電子行業產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析集成電路政策力度有望加大持續看好半導體產業國產化機遇-230308（40頁）.pdf

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1、 證券研究報告證券研究報告 請務必閱讀正文之后第請務必閱讀正文之后第 39 頁起的免責條款和聲明頁起的免責條款和聲明 集成電路政策力度有望加大集成電路政策力度有望加大，持續看好半導體產業持續看好半導體產業國產化國產化機遇機遇 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 中信證券研究部中信證券研究部 核心觀點核心觀點 徐濤徐濤 科技產業聯席首席分析師 S1010517080003 王子源王子源 半導體分析師 S1010521090002 夏胤磊夏胤磊 半導體分析師 S1010521080005 瑪西高娃瑪西高娃 宏觀分析師 S1010520100001 我們復盤了國內

2、外集成電路產業扶持政策和國內新能源車我們復盤了國內外集成電路產業扶持政策和國內新能源車產業產業的發展經驗，并的發展經驗，并嘗試對政策深化的可能路徑進行分析，嘗試對政策深化的可能路徑進行分析，我們我們認為政策未來可以圍繞制定目標、認為政策未來可以圍繞制定目標、組織協調、引導投資、支持人才、攻關機制、國際合作、財稅政策、專項補貼、組織協調、引導投資、支持人才、攻關機制、國際合作、財稅政策、專項補貼、鼓勵國產等方面展開鼓勵國產等方面展開，從當下產業安全角度出發，建議重點關注從當下產業安全角度出發，建議重點關注國內半導體產國內半導體產業鏈，尤其是業鏈，尤其是半導體設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖

3、子”、后續有半導體設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、后續有望獲得政策推動的環節望獲得政策推動的環節。歷史復盤：政策持續扶持，促進國內半導體產業發展。歷史復盤：政策持續扶持，促進國內半導體產業發展?；仡檱鴥劝雽w行業歷史政策，從國家到地方先后出臺多項扶持政策，推進產業發展。從方向上看，現有扶持政策聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術、集成電路關鍵材料、集成電路設計工具、先進存儲、先進計算、先進制造、高端封裝測試、關鍵裝備材料、新一代半導體技術等關鍵“卡脖子”領域；從方式上看，扶持政策深入財稅、融資、平臺、對外開放、進出口政策、產業園區建設、產業鏈孵化器、國產替代等諸多細化抓手，為半導體

4、產業的高質量發展提供可實際操作的行動指南。產業現狀產業現狀：中低端環節國產化率顯著提升，部分高端環節還有待突破。：中低端環節國產化率顯著提升，部分高端環節還有待突破。在國內全方位、多角度的產業政策支持下，國內半導體國產化水平不斷提升，特別是2018 年以來美國縮緊對華半導體產業制裁，國產替代持續加速。在制造端和設備端，國產化率均得到快速提升，自主化產業鏈初具雛形，近 5 年來 IC 設計、晶圓制造、封裝測試、設備材料等各環節中均有部分細分賽道的國產化率實現快速提升，但也需要注意到，在關鍵芯片及設備領域，如芯片端的 CPU、GPU、AI 芯片、DRAM、NAND Flash，設備端的光刻機、離子

5、注入設備、過程控制設備等國產化率仍處于較低水平，且是外部制裁針對重點，有必要對產業進行頂層設計、組織協調，期待相關政策加速產業發展。經驗參考：參考全球多地區半導體產業及國內新能源汽車產業發展歷程，政策經驗參考：參考全球多地區半導體產業及國內新能源汽車產業發展歷程，政策加速產業發展。加速產業發展。從美日韓以及中國臺灣省的發展經驗來看，政府政策引導、優秀人才培養、下游產業集群、持續資金投入等要素不可或缺。從國內新能源車產業發展歷史來看，頂層設計規劃、全方位的產業補貼加速了產業做大做強，使得中國新能源車產業躋身國際前列。從產業轉移角度，中國半導體行業處在奮起追趕的發展黃金窗口期，任重道遠。國內半導體

6、產業政策展望與分析：市場期待的集成電路產業政策后續有望落地，國內半導體產業政策展望與分析：市場期待的集成電路產業政策后續有望落地，建議關注“兩會”建議關注“兩會”后后政策窗口期。政策窗口期。根據新華社報道，2023 年 3 月 2 日，國務院副總理劉鶴在北京調研集成電路企業并主持召開座談會。劉鶴指出“習近平總書記高度重視集成電路產業發展，多次作出重要指示批示”，“政府要制定符合國情和新形勢的集成電路產業政策”。我們認為后續若推出相關半導體政策，可能從以下幾方面深入：1）頂層設計：國家層面統籌決策，制定統一目標、組織協調；2）引導投資：優化考核機制，引導產業基金長期投資，進一步完善半導體企業融資

7、渠道；3）人才支持：培養產業人才，給予國內人才稅收優惠，海外人才國民待遇；4）攻關機制：以企業為主體攻關產業應用，成立國家級或聯合科研機構；5）財稅政策：加大優惠力度，結合多種稅收優惠實現補貼；6）國際合作：發揮龐大市場需求優勢和成本優勢，加強外部合作；7）專項補貼：針對卡脖子環節進行專項補貼，加速推動技術進步；8）鼓勵國產：鼓勵終端采購國產芯片，鼓勵設計公司本土流片，鼓勵采購國產設備/材料/EDA 等，積極打造全國產化產業鏈。風險因素：風險因素：政策力度不及預期；先進技術創新不及預期；國際產業環境變化和貿 電子電子行業行業 評級評級 強于大市（維持）強于大市（維持）產業鏈安全再平衡系列之（二

8、）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 2 易摩擦加劇風險；技術變革風險；下游需求波動。投資策略投資策略：建議重點關注國內半導體產業鏈，尤其建議重點關注國內半導體產業鏈，尤其在在當下產業安全角度，當下產業安全角度，重點重點關注關注半導體設備半導體設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、有望獲得政策推、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、有望獲得政策推動的環節。動的環節。建議關注涉及“卡脖子”問題的半導體制造、設備、材料、零部件自主以及高端芯片國產化相關公司：半導體設備/零部件：芯源微、拓荊科技

9、、富創精密、北方華創、中微公司、盛美上海、華海清科、至純科技、華峰測控、長川科技等；制造：中芯國際、華虹半導體；高端芯片：龍芯中科、海光信息、寒武紀、景嘉微等；封測：長電科技、通富微電、甬矽電子等。mMmNYU9YcWfVuYcVzW6MbP7NpNpPsQoNfQnNsRiNmMxP6MqRmMuOpOtQwMrNzQ 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 3 目錄目錄 核心觀點核心觀點.5 歷史復盤：政策持續扶持，促進國內半導體產業發展歷史復盤：政策持續扶持，促進國內

10、半導體產業發展.6 政策梳理：站在國家戰略高度，多管齊下助力半導體產業發展.6 1、財稅政策：集成電路各板塊均享受所得稅優惠政策，其中 IC 設計類企業優惠力度最大.7 2、重大專項：專注于核心技術突破和構建，加速構建集成電路自主產業鏈.10 3、融資支持：大基金直投+撬動地方資金，為產業鏈關鍵企業提供資金支持.11 4、其他配套政策：重點地區出臺相關政策，針對各環節出臺激勵措施.13 產業現狀：中低端環節實現國產替代，部分高端核心環節仍待突破產業現狀：中低端環節實現國產替代，部分高端核心環節仍待突破.15 經驗參考：全球多地區半導體產業及國內新能源汽車產業，政策加速產業發展經驗參考：全球多地

11、區半導體產業及國內新能源汽車產業，政策加速產業發展.18 美國：試圖通過補貼政策及打擊挑戰者保持半導體產業的長期領先地位.18 其他國家/地區：政府引導+技術研發+市場化實現上世紀 80 年代迅速崛起.21 國內新能源汽車產業：政策+補貼+免稅推動高速發展，在全球汽車產業彎道超車.23 國內半導體產業政策展望與分析國內半導體產業政策展望與分析.24 1、頂層設計：統籌規劃，制定統一目標，組織協調.25 2、引導投資：引導產業基金長期投資，進一步完善半導體企業融資渠道，優化考核指標.25 3、人才支持：培養產業人才，給予國內人才稅收優惠，海外人才國民待遇.26 4、攻關機制：成立國家級科研機構，

12、以企業為主體科研攻關.27 5、財稅政策：加大優惠力度，結合多種稅收優惠實現補貼.27 6、國際合作：發揮龐大市場需求優勢和成本優勢，加強外部合作.28 7、專項補貼：針對卡脖子環節進行專項補貼，加速推動技術進步.28 8、鼓勵國產：通過補貼政策，鼓勵采購國產設備/材料/EDA 等，積極打造全國產化產業鏈.29 風險因素風險因素.29 投資策略投資策略.30 附錄附錄.31 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 4 插圖目錄插圖目錄 圖 1：大基金一期投資分布.12 圖

13、2：大基金二期投資分布（截至 2022 年 3 月 31 日）.12 圖 3：美日韓及中國臺灣省的半導體產業發展啟示.18 圖 4：美國半導體產業發展歷史概況.19 圖 5：日本半導體產業發展歷程概況.22 圖 6：韓國政府推動半導體產業發展的計劃與法規.22 圖 7：中國臺灣省半導體產業發展歷程.23 圖 8：歷年 EV 乘用車單車補貼下降情況.24 圖 9：中國電動車歷年銷量數據及預測.24 表格目錄表格目錄 表 1：國內集成電路產業歷年來重要產業政策及戰略規劃.6 表 2：歷年來集成電路企業稅收優惠政策梳理.8 表 3：當前集成電路各領域的稅收優惠內容.8 表 4：部分電子行業上市公司及

14、其部分子公司歷年所得稅率.9 表 5：大基金一期投向列表.11 表 6：大基金二期投資公司（部分）.13 表 7：近期地方重點集成電路產業政策（部分）.14 表 8：集成電路產業國產化率情況.16 表 9：上海微電子 IC 前道光刻機主要技術參數.17 表 10：美國國防部半導體相關補貼.20 表 11：19892020 年英特爾獲得政府補貼情況.21 表 12：不同地區半導體激勵政策梳理.23 表 13：我國部分新能源汽車財政補貼政策梳理.24 表 14：02 專項重要項目及承擔單位.31 表 15：大基金一期重要投資項目.34 表 16：電子行業部分公司企業所得稅減稅對 2021 年的凈利

15、潤影響彈性測算.36 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 5 核心觀點核心觀點 據新華社報道，2023 年 3 月 2 日，國務院副總理劉鶴在北京調研集成電路企業并主持召開座談會。劉鶴指出“習近平總書記高度重視集成電路產業發展，多次作出重要指示批示”，“政府要制定符合國情和新形勢的集成電路產業政策”。政策要點：制定目標、組政策要點：制定目標、組織協調、引導投資、支持人才、攻關機制、國際合作等?？梾f調、引導投資、支持人才、攻關機制、國際合作等。劉鶴指出，政策要“設定務實的

16、發展目標和發展思路，幫助企業協調和解決困難，在市場失靈的領域發揮好組織作用，引導長期投資，對國內人才給予一視同仁的優惠政策，對外籍專家給予真正的國民待遇”，“建立企業為主體的攻關機制”，“特別要善于發現和珍惜領軍人才”，“必須始終堅持國際合作，廣交朋友，擴大開放，堅定維護全球產業鏈供應鏈穩定?！蔽覀冋J為，劉鶴副總理的講話或指明了后續的潛在政策方向，我們在此基礎上嘗試分析政策。我們復盤了國內外集成電路產業扶持政策和國內新能源車產業的發展經驗，并嘗試對政策深化的可能路徑進行分析，認為政策未來可能圍繞著頂層設計、引導投資、人才支持、攻關機制、財稅政策、國際合作、專項補貼、鼓勵國產等方面展開。從當下產

17、業安全角度出發，我們建議重點關注半導體設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、后續有望獲得政策推動的環節。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 6 歷史復盤：政策持續扶持，促進國內半導體產業發展歷史復盤：政策持續扶持，促進國內半導體產業發展 政策梳理：站在國家戰略高度，多管齊下助力半導體產業發展政策梳理：站在國家戰略高度，多管齊下助力半導體產業發展 2000 年以來，國家不斷提升年以來，國家不斷提升半導體半導體行業的戰略地位，行業的戰略地位，通過各種通過各種政策政策持

18、續持續大力扶持大力扶持國國內半導體產業的內半導體產業的發展。發展。2000 年，國務院發布鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干意見，對國內集成電路行業首次提出稅收優惠；2006 年，國務院發布國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020 年），正式提出 01 專項和 02 專項的概念；2013 年，發改委發布戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄，將集成電路測試設備列入戰略性新興產業重點產品目錄；2015 年，國務院發布中國制造 2025，將集成電路及專用裝備作為“新一代信息技術產業”納入大力推動發展的重點領域；2020 年，發改委、國務院發布鼓勵外商投資產業目錄（2020 年版），鼓勵

19、外資向半導體相關領域投資；2021年，全國兩會發布中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和 2035 年遠景目標綱要，提出加強在人工智能、量子計算、集成電路前沿領域的前瞻性布局；2022年，教育部、財政部、發改委聯合發布關于深入推進世界一流大學和一流學科建設的若干意見，提出加強集成電路、人工智能等領域人才的培養。綜合來看，綜合來看，國家持續國家持續對半導對半導體產業體產業推出各項鼓勵政策推出各項鼓勵政策，站在國家戰略高度對產業的發展提出頂層規劃，自上而下地進，站在國家戰略高度對產業的發展提出頂層規劃，自上而下地進行多角度、全方位的扶持，加速產業的發展行多角度、全方位的扶持，加速產業的

20、發展，具體措施包括財稅政策，具體措施包括財稅政策、研發項目支持、產、研發項目支持、產業投資、人才補貼等。業投資、人才補貼等。表 1：國內集成電路產業歷年來重要產業政策及戰略規劃 時間時間 發布單位發布單位 政策名稱政策名稱 政策核心內容政策核心內容 2000 年 國務院 鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干意見（18 號文）該政策作為集成電路產業的核心政策，為軟件企業和集成電路生產企業給予該政策作為集成電路產業的核心政策，為軟件企業和集成電路生產企業給予稅收方面的優惠稅收方面的優惠 2006 年 國務院 國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020 年）綱要將“核心電子器件、高端通用芯

21、片及基礎軟件”（綱要將“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件”（01 專項）、極大規模專項）、極大規模集成電路制造技術及成套工藝（集成電路制造技術及成套工藝（02 專項）作為專項）作為 16 個重大專項的前兩位，個重大專項的前兩位，并在科技投入、稅收優惠、金融支持、知識產權保護等方面提出了政策和措施。2006 年 原 信 息 產業部 信息產業科技發展“十一五”規劃和 2020 年中長期規劃綱要 綱要發展目標為到 2020 年，簡歷較完善的科技創新體系。未來 5-15 年間，重點發展集成電路、軟件技術、新型元器件技術等 15 個領域的關鍵技術。2009 年 國務院 電子信息產業調整和振興規劃 作

22、為電子信息產業綜合性應對金融危機措施的行動方案，規劃期 2009 年至2011 年。2010 年 國務院 關于加快培育和發展戰略性新興產業的決定 提出著力發展集成電路、新型顯示、高端軟件、高端服務器等核心基礎產業提出著力發展集成電路、新型顯示、高端軟件、高端服務器等核心基礎產業 2012 年2 月 工信部 集成電路產業“十二五”發展規劃（1）到“十二五”末，集成電路產業規模再翻一番以上，產量超過 1500 億塊，銷售收入達 3300 億元，年均增長 18%。（2）培育 5-10 家銷售收入超過 20 億元的骨干設計企業，1 家進入全球 IC設計企業前十位；1-2 家銷售收入超過 200 億元的

23、骨干芯片制造企業；2-3家銷售收入超過 70 億元的骨干封測企業，進入全球封測業前十位；形成一批創新活力強的中小企業。2013 年 國 家 發 改委 戰略性新興產業重點產品和服務指導目錄 將集成電路測試設備列入戰略性新興產業重點產品目錄將集成電路測試設備列入戰略性新興產業重點產品目錄 2014 年6 月 工信部 國家集成電路產業發展推進綱要（1）到 2015 年，集成電路產業發展體制機制創新取得明顯成效，建立與產業發展規律相適應的融資平臺和政策環境，集成電路產業銷售收入超過 3500億元。（2）移動智能終端、網絡通信等部分重點領域集成電路設計技術接近國際一流水平。（3）32/28 nm 制造工

24、藝實現規模量產，中高端封裝測試銷售收入占封裝測試業總收入比例達到 30%以上，65-45nm 關鍵設備和 12 英寸硅片等關鍵材料在生產線上得到應用。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 7 時間時間 發布單位發布單位 政策名稱政策名稱 政策核心內容政策核心內容 2015 年 國務院 中國制造 2025 將集成電路及專用裝備作為“新一代信息技術產業”納入大力推動發展的重將集成電路及專用裝備作為“新一代信息技術產業”納入大力推動發展的重點領域，著力提升集成電路設計水平，掌握

25、高密度封裝及點領域，著力提升集成電路設計水平，掌握高密度封裝及 3D 封裝技術，提封裝技術，提升封裝產業和測試的自主發展能力，形成關鍵制造設備供貨能力。升封裝產業和測試的自主發展能力，形成關鍵制造設備供貨能力。2015 年3 月 工信部 2015 年工業強基專項行動實施方案 將加快推進高端芯片、新型傳感器、智能儀表和控制系統、工業軟件、機器人等智能裝置的集成應用，提升工業軟硬件產品的自主可控能力。通過通過 10年左右的努力，力爭實現年左右的努力，力爭實現 70%的核心基礎零部件的核心基礎零部件(元器件元器件)、關鍵基礎材料自、關鍵基礎材料自主保障，部分達到國際領先水平。主保障，部分達到國際領先

26、水平。2015 年10 月 工信部 集成電路產業“十三五”發展規劃 2020 年實現銷售收入 9300 億元；移動智能終端、網絡通信、云計算、物聯網、大數據等重點領域集成電路設計技術達到國際領先水平；通用微處理器、存儲器等核心產品形成自主設計與生產能力；16/14nm 制造工藝實現量產，封裝測試技術進入全球第一梯隊，關鍵裝備和材料進入國際采購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電力產業體系。2020 年12 月 發改委、商務部 鼓勵外商投資產業目錄（2020年版）鼓勵外資投向關鍵原材料、關鍵零部件、關鍵設備等領域。鼓勵外資投向關鍵原材料、關鍵零部件、關鍵設備等領域。2021 年3 月 全國兩

27、會 中華人民共和國國民經濟和社會發展第十四個五年規劃和 2035年遠景目標綱要 在事關國家安全和發展全局的基礎核心領域，制定實施戰略性科學計劃和科學工程。瞄準人工智能、量子信息、集成電路等前沿領域，實施一批具有前瞄準人工智能、量子信息、集成電路等前沿領域，實施一批具有前瞻性、戰略性的瞻性、戰略性的國家重大科技項目。國家重大科技項目。從國家急迫需要和長遠需求出發，集中優勢資源攻關新發突發傳染病和生物安全風險防控、醫藥和醫療設備、關鍵元器件零部件和基礎材料、油氣勘探開發等領域關鍵核心技術。2021 年12 月 中 央 網 絡安 全 和 信息 化 委 員會“十四五”國家信息化規劃 完成信息領域核心技

28、術突破也要加快集成電路關鍵技術攻關。推動計算芯片、推動計算芯片、存儲芯片等創新，加快集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料存儲芯片等創新，加快集成電路設計工具、重點裝備和高純靶材等關鍵材料研發，推動絕緣柵雙極型晶體管（研發，推動絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、微機電系統（）、微機電系統（MEMS）等特色工）等特色工藝突破。藝突破。布局戰略性前沿性技術，前瞻布局戰略性、前沿性、原創性、顛覆性技術。2021 年 國務院 橫琴粵澳深度合作區建設總體方案 大力發展集成電路、電子元器件、新材料、新能源、大數據、人工智能、物聯網、生物醫藥產業。加快構建特色芯片設計、測試和檢測的微電子產業鏈。202

29、2 年1 月 國務院 國務院關于印發“十四五”數字經濟發展規劃的通知（一）增強關鍵技術創新能力。瞄準傳感器、量子信息、網絡通信、集成電集成電路、路、關鍵軟件、大數據、人工智能、區塊鏈、新材料等戰略性前瞻性領域，提高數字技術基礎研發能力。（二）提升核心產業競爭力。著力提升基礎軟硬件、核心電子元器件、關鍵基礎材料和生產裝備的供給水平，強化關鍵產品自給保障能力。2022 年2 月 教育部、財政部、發改委 關于深入推進世界一流大學和一流學科建設的若干意見 面向集成電路、人工智能、儲能技術、數字經濟等關鍵領域加強交叉學科人面向集成電路、人工智能、儲能技術、數字經濟等關鍵領域加強交叉學科人才培養。才培養。

30、強化科教融合，完善人才培育引進與團隊、平臺、項目耦合機制，把科研優勢轉化為育人優勢。資料來源：國務院，財政部，稅務總局，發改委，中信證券研究部 1、財稅政策：、財稅政策：集成電路集成電路各板塊均享受所得稅優惠政策，其中各板塊均享受所得稅優惠政策，其中 IC 設計類企設計類企業優惠力度最大業優惠力度最大 國家國家對集成電路產業的稅收優惠始于對集成電路產業的稅收優惠始于 2000 年，年，近二十近二十年來持續扶持，彰顯發展決心年來持續扶持，彰顯發展決心。2000 年 6 月，國家經貿委政策司與信息產業部組成聯合小組起草形成的鼓勵軟件產業和集成電路產業發展的若干政策，是我國首次針對集成電路提供稅收優

31、惠，俗稱“18 號文”，覆蓋 IC 設計、軟件、及部分 IC 制造企業。2011 年，18 號文到期后，國務院再次發布新政策（4 號文）將優惠期延續至 2017 年底，并提高部分 IC 制造企業的優惠力度。2015年，政府將所得稅優惠政策的受益范圍擴大至“封測、關鍵材料、關鍵設備”。2018 年，進一步延長 IC 生產企業的政策優惠年限，提高 2018 年后新成立 IC設計企業的優惠標準，同時新設立項目也可以享受稅收優惠。2019 年以來，我國針對集成電路產業繼續出臺多項優惠政策，包括設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件等環節，彰顯政府對集成電路產業的高度重視和發展決心。產業鏈安全再平衡系列

32、之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 8 表 2：歷年來集成電路企業稅收優惠政策梳理 時間時間 政策名稱政策名稱 政策核心內容政策核心內容 2000.09 關于鼓勵軟件產業和集成電路產業發展有關稅收政策 軟件及 IC 設計企業享受“兩免三減半”，其中重點企業減按 10%征收；“線寬小于 0.25um 或投資超過 80 億”的 IC 制造企業減按 15%征收政策有效期 2000 年初至 2010 年底 2002.10 國家稅務總局關于進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展稅收政策 IC 生產企業

33、稅收優惠政策擴大至“線寬小于 0.8um企業 2011.02 進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策 延長軟件、IC 設計、IC 制造企業的稅收優惠政策至 2017 年底；并提高部分 IC 制造企業的優惠力度 2015.02 關于進一步鼓勵集成電路產業發展企業所得稅政策的通知 集成電路封測、材料、設備企業可享受“兩免三減半政策 2018.03 關于集成電路生產企業有關企業所得稅政策問題的通知 進一步延長 IC 生產企業的政策優惠年限；提高 2018 年后新成立 IC 設計企業的優惠標準，同時新設立項目也可以享受稅收優惠 2019.05 關于集成電路設計和軟件產業企業所得稅政策的公告 依法

34、成立且符合條件的集成電路設計企業和軟件企業，在 2018 年 12 月 31日前自獲利年度起計算優惠期，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。2020.07 新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展若干政策 繼續實施集成電路企業和軟件企業增值稅優惠及企業所得稅政策，包括設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業。資料來源：國務院，財政部，稅務總局，中信證券研究部 目前集成電路各板塊均享受所得稅優惠政策，其中目前集成電路各板塊均享受所得稅優惠政策，其中重點重點IC設計類設計類企業優惠力度最大。企業優惠力度最大。根據歷年優惠政策梳

35、理，我們總結出當前時點集成電路各板塊的所得稅優惠情況，包括：1）IC 設計：自 2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的重點集成電路設計企業，自獲利年度起，第一年至第五年免征企業所得稅，接續年度減按 10%的稅率征收企業所得稅；2）IC 制造：新老企業標準不同，以新企業為例，門檻較高的企業享受“五免五減半”，門檻較低的享受“兩免三減半”等；3）封測、材料、設備：2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅（“兩免三減半”）?！咀ⅰ俊皟擅馊郎p半”：前 2 年

36、免征所得稅，第 35 年按照 25%的法定稅率減半征收所得稅，享受至期滿為止?！拔迕馕鍦p半”：前 5 年免征所得稅，第 610 年按照 25%的法定稅率減半征收所得稅，享受至期滿為止。表 3：當前集成電路各領域的稅收優惠內容 企業類別企業類別 當前所得稅優惠當前所得稅優惠 軟件及集成電路設計企業 自 2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的重點集成電路設計企業，自獲利年度起，第一年至第五年免征免征企業所得稅，接續年度減按 10%的稅率征收企業所得稅。集成電路生產企業 2017 年 12 月 31 日前設立且在 2019 年 12 月 31 日前獲利的集成電路線寬小于線寬小于 0.8 微米（含

37、）微米（含）的集成電路生產企業，自獲利年度起第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。2017 年 12 月 31 日前設立且在 2019 年 12 月 31 日前獲利的集成電路線寬小于線寬小于 0.25 微米微米，且經營期在經營期在 15 年以上年以上的集成電路生產企業，自獲利年度起第一年至第五年免征企業所得稅，第六年至第十年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止 2017 年 12 月 31 日前設立且在 2019 年 12 月 31 日前獲利的投資額超過投資額超過 80 億元億元，且經營期在經營期在 15

38、年以上年以上的集成電路生產企業，自獲利年度起第一年至第五年免征企業所得稅，第六年至第十年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。2018 年 1 月 1 日后投資新設的集成電路投資額超過投資額超過 150 億元億元，經營期在經營期在 15 年以上年以上且在 2019 年 12 月 31 日前獲利的集成電路生產企業或項目，第一年至第五年免征企業所得稅，第六年至第十年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅，并享受至期滿為止。2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的集成電路線寬小于線寬小于 28 納米（含）納米（含），且經營期在經營期在 15 年以上年以上的集成電路生產企業或

39、 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 9 企業類別企業類別 當前所得稅優惠當前所得稅優惠 項目，第一年至第十年免征企業所得稅。國家鼓勵的集成電路線寬小于線寬小于 65 納米（含）納米（含），且經營期在經營期在 15 年以上年以上的集成電路生產企業或項目，第一年至第五年免征企業所得稅，第六年至第十年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅。國家鼓勵的集成電路線寬小于線寬小于 130 納米（含）納米（含），且經營期在經營期在 10 年以上年以上的集成電路生產企業或項目，第一

40、年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅。集成電路生產企業的生產設備，其折舊年限可以適當縮短折舊年限可以適當縮短，最短可為 3 年（含）。封測、材料、設備企業 2020 年 1 月 1 日起，國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業，自獲利年度起，第一年至第二年免征免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半的法定稅率減半征收企業所得稅。資料來源：國務院，財政部，稅務總局，中信證券研究部 多家上市公司多年來持續享受相關優惠政策多家上市公司多年來持續享受相關優惠政策，半導體設計及軟件上市企業適用稅率最半導體設計及軟件上市企業適用稅率最

41、為優惠。為優惠。我們統計了板塊部分上市公司歷年來的所得稅優惠稅率情況，2019-2021 年間絕大多數上市公司享受了所得稅優惠政策。上市公司中，半導體設計公司多滿足國家規劃布局內重點企業標準，適用 10%的所得稅率，享受最優惠稅率，部分子公司滿足“兩免三減半”標準；較為先進的半導體制造企業如中芯國際子公司適用“五免五減半”、“三免兩減半”和“十年免稅”等標準，適用于 0%、10%、12.5%或 15%等優惠稅率；半導體封測、材料、設備公司主要適用于 15%的優惠稅率。表 4：部分電子行業上市公司及其部分子公司歷年所得稅率 公司名稱公司名稱 代碼代碼 子公司名稱子公司名稱 所得稅率所得稅率 20

42、21 2020 2019 紫光國微 002049.SZ 25%25%25%紫光同芯 10%10%10%深圳國微 10%10%10%紫光青藤 15%15%香港同芯 16.5%16.5%16.5%國芯晶源 15%15%15%中芯國際 688981.SH 25%25%25%中芯上海 15%（2020 年至 2022 年）15%中芯天津 12.5%（2013 年起“五免五減半”）12.5%12.5%中芯北京 0%（2015 年至 2024 年免繳企業所得稅）0%0%中芯北方 15%（2019 年至 2021 年）15%15%中芯深圳 15%（2020 年至 2022 年）15%15%其他中國實體 25

43、%25%25%中微公司 688012.SH 15%10%10%中微廈門 25%25%25%中微惠創 20%25%25%中微南昌 15%25%25%中微匯鏈 20%20%20%中微臨港 25%25%中微國際 17%17%17%中微日本 29.74%40%40%中微北美 21%和 8.84%21%/8.84%21%/8.84%中微韓國 10%和 20%10%10%產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 10 公司名稱公司名稱 代碼代碼 子公司名稱子公司名稱 所得稅率所得稅率 2

44、021 2020 2019 長電科技 603290.SH 15%15%15%長電宿遷 25%25%25%長電滁州 25%25%25%江陰長電 25%25%25%星科金朋 25%25%25%STATS ChipPAC,Inc.21%21%21%士蘭微 600460.SH 15%15%15%士蘭集成 15%15%15%士蘭明芯 15%15%15%美卡樂 15%15%15%成都士蘭 15%15%15%集佳科技 15%15%15%士蘭集昕 15%15%15%士港公司 16.5%16.5%16.5%其他納稅主體 25%25%25%資料來源：Wind，各公司年報，中信證券研究部 2、重大專項：、重大專項：

45、專注于專注于核心核心技術突破和構建，加速構建集成電路自主產業鏈技術突破和構建，加速構建集成電路自主產業鏈 國家科技重大專項為集成電路技術國家科技重大專項為集成電路技術發展發展發揮了重要作用。發揮了重要作用。2006 年，國家組織大批頂尖專家，研究編制國家中長期科學和技術發展規劃綱要（2006-2020），并通過規劃確定了我國到 2020 年科技發展的 16 個重大專項，其中涉及集成電路的有 2 項，分別是“核心電子器件、高端通用芯片及基礎軟件產品”（“01 專項”或“核高基專項”）和“極大規模集成電路制造裝備與成套工藝”（“02 專項”）。01 專項的目標專項的目標：到 2020 年，我國在高

46、端通用芯片、基礎軟件和核心電子器件領域基本形成具有國際競爭力的高新技術研發與創新體系，并在全球電子信息技術與產業發展中發揮重要作用；我國信息技術創新與發展環境得到大幅優化，擁有一支國際化的、高層次的人才隊伍，形成比較完善的自主創新體系，為我國進入創新型國家行列做出重大貢獻。根據 2017 年“核高基”國家科技重大專項成果發布會公布的數據，在重大專項支持下，我國核心電子器件關鍵技術取得重大突破，總體技術水平實現了跨越發展，核心電子我國核心電子器件關鍵技術取得重大突破，總體技術水平實現了跨越發展，核心電子器件與國外差距由器件與國外差距由 15 年以上縮短到年以上縮短到 5 年年，成功構建了系列高端

47、技術平臺，核心電子器件長期依賴進口的“卡脖子”問題得到緩解，支撐裝備核心電子器件自主保障率從不足 30%提升到 85%以上。02 專項的目標專項的目標：“十一五”期間（20062010 年），重點實現 90 納米制造裝備產品化，若干關鍵技術和元部件國產化；研究開發出 65 納米制造裝備樣機；突破 45 納米以下若干關鍵技術?！笆濉逼陂g（20112015 年），重點實施的內容和目標包括：重點進行45-22納米關鍵制造裝備攻關，開發 32-22納米CMOS工藝、90-65納米特色工藝，開展 22-14 納米前瞻性研究，形成 65-45 納米裝備、材料、工藝配套能力及集成電路制造產業鏈，進一步縮

48、小與世界先進水平差距，裝備和材料占國內市場的份額分別達到 10%和20%，開拓國際市場。專項的實施周期為專項的實施周期為 2006-2021 年，歷時十五年，相關企業、科研單年，歷時十五年，相關企業、科研單 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 11 位承擔了眾多技術專項，完成了諸多技術環節的突破。位承擔了眾多技術專項，完成了諸多技術環節的突破。不同于產業自發的技術進步和產業升級，02 專項系統地分析了集成電路產業鏈的各個環節，明確了重要的薄弱環節，由相關企業、單位集中進

49、行技術突破，通過科學審慎的統籌規劃，極大地加速了集成電路自主化產業鏈的建設，縮短了追趕周期，為集成電路產業進一步的發展提供了重要的技術基礎和產業基礎。我們統計了“02 專項”的重點投資領域（見附錄表 14），重點支持的對象為半導體設備公司、半導體材料公司及半導體晶圓制造和封測公司。3、融資支持：大基金直投、融資支持：大基金直投+撬動地方資金，為撬動地方資金，為產業鏈關鍵企業提供資金支產業鏈關鍵企業提供資金支持持 大基金直接投資集成電路產業關鍵企業，提供資金支持，覆蓋芯片全產業鏈。大基金直接投資集成電路產業關鍵企業，提供資金支持，覆蓋芯片全產業鏈。國家大基金是指國家集成電路產業投資基金，成立于

50、2014 年 9 月 24 日，目標為推進中國芯片產業發展直接進行產業投資。項目一期投資期限為 5 年，即 2014-2019 年，項目二期已于2019 年 10 月注冊。大基金投資項目覆蓋了芯片全產業鏈，包括設計、晶圓、封測、裝備、材料等。其中，大基金一期投資大基金一期投資超千億，撬超千億，撬動資金超動資金超 6500 億億，聚焦制造、設計環節，聚焦制造、設計環節；大大基金二期募資規模超基金二期募資規模超 2000 億元，億元，資金來源更加多樣化，資金來源更加多樣化，增加材料、設備、下游應用端投增加材料、設備、下游應用端投資。資。大基金一期投資大基金一期投資超千億，撬動資金超超千億，撬動資金

51、超 6,500 億億，聚焦制造，聚焦制造和和設計環節。設計環節。大基金一期初期募資 987 億元，主要股東為國家財政部（36.47%）、國開金融有限責任公司（22.29%）、中國煙草總公司（11.14%）、亦莊國投（10.13%）等，后續募資規模提升至 1,387 億元，實際投資超千億元，主要投資于各產業鏈環節中的龍頭企業和特色企業，總計約 60 家，撬動超 6,500 億元資金進入芯片產業。根據“芯思想”匯總，從投資分布上看，大基金一期投向聚焦 IC 制造（63%）、IC 設計（20%）、封裝測試（10%）和設備材料（7%）等環節。表 5：大基金一期投向列表 產業環節產業環節 投資企業列表投

52、資企業列表 IC 設計 紫光展銳、中興微電子、兆易創新、納思達（艾派克）、國科微、北斗星通、景嘉微、深圳國微、盛科網絡、硅谷數模、芯原微電子、匯頂科技 IC 制造-代工 中芯國際、中芯北方、中芯南方、中芯寧波、華虹半導體 IC 制造-存儲 長江存儲 特色工藝 士蘭微電子、三安光電、耐威科技、燕東微電子 封裝測試 長電科技、華天科技、中芯長電、通富微電、晶方科技、太極實業 設備 中微半導體、北方華創、長川科技、沈陽拓荊 材料 上海硅產業集團、江蘇鑫華半導體、安集微電子、煙臺德邦 生態建設 地方子基金（北京、上海）、龍頭企業子基金（芯動能、中芯聚源、安芯基金）、績優團隊子基金（武岳峰、鴻鈦、盈富泰

53、克）等 資料來源：芯思想微信公眾號，中信證券研究部 注：詳細列表參考附錄表 15 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 12 圖 1：大基金一期投資分布 圖 2：大基金二期投資分布（截至 2022 年 3 月 31 日）資料來源：芯思想微信公眾號，中信證券研究所 資料來源：芯思想微信公眾號，中信證券研究所 大基金二期募資規模超大基金二期募資規模超 2,000 億元，億元，資金來源更加多樣化，資金來源更加多樣化，增加材料、設備、下游應增加材料、設備、下游應用端投資。用端投資

54、。大基金二期于 2019 年 10 月成立，注冊資本達 2,041.5 億元，相比一期，股東資金來源更為多樣化，多個國內集成電路產業重鎮積極參與，主要股東包括財政部（11.02%）、國開金融有限責任公司（10.78%）、重慶戰略性新興產業股權投資基金合伙企業（7.35%）、浙江富浙集成電路產業發展有限公司（7.35%）、武漢光谷金融控股集團有限公司（7.35%）、上海國盛有限公司（7.35%）、成都天府國集投資有限公司（7.35%）等。大基金二期會繼續承接一期的芯片產業鏈，提升設備與材料領域的投資比重，同時積極響應國家戰略和新興行業發展規劃，加大對下游應用端的投資，比如智能汽車、智能電網、人工

55、智能、物聯網、5G 等領域，以需求推動產業發展，爭取實現國內集成電路產業的技術創新。截至 2022 年 3 月 31 日，大基金二期已宣布投資 38 家公司，累計協議出資790 億元，涵蓋芯片設計工具（EDA，電子設計自動化）、芯片設計、晶圓制造、封裝測試、集成電路裝備、零部件、材料及應用等產業鏈多個環節。其中制造領域投資晶圓制造（包括晶圓廠、IDM 垂直整合制造、存儲）環節依然是大基金投資的重頭，占比達 75%，先后投資了長江存儲二期，中芯國際及公司旗下中芯南方、中芯北方、中芯深圳、中芯東方，長鑫存儲母公司睿力集成，華潤微旗下潤西微電子（重慶）有限公司，富芯半導體，士蘭微（旗下士蘭集科）等。

56、大基金二期投資的第一家集成電路設備零部件公司為萬業企業旗下浙江鐠芯，投資的第一家光掩模公司為廣州新銳光掩?？萍加邢薰?，投資的第一家光刻膠材料公司是南大光電，投資的第一家電子特氣公司為中船（邯鄲）派瑞特種氣體股份有限公司（派瑞特氣），投資的第一家 MES 軟件商為上揚軟件（上海）有限公司。在裝備及零部件、材料及軟件領域，大基金二期還投資了 EDA 軟件初創公司上海合見工業軟件集團有限公司、電子化學品公司興發集團旗下興福電子、封裝載板公司深南電路等。此外，在芯片設計領域，大基金二期還投資了紫光展銳、慧智微、思特威等公司；在設備領域，大基金二期投資了至純科技（旗下至微半導體），繼續扶持了北方華創、

57、中微公司、長川科技等公司，并參與了格科微、翱捷科技等公司的 IPO 戰略配售。63%20%10%7%IC制造IC設計封裝測試設備材料75%10%3%10%2%IC制造IC設計封裝測試設備材料應用 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 13 表 6：大基金二期投資公司（部分）公司公司 類別類別 細分品類細分品類 目前狀態目前狀態 投資比例投資比例 投資額投資額 長江存儲二期 晶圓制造 存儲 未上市 30%590 億元 中芯國際 晶圓制造 代工 上市公司 1.61%中芯南方

58、晶圓制造 代工 上市公司相關 23.08%中芯京城 晶圓制造 代工 上市公司相關 24.49%中芯深圳 晶圓制造 代工 上市公司相關 22%中芯東方 晶圓制造 代工 上市公司相關 16.76%睿力集成 晶圓制造 存儲 上市公司相關 9.8%潤西微 晶圓制造 功率 上市公司相關 33%士蘭集科 晶圓制造 功率 上市公司相關 14.66%富芯半導體 晶圓制造 模擬 31.75%上揚軟件 晶圓制造 MES 14.56%格科微 設計 CIS 上市公司 0.28%82 億元 紫光展銳 設計 AP 3.74%智芯微 設計 MCU 7.19%燦勤科技 設計 濾波器 上市公司 1.59%東芯股份 設計 存儲器

59、 上市公司 0.75%翱捷科技 設計 基帶 上市公司 0.29%艾派克 設計 打印機芯片 上市公司相關 7.89%思特威 設計 CIS 科創板注冊生效 7.22%慧智微 設計 RF 射頻 上市輔導 7.55%東科半導體 設計 功率半導體 上市輔導 4.33%合見工業 設計 EDA 13.95%華天科技 封裝 封測 上市公司 3.21%20.8 億元 沛頓存儲 封裝 存儲 上市公司相關 31.05%北方華創 設備 PVD、熱處理設備等 上市公司 0.94%85 億元 中微公司 設備 刻蝕 上市公司 3.97%長川智能 設備 測試 上市公司相關 33.33%至微半導體 設備 濕法清洗 上市公司相關

60、 3.42%鐠芯電子 零部件 流量控制 上市公司相關 17.28%深南電路 材料 封裝載板 上市公司 0.54%滬硅產業 材料 硅片 上市公司 2.65%南大材料 材料 光刻膠 上市公司相關 18.33%興福電子 材料 電子化學品 上市公司相關 9.62%中船派瑞 材料 電子特氣 上市輔導 1.41%新銳光掩模 材料 光掩模 21.28%資料來源：芯思想研究院，中信證券研究部 注：數據截止至 2022 年 4 月 4、其他配套政策：、其他配套政策：重點地區出臺相關政策重點地區出臺相關政策，針對各環節出臺激勵措施，針對各環節出臺激勵措施 半導體產業重點地區亦紛紛出臺相關半導體產業重點地區亦紛紛出

61、臺相關補貼補貼政策、成立地方專項基金，推進政策、成立地方專項基金，推進各地區各地區集成集成電路產業發展。電路產業發展。2022 年以來，為了扶持當地集成電路產業，各地方紛紛出臺相關文件，對本地區半導體產業（包括設計、制造、設備、零部件、材料等環節）提供政策、資金補助、土地優惠、項目獎勵和人才激勵等支持條件，強化在地化半導體產業集群的競爭力。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 14 北京市：針對設計企業開展批量驗證流片及關鍵技術研發進行獎勵；針對集成電路企業購買符合條件的

62、 EDA 設計工具軟件進行獎勵；針對相關公司進行資金支持；針對人才提供落戶服務、住房服務、子女入學、醫療服務等方面保障。上海市：給予集成電路設計、設備、材料和 EDA 研發團隊獎勵。廣州市：加強組織領導，統籌安排集成電路行業的落地并解決問題；加大財稅支持力度，財政專項資金向集成電路產業傾斜，積極落實國家高新技術企業所得稅優惠政策；加強人才培育引進，引進一批國內外半導體與集成電路領域人才。深圳市：對半導體與集成電路重大項目投資獎勵；裝備、大力培育引進半導體與集成電路設備、材料企業，開展核心設備及零部件、關鍵材料的研發及產業化；鼓勵企業間驗證服務，提供首臺套裝備、首批次新材料提供驗證服務。遼寧?。?/p>

63、鼓勵重點企業以商招商，積極引進省外具有獨立法人資格的集成電路裝備整機及關鍵零部件配套企業；對首次銷售自主研制的集成電路裝備整機或核心零部件產品進行獎勵；支持企業投資項目建設給予補助；支持企業研發投入，給予企業研發補助。表 7：近期地方重點集成電路產業政策（部分）地區地區 時間時間 政策政策 內容內容 北京市 2023 年2 月 順義區進一步促進第三代等先進半導體產業發展的若干措施 1、支持研發創新及成果轉化方面：、支持研發創新及成果轉化方面：對設計企業開展批量驗證流片及關鍵技術研發給予最高 2000萬元的支持，對于科技成果轉化給予最高 200 萬元的支持。2、支持重大成果和創新資源落地方面、支

64、持重大成果和創新資源落地方面：對于新拿地及租賃樓宇項目分別給予最高 3000 萬元及1000 萬元的支持。3、支持企業做大做強方面、支持企業做大做強方面：支持高端產業應用，給予最高 1000 萬元的資金支持。企業上市給予最高 1200 萬元的資金支持。4、支持創新生態打造方面、支持創新生態打造方面：支持產業協同創新平臺建設，給予最高 2000 萬元的資金支持。支持建設產業孵化體系，給予最高 100 萬元的資金支持。提供落戶服務、住房服務、子女入學、醫療服務等方面保障。北京市 2023 年2 月 2023 年北京市高精尖產業發展資金實施指南（第一批）1、集成電路設計產品首輪流片獎勵、集成電路設計

65、產品首輪流片獎勵。支持集成電路設計企業開展多項目晶圓（MPW）或工程產品首輪流片（全掩膜），對符合條件的企業按照流片費用一定比例予以獎勵，單個企業獎勵金額最高不超過 3000 萬元。2、集成電路企業、集成電路企業 EDA 采購獎勵采購獎勵。支持高精尖中關村創新企業開展研發的集成電路企業購買符合條件的 EDA 設計工具軟件（含軟件升級費用），按照實際發生的采購費用一定比例給予獎勵，單個企業獎勵金額最高不超過 500 萬元。上海市 2022 年11 月 上海市集成電路和軟件企業核心團隊專項獎勵辦法 1、對于年度主營業務收入首次突破 200 億元、100 億元、50 億元、10 億元的集成電路設計企

66、集成電路設計企業業，分別給予核心團隊累計獎勵不超過 3000 萬元、2000 萬元、1000 萬元、500 萬元；2、對于年度主營業務收入首次突破 30 億元、20 億元、10 億元、5 億元的集成電路裝備企業集成電路裝備企業，分別給予核心團隊累計獎勵不超過 3000 萬元、2000 萬元、1000 萬元、500 萬元；3、對于年度主營業務收入首次突破 30 億元、20 億元、10 億元、5 億元的集成電路材料企業集成電路材料企業，分別給予核心團隊累計獎勵不超過 3000 萬元、2000 萬元、1000 萬元、500 萬元；4、對于年度主營業務收入首次突破 15 億元、10 億元、5 億元、2

67、.5 億元的集成電路電子設計自集成電路電子設計自動化（動化（EDA）工具開發企業）工具開發企業,分別給予核心團隊累計獎勵不超過 3000 萬元、2000 萬元、1000 萬元、500 萬元。遼寧省 2022 年3 月 遼寧省培育壯大集成電路裝備產業集群若干措施 1、鼓勵重點企業以商招商。、鼓勵重點企業以商招商。鼓勵企業圍繞產業鏈、供應鏈需求，引進省外具有獨立法人資格的集成電路裝備整機及關鍵零部件配套企業（項目）入駐遼寧省集成電路裝備及零部件產業園，對投資額 5000 萬元（含）以上的企業（項目），按照實際投資的 5%，給予招商企業最高 1000 萬元獎勵。2、支持企業新產品銷售。、支持企業新產

68、品銷售。對集成電路裝備整機和關鍵零部件制造企業首次銷售自主研制的集成電路裝備整機或核心零部件產品，按照單臺（套）或單批次合同額的 30%給予獎勵。同一企業年度獎勵額度最高 3000 萬元，每型產品只獎勵一次。3、支持企業投資項目建設。、支持企業投資項目建設。對投資新建（不含土地）、在建、增資擴產（含技術改造）的集成電路裝備整機和關鍵零部件項目，按實際投入總額的 30%給予補助，同一項目補助資金最高 1 億元。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 15 地區地區 時間時間

69、政策政策 內容內容 4、支持企業研發投入。、支持企業研發投入。對上一年度營業收入在 5 億（含）元以下、研發投入比例不低于 10%，營業收入在 5 億元（不含）至 10 億元（含）之間、研發投入不低于 7%，營業收入在 10 億元（不含）以上、研發投入不低于 5%的集成電路裝備整機企業和關鍵零部件制造企業，給予實際研發投入的 30%、最高 1000 萬元的研發補助。廣州市 2022 年3 月 廣州市半導體與集成電路產業發 展 行 動 計 劃（2022-2024年）1、加強組織領導。、加強組織領導。以“鏈長制”為抓手，加強產業動態和技術趨勢跟蹤研究，統籌推進半導體與集成電路產業發展中重大政策、重

70、大工程、重點項目、重要資源和重點工作的配置和落實，及時協調解決發展中的重大問題。2、加大財稅支持力度。、加大財稅支持力度。加大市財政專項資金向集成電路產業傾斜力度，支持骨干企業和初創企業發展。對獲得國家科技重大專項、重點研發計劃等國家專項資金支持的項目，按規定落實地方配套資金。貫徹執行國家關于集成電路企業所得稅政策、集成電路重大技術裝備和產品關鍵零部件及原材料進口免稅政策，以及有關科技重大專項所需國內不能生產的關鍵設備、零部件和原材料進口免稅政策。積極落實國家高新技術企業所得稅優惠政策。3、加強人才培育引進。、加強人才培育引進。深入實施“廣聚英才計劃”，積極引進一批國內外半導體與集成電路領域的

71、創新創業人才、高端研發人才、海歸高端人才、工程技術人才及團隊，落實國家、省有關個稅優惠政策，在創新創業、入戶、人才綠卡、住房、醫療、子女教育、個稅補貼等方面按政策規定落實相關待遇。深圳市 2023 年2 月 關于促進半導體與集成電路產業發展的若干措施（征求意見稿）1、重大項目投資獎勵。、重大項目投資獎勵。對專家評審確定的半導體與集成電路重點項目，按照固定資產投資金額（不含地價）的 10%給予補助，每個項目最高不超過 2000 萬元。2、裝備、材料項目支持。、裝備、材料項目支持。大力培育引進半導體與集成電路設備、材料企業，開展核心設備及零部件、關鍵材料的研發及產業化。對于首臺套關鍵設備及零部件、

72、材料進入重點集成電路制造企業供應鏈，獲得市獎勵的，按照市資助金額的 20%給予配套支持，最高不超過 600 萬元。3、鼓勵企業間驗證服務。、鼓勵企業間驗證服務。鼓勵集成電路制造企業為市、區設備、材料企業提供首臺套裝備、首批次新材料提供驗證服務。對于所驗證裝備、材料列入國家工信部、廣東省、深圳市相關推廣目錄的，按照驗證裝備或材料價格 20%，分別給予提供驗證方最高不超過 100 萬元（裝備類）、50萬元（材料類）補助。資料來源：各地方政府公告，中信證券研究部 綜合來看，這些年從國家到地方先后出臺多項更有針對性、更有力度的扶持政策，推綜合來看，這些年從國家到地方先后出臺多項更有針對性、更有力度的扶

73、持政策，推進半導體產業的發展。進半導體產業的發展。從宏觀層面上來看，在各級政府統一規劃和部署下，扶持政策聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術、集成電路關鍵材料、集成電路設計工具、先進存儲、先進計算、先進制造、高端封裝測試、關鍵裝備材料、新一代半導體技術等關鍵“卡脖子”領域，推動半導體產業高質量發展，全面提升產業鏈核心環節、加速突破基礎支撐環節、聚力增強產業發展動能、構建高質量人才保障體系等內容，以實現提高全要素生產率，提升產業鏈供應鏈韌性和安全水平。從微觀層面上來看，扶持政策深入財稅、融資、平臺、對外開放、進出口政策、產業園區建設、產業鏈孵化器等諸多細化抓手，對同等條件下優先使用國產半導體設備

74、的廠商給予補助和支持，推進高質量企業培育，按照孵化培育、成長扶持、推動壯大不同階段，給予差別化、全生命周期政策支持。這些宏觀和微觀上的政策為半導體產業的高質量發展提供了可實際操作的行動指南。產業現狀產業現狀：中低端中低端環節環節實現國產替代，部分實現國產替代，部分高端高端核心核心環節仍環節仍待突破待突破 受益于國家在受益于國家在財稅優惠、財稅優惠、重大重大專項、專項、融資支持及其他配套政策，半導體產業國產化進融資支持及其他配套政策，半導體產業國產化進程加速推進程加速推進。在國內全方位、多角度的產業支持下，國內半導體國產化水平不斷提升，特別是 2018 年以來美國縮緊對華半導體產業制裁，國產替代

75、持續加速。在制造端和設備端，近 5 年來 IC 設計、晶圓制造、封裝測試、設備材料等各環節中均有部分細分賽道的國產化率實現快速提升，自主化產業鏈初具雛形。但也需要注意到，在關鍵芯片及設備領域，產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 16 如芯片端的 CPU、GPU、DRAM、NAND Flash，設備端的光刻機、涂膠顯影設備等國產化率仍處于較低水平，有待在新一輪的政策支持下，國產公司實現相關產業突破。國內先進制程半導體領域在設計、設備、材料、晶圓制造和封測等環節國產化率均有

76、國內先進制程半導體領域在設計、設備、材料、晶圓制造和封測等環節國產化率均有較大提升空間。較大提升空間。高端環節國產替代是重點任務。高端環節國產替代是重點任務。1）設計：多而不強，高端數字芯片待突破。）設計：多而不強，高端數字芯片待突破。根據中國半導體行業協會集成電路設計分會年會數據，2021 年（截至 12 月 1 日）我國擁有 2810 家芯片設計企業，較 2020 年末增加了 592 家，同比+26.7%，較 2017 年末的 1380 家實現翻倍以上增長；2021 年我國集成電路設計銷售額約 4326.9 億元，同比+17%，從地域分布上看，我國集成電路設計公司產值規模主要集中在上海、北

77、京、深圳三座城市，分別為 1200/839/697 億元，對應占比 28%/19%/16%，其余廣泛分布于杭州、無錫、南京、西安、成都、武漢、珠海等城市；從產品分布上看，2021 年通信/智能卡/計算機/多媒體/導航/模擬/功率/消費類分別占比21%/4%/14%/3%/3%/15%/9%/32%，整體集中在中低端領域，如傳統消費電子、普通工控安防、智能設備周邊芯片等，但在先進 CPU、GPU、FPGA 及對應的高端服務器、計算機、算力設備等應用仍較為薄弱。表 8：集成電路產業國產化率情況 產業環節產業環節 設備設備 核心集成電路核心集成電路 2019 年年 2020 年年 2021 年年 計

78、算機系統 個人電腦 CPU/GPU 1.5%4.1%5.4%服務器 CPU 1.7%2.4%7.9%工業應用 CPU/MCU 5.0%10.0%11.4%通用電子系統 可編程邏輯設備 FPGA/EPLD 3.5%6.5%11.9%數字信號處理設備 DSP/Embedded CPU 13.0%20.0%20.0%通信裝備 移動通信終端 Application Processor(AP)25.0%25.0%11.9%Communication Processor(CP)25.0%25.0%70.0%核心網絡設備 NPU 15.0%15.0%15.0%存儲設備 半導體存儲器 DRAM 0.5%2.6

79、%4.4%NAND Flash 0.2%2.2%6.7%NOR Flash 35.0%40.0%36.0%顯示及視頻系統 高清電視/智能電視 圖像處理器 40.0%40.0%40.0%顯示驅動 4.0%8.0%15.4%半導體制造生產 半導體制造 晶圓代工 7.5%7.8%7.6%資料來源：魏少軍2022 年中國 IC 領袖峰會，中信證券研究部 2）設備：國產化加速，但高端仍任重道遠。）設備：國產化加速，但高端仍任重道遠。根據國內部分晶圓廠設備招標采購數據測算，部分推進國產化較快的典型晶圓廠（以長江存儲、華虹集團為例）的設備國產化率（設備數量口徑）已經能夠從 2018 年的 10.34%提升到

80、 2022 年上半年的 24.38%，其中化學機械拋光、清洗、氧化擴散/熱處理、測試、刻蝕、薄膜沉積設備 2022H1 國產化率分別為 50.0%/48.0%/35.3%/33.3%/31.8%/23.8%。根據我們測算，2022 年中國大陸半導體設備產值有望達到超過 200 億元，而中國大陸的內資晶圓廠（去除外商投資廠房）半導體設備需求在 1500 億元左右，對應國產化率（金額口徑）在 13%左右，尚有較大提升空間。然而，半導體設備市場全球前 15 名均為美日歐廠商，中國大陸廠商在全球市場占比僅約2%。國產替代能力從高到低大致排序：化學機械拋光、爐管、清洗、離子注入、薄膜 產業鏈安全再平衡系

81、列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 17(PVD/CVD)、刻蝕、量測、光刻，其中量測和光刻環節國產化替代最為迫切。其中核心設備其中核心設備光刻機國產化率光刻機國產化率僅僅為為 1.1%，國產廠商，國產廠商快速追趕，快速追趕，28nm ArFi 光刻機光刻機正正在研發在研發。根據中國國際招標采購網站展示的 2015-2022 年長江存儲、華力集成、華虹無錫等晶圓廠的公開招標數據，共招標光刻機 93 臺，國產廠商中上海微電子僅于 2021 年初于長江存儲中標 1 臺，國產化率約為 1.1%

82、，尚處于較低水平。從技術實力上看，國產光刻機尚與國際先進水平存在較大差距，主要體現在制程覆蓋上，但處于快速追趕階段。目前國內僅有上海微電子可以量產光刻機，其最先進的產品為 ArF Dry 光刻機，型號為SSA600/20，采用 1:4 鏡頭倍率，采用自適應調焦調平技術，可支持 90nm 制程；同時其正在研究 28nm ArFi 光刻機。第五代 EUV 光刻機方面，國內長春光機所有布局相關研發，從上世紀 90 年代開始，長春光機所先后主導和參與了多項 EUV 相關科研項目，積累了大量相關經驗和優秀人才。表 9：上海微電子 IC 前道光刻機主要技術參數 型號型號 工藝工藝 曝光光源曝光光源 鏡頭倍

83、率鏡頭倍率 硅片尺寸硅片尺寸 SSA600/20 90nm ArF excimer laser 1:04 200nm/300nm SSC600/10 110nm KrF excimer laser 1:04 200nm/300nm SSB600/10 280nm i-line mercury lamp 1:04 200nm/300nm 資料來源：上海微電子公司官網，中信證券研究部 3）材料：細分眾多，大硅片等積極推進。）材料：細分眾多，大硅片等積極推進。集成電路制造材料包括硅晶圓、掩模、電子氣體、工藝化學品、光刻膠、拋光材料、靶材、封裝材料等。高端材料方面我國綜合實力不足。我們匯總了國內主要晶

84、圓廠的半導體材料供應商，其中日本廠商約占 30%，美國廠商約占 20%，國產化率在 20%30%。部分核心材料如光刻膠，國內產業仍有較大差距。4）制造：國內代差逐步縮小，晶圓代工廠建設蓬勃發展。）制造：國內代差逐步縮小，晶圓代工廠建設蓬勃發展。目前全球領先的芯片制造廠商臺積電已具備 3nm 芯片量產能力，并逐步向 2nm/1.4nm 先進制程研發突破，我國大陸廠商近年來取得高速發展，和國際先進水平的代差逐步縮短。根據公司公告，中芯國際已具備 14nm FinFET 量產能力，并持續推進研發。除中芯國際、華虹半導體、長江存儲等第一梯隊廠商外，還有一批地方政府推進項目，如合肥晶合、廣東粵芯和中芯紹

85、興等。5）封測：差距縮小，）封測：差距縮小，中國中國大陸進入第一梯隊，高端待加強。大陸進入第一梯隊，高端待加強。目前 5G、物聯網、高性能運算等先進芯片依賴于先進封裝，國內封測廠商受益先進封裝需求快速增加，有望實現快速增長。國內四大封測廠目前的先進技術涵蓋 FC、SiP、晶圓級封裝、2.5D/3D，其中晶圓級封裝、2.5D/3D 的技術與國際一線廠商相比仍然不足，長電科技為國內先進技術涵蓋范圍最廣的廠商，同時也具有國內領先實力；通富微電主打 CPU/GPU 的先進封裝；華天科技晶圓級產品以晶圓級 CIS 為主并涵括射頻 SiP；晶方科技以晶圓級 2.5D/3D 傳感器為發展主軸。整體而言，中國

86、的先進封裝仍在快速發展期，長電科技領先，通富微電、華天科技及晶方科技次之。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 18 經驗參考經驗參考：全球多地區半導體全球多地區半導體產業產業及國內新能源汽車及國內新能源汽車產業產業，政策，政策加速加速產業發展產業發展 為了進一步對國內半導體的政策進行分析，我們復盤美日韓、中國臺灣省等對當地半導體產業的扶持政策及國內新能源汽車行業的政策，從過往經驗中學習?？梢钥偨Y出，政可以總結出，政府政策引導、優秀人才培養、下游產業集群、持續資金投入是不

87、可或缺的要素。府政策引導、優秀人才培養、下游產業集群、持續資金投入是不可或缺的要素。從海外經驗觀察，中國大陸半導體處在奮起追趕的發展黃金窗口期，產業發展任重道遠。圖 3：美日韓及中國臺灣省的半導體產業發展啟示 資料來源：中信證券研究部整理 美國：試圖通過補貼政策美國：試圖通過補貼政策及打擊挑戰者及打擊挑戰者保持半導體產業的長期領先地位保持半導體產業的長期領先地位 從歷史發展來看，美國政府采取了較大力度的補貼措施，長期支持半導體產業發展。美國半導體補貼政策可從全球半導體產業發展變化趨勢的角度，區分為支持技術起步和商業化、進行貿易競爭、強化生態建設、保護供應鏈安全四個歷史階段。美國試圖通過半導體補

88、貼政策長期保持全球發達半導體產業集聚區地位，并力圖在當前各個環節占據半導體市場領導地位。第一階段（第一階段（19501970 年）：美國通過國防研發支持和政府采購支持半導體技術起步年）：美國通過國防研發支持和政府采購支持半導體技術起步并實現領先。并實現領先。20 世紀 4050 年代，晶體管和集成電路在美國誕生并在軍事領域應用，美國國防和航空航天的政府研發投入和采購早期占據約一半的市場份額。20 世紀 6080 年代，美國實施半導體稅收補貼政策促進半導體產業商業化。在此階段，美國政府實施了以稅收優惠為主的政策，并進一步出臺相關措施完善產業發展環境，包括推動政府采購多元美國美國（2）游戲規則、框

89、架、標準的制定者，主導行業發展方向；（1）長久的技術積累和持續的技術研發樹立壁壘；日本日本（2）低價質優的市場競爭策略。（1）產官學結合的集中式技術研發；韓國韓國（2）資本雄厚的財閥進行持續的逆周期投入。（1）政府制定詳盡的發展綱領并以資金支持；中國臺灣中國臺灣（2）海外人才回歸帶來技術能力突破。（1）抓住全球化浪潮開辟全新代工商業模式，積極參與全球分工；日美貿易戰下政府妥協簽訂的相關半導體協定帶來惡劣發展環境，政府后期降低產業支持。（3）持續產業并購，鞏固領先地位。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請

90、務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 19 化，減少市場門檻，支持中小企業發展等。第二階段（第二階段（19801999 年）：美國與競爭對手簽訂貿易協議遏制半導體產業轉移并促年）：美國與競爭對手簽訂貿易協議遏制半導體產業轉移并促進本土產業發展。進本土產業發展。20 世紀 80 年代，日本半導體產業迅速發展并超越美國。為扭轉競爭力下降趨勢，美國成立美國半導體行業協會（SIA），協調制定半導體貿易管制政策的半導體研究聯盟（SRC）組織半導體商業化研發。同時，美國打擊日本半導體產業，美國政府于1985 年對日本進行 301 調查，指控日本公司傾銷 DRAM 等產品。經談判，日本在 1986年同美國簽署第

91、一次半導體協議，規定日本停止在美國市場的傾銷，且要求日本企業購買美國產品，美國企業在日本的市場份額達到 20%。1991 年，美國以美國企業在日本的市場份額不足 20%為由與日本簽訂了第二次半導體協議。1996 年，美國在日本市場份額超過 30%，在全球市場份額也達到 30%，超越日本重新成為世界半導體第一大國。第三階段（第三階段（20002018 年）：美國采取“軟硬結合”政策，強化半導體生態建設保持年）：美國采取“軟硬結合”政策，強化半導體生態建設保持半導體產業全球領先地位。半導體產業全球領先地位。美國半導體產業在 20 世紀 90 年代再次取得全球領先后，積極借助個人電腦、互聯網等發展時

92、機，因勢利導，充分發揮美國在軟件、互聯網等領域優勢，通過產業生態建設推動美國半導體產業發展。一方面，充分發揮市場競爭機制，降低市場障礙，鼓勵企業通過市場競爭提升競爭力；另一方面，把握移動互聯網、云計算等發展機遇，并進一步鞏固其在計算、通信等領域的領先優勢?？傮w上，在這個階段，美國更多地通過市場機制推動半導體產業發展。第四階段（第四階段（2018 年至今）：美國通過擴大財政資助，吸引制造業回流保護半導體供應年至今）：美國通過擴大財政資助，吸引制造業回流保護半導體供應鏈安全。鏈安全。2018 年以來，亞洲半導體制造和封測產業崛起。美國政府為應對半導體產業“空心化”，在持續通過提供研發資金支持外，陸

93、續出臺相關法令激勵制造業回流和遏制海外競爭對手。在研發支持方面，美國國防部、能源部等多部門將半導體視為優先發展領域；在立法方面，2015 年，奧巴馬政府將“企業研發稅收抵免”由周期性變為永久性以鼓勵半導體企業加大對長期研發的投入。特朗普政府通過加大出口管制和提出制造業法案來鞏固美國半導體的領先優勢。2019 年以來，美國通過將華為列入實體管制清單、修改外國直接產品規則限制華為供貨、加大半導體設備和高端芯片的出口管制等一系列措施對全球供應鏈造成沖擊。2022 年 8 月 9 日，美國總統拜登簽署2022 年最高法院安全資金法案（又稱 2022 年芯片和科學法案）使之正式生效，該項立法向美國半導體

94、產業提供約 527億美元巨額補貼，鼓勵半導體企業在美國建廠。圖 4：美國半導體產業發展歷史概況 資料來源：解析美國的半導體產業霸權：產業權力的政治經濟學分析外交評論2022 年第 1 期（李巍，李玙譯），半導體簡史：美國削減成本，逐漸失去領先優勢半導體產業縱橫微信公眾號，中信證券研究部 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 20 美國的半導體產業補貼具有以下幾個特點美國的半導體產業補貼具有以下幾個特點:一是美國聯邦政府以研發補貼為主，側重于基礎性研究和部分應用研究，開發及

95、生產一是美國聯邦政府以研發補貼為主，側重于基礎性研究和部分應用研究，開發及生產性流程研發投入有限。性流程研發投入有限。從補貼形式看，美國聯邦政府對半導體產業的研發支持多數集中在研發環節，側重于對基礎科學研究、基礎技術和部分應用研究的政策支持。美國能源部、國防部、國家科學基金等通過與企業合作設立研發項目，分攤研發成本，加大助力先進技術的突破。二是有效利用國防、政府采購服務等世界貿易組織規則例外空間的措施支持本二是有效利用國防、政府采購服務等世界貿易組織規則例外空間的措施支持本國產業國產業發展。發展。早期的美國國防部系列采購安排為美國半導體產業降低產品進入市場的風險、擴大市場需求、促進產業迭代升級

96、發揮了重要作用，相關采購行為由于可以援引國家安全例外，能夠豁免于世界貿易組織規則。三是美國州政府補貼形式豐富，側重于生產和制造環節。三是美國州政府補貼形式豐富，側重于生產和制造環節。美國政府對企業的補貼方式多數以稅收優惠為主，主要集中在研究和制造環節。2022 年 5 月，美國政府通過法案，將為美國本土的半導體制造項目提供約 520 億美元的財政援助，同時積極推進為集成電路制造項目提供最高 25%的減稅政策，鼓勵英特爾、三星等企業建廠。四是美國采取貿易投資限制等變相支持措施，單邊主義和保護主義色彩較重。四是美國采取貿易投資限制等變相支持措施，單邊主義和保護主義色彩較重。例如，美國對日本、中國等

97、發起 301 調查，通過關稅和貿易政策阻礙公平貿易；限制產品出口或對相關企業實施懲罰，擴大實體清單企業數量，包括限制服務器用的微處理器出口，對中興通訊、晉華進行禁運，把華為及其 70 個附屬公司以及中科曙光等中國企業列入出口管制實體清單。表 10：美國國防部半導體相關補貼 年度年度 名稱名稱 類型類型 對象對象/金額金額 19801986 超高速集成電路計劃(Very High Speed Integrated Circuits,VHSIC)研發補貼 美國陸軍、海軍、空軍三方承擔的項目，主要目的是推動集成電路材料、印刷、封裝、測試、軟件算法的發展，許多計算機輔助設計工具在這一時期被開發出來。政

98、府投入超過 10 億美元 1987 1997 美國半導體制造技術戰略聯盟 研發補貼 1987 年，14 家在美國半導體制造業中居領先地位的企業組成美國半導體制造技術戰略聯盟。19881989 財年國防授權法案授權國防部通過美國國防部高級研究計劃局向美國半導體制造技術戰略聯盟提供高達 1 億美元的配套資金。起初承諾投資 5 年，后延續至 1997 年 1978 超 大 規 模 集 成 計 劃（VLSI Project)研發補貼 超大規模集成計劃即羅伯特 卡恩于 1978 年發起的美國國防部高級研究計劃局計劃，為眾多基于大學的團隊提供了研究經費，以期改善微處理器設計的先進水平，當時這種技術被稱為超

99、大型大規模集成電路（簡稱 VLSI)2004 可 信 任 代 工 計 劃（Trusted Foundry Program)制造補貼、政府采購 國防部與制造廠商簽訂合同，為國防部提供先進代工服務。2007 年該項目范圍擴大到包括設計、組裝、封測公司 1997 焦 點 中 心 研 究 計 劃（Focus Center Research Program，FCRP)研發補貼 由美國國防部高級研究計劃局和半導體研究聯盟管理，美國國防部和工業界共同投入 4000 萬美元。2013 半 導 體 先 進 技 術 研 發 網 絡(STARnet)研發補貼 作為焦點中心研究計劃的延續，該計劃旨在促進半導體技術，以

100、支持美國半導體行業的持續增長和領導地位。美國國防部高級研究計劃局通過該計劃投入總計 1.94 億美元創建 6 個跨校研究中心。該項目每年將獲得 4000萬美元的專用資助，每個研究中心獲得約 600 萬美元 2017 電 子 復 興 計 劃（Electronics Resurgence Initiative,ERI)研發補貼 電子復興計劃由美國國防部高級研究計劃局于 2017 年啟動，是一項為期 5年、耗資 15 億美元的美國國防部高級研究計劃局計劃，旨在解決摩爾定律的長期可預見障礙以及阻礙電子發展 50 年快速進步的挑戰 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系

101、列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 21 年度年度 名稱名稱 類型類型 對象對象/金額金額 2018 聯合大學微電子計劃 研發補貼 半導體先進技術研發網絡計劃的接續，資金投入(5 年計劃)預計將超過 1.5億美元。其中，美國國防部高級研究計劃局提供約 40%，6 所大學的財團合作伙伴提供約 60%，該計劃為研究中心的協作網絡提供支持 資料來源：美國高技術產業補貼政策體系探析美國研究2022 年第 5 期（徐豐，葉雪琰，王若達，中國電子信息產業發展研究院集成電路研究所），中信證券研究部 企業企業獲益獲益：英特爾：英特爾是全球半導體行業的龍頭企

102、業，也是美國政府補貼以及州和地方政是全球半導體行業的龍頭企業，也是美國政府補貼以及州和地方政府補貼的最大受益者之一府補貼的最大受益者之一，19892020年年共獲得補貼共獲得補貼 235億美元。億美元。據美國“goodjobsfirst”網站統計，19892020 年英特爾獲得的 64 億美元補貼中，63 億美元來自各州政府，包括俄勒岡州的 26.7 億美元、新墨西哥州的 26.6 億美元、亞利桑那州的 1 億美元。英特爾接受的政府補貼總體上以稅收優惠為主，具體形式包括“戰略投資計劃”、“工業稅收債券”、“對外貿易區”等，部分措施較有代表性，通過隱蔽的政策設計，為英特爾的生產銷售、參與國際競爭

103、提供了重要支持。例如，英特爾廠區所在的俄勒岡州華盛頓郡希爾斯伯勒（Hillsboro），提供英特爾房屋和地價稅優惠減免，替英特爾節省逾 11 億美元。表 11：19892020 年英特爾獲得政府補貼情況 來源來源 補貼機構補貼機構 項目名稱項目名稱 補貼金額（百萬美元）補貼金額（百萬美元）時間（年）時間（年）加利福尼亞州 就業培訓小組 就業培訓小組 2.70 20052010 科羅拉多州 經濟發展委員會 經濟發展委員會獎勵 0.25 2005 俄勒岡州 俄勒岡州商業部 戰略投資計劃 665.79 19942012 俄勒岡州 俄勒岡州商業部 戰略投資計劃 20000.00 2014 俄勒岡州 俄

104、勒岡州能源部 商業能源稅收抵免（BETC)0.72 20072009 華盛頓州 稅務部 高科技商業和職業稅收抵免 2.91 20042014 華盛頓州 稅務部 高科技銷售和使用稅延期 3.13 20042010 賓夕法尼亞州 社區與經濟發展部 研發稅收抵免 1.77 20112015 賓夕法尼亞州 稅務部 研發稅收抵免 0.61 20172018 亞利桑那州 商業管理局 亞利桑那州職業培訓計劃 0.27 2002 亞利桑那州 商業管理局 合格設施稅收抵免 17.54 20142019 亞利桑那州 其他 82.00 1994 新墨西哥州 經濟發展部 技術工作稅收抵免 6.60 20112013

105、新墨西哥州 其他 2645.00 19932004 新墨西哥州 投資委員會 制造商投資信貸 7.77 20112013 聯邦政府 國防部 空軍國防研究科學計劃 5.33 20112013 聯邦政府 國防部 基礎科學研究 2.78 2014 聯邦政府 國防部 信息安全資助計劃 6.52 2010 聯邦政府 國防部 數學科學資助計劃 19.15 2014 聯邦政府 國防部 研究和技術發展贈款 26.40 20092011 聯邦政府 能源部 電力輸送和能源可靠性、研究、開發和分析 13.01 20162019 聯邦政府 能源部 科學辦公室財政援助計劃 15.13 20122017 合計合計 2352

106、5.38 資料來源：www.goodjobsfirst.org，美國高技術產業補貼政策體系探析美國研究2022 年第 5 期（徐豐，葉雪琰，王若達，中國電子信息產業發展研究院集成電路研究所），中信證券研究部 其他國家其他國家/地區地區：政府引導政府引導+技術研發技術研發+市場化實現上世紀市場化實現上世紀 80 年代迅速崛起年代迅速崛起 日本：政府引導集中資源重視研發，大規模投資生產參與全球競爭。日本：政府引導集中資源重視研發，大規模投資生產參與全球競爭。（1）集中研發高 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8

107、 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 22 投入，從國外引進技術到產官學自主研發。（2）參與市場化競爭，成本質量優勢取勝。（3）正值大型機時代及家電興起，下游需求潮流帶動產業的發展。日制 DRAM 在質量、價格和交貨時間方面均獲得很高評價，使得 80 年代日制 DRAM 在全球市場中所占份額不斷上升，1982 年超過美國，1987 年達到頂峰 80%。1985 年美國針對日本半導體產業發起 301 調查，于 1986 年達成第一次半導體協議，1987 年美國再次指責日本向第三國傾銷，于 1991達成簽訂第二次半導體協議。兩次協議簽訂使得日本半導體廠商的價格優勢喪失，份額逐漸受到韓國及中國臺灣省

108、新興廠商的侵蝕。目前目前日本半導體公司在設備、材料領域具有較日本半導體公司在設備、材料領域具有較強優勢。強優勢。目前日本廠商主要針對 NAND Flash、CIS（CMOS 圖像傳感器）、汽車電子、功率分立器件等細分品類，在高端數字電路方面涉足不多。而半導體設備材料廠商由于良好的工業基礎和持續的技術積累，至今仍在全球市場占據非常重要的地位。圖 5：日本半導體產業發展歷程概況 資料來源：失去的信心：日本消費電子崩盤啟示錄遠川研究所微信公眾號，中信證券研究部繪制 韓國：半導體產業發展具有明顯的政府和財團主導特點韓國：半導體產業發展具有明顯的政府和財團主導特點，政府扶持企業逆周期擴產實，政府扶持企業

109、逆周期擴產實現趕超現趕超。20 世紀 80 年代，政府強力干預，韓國選擇 DRAM 作為發展重點，半導體產業飛速發展，三星、現代、LG 等財團參與 DRAM 為主的大規模芯片生產。1999 年后三星成為韓國第一大集團，韓國 DRAM 市占率超過日本。其中，20 世紀 80 年代 DRAM 市場景氣不佳，到 1986 年底，三星半導體累計虧損達 3 億美元，盡管美日多家公司縮減產能或退出市場，三星仍依靠政府扶持逆周期投資。2000-2010 年，三星電子從韓國政府獲得稅收減免共約 87 億美元。從三星的經驗來看，集成電路產業需時以十年計，數以每年千億計的高投入。圖 6：韓國政府推動半導體產業發展

110、的計劃與法規 資料來源：探秘韓國半導體產業崛起之路合肥產投產業研究院微信公眾號，韓國半導體產業發展情況分析及相關啟示中國信息安全2022 年第 10 期（磨惟偉，中國信息安全測評中心），中信證券研究部繪制 中國臺灣?。赫吲嘀?，開辟代工模式重塑全球產業鏈。中國臺灣?。赫吲嘀?，開辟代工模式重塑全球產業鏈。20 世紀 70 年代，中國臺灣 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 23 省政府出資派遣研究人員去美國無線電公司學習，全套引進電路設計、光罩制造、晶圓制造、測試技術。

111、1987 年，臺積電成立，開辟純晶圓代工新模式，逐步形成上游 IC 設計，中游代工制造，下游封裝測試的產業格局。臺灣省頭部半導體廠商大多在 20 世紀 80 年代至 90 年代間陸續成立。2010 年后，伴隨著以 iPhone 為首的智能手機崛起，臺積電抓住了蘋果公司等大客戶機遇，并由此成為行業龍頭。制造環節帶動設計、材料等環節成熟，制造環節帶動設計、材料等環節成熟，當前臺灣當前臺灣省省已形成晶圓代工、已形成晶圓代工、IC 設計、封裝測試、材料設備等一系列產業鏈。設計、封裝測試、材料設備等一系列產業鏈。圖 7：中國臺灣省半導體產業發展歷程 資料來源：中國臺灣芯片產業簡史：雖曰天時，亦在人為X

112、科技實驗室微信公眾號，各公司官網，中信證券研究部繪制 當前產業當前產業逆全球逆全球化化趨勢下，多地區頒布政策，保障本土供應安全。趨勢下，多地區頒布政策，保障本土供應安全。如：歐盟委員會于2022 年 2 月 8 日推出歐洲芯片法案，擬動員超過 430 億歐元（約 480 億美元）的公共和私人投資強化歐洲的芯片研究、制造，目標是到 2030 年將歐盟的芯片產能全球占比從目前的 10%提高到 20%。日本于 2022 年 1 月初亦通過一項芯片補貼法案，總計 6000 億日元（約 52 億美元）的預算將用于支持芯片制造商，其中向臺積電提供 4000 億日元（約34.7 億美元）的補貼。2021 年

113、 5 月，韓國發布“K 半導體戰略”，宣布未來十年將攜手三星電子、SK 海力士等 153 家韓國企業，投資 510 萬億韓元（約 4510 億美元），目標是將韓國建設成全球最大的半導體生產基地，引領全球的半導體供應鏈。2021 年 12 月，印度政府批準一項約 100 億美元的激勵計劃，旨在吸引全球芯片及顯示器制造商進入印度。表 12：不同地區半導體激勵政策梳理 地區地區 推出時間推出時間 主要內容主要內容 歐盟 2022 年 2 月 推出歐洲芯片法案，擬動員超過 430 億歐元（約 480 億美元）的公共和私人投資強化歐洲的芯片研究、制造 日本 2022 年 1 月 芯片補貼法案，總計 60

114、00 億日元（約 52 億美元）的預算將用于支持芯片制造商 韓國 2021 年 5 月“K 半導體戰略”，宣布未來十年將攜手三星電子、SK 海力士等 153 家韓國企業，投資 510 萬億韓元（約 4510億美元）印度 2021 年 12 月 政府批準一項約 100 億美元的激勵計劃，旨在吸引全球芯片及顯示器制造商進入印度 資料來源：各國公告，半導體行業觀察微信公眾號，中信證券研究部 國內新能源汽車產業：政策國內新能源汽車產業：政策+補貼補貼+免稅推動高速發展，在全球汽車產業彎免稅推動高速發展，在全球汽車產業彎道超車道超車 近年來，國務院、財政部、工業和信息化部、科技部、發展改革委等多部門都陸

115、續印發了支持、規范新能源汽車行業的發展政策，內容涉及新能源汽車的稅率減免、購車補貼、產業鏈企業扶持等內容，有力推動了國內新能源汽車行業的進步和發展。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 24 表 13：我國部分新能源汽車財政補貼政策梳理 出臺時間出臺時間 政策名稱政策名稱 出臺時間出臺時間 政策名稱政策名稱 2009.3 汽車產業調整和振興規劃 2014.7 國務院辦公廳關于加快新能源汽車推廣應用的指導意見 2009.1 財政部、科技部關于開展節能與新能源汽車示范推廣試點

116、工作的通知 2015.4 財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委 關于2016-2020年新能源汽車推廣應用財政支持政策新能源汽車推廣應用財政支持政策的通知 2010.6 財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于開展私人購買新能源汽車補貼私人購買新能源汽車補貼試點的通知 2016.12 財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于調整新能源汽車推廣應用財政補貼政策整新能源汽車推廣應用財政補貼政策的通知 2012.6 節能與新能源汽車產業發展規劃（2012-2020 年）2016.12“十三五”國家戰略性新興產業發展規劃 2012.9 新能源汽車產業技術創新工程財政獎勵資

117、金管理暫行辦法 2017.9 乘用車企業平均燃料消耗量與新能源汽車積分并行管理辦法 2013.9 財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委關于繼續開展新能源汽車推廣應用工作開展新能源汽車推廣應用工作的通知 2018.2 財政部、科技部、工業和信息化部、國家發展改革委 關于調整完善新能源汽車推廣應用財政補貼政策調整完善新能源汽車推廣應用財政補貼政策的通知 2014.7 國家發展改革委關于電動汽車用電價格政策電動汽車用電價格政策有關問題的通知 2019.3 財政部、工業和信息化部、科技部、發展改革委關于進一步完善新能源汽車推廣應用財政補貼政策新能源汽車推廣應用財政補貼政策的通知 資料來源：新

118、能源汽車財政補貼政策的演變與啟示胡紹雨、梁智宇，中信證券研究部 我們總結新能源汽車行業的歷史政策，對于行業的補貼涉及多個產業鏈環節，舉措包我們總結新能源汽車行業的歷史政策，對于行業的補貼涉及多個產業鏈環節，舉措包括直接補貼及減免購置稅等，使消費者和生產企業直接受益。括直接補貼及減免購置稅等，使消費者和生產企業直接受益。國家自 2001 年以來推行的新能源汽車政策主要包括：1）生產端給予汽車制造企業補貼，2）消費端消費者購車免購置稅、購買汽車給補貼，3）在配套環節方面，充電站執行大工業電價、暫免收取基本電費等多項措施。通過一系列產業扶持與財稅補貼政策，我國新能源汽車產業經歷了從無到通過一系列產業

119、扶持與財稅補貼政策，我國新能源汽車產業經歷了從無到有的飛躍式發展有的飛躍式發展。2013-2019 年產銷量呈整體上升趨勢。2015 年我國超過美國成為全球最大的新能源汽車生產國，2021 年銷量突破 350 萬輛。目前我國的新能源汽車產銷量占據全球產銷量的半壁江山，所生產、銷售的新能源汽車車型有 70%以上都是純電動汽車，其余多為插電混合汽車。圖 8：歷年 EV 乘用車單車補貼下降情況（單位：萬元/輛）圖 9：中國電動車歷年銷量數據及預測 資料來源：財政部，工信部，中信證券研究部繪制 資料來源：中汽協，Marklines，ACEA，EV sales，中信證券研究部預測 國內半導體產業政策展望

120、與分析國內半導體產業政策展望與分析 市場期待的集成電路產業政策后續有望落地，建議關注“兩會”后的政策窗口期。市場期待的集成電路產業政策后續有望落地，建議關注“兩會”后的政策窗口期。據77125 121 137 351 685 900 1140 1560 62%-3%13%157%95%31%27%37%-50%0%50%100%150%200%020040060080010001200140016001800萬輛中國電動車銷量YoY 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明

121、25 新華社報道，2023 年 3 月 2 日，國務院副總理劉鶴在北京調研集成電路企業并主持召開座談會。劉鶴指出“習近平總書記高度重視集成電路產業發展，多次作出重要指示批示”，“政府要制定符合國情和新形勢的集成電路產業政策”。政策要點政策要點包括包括：制定目標、組織：制定目標、組織協調、引導投資、支持人才、攻關機制、國際合作協調、引導投資、支持人才、攻關機制、國際合作等。等。劉鶴指出，政策要“設定務實的發展目標和發展思路，幫助企業協調和解決困難，在市場失靈的領域發揮好組織作用，引導長期投資，對國內人才給予一視同仁的優惠政策，對外籍專家給予真正的國民待遇”，“建立企業為主體的攻關機制”，“特別要

122、善于發現和珍惜領軍人才”，“必須始終堅持國際合作，廣交朋友，擴大開放，堅定維護全球產業鏈供應鏈穩定?！蔽覀冋J為劉鶴副總理的講話可能體現了后續的潛在政策方向。我們在此基礎上理解和分析，認為后續若推出相關半導體政策，可能從以下八個方面深入。1、頂層設計：、頂層設計：統籌規劃，統籌規劃，制定制定統一統一目標目標，組織協調組織協調 強化頂層設計，統一規劃國內技術發展路徑，強化頂層設計，統一規劃國內技術發展路徑，強化部門協調，強化部門協調，強化區域聯動，形成集強化區域聯動，形成集聚效應。聚效應。1）強化頂層設計，可統一規劃技術發展路徑，設定技術目標節點。）強化頂層設計，可統一規劃技術發展路徑，設定技術目

123、標節點。強化攻關決策和統籌協調，制定國家半導體發展戰略。確定產業鏈短板環節，制定技術節點和商業化進度的目標。2）強化強化部門協調、部門協調、區域聯動區域聯動。在關鍵環節和核心技術領域，可推動加強共性技術研發，聯合企業、科研機構攻關協調?？梢钥绮块T協調人、財、物、政策等科技資源?？赏ㄟ^下設辦公室，負責聘用產業界和學術界的科學家擔任項目經理人，遴選關鍵核心技術和領軍人才、攻關計劃監督與落實、攻關目標考核、制定支持政策等事項。3）聚焦大平臺建設，有助于提升產業集聚力和協同創新效率。）聚焦大平臺建設，有助于提升產業集聚力和協同創新效率。如上海、無錫和杭州已建成國家集成電路產業化基地，南京、合肥與蘇州等

124、城市也在優勢區域規劃半導體集聚區，謀劃區域整體發展。發揮長三角的輻射效應：面對美國對我國半導體產業的肆意打壓（華為、中興、中芯國際等企業被美國商務部列入實體清單），而長三角產業鏈上下游企業應積極圍繞關鍵環節與核心技術領域，加強共性技術研發、聯合攻關協調創新，提升產業整體競爭力。2、引導投資引導投資：引導產業基金長期投資，進一步完善半導體企業融資渠道，：引導產業基金長期投資，進一步完善半導體企業融資渠道，優化考核指標優化考核指標 過去過去幾年幾年科創板的設立和國家科創板的設立和國家/地方產業基金對產業發展起到了一定引導作用。未來可地方產業基金對產業發展起到了一定引導作用。未來可在合理有效設定基金

125、考核目標（如長期技術目標可能與投資回報相悖）、貸款信用擔保、在合理有效設定基金考核目標（如長期技術目標可能與投資回報相悖）、貸款信用擔保、完善風險投資體系等方面進一步優化。完善風險投資體系等方面進一步優化。1）合理設定考核指標，有效）合理設定考核指標，有效發揮政府引導基金對行業發展的支持發揮政府引導基金對行業發展的支持作用作用。有序推進市場化政策工具政府產業引導基金在半導體產業的投入，建立與真正有潛力企業的長效對接機制，主要體現在政府需繼續發揮帶頭作用，定期鼓勵民資、外資攜手加大對企業的長期資本投入力度，結合投后管理讓潛力企業形成更為高效的長期成長機制。政府產業引導基金一定要帶來“有效”的投資

126、，即區分不同類型細分行業和項目的投資目的，且對于 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 26 不同環節不同重要性的項目考核要盡量靈活。例如對于“卡脖子”環節相關項目的投資，由于高科技“卡脖子”環節本身發展難度較大的主要原因就是前期投入較大、產出周期長、失敗概率高，在市場機構不愿意主動參與此類項目投資的情況下，需要財政資金積極作為。而當前產業基金（例如“大基金”和各地的集成電路產業基金）的考核中收益是非常重要的內容之一，但針對“卡脖子”重點項目的基金投資考核，不能以收益作為

127、衡量標準，更多靠考核項目的成果轉化、商業落地等情況。因此需要結合投資項目本身的特點，為政府引導基金建立多維度和動態的評價體系，以實現精準施策，并保持一定政策彈性，從而實現對行業發展的有效支持。2）完善半導體產業信用擔保政策。完善半導體產業信用擔保政策。半導體行業屬于資金密集型行業，加之消費者對于產品的性能要求越來越高，相關產品的更新迭代速度非?？?，企業對于資金的需求量很大。當前半導體企業的資金來源渠道主要來自政府補貼與投資，以京東方為例，根據置身事內整理，政府補貼多次幫助京東方及時籌措到了產線建設必需的資金，幫助公司跨過了面板行業的壁壘，助力京東方在多個主流液晶顯示領域出貨量穩居全球第一（根據

128、Omdia 數據）。而半導體的研發屬于風險性較高的項目，因而半導體公司更容易出現壞賬，于銀行貸款角度，信貸的風險偏高，放貸審核相對較為慎重。因此，政府可完善相應的產業信用擔保政策，用財政資金補貼銀行的方式建立半導體公司資金貸款的擔保機制。3）健全完善我國的風險投資機制體系。健全完善我國的風險投資機制體系。從半導體行業發展過程來看，其資金的來源是多元化的，僅是財政與銀行信貸還遠遠不夠，完善我國的風險投資機制體系對于吸引更多的民間資本、國外資本等大有裨益。此外，政府也可以帶頭參與風險投資中，以安徽合肥為例，合肥建投、合肥產投及其旗下的基金，通過設立母子基金等形式，吸引社會資本共同發展，使高新技術產

129、業的融資效應有所增加。3、人才、人才支持支持：培養產業人才，：培養產業人才，給予國內人才稅收優惠，海外人才國民待遇給予國內人才稅收優惠，海外人才國民待遇 黨的二十大報告指出：“教育、科技、人才是全面建設社會主義現代化國家的基礎性、黨的二十大報告指出：“教育、科技、人才是全面建設社會主義現代化國家的基礎性、戰略性支撐?！比瞬攀歉咝录夹g的基石，教育是人才培養的關鍵，更要推動“產、學、研戰略性支撐?！比瞬攀歉咝录夹g的基石，教育是人才培養的關鍵，更要推動“產、學、研、用”全鏈條體系的建立。用”全鏈條體系的建立。1）針對科研體系，加大基礎研究，完善科研、教育體系機制。針對科研體系，加大基礎研究，完善科研

130、、教育體系機制?？梢钥梢砸試野雽w產業發展需求為導向，啟動國家大科學工程研究探索計劃；可以通過設置半導體基礎研究經費（例如以國內半導體產值的 10%為標準匹配），鼓勵各研究型高校成立半導體學院，為半導體基礎研究增設科研基金項目和創新研究群體等人才類項目；此外，可以在全國設立半導體物理基礎科學研究中心，資助半導體創新群體和研究組，以人才團隊效應帶動基礎研究向半導體領域回流。2）吸引吸引全球半導體產業全球半導體產業優秀人才優秀人才，壯大半導體基礎研究隊伍，便利入籍通道，給予壯大半導體基礎研究隊伍，便利入籍通道，給予國民待遇。國民待遇。在集成電路產業的發展進程中，需要高度重視科學家的力量，加快科技

131、人員的培養，鼓勵企業建立科研院所，利用來自世界各地的人才，并吸引更多的優質人才?，F階段，美國政府為了使本國所擁有的專利技術得到更多保護，半導體公司在聘用中國人時已經逐漸放緩了步伐，這也為中國吸納優秀人才回國創造了機會。為此，可以引入對集成電路產業高科技人才專項獎勵計劃，構建出立體化的人才吸引機制。針對性設置相關人才項 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 27 目科技項目，大力實施人才的“引留并舉”，革新人才應用思維，建立健全芯片產業高層次人才引進機制，精準施策，面向高層

132、次人才要力爭做到“一人一策”。3）考慮到半導體行業是高度的人才密集型行業，建議可以考慮實施個人所得稅優惠考慮到半導體行業是高度的人才密集型行業，建議可以考慮實施個人所得稅優惠與企業所得稅優惠相互結合的稅收政策。與企業所得稅優惠相互結合的稅收政策。半導體產業的研發過程本質上是高科技人才參與企業的創新制造，尤其當前國內半導體行業的人才不僅需要國內培養，也需要對外引進優秀人才。因此可以對參與高新技術的研發的科研人員進行一定的個稅減免優惠，有利于國內人才團隊的壯大且激勵個人創造創新。此外，對企業的高管也可以進行一定的稅收優惠，以此作為激勵的一種手段。企業高管在半導體的商品市場化中起到關鍵的領導作用，對

133、其進行一定程度的稅收激勵，有助于管理者更好服務于企業。具體操作來說，一方面通過個人專利申報或重要的管理職能等等外部信息的公開透明評選，篩選國家半導體行業重要人才，通過建立人才庫實現針對高精尖人才的全部個稅減免。另一方面可以鼓勵各城市建立省一級的對應人才庫，對于沒有入選國家高精尖人才庫的重要個人可評選省級人才庫，入庫之后實現個人所得稅中地稅部分的減免，兩者作為補充和結合。同時，也可以進一步細化機制，例如如何建立評選制度，如何進行人才庫的動態更新，以實現對人才的有效激勵。4、攻關機制攻關機制：成立：成立國家國家級科研機構級科研機構，以企業為主體以企業為主體科研攻關科研攻關 采用以企業為主體的攻關機

134、制，完善“揭榜掛帥”等組織模式，可針對薄弱環節統一采用以企業為主體的攻關機制，完善“揭榜掛帥”等組織模式，可針對薄弱環節統一制定攻關計劃，以企業為主體，有針對性支持，推動企業高效地實現技術攻關。制定攻關計劃，以企業為主體，有針對性支持，推動企業高效地實現技術攻關。1）建立關鍵技術項目攻關機制，聯合開展核心技術攻關，拓展系統化應用。建立關鍵技術項目攻關機制，聯合開展核心技術攻關，拓展系統化應用。半導體產業鏈長且廣，上游包括 EDA 軟件/IP 模塊、半導體設備和材料，中游是芯片設計、制造、封裝和測試，下游是各類電子產品，涉及大量材料、設備和配件、軟件和 IP 模塊。王陽元院士指出，半導體產業鏈上

135、游的任何一種材料、一種設備甚至一個配件都可能成為制約競爭者的手段。建議梳理產業鏈的關鍵技術、“卡脖子”技術，企業牽頭，委托高校院所或企業高校聯合體，探索采取“揭榜掛帥”、“定向研發合作制”等方式，針對“卡脖子”環節進行專項補貼，推動半導體產業整體技術的進步。貫通半導體產業鏈的上下游，同時完善創新成果轉化收益分配機制，建立以成果轉化為導向的科技創新評價體系，突破制約半導體產業發展的技術瓶頸問題。2）充分發揮半導體領域的國家級科研機構、具有學科優勢的高校以及科技創新型企充分發揮半導體領域的國家級科研機構、具有學科優勢的高校以及科技創新型企業的作用。業的作用。進一步加強高校集成電路和軟件專業建設，加

136、快推進集成電路一級學科設置工作；鼓勵有條件的高校采取與集成電路企業合作的方式，加快推進示范性微電子學院建設；鼓勵地方按照國家有關規定表彰和獎勵在集成電路和軟件領域做出杰出貢獻的高端人才以及高水平工程師和研發設計人員，完善股權激勵機制；加強行業自律，引導集成電路和軟件人才合理有序流動，避免惡性競爭。集中優勢力量加快研發和創新速度，實現我國在半導體領域的科技自立自強。5、財稅、財稅政策：政策：加大優惠力度，結合多種稅收優惠實現補貼加大優惠力度，結合多種稅收優惠實現補貼 目前針對集成電路產業已有“兩免三減半”、“五免五減半”、“十年免稅”、“設計公司目前針對集成電路產業已有“兩免三減半”、“五免五減

137、半”、“十年免稅”、“設計公司減按減按 10%征收”等所得稅優惠政策，未來可以針對上游環節（如設備、材料、征收”等所得稅優惠政策，未來可以針對上游環節（如設備、材料、零部件等）零部件等）和卡脖子核心環節加大優惠力度，結合多種稅收（例如增值稅等）優惠方式鼓勵行業發展。和卡脖子核心環節加大優惠力度，結合多種稅收（例如增值稅等）優惠方式鼓勵行業發展。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 28 1）當前的稅收優惠政策主要集中在企業所得稅方面，后續還可以結合多種稅收優惠當前的稅收優

138、惠政策主要集中在企業所得稅方面，后續還可以結合多種稅收優惠方式鼓勵行業發展。方式鼓勵行業發展。當前半導體行業的優惠稅收政策主要集中在企業所得稅的減免，如2020 年 7 月，國務院頒布了新時期促進集成電路產業和軟件產業高質量發展的若干政策中提到對“國家鼓勵的集成電路設計、裝備、材料、封裝、測試企業和軟件企業，自獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照 25%的法定稅率減半征收企業所得稅?！贝撕筘斦康人牟课?2020 年、2021 年、2022 年發布了相應的稅收支持政策，明確根據國家鼓勵的不同類型的集成電路生產企業或項目制定相應的稅收優惠政策。部分電子行業公司企業所得稅

139、減稅對 2021 年的凈利潤影響彈性測算（詳見附錄表16），可以看出降低一定的所得稅率（例如 3%），企業的凈利潤將增長相近比例（3%左右），長期來看對公司凈利潤帶來較大提升力度。2）可以考慮通過增值稅的稅收優惠帶動可以考慮通過增值稅的稅收優惠帶動國內全國內全產業鏈發展。產業鏈發展。增值稅是我國第一大稅種，尤其產品在不同環節流通的過程中都不可避免的伴隨著增值稅的繳納。為了鼓勵整體半導體產業鏈的發展，上下游的合作聯動，建議考慮對上下游相關行業或者符合條件的上下游公司進行所得稅的稅收進一步減免，以調動上下游積極性，鼓勵產業鏈合作，共同發展。因此，作為關鍵優惠政策，我們認為后續國內可能會針對國產半導

140、體產品采取增值稅“退稅”，扶持國內半導體產業發展。6、國際合作：發揮龐大市場需求優勢和成本優勢，加強外部合作、國際合作：發揮龐大市場需求優勢和成本優勢，加強外部合作 加強國際關系協調，可積極引進國際領先芯片制造企業來中國投資建廠，從規劃、土加強國際關系協調，可積極引進國際領先芯片制造企業來中國投資建廠，從規劃、土地、金融、地、金融、服務、補貼、稅收等環節推進招商引資。團結國內外可團結、符合正常商業邏服務、補貼、稅收等環節推進招商引資。團結國內外可團結、符合正常商業邏輯的力量。輯的力量。1）發揮龐大的市場需求優勢，加強外部合作。吸引其他國家和地區共建區域產業鏈，發揮龐大的市場需求優勢，加強外部合

141、作。吸引其他國家和地區共建區域產業鏈，支持國外企業來華生產。支持國外企業來華生產。加強國際關系組織協調，積極引進國際領先芯片制造企業來中國投資建廠，從規劃、土地、金融、服務、補貼、稅收等環節全面創新招商引資政策，推動外資芯片產線國產化項目快速落地和建設，通過與先進生產力合作推動國內行業發展進步。2）全球半導體供應鏈復雜而難以切斷，應繼續擴大開放，擴大商業合作。全球半導體供應鏈復雜而難以切斷，應繼續擴大開放，擴大商業合作。我們認為我們認為未來未來中美將在核心科技領域各自發展一套供應鏈體中美將在核心科技領域各自發展一套供應鏈體系的背景之下，日、韓、歐系的背景之下，日、韓、歐等地等地的供應的供應鏈企

142、業或將在兩套體系內各自做出選擇，甚至全部參與。鏈企業或將在兩套體系內各自做出選擇，甚至全部參與。例如日本村田是國際一線電子元器件大廠中，首個公開推行“雙供應鏈”策略的廠商，其總裁在接受日經新聞采訪時表示“我們將繼續打造兩套重復的供應鏈體系，一個針對美國主導的經濟集團，一個針對中國主導的集團”。7、專項補貼：針對卡脖子環節進行專項補貼，加速推動技術進步、專項補貼：針對卡脖子環節進行專項補貼，加速推動技術進步 1）集成電路產業集成電路產業要堅持長期主義要堅持長期主義，下行周期堅持逆周期擴產，下行周期堅持逆周期擴產。根據芯謀研究預測，到 2030 年中國半導體擴產樂觀的情況下（國產設備取得重大突破）

143、，與實際需求相差 170萬片/月，悲觀的情況下缺口達到 230 萬片/月，因此中國半導體產能缺口將持續增加。中國制造是全球制造的重要力量，在智能化和芯片化的趨勢下，芯片的用量將大幅增加，但是國產芯片的供給卻落后于中國本土企業的需求。日本和韓國均在半導體產業下行周期時逆周期擴產，從而實現順周期時反超；此外在目前的美國對華限制的背景下，中國半導體 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 29 產業被美打壓或將持續，甚至不排除擴大化。在形勢特殊的當下，中國芯片的產能建設和技術進步

144、要考慮底線思維，因此可以通過專項補貼的形式在國內積極擴產以應對未來需求，同時可以針對“卡脖子”環節進行專項補貼，推動半導體產業整體技術的進步。2）避免短視，重視技術節點商業化考量。避免短視，重視技術節點商業化考量。參考新能源車產業發展路線，政策大力推動新能源汽車發展，無論是在提升產銷量方面還是在提升企業研發能力和競爭力方面，均起到了顯著的積極作用。但也要清楚地看到，政策對新能源汽車產業的發展并非完全是正向的，這期間會因財政補貼額較大而引發一些違法違規的行為，如“騙補”行為。因此未來在完善半導體行業的政策時，除了要進行精準實施補貼，將補貼流向必要的環節，也需要考慮實施補貼退坡機制，一方面是預防一

145、系列違規行為，另一方面則是倒逼產業鏈內企業不斷提升自身的創新研發能力。8、鼓勵國產：通過補貼政策，鼓勵采購國產設備、鼓勵國產：通過補貼政策，鼓勵采購國產設備/材料材料/EDA 等，積極打造等，積極打造全國產化產業鏈全國產化產業鏈 1）我國的戰略性優勢是擁有龐大的芯片消費市場和豐富的應用場景。我國的戰略性優勢是擁有龐大的芯片消費市場和豐富的應用場景。針對技術先進、受制裁影響面臨實際困難的晶圓廠，可考慮給予專項補貼鼓勵替代性設備材料的采購和技術驗證。后續可鼓勵終端企業采用國產芯片，鼓勵國內芯片設計公司在國內晶圓廠流片。上下游產業鏈共同配合研發改進，推動產業技術成熟。同時尊重商業競爭，避免過度扶持。

146、2）建議通過政府采購或者專項補貼采購等方式助力高技術企業的產品打造應用場景，建議通過政府采購或者專項補貼采購等方式助力高技術企業的產品打造應用場景，從而進一步促進技術發展和產品革新。從而進一步促進技術發展和產品革新。部分高技術企業在發展初期面臨主要的問題是產品不被市場認可的情況下難有應用場景，因此也缺少市場反饋從而改進技術和產品。同時，在難見產品落地的情況下，也比較不容易在資本市場取得資金認可，出現募資困難。因此建議通過鼓勵政府采購或提供專項補貼等方式鼓勵市場化機構進行采購，為高技術企業產品打造應用產經，從而進一步促進技術更新和產品的改進。同時可以參考新能源汽車行業對于終端消費者進行補貼，更好

147、地進行資源配置。風險因素風險因素 政策力度不及預期：相關政策對行業企業自主創新、做大做強起到了重要作用，為行業企業創造了良好的發展機遇。若未來國家半導體政策的支持力度不及預期，對集成電路全產業鏈的支持力度減弱，則行業的發展或將受到不利影響。先進技術創新不及預期：伴隨著半導體行業技術升級速度的加快，對產業鏈中各環節的技術升級迭代提出了更高的要求。若在先進技術研發時未能充分論證或判斷有誤，則存在因技術研發方向偏差、所研發技術市場適用性差或研發難度過高導致先進技術創新不及預期的風險。國際產業環境變化和貿易摩擦加?。喝粑磥碇忻蕾Q易摩擦進一步加劇，不排除美國政府將繼續加征關稅、設置進出口限制條件或其他貿

148、易和技術壁壘，進而對國內半導體行業的發展和進步帶來不利影響。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 30 技術變革：國內半導體產業積極布局當前的全球產業先進技術，若未來全球技術實現變革，原有技術體系被拋棄，會造成當前布局的新技術被迭代的風險。下游需求波動：若未來宏觀經濟發生周期性波動等原因，導致計算機、消費電子、網絡通信、汽車電子、物聯網等終端消費市場需求下降，進而造成半導體設備廠商、晶圓廠等產能過剩，大幅削減資本性支出，對半導體產業全鏈條造成影響。投資策略投資策略 建議重

149、點關注國內半導體產業鏈，尤其在當下產業安全角度，重點關注半導體設備、建議重點關注國內半導體產業鏈，尤其在當下產業安全角度，重點關注半導體設備、零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、有望獲得政策推動的環節。零部件、材料、高端芯片等易“卡脖子”、有望獲得政策推動的環節。建議關注涉及“卡脖子”問題的半導體制造、設備、材料、零部件自主以及高端芯片國產化相關公司。（1）半導體設備/零部件：芯源微、拓荊科技、富創精密、北方華創、中微公司、盛美上海、華海清科、至純科技、華峰測控、長川科技等；（2）制造：中芯國際、華虹半導體；高端芯片：龍芯中科、海光信息、寒武紀、景嘉微等；（3）封測：長電科技、通富微電、甬矽

150、電子等。產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 31 附錄附錄 表 14：02 專項重要項目及承擔單位 公司公司 項目名稱項目名稱 領域領域 時間時間 具體成果具體成果 北方華創 65-45nm PVD 設備研發（北方微電子）設備 2009 物理氣相沉積設備（PVD）65nm 超精細清洗設備研制與產業化 設備 2010 清洗設備 45-32nm LPCVD 設備產業化 設備 2011-2016 化學氣相沉積設備（CVD）14nm 立體柵等離子體刻蝕機研發及產業化 設備 20

151、14-2017 刻蝕機 28-14nm 原子層沉積系統（ALD）產品研發及產業化 設備 2015-2018 原子層沉積系統（ALD）14-7nm CuBS 多工藝腔室集成裝備研發及產業化 設備 2016-2019 刻蝕、氧化/擴散、清洗、氣體質量流量計等 電科裝備 90-65nm 大角度離子注入機研發及產業化 設備 2008.8 離子注入機 45-22nm 低能大束流離子注入機研發及產業化 設備 2011.1 離子注入機 28-14nm 拋光設備及工藝、配套材料產業化 設備 2015.1 化學機械拋光設備（CMP）300mm 超薄晶圓減薄拋光一體機研發與產業化 設備 2014.1 化學機械拋光

152、設備（CMP）300mm 硅片單面拋光機（CMP）的開發 設備 2009.1 化學機械拋光設備（CMP）封裝設備關鍵部件與核心技術 設備 2009.1 封裝設備 關鍵封裝設備、材料應用工程 設備 2009.1 封裝設備 面向通訊、多媒體等（國產）高端芯片封裝的封裝設備與材料應用工程 設備 2012.1 封裝設備 12 英寸晶圓劃片機 設備 2014 晶圓劃片機 拓荊科技 90-65nm 等離子體增強化學氣相沉積設備研發與應用 設備 2010-2015 等離子體增強化學的氣相沉積（PECVD）1x nm 3D NAND PECVD 研發與產業化 設備 芯源微 凸點封裝涂膠顯影、單片濕法刻蝕設備的

153、開發與產業化 設備 2009-2012 濕法刻蝕設備 300mm 晶圓勻膠顯影設備研發 設備 2012-2015 勻膠機等 華海清科 28-14nm 拋光設備及工藝、配套材料產業化-CMP 拋光系統研發與整機系統集成 設備 2017-2019 化學機械拋光設備（CMP）等 上海微電子 浸沒光刻機關鍵技術預研項目 設備 2006-2017 光刻機等 90nm 光刻機樣機研制 設備 2006-2017 65nm 光刻機研制 設備 大視/雙面對準步進投影光刻機 設備 2015 28nm 節點浸沒式分步重復投影光刻機研發成功并實現產業化 設備 2015 中微公司 65-45nm 等離子介質刻蝕設備產品

154、研制和產業化 設備 介質刻蝕機（CCP）等 32-22nm 等離子介質刻蝕設備產品研制和產業化 設備 22-14nm 等離子介質刻蝕設備產品研制和產業化 設備 中科信 12 英寸 90-65nm 大角度離子注入機研發及產業化 設備 2006-2010 離子注入機 12 英寸 45-22nm 低能大束流離子注入機研發及產業化 設備 2011-2015 晶盛機電 300mm 硅單晶直拉生長裝備的開發 設備 2009-2014 硅單晶爐 8 英寸區熔硅單晶爐國產設備研制 設備 2011 盛美上海 45-22 納米單片晶圓清洗裝備研發與應用 設備 2011-2015 清洗設備 20-14nm 銅互連鍍

155、銅設備研發與應用 設備 2011-2015 鍍銅設備 65-45nm 銅互連無應力拋光設備研發 設備 2006-2010 無應力拋光設備 萬業企業 300mm 高能離子注入機裝備及工藝研發 設備 2019 離子注入機 華卓精科 IC 裝備高端零部件集成制造工藝研究與生產制造 設備 2013 整機系統 浸沒式光刻機雙工件臺產品研制與能力建設 設備 2017 光刻機雙工件臺 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 32 公司公司 項目名稱項目名稱 領域領域 時間時間 具體成果具

156、體成果 浸沒式光刻機雙工件臺平面光柵位置測量系統研發 設備 2018 光刻機雙工件臺 上海睿勵 300mm 硅片全自動光學膜厚測量設備 設備 2011 測量設備 富創精密 IC 設備關鍵零部件集成制造技術與加工平臺 設備 2011-2015 IC 裝備金屬類零部件 晶方科技 12 英寸硅通孔工藝國產集成電路制造關鍵設備與材料量產應用工程 設備 2013 封測設備 國產中道工藝高端封測設備與材料量產應用工程 設備 2017 封測設備 長川科技 高壓大電流測試系統（通訊與多媒體芯片封裝測試設備與材料應用工程課題）設備 2013 測試機 SiP 吸放式全自動測試分選機（通訊與多媒體芯片封裝測試設備與

157、材料應用工程課題）設備 2013 測試機 技美科技 減薄拋光一體機保護膜處理系統研發與產業化 設備 2014 晶圓減薄拋光一體機 帶減薄膜撕膜裝置（全自動晶圓切割膜貼膜機的研發與產業化課題）設備 2009 撕膜裝置 有研硅 90nm/300mm 硅片產品競爭力提升與產業化 材料 硅片 江豐電子 45-28nm 配線用超高純系列濺射靶材開發與產業化 材料 2011 濺射靶材 300mm 硅片極大規模集成電路用 Al、Ti、Ta 靶材制造技術研究與開發（300mm 硅片工藝用濺射靶材研發與產業化子課題）材料 2009 濺射靶材 派瑞氣體 高純特種電子氣體研發與產業化項目 材料 2013 電子氣體

158、興森科技 高密度封裝倒裝芯片基板產品開發與產業化 材料 2013 封裝基板 丹邦科技 三維柔性基板及工藝技術研發與產業化 材料 2011-2017 封裝基板 芯片柔性封裝基板技術與中試工藝開發 材料 2009 封裝基板 晶瑞股份 i 線光刻膠開發及產業化 材料 2010-2018 光刻膠 鼎龍股份 20-14nm 技術節點 CMP 拋光墊產品研發（20-14nm 技術代關鍵材料技術和產品開發子課題）材料 2016 CMP 拋光墊 華特氣體 高純三氟甲烷的研發與中試（高純電子氣體研發與產業化子課題）材料 2013 高純三氟甲烷 南大光電 193nm ArF 光刻膠開發和產業化（高純電子氣體研發與

159、產業化子課題）材料 2013 光刻膠 先進光刻膠產品開發和產業化 材料 2018 光刻膠 高純電子氣體（砷烷、磷烷）研發與產業化項目 材料 電子氣體 滬硅產業 40-28nm 集成電路用 300mm 硅片研發與產業化項目 材料 300mm 硅片 20-14nm 集成電路用 300mm 硅片研發與產業化項目 材料 300mm 硅片 200mm SOI 晶圓片研發與產業化 材料 SOI 晶圓片 硅基 GaN 材料及核心器件的研發項目 材料 GaN 材料 200mm 外延片產品開發與產業化（子課題）材料 200mm 外延片 SOI 材料及高壓期間的研發與模型建立（子課題）材料 SOI 材料 基于層轉

160、移技術的 FinFET SOI 材料及工藝開發（子課題）材料 SOI 材料 中環股份 區熔硅單晶片產業化技術與國產設備研制 材料 2011 硅單晶 安集科技 90-65nm 集成電路關鍵拋光材料研發與產業化 材料 2009-2012 拋光材料 45-28nm 集成電路關鍵拋光材料研發與產業化 材料 拋光材料 高密度封裝 TSV 拋光液和清洗液研發與產業化 材料 拋光液 CMP 拋光液及配套材料技術平臺和產品系列 材料 拋光液 128 層 3D NAND 金屬銅、鎢研磨拋光清洗液的研發 與工藝應用（在研）材料 拋光液 圖形化工藝用材料產品開發-鎢系列拋光液/光刻膠剝離液（在研）材料 拋光液/光刻

161、膠剝離液 科華微電極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究 材料 2013 光刻膠 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 33 公司公司 項目名稱項目名稱 領域領域 時間時間 具體成果具體成果 子 康強電子 先進封裝用鍵合絲的研發和產業化（先進封裝材料研發及產業化子課題）材料 2009 封裝用鍵合絲 QFN 高密度刻蝕引線框架的研發與產業化 材料 2009 刻蝕引線 江陰潤瑪 WLP 等高端先進封裝用蝕刻液（通訊與多媒體芯片封裝測試設備與材料應用工程課題）材料 2013 蝕刻

162、液 超凈高純電子化學品品質提升和產業化及高純包材的產業化技術研究 材料 2009 電子化學品 華進半導體 以硅通孔為核心的集成電路三維封裝技術及應用 封測 2011-2015 先進封測技術 高密度三維系統集成技術開發與產業化 封測 2014 三維系統級封裝集成先導技術研究 封測 2013 華天科技 多圈 V/UQFN、FCQFN 和 AAQFN 封裝工藝技術研發及產業化 封測 2011 先進封測技術 通訊與多媒體芯片封裝測試設備與材料應用工程 封測 2012 以硅通孔為核心的集成電路三維封裝技術及應用 封測 2011-2015 陣列鏡頭智能成像 TSV-CIS 集成模塊工藝開發與產業化 封測

163、2014 國產中道工藝高端封測測試裝備與材料量產應用工程 封測 2017 12 英寸國產裝備新工藝開發與應用 封測 2017 通富微電 先進封裝工藝開發及產業化、關鍵封測設備、材料應用工程驗證 封測 2010 先進封測技術 移動智能終端芯片圓片級及銅線封裝技術開發及產業化 封測 2013 以 TCB-NCP 等技術為基礎的高密度系統集成封裝量產技術開發與產業化（先進封裝材料研發及產業化子課題）封測 2014 高集成度多功能芯片系統級封裝技術研發及產業化 封測 2011 晶方科技 高密度三維系統集成技術開發與產業化 封測 2014 集成技術 長電科技 通訊與多媒體芯片封裝測試設備與材料應用工程

164、封測 2011 先進封測技術 高端封裝工藝及高容量閃存集成封裝技術開發與產業化 封測 2009 重布線/嵌入式圓片級封裝技術及高密度凸點技術研發及產業化 封測 2011 基于 Low-k 芯片的 BOT-FC等高密度鍵合技術的系統集成封裝開發與產業化（高密度三維系統集成技術開發與產業化子課題）封測 2014 深南電路 多疊層多芯片系統級封裝工藝開發及產業化 封測 2011 封裝基板 三維高密度基板及高性能 CPU 封裝技術研發與產業化 封測 2009 高密度多層封裝基板制造工藝開發與產業化 封測 2009 永濟電機 高壓大功率 IGBT 模塊封裝技術開發及產業化 封測 2011 IGBT 封裝

165、 時代電氣 高速機車高壓芯片封裝與模塊技術研發及產業化 封測 2011 IGBT 封裝 時代民芯 多目標先進封裝和測試公共服務平臺 封測 2011 封裝服務平臺 北京達博 先進封裝用鍵合金絲的研究及產業化 封測 封裝用鍵合金絲 高端封裝用鍵合銅絲 封測 華峰測控 高端模擬/混合電路測試系統的研發和產業化（通訊與多媒體芯片封裝測試設備與材料應用工程中的課題）封測 2013-2016 測試系統 AccoTEST STS8200 模擬器件測試系統的研發和產業化（關鍵封測設備、材料應用工程項目中的課題）封測 2009 蘇州固锝 國產集成電路封測關鍵設備與材料量產應用工程 封測 2014 封測設備與材料

166、 上海貝嶺 基于 0.18umBCD 工藝的大尺寸 LCD 驅動芯片的開發 設計 2009 LCD 驅動芯片 思創醫惠 智能識別傳感器集成一體化技術 設計 2013 傳感器 華潤微 新型節能驅動與汽車電子芯片工藝開發與產業化 設計 汽車電子芯片 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 34 公司公司 項目名稱項目名稱 領域領域 時間時間 具體成果具體成果 士蘭微 高速低功耗 600V 以上多芯片高壓模塊 設計 2011 高壓模塊 硅基 GaN 材料及核心器件的研究 設計 2

167、013 GaN 材料 中芯國際 20-14nm 先導產品工藝 制造 2016-2019 制造工藝 7/5nm 集成電路先導工藝與系統集成新技術 制造 2017-2020 制造工藝 28nm 特色工藝平臺 制造 2017-2019 制造工藝 12 英寸國產裝備新工藝開發與應用 制造 2017-2019 制造工藝 華虹半導體 面向移動終端和物聯網的 CMOS-MEMS 智能傳感器產品制造與封裝一體化集成技術 制造 2013 MEMS 傳感器 士蘭微 面向移動終端和物聯網的智能傳感器產品制造與封裝一體化集成技術 制造 2013 MEMS 傳感器 資料來源：科技部，各公司公告，中信證券研究部 表 15

168、：大基金一期重要投資項目 領域領域 公司公司 IPO 狀態狀態 代碼代碼 投資時間投資時間 投資成本估投資成本估測（億元）測（億元）持股比例持股比例 退出日期退出日期 IC設計 國科微 上市 300672.SZ 1/6/2015 4 15.63%持股比例由 2019 年 8 月 30 日的 15.79%降低至 2022 年 12 月 19 日的 9.66%納思達 上市 002180.SZ 1/9/2015 5 4.02%2021 年 12 月 31 日退出 北斗星通 上市 002151.SZ 1/6/2016 15 11.98%持股比例由 2019 年 3 月 29 日的 11.45%降低至

169、2022 年 12 月 31 日的 8.56%兆易創新 上市 603986.SH 1/8/2017 14.5 9.72%持股比例由 2019 年 4 月 30 日的 10.97%降低至 2022 年 9 月 30 日的 3.12%匯頂科技 上市 603160.SH 1/11/2017 28 6.62%持股比例由2019年4月15日的6.61%降低至 2022 年 9 月 30 日的 3.6%景嘉微 上市 300474.SZ 1/1/2018 9.79 9.14%持股比例由2019年8月21日的9.14%降低至 2022 年 9 月 30 日的 8.1%中 興 微 電子 非上市 1/11/201

170、5 24 24.00%持股比例由 2019 年 3 月 1 日的 9.41%降低至 2022 年 9 月 30 日的 6.98%紫光展銳 非上市 1/12/2015 45 30.00%2020 年 10 月 13 日退出 深圳國微 紫 光 國微 子 公司 1/9/2016 0.2 10.00%持股比例由2020年6月8日的15.28%降低至 2023 年 3 月 1 日的 13.96%盛科網絡 非上市 1/9/2016 3.1 硅谷數模 非上市 1/9/2016 34 持股比例由 2021 年 2 月 4 日的 25%降低至2022 年 7 月 18 日的 22.32%芯 原 微 電子 上市

171、688521.SH 2017 年 2 持股比例由 2020 年 7 月 3 日的 20%降低至2023 年 2 月 24 日的 14.31%中國電子 非上市 1/7/2017 200 未查詢到持股記錄，僅有意向投資新聞 國科微-常州紅盾 1/6/2018 1.5 未查詢到該企業，應該是與大基金計劃成立合伙企業 IC制造-代工 中芯國際 上市 0981.HK 1/2/2015 30.99 億港元 15.78%截至 2022 年 9 月 30 日大基金二期持股1.61%中芯北方 中 芯 國際 子 公司 1/8/2017 61.2 32.00%截至 2023 年 2 月 26 日持股 32%中芯南方

172、 中 芯 國際 子 公司 1/1/2018 64.362 27.04%持股比例由 2020 年 4 月 28 日的 22.85%降低至 2023 年 2 月 7 日的 14.56%中 芯 集 成電 路（寧中 芯 國際 子 公 1/3/2018 6 32.97%持股比例由 2019 年 5 月 21 日的 32.97%降低至 2023 年 2 月 12 日的 13.55%產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 35 領域領域 公司公司 IPO 狀態狀態 代碼代碼 投資時間投資

173、時間 投資成本估投資成本估測（億元）測（億元）持股比例持股比例 退出日期退出日期 波）司 華 虹 半 導體 上市 1347.HK 1/1/2018 31.27 億港元 18.86%持股比例由 2019 年 6 月 30 日的 18.86%降低至 2022 年 6 月 30 日的 13.74%華 虹 半 導體（無錫）華 虹 半導 體 子公司 1/1/2018 35.496 29.00%持股比例由 2022 年 9 月 15 日的 29%降低至 2023 年 2 月 10 日的 20.58%IC制造-存儲 長江存儲 非上市 1/12/2016 189.989 49.22%持股比例由 2023 年

174、2 月 27 日的 24.09%降低至 2023 年 3 月 2 日的 12.88%特色工藝 三安光電 上市 600703.SH 2015/06、2015/11 64.39 11.30%持股比例由2019年 4月 26日的11.3%降低至 2022 年 12 月 12 日的 5.81%耐威科技 上市 300456.SZ 1/11/2016 20 13.77%持股比例由 2019 年 8 月 30 日的 13.75%降低至 2023 年 2 月 23 日的 12.05%士蘭集昕 士 蘭 微子公司 600460.SH 2016/02、2016/03 8 持股比例由 2020 年 1 月 14 日的

175、 20.03%降低至 2022 年 12 月 16 日的 9.42%燕 東 微 電子 上市 688172.SH 1/6/2018 10 19.76%持股比例由 2018 年 8 月 24 日的 48.78%降低至 2023 年 2 月 20 日的 7.81%封裝測試 長電科技 上市 600584.SH 2015/01、2017/06、2018/08 46.4 19.00%持股比例由 2019 年 4 月 30 日的 19%降低至 2022 年 9 月 30 日的 13.31%通富微電 上市 002156.SZ 1/11/2017 6.4 21.72%持股比例由2019年4月1日的21.72%降

176、低至 2022 年 11 月 14 日的 13.29%晶方科技 上市 603005.SH 1/12/2017 6.8 9.44%持股比例由2019年4月30日的9.26%降低至 2022 年 12 月 29 日的 4.98%太極實業 上市 600667.SH 1/6/2018 9.49 6.17%持股比例由 2019 年 10 月 30 日的 6.17%降低至 2022 年 9 月 30 日的 4%中芯長電 中 芯 國際 子 公司 1/9/2015 19.04 華 天 科 技（西安）華 天 科技 子 公司 1/12/2015 5 27.23%2021 年 7 月 8 日退出 設備 中微公司 上

177、市 688012.SH 1/1/2015 4.8 17.45%持股比例由 2018 年 12 月 7 日的 20.74%降低至 2022 年 9 月 30 日的 15.15%長川科技 上市 300604.SZ 2015/06、2019/01 2.03 6.57%持股比例由2019年4月29日的7.28%降低至 2023 年 2 月 17 日的 6.76%北方華創 上市 002371.SZ 2016/08、2019/12 15.1089 10.03%持股比例由 2019 年 4 月 30 日的 7.5%降低至 2022 年 9 月 30 日的 7.44%盛美上海 上市 688082.SH 5.5

178、1%未查詢到大基金持股記錄 沈陽拓荊 上市 688072.SH 1/12/2015 2.7 持股比例由2019年5月6日的35.30%降低至 2022 年 9 月 30 日的 18.86%材料 安集科技 上市 688019.SH 1/4/2016 0.06 11.57%持股比例由 2019 年 7 月 19 日的 15.43%降低至 2022 年 12 月 31 日的 7.28%雅克科技 上市 002409.SZ 1/10/2017 5.5 5.73%持股比例由 2019 年 10 月 31 日的 5.73%降低至 2022 年 9 月 30 日的 5%上 海 硅 產業集團 上市 688126

179、.SH 1/12/2015 7 35.00%持股比例由 2019 年 4 月 30 日的 30.48%降低至 2023 年 2 月 4 日的 20.74%德邦科技 上市 688035.SH 1/10/2016 0.21 27.30%持股比例由2019年 1月 11日的27.3%降低至 2022 年 9 月 30 日的 18.65%鑫 華 半 導非上市 1/12/2015 5 49.02%持股比例由 2021 年 12 月 25 日的 49.02%產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責

180、條款和聲明 36 領域領域 公司公司 IPO 狀態狀態 代碼代碼 投資時間投資時間 投資成本估投資成本估測（億元）測（億元）持股比例持股比例 退出日期退出日期 體 降低至 2023 年 3 月 1 日的 23.56%世 紀 金 光半導體 非上市 1/6/2017 0.3 11.11%持股比例由 2019 年 11 月 1 日的 11.11%降低至 2023 年 3 月 3 日的 8.06%中 巨 芯 科技 非上市 1/12/2017 3.9 39.00%持股比例由 2021 年 3 月 11 日的 39%降低至 2023 年 3 月 3 日的 35.2%資料來源：各公司公告，天眼查，中信證券研

181、究部 注：表格為不完全統計 表 16：電子行業部分公司企業所得稅減稅對 2021 年的凈利潤影響彈性測算 公司名稱公司名稱 代碼代碼 2021 年年凈利凈利潤潤（億元）（億元）2021 年實際所得年實際所得稅率稅率 稅率稅率降低降低對凈利潤影響對凈利潤影響-3%-2%-1%0%中芯國際 688981.SH 112.03 3.38%3.10%2.07%1.03%0.00%北方華創 002371.SZ 11.93 4.73%3.15%2.10%1.05%0.00%韋爾股份 603501.SH 45.46 9.12%3.30%2.20%1.10%0.00%三安光電 600703.SH 13.13 2

182、1.17%3.81%2.54%1.27%0.00%紫光國微 002049.SZ 19.84 8.82%3.29%2.19%1.10%0.00%納思達 002180.SZ 15.96 20.40%3.77%2.51%1.26%0.00%中微公司 688012.SH 10.11 10.73%3.36%2.24%1.12%0.00%兆易創新 603986.SH 23.37 7.39%3.24%2.16%1.08%0.00%瀾起科技 688008.SH 8.29 9.38%3.31%2.21%1.10%0.00%卓勝微 300782.SZ 21.35 11.61%3.39%2.26%1.13%0.00

183、%復旦微電 688385.SH 5.59 2.46%3.08%2.05%1.03%0.00%圣邦股份 300661.SZ 6.89 6.80%3.22%2.15%1.07%0.00%龍芯中科 688047.SH 2.37 7.24%3.23%2.16%1.08%0.00%斯達半導 603290.SH 3.99 12.02%3.41%2.27%1.14%0.00%士蘭微 600460.SH 15.18 12.28%3.42%2.28%1.14%0.00%盛美上海 688082.SH 2.66 0.93%3.03%2.02%1.01%0.00%寒武紀-U 688256.SH-8.30 0.00%2

184、.98%1.99%0.99%0.00%北京君正 300223.SZ 9.21 1.35%3.04%2.03%1.01%0.00%瑞芯微 603893.SH 6.02 0.82%3.02%2.02%1.01%0.00%拓荊科技 688072.SH 0.67 0.67%3.02%2.01%1.01%0.00%芯原股份-U 688521.SH 0.13 45.02%5.46%3.64%1.82%0.00%晶晨股份 688099.SH 8.28 2.20%3.07%2.05%1.02%0.00%立昂微 605358.SH 6.22 8.74%3.29%2.19%1.10%0.00%華海清科 68812

185、0.SH 1.98-1.26%2.96%1.98%0.99%0.00%長川科技 300604.SZ 2.22 0.59%3.02%2.01%1.01%0.00%揚杰科技 300373.SZ 8.26 12.47%3.43%2.28%1.14%0.00%華峰測控 688200.SH 4.39 13.66%3.47%2.32%1.16%0.00%匯頂科技 603160.SH 8.60-7.10%2.80%1.87%0.93%0.00%富創精密 688409.SH 1.21 10.40%3.35%2.23%1.12%0.00%江豐電子 300666.SZ 0.99 4.83%3.15%2.10%1.

186、05%0.00%芯源微 688037.SH 0.77-1.80%2.95%1.96%0.98%0.00%國科微 300672.SZ 2.92-7.76%2.78%1.86%0.93%0.00%艾為電子 688798.SH 2.88 2.40%3.07%2.05%1.02%0.00%精測電子 300567.SZ 1.40 18.87%3.70%2.47%1.23%0.00%新潔能 605111.SH 4.10 12.59%3.43%2.29%1.14%0.00%產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀

187、正文之后的免責條款和聲明 37 公司名稱公司名稱 代碼代碼 2021 年年凈利凈利潤潤（億元）（億元）2021 年實際所得年實際所得稅率稅率 稅率稅率降低降低對凈利潤影響對凈利潤影響-3%-2%-1%0%捷捷微電 300623.SZ 4.92 13.47%3.47%2.31%1.16%0.00%長光華芯 688048.SH 1.15 5.58%3.18%2.12%1.06%0.00%富瀚微 300613.SZ 3.82 6.17%3.20%2.13%1.07%0.00%上海貝嶺 600171.SH 7.38 3.80%3.12%2.08%1.04%0.00%中穎電子 300327.SZ 3.7

188、1 6.57%3.21%2.14%1.07%0.00%國芯科技 688262.SH 0.70 3.62%3.11%2.08%1.04%0.00%東芯股份 688110.SH 2.84 5.72%3.18%2.12%1.06%0.00%蘇州固锝 002079.SZ 2.21 13.61%3.47%2.32%1.16%0.00%至純科技 603690.SH 2.84 24.13%3.95%2.64%1.32%0.00%宏微科技 688711.SH 0.68 5.62%3.18%2.12%1.06%0.00%臻鐳科技 688270.SH 0.99 0.00%3.00%2.00%1.00%0.00%富

189、滿微 300671.SZ 4.53 9.17%3.30%2.20%1.10%0.00%聚辰股份 688123.SH 1.04 8.49%3.28%2.19%1.09%0.00%國民技術 300077.SZ 2.15-0.99%2.97%1.98%0.99%0.00%資料來源：Wind，中信證券研究部測算 產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析產業鏈安全再平衡系列之（二）：半導體產業政策梳理與分析2023.3.8 請務必閱讀正文之后的免責條款和聲明 38 相關研究相關研究 電子行業半導體重大事項點評集成電路產業政策力度有望加大，分析政策深化可能路徑(2023-03-03)電子行業

190、科技安全專題半導體與消費電子產業鏈安全淺析及投資策略(2023-03-01)一張圖初探禾賽科技（HSAI.US）激光雷達量產龍頭(2023-02-27)半導體行業專題ChatGPT 對 GPU 算力的需求測算與相關分析(2023-02-16)電子行業消費電子專題行業底部明確，看好消費電子拐點向上(2023-02-14)電子行業半導體設備板塊跟蹤點評美聯合日荷加碼設備限制，倒逼半導體設備國產化加速(2023-01-31)電子行業業績展望一張圖匯總部分重點上市公司 2022 全年&Q4 業績前瞻(2023-01-06)電子行業專題研究面板行業格局清晰，底部明確，看好 23 年行業上行及估值修復(2

191、022-12-30)產業鏈安全再平衡系列之（一）：半導體制造半導體制造產業鏈格局或面臨重塑，機會在哪里？(2022-12-13)電子行業消費電子專題消費電子底部明確，看好安卓鏈反彈機遇(2022-12-09)電子板塊專題研究“效率+安全”，電子行業復盤與投資主線展望(2022-12-07)模擬芯片系列深度報告之（一）隔離芯片是高品質安規器件，新能源驅動成長(2022-12-06)電子行業深度跟蹤報告看好優質 IC 設計公司迎來估值修復機遇(2022-11-16)消費電子行業深度跟蹤系列（第 3 期）明年看好安卓底部復蘇與產業鏈機會(2022-11-09)電子行業 2022 年三季報總結國產化和

192、增量市場業績強勁，消費端關注果鏈(2022-11-05)半導體行業 2022 年四季度投資策略基石產業，估值底部：重資產看國產化，輕資產看前三名(2022-10-22)電子行業 2022 年三季報業績展望國產化和增量市場有望業績強勁，消費端繼續關注果鏈(2022-10-09)電子行業深度跟蹤報告Pico 發布 VR 新品，關注核心零組件供應商(2022-09-30)電子行業 VR 光學專題Pancake 趨勢確立，關注核心供應鏈(2022-09-21)39 分析師聲明分析師聲明 主要負責撰寫本研究報告全部或部分內容的分析師在此聲明：（i）本研究報告所表述的任何觀點均精準地反映了上述每位分析師個

193、人對標的證券和發行人的看法；（ii）該分析師所得報酬的任何組成部分無論是在過去、現在及將來均不會直接或間接地與研究報告所表述的具體建議或觀點相聯系。一般性聲明一般性聲明 本研究報告由中信證券股份有限公司或其附屬機構制作。中信證券股份有限公司及其全球的附屬機構、分支機構及聯營機構（僅就本研究報告免責條款而言，不含 CLSA group of companies），統稱為“中信證券”。本研究報告對于收件人而言屬高度機密，只有收件人才能使用。本研究報告并非意圖發送、發布給在當地法律或監管規則下不允許向其發送、發布該研究報告的人員。本研究報告僅為參考之用，在任何地區均不應被視為買賣任何證券、金融工具的

194、要約或要約邀請。中信證券并不因收件人收到本報告而視其為中信證券的客戶。本報告所包含的觀點及建議并未考慮個別客戶的特殊狀況、目標或需要，不應被視為對特定客戶關于特定證券或金融工具的建議或策略。對于本報告中提及的任何證券或金融工具，本報告的收件人須保持自身的獨立判斷并自行承擔投資風險。本報告所載資料的來源被認為是可靠的，但中信證券不保證其準確性或完整性。中信證券并不對使用本報告或其所包含的內容產生的任何直接或間接損失或與此有關的其他損失承擔任何責任。本報告提及的任何證券或金融工具均可能含有重大的風險，可能不易變賣以及不適合所有投資者。本報告所提及的證券或金融工具的價格、價值及收益可跌可升。過往的業

195、績并不能代表未來的表現。本報告所載的資料、觀點及預測均反映了中信證券在最初發布該報告日期當日分析師的判斷，可以在不發出通知的情況下做出更改，亦可因使用不同假設和標準、采用不同觀點和分析方法而與中信證券其它業務部門、單位或附屬機構在制作類似的其他材料時所給出的意見不同或者相反。中信證券并不承擔提示本報告的收件人注意該等材料的責任。中信證券通過信息隔離墻控制中信證券內部一個或多個領域的信息向中信證券其他領域、單位、集團及其他附屬機構的流動。負責撰寫本報告的分析師的薪酬由研究部門管理層和中信證券高級管理層全權決定。分析師的薪酬不是基于中信證券投資銀行收入而定，但是，分析師的薪酬可能與投行整體收入有關

196、，其中包括投資銀行、銷售與交易業務。若中信證券以外的金融機構發送本報告，則由該金融機構為此發送行為承擔全部責任。該機構的客戶應聯系該機構以交易本報告中提及的證券或要求獲悉更詳細信息。本報告不構成中信證券向發送本報告金融機構之客戶提供的投資建議，中信證券以及中信證券的各個高級職員、董事和員工亦不為（前述金融機構之客戶）因使用本報告或報告載明的內容產生的直接或間接損失承擔任何責任。評級說明評級說明 投資建議的評級標準投資建議的評級標準 評級評級 說明說明 報告中投資建議所涉及的評級分為股票評級和行業評級（另有說明的除外）。評級標準為報告發布日后 6 到 12 個月內的相對市場表現，也即：以報告發布

197、日后的 6 到 12 個月內的公司股價（或行業指數）相對同期相關證券市場代表性指數的漲跌幅作為基準。其中：A 股市場以滬深 300指數為基準，新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準；美國市場以納斯達克綜合指數或標普 500 指數為基準；韓國市場以科斯達克指數或韓國綜合股價指數為基準。股票評級股票評級 買入 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅 20%以上 增持 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅介于 5%20%之間 持有 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅介于-10%5%之間 賣出 相對同期相關證券市場代表性指數跌幅

198、10%以上 行業評級行業評級 強于大市 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅 10%以上 中性 相對同期相關證券市場代表性指數漲幅介于-10%10%之間 弱于大市 相對同期相關證券市場代表性指數跌幅 10%以上 40 特別聲明特別聲明 在法律許可的情況下，中信證券可能（1）與本研究報告所提到的公司建立或保持顧問、投資銀行或證券服務關系，（2）參與或投資本報告所提到的公司的金融交易，及/或持有其證券或其衍生品或進行證券或其衍生品交易，因此，投資者應考慮到中信證券可能存在與本研究報告有潛在利益沖突的風險。本研究報告涉及具體公司的披露信息，請訪問 https:/ 1%：海光信息（688041），對應持

199、股業務類別：自營，持股比例：0.45%；另類投資子公司，限售持股比例：0.25%/1.34%，限售起始日：2022 年 08 月 12 日/2022 年 08 月 12 日，限售期：24 個月/12 個月；中信證券股份有限公司及其另類投資子公司持有下述公司已發行股份的比例達到或超過 1%：富創精密（688409），對應持股業務類別：自營，持股比例：0.09%；另類投資子公司，限售持股比例：1.25%/0.68%，限售起始日：2022 年 10 月 10 日/2022 年 10 月 10 日，限售期：12 個月/24 個月；中信證券股份有限公司及其另類投資子公司持有下述公司已發行股份的比例達到或

200、超過 1%：芯源微（688037），對應持股業務類別：自營，持股比例：1.93%。法律主體法律主體聲明聲明 本研究報告在中華人民共和國（香港、澳門、臺灣除外）由中信證券股份有限公司（受中國證券監督管理委員會監管，經營證券業務許可證編號：Z20374000）分發。本研究報告由下列機構代表中信證券在相應地區分發：在中國香港由 CLSA Limited（于中國香港注冊成立的有限公司）分發；在中國臺灣由 CL Securities Taiwan Co.,Ltd.分發；在澳大利亞由 CLSA Australia Pty Ltd.（商業編號：53 139 992 331/金融服務牌照編號：350159）分

201、發；在美國由 CLSA（CLSA Americas,LLC 除外）分發；在新加坡由 CLSA Singapore Pte Ltd.（公司注冊編號：198703750W）分發；在歐洲經濟區由 CLSA Europe BV 分發；在英國由 CLSA（UK）分發；在印度由 CLSA India Private Limited 分發（地址：8/F,Dalamal House,Nariman Point,Mumbai 400021；電話：+91-22-66505050；傳真：+91-22-22840271；公司識別號：U67120MH1994PLC083118）；在印度尼西亞由 PT CLSA Seku

202、ritas Indonesia 分發；在日本由 CLSA Securities Japan Co.,Ltd.分發；在韓國由 CLSA Securities Korea Ltd.分發；在馬來西亞由 CLSA Securities Malaysia Sdn Bhd 分發；在菲律賓由 CLSA Philippines Inc.（菲律賓證券交易所及證券投資者保護基金會員）分發；在泰國由 CLSA Securities(Thailand)Limited 分發。針對不同司法管轄區的聲明針對不同司法管轄區的聲明 中國大陸：中國大陸：根據中國證券監督管理委員會核發的經營證券業務許可，中信證券股份有限公司的經營

203、范圍包括證券投資咨詢業務。中國香港：中國香港：本研究報告由 CLSA Limited 分發。本研究報告在香港僅分發給專業投資者（證券及期貨條例（香港法例第 571 章）及其下頒布的任何規則界定的），不得分發給零售投資者。就分析或報告引起的或與分析或報告有關的任何事宜，CLSA 客戶應聯系 CLSA Limited 的羅鼎，電話：+852 2600 7233。美國：美國：本研究報告由中信證券制作。本研究報告在美國由 CLSA（CLSA Americas,LLC 除外）僅向符合美國1934 年證券交易法下 15a-6 規則界定且 CLSA Americas,LLC 提供服務的“主要美國機構投資者”

204、分發。對身在美國的任何人士發送本研究報告將不被視為對本報告中所評論的證券進行交易的建議或對本報告中所述任何觀點的背書。任何從中信證券與 CLSA 獲得本研究報告的接收者如果希望在美國交易本報告中提及的任何證券應當聯系CLSA Americas,LLC（在美國證券交易委員會注冊的經紀交易商），以及 CLSA 的附屬公司。新加坡：新加坡：本研究報告在新加坡由 CLSA Singapore Pte Ltd.，僅向（新加坡財務顧問規例界定的）“機構投資者、認可投資者及專業投資者”分發。就分析或報告引起的或與分析或報告有關的任何事宜，新加坡的報告收件人應聯系 CLSA Singapore Pte Ltd

205、，地址：80 Raffles Place,#18-01,UOB Plaza 1,Singapore 048624，電話：+65 6416 7888。因您作為機構投資者、認可投資者或專業投資者的身份，就 CLSA Singapore Pte Ltd.可能向您提供的任何財務顧問服務，CLSA Singapore Pte Ltd 豁免遵守財務顧問法（第 110 章）、財務顧問規例以及其下的相關通知和指引（CLSA 業務條款的新加坡附件中證券交易服務 C 部分所披露）的某些要求。MCI（P）085/11/2021。加拿大：加拿大：本研究報告由中信證券制作。對身在加拿大的任何人士發送本研究報告將不被視為

206、對本報告中所評論的證券進行交易的建議或對本報告中所載任何觀點的背書。英國：英國：本研究報告歸屬于營銷文件，其不是按照旨在提升研究報告獨立性的法律要件而撰寫，亦不受任何禁止在投資研究報告發布前進行交易的限制。本研究報告在英國由 CLSA（UK）分發，且針對由相應本地監管規定所界定的在投資方面具有專業經驗的人士。涉及到的任何投資活動僅針對此類人士。若您不具備投資的專業經驗，請勿依賴本研究報告。歐洲經濟區：歐洲經濟區：本研究報告由荷蘭金融市場管理局授權并管理的 CLSA Europe BV 分發。澳大利亞：澳大利亞：CLSA Australia Pty Ltd(“CAPL”)(商業編號：53 139

207、 992 331/金融服務牌照編號：350159)受澳大利亞證券與投資委員會監管，且為澳大利亞證券交易所及 CHI-X 的市場參與主體。本研究報告在澳大利亞由 CAPL 僅向“批發客戶”發布及分發。本研究報告未考慮收件人的具體投資目標、財務狀況或特定需求。未經 CAPL 事先書面同意，本研究報告的收件人不得將其分發給任何第三方。本段所稱的“批發客戶”適用于公司法（2001）第 761G 條的規定。CAPL 研究覆蓋范圍包括研究部門管理層不時認為與投資者相關的 ASX All Ordinaries 指數成分股、離岸市場上市證券、未上市發行人及投資產品。CAPL 尋求覆蓋各個行業中與其國內及國際投

208、資者相關的公司。印度：印度：CLSA India Private Limited，成立于 1994 年 11 月，為全球機構投資者、養老基金和企業提供股票經紀服務（印度證券交易委員會注冊編號：INZ000001735）、研究服務（印度證券交易委員會注冊編號：INH000001113）和商人銀行服務（印度證券交易委員會注冊編號：INM000010619）。CLSA 及其關聯方可能持有標的公司的債務。此外，CLSA 及其關聯方在過去 12 個月內可能已從標的公司收取了非投資銀行服務和/或非證券相關服務的報酬。如需了解 CLSA India“關聯方”的更多詳情，請聯系 Compliance-I。未經中信證券事先書面授權，任何人不得以任何目的復制、發送或銷售本報告。未經中信證券事先書面授權，任何人不得以任何目的復制、發送或銷售本報告。中信證券中信證券 2023 版權所有。保留一切權利。版權所有。保留一切權利。