圖表20.ICP和CCP的技術與工藝應用的對比 急劇變化的感應磁場會在腔室中產生感應電場,使得初始電子獲得能量繼而產生低溫等離子體。ICP刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟和較薄材料,例如用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位