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據數據顯示,半絕緣型碳化硅襯底主要應用于制造氮化鎵射頻器件。2019年氮化鎵射頻器件全球市場規模達到7.4億美元。Yole預計2025年氮化鎵射頻器件全球市場規模達到了20億美元,GAGR達到18%。
數據來源《半導體行業:一張圖看懂天岳先進-211221(28頁)》
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