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1、半導體存儲專題：短期存儲周期有望見底，中長期看好國產化加速行業深度報告 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。行業報告 電子 2023 年 08 月 16 日 強于大市（維持）強于大市（維持）行情走勢圖行情走勢圖 證券分析師證券分析師 徐勇徐勇 投資咨詢資格編號 S1060519090004 XUYONG 付強付強 投資咨詢資格編號 S1060520070001 FUQIANG 閆磊閆磊 投資咨詢資格編號 S1060517070006 YANLEI 徐碧云徐碧云 投資咨詢資格編號 S1060523070002 XUBIY

2、UN 平安觀點：存儲芯片為集成電路第二大細分市場，具備廣闊的市場空間。存儲芯片為集成電路第二大細分市場，具備廣闊的市場空間。存儲芯片作為現代信息產業應用最為廣泛的電子器件之一，在 5G、云計算以及 AI 等新興產業快速發展背景下，其重要程度與日俱增，具備廣闊的市場空間，根據 WSTS 數據，2022 年全球集成電路市場總規模約為 4799.9 億美元，其中，存儲芯片市場規模約為 1344.1 億美元，占比 28%位居第二，僅次于邏輯芯片。DRAM 和和 NAND主導存儲市場，主導存儲市場，NOR Flash 聚焦利基領域聚焦利基領域。在經歷了半個世紀的發展，存儲芯片市場已形成以 DRAM 和

3、NAND Flash 為主的產品構成格局，當前 DRAM 的技術發展主要以制程推進為主，海外頭部廠商已達到 10nm 工藝制程。NAND Flash 通過 3D 堆疊來實現存儲容量提升，當前海外龍頭企業均實現了 200+層數的突破。NOR Flash 則憑借其可靠性強、讀取時間快和可執行代碼的優勢，在汽車電子、5G 基站等領域具備需求剛性。海外廠商高度壟斷，國產企業奮起直追。海外廠商高度壟斷，國產企業奮起直追。當前存儲芯片行業被以三星為代表的海外龍頭高度壟斷，存儲作為數據經濟底盤，國家重視程度不斷上升，長江存儲、長鑫存儲和兆易創新等國產存儲廠商正在奮起直追，不斷縮小與海外龍頭的技術代差，其中，

4、長鑫存儲作為國產 DRAM龍頭，2019 年實現 8Gb DDR4 投產，目前已在合肥、北京完成12 英寸晶圓廠建廠并投產；而長江存儲在 NAND 領域取得不斷突破，在 2020 年成功研發 128 層3D NAND 閃存產品；兆易創新則主攻 NOR Flash 利基市場，市場份額逐年提升，2022 年在 NOR Flash 市場占有率全球第三、中國大陸第一。供需情況逐步改善，存儲周期有望見底。供需情況逐步改善，存儲周期有望見底。半導體存儲行業遵循3-4 年一個周期循環，本輪周期于 2020 年開始，受經濟下行影響導致下游需求持續低迷，庫存壓力較大且產品價格持續走低，當前存儲行業正處于下行階段

5、。隨著頭部存儲供應商已經啟動減產，整體來看 DRAM 和 NAND Flash 產品均價跌幅呈現逐漸收斂態勢，疊加下半年季節性需求支撐，行業供需情況逐步改善，存儲周期有望在 23H2 觸底。國家網信辦對美光開展網絡安全審查，國家網信辦對美光開展網絡安全審查，進一步推動進一步推動國產存儲國產存儲器產業鏈發器產業鏈發展。展。2023 年 3 月，國家網信辦發布消息，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家安全，對美光科技在華銷售的產品實施網絡安全審查。經審查發現，美光科技的產品存在較嚴重網絡安全隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，按照相關規定，國

6、內關鍵信息基礎設施運營者應停止采購美光科技的產品。我們認為，此次審查事件彰顯出國家對半導體安全可控以及信創工程的高度重視，將進一步推動國產存儲器產業鏈發展。證券研究報告 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 2/37 投資建議：投資建議：存儲芯片具有大宗商品屬性，其價格受市場供需情況波動，由于宏觀經濟下行導致下游需求走弱，疊加產業鏈庫存水位高企，DRAM和 NAND Flash 產品均價自 22Q2 起開始迅速下探，部分存儲產品已跌破現金成本價。同時，觀察海外頭部廠商最新經營數據，各大存儲芯片廠商的業績

7、均受到較大沖擊，海力士和美光在凈利潤端均錄得不同程度的虧損。為了應對行業下行周期，頭部存儲供應商陸續開啟產能管控，一貫不減產的三星也加入到控產隊列，各大存儲芯片廠商正通過減產、優化組織結構等一系列手段來緩解庫存和業績壓力，加上下半年季節性需求支撐，存儲產業鏈供需情況有望逐步改善，盡管供應商全年庫存仍未恢復至健康水平，但整體來看 DRAM 和 NAND Flash 產品均價跌幅已呈現逐漸收斂態勢，根據TrendForce 數據，預計 2023 年第三季度 DRAM均價跌幅將環比收縮至 0-5%區間，而 NAND Flash 均價跌幅環比收縮至 3-8%區間。另外，從美光 FY23Q3 財報來看，

8、截至 23 年 6 月 1 日盡管美光依舊虧損 19 億美元，但是較上一季度虧損有所收窄，營業利潤率也出現改善跡象，其 FY23Q4 業績指引預計公司業績將逐步修復。以此同時，海力士最新財報顯示，FY23Q2 公司營業收入環比增加 44%至 7.3 萬億韓元，其毛利率和營業利潤率均出現環比改善趨勢。結合存儲芯片行業 3-4 年周期循環規律，我們認為供應端的邊際改善有望率先成為當前修復行業景氣的關鍵因素，短期來看存儲行業正處于下行周期尾聲，有望在 23H2 觸底，中長期來看，美光在華銷售產品受網絡安全審查，產業鏈自主可控主題將持續深化，國產存儲產業鏈企業將受益，推薦全球 NOR Flash 龍頭

9、兆易創新，建議關注國內車載存儲領先企業北京君正、內存接口龍頭瀾起科技、國內存儲模組龍頭江波龍、國內 SLC NAND 龍頭聚辰股份和全球領先 EEPROM供應商東芯股份。風險提示：風險提示：1）國產化替代不及預期風險：國產化替代是行業主旋律，若落地推進速度放緩，可能對產業鏈公司的業績拓展帶來不利影響；2）下游終端需求復蘇不及預期風險：存儲賽道長期處于低迷狀態，若需求復蘇節奏放緩，可能導致行業低位狀態難以擺脫；3）國內廠商對先進技術的研發進程不及預期風險：技術先進性是產業鏈相關標的競爭力的源泉，若其先進技術的創新研發遇到瓶頸，可能導致下游高端市場需求難以滿足。股票簡稱股票簡稱 股票代碼股票代碼

10、收盤價（收盤價（元）元）市值（億元）市值（億元）EPS（元）（元）PE（倍）（倍）評級評級 2023/8/15 2023/8/15 2022A 2023E 2024E 2025E 2022A 2023E 2024E 2025E 兆易創新 603986.SH 97.75 651.90 3.08 2.70 3.80 5.00 31.7 36.2 25.7 19.6 推薦 北京君正 300223.SZ 76.80 369.85 1.64 1.81 2.42 3.04 46.9 42.5 31.7 25.2 未評級 瀾起科技 688008.SH 51.15 582.09 1.14 0.97 1.68

11、2.23 44.8 52.5 30.4 23.0 未評級 江波龍 301308.SZ 76.51 315.88 0.18 0.63 1.32 1.89 433.9 122.0 58.0 40.6 未評級 聚辰股份 688123.SH 51.99 81.99 2.24 3.22 4.33 5.16 23.2 16.1 12.0 10.1 未評級 東芯股份 688110.SH 31.99 141.48 0.42 0.54 0.84 1.22 76.3 58.9 38.2 26.3 未評級 備注：Wind、平安證券研究所；未覆蓋公司盈利預測采用 Wind 一致預測 3VtU2WTXhZzW9P9R7

12、NnPqQpNmPkPrRwOeRrQsNbRmNoOvPnRwPvPrNmR 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 3/37 正文目錄正文目錄 一、一、半導體存儲：半導體存儲：數字經濟的底盤，數字經濟的底盤，集成電路第二大市場集成電路第二大市場.6 1.1 歷經半個世紀發展演進，半導體存儲成為主流技術.6 1.2 存儲市場空間廣闊，海外廠商高度壟斷.7 1.3 供需情況持續改善，存儲周期有望見底.10 二、二、DRAM 和和 NAND 主導市場，主導市場，NOR Flash 聚焦利基領域聚焦利基領域.

13、12 2.1 DRAM：技術演進以制程推進為主，頭部廠商向 10nm 制程逼近.13 2.2 NAND FLASH：3D NAND 成主流發展趨勢，堆疊層數突破 200 層.15 2.3 NOR FLASH：汽車、工業需求持續增長，國產廠商處于領先位置.18 三、三、手機為存儲需求最大來源，服務器成存儲位元增速主驅手機為存儲需求最大來源，服務器成存儲位元增速主驅.18 3.1 服務器：存儲位元增速主要驅動力，AI浪潮帶動出貨量提升.18 3.2 手機：行業進入存量替換階段，單機存儲需求仍有提升空間.20 3.3 PC：需求持續走弱，出貨量不斷下探.22 四、四、行業重點公司行業重點公司.24

14、4.1 三星電子：全球最大存儲芯片供應商，市場份額長年穩居首位.24 4.2 SK 海力士：全球知名存儲龍頭，AI存儲領域先行者.25 4.3 美光科技：全球最大存儲芯片供應商之一，研發技術優勢市場突出.26 4.4 兆易創新：全球 NOR Flash 龍頭，利基型 DRAM 拓展有序.27 4.5 北京君正：國內車載存儲龍頭，持續加強新品開拓.29 4.6 瀾起科技：內存接口芯片龍頭，研發取得實質性突破.30 4.7 江波龍：國內存儲模組龍頭，產品矩陣持續擴充.31 4.8 深科技：國內存儲芯片封裝龍頭，封測產能逐步攀升.32 4.9 聚辰股份：全球領先 EEPROM 供應商，SPD、EEP

15、ROM 產品持續放量.33 4.10 東芯股份：國內 SLC NAND 龍頭，切入車載打開成長空間.34 五、五、投資建議投資建議.35 六、六、風險提示風險提示.36 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 4/37 圖表目錄圖表目錄 圖表 1 存儲媒介發展歷程.6 圖表 2 半導體存儲分類.7 圖表 3 半導體存儲產業鏈.7 圖表 4 2011-2023 年全球存儲芯片市場規模情況.8 圖表 5 2021-2023 年全球 DRAM 市場規模.8 圖表 6 2021-2023 年全球 NAND Fla

16、sh 市場規模.8 圖表 7 全球 DRAM 下游應用分布（按出貨量）.9 圖表 8 全球 NAND Flash 下游需求分布（按出貨量）.9 圖表 9 2022 年全球 DRAM 市場份額情況.9 圖表 10 2022 年全球 NAND Flash 市場份額情況.9 圖表 11 2012-2023 年集成電路及細分領域市場規模增速情況.10 圖表 12 12Q1-23Q2 海力士和美光單季度營收增速和營業利潤率情況.11 圖表 13 全球 DRAM 資本支出情況（億美元）.11 圖表 14 全球 NAND Flash 資本支出情況（億美元）.11 圖表 15 2012-2022 年海力士和美

17、光存貨情況.12 圖表 16 12Q1-23Q2 海力士和美光存貨同比增速情況.12 圖表 17 23Q1-23Q3 DRAM 及 NAND Flash 產品價格環比跌幅預測.12 圖表 18 DRAM 芯片內部結構.13 圖表 19 DDR1-DDR5 主要指標比較.13 圖表 20 HBM 內部結構.14 圖表 21 HBM 與 GDDR5 對比.14 圖表 22 存儲廠商 DRAM 技術路線圖.14 圖表 23 NAND Flash 內部結構.15 圖表 24 不同類型 NAND Flash 技術特點.16 圖表 25 3D NAND 內部結構圖.16 圖表 26 2D NAND 與 3

18、D NAND 的比較.16 圖表 27 存儲廠商 3D NAND 技術路線圖.17 圖表 28 SK 海力士 4D NAND 發展路線圖.17 圖表 29 4D NAND 與 3D NAND 的比較.17 圖表 30 2021 年全球 NOR Flash 市場規模.18 圖表 31 2021 年全球 NOR Flash 市場份額.18 圖表 32 2018-2023 年全球服務器出貨量情況.19 圖表 33 2022-2024 年全球服務器 DRAM 季度需求量情況.20 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深

19、度報告 5/37 圖表 34 2022-2024 年全球企業級 SSD 季度需求量情況.20 圖表 35 22Q1-23Q1 全球智能手機季度出貨量情況.21 圖表 36 不同階段智能手機存儲方案.21 圖表 37 2022-2024 年全球手機 DRAM 季度需求量情況.22 圖表 38 2022-2024 年全球手機 NAND 季度需求量情況.22 圖表 39 21Q1-23Q1 年全球 PC 季度出貨量情況.23 圖表 40 2022-2024 年全球 PC DRAM 季度需求量情況.23 圖表 41 2022-2024 年全球 PC NAND 季度需求量情況.24 圖表 42 三星 D

20、RAM 發展路線圖.24 圖表 43 三星 V-NAND 發展路線圖.25 圖表 44 2022 年 SK 海力士科技創新成就.26 圖表 45 22Q1-23Q2 海力士季度經營業績情況.26 圖表 46 22Q1-23Q3 美光科技季度經營業績情況.27 圖表 47 兆易創新為全球 NOR Flash 龍頭企業.28 圖表 48 兆易創新車規產品累計出貨一億顆.28 圖表 49 兆易創新推出 DRAM 利基市場產品.28 圖表 50 2018-2022 年兆易創新經營業績情況.28 圖表 51 2018-2022 年兆易創新研發費用情況.28 圖表 52 北京矽成（ISSI）主營存儲產品.

21、29 圖表 53 2018-2022 年北京君正經營業績情況.29 圖表 54 2022 年北京君正營收構成.29 圖表 55 瀾起科技主營業務.30 圖表 56 2018-2022 年瀾起科技經營業績情況.30 圖表 57 2018-2022 年瀾起科技研發費用情況.30 圖表 58 江波龍發展歷程.31 圖表 59 2018-2022 年江波龍營收結構變化情況（億元）.32 圖表 60 2020-2022 年深科技存儲半導體業務營收情況.33 圖表 61 2022 年公司 EEPROM 產品實現快速增長（億元）.34 圖表 62 2018-2022 年東芯股份營收結構變化情況（億元）.35

22、 圖表 63 重點公司盈利預測與評級.35 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 6/37 一、一、半導體存儲：數字經濟的底盤，集成電路第二大市場半導體存儲：數字經濟的底盤，集成電路第二大市場 1.1 歷經半個世紀發展演進歷經半個世紀發展演進，半導體存儲成為主流技術半導體存儲成為主流技術 在 5G、AIOT、云計算等新興戰略產業的快速發展帶動下，信息數據呈現爆發式增長，數據規模從原來的 GB、TB、PB 上升到 EB、ZB 級，存儲器作為信息數據的存儲媒介，在國家大力發展數字經濟的背景下，其重要性不言而

23、喻，半導體存儲作為當前主流存儲技術，在經歷了半個世紀的發展后，形成了以 DRAM 和 NAND 為主的產品構成格局。1966 年 IBM 發明的 DRAM 標志著半導體存儲時代的開啟，在行業發展的早期，市場主要以 DRAM 產品為主，當時單顆芯片容量僅為 1Kb，現在已擴容至 16GB 以上，DRAM 存儲技術已發展超過半個世紀，技術創新主要以制程推進為主。另一方面，1980 年代初入市場的 NAND Flash 只有 4Mb 容量，發展至今單芯片可達 1.33Tb，Flash 存儲技術已發展 40 余年，由 2D NAND 向 3D NAND 技術路徑演進。圖表圖表1 存儲媒介發展歷程存儲媒

24、介發展歷程 資料來源：中科院軟件研究所，dreamstime，三星，平安證券研究所 半導體存儲也稱為存儲芯片，根據數據存儲原理的不同，半導體存儲器可以分為隨機存儲器（半導體存儲也稱為存儲芯片，根據數據存儲原理的不同，半導體存儲器可以分為隨機存儲器（RAM）和只讀存儲器（）和只讀存儲器（ROM）。）。RAM 是與 CPU 直接交換數據的內部存儲器，可隨時進行數據讀寫且速度較快，斷電后保存數據會丟失，是易失性存儲器，通常用作操作系統或者其他運行中程序的臨時數據存儲介質；ROM 是一種只能讀取事先所存數據的存儲器，斷電后也能保存數據，是非易失性存儲器，常用于存儲各種固定程序和數據。RAM 可進一步細

25、分為靜態隨機存儲器（可進一步細分為靜態隨機存儲器（SRAM）和動態隨機存儲器（）和動態隨機存儲器（DRAM）。）。相較于 DRAM，SRAM 讀寫速度非?？?，但價格較高，通常用作計算機中的高速緩沖存儲器，即 CPU、GPU 中內部 L1/L2 緩存或外部 L2 高速緩存，容量只有幾十 Kb 至幾十 Mb。DRAM 常用于計算機中的主存儲器，由于結構簡單成本相對較低，且容量可達 16GB，作為系統內存具有很高的性價比優勢。ROM根據內容寫入方式可分為根據內容寫入方式可分為 PROM、EPROM、OTPROM、EEPROM和和 Flash 等。等。Flash 又稱閃存，是現階段主流存儲器，擁有電子

26、可擦除可編程的特點，在斷電的環境下也能保證數據的保存完整性，成本低且密度大，廣泛應用于嵌入式系統中。Flash 又可進一步劃分為 NAND Flash 和 NOR Flash，NAND Flash 是市場主流 Flash 存儲產品，寫入和擦除的速度快，存儲容量大，是高數據存儲密度的理想解決方案；相較于 NAND Flash，NOR Flash 可以直接在Flash 閃存內運行應用程序，容量較小，讀取速度快，主要應用于功能手機、TWS等小容量代碼存儲。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 7/37 圖表圖

27、表2 半導體存儲分類半導體存儲分類 資料來源：平安證券研究所 半導體存儲產業鏈與邏輯芯片行業略有不同。半導體存儲產業鏈與邏輯芯片行業略有不同。由于半導體存儲的布圖設計與晶圓制造的技術結合更為緊密，半導體存儲頭部晶圓廠主要采用 IDM 模式經營，同時，半導體存儲器的核心功能在于數據存儲，所有信息數據均保存在存儲晶圓中，存儲晶圓標準化程度高，在晶圓完成制造后，后續仍需大量應用技術以實現從標準化存儲晶圓到具體產品的轉化。圖表圖表3 半導體存儲產業鏈半導體存儲產業鏈 資料來源：江波龍招股書，平安證券研究所 1.2 存儲市場空間廣闊，海外廠商高度壟斷存儲市場空間廣闊，海外廠商高度壟斷 請通過合法途徑獲取

28、本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 8/37 半導體存儲是集成電路產業占比第二半導體存儲是集成電路產業占比第二大大的核心細分行業。的核心細分行業。存儲芯片作為現代信息產業應用最為廣泛的電子器件之一，在 5G、云計算以及 AI 等新興產業快速發展背景下，其重要程度與日俱增，具備廣闊的市場空間，根據 WSTS 數據，2022 年全球集成電路市場總規模約為 4799.9 億美元，其中，存儲芯片市場規模約為 1344.1 億美元，占比 28%位居第二，僅次于邏輯芯片。圖表圖表4 2011-2023 年全球存儲芯片市場規模情況年

29、全球存儲芯片市場規模情況 資料來源：WSTS，平安證券研究所 DRAM 和和 NAND Flash 共同主導半導體存儲市場。共同主導半導體存儲市場。根據Yole 數據，以市場規模作為統計口徑，2022 年全球半導體存儲市場中 DRAM 占比達 56%，NAND Flash 占比達 41%，是整個存儲市場中最重要的兩個細分品類，NOR Flash 則以 2%的市場占比位居第三位。同時，根據 TrendForce 統計數據，2022 年全球 DRAM 市場規模達 801 億美元，同比-16%，預計 2023年將同比下降 40%至 482 億美元；NAND Flash 方面，2022 年全球市場規模

30、達 600 億美元，同比-12%，預計 2023 年將同比下降 23%至 464 億美元。圖表圖表5 2021-2023 年全球年全球 DRAM 市場規模市場規模 圖表圖表6 2021-2023 年年全球全球 NAND Flash 市場規模市場規模 資料來源：TrendForce，平安證券研究所 資料來源：TrendForce，平安證券研究所 -40%-20%0%20%40%60%80%020040060080010001200140016001800全球存儲芯片市場規模（億美元）存儲芯片同比增速-60%-40%-20%0%20%40%60%02004006008001000全球DRAM市場規

31、模（億美元）同比-40%-20%0%20%40%02004006008001000全球NAND Flash市場規模（億美元）同比 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 9/37 手機、服務器和手機、服務器和 PC是存儲是存儲出貨出貨的主要驅動力。的主要驅動力。DRAM 方面，在 5G、云計算、AI的帶動下，服務器 DRAM 占比逐年提高，預計將于 2023 年反超手機成為 DRAM 第一大應用終端。與此同時，主要應用在服務器端的 eSSD 對存儲的需求也同樣呈現持續增長趨勢，預計 2023 年將成為 N

32、AND Flash 市場僅次于手機的第二大需求終端。圖表圖表7 全球全球 DRAM 下游應用分布（按出貨量）下游應用分布（按出貨量）圖表圖表8 全球全球 NAND Flash 下游需求分布下游需求分布（按出貨量）（按出貨量）資料來源：TrendForce，平安證券研究所 資料來源：TrendForce，平安證券研究所 海外廠商高度壟斷，競爭格局趨于穩定。海外廠商高度壟斷，競爭格局趨于穩定。在經歷了一系列并購整合之后，當前全球半導體存儲市場形成以三星為代表的韓國廠商為主，歐美地區廠商為輔的整體競爭格局。其中，DRAM 市場集中度更高，主要被三星、SK 海力士以及美光三家海外廠商所壟斷，CR3 高

33、達 95%；NAND Flash 方面，三星依舊處于領先位置，鎧俠、西部數據、SK 海力士和美光四者的市場份額相差不大，CR5 達 90%。圖表圖表9 2022 年全球年全球 DRAM 市場市場份額情況份額情況 圖表圖表10 2022 年全球年全球 NAND Flash 市場份額情況市場份額情況 資料來源：TrendForce，平安證券研究所 資料來源：TrendForce，平安證券研究所 存儲內需龐大但自給率低，國產廠商正逐步崛起。存儲內需龐大但自給率低，國產廠商正逐步崛起。近些年，在國家產業政策以及國家大基金的資本扶持下，以長江存儲、長鑫存儲、兆易創新等為代表的國產存儲廠商逐步崛起，實現了

34、從 0 到 1 的突破。其中，長江存儲重點在 NAND Flash 領域發力，于 2017 年成功研制出國內第一顆 3D NAND 閃存芯片，并在 2020 年成功研發 128 層 3D NAND 閃存產品；長鑫存儲則重點攻克 DRAM，于 2019 年實現 8Gb DDR4 投產，目前已在合肥、北京完成 12 英寸晶圓廠建廠并投產；2022 年兆易創新在 NOR Flash 市場市占率已排至全球第三、中國大陸第一。0%20%40%60%80%100%手機服務器PC其他0%20%40%60%80%100%手機PC SSD企業級SSDUFD/儲存卡游戲機其他三星SK海力士美光其他三星鎧俠西部數據

35、SK海力士美光其他 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 10/37 1.3 供需情況持續改善，存儲周期有望見底供需情況持續改善，存儲周期有望見底 存儲與集成電路整體周期呈現強關聯關系。存儲與集成電路整體周期呈現強關聯關系。存儲芯片具備大宗商品特性，其價格受市場供需情況波動，且存儲屬于標準化產品，產品可替代性強，加上當前整個存儲行業已形成壟斷格局，頭部廠商在產能和定價方面調整步調相對一致，因此存儲行業彈性更大，在 2017 年半導體上行周期中，存儲芯片同比增速突破 60%，大幅領先其他細分領域，而 20

36、19 年半導體周期向下時，存儲芯片同比跌幅同樣明顯大于其他細分領域。存儲芯片存儲芯片周期性強于其他半導體細分行業周期性強于其他半導體細分行業，且往往遵循，且往往遵循 3-4年一個周期循環，回顧近十年，存儲芯片主要經歷了三輪周期。年一個周期循環，回顧近十年，存儲芯片主要經歷了三輪周期。1）第一輪周期（第一輪周期（2012-2015 年）：年）：此輪的周期上行主要受智能手機需求爆發所影響，當時手機行業處于功能機向智能機轉換階段，智能機的滲透加速帶動了手機整體的出貨增長，同時也帶動了存儲芯片需求的提升；而此輪的周期下行主要因為各大頭部廠商的新增產能逐步落地，市場供大于求導致價格下跌。2）第二輪周期（

37、第二輪周期（2016-2019 年）：年）：此輪周期上行一方面由于頭部廠商將產能轉移至 3D NAND，導致 DRAM供應不足出現提價，另一方面，安卓手機廠商為提升產品競爭力逐步提升內存和存儲空間；后由于 PC、服務器等下游需求疲軟，市場整體再次呈現供過于求的情形，存儲芯片再次步入下行周期。3）第三輪周期（第三輪周期（2020年年-至今）：至今）：本輪存儲周期始于 2020 年，在疫情背景下，居家活動時長的增加帶動了PC 和服務器的需求提升，相應促進了存儲需求的增長，并在 2021 年到達本輪周期的頂峰，后續由于地緣政治沖突、疫情持續反復以及部分下游需求疲軟，導致存儲芯片價格開始下行。結合存儲

38、芯片周期性規律，考慮到當前頭部廠商已經開始進行產能控制以及資本支出調整，市場供需平衡迎來改善，加上 AI 和汽車領域帶來的市場增量需求，我們預計本輪存儲周期有望于 23H2 期間觸底。圖表圖表11 2012-2023 年集成電路及細分領域市場規模增速情況年集成電路及細分領域市場規模增速情況 資料來源：WSTS，平安證券研究所 由于存儲行業的競爭格局集中度高，因此頭部廠商的業績變化與整個行業周期同樣存在較強的關聯性。由于存儲行業的競爭格局集中度高，因此頭部廠商的業績變化與整個行業周期同樣存在較強的關聯性。受存儲行業周期下行影響，各大存儲芯片廠商的業績均受到較大沖擊，三星、海力士和美光在凈利潤端均

39、錄得不同程度的虧損。從美光 FY23Q3財報來看，截至 23 年 6 月 1 日盡管美光依舊虧損 19 億美元，但是較上一季度虧損有所收窄，營業利潤率也出現改善跡象，其 FY23Q4 業績指引預計公司業績將逐步修復；另外，在 AI 服務器需求高增長情況下，FY23Q2 海力士營收環比+44%，請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 11/37 其毛利率和營業利潤率均出現環比改善趨勢。整體來看，各大存儲芯片廠商正通過減產、優化組織結構等一系列手段來緩解業績壓力，我們認為當前存儲行業下行周期已接近尾聲，供應端

40、的邊際改善有望率先成為當前修復行業景氣的關鍵因素。圖表圖表12 12Q1-23Q2 海力士和美光單季度營收增速和營業利潤率情況海力士和美光單季度營收增速和營業利潤率情況 資料來源：Wind，平安證券研究所；（由于美光財季時間不同，將美光數據前置一個季度用于同業比較）當前存儲處于下行周期，頭部廠商紛紛縮減資本開支。當前存儲處于下行周期，頭部廠商紛紛縮減資本開支。由于存儲產品具備標準化程度高、同類產品可替代性強等特征，因此產能提升成為各大廠商搶占市場份額的重要手段，存儲廠商的資本支出占總營收約 30%-50%，屬于重資產行業。從存儲龍頭的歷史資本開支情況來看，在行業上行時期頭部廠商往往會加大資本開

41、支來提升產能，待新增產能落地后又會出現供過于求的情形，導致存儲價格下探并進入下行周期，頭部廠商則通過縮減資本開支以及產能等手段來改善市場供需情況。為了應對當前存儲行業的下行周期，頭部廠商紛紛縮減 2023 年資本開支，除三星未出現明顯下調之外，海力士和美光均大幅縮減DRAM 和 NAND Flash 的資本開支，縮減幅度在30%-50%之間。圖表圖表13 全球全球 DRAM 資本支出情況（億美元）資本支出情況（億美元）圖表圖表14 全球全球 NAND Flash 資本支出情況（億美元）資本支出情況（億美元）資料來源：Omdia，平安證券研究所 資料來源：Omdia，平安證券研究所 頭部存儲廠商

42、的庫存水位對判斷存儲周期變化具有重要意義。頭部存儲廠商的庫存水位對判斷存儲周期變化具有重要意義。從存貨同比增速來看，海力士和美光在 22H2 已經見頂，在采取積極減產措施后，兩家頭部企業的存貨增速開始下探。另外，在美光 23Q3 業績說明會上，公司表示減產措施對公司的庫-100%-50%0%50%100%150%海力士-營收同比增速美光-營收同比增速海力士-營業利潤率美光-營業利潤率020406080100120140160SamsungSK hynixMicron020406080100120140SamsungMicronSK hynix2D NAND 3D NAND 請通過合法途徑獲取本

43、公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 12/37 存去化帶來了積極影響，其客戶端的庫存水位正在逐步改善，PC 和智能手機領域大多數客戶的庫存已接近正常水平，數據中心的客戶庫存也在持續去化，有望在年底恢復至健康水平。圖表圖表15 2012-2022 年海力士和美光存貨情況年海力士和美光存貨情況 圖表圖表16 12Q1-23Q2 海力士和美光存貨同比增速情況海力士和美光存貨同比增速情況 資料來源：Wind，平安證券研究所 資料來源：Wind，平安證券研究所（由于美光財季時間不同，將美光數據前置一個季度用于同業比較）存儲廠商存儲

44、廠商陸續陸續減產，均價跌幅逐步收窄。減產，均價跌幅逐步收窄。自 22Q2 開始存儲產品價格一路下探，甚至部分存儲產品在 23H1 已跌破現金成本價，為了應對行業周期下行，頭部存儲供應商陸續開啟產能管控，一貫不減產的三星也加入到控產隊列，加上下半年季節性需求支撐，存儲產業鏈供需情況逐步改善，盡管供應商全年庫存仍未恢復至健康水平，但整體來看 DRAM 和 NAND Flash產品均價跌幅已呈現逐漸收斂態勢，根據 TrendForce 數據，預計 2023 年第三季度 DRAM 均價跌幅將環比收縮至 0-5%區間，而 NAND Flash 均價跌幅環比收縮至 3-8%區間。圖表圖表17 23Q1-2

45、3Q3 DRAM 及及 NAND Flash 產品價格產品價格環比環比跌幅預測跌幅預測 23Q2E 23Q3F DRAM PC DRAM DDR4：下跌 15-20%DDR5：下跌 13-18%混合均價：下跌 15-20%DDR4：下跌 3-8%DDR5：下跌 0-5%混合均價：下跌 0-5%服務器 DRAM DDR4：下跌 18-23%DDR5：下跌 13-18%混合均價：下跌 15-20%DDR4：下跌 3-8%DDR5：下跌 0-5%混合均價：下跌 0-5%手機 DRAM 下跌 13-18%LPDDR4X：下降 0-5%LPDDR5X with HKMG：上漲 0-5%DRAM 整體整體

46、 下跌下跌 13-18%下降下降 0-5%NAND Flash eMMC UFS consumer：下降 8-13%Mobile：下降 15-20%consumer：基本持平 Mobile：下降 8-13%Enterprise SSD 下跌 13-18%下降 5-10%Client SSD 下跌 15-20%下降 8-13%3D NAND Wafer（TLC&QLC）下降 8-13%上漲 0-5%NAND Flash 整體整體 下跌下跌 10-15%下降下降 3-8%資料來源：TrendForce，平安證券研究所 二、二、DRAM 和和 NAND 主導市場，主導市場，NOR Flash 聚焦利

47、基領域聚焦利基領域 020406080100120140海力士-存貨（億美元）美光-存貨（億美元）-50%0%50%100%150%海力士-存貨同比增速美光-存貨同比增速 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 13/37 2.1 DRAM：技術演進以制程推進為主，頭部廠商向技術演進以制程推進為主，頭部廠商向 10nm 制程逼近制程逼近 DRAM 作為 RAM 核心產品，通常用作 CPU 處理數據的臨時存儲裝置，主要應用于智能手機、PC、服務器等領域，隨著現代電子信息系統的存儲數據規模呈現指數級增長，DR

48、AM 器件的主流存儲容量不斷擴大，其市場規模也在不斷提升，根據Yole 數據，以市場規模作為統計口徑，2022 年 DRAM 產品在全球存儲芯片市場中占比達56%。圖表圖表18 DRAM 芯片內部結構芯片內部結構 資料來源：中國大學mooc，平安證券研究所 按照產品分類 DRAM 可以細分為 DDR、LPDDR、GDDR、HBM等。DDR（Double Data Rate SDRAM，雙倍速率同步動態隨機存儲器），雙倍速率同步動態隨機存儲器）主要應用于 PC 和服務器上，當前已經發展至第五代，每一代的升級主要體現在工作電壓越來越低、芯片容量越來越大、傳輸速率也越來越快。DDR5 于 2020

49、年上市，相較于 DDR4，DDR5 傳輸速度提升約 2 倍，同時耗電量降低約 20%，當前價格較高成為制約 DDR5 發展的主要因素，隨著產品單價和產能逐步達到市場要求，加上各大廠商的積極推動，DDR5 滲透率將進一步提升。圖表圖表19 DDR1-DDR5 主要指標比較主要指標比較 產品標準產品標準 DDR1 DDR2 DDR3 DDR4 DDR5 發布時間 2000 年 2003 年 2007 年 2012 年 2020 年 工作電壓 2.5V 1.8V 1.5V 1.2V 1.1V 顆粒容量 128Mb-1Gb 128Mb-4Gb 512Mb-8Gb 2Gb-16Gb 8Gb-64Gb 速

50、度（MT/s）200-400 400-800 800-2133 1600-3200 3200-6400 資料來源：全球半導體觀察，平安證券研究所 LPDDR（Low Power DDR，低功耗雙信道同步動態隨機存取內存），低功耗雙信道同步動態隨機存取內存）以低功耗和小體積著稱，主要應用于移動式電子產品。為了滿足智能手機等移動式電子產品在功耗和體積方面的需求，在 DDR 的基礎上誕生了 LPDDR，當前 LPDDR發展到 LPDDR5X，相較上一代標準，LPDDR5X性能提升同樣非常顯著，擁有更快的速率、更高的帶寬和更低的延遲。GDDR（Graphics DDR，繪圖用雙信道同步動態隨機存取內存

51、），繪圖用雙信道同步動態隨機存取內存）專門為高端顯示應用所打造，具備高帶寬、高延時特點，主要適配于類似顯示圖像這種需要大數據傳輸而對時延不敏感的場合，當前 GDDR 已發展至 GDDR6X。HBM（High Bandwidth Memory，高寬帶內存），高寬帶內存）是 3D DRAM的主要代表產品，采用硅通孔（TSV）技術將多個 DRAM芯片進行堆疊，并與 GPU 一同進行封裝，形成大容量、高位寬的 DDR 組合陣列，從而克服單一封裝內的帶寬限制。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 14/37 HB

52、M 內存性能優勢突出，當前已發展至 HBM3，ChatGPT的出現帶動了高性能存儲的需求，HBM 技術有望隨著人工智能浪潮得到快速發展。圖表圖表20 HBM 內部結構內部結構 圖表圖表21 HBM 與與 GDDR5 對比對比 資料來源：電子與封裝，平安證券研究所 資料來源：AMD，平安證券研究所 當前當前 DRAM技術演進路徑以制程推進為主技術演進路徑以制程推進為主，最新的最新的 1節點仍處于節點仍處于 10+nm階段階段。DRAM技術演進的本質主要為通過縮小制程來提高存儲密度，對于 DRAM 芯片來說，晶體管尺寸越來越小意味著芯片上集成的晶體管就越多，也就代表單片芯片存儲容量就越大。三星、S

53、K 海力士、美光在 2016-2017 年期間便進入了 1x（16nm-19nm）階段，2018-2019 年達到 1y（14nm-16nm）階段，2020 年為 1z（12nm-14nm）階段。各家行業龍頭繼續朝著 10nm 制程逼近，其中，2022 年三星公布將于 2023 年進入 1工藝階段，而美光開始向其客戶運送 1 DRAM產品樣品，率先進入 1節點。國內方面，長鑫存儲作為國產 DRAM 龍頭，2019 年實現 8Gb DDR4 產品投產。圖表圖表22 存儲廠商存儲廠商 DRAM 技術路線圖技術路線圖 資料來源：TechInsights，平安證券研究所 隨著隨著 DRAM 技術制程向

54、技術制程向 10nm 演進，演進，EUV 光刻技術成為未來生產光刻技術成為未來生產 DRAM 的必要選擇。的必要選擇?，F階段 DRAM 使用最成熟的仍是193nm 的 DUV 光刻技術，而 EUV 光刻機使用 13.5nm 波長，可以光刻出更加精準的圖案，在 14nm 制程后，由于 DUV 需 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 15/37 要使用多重曝光技術才能形成更細線寬的電路，采用 EUV 的經濟效益將會更加突出，與此同時，使用 EUV可以減少 4-5 道工序，能夠進一步降低生產成本。三星和 S

55、K 海力士分別在 2020 年和 2021 年就導入了 EUV 技術，而美光則繼續使用改良DUV 技術來生產 DRAM，預計于 2024 年采用 EUV。盡管盡管 EUV能夠克服當下難題，受限于物理極限和結構技術瓶頸，能夠克服當下難題，受限于物理極限和結構技術瓶頸，3D-DRAM概念應運而生。概念應運而生。NAND 閃存率先實現三維技術的突破，堆疊層數已突破 200 層，而當前 3D DRAM 技術仍處于探索當中，3D DRAM 主要通過將存儲單元堆疊至邏輯單元上方來實現存儲容量增加，其中 HBM 便是3D DRAM 最具代表性的產品。2.2 NAND FLASH：3D NAND 成主流發展趨

56、勢，堆疊層數突破成主流發展趨勢，堆疊層數突破 200 層層 NAND Flash 屬于非易失性存儲設備，基于浮柵晶體管設計，即使斷電存儲的數據也不會丟失，NAND Flash 作為當前低成本和大密度數據存儲的主要存儲解決方案，廣泛應用于智能手機、服務器、PC 等電子終端市場，根據 Yole數據，以市場規模作為統計口徑，2022 年 NAND 閃存產品在全球存儲芯片市場中占比達 41%。圖表圖表23 NAND Flash 內部結構內部結構 資料來源：PCEVA，平安證券研究所 根據存儲方式的不同，NAND Flash 又可分為SLC、MLC、TLC 和 QLC，對應存儲單元分別可存放 1、2、3

57、 和 4bit 的數據，存儲密度越大，其壽命越短且速度越慢，但容量越大成本越低。以SLC 和 QLC 為例，SLC 相對于其他類型 NAND 閃存顆粒單位容量成本更高，但其數據保存時間更長、讀取速度更快，反之，QLC 擁有較高的存儲密度且更低的成本，但是其壽命短、讀取速度慢，目前 NAND Flash 主要以TLC 為主。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 16/37 圖表圖表24 不同類型不同類型 NAND Flash 技術特點技術特點 資料來源：Micron，平安證券研究所 3D NAND 為為

58、NAND 技術技術的主流發展趨勢。的主流發展趨勢。在早期，NAND 閃存主要以 2D 平面形式存在，其擴展容量的原理主要通過在一個平面上將多個存儲單元進行拼接，存儲單元的數量越多，存儲容量就越大，隨著存儲芯片廠商將 2D NAND 的單元尺寸從120nm 微縮至 14nm 時，2D 結構在容量擴展方面的局限性開始顯現，其可靠性會隨著制程微縮進一步下降。為了克服 2D NAND 技術的自身缺陷，2007 年東芝（現在的鎧俠）提出了 3D NAND 結構的技術理念，3D NAND 主要通過在垂直堆棧中將多組存儲單元進行相互層疊，以實現存儲容量增加的目的，堆疊層數越高則意味著容量就越高。圖表圖表25

59、 3D NAND 內部結構圖內部結構圖 圖表圖表26 2D NAND 與與 3D NAND 的比較的比較 資料來源：應用材料，平安證券研究所 資料來源：海力士，平安證券研究所 2014 年三星率先推出業界首個 3D V-NAND 產品，經歷了近十年的發展后，垂直方向堆疊 3D NAND 層數成為各大 NAND廠商競爭的主要方向。其中，2022 年美光實現 232 層 NAND 閃存產品的出貨，三星也宣布開始量產 236 層 3D NAND 閃存芯片，鎧俠和西部數據預計將于 2023 年推出 218 層 3D NAND 閃存，SK 海力士則在 2023年展示了其最新 300 層 3D NAND產

60、品原型，預計將在 2024-2025 年期間上市。國內方面，長江存儲在 NAND 領域取得不斷突破，持續縮短與海外巨頭的差距，在 2020 年成功研發 128 層 3D NAND 閃存產品。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 17/37 圖表圖表27 存儲廠商存儲廠商 3D NAND 技術路線圖技術路線圖 資料來源：TechInsights，平安證券研究所 為了在 3D NAND 的基礎上進一步提高存儲容量，SK海力士推出了 4D NAND 技術，4D NAND 技術主要通過在 3D NAND中利用單

61、元下外圍（PUC）技術，在單元下方形成外圍電路，減少外圍電路所占面積，從而實現容量的增加和成本的降低，2022 年，SK 海力士宣布成功研發全球首款業界最高層數的238 層 4D NAND 閃存。圖表圖表28 SK 海力士海力士 4D NAND 發展路線圖發展路線圖 圖表圖表29 4D NAND 與與 3D NAND 的比較的比較 資料來源：海力士，平安證券研究所 資料來源：海力士，平安證券研究所 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 18/37 2.3 NOR FLASH：汽車、工業需求持續增長，國產

62、廠商處于領先位置：汽車、工業需求持續增長，國產廠商處于領先位置 雖然 NOR 和 NAND 都同屬于Flash產品，但是相較于 NAND Flash，NOR Flash 具有隨機訪問、可靠性強、讀取時間快和可執行代碼的優勢，因此 NOR Flash 在電子設備上常用于存儲以及運行代碼程序，而 NAND Flash 則是存儲大容量數據的理想選擇。NOR Flash 分為串行和并行，串行結構簡單且成本相對更低，隨著工藝的發展演進，串行 NOR 閃存逐步成為主要系統方案商的首選。由于終端電子產品存在內部指令執行和系統數據交換等功能的需要，以及汽車電子、5G 基站等部分下游對硬件可靠性要求較高，NOR

63、 Flash 芯片是必不可少的重要元器件，根據 IC Insights 數據，盡管 2021 年 NOR Flash 在全球存儲芯片市場占比僅約 2%，但得益于汽車、工業領域的需求增長，其銷售額實現同比增長 63%至 29 億美元。諸如三星、美光等全球閃存巨頭為了維持產品高毛利水平以及開拓更廣闊的市場，逐漸將產品重心聚焦于 NAND Flash 領域，因此國產 NOR Flash 芯片廠商迎來發展良機，2021 年中國臺灣華邦和旺宏分別以 35%和 33%的市占率占據全球第一、二位，國產 NOR 巨頭兆易創新則以 23%市場份額位列全球第三位。圖表圖表30 2021 年全球年全球 NOR Fl

64、ash 市場規模市場規模 圖表圖表31 2021 年全球年全球 NOR Flash 市場市場份額份額 資料來源：IC Insights，平安證券研究所 資料來源：IC Insights，平安證券研究所 1988 年，英特爾推出第一款商用 NOR Flash 產品，制程為 1.5m，隨后在 2005 年英特爾推出 65nm產品，近些年受汽車、工業以及可穿戴設備等下游需求增長的帶動，NOR Flash 需求逐步增長。NOR Flash 對先進節點要求不高，主流產品一般采用 55nm 和 65nm，當前最前沿的制程達到45nm，再進一步微縮將面臨巨大成本困難。3D 堆疊技術是存儲行業應對晶體管密度提

65、升與先進制程微縮高成本之間矛盾的首選方案，與 NAND Flash 相似，頭部 NOR廠商開始將主要精力和資源投入到 3D NOR Flash 的發展，但由于市場體量較小，3D NOR Flash 仍然處于起步階段，其中，旺宏計劃在 2025 年左右推出 3D NOR Flash，預計采用45nm 制程工藝。三、三、手機為存儲需求最大來源，服務器成存儲位元增速主驅手機為存儲需求最大來源，服務器成存儲位元增速主驅 3.1 服務器：存儲位元增速主要驅動力，服務器：存儲位元增速主要驅動力，AI 浪潮帶動出貨量提升浪潮帶動出貨量提升 2023 年全球服務器出貨量有望增加至年全球服務器出貨量有望增加至

66、1882 萬臺。萬臺。受益于大型云端數據中心的需求增加，加上供應鏈情況逐步改善，根據DIGITIMES 數據，2022 年全球服務器出貨量同比增加 6%至 1805 萬臺，在 AI 服務器的帶動下，預計 2023 年延續增長態勢，將同比增加 4%至 1882 萬臺。05101520253035全球NOR Flash市場規模（億美元）華邦旺宏兆易創新其他 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 19/37 圖表圖表32 2018-2023 年全球服務器出貨量情況年全球服務器出貨量情況 資料來源：DIGITI

67、MES，平安證券研究所 服務器單機存儲容量伴隨服務器硬件升級而同步提升。服務器單機存儲容量伴隨服務器硬件升級而同步提升。當前服務器市場由英特爾平臺為主導，其新一代服務器平臺Sapphire Rapids 支持 PCIe 5.0、CXL 1.1（Compute Express Link）和八通道 DDR5，在存儲業務場景下，相較上一代平臺每秒 I/O速度提升 1.7 倍，時延降低 45%，服務器的硬件性能升級將帶動 DRAM 和 NAND Flash 在單機搭載量和產品規格方面的整體提升。ChatGPT 的面世引爆了的面世引爆了 AI 熱潮，將進一步催生存儲硬件需求。熱潮，將進一步催生存儲硬件需

68、求。GPT-3 采用了大規模預訓練模型，因此需要大量的數據對模型進行訓練和調優，其預訓練數據量達 45Tb，參數量達 1750 億個，GPT 每一代的更新迭代在訓練數據量方面都有明顯提升，尤其是 GPT-4 作為多模態模型，將使用圖像、視頻等多媒體數據進行訓練，訓練數據量將遠超于 GPT3，因此將進一步催生對數據存儲的需求。AI 服務器的存儲需求量是傳統服務器數倍服務器的存儲需求量是傳統服務器數倍。在AI大浪潮時代下，諸如百度“文心一言”、阿里“通義千問”和華為“盤古大模型”等大模型平臺紛紛推出，將帶動AI服務器需求增長，根據 TrendForce 統計數據，2022 年全球搭載 GPGPU

69、的AI服務器出貨量占整體服務器比重達 1%，預計 2023 年出貨量將同比增加 8%，2022-2026 年 CAGR 為 10.8%。同時，根據美光測算，AI服務器的 DRAM 需求量是常規服務器的8 倍，NAND 需求量是常規服務器 3 倍。隨著 AI、云計算、大數據等新興技術的快速發展，以及未來服務器硬件性能的升級需求，服務器存儲的需求量整體呈現上升態勢，尤其是當前 AI技術的快速興起，進一步帶動高性能存儲需求，諸如 HBM 和 DDR5 等內存技術將迎來滲透加速。-4%0%4%8%12%0500100015002000全球服務器出貨量（萬臺）同比 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經

70、由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 20/37 圖表圖表33 2022-2024 年全球服務器年全球服務器 DRAM 季度季度需求量需求量情況情況 資料來源：Omdia，平安證券研究所 圖表圖表34 2022-2024 年全球企業級年全球企業級 SSD 季度需求量情況季度需求量情況 資料來源：Omdia，平安證券研究所 3.2 手機：手機：行業進入存量替換階段，單機存儲需求仍有提升空間行業進入存量替換階段，單機存儲需求仍有提升空間 智能手機處于存量替換階段，需求低迷出貨量承壓。智能手機處于存量替換階段，需求低迷出貨量承壓。根據 Count

71、erpoint 統計數據，23Q1 全球智能手機出貨量達 2.8 億部，同比-14%，環比-7%，主要受庫存調整、經濟下行導致需求低迷所影響。另一方面，盡管 2022 年全球智能手機出貨量同比下降 12%，但高端智能手機（售價600 美元以上）實現逆勢增長，同比+1%。30%32%34%36%38%40%050100150200250300服務器DRAM需求（億Gb）占整體DRAM比例10%20%30%40%0200400600800eSSD需求量（億GB）占整體NAND比例 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行

72、業深度報告 21/37 圖表圖表35 22Q1-23Q1 全球智能手機季度出貨量情況全球智能手機季度出貨量情況 資料來源：Counterpoint，平安證券研究所 智能手機存儲方案主要經歷了智能手機存儲方案主要經歷了 NAND MCPeMCPuMCP的發展的發展。隨著 5G 手機的滲透率不斷提升，AI、4K視頻錄制、多任務處理等需求也在相應增加，對手機存儲的容量和性能提出了更高的要求，當前 LPDDR5+UFS3.1 的組合已逐步成為市場旗艦手機的標配。圖表圖表36 不同階段智能手機存儲方案不同階段智能手機存儲方案 資料來源：CFM中國閃存市場，平安證券研究所 手機配置持續升級，帶動存儲需求位

73、元增加。手機配置持續升級，帶動存儲需求位元增加。近些年，隨著產品創新持續縮窄，配置堆料成為智能手機的主要更新迭代方式，除了 CPU 的持續升級，攝像功能成為各大廠商重點發力點，軟硬件升級方式層出不窮，單個照片/影片內存占比不斷增加，手機單機搭載容量也在相應不斷增加。以 iPhone 為例，2007 年發布的初代 iPhone 采用了 128Mb 的 LPDDR，最大存儲容量達 16Gb，而最新的 iPhone 14 Pro Max 采用的 LPDDR5 容量已達 6Gb，存儲容量最大可支持 1Tb。-12%-7%-2%3%8%250275300325350全球智能手機出貨量（百萬臺）環比 請通

74、過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 22/37 圖表圖表37 2022-2024 年全球手機年全球手機 DRAM季度季度需求需求量情況量情況 資料來源：Omdia，平安證券研究所 圖表圖表38 2022-2024 年全球手機年全球手機 NAND 季度需求量情況季度需求量情況 資料來源：Omdia，平安證券研究所 3.3 PC：需求持續走弱，出貨量不斷下探：需求持續走弱，出貨量不斷下探 需求持續走弱，出貨量不斷下探。需求持續走弱，出貨量不斷下探。早前PC 在疫情期間受居家活動時長增加影響，出現過階段性需求增

75、長，但由于庫存調整導致需求回升不及預期，根據 IDC 數據，23Q1 全球 PC 出貨量達 5690 萬臺，同比-29%，考慮到市場對 Chromebook 和Windows 11 的更新換機需求，預計 2024 年 PC 市場前景有望改善。26%28%30%32%34%36%050100150200250手機DRAM需求量（億Gb）占整體DRAM比例20%30%40%50%02004006008001000手機NAND需求量（億GB）占整體NAND比例 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 23/37

76、 圖表圖表39 21Q1-23Q1 年全球年全球 PC 季度出貨量情況季度出貨量情況 資料來源：IDC，平安證券研究所 PC 存儲需求增量主要來自單機搭載量提升。存儲需求增量主要來自單機搭載量提升。根據 Yole 數據，2020 年 PC 平均單機搭載 DRAM 容量在 10Gb 左右，2026年將增加至 18Gb，2020-2026 年 CAGR 為 10%；2020 年平均單機搭載 NAND Flash容量為 450Gb，預計 2026 年將超過1000Gb，2020-2026 年 CAGR 為 15%。圖表圖表40 2022-2024 年全球年全球 PC DRAM 季度需求量情況季度需求

77、量情況 資料來源：Omdia，平安證券研究所 -20%-15%-10%-5%0%5%10%0200040006000800010000全球PC出貨量（萬臺）環比10%11%12%13%14%15%0102030405060708090PC DRAM需求量（億Gb）占整體DRAM比例 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 24/37 圖表圖表41 2022-2024 年全球年全球 PC NAND 季度季度需求需求量情況量情況 資料來源：Omdia，平安證券研究所 四、四、行業重點公司行業重點公司 4.1

78、三星電子：全球最大存儲芯片供應商，市場份額長年穩居首位三星電子：全球最大存儲芯片供應商，市場份額長年穩居首位 三星電子作為全球領先的電子企業，業務涵蓋消費電子、IT和移動通信、設備解決方案等，尤其是在 DRAM 和 NAND Flash半導體存儲領域，三星電子長期穩居全球第一的位置，據 TrendForce 數據，2022 年三星在 DRAM和 NAND 市場全球市占率分別達 43%和 33%，是全球存儲芯片行業最核心的供應商。三星電子成立于 1969 年，于 1984 年開發了 256Kb DRAM，1992 年成功研發出世界首個 64Mb DRAM，1999 年開發出首款 1Gb NAND

79、 閃存，2013 年成功開發 3D V-NAND 技術，2018 年量產 LPDDR5 DRAM，當前三星的 10nm級工藝和極紫外光刻（EUV）技術已經開發出了大容量 512GB DDR5 內存模塊，同時，其第 8 代 V-NAND 內存層數已達 236 層，公司存儲技術處于全球領先位置。圖表圖表42 三星三星 DRAM 發展路線圖發展路線圖 資料來源：Forbes，平安證券研究所 10%15%20%25%30%0100200300400500600700PC NAND需求量（億GB）占整體NAND比例 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀

80、研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 25/37 圖表圖表43 三星三星 V-NAND 發展路線圖發展路線圖 資料來源：Forbes，平安證券研究所 在整個存儲芯片發展歷程中，三星電子通過多次逆向投資實現市場份額不斷提升。在整個存儲芯片發展歷程中，三星電子通過多次逆向投資實現市場份額不斷提升。早在 20 世紀 80 年代，在 DRAM市場低迷、價格迅速下跌時，英特爾 DRAM 業務虧損嚴重退出市場，日本企業也大幅縮減資本開支，而三星通過采用逆向投資，不斷擴大產能，促使其在 20 世紀 90 年代一舉成為全球第一大存儲芯片供應商；隨后在 1993 年全球半導體市場開始轉弱時，三星繼續采取逆周

81、期投資策略投資建設 8 英寸 DRAM 產線；2008 年，金融危機爆發導致 DRAM 價格崩盤，三星再次進行逆周期投資，大幅擴張存儲芯片業務，行業虧損也因此進一步加劇，導致后續幾年奇夢達和爾必達都相繼宣布破產，三星的龍頭地位得到持續夯實。4.2 SK 海力士：全球知名存儲龍頭，海力士：全球知名存儲龍頭，AI 存儲領域先行者存儲領域先行者 SK 海力士為全球領先的存儲龍頭企業，公司致力于生產 DRAM、NAND Flash 和 CIS 非存儲器為主的半導體產品，在韓國、中國無錫和重慶共設有四個生產基地，2022 年 SK 海力士以 28%市占率在全球 DRAM 市場排名第二，以 13%市場份額

82、在全球 NAND Flash 市場排名第四。1984 年 SK 海力士首次成功試產 16Kb SRAM，1999 年收購 LG半導體，2004 年成功研發 NAND Flash 產品，2013 年首次研發全球首款 TSV技術 HBM，2019 年成為業界首次成功研發出 128 層 4D NAND 的企業，現階段，SK 海力士成功開發出全球首款 12層堆疊的 HBM3 DRAM新產品，其 DDR5 采用了 EUV 光刻的 1nm技術，NAND 方面，2022 年公司成功研發 238 層 4D NAND 閃存，2023 年展示了其最新 300 層 3D NAND 產品原型，預計將在 2024-20

83、25 年期間上市。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 26/37 圖表圖表44 2022 年年 SK 海力士科技創新成就海力士科技創新成就 資料來源：海力士，平安證券研究所 FY23Q2 營收環比大增，短期凈利潤承壓。營收環比大增，短期凈利潤承壓。SK海力士發布 2023 財年第二季度財報，FY23Q2 公司實現營收 7.31 萬億韓元，同比-47%，環比+44%，營業利潤虧損 2.88 萬億韓元，凈利潤虧損 2.99 萬億韓元。分產品來看，DRAM 收入占比達 62%，位元增長率環比+30%，ASP

84、 實現環比個位數增長；NAND 收入占比達 30%，位元環比增長 50%，ASP 環比下降 10%。圖表圖表45 FY22Q1-FY23Q2 海力士海力士季度經營業績情況季度經營業績情況 資料來源：海力士官網，平安證券研究所 4.3 美光科技：全球最大存儲芯片供應商之一，研發美光科技：全球最大存儲芯片供應商之一，研發技術技術優勢市場突出優勢市場突出-6-303691215營業收入（萬億韓元）凈利潤（萬億韓元）請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 27/37 美光科技于 1978 年在美國創立，作為全球最

85、大的半導體存儲及影像產品制造商之一，其主營業務包括 DRAM、NAND 閃存、NOR 閃存、CMOS 圖像傳感器等，2022 年美光科技在全球 DRAM 市場以 25%市占率排名第三，在全球 NAND 市場以 12%市占率排名第五。美光于 1979 年便完成了 64K DRAM 的設計，并于 1981 年推出首款 64K DRAM 產品，1984 年推出世界上最小的 256K DRAM，2021 年美光推出業界首個 1節點 DRAM，2022 年公司開始向其客戶運送其 1節點 DRAM 產品樣品，率先進入1階段，其 EUV技術預計將于 2024 年使用。NAND 方面，公司于 2020 年 1

86、1 月便實現全球首款 176 層 3D NAND 量產，2022 年實現 232 層 NAND 產品出貨。FY23Q3 單季營收高于指引中值，毛利率環比改善。單季營收高于指引中值，毛利率環比改善。FY23Q3 單季度美光科技實現營收 37.5 億美元，同比-57%，環比+1.6%，盡管公司依舊虧損 19 億美元，但虧損幅度進一步收窄，公司 GAAP 毛利率為-17.8%，Non-GAAP毛利率為-16%，均高于Q2 原指引區間。拆分業務板塊來看，FY23Q3 公司 DRAM 業務實現營收 27 億美元，同比-57%，環比-2%，位元出貨量環比+10%，ASP 環比-10%；NAND 業務實現營

87、收 10 億美元，同比-56%，環比+14%，位元出貨量環比+30%，ASP環比下降 15%。展望 FY23Q4，公司預計營收將同比下滑 44%-38%至 37-41 億美元，GAAP 毛利率將環比改善至-15%至-10%區間，對應 Non-GAAP 毛利率為-13%至-8%。圖表圖表46 FY22Q1-FY23Q3 美光科技美光科技季度季度經營業績經營業績情況情況 資料來源：Wind，平安證券研究所 國家網信辦對美光科技開展網絡安全審查。國家網信辦對美光科技開展網絡安全審查。2023 年 3 月，國家網信辦發布消息，為保障關鍵信息基礎設施供應鏈安全，防范產品問題隱患造成網絡安全風險，維護國家

88、安全，對美光科技在華銷售的產品實施網絡安全審查。經審查發現，美光科技的產品存在較嚴重網絡安全隱患，對我國關鍵信息基礎設施供應鏈造成重大安全風險，按照相關規定，國內關鍵信息基礎設施運營者應停止采購美光科技的產品。本次審查事件將影響美光公司在中國市場的銷售，由于美國科技限制等原因，美光中國市場收入占總收入比例由 2018 年的 58%下降至 2022 年的 11%。我們認為，此次審查事件彰顯出國家對半導體安全可控以及信創工程的高度重視，將進一步推動國產存儲器產業鏈發展。4.4 兆易創新：全球兆易創新：全球 NOR Flash 龍頭，利基型龍頭，利基型 DRAM 拓展有序拓展有序 兆易創新（6039

89、86.SH）成立于 2005 年 4 月，總部設于北京，公司主營業務分為存儲器、微控制器和傳感器三大板塊，據公司官網顯示，公司在存儲領域公司是全球排名第一的無晶圓廠 Flash 供應商，在 NOR Flash 市場占有率全球第三、中國大陸第一，累計出貨量近 212 億顆。-40-20020406080100營業收入（億美元）凈利潤（億美元）請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 28/37 圖表圖表47 兆易創新為全球兆易創新為全球 NOR Flash 龍頭企業龍頭企業 資料來源：兆易創新，平安證券研究所

90、 NOR Flash 全球領先，全球領先，DRAM、NAND Flash拓展有序。拓展有序。公司 NOR Flash 技術和市場處于全球領先位置，512Kb-2Gb 全容量覆蓋市場不同需求，2022 年工業和汽車領域穩步提升，車規產品收入同比增加 80%，車規產品累計出貨量達 1 億顆，消費市場以中高端客戶為主；在 NAND Flash 方面，38nm 和 24nm兩種制程產品實現全面量產，容量覆蓋 1-8Gb，相關產品已通過車規級認證；DRAM 方面，公司積極切入DRAM 利基市場，并已量產 1X節點 DDR4、DDR3L 產品。圖表圖表48 兆易創新車規產品累計出貨一億顆兆易創新車規產品累

91、計出貨一億顆 圖表圖表49 兆易創新兆易創新推出推出 DRAM利基市場產品利基市場產品 資料來源：Wind，平安證券研究所 資料來源：Wind，平安證券研究所 多重因素導致業績階段性承壓，研發投入持續增加鞏固領先地位。多重因素導致業績階段性承壓，研發投入持續增加鞏固領先地位。受全球經濟下行、地緣政治沖突等多重因素影響，2022年公司實現營收 81 億元，同比減少 4.5%，其中，存儲芯片業務實現營收 48 億，占營收比例達 59%，歸母凈利潤 21 億元，同比減少 12%，盡管公司業績短期承壓，但其持續加大研發投入，2022 年公司研發費用達 9 億元，同比增加 11%，研發費用率達 12%，

92、公司技術人員占比約72%。圖表圖表50 2018-2022 年兆易創新經營業績情況年兆易創新經營業績情況 圖表圖表51 2018-2022 年兆易創新年兆易創新研發費用研發費用情況情況 資料來源：Wind，平安證券研究所 資料來源：Wind，平安證券研究所-50%0%50%100%150%200%020406080100營業收入（億元）歸母凈利潤（億元）營收同比歸母凈利潤同比0%5%10%15%20%0246810研發費用（億元）研發費用率 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 29/37 4.5 北京

93、君正：國內車載存儲龍頭，持續加強新品開拓北京君正：國內車載存儲龍頭，持續加強新品開拓 北京君正（300223.SZ）成立于 2005 年，主營產品包括微處理器芯片、智能視頻芯片、存儲芯片、模擬與互聯芯片，2020年公司完成對 ISSI及其子公司 Lumissil的并購成功切入車載存儲市場，根據 Omdia 統計，2022 年度公司SRAM、DRAM、NOR Flash 產品收入在全球市場中分別位居第二位、第七位、第六位，處于國際市場前列。車規產品開始放量，消費產品逐步落地。車規產品開始放量，消費產品逐步落地。存儲領域，公司 SRAM 產品品類豐富，從傳統的 Synch SRAM、Asynch

94、SRAM產品到行業前沿的高速 QDR SRAM 產品均擁有自主研發的知識產權；DRAM 方面，公司產品主要針對具有較高技術壁壘的專業級應用領域，產品容量覆蓋 16Mb-16Gb 多種規格，2022 年公司 8Gb LPDDR4 已開始送樣，新規格的 2G LPDDR2、4G LPDDR4 等產品實現量產；Flash 方面，公司已覆蓋 NOR Flash 和 NAND Flash 主流領域，2022 年公司車規 Flash 產品增長迅速，并持續向客戶提供各種容量的 NOR Flash 送樣，消費類市場的 NOR Flash 產品也逐漸開始落地。圖表圖表52 北京矽成北京矽成（ISSI）主營存儲產

95、品主營存儲產品 資料來源：ISSI，平安證券研究所 經營業績短期承壓，存儲業務成長可期。經營業績短期承壓，存儲業務成長可期。2022 年公司實現營收 54 億元，同比增加 3%，其中存儲業務收入 41 億元，同比增加 13%，占營收比重達 75%，歸母凈利潤 7.9 億元，同比下降 15%，主要受固定資產和無形資產折舊攤銷以及 22Q4 單季度計提存貨減值準備所影響。圖表圖表53 2018-2022 年北京君正經營業績情況年北京君正經營業績情況 圖表圖表54 2022 年年北京君正營收構成北京君正營收構成 資料來源：Wind，平安證券研究所 資料來源：Wind，平安證券研究所 01020304

96、05060營業收入（億元）歸母凈利潤（億元）存儲芯片智能視頻芯片模擬與互聯芯片微處理器芯片其他 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 30/37 4.6 瀾起科技：內存接口芯片龍頭，研發取得實質性突破瀾起科技：內存接口芯片龍頭，研發取得實質性突破 瀾起科技（688008.SH）成立于 2004 年，是國際領先的數據處理及互連芯片設計公司，致力于為云計算和人工智能領域提供高性能、低功耗的芯片解決方案，目前公司擁有互連類芯片和津逮服務器平臺兩大產品線。公司是全球可提供從 DDR2到 DDR5 內存全緩沖/半

97、緩沖完整解決方案的主要供應商之一，據公司 22 年年報，公司是全球可提供 DDR4 內存接口芯片的三家核心廠商之一，同時也是 DDR5 系列內存模組可提供完整的內存接口及模組配套芯片解決方案的全球兩家公司之一。圖表圖表55 瀾起科技主營業務瀾起科技主營業務 資料來源：瀾起科技，平安證券研究所 研發取得實質性突破，多款新品業界首發。研發取得實質性突破，多款新品業界首發。公司在多項產品的研發上取得重大進展，在業內首發多款產品。其中 2022 年 5月公司發布全球首款 CXL 內存擴展控制器芯片（MXC），并在業界率先試產 DDR5 第二子代 RCD 芯片，2022 年 9 月發布業界首款 DDR5

98、 第一子代時鐘驅動器（CKD）工程樣片，2022 年 12 月在業界率先推出 DDR5 第三子代 RCD 芯片的工程樣片。同時，公司在 PCIe SerDes IP 研發上取得重大進展，相關 IP 已應用在公司PCIe 5.0/CXL 2.0 Retimer 產品中。經營業績逆市增加，研發投入持續加大。經營業績逆市增加，研發投入持續加大。2022 年公司實現營收 37 億元，同比增加 43%，主要因為 DDR5 內存接口及模組配套芯片的出貨量實現大幅增長，歸母凈利潤 13 億元，同比增加 57%。同時，公司持續加大在關鍵技術領域的研發投入，2022 年研發費用為 6 億元，同比增加 52%，研

99、發費用率為 15%，研發技術人員占人數比例為 73%。圖表圖表56 2018-2022 年瀾起科技經營業績情況年瀾起科技經營業績情況 圖表圖表57 2018-2022 年年瀾起科技研瀾起科技研發費用情況發費用情況 資料來源：Wind，平安證券研究所 資料來源：Wind，平安證券研究所-40%0%40%80%120%010203040營業收入（億元）歸母凈利潤（億元）營收同比歸母凈利潤同比0%5%10%15%20%0123456研發費用（億元）研發費用率 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 31/37

100、4.7 江波龍：國內存儲模組龍頭，產品矩陣持續擴充江波龍：國內存儲模組龍頭，產品矩陣持續擴充 江波龍（301308.SZ）成立于 1999 年，主要從事 Flash 及 DRAM存儲器的研發、設計和銷售，擁有嵌入式存儲、移動存儲、固態硬盤及內存條 4條產品線，公司已經形成了以Foresee 品牌為載體的面向工業市場的產品矩陣及以 Lexar（雷克沙）品牌為載體的面向消費者市場的產品矩陣。據 CFM 數據，公司 2021 年 eMMCUFS 市占率為 6.5%，位列全球第六，國內第一。據 Omdia 數據，2021 年 Lexar 存儲卡/閃存盤在全球市場分別位列第二/第三。圖表圖表58 江波龍

101、發展歷程江波龍發展歷程 資料來源：江波龍招股書，平安證券研究所 分產品來看：（1）嵌入式存儲：）嵌入式存儲：公司嵌入式存儲包括 eMMC、UFS、ePOP、eMCP、SLC NAND 和 LPDDR 等。2022 年，公司的 UFS 2.2 和 UFS 3.1 產品已經開始量產，車規級 eMMC、UFS 已符合汽車電子行業核心標準體系AEC-Q100，同時，公司在中國大陸率先推出了自研的 512Mb SLC NAND Flash 小容量存儲芯片；（2）固態硬盤：）固態硬盤：公司 SSD 產品覆蓋 SATA和 PCIe 兩大主流接口，應用于筆記本、臺式機、一體機、視頻監控、網絡終端等領域，202

102、2 年公司發布了企業級 SSD，分別支持PCIe 4.0 和 SATA 3.2；（3）移動存儲：）移動存儲：公司旗下國際高端消費類存儲品牌 Lexar（雷克沙）專注專業影像存儲、移動存儲、個人系統存儲等領域，廣泛滿足全球消費者的存儲需求，推出多款旗艦產品，包括 2Tb CF Express 金卡、1Tb Micro SD PLAY 卡、CF Express 鉆石卡以及指紋識別閃存盤等；（4）內存）內存條：條：公司內存條產品線覆蓋 DDR4 及 DDR5 系列規格，產品容量包含 4GB 到 64GB，2022 年公司發布了企業級 DDR4 內存條產品，目前已通過部分客戶的合格供應商認證，并逐步實

103、現規?；慨a，同時也正在有序導入 DDR5 的 RDIMM 產品。2022 年存儲芯片行業整體承壓，公司年存儲芯片行業整體承壓，公司業績業績與行業發展趨勢基本吻合。與行業發展趨勢基本吻合。2022 年公司實現營收 83 億元，同比下降 15%，其中，嵌入式存儲業務同比下降 9%至 44 億元，移動存儲同比下降 8%至 20 億元，固態硬盤同比下降 28%至 15 億元，內存條降幅最大，同比下降 36%至 4 億元。2022 年公司實現歸母凈利潤 0.7 億元，同比下降 93%。請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行

104、業深度報告 32/37 圖表圖表59 2018-2022 年江波龍營收結構變化情況（億元）年江波龍營收結構變化情況（億元）資料來源：Wind，平安證券研究所 4.8 深科技：國內存儲芯片封裝龍頭，封測產能逐步攀升深科技：國內存儲芯片封裝龍頭，封測產能逐步攀升 深科技（000021.SZ）成立于 1985 年，總部位于深圳，主營業務分為存儲半導體業務、高端制造、計量智能終端，公司在高端存儲芯片（DRAM、NAND FLASH）封裝和測試領域擁有豐富的經驗和技術儲備，具備多種類型產品的封裝方案設計和分析能力，持續引進先進的封裝和測試設備，掌握行業領先的隱形切割研磨技術，能提供各類客制化的測試程序開

105、發和芯片特性分析服務。在存儲半導體業務，公司主要從事高端存儲芯片的封裝與測試，產品包括 DRAM、NAND FLASH 以及嵌入式存儲芯片，覆蓋 DDR3、DDR4、DDR5、LPDDR3、LPDDR4、LPDDR5 和 eMCP4 等具體產品。公司采用深圳、合肥半導體封測雙基地的運營模式，其中，2022 年合肥沛頓存儲已具備不同類型存儲芯片(DRAM、LPDDR4、LPDDR5、eSSD、eMMC)的 8層堆疊產品量產能力，已通過 ISO9001/14001/45001 等多項體系認證，并通過重點客戶 wBGA 以及 LPDDR 產品的封裝量產認證和主要客戶的終端用戶審核。2015 年深科技

106、通過收購金士頓在境內全資子公司沛頓科技，成功切入半導體封測領域。2022 年公司實現營收 161 億元，同比下降 2%，其中，存儲半導體業務實現營收 26.5 億元，同比-8%，占總營收比例達 16%，業務毛利率為 15.4%。2022 年公司實現歸母凈利潤 6.6 億元，同比下降 15%。020406080100120嵌入式存儲移動存儲固態硬盤內存條其他 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 33/37 圖表圖表60 2020-2022 年深科技存儲半導體年深科技存儲半導體業務業務營收情況營收情況 資

107、料來源：Wind，平安證券研究所 4.9 聚辰股份：全球領先聚辰股份：全球領先 EEPROM 供應商，供應商，SPD、EEPROM 產品持續放量產品持續放量 聚辰股份（688123.SH）成立于 2009 年上海，公司目前擁有 EEPROM、音圈馬達驅動芯片和智能卡芯片三條主要產品線,產品廣泛應用于智能手機、液晶面板、藍牙模塊、通訊、計算機及周邊、醫療儀器、白色家電、汽車電子、工業控制等眾多領域。根據 web-feet 統計，2019 年聚辰 EEPROM 產品的市場份額為國內首位、全球排名第三位。公司 EEPROM產品線包括 I2C、SPI和 Microwire 等標準接口系列的 EEPRO

108、M 產品，以及主要應用于計算機和服務器內存條的 SPD 產品。2022 年，公司通過自主研發的高能效電荷泵設計技術，推出全球首款 1.2V EEPROM CSP產品，率先通過高通平臺的測試認證，并成功導入多個終端項目實現量產，在車載領域，公司已擁有 A1 及以下等級的全系列汽車級 EEPROM 產品。同時，公司與瀾起科技合作開發新一代 DDR5 內存條SPD 產品，其 SPD 產品在 2022 年實現大批量供貨。業績高速增長，業績高速增長，SPD、EEPROM持續放量持續放量。2022 年公司實現營收 10 億元，同比增加 80%，主要受益于 DDR 內存模組換代升級，公司 SPD 產品以及應

109、用于汽車電子和工業控制的 EEPROM 產品實現銷量快速增長，其中，公司 EEPROM 產品實現營收 9 億元，同比+49%，產品毛利率由 2021 年的 40%提升至 2022 年的 71%。2022 年公司歸母凈利潤達 4 億元，同比+227%。研發投入方面，2022 年公司研發費用達 1.3 億元，同比+80%，占營收比例為 15%。14%15%16%17%18%05101520253035存儲半導體營收（億元）占營收比例 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 34/37 圖表圖表61 2022

110、年公司年公司 EEPROM 產品產品營收營收實現快速增長（億元）實現快速增長（億元）資料來源：Wind，平安證券研究所 4.10 東芯股份：國內東芯股份：國內 SLC NAND 龍頭，切入車載打開成長空間龍頭，切入車載打開成長空間 東芯股份（688110.SH）成立于 2014 年，總部位于上海，公司主要聚焦于中小容量 NAND/NOR/DRAM 芯片的研發、設計和銷售，產品廣泛應用于網絡通信、監控安防、消費類電子、工業與醫療等領域。公司設計研發的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均為我國領先的閃存芯片工藝制程，實現了國內閃存芯片的技術突破。公司 NAND Fla

111、sh 已具備 2xnm 制程的量產能力，其中公司 SLC NAND Flash產品具備品類豐富、功耗低以及可靠性高等特點，部分產品已通過 AEC-Q100 的驗證，憑借高可靠性被廣泛應用于通訊設備、安防監控、可穿戴設備及移動終端等領域，并且通過了聯發科、瑞芯微、國科微、博通等行業內主流平臺廠商的認證。另外，公司 SPI NOR Flash 存儲容量覆蓋64Mb-1Gb，支持多種數據傳輸模式，已經完成了從 65nm 至 48nm的制程推進，目前 512Mb、1Gb大容量 NOR Flash 產品都已有樣品可提供給客戶。DRAM 方面，公司可實現 25nm 制程的量產，自主設計研發的 LPDDR4

112、X及 PSRAM 產品均已完成工程樣片并已通過客戶驗證。2022 年公司實現營收 11 億元，同比增長 1%，其中，NAND 產品收入 7 億元（同比+7%），MCP 產品收入 2 億元（同比+26%），DRAM產品收入 0.8 億元（同比+3%），NOR 產品收入 0.7 億元（同比-62%）。2022 年公司實現歸母凈利潤 2億元，同比下降 29%。0%20%40%60%80%024681012EEPROM產品其他EEPROM產品毛利率 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 35/37 圖表圖表62

113、 2018-2022 年東芯股份營收結構變化情況（億元）年東芯股份營收結構變化情況（億元）資料來源：Wind，平安證券研究所 五、五、投資建議投資建議 存儲芯片具有大宗商品屬性，其價格受市場供需情況波動，由于宏觀經濟下行導致下游需求走弱，疊加產業鏈庫存水位高企，DRAM 和 NAND Flash 產品均價自 22Q2 起開始迅速下探，部分存儲產品已跌破現金成本價。同時，觀察海外頭部廠商最新經營數據，各大存儲芯片廠商的業績均受到較大沖擊，海力士和美光在凈利潤端均錄得不同程度的虧損。為了應對行業下行周期，頭部存儲供應商陸續開啟產能管控，一貫不減產的三星也加入到控產隊列，各大存儲芯片廠商正通過減產、

114、優化組織結構等一系列手段來緩解庫存和業績壓力，加上下半年季節性需求支撐，存儲產業鏈供需情況有望逐步改善，盡管供應商全年庫存仍未恢復至健康水平，但整體來看 DRAM 和 NAND Flash 產品均價跌幅已呈現逐漸收斂態勢，根據 TrendForce 數據，預計 2023 年第三季度 DRAM 均價跌幅將環比收縮至 0-5%區間，而 NAND Flash 均價跌幅環比收縮至 3-8%區間。另外，從美光 FY23Q3 財報來看，截至 23 年 6 月 1 日盡管美光依舊虧損 19 億美元，但是較上一季度虧損有所收窄，營業利潤率也出現改善跡象，其 FY23Q4 業績指引預計公司業績將逐步修復。以此同

115、時，海力士最新財報顯示，FY23Q2 公司營業收入環比增加 44%至7.3 萬億韓元，其毛利率和營業利潤率均出現環比改善趨勢。結合存儲芯片行業 3-4 年周期循環規律，我們認為供應端的邊際改善有望率先成為當前修復行業景氣的關鍵因素，短期來看存儲行業正處于下行周期尾聲，有望在 23H2 觸底，中長期來看，美光在華銷售產品受網絡安全審查，產業鏈自主可控主題將持續深化，國產存儲產業鏈企業將受益，推薦全球 NOR Flash 龍頭兆易創新，建議關注國內車載存儲領先企業北京君正、內存接口龍頭瀾起科技、國內存儲模組龍頭江波龍、國內SLC NAND 龍頭聚辰股份和全球領先 EEPROM供應商東芯股份。圖表圖

116、表63 重點公司盈利預測與評級重點公司盈利預測與評級 股票簡稱股票簡稱 股票代碼股票代碼 收盤價（收盤價（元）元）市值（億元）市值（億元）EPS（元）（元）PE（倍）（倍）評級評級 2023/8/15 2023/8/15 2022A 2023E 2024E 2025E 2022AE 2023E 2024E 2025E 兆易創新 603986.SH 97.75 651.90 3.08 2.70 3.80 5.00 31.7 36.2 25.7 19.6 推薦 北京君正 300223.SZ 76.80 369.85 1.64 1.81 2.42 3.04 46.9 42.5 31.7 25.2 未

117、評級 瀾起科技 688008.SH 51.15 582.09 1.14 0.97 1.68 2.23 44.8 52.5 30.4 23.0 未評級 江波龍 301308.SZ 76.51 315.88 0.18 0.63 1.32 1.89 433.9 122.0 58.0 40.6 未評級 聚辰股份 688123.SH 51.99 81.99 2.24 3.22 4.33 5.16 23.2 16.1 12.0 10.1 未評級 東芯股份 688110.SH 31.99 141.48 0.42 0.54 0.84 1.22 76.3 58.9 38.2 26.3 未評級 024681012

118、14NANDMCPDRAMNOR其他 請通過合法途徑獲取本公司研究報告，如經由未經許可的渠道獲得研究報告，請慎重使用并注意閱讀研究報告尾頁的聲明內容。電子行業深度報告 36/37 資料來源：Wind，平安證券研究所；未覆蓋公司盈利預測采用Wind一致預測 六、六、風險提示風險提示 1）國產化替代不及預期風險：）國產化替代不及預期風險：國產化替代是行業主旋律，若落地推進速度放緩，可能對產業鏈公司的業績拓展帶來不利影響；2）下游終端需求復蘇不及預期風險：）下游終端需求復蘇不及預期風險：存儲賽道長期處于低迷狀態，若需求復蘇節奏放緩，可能導致行業低位狀態難以擺脫；3）國內廠商對先進技術的研發進程不及預

119、期風險）國內廠商對先進技術的研發進程不及預期風險：技術先進性是產業鏈相關標的競爭力的源泉，若其先進技術的創新研發遇到瓶頸，可能導致下游高端市場需求難以滿足。平安證券研究所投資評級：平安證券研究所投資評級：股票投資評級:強烈推薦（預計 6 個月內，股價表現強于市場表現 20%以上）推 薦（預計 6 個月內，股價表現強于市場表現 10%至 20%之間）中 性（預計 6 個月內，股價表現相對市場表現在10%之間）回 避（預計 6 個月內，股價表現弱于市場表現 10%以上）行業投資評級:強于大市（預計 6 個月內，行業指數表現強于市場表現 5%以上）中 性（預計 6 個月內，行業指數表現相對市場表現在

120、5%之間）弱于大市（預計 6 個月內，行業指數表現弱于市場表現 5%以上）公司聲明及風險提示：負責撰寫此報告的分析師（一人或多人）就本研究報告確認：本人具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格。平安證券股份有限公司具備證券投資咨詢業務資格。本公司研究報告是針對與公司簽署服務協議的簽約客戶的專屬研究產品，為該類客戶進行投資決策時提供輔助和參考，雙方對權利與義務均有嚴格約定。本公司研究報告僅提供給上述特定客戶，并不面向公眾發布。未經書面授權刊載或者轉發的，本公司將采取維權措施追究其侵權責任。證券市場是一個風險無時不在的市場。您在進行證券交易時存在贏利的可能，也存在虧損的風險。請您務必對此有清醒

121、的認識，認真考慮是否進行證券交易。市場有風險，投資需謹慎。免責條款：此報告旨為發給平安證券股份有限公司（以下簡稱“平安證券”）的特定客戶及其他專業人士。未經平安證券事先書面明文批準，不得更改或以任何方式傳送、復印或派發此報告的材料、內容及其復印本予任何其他人。此報告所載資料的來源及觀點的出處皆被平安證券認為可靠，但平安證券不能擔保其準確性或完整性，報告中的信息或所表達觀點不構成所述證券買賣的出價或詢價，報告內容僅供參考。平安證券不對因使用此報告的材料而引致的損失而負上任何責任，除非法律法規有明確規定?？蛻舨⒉荒軆H依靠此報告而取代行使獨立判斷。平安證券可發出其它與本報告所載資料不一致及有不同結論

122、的報告。本報告及該等報告反映編寫分析員的不同設想、見解及分析方法。報告所載資料、意見及推測僅反映分析員于發出此報告日期當日的判斷，可隨時更改。此報告所指的證券價格、價值及收入可跌可升。為免生疑問，此報告所載觀點并不代表平安證券的立場。平安證券在法律許可的情況下可能參與此報告所提及的發行商的投資銀行業務或投資其發行的證券。平安證券股份有限公司 2022 版權所有。保留一切權利。平安證券研究所 電話：4008866338 深圳深圳 上海上海 北京北京 深圳市福田區益田路 5023 號平安金融中心 B 座 25 層 郵編：518033 上海市陸家嘴環路 1333 號平安金融大廈 26 樓 郵編：200120 北京市豐臺區金澤西路 4 號院 1 號樓麗澤平安金融中心 B 座 25 層 郵編：100033