光器芯片及接收器芯片的產品特性及應用場景 . 29 表 19：公司光通信芯片系列

15、產品 . 30 表 20：公司營業收入拆分 . 30 表 21：可比公司估值情況（Wind 一致預測） . 31 公司深度研究 | 長光華芯 5 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 投資要點投資要點 關鍵假設關鍵假設 1）高功率單管系列）高功率單管系列：高功率系列產品包括單管芯片、單管器件、光纖耦合模塊、直接半導體激光器。隨著公司二季度一期產能投產，半導激光芯片產能將增長 5-10 倍，各項業務有望快速增長。 假設2022-24年單管芯片收入分別為3.9、 5.6、 7.1億元， 毛利率為68%、68%、 70%； 光纖耦合模塊收入分

16、別為 2.2、 3.0、 3.9 億元， 毛利率為 17%、 17.5%、 18%；單管器件收入分別為 315、449、640 萬元，毛利率為 52%、52%、52%；直接半導體激光器收入分別為 761、1131、1470 萬元，毛利率為 20%、20%、20%。 2）高功率巴條系列）高功率巴條系列：高功率巴條系列產品包括巴條芯片、巴條器件及陣列模塊。假設2022-24 年巴條芯片收入分別為 2453、3029、3741 萬元，毛利率為 93%、93%、93%；巴條器件收入分別為 4268、5271、6509 萬元，毛利率為 77%、77%、77%；陣列模塊收入分別為 413、452、493

17、萬元，毛利率為 53%、53%、53%。 3）VCSEL 芯片系列芯片系列：隨著激光雷達、3D 傳感等新興市場需求放量，公司 VCSEL 有望加速增長。假設 2022-24 年 VCSEL 芯片系列收入增速分別為 250%、150%、100%，毛利率分別為 60%、60%、60%。 區別于市場的觀點區別于市場的觀點 市場認為市場認為：高功率半導體激光芯片市場空間不大，公司成長空間有限； 我們認為我們認為：根據我們測算，21 年國內高功率半導體激光芯片市場空間為 15 億元，公司份額僅為 13%。我們認為公司在國內高功率半導體激光芯片市場有望占據超過 50%以上份額， 主要基于公司產品核心競爭力

18、， 產品性能遠超國內廠商， 比肩甚至超過海外頭部廠商。此外，除了在高功率半導體激光芯片領域具備較大的份額提升空間，公司還縱向延伸了器件、模塊及直接半導體激光器，橫向拓展了 VCSE 系列 L、InP 光通信芯片系列產品，是高功率半導體激光芯片平臺型公司，成長空間廣闊。 股價上漲催化劑股價上漲催化劑 1、二季度一期產能開始投產，半導體激光芯片產能增長 5-10 倍，2022 年業績有望逐季加速； 2、下半年激光雷達行業有望迎來規模量產上車，公司車規級激光雷達發射芯片有望在下半年開始批量交付。 估值與目標價估值與目標價 我們選取炬光科技、三安光電、納芯微為可比公司，根據 Wind 一致預測，202

19、2-24 年行業平均 PE 為 61/40/29 倍。公司半導體激光芯片具備稀缺性，考慮到公司剛上市，隨著募投項目投產，未來三年凈利潤增速較高。結合可比公司估值情況，我們給與公司一定的估值溢價，給予 2023 年 40 xPE，目標價 91.2 元，首次覆蓋，給予“增持”評級。 公司深度研究 | 長光華芯 6 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 長光華芯長光華芯核心指標概覽核心指標概覽 圖 1：長光華芯核心指標概覽圖 資料來源：公司官網，西部證券研發中心 公司深度研究 | 長光華芯 7 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西

20、部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 一、一、長光華芯：稀缺的半導體激光芯片平臺型企業長光華芯：稀缺的半導體激光芯片平臺型企業，縱橫，縱橫向一體化布局向一體化布局 1.1 公司概況：公司概況：稀缺的半導體激光芯片平臺型企業稀缺的半導體激光芯片平臺型企業 國內稀缺的半導體激光芯片平臺型公司國內稀缺的半導體激光芯片平臺型公司。長光華芯成立于 2012 年，成立以來聚焦半導體激光行業，主要產品包括高功率單管系列、高功率巴條系列、高效率 VCSEL 系列及光通信芯片系列等。1）縱向延伸：公司形成了半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器四大類產品，產品廣泛應用于：光纖激光器、固體激光器及

21、超快激光器等光泵浦激光器泵浦源、直接半導體激光輸出加工應用、國家戰略高技術、科學研究等領域；2）橫向拓展： 依托高功率半導體激光芯片 （邊發射 EEL） 優勢， 公司向面發射 VCSEL 芯片擴展，從 GaAs 材料體系擴展至 InP 材料體系，橫向拓展了高效率 VCSEL 激光芯片和高速光通信芯片兩大產品平臺。芯片生產環節，公司已建成覆蓋芯片設計、外延生長、晶圓處理工藝（光刻） 、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等 IDM 全流程工藝平臺，是全球第二、國內唯一擁有 6 時量產線的廠商。 圖 2：公司歷史發展歷程 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 圖 3：高功率半導體激光器單管及巴條芯片示

22、意圖 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 公司深度研究 | 長光華芯 8 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 1.2 主營業務：國內高功率激光芯片龍頭，縱橫向一體化布局主營業務：國內高功率激光芯片龍頭，縱橫向一體化布局 公司聚焦半導體激光行業，核心產品為半導體激光芯片。依托高功率半導體激光芯片的設公司聚焦半導體激光行業，核心產品為半導體激光芯片。依托高功率半導體激光芯片的設計及量產能力，公司往縱橫向一體化布局計及量產能力，公司往縱橫向一體化布局。1）縱向延伸：往下游器件、模塊及直接半導體激光器延伸，下游分別對應光纖激光器、科研及特

23、殊應用領域，分別主要對應單管系列及巴條系列產品。 2021 年公司高功率單管、 巴條系列分別實現營業收入 3.61、 0.56 億元，分別占營業收入比例為 84.1%、13.1%；2）橫向拓展：往 VCSEL 芯片及光通信芯片等半導體激光芯片擴展。2021 年公司 VCSEL 系列產品實現小批量量產，實現營業收入 820萬元。預計 2022 年實現批量量產，下游主要對應消費電子及車載激光雷達領域。 圖 4：公司各項業務收入增長情況（億元） 圖 5：公司各項業務收入與占比情況 資料來源：公司公告，西部證券研發中心 資料來源：公司公告，西部證券研發中心 結合高結合高功率半導體激光芯片的優勢， 公司

24、縱向延伸至激光器件、 模塊及直接半導體激光器功率半導體激光芯片的優勢， 公司縱向延伸至激光器件、 模塊及直接半導體激光器?？v向延伸有利于更好貼近客戶、滿足客戶需求及適應眾多激光應用。1）高功率半導體激光芯片：包括單管芯片及巴條芯片。單管芯片只有一個發光單元，巴條芯片由多個發光單元并成直線排列的激光二極管芯片（巴條芯片經過鈍化、鍍膜后，可解理為單個發光單元的單管芯片） ；2）單管/巴條器件：由單顆激光芯片經過貼片、金線鍵合、老化測試等工序封裝而成的單顆單管/巴條器件；3）模塊：由多顆單管/巴條器件經過光學整形合束耦合而成；4）直接半導體激光器：經過合束模塊、電模塊安裝，整機裝配調試，系統老化測試

25、工序后而成。 表 1：高功率單管系列產品 類別 產品圖形 產品介紹 高功率單管芯片 采用半導體工藝制造的單個發光單元的邊發射激光芯片，由高功率巴條芯片經過鈍化、鍍 膜，進一步解理而成。 高功率單管器件-COS 系列 由高功率單管芯片經過貼片、金線鍵合、老化檢測等工序封裝而成的高功率半導體激光器件。 高功率單管器件-TO 系列 由高功率單管芯片采用 TO 封裝形式而得的半導體激光器件。 光纖耦合模塊-M 系列 由自主生產的高功率單管芯片經過光學整形合束耦合封裝而成，頂蓋采用平行縫焊工藝。 由自主生產的高功率單管芯片經過光學整形合束耦合封裝而成，頂蓋采用平行縫焊工藝。 激光錫焊、塑料焊接定制化模塊

26、，集成紅光指示、溫度探測、功率回返檢測、光纖接口抗回返光等功能，光纖芯徑及長度可根據客戶需求定制。 0.721.032.183.610.190.340.260.560.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.02018201920202021高功率單管系列高功率巴條系列VCSEL芯片系列其他78.3%74.1%88.3%84.1%20.7%24.5%10.5%13.1%0.0%0.0%1.2%1.9%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%2018201920202021高功率單管系列高功率巴條系列VCSEL芯片系列其他 公司深度研究 | 長光華芯

27、 9 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 光纖耦合模塊-F 系列 由自主生產的高功率單管芯片經過光學整形合束耦合封裝而成，自來水質通水冷卻。 百瓦級直接半導體激光器-DDLM 系列 半導體激光直接輸出使用，采用自研專業一體化激光模塊，高效 ETC 風冷制冷，多波段可調，電光轉換效率高，設計緊湊，可選配焊點溫度閉環實時監測控制系統。 數百瓦直接半導體激光器-DDLM 系列 可兼容選用 100-500W 功率級單模塊半導體激光器，可實現 QCW 超調控制，水冷制冷，采用紅光指示、緊湊設計。 中功率直接半導體激光器-DDLF 系列 采用光纖

28、合束輸出技術，功率及激光亮度進一步提高，高電光轉換效率，水冷制冷，紅光指示，緊湊設計。 高功率直接半導體激光器-DDLF 系列 功率進一步提高，可達 8000W，采用紅光指示，水冷制冷。 高亮度直接半導體激光器-DDLV 系列 該產品具有具有非常優異的光束質量， 具有獨特的金屬抗高反性能， 輸出波長的金屬吸收特性更好，可用于高功率焊接及切割。 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 表 2：高功率巴條系列產品 類別 產品圖形 產品介紹 高功率巴條芯片 本芯片是采用半導體工藝制造的由多個發光單元并成直線排列的邊發射激光芯片。 高功率巴條器件 對高功率巴條芯片進行貼片封裝，將金線鍵合構成電路，通過

29、老化檢測后形成高功率半導體激光器件。 陣列模塊-MCP-V、 VQ 系列 本產品為高功率微通道封裝半導體激光器，以水冷的方式散熱。通過將激光巴條芯片封裝為陣列，進一步提高激光輸出的效率和功率，可作為固體激光器的泵浦源。 陣列模塊-QCP-V 系列 本產品為高功率高溫硬焊料封裝半導體激光器，同樣是激光巴條芯片集成陣列所產生。常用于固體激光器泵浦源。相較 MCP 系列產品，其采用了金屬外殼封裝，體積更加輕巧。 陣列模塊-QCP-M 系列 本產品為高功率高溫硬焊料封裝半導體激光器，同樣是激光巴條芯片集成陣列所產生。常用于固體激光器泵浦源。 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 從從 GaAs 材料

30、體系擴展至材料體系擴展至 InP 材料體系，構建了邊發射和面發射兩種結構的技術工藝水材料體系，構建了邊發射和面發射兩種結構的技術工藝水平，由此橫向擴展了高效率平，由此橫向擴展了高效率 VCSEL 芯片和光通信芯片產芯片和光通信芯片產品品。1）VCSEL 芯片芯片：包含接近傳感、結構光及飛行時間 ToF 等類型，基本實現了對主流市場 VCSEL 芯片需求覆蓋，同時開發了下一代基于 D-ToF 技術的 VCSEL 芯片，下游應用涵蓋消費電子、3D 傳感、激光雷達等領域； 2） 光通信芯片） 光通信芯片 （InP） ： 光通信芯片實現電信號和光信號之間的相互轉換，是光電技術產品的核心，廣泛應用于 5

31、G 前傳、光接入網絡、城域網和數據中心等場景，處于光通信領域金字塔。截止目前，公司已建立包括外延生長、光柵制作、條形刻蝕、端面鍍膜、劃片裂片、特性測試、封裝篩選和芯片老化的完整工藝線，具備制造能力，主要產品包括 DFB、EML 系列激光器芯片和 PD 系列接收器芯片。 公司深度研究 | 長光華芯 10 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 表 3：公司 VCSEL 系列產品 類別 產品圖形 產品介紹 關鍵指標 產品特性 應用領域 VCSEL 芯片芯片-PS 系列系列 小功率 VCSEL 芯片， 可用于接近時傳感器領域，替代傳統 LED

32、光源 功率 5-100mW； 波長 850、940nm；電光轉換效率：45% 高效率、長壽命、高可靠性、可定制 短距離傳感、3D 傳感、生物醫學 VCSEL 芯片芯片-ToF 系列系列 TOF VCSEL 激光器，通過飛行時間傳感技術（D-TOF、i-TOF）還原光源照射物的 3D 形狀。 功率：1.5-2W；波長 808、850、940nm；電光轉換效率：42% 高效率、長壽命、高可靠性、可定制 人臉識別、輔助攝像、激光雷達、AR/VR VCSEL 芯片芯片-SL 系列系列 結構光（SL）VCSEL 激光器，通過分析照射物的反射光斑形變，計算物體距離、形狀等信息。 功率：1.5-2.0W；波

33、長：850、940nm；電光轉換效率：42% 高效率、長壽命、高可靠性、可定制 人臉識別、VR/AR 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 1.3 股權結構股權結構：無實際控制人，核心骨干共同管理無實際控制人，核心骨干共同管理 無實際控制人，核心骨干共同管理無實際控制人，核心骨干共同管理。公司股權較為分散，無實際控制人，前 7 大股東分別為華豐投資、蘇州英鐳、長光集團、國投創投、伊犁蘇新、璞玉投資、哈勃投資。其中，蘇州英鐳為公司核心骨干持股平臺，王俊、廖新勝、閔大勇、潘華東分別持有蘇州英鐳50.4%、25.8%、13.38%、10.42%；長光集團為長春光機所全資實業單位資產管理公司，哈勃投

34、資為華為投資控股有限公司的全資子公司。 核心骨干均具備豐富的產業背景核心骨干均具備豐富的產業背景。公司核心技術人員為王俊、閔大勇、廖新勝、潘華東。閔大勇先生于 2017 年 8 月加入長光華芯，目前擔任公司董事長，此前曾任華工科技董事長，在激光器領域從業超 20 年。王俊先生于 2017 年 8 月加入長光華芯，歷任首席技術官、董事、常務副總經理。除此之外，王俊先生于 2017 年 4 月至今，擔任四川大學特聘教授。 王俊先生此前曾任美國 nLight、 國內華工科技技術總監。截至 2021 年 6 月 30 日，公司研發人員為 106 人，占員工總數比重為 30.46%。 圖 6：公司股權結

35、構 資料來源：Wind，西部證券研發中心（注：截至 2022 年 5 月 16 日） 公司深度研究 | 長光華芯 11 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 表 4：公司核心管理層簡介 核心人員 職務 簡介 閔大勇閔大勇 董事長 閔大勇，男，1971 年 5 月生，中國國籍，無境外永久居留權，2000 年 7 月畢業于華中科技大學自動控制理論與應用專業，碩士學歷，高級工程師。1993 年 8 月至 1997 年 7 月，就職于武漢船舶職業技術學院，擔任教研室主任職務；2000 年 6 月至 2017年 7 月，就職于武漢華工激光工程有限

36、責任公司，歷任事業部負責人、副總經理、總經理、董事長職務；2008 年 7 月至 2017年 7 月，就職于華工科技產業股份有限公司，歷任副總經理、常務副總經理、總經理及董事職務；2015 年 1 月至 2017 年 8 月，就職于銳科激光，擔任監事職務；2009 年 9 月至 2017 年 7 月，就職于華日精密，擔任董事長職務；2020 年 6 月至今，就職于華日精密，擔任董事職務；2017 年 8 月至今，就職于長光華芯，擔任董事長、總經理職務。 王俊王俊 董事 王俊，男，1965 年 10 月生，中國國籍，無境外永久居留權，1997 年 7 月畢業于加拿大 McMaster 大學工程物

37、理方向，博士學歷，二級教授。1988 年 9 月至 1989 年 7 月，任深圳德達磁技術有限公司工程師；1992 年 7 月至 1994 年 8 月，任加拿大國家研究院研究助理；1997 年 3 月至 2000 年 5 月，就職于 SL-Industries,Inc.，擔任外延技部經理；2000 年 5 月至 2002 年 2 月，就職 Spectra-Physics,Inc.，擔任外延科學家；2002 年 2 月至 2003 年月，就職于 Lasertel Inc.，擔任晶體生長部經理；2003 年 7 月至 2010 年 7 月，就職于 nLIGHT,Inc.，擔任技術總監；2010 年

38、 7 月至 2014 年 11 月，就職于 Mighty Lift, Inc.，擔任技術副總；2014 年 11 月至 2017 年 6 月，就職于華工科技產業股份有限公司，擔任技術總監；2017 年 8 月至今，就職于長光華芯，歷任首席技術官、董事、常務副總經理。除此之外，王俊先生于 2017 年 4 月至今，擔任四川大學特聘教授。 廖新勝廖新勝 董事 廖新勝，男，1973 年 11 月生，中國國籍，無境外永久居留權，2003 年 3 月畢業于中科院長光所凝聚態物理專業，博士學歷，研究員。2003 年 6 月至 2004 年 2 月，就職于深圳聯芯激光光電科技有限公司，擔任副總經理職務；20

39、04 年 3 月至 2011 年 12 月，就職于恩耐激光技術（上海）有限公司，擔任副總經理職務；2011 年 12 月至 2012 年 3 月，就職于中國科學院蘇州生物醫學工程技術研究所，擔任研究員；2012 年 3 月至今，就職于長光華芯，并歷任總經理、董事、副總經理等職務；現擔任長光華芯董事、副總經理職務。 孫守孫守紅紅 董事 孫守紅，男，1978 年 12 月生，中國國籍，無境外永久居留權，2015 年 7 月畢業于中科院長光所大珩學院機械電子工程專業，博士學歷，研究員。2001 年 7 月至今，就職于中科院長光所，歷任職員、副主任、主任、所長特別助理、所長助理、所務委員職務；現擔任長

40、光華芯董事職務。 許立群許立群 董事 許立群，男，1963 年 12 月生，中國國籍，無境外永久居留權，1987 年 6 月畢業于華中科技大學電子與信息工程系微波毫米波專業，碩士學歷。1987 年 6 月至 1997 年 12 月，就職于華中科技大學（華中工學院）電子信息與通信學院電信系，擔任教師職務；1998 年 4 月至 2015 年 12 月，就職于武漢實達科技有限公司，擔任總經理；2016 年 1 月至今，就職于武漢達潤投資管理有限公司，擔任副總經理；現擔任長光華芯董事職務。 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 1.4 歷史復盤：技術歷史復盤：技術突破突破疊加國產替代，業績加速增長

41、疊加國產替代，業績加速增長 技術突破疊加國產替代，技術突破疊加國產替代，公司公司業績加速增長業績加速增長，2018-21 年收入年收入 CAGR 達達 67.1%。2018 年中美貿易摩擦，西方禁止向國內出口單管 15W 以上、巴條 100W 以上高功率半導體激光芯片，拉開了高功率半導體激光芯片國產化序幕。2019 年，長光華芯成為國內第一家量產單管 15W 高功率半導體激光芯片公司。 此后， 公司技術不斷突破、 產品性能持續提升，2020 年實現單管 18W、25W 高功率激光芯片量產；2021 年實現 30W 高功率半導體單管芯片量產，產品性能在國內處于絕對領先，對標甚至超過國外產品。隨著

42、高功率半導體激光芯片技術不斷突破、產品良率持續提升，公司在下游客戶份額將快速提升，業績也將加速增長。 隨著今年二季度一期產能投產， 公司半導體激光芯片產能將提升 5-10 倍。 同時，公司也是國內唯一一家、全球唯二的 6 寸高功率半導體激光芯片生產線，公司業績將持續快速增長。 公司深度研究 | 長光華芯 12 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 圖 7：公司營業收入及增速情況（億元） 圖 8：公司歸母凈利潤及增速情況（億元） 資料來源：公司公告，西部證券研發中心 資料來源：公司公告，西部證券研發中心 表 5：公司營業收入按客戶拆分情況

43、 年度 序號 客戶名稱 銷售內容 金額（萬元） 占當年營收比重 2018 1 飛博激光 光纖耦合模塊 3276.66 35.45% 2 銳科激光 高功率單管芯片、光纖耦合模塊 3250.76 35.17% 3 客戶 B 高功率單管芯片、高功率巴條系列、光纖耦合模塊 629.92 6.81% 4 客戶 A2 高功率巴條器件 584.24 6.32% 5 飛頓國際 陣列模塊 240.61 2.60% 合計合計 7982.19 86.36% 2019 1 飛博激光 光纖耦合模塊 5217.79 37.67% 2 客戶 A1 高功率巴條器件 2622.24 18.93% 3 銳科激光 高功率單管芯片、

44、光纖耦合模塊 2002.22 14.46% 4 光惠激光 光纖耦合模塊 873.24 6.30% 5 大族激光 光纖耦合模塊 606.32 4.38% 合計合計 11321.81 81.74% 2020 1 飛博激光 光纖耦合模塊 6448.44 26.09% 2 創鑫激光 高功率單管芯片、光纖耦合模塊 4034.37 16.32% 3 大族激光 光纖耦合模塊 3893.68 15.75% 4 光惠激光 光纖耦合模塊 3237.51 13.20% 5 客戶 A2 高功率巴條器件 1888.86 7.64% 合計合計 19502.86 78.90% 2021H1 1 創鑫激光 高功率單管芯片 5

45、084.26 26.66% 2 客戶 A2 高功率巴條器件 3463.27 18.16% 3 飛博激光 光纖耦合模塊 3218.79 16.88% 4 銳科激光 高功率單管芯片 2742.78 14.38% 5 華日精密 光纖耦合模塊 1181.58 6.19% 合計合計 15690.68 82.26% 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%0.00.51.01.52.02.53.03.54.04.55.020182019202020212022Q1營業收入（億元）同比(右軸)-1000%-800%-600%-400%-200%0%2

46、00%400%(1.5)(1.0)(0.5)0.00.51.01.520182019202020212022Q1歸母凈利潤（億元）同比(右軸) 公司深度研究 | 長光華芯 13 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 1.5 核心技術：核心技術：外延外延生產生產、腔面鈍化、鍍膜、腔面鈍化、鍍膜、封裝、封裝 芯片生產：芯片生產： 外延外延生長生長：MOCVD 材料組分及良率的調控是核心關鍵工藝，長光華芯已掌握； 腔面鈍化腔面鈍化： 腔面鈍化保護是公司最核心技術。 要使得在很小的發光面積上承受 20-30W的激光輸出，意味著腔面上功率密度很高

47、，為使其不受損傷，必須在切割晶圓時對其表面殘余的分子鍵剝除。再對其表面材質進行鈍化，防止長期暴露在空氣中工作時產生氧化而增大失效概率； 鍍膜鍍膜：對鍍膜參數摸索、鍍膜系數調控及鍍膜組分控制是公司關鍵技術。激光器有一個前腔鏡，透波率很大程度影響激光器內部功率密度和輸出密度。而輸出鏡的膜系透光率會很大程度影響輸出功率。 器件封裝：器件封裝：具備核心工藝技術，涉及、熱沉和熱管理，需對芯片進行倒裝焊技術，將芯片含在熱沉材料（氧化鋁陶瓷、碳化硅、金剛石等） 。芯片及熱沉材料在高溫下，會產生機械形變（應力差） ，應力變化會影響芯片出光后的光線變化和激光器壽命，公司已掌握無應力封裝技術。 光纖耦合模塊：光纖

48、耦合模塊：核心在于工藝和良率控制，關鍵在于設備及人才。公司目前自研光纖耦合模塊設備，自研設備性能對標進口機臺。 圖 9：器件工藝線系統聯合調試快速反饋、優化 圖 10：公司核心底層技術 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 資料來源：招股說明書，西部證券研發中心 1.6 財務分析：財務分析：盈利能力持續提升，期間費用率大幅降低盈利能力持續提升，期間費用率大幅降低 良率爬坡疊加產線升級，公司盈利能力持續提升良率爬坡疊加產線升級，公司盈利能力持續提升。公司整體毛利率由 2020 年的 31.35%大幅提升至 2021 年的 52.82%，主要原因：1）隨著良率不斷提升、成本攤銷下降，高功率單管芯

49、片毛利率由 2020 年的 60.46%大幅提升至 2021 年上半年的 67.58%； 2） 毛利率較高的單管芯片產品 2021 年收入翻倍增長，收入占比上升使得高功率單管系列毛利率上升； 3） 毛利率較高的高功率巴條系列收入占比上升。 2022 年一季度， 公司毛利率為 50.19%，較 2021 年下降了 2.63 個 pct，主要原因：1）公司在 2022 年一季度正式啟動廠房搬遷工作，半導體芯片制造工廠搬遷工程浩大；2）新廠房中的新設備一季度開始攤銷，但新廠房良率和產能仍在爬坡過程。隨著 6 寸產線良率持續爬坡，一期半導體激光芯片產能將增長 5-10 倍，2022 年毛利率有望逐季提

50、升。 公司深度研究 | 長光華芯 14 | 請務必仔細閱讀報告尾部的重要聲明 西部證券西部證券 2022 年年 05 月月 18 日日 圖 11：公司盈利能力情況 圖 12：公司各項業務毛利率情況 資料來源：公司公告，西部證券研發中心 資料來源：公司公告，西部證券研發中心 期間費用率持續降低期間費用率持續降低： 2021 年公司銷售、 研發、 管理、 財務費用率分別為 5.13%、 20.03%、5.58%、0.67%，分別同比-1.74、-4.38、-0.09、+0.81 個 pct。未來公司將持續加大研發投入。隨著公司銷售規模的擴大及管理需求進一步提高的要求，銷售費用及管理費用也將相應逐步