SiC，多晶型之一），約為硅的三倍，這帶來本征載流子濃度極低，使器件在高溫下漏電小、耐受更高電場而不擊穿。同時，SiC的臨界擊穿場強可達約3-4 MV/cm，約為硅的10倍；熱導率約為4.9 W/(cm·K)，約為硅的3倍，有利于散熱。這些物理特性使SiC成為高壓、大功率、高溫電子器件的理想材料。