《芯碁微裝-公司研究報告-打造直寫光刻平臺PCB市占率快速提升泛半導體超高速增長光伏從0到1-230827（75頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《芯碁微裝-公司研究報告-打造直寫光刻平臺PCB市占率快速提升泛半導體超高速增長光伏從0到1-230827（75頁）.pdf（75頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 證券研究報告|公司深度 2023 年 08 月 27 日 芯芯碁碁微裝微裝（688630.SH）打造直寫光刻平臺，打造直寫光刻平臺，PCB 市占率快速提升，泛半導體超高速增長，光伏從市占率快速提升，泛半導體超高速增長，光伏從 0 到到 1 光刻技術對比分析：在微米級應用上，直寫光刻可替代傳統接近光刻技術對比分析：在微米級應用上，直寫光刻可替代傳統接近/接觸式接觸式掩膜光刻掩膜光刻。主流光刻技術包括直寫光刻和掩膜光刻，其中，掩膜光刻包括接觸式、接近式、投影式掩膜光刻。投影式掩膜光刻技術更加先進、精度更高，但是制造難度更大、成本更高。在納米級領域

2、，投影式掩膜光刻因精度更高，得到廣泛應用，如以荷蘭 ASML、日本尼康等為代表的企業均采用投影式掩膜光刻，主要應用在半導體領域。而在微米級領域，直寫光刻因無須使用掩膜版，同時可以實現自動對位、自動校準和自動漲縮，因此生產周期更短、人工環節更少、運營成本更低、精度也能達到要求，具有更高的靈活性和廣泛適應性，主要應用在 PCB、泛半導體、以及光伏領域。PCB 領域：傳統替代領域：傳統替代&國產替代雙輪驅動，公司增長動力充足。國產替代雙輪驅動，公司增長動力充足。下游需求方面，PCB 行業將受益于消費電子周期底部，AI 激發大算力時代、帶動服務器、通信等板塊高增長。在此背景下，PCB 產業逐漸向高密度

3、、高集成、細線路、小孔徑、大容量、輕薄化的方向發展，催生 HDI、類載板、軟板等中高階 PCB 產品的市場份額不斷提升。而在 PCB 高端化趨勢下，直寫光刻相比較于接近/接觸式掩膜光刻而言優勢明顯、且更適用，具備明顯的傳統替代趨勢。市場規模和競爭格局方面，2019-2022 年中國 PCB 曝光設備行業市場規模從 57 億元增長至 98 億元，CAGR 為 19.80%；市場Top3 分別為以色列 Orbotech、日本 ORC 和芯碁微裝，并且芯碁微裝市占率不斷提升。在 PCB 制造產能逐步轉移至中國大陸、東南亞的背景下，國內企業憑借不斷精進的研發技術、性價比優勢以及本土化服務優勢，有望顯著

4、受益于國產替代的浪潮。公司產品競爭力強勁，積極開拓海外市場，產品成功銷往日本，客戶資源豐富，切入頭部客戶鵬鼎控股加強大客戶布局，實現百強 PCB 客戶全覆蓋，2020-2022 年 PCB 業務營收 CAGR 為36.95%增速遠超行業增速，具備強阿爾法屬性。泛半導體領域：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長。泛半導體領域：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長。在先進封裝與 Mini/Micro LED 滲透率快速提升趨勢下，疊加國產替代背景下，公司作為國內泛半導體直寫光刻設備龍頭有望顯著受益。1）IC 載板：空間廣闊，公司載板：空間廣闊，公司為國產替代領軍者。為國產替代領軍者。公司部

5、分產品已接近或超越全球頭部企業，技術優勢趨顯。另外，定增支撐 IC 載板產能擴張，海外市場不斷尋求突破。2022 年 11 月，公司 MAS 直寫光刻設備成功銷往日本市場。2）引線框架：高集成發展推動直寫光刻傳統替代。）引線框架：高集成發展推動直寫光刻傳統替代。公司積極推動蝕刻工藝對傳統沖壓工藝的替代，已覆蓋立德半導體、龍騰電子等下游客戶。3）先進封裝：后摩爾時代下的明星，空間大、增速高，公司有望深度受）先進封裝：后摩爾時代下的明星，空間大、增速高，公司有望深度受益。益。直寫光刻技術自適應調整能力強，公司先進封裝產品 WLP2000 優勢明顯，產品矩陣不斷擴充，其晶圓級封裝光刻設備已驗收，主要

6、客戶有華天科技、辰顯光電等。4）掩膜版制版：精度要求高，公司）掩膜版制版：精度要求高，公司 90nm-65nm 制版光刻設備在研中。制版光刻設備在研中。公司 90nm-65nm 制版光刻設備研制進行中，將覆蓋國內 70-80nm 掩膜版產能。5）新型顯示：）新型顯示：Mini/Micro LED 前景廣闊，帶來直寫光刻設備市場新增前景廣闊，帶來直寫光刻設備市場新增量。量。在 Mini/MicroLED 阻焊層曝光中，直寫光刻技術為未來主流方向，公司以 NEX-W（白油）機型為重點，以點帶面切入客戶供應鏈。目前已開拓維信諾、辰顯光電、沃格光電等優質客戶。光伏電鍍銅領域：以銅代銀勢在必行，電鍍銅是

7、平臺型技術，公司將率先光伏電鍍銅領域：以銅代銀勢在必行，電鍍銅是平臺型技術，公司將率先 買入買入（維持維持）股票信息股票信息 行業 專用設備 前次評級 買入 8 月 25 日收盤價(元)63.51 總市值(百萬元)8,338.69 總股本(百萬股)131.30 其中自由流通股(%)53.00 30 日日均成交量(百萬股)1.91 股價走勢股價走勢 作者作者 分析師分析師 張一鳴張一鳴 執業證書編號：S0680522070009 郵箱： 研究助理研究助理 鄧宇亮鄧宇亮 執業證書編號：S0680121090003 郵箱： 相關研究相關研究 1、芯碁微裝（688630.SH）：光伏 LDI 量產設備

8、成功發貨業內龍頭，有望打造 LDI 技術平臺型企業2023-04-26 2、芯碁微裝（688630.SH）：一季報業績超預期，泛半導體設備占比提升，電鍍銅業務值得期待2023-04-20 3、芯碁微裝（688630.SH）：業績符合預期，光伏銅電鍍有望打開巨大成長空間2023-02-25 -37%-27%-18%-9%0%9%18%2022-082022-122023-042023-08芯碁微裝滬深300 2023 年 08 月 27 日 P.2 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 且深度受益。且深度受益。光伏用銀需求量大且增速高、而銀漿供給短缺，因此去銀化是必然選擇，電鍍銅降本

9、增效優勢明顯，以銅代銀勢在必行。電鍍銅是平臺型技術，不止是 HJT，TOPCon、BC 均可應用，空間巨大。電鍍銅制備過程中，圖形化是最核心、壁壘最高的環節，我們預計終局狀態下，未來光伏用圖形化設備需求達到 500GW，假設在單 GW 圖形化設備為 2000萬的情形下，得出市場空間為 100 億元。公司是光伏圖形化設備龍頭，率先布局、技術路線布局多元、客戶覆蓋范圍廣，有望率先且深度受益。投資建議：投資建議：我們預計 2023-2025 年公司歸母凈利潤為 2.2、3.2、4.5 億元，同比增長 58.9%、49.1%、39.9%，當前股價對應公司 PE 為 38.4、25.8、18.4X。公司

10、打造國內直寫光刻平臺型企業邏輯順暢，PCB 領域市場份額有望快速提升，泛半導體領域有望翻倍增長，光伏銅電鍍領域從 0 到 1 有望實現爆發式突破，維持“買入”評級。風險提示風險提示：PCB&泛半導體下游市場波動、市場規模測算誤差、電鍍銅工藝導入不及預期。財務財務指標指標 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 營業收入（百萬元）492 652 1,005 1,542 2,083 增長率 yoy（%）58.7 32.5 54.1 53.4 35.0 歸母凈利潤（百萬元）106 137 217 324 453 增長率 yoy（%）49.4 28.7 58.9 49.1 39.9

11、 EPS 最新攤?。ㄔ?股）0.81 1.04 1.65 2.46 3.45 凈資產收益率（%）11.4 13.0 17.1 20.4 22.3 P/E（倍）78.6 61.1 38.4 25.8 18.4 P/B（倍）9.0 7.9 6.6 5.3 4.1 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2023 年 8 月 25 日收盤價 5XoPRUgUfWvZqUpX9PaObRnPnNtRtQiNoOuMlOpNzR6MpOrRNZnRmPuOrQrR 2023 年 08 月 27 日 P.3 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 財務報表和主要財務比率財務報表和主要財務

12、比率 資產負債表（資產負債表（百萬元）利潤表利潤表（百萬元）會計會計年度年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 會計年度會計年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 流動資產流動資產 1087 1290 1616 2086 2583 營業收入營業收入 492 652 1005 1542 2083 現金 215 372 602 591 917 營業成本 282 371 562 853 1139 應收票據及應收賬款 324 512 605 736 931 營業稅金及附加 2 5 4 8 11 其他應收款 2 7 10 16 19 營業費用 30 3

13、7 57 88 119 預付賬款 19 19 41 52 74 管理費用 19 27 40 62 83 存貨 234 302 260 593 546 研發費用 56 85 131 197 260 其他流動資產 292 78 98 98 98 財務費用-4-7-14-17-22 非流動資產非流動資產 177 257 312 400 495 資產減值損失-1 0 0 0 0 長期投資 0 0 0 0 0 其他收益 8 15 0 0 0 固定資產 118 165 217 303 394 公允價值變動收益 2 0 0 1 1 無形資產 1 11 12 13 15 投資凈收益 6 4 4 4 4 其他非

14、流動資產 58 82 83 84 86 資產處置收益 0-1 0 0 0 資產資產總計總計 1264 1547 1928 2486 3078 營業利潤營業利潤 108 143 229 357 498 流動負債流動負債 279 408 561 801 948 營業外收入 8 5 13 0 0 短期借款 0 9 9 9 9 營業外支出 0 0 1 0 0 應付票據及應付賬款 192 297 444 680 820 利潤總額利潤總額 116 148 241 357 498 其他流動負債 88 102 108 113 119 所得稅 10 12 24 33 45 非流動非流動負債負債 53 90 90

15、 91 92 凈利潤凈利潤 106 137 217 324 453 長期借款 5 0 0 1 2 少數股東損益 0 0 0 0 0 其他非流動負債 48 90 90 90 90 歸屬母公司凈利潤歸屬母公司凈利潤 106 137 217 324 453 負債合計負債合計 332 498 652 892 1040 EBITDA 116 148 240 358 501 少數股東權益 0 0 0 0 0 EPS（元）0.81 1.04 1.65 2.46 3.45 股本 121 121 131 131 131 資本公積 596 601 601 601 601 主要主要財務比率財務比率 留存收益 215

16、 327 532 832 1245 會計會計年度年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E 歸屬母公司股東權益 931 1049 1277 1594 2038 成長能力成長能力 負債負債和股東權益和股東權益 1264 1547 1928 2486 3078 營業收入(%)58.7 32.5 54.1 53.4 35.0 營業利潤(%)70.1 32.4 60.5 55.5 39.4 歸屬于母公司凈利潤(%)49.4 28.7 58.9 49.1 39.9 獲利能力獲利能力 毛利率(%)42.8 43.2 44.1 44.7 45.3 現金流量表（現金流量表（百萬元）凈利率

17、(%)21.6 20.9 21.6 21.0 21.7 會計年度會計年度 2021A 2022A 2023E 2024E 2025E ROE(%)11.4 13.0 17.1 20.4 22.3 經營活動現金流經營活動現金流 30 6 288 80 425 ROIC(%)10.0 11.1 15.0 18.3 20.4 凈利潤 106 137 217 324 453 償債能力償債能力 折舊攤銷 6 11 13 18 25 資產負債率(%)26.3 32.2 33.8 35.9 33.8 財務費用-4-7-14-17-22 凈負債比率(%)-15.2-26.4-40.1-31.3-40.5 投資

18、損失-6-4-4-4-4 流動比率 3.9 3.2 2.9 2.6 2.7 營運資金變動-88-142 77-240-26 速動比率 2.8 2.2 2.2 1.7 2.0 其他經營現金流 15 13 0-1-1 營運能力營運能力 投資活動投資活動現金流現金流-339 192-83-102-115 總資產周轉率 0.5 0.5 0.6 0.7 0.7 資本支出 132 40 55 88 94 應收賬款周轉率 1.8 1.6 1.8 2.3 2.5 長期投資-212 225 0 0 0 應付賬款周轉率 2.0 1.5 1.5 1.5 1.5 其他投資現金流-418 456-28-14-20 每股

19、指標（元）每股指標（元）籌資籌資活動現金流活動現金流 429-44 25 12 15 每股收益(最新攤薄)0.81 1.04 1.65 2.46 3.45 短期借款-14 9 0 0 0 每股經營現金流(最新攤薄)0.23 0.05 2.20 0.61 3.24 長期借款 5-5 0 1 1 每股凈資產(最新攤薄)7.09 7.99 9.64 12.06 15.44 普通股增加 30 0 10 0 0 估值比率估值比率 資本公積增加 386 6 0 0 0 P/E 78.6 61.1 38.4 25.8 18.4 其他籌資現金流 21-54 14 11 14 P/B 9.0 7.9 6.6 5

20、.3 4.1 現金凈增加額現金凈增加額 121 156 230-10 325 EV/EBITDA 68.6 54.3 32.5 21.8 15.0 資料來源：Wind，國盛證券研究所 注：股價為 2023 年 8 月 25 日收盤價 2023 年 08 月 27 日 P.4 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 內容目錄內容目錄 1 光刻技術對比分析：在微米級應用上，直寫光刻可替代傳統掩膜光刻.8 1.1 主流光刻技術原理介紹.8 1.2 主流光刻技術特征對比：直寫光刻更靈活、適用范圍更廣.15 1.3 公司為國內直寫光刻設備龍頭，研發技術實力強勁.17 2 PCB 業務：傳統替代

21、&國產替代雙輪驅動，公司增長動力充足.19 2.1 下游需求：消費電子周期底部，AI 帶動服務器、通信等板塊高增長.19 2.2 技術趨勢：PCB 行業高端化，直寫光刻技術適配性更高.22 2.3 市場規模與競爭格局：PCB 曝光設備市場空間大，公司為國內領軍者.25 2.4 公司產品競爭力凸顯，切入鵬鼎加強大客戶布局，積極開拓海外市場.29 2.4.1 公司 PCB 直寫光刻設備布局豐富、不斷迭代升級，競爭優勢凸顯.30 2.4.2 客戶資源豐富，切入頭部客戶鵬鼎控股加強大客戶布局，實現百強 PCB 客戶全覆蓋.34 2.4.3 伴隨 PCB 產能轉移至東南亞，公司積極開拓海外市場.36 3

22、 泛半導體：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長.33 3.1 IC 載板：空間廣闊，芯碁為國產替代領軍者.38 3.2 引線框架：高集成發展推動直寫光刻傳統替代.45 3.3 先進封裝：后摩爾時代下的明星，空間大、增速高，公司有望深度受益.48 3.4 掩膜版制版：精度要求高，公司 90nm-65nm 制版光刻設備在研中.56 3.5 新型顯示：Mini/Micro LED 前景廣闊，帶來直寫光刻設備市場新增量.59 4 光伏電鍍銅：以銅代銀勢在必行，電鍍銅是平臺型技術，公司深度受益.65 4.1 去銀化是必然選擇，電鍍銅降本增效優勢明顯，以銅代銀勢在必行.65 4.2 電鍍銅是平臺型技

23、術，不止是 HJT，TOPCon、BC 均可應用，空間巨大.67 4.3 芯碁是光伏圖形化設備龍頭，率先布局、技術布局多元、客戶覆蓋范圍廣，有望率先且深度受益.71 5 盈利預測與投資建議.72 風險提示.74 圖表目錄圖表目錄 圖表 1：主要光刻技術分類.8 圖表 2：直寫光刻、接近/接觸式光刻、投影式光刻原理示意圖.8 圖表 3：兩束相干激光束的干涉.8 圖表 4：典型雙光束激光干涉光路圖.8 圖表 5：掩膜對準式曝光、步進投影式曝光、激光直寫曝光的對比.9 圖表 6：激光直寫光刻（LDW/LDI）設備示意圖.9 圖表 7：激光直寫光刻（LDW/LDI）的發展趨勢.9 圖表 8：激光直寫技

24、術工藝過程示意圖.9 圖表 9：DMD 直寫光刻機結構示意圖.10 圖表 10：DMD 步進式（蓋章式）直寫光刻原理圖.11 圖表 11：DMD 掃描式直寫光刻原理圖.11 圖表 12：DMD 直寫光刻機架構示意圖.11 圖表 13：電子束直寫光刻（EBL）系統結構圖.13 圖表 14：柵格式掃描和矢量式掃描示意圖.13 圖表 15：雙透鏡聚焦離子束系統結構示意圖.13 圖表 16：聚焦離子束光刻（FIB）的基本功能及濺射刻蝕工藝示意圖.13 圖表 17：接觸式光刻原理示意圖.14 圖表 18：接近式光刻原理示意圖.14 2023 年 08 月 27 日 P.5 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細

25、閱讀本報告末頁聲明 圖表 19：投影式光刻原理示意圖.14 圖表 20：重復式投影光刻機結構示意圖.15 圖表 21：步進掃描式投影光刻機結構示意圖.15 圖表 22：光學光刻的發展趨勢.15 圖表 23：掩膜版線寬及其對應成本.16 圖表 24：直寫光刻技術和微米級接觸/接近式掩膜光刻技術的特征對比.16 圖表 25：“關鍵子系統、核心零部件自主研發項目”具體內容.18 圖表 26：2018-2027 年全球 PCB 市場規模趨勢預測圖.19 圖表 27：2017-2023 年中國 PCB 市場規模預測趨勢圖.19 圖表 28：2014-2022 年中國大陸 PCB 產值全球比例.20 圖表

26、 29：2016-2023 年全球消費電子市場規模預測趨勢圖.21 圖表 30：2019-2023 年中國服務器市場規模預測趨勢圖.21 圖表 31：2021-2026 年全球 PCB 各應用領域產值預測.21 圖表 32：2021 年 PCB 各應用領域產值占比.22 圖表 33：2026E 年 PCB 各應用領域產值占比.22 圖表 34：2017-2022 年移動電話基站發展情況.22 圖表 35：2021 年全球 PCB 細分產品結構.23 圖表 36：2021 年中國 PCB 細分產品結構.23 圖表 37：2019-2023 年 PCB 產品曝光精度（最小線寬）.23 圖表 38：

27、直接成像與傳統曝光 PCB 制作工藝流程對比.24 圖表 39：PCB 主要光刻技術分類.24 圖表 40：線路層和阻焊層圖示.24 圖表 41：2018-2022 年中國 PCB 制造行業 TOP10 企業固定資產復合增速.25 圖表 42：2019-2022 年中國 PCB 曝光設備行業市場規模體量.26 圖表 43：2023-2027 年中國 PCB 曝光設備行業市場規模體量預測.26 圖表 44：2019-2022 年中國 PCB 線路層曝光設備行業市場規模體量.26 圖表 45：2019-2022 年中國 PCB 阻焊層曝光設備行業市場規模體量.26 圖表 46：2019-2022

28、年中國 PCB 阻焊層掩膜光刻設備市場規模.27 圖表 47：2019-2022 年中國 PCB 阻焊層直寫光刻設備行業市場規模體量.27 圖表 48：2017-2023 年全球 PCB 市場直接成像設備產量.27 圖表 49：2017-2023 年中國 PCB 市場直接成像設備產量.27 圖表 50：2017-2023 年中國 PCB 市場直接成像設備產量占全球比例.28 圖表 51：PCB 領域全球主要廠商.28 圖表 52：2018-2021 全球 PCB 直接成像設備銷售收入前三名廠商占比.29 圖表 53：2022 年中國 PCB 線路層曝光設備行業市場競爭格局分析.29 圖表 54

29、：2022 年中國 PCB 阻焊層菲林曝光設備行業市場競爭格局.29 圖表 55：2022 年中國 PCB 阻焊層直寫光刻設備行業市場競爭格局.29 圖表 56：2017-2022 PCB 業務營業收入變動.30 圖表 57：2017-2022 年 PCB 業務毛利率變動.30 圖表 58：公司 MAS 系列產品特性.31 圖表 59：公司 RTR 系列產品特性.31 圖表 60：公司 FAST 系列產品特性.31 圖表 61：公司 NEX 系列產品特性.32 圖表 62：公司定向增發項目具體內容.32 圖表 63：公司線路曝光工藝直接成像設備與競爭對手產品參數對比.33 圖表 64：公司阻焊

30、曝光工藝直接成像設備與競爭對手產品參數對比.33 圖表 65：芯碁微裝 PCB 領域主要客戶.34 圖表 66：2021 年全球前十大 PCB 廠商.35 2023 年 08 月 27 日 P.6 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 67：2021 年國內主要 PCB 企業市場占有率.35 圖表 68：鵬鼎控股部分主要客戶.35 圖表 69：東南亞地區新增投資 PCB 項目.36 圖表 70：2017-2022 年全球半導體設備市場規模及增速.37 圖表 71：2017-2022 年中國半導體設備市場規模及增速.37 圖表 72：2017-2022 年公司泛半導體業務收入及

31、增速.37 圖表 73：2017-2022 年公司泛半導體毛利率.37 圖表 74：IC 載板原理示意圖.38 圖表 75：IC 載板分類及產品示意圖.39 圖表 76：全球 IC 載板行業主要企業概況.40 圖表 77：2020 年全球 IC 載板行業市場份額.41 圖表 78：2020 年 IC 載板中國大陸企業及內資企業產值占比.41 圖表 79：2018-2023 年中國封裝基板市場規模.41 圖表 80：2018-2023 年中國封裝基板產量.41 圖表 81：IC 載板主要國內廠商擴產情況.42 圖表 82：公司直寫光刻設備在 IC 載板領域的工藝應用示意圖.43 圖表 83：公司

32、 IC 載板線路產品類型及產品特性.43 圖表 84：公司 IC 載板防焊產品類型及產品特性.44 圖表 85：MAS6 與全球頭部企業競品參數對比.44 圖表 86：公司定向增發 IC 載板、類載板直寫光刻設備產業化項目具體內容.44 圖表 87：公司 IC 載板領域主要客戶.45 圖表 88：引線框架根據所應用半導體類型分類情況及示意圖.46 圖表 89：引線框架結構示意圖.46 圖表 90：部分類型引線框架產品圖.46 圖表 91：我國引線框架市場規模.46 圖表 92：引線框架中蝕刻工藝和傳統沖壓工藝特點對比.47 圖表 93：直寫光刻設備在引線框架領域的工藝應用示意圖.47 圖表 9

33、4：公司引線框架產品特性.48 圖表 95：先進封裝發展趨勢以及與傳統封裝的區別.49 圖表 96：先進封裝四大要素 RDL、TSV、Bump 和 Wafer 的功能示意圖.50 圖表 97：先進封裝四大要素的先進性排序.50 圖表 98：先進封裝四大要素.50 圖表 99：倒裝芯片結構封裝（FC）示意圖.51 圖表 100：倒裝芯片結構封裝（FC）工藝流程.51 圖表 101：傳統封裝與晶圓級封裝流程對比.52 圖表 102：扇入式 WLP 和扇出式 WLP 對比（剖面）.52 圖表 103：扇入式 WLP 和扇出式 WLP 對比（底面）.52 圖表 104：FOWLP 與 FOPLP 示意

34、圖.53 圖表 105：FOPLP 擁有更高的面積利用率.53 圖表 106：系統級封裝（SiP）示意圖.53 圖表 107：2.5D 封裝示意圖.54 圖表 108：3D 封裝示意圖.54 圖表 109：中國先進封裝行業市場規模.55 圖表 110：中國先進封裝產值占全球比例.55 圖表 111：Fan-out WLP 的晶粒偏移問題（die shift）和翹曲問題（warpage）.55 圖表 112：Fan-out WLP 的工藝流程.55 圖表 113：公司先進封裝產品特性.56 圖表 114：公司在研先進封裝項目具體情況.56 2023 年 08 月 27 日 P.7 請仔細閱讀本報

35、告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 115：全球及中國半導體掩膜版市場規模.57 圖表 116：中國半導體掩膜版市場規模全球占比.57 圖表 117：全球平板顯示掩膜版市場規模.57 圖表 118：中國平板顯示掩膜版市場規模全球占比.57 圖表 119：公司直寫光刻設備在掩膜版制版領域的工藝應用示意圖.58 圖表 120：不同直寫光刻技術領域的主要廠商.58 圖表 121：公司掩膜版制版產品特性.59 圖表 122：公司在研掩膜版制版項目具體情況.59 圖表 123：LCD 構造圖.60 圖表 124：LCD 液晶模組構造圖.60 圖表 125：OLED 構造圖.60 圖表 126：OL

36、ED 顯示發光原理.60 圖表 127：AMOLED 結構示意圖.61 圖表 128：LTPS-AMOLED 的驅動背板工藝流程圖.61 圖表 129：MiniLED 背光與傳統直下式 LED 背光的兩種背光技術對比.61 圖表 130：MiniLED 背光實物圖.61 圖表 131：MicroLED 與 LCD、OLED 顯示屏結構對比圖.62 圖表 132：MiniLED 與 MicroLED 比較.62 圖表 133：2017-2021 年中國新型顯示產業規模.63 圖表 134：2017-2021 年中國新型顯示行業主要產品產量.63 圖表 135：2019-2026 年中國 Mini

37、LED 行業市場規模及預測.63 圖表 136：2021-2026 年 MiniLED 背光 LCD 終端產品出貨量.63 圖表 137：公司直寫光刻設備在 Mini/microLED 阻焊領域的工藝應用示意圖.64 圖表 138：公司新型顯示 NEX-W 系列產品特性.64 圖表 139：公司新型顯示 LDW 產品特性.65 圖表 140：公司在研“6 代線平板顯示曝光機（FPD-G6）”項目具體情況.65 圖表 141：2014-2022 年全球白銀產量及增速情況.66 圖表 142：2019-2023 年全球及中國光伏銀漿總消耗量.66 圖表 143：2016-2022 年全球光伏系統裝

38、機容量.66 圖表 144：2022 年全球白銀需求結構.66 圖表 145：2022 年全球工業用銀需求結構.66 圖表 146：低溫銀漿絲網印刷與銅電鍍對比.67 圖表 147：銅柵線和銀柵線形貌.67 圖表 148：HJT 電鍍銅工藝.68 圖表 149：直寫光刻、接近/接觸式光刻以及投影式光刻示意圖.68 圖表 150：光伏-投影式掩膜光刻.69 圖表 151：光伏-直寫光刻.69 圖表 152：圖形化三種主流技術路線對比.69 圖表 153：HJT、HBC 均可應用電鍍銅.70 圖表 154：TOPCon、TBC 均可應用電鍍銅.70 圖表 155：TOPCon 圖形化示意圖.70

39、圖表 156：HBC 圖形化示意圖.71 圖表 157：公司部分直寫光刻產品性能.72 圖表 158：芯碁微裝-盈利預測.73 圖表 159：可比公司估值對比（億元）.73 2023 年 08 月 27 日 P.8 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 1 光刻技術對比分析：在微米級應用上，直寫光刻可替代傳統光刻技術對比分析：在微米級應用上，直寫光刻可替代傳統掩膜光刻掩膜光刻 1.1 主流光刻技術原理介紹主流光刻技術原理介紹 光刻技術可分為直寫光刻和掩膜光刻。光刻技術可分為直寫光刻和掩膜光刻。掩膜版，又稱光罩或光掩膜，是微電子制造過程中的圖形轉移工具或母版，用于下游電子元器件行業批

40、量復制生產。根據是否使用掩膜版，光刻技術主要分為直寫光刻和掩膜光刻。直寫光刻直寫光刻：可分為光學直寫光刻和帶電粒子直寫光刻?？煞譃楣鈱W直寫光刻和帶電粒子直寫光刻。直寫光刻也稱無掩膜光刻，是計算機控制的高精度光束聚焦投影至涂覆有感光材料的基材表面上，無需掩膜直接進行掃描曝光，在 PCB 領域一般稱為“直接成像”。根據輻射源的不同可分為光學直寫光刻和帶電粒子直寫光刻。光學直寫光刻，包括干涉光刻（光學直寫光刻，包括干涉光刻（IL）、激光直寫光刻（）、激光直寫光刻（LDW/LDI）、基于空間光調）、基于空間光調制器的直寫光刻技術（制器的直寫光刻技術（SLM）等。）等。（1）干涉光刻（）干涉光刻（Int

41、erference Lithography，即，即 IL）。）。激光干涉光刻技術是一種基于光學原理的典型無掩膜光刻技術，其光刻圖形是通過激光束之間的相互干涉而生成的，利用雙光束或者多光束的一次、多次曝光會產生周期性的圖形，如周期性光柵、陣列孔等，進而滿足需求。也就是說，干涉光刻技術就是利用光的干涉與衍射特性，對光束按一定規律進行組合，從而控制干涉場中的光強分布，經過多次迭代曝光可以產生復雜的二維圖形。比如采用雙光束干涉可制備光柵結構，采用三束、四束等多束激光干涉可制備矩形點陣、蜂窩狀圖形等。圖表 3：兩束相干激光束的干涉 圖表 4：典型雙光束激光干涉光路圖 （a）分振幅干涉（b）分波前干涉 資

42、料來源：MicroLED 器件制備及其在無掩膜圖形化上的應用，國盛證券研究所 資料來源：基于激光干涉光刻的復合光場調制技術研究，國盛證券研究所 圖表 1：主要光刻技術分類 圖表 2：直寫光刻、接近/接觸式光刻、投影式光刻原理示意圖 資料來源：公司招股說明書，國盛證券研究所 資料來源：公司招股說明書，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.9 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 （2）激光直寫光刻（）激光直寫光刻（Laser Direct Writing，即，即 LDW），也稱激光直接成像（），也稱激光直接成像（Laser Direct Imaging，即，即 LDI

43、）。）。激光直寫光刻（LDW/LDI）是由計算機控制高精度激光束掃描，在光刻膠上直接曝光寫出所設計的任意圖形。激光直寫光刻（LDW/LDI）系統主要由激光光源系統、聚焦光學系統、光束或樣品的位移控制系統、光強調控系統以及控制軟件系統組成，具體來看包括激光器、聲光調制器、投影光刻物鏡、攝像機、顯示器、工作臺、控制計算機等。在掃描光刻的實現上，主要有掃描振鏡（對光束的偏轉）和多軸位移臺（對樣品位置的控制）兩種方式，大多數 LDW/LDI 采用的是兩種掃描方式的組合。同時，LDW/LDI 通常會采用空間光調制器（SLM）作為可編程的數字掩膜（見下文 SLM 部分）。圖表 7：激光直寫光刻（LDW/L

44、DI）的發展趨勢 圖表 8：激光直寫技術工藝過程示意圖 資料來源：激光直寫光刻技術研究，國盛證券研究所 資料來源：激光直寫制備衍射光學元件的研究及應用，國盛證券研究所 （3）基于空間光調制器的直寫光刻技術（）基于空間光調制器的直寫光刻技術（Spatial Light Modulator，即，即 SLM）。）。SLM 是一種能將光的空間分布進行調制的微型器件，由很多微小單元呈線型或方陣排列而成。這些單元通過計算機圖片生成系統加載數字掩膜板（替代了傳統光刻使用的“物理掩模版”），進而控制空間光調制器來對入射光進行調制和優化，經過調制的光束所形成的數字光圖像會通過投影成像系統到達置于光學平臺的基片表

45、面圖表 5：掩膜對準式曝光、步進投影式曝光、激光直寫曝光的對比 圖表 6：激光直寫光刻（LDW/LDI）設備示意圖 資料來源：Litho+wiki，國盛證券研究所 資料來源：柔性壓印光刻和基于平面透鏡的直寫光刻技術研究，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.10 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 進行光刻曝光，最終得到預想的光刻結構。最常用的幾種空間調制器有液晶顯示器件（LCDD）、等離子體顯示器件（PDP）和數字微鏡器件（DMD）。其中，基于數字微鏡器件（Digital Micromirror Device，即 DMD）的數字掩膜光刻技術的應用最為廣泛，是一種

46、可以進行大批量生產的純數字化的空間光調制器。圖表 9：DMD 直寫光刻機結構示意圖 （1）（2）前端照明系統（3）反射鏡（4）DMD 控制器（5）投影物鏡系統（6）基板（7）二維精密移動平臺（8）管透鏡（9）CCD 相機（10）計算機控制系統 資料來源：基于 DMD 步進式投影光刻優化大面積微結構制作的方法研究與應用，國盛證券研究所 DMD 直寫光刻方式可以分為步進式（蓋章式）光刻和掃描式光刻。直寫光刻方式可以分為步進式（蓋章式）光刻和掃描式光刻。（1）步進式（蓋章式）光刻是在基板上形成首個子曝光區域后，DMD 關閉。然后控制移動平臺運動，當移過與 DMD 等長或等寬的距離后，進入下一個子曝光

47、區域，DMD 重新加載圖案，再一次進行靜態曝光。如此反復進行連續性的蓋章式光刻，經過多個子曝光區域的拼接即可實現大面積光刻圖形的曝光。（2）掃描式光刻是指位移工作臺與 DMD 圖像切換速度相匹配，通過 DMD 的逐幀翻轉與圖像數據的逐行輸入與輸出，實現圖像的數據滾動，從而在平臺上形成穩定的投影。具體來看，掃描式光刻曝光方案由圖片切割、視頻流合成、位移工作臺同步等部分組成。在實際曝光前，待曝光的圖片數據需要進行預處理并完成圖片的步進切割，生成符合曝光所需求的幀速率的視頻流。當視頻流投影滾動時，控制步進電機協調位移工作臺勻速移動，從而保證視頻流和位移工作臺的同步。以右下圖為例，黑色網格是 DMD

48、微鏡關閉狀態，白色網格是 DMD 微鏡開啟狀態，DMD 鏡頭位置始終保持靜止，位移工作臺自右向左勻速移動穿過 DMD 鏡頭。以 T2 時刻為例，此時位于 D（1，5）處的 DMD 微鏡處于開啟狀態，對應曝光點為平臺上的 S（1，2）位置。當襯底平臺繼續向左移動至 T3 位置時，視頻流同步投影，通過投影像素的平移，保證投影圖片同襯底平臺位置相對不變。此時曝光點除了 S（1，2），還包括 S（1，3）和 S（2，3）。當平臺經過從 T1 到 T9 的不同曝光時間段后，逐漸形成了基板的曝光區域，最終基板上的所有累積曝光點獲得的曝光都為沿掃描方向開啟像素的曝光之和。2023 年 08 月 27 日 P

49、.11 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 10：DMD 步進式（蓋章式）直寫光刻原理圖 圖表 11：DMD 掃描式直寫光刻原理圖 資料來源：基于 DMD 無掩膜光刻系統中的關鍵技術研究，國盛證券研究所 資料來源：基于 DMD 無掩膜光刻系統中的關鍵技術研究，國盛證券研究所 基于基于 DMD 的直寫光刻系統一般由勻光照明系統、的直寫光刻系統一般由勻光照明系統、DMD 數字微鏡系統、投影系統數字微鏡系統、投影系統和工件臺系統四部分組成。和工件臺系統四部分組成。曝光光源的出射光通過照明系統的準直勻化，以一定角度入射到 DMD 上，經 DMD 調制后形成特定的“數字掩膜”圖案投影

50、到投影系統，通過投影系統將來自 DMD 的帶有“數字掩膜”信息的光束縮小投影到涂覆了光刻膠的基片表面，最后通過顯影、烘烤等完成光刻。圖表 12：DMD 直寫光刻機架構示意圖 DMD 直寫光刻機架構直寫光刻機架構 含義含義 示意圖示意圖 勻光照明系統 勻光照明系統是投影光刻機的核心部分之一，為整個光刻系統提供光強分布均勻的照明光束，由曝光光源、準直元件、勻光元件和聚光元件組成。（1）在光刻的質量上，）在光刻的質量上，照明系統光源波長、強度、光能分布均勻性及光束穩定性等直接影響投影光刻的質量。（2）在曝光光源上，）在曝光光源上，高壓汞燈、紫外激光器和紫外發光二極管都可以作為 DMD 光刻系統的曝光

51、光源。（3）在照明均勻性上，）在照明均勻性上，常用的勻光整形技術主要有柯勒照明、光學積分棒、微透鏡陣列等。DMD 數字微鏡系統 DMD 是一類能夠反射的光調制設備，通常是行、列達到微米級別的微鏡排布成一種長方形的陣列。憑借優良的數字化調光特性，DMD 在數字無掩膜光刻中有較好應用。（1）工作原理：）工作原理：單個微鏡在工作時，DMD 會將驅動電壓加載至微鏡的電極之間，繼而形成不同大小的偏移電壓，實現微鏡角度的控制。所有微鏡存在三種可操作的角度，即停滯狀態下的 0與電壓通過狀態下的+12、-12。如微鏡轉至+12，處于“開”狀態，反射光線將會通過透鏡照射使像素產生亮度。若微鏡偏轉-12，處于“關

52、”狀態，光線無法穿過透鏡。由此，DMD 的微鏡單元能夠通過控制像素的明暗，繼而形成各種特定圖像。（2）發展趨勢：）發展趨勢：微鏡中心間距不斷縮?。簭淖畛醯?17m逐步縮小至 13.68，10.8，7.6m，目前已達 5.4m，遠小于液晶空間光調制器（LC-SLM）產品的調光單元間距（25m）；DMD 顯示分辨率不斷提高：從最初較低的 VGA（640480）發展到目前 4K 超高清（38402160）的顯示分辨 2023 年 08 月 27 日 P.12 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 率；微鏡翻轉角度不斷擴大：從最初產品的 10發展到了主流 12，甚至最新一代的 17。目前

53、DMD 對比度可以達到20001 以上，遠高于液晶空間光調制器（LC-SLM）（小于13001）。投影系統 為了滿足光刻系統對分辨率的要求，投影物鏡要確保對應的精縮倍數，以使得經 DMD 微鏡系統反射的圖像經過投影物鏡在基片上所形成的曝光圖像按一定比例縮小。（1）投影系統的作用）投影系統的作用：投影系統是將經過 DMD 數字掩模調制之后的圖像投影到涂有光刻膠的硅晶圓上。投影物鏡的縮放倍率決定著光刻系統分辨率，其精度直接影響最終生成的掩膜圖案的質量。（2）投影系統的雙遠心結構）投影系統的雙遠心結構：DMD 角度偏轉、旋涂的光刻膠厚度不均、基片放置時可能的傾斜，這些因素造成的離焦常會導致對準或倍率

54、誤差。為避免離焦的影響，通常采用如右下圖所示的投影透鏡與物鏡相組合形成的 4f 雙遠心結構，對 DMD 出射光按固定倍率縮放。工件臺系統 工作臺系統包括 X、Y 兩個維度的精準定位運動臺、旋轉臺和調焦臺。（1）工作原理：）工作原理：硅晶圓伴隨工作臺在 X、Y 方位實施精準的掃描與步進操作，旋轉臺完成對水平角度的調控，調焦臺用于在豎直 Z 角度調控硅片和投影物鏡的間距。（2）工作臺系統的作用：）工作臺系統的作用：由于 DMD 里單次曝光面積有限，在實現大面積圖像曝光時，需要結合光刻工件臺來實現圖像的拼接。精密工作臺系統是步進光刻曝光系統最為重要的子系統之一，一般用于曝光時 DMD 數字掩膜、投影

55、物鏡與工件臺里硅制基片區位的校對和控制。（3）工作臺系統的精度要求：）工作臺系統的精度要求：工件臺的運動精度直接影響著曝光的精度和效率，由于在曝光前需要通過工作臺實施定位，一般要求工件臺的運動精度要小于實際光刻加工的分辨力。資料來源：基于數字微鏡器件的無掩膜光刻技術進展，基于 DMD 無掩膜光刻系統中的關鍵技術研究，基于 DMD 步進式投影光刻優化大面積微結構制作的方法研究與應用，國盛證券研究所 帶電粒子直寫光刻，包括電子束光刻（帶電粒子直寫光刻，包括電子束光刻（EBL）、聚焦離子束光刻（）、聚焦離子束光刻（FIB）。）。（1）電子束光刻（）電子束光刻（Electron Beam Lithog

56、raphy，即，即 EBL）。）。電子束光刻（EBL）是利用電子槍所產生的電子束，通過電子光柱的各極電磁透鏡聚焦、對中、各種象差的校正、電子束斑調整、電子束流調整、電子束曝光對準標記檢測、電子束偏轉校正、電子掃描場畸變校正等一系列調整，最后通過掃描透鏡根據電子束曝光程序的安排，在涂布有光刻膠的基片表面上掃描出所需要的圖形。2023 年 08 月 27 日 P.13 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 13：電子束直寫光刻（EBL）系統結構圖 圖表 14：柵格式掃描和矢量式掃描示意圖 （從左到右分別為待加工圖形，柵格式掃描，矢量式掃描）資料來源：英生科技官網，國盛證券研究所

57、資料來源：柔性壓印光刻和基于平面透鏡的直寫光刻技術研究，英生科技官網，國盛證券研究所 （2）聚焦離子束光刻（）聚焦離子束光刻（Focused Ion Beam，即，即 FIB）。）。離子束光刻（Ion Beam Lithography，即 IBL）可分為投影式離子束光刻（即 MIB，使用掩膜版）和聚焦離子束光刻（即 FIB，不使用掩膜版）。聚焦離子束光刻（FIB）是一種無掩膜、無電阻的掃描光刻技術，在電場和磁場的作用下，將離子束聚焦到亞微米甚至納米量級，通過偏轉系統和加速系統控制離子束，實現微細圖形的檢測分析和納米結構的無掩模加工。聚焦離子束曝光與電子束曝光本質上是一致的，不同的是前者使用離子

58、束而不是電子束來寫入圖案。由于離子質量遠大于電子，因此散射率較低，使得聚焦離子束曝光能夠獲得更高的分辨率和靈敏度。其離子源主要為液態金屬（原子量較重可產生更高的濺射產率），其中最常使用的為鎵（熔點較低）。聚焦離子束光刻（FIB）系統的功能十分強大，可以實現濺射刻蝕、誘導沉積、離子注入、掃描成像四種功能。圖表 15：雙透鏡聚焦離子束系統結構示意圖 圖表 16：聚焦離子束光刻（FIB）的基本功能及濺射刻蝕工藝示意圖 資料來源：基于微納檢測及自動補償的聚焦離子束加工技術研究，聚焦離子束濺射刻蝕工藝建模與應用研究，國盛證券研究所 資料來源：基于灰度圖的聚焦離子束濺射刻蝕微納曲面結構工藝模型研究，聚焦離

59、子束濺射刻蝕工藝建模與應用研究，國盛證券研究所 掩膜光刻：是由光源發出的光束經掩膜版在感光材料上成像。具體可分為接觸式光刻，掩膜光刻：是由光源發出的光束經掩膜版在感光材料上成像。具體可分為接觸式光刻，接近式光刻，投影式光刻。接近式光刻，投影式光刻。接觸式光刻。接觸式光刻。接觸式光刻中掩膜版與光刻膠表面完全接觸，再進行曝光，曝光后曝光區域和未被曝光區域的光刻膠有著不同的化學變化，通過顯影液的作用，可以區分出曝光區域和未曝光區域，實現曝光圖案到光刻膠的轉移。2023 年 08 月 27 日 P.14 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 17：接觸式光刻原理示意圖 資料來源：基于

60、 DMD 的數字光刻光學系統的研究，國盛證券研究所 接近式光刻。接近式光刻。接近式光刻其曝光過程和接觸式曝光一樣，只是在掩膜板和表面涂有光刻膠的基板之間的距離上有差別：保持了數微米至幾十微米的間隙，然而這種間隙（通常為 10-50 m）能造成光衍射誤差，使得接近式光刻的分辨率降低。圖表 18：接近式光刻原理示意圖 資料來源：基于 DMD 的數字光刻光學系統的研究，國盛證券研究所 投影式光刻。投影式光刻。投影式光刻通過透鏡系統縮放掩膜圖案至襯底表面，成像質量與掩膜至襯底的距離無關，僅受光學成像系統影響，幾乎克服了接觸式曝光和接近式曝光中的常見問題。投影式光刻可分為步進重復式投影光刻機（DSW）和

61、步進掃描式投影光刻機（SCANNER）。圖表 19：投影式光刻原理示意圖 資料來源：基于 DMD 的數字光刻光學系統的研究，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.15 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 20：重復式投影光刻機結構示意圖 圖表 21：步進掃描式投影光刻機結構示意圖 資料來源：Optical Note，國盛證券研究所 資料來源：Optical Note，國盛證券研究所 1.2 主流光刻技術特征對比：直寫光刻更靈活、適用范圍更廣主流光刻技術特征對比：直寫光刻更靈活、適用范圍更廣 掩膜光刻：相較于接觸式光刻和接近式光刻技術，投影式光刻技術更加先進、

62、精度更高。掩膜光刻：相較于接觸式光刻和接近式光刻技術，投影式光刻技術更加先進、精度更高。接觸式光刻：接觸式光刻：由于掩膜版與光刻膠的相互接觸，光刻膠會對掩膜版進行腐蝕，因此接觸式曝光的掩膜版使用時間比其他二者短。其優缺點都很明顯：光的干涉較小、分辨率高，但是掩膜版易被污染損壞、圖形質量容易受影響。接近式光刻：接近式光刻：接近式光刻一定程度上解決了接觸式光刻掩膜版易受損的問題，但這一間隙也影響了光學成像的質量。由于衍射效應的存在，接近式曝光方式的分辨率依然無法提高。投影式光刻：投影式光刻：投影式光刻的優勢在于既能避免掩膜版和光刻膠的接觸，也能減少衍射效應的影響，從而延長掩膜版壽命，提高光刻分辨率

63、。投影式光刻更加先進、精度更高，但是制造投影式光刻更加先進、精度更高，但是制造難度更大、成本更高。難度更大、成本更高。投影式光刻技術與直寫光刻技術是當前產業中分工明確的兩類光刻技術，其中投影式光刻擁有更高的線寬分辨率、精度和生產效率，如重復式投影光刻和步進掃描式投影光刻的分辨率通常在十幾納米至幾微米之間。在半導體領域，以荷蘭 ASML 為代表，主要采用的是投影式光刻中的微縮投影技術。在平板顯示領域，以日本尼康為代表，主要采用的是投影式光刻中的大幅面投影技術。圖表 22：光學光刻的發展趨勢 發展方向發展方向 具體趨勢具體趨勢 光源波長不斷降低 從最開始 435nm 發展到 157nm 甚至是 1

64、3.5nm 的極紫外光（EUV）投影透鏡的數值孔徑不斷增大 從 0.4 發展到 0.93 工藝因子不斷優化 由 0.8 減小到 0.35 最小線寬不斷演進 從最早的微米、亞微米減小到目前的納米級別 資料來源：無掩模光刻技術及其曝光方案研究，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.16 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 23：掩膜版線寬及其對應成本 掩膜線寬（掩膜線寬（nm）成本（成本（10,000$）180 26 130 87 90 150 65 300 45 600 22 900-1440 資料來源：無掩模光刻技術及其曝光方案研究，國盛證券研究所 直寫光刻

65、：可替代微米級接觸直寫光刻：可替代微米級接觸/接近式掩膜光刻，替代投影式掩膜光刻仍存精度問題。接近式掩膜光刻，替代投影式掩膜光刻仍存精度問題。直寫光刻是微納光刻的重要分支，它既具有投影光刻的技術特點，如投影成像技術、雙臺面技術、步進式掃描曝光等，又具有投影光刻所不具有的高靈活性、低成本以及縮短工藝流程等技術特點，在微米級的應用上，直寫光刻可以替代傳統的掩膜光刻。雖然與投影式光刻中制造芯片前道工序所用的 EUV（7nm 及以下先進制程）和 DUV（10nm 以上及老舊制程）相比，直寫光刻技術的先進性和精度不及前者，但直寫光刻技術的應用領域更加廣泛，具有更高的靈活性和廣泛適應性。與傳統曝光技術相比

66、，直寫光刻設備具備無需使用底片，實現曝光工藝的綠色化生產、生產周期短、減少人工環節，通過聯機自動化系統實現智能化生產等多方面優勢。圖表 24：直寫光刻技術和微米級接觸/接近式掩膜光刻技術的特征對比 序號序號 對比方面對比方面 傳統曝光技術傳統曝光技術 直接成像技術直接成像技術 1 光刻精度 傳統曝光解析受限于底片的圖形解析能力，且光線經過底片透射后發生角度變化、底片與基板貼合的平整度等因素均會影響線寬解析能力；目前使用傳統曝光底片（銀鹽膠片）的傳統曝光技術能夠實現最高精度一般約 50m 左右。直接成像無需底片，其解析能力由微鏡尺寸及成像鏡頭縮放倍率決定，避免了底片的限制與影響，可以實現更精細的

67、線寬。目前直接成像技術能夠實現最高精度可達 5m 的線寬。2 對位精度 傳統的曝光工藝中，底片雖有較好的尺寸準確度，但在使用過程中吸收光致熱，引起黑色區域尺寸變化，造成底片膨脹，影響對位精度。直接成像技術不需要使用底片，能夠根據基板的標記點直接測量實際變形量，實時修改曝光圖形，避免了底片膨脹等問題，能夠有效提升對位精度。3 良品率 傳統曝光機由于使用底片，導致光刻精度和對位精度較低，從而影響產品的良率。直接成像采用數據驅動直接成像裝置，避免了傳統曝光機采用底片使用過程中帶來的缺陷，有效提升了對位精度等品質指標，從而提升了產品生產的合格。4 環保性 傳統曝光工藝中需要大量使用底片，而底片的制作工

68、序中會產生化學廢液和底片廢棄物，從而對環境造成污染。直接成像技術無需使用底片，實現曝光工藝中的綠色化生產，具有良好的環保效應。5 生產周期 傳統曝光工藝需要底片，拉長了工藝流程，生產周期較長。直接成像技術從 CAM 文件開始直接成像，免除傳統曝光所需的底片制作的工藝流程及返工流程，能夠縮短生產周期。6 生產成本 傳統曝光工藝中所需的底片使用壽命約為數千次，底片的制造會有一定的物料和人工成本。直接成像技術不需要使用底片，節約了底片的物料成本和相關人力成本。7 柔性化生產 傳統曝光工藝流程復雜，需要先架設底片做首件確認，且過程中需要頻繁更換清潔底片。此外，傳統曝光設備的臺面會限制 PCB產品尺寸及

69、產出。直接成像技術可以簡化曝光工藝流程，實現生產過程中便捷高效地切換產品型號，從而滿足客戶柔性化生產需求。此外，直接成像設備基于高對位能力及智能軟件，可實現雙拼/多拼（小尺寸）。2023 年 08 月 27 日 P.17 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 8 自動化水平 傳統的曝光工藝具有較多的人工環節，人工成本較高。直寫光刻工藝簡化了操作程序，有效減少了人工環節，從而減少了人為因素帶來的生產質量問題。另外，直接成像聯機自動化系統可以幫助客戶實現無人化、智能化生產。資料來源：公司招股書，國盛證券研究所 1.3 公司為國內直寫光刻設備龍頭，研發技術實力強勁公司為國內直寫光刻設備龍

70、頭，研發技術實力強勁 芯芯碁碁微裝立足直寫光刻技術，核心技術體系完善，定增募集資金加碼技術創新。微裝立足直寫光刻技術，核心技術體系完善，定增募集資金加碼技術創新。目前，芯碁微裝在激光直寫光刻（LDW/LDI）和基于空間光調制器光刻技術（SLM）中領跑全國，解決了圖形拼接、大量級圖形數據生成和高速實時無失真傳輸、不同曝光鏡頭光刻線寬一致性等問題，不斷為全球市場提供新型高精度低成本的圖形化解決方案。公司在微納直寫光刻核心技術領域積累了豐富的技術成果，涵蓋系統集成技術、光刻紫外光學及光源技術、高精度高速實時自動對焦技術、高精度高速對準多層套刻技術、高精度多軸高速大行程精密驅動控制技術、高可靠高穩定性

71、及 ECC 技術、高速實時高精度圖形處理技術以及智能生產平臺制造技術等八大核心技術。截至 2022 年 9 月末，公司累計獲得授權專利 128 項，直寫光刻設備的總裝機量超過了 800 臺，具有豐富的產業化應用經驗。2022 年公司向特定對象發行 A 股募集資金用于“直寫光刻設備產業應用深化拓展項目”及“關鍵子系統、核心零部件自主研發項目”等，持續加碼核心設備研制能力。截至 2022 年 12 月底，公司年產能約為 230 臺/套，2019-2021 年度產量分別為 107 臺/套、116 臺/套以及 186 臺/套，年復合增長率為 31.85%。2023 年 08 月 27 日 P.18 請

72、仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 25：“關鍵子系統、核心零部件自主研發項目”具體內容 關鍵子系統關鍵子系統/核心零部核心零部件件 本項目擬自主研發的內容本項目擬自主研發的內容 現有產業化基礎現有產業化基礎 高精度運動平臺高精度運動平臺 提升高精度導軌技術、先進驅動技術、超精密測量技術、先進控制方法，滿足 130nm、90nm 制程需求提升高端直寫掩膜版制版能力。目前公司在PCB線上高精度運動平臺的技術應用方面已獲取多項技術發明專利，主要涵蓋定位運動平臺正交性調試裝置、平臺動態平面度精密定位、位置同步方法及系統等，在泛半導體的應用領域完成了 130nm技術節點制版應用的部分

73、技術論證，即將進入工程研制樣機階段。先進激光光源先進激光光源 提升 405nm 紫外激光器國產化率，擴大量產；研制百瓦級高功率激光器，重點解決空間光耦合、合束等技術；開發高功率的 405nm/425nm混合光源、405/375nm 混合光源；開發 248nm和 193nm 準分子激光器。目前公司在 405nm 激光光源、405nm/425nm 混合光源 已 實 現 小 批 量 生 產，但 總 體 功 率 偏 低；405nm/520nm 混合光源已完成樣機設計、測試和上機驗證階段；375nm 光源和 355nm 固體激光器已完成前期調研、離線測試并配合整機完成上機驗證。超大幅面高解析度曝光引超大

74、幅面高解析度曝光引擎擎 性能進一步提升，突破大幅面均勻照明設計、高精度大視場成像物鏡設計與裝配、超大幅面密布微型透鏡小孔陣列設計加工與精密調整、曝光焦面自適應調整、長共軛高解析曝光引擎集成與裝調等一系列關鍵技術，實現超大幅面高解析度曝光引擎的穩定量產與應用。目前公司已成功研發并小批量生產了 FAST35、MAS15、MAS8/6、WLP 系列機型的曝光引擎，解析能力覆蓋 2m 至 35m。高穩定性全自動化線配套高穩定性全自動化線配套 持續提高自動線的硬件性能和通用性能，并在相關硬件基礎上進行邏輯控制和傳感器的優化，滿足日益增加的產能需求，開發市場領先的高穩定性全自動化傳輸關鍵子系統。公司自動化

75、線子系統已經在 MLB 領域穩定應用并實現了市場銷售，在 FPC 及 PCB 阻焊領域的應用進入初步方案設計階段。智能化直寫光刻系統智能化直寫光刻系統 研發高精度快速的靶標檢測算法、安全檢測算法以及智能客服系統等。目前公司使用深度學習技術進行了靶標檢測、安全檢測和智能客服的前期研究，已完成技術調研和方案認證。半導體設備前端系統模組半導體設備前端系統模組（EFEM）針對晶圓運輸機器人、晶圓對準裝置和裝載系統展開研發，包括硬件設計、電控系統、零部件國內供應商開發、軟件控制系統開發、系統集成和調試等。公司成功開發了 LDW、MLC、WLP、MLF 等泛半導體領域直寫光刻設備，在半導體設備的產品設計、

76、技術研發及工藝應用方面具備一定的經驗基礎。資料來源：公司定增募集說明書，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.19 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2 PCB 業務：傳統替代業務：傳統替代&國產替代雙輪驅動，公司增長動力充國產替代雙輪驅動，公司增長動力充足足 2.1 下游需求：消費電子周期底部，下游需求：消費電子周期底部，AI 帶動服務器、通信等板塊高增長帶動服務器、通信等板塊高增長 PCB 產業整體趨勢向穩。產業整體趨勢向穩。作為“電子產品之母”，據 Prismark 的統計數據，2022 年全球PCB 產業總產值達 817.41 億美元，同比增長 1.01

77、%，預計 2022 至 2027 年之間，全球PCB 行業產值將以 3.8%的年復合增長率增長，到 2027 年將達到 983.88 億美元。中國市場方面，得益于全球 PCB 產能向中國轉移以及下游產業的迅速發展，2021 年中國 PCB的市場規模出現了顯著的增長，達 3001.39 億元，同比增長 24.59%。目前來看，雖然全球消費電子和汽車行業需求疲軟，對 PCB 行業造成了一定的壓力，但得益于消費電子的底部復蘇、以及 AI 帶動算力需求的背景下，服務器、通信等下游板塊高增長，根據Prismark 預測，2023 年中國 PCB 產值仍然會維持高位，預測產值為 3096.63 億元。中國

78、大陸仍保持中國大陸仍保持 PCB 核心市場的地位。核心市場的地位。從中國市場占全球市場規模來看，Prismark 數據顯示，中國大陸 PCB 產值占全球 PCB 總產值占比已由 2014 年的 45.64%上升到 2021年的 54.64%。從 2016 年開始，中國大陸 PCB 市場占全球產值比例開始在 50%以上，2022 年占全球的 53.28%保持首位。據 Prismark 預測 2022-2027 年中國大陸地區 PCB產值復合增長率約為 3.3%，預計到 2027 年將達到 511.33 億美元，保持穩健增長。圖表 26：2018-2027 年全球 PCB 市場規模趨勢預測圖 圖表

79、 27：2017-2023 年中國 PCB 市場規模預測趨勢圖 資料來源：Prismark，中商產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：Prismark，中商產業研究院，國盛證券研究所 623.96613.11652.19809.2817.41783.64819.76887.02943.69983.88-1.74%6.37%24.07%1.01%-4.13%4.61%8.20%6.39%4.26%-10.00%-5.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%0200400600800100012002018 2019 2020 2021 2022 20

80、23E 2024E 2025E 2026E 2027E市場規模：億美元YOY2045.982250.592266.832409.113001.393078.163096.6310.00%0.72%6.28%24.59%2.56%0.60%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%05001000150020002500300035002017201820192020202120222023E市場規模：億元YOY 2023 年 08 月 27 日 P.20 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 28：2014-2022 年中國大陸 PCB

81、產值全球比例 資料來源：Prismark，華經產業研究院，國盛證券研究所 PCB 下游多板塊需求強勁，消費電子周期底部復蘇，服務器、通信等板塊高增長。下游多板塊需求強勁，消費電子周期底部復蘇，服務器、通信等板塊高增長。根據華經產業研究院發布的 2022-2027 年中國消費電子行業發展前景及投資戰略咨詢報告顯示，全球消費電子市場規模在 2020 年受疫情影響而有所下滑，市場規模為 9827 億美元。但隨著新興技術如 5G、VR、物聯網等的發展和應用，全球消費電子市場將呈現復蘇態勢，全球消費電子市場規模有望在 2023 年恢復到 11081 億美元的水平。服務器板塊高增長：服務器板塊高增長：AI

82、 快速發展帶來的大算力時代，激發 HDI、類載板、IC 載板等中高端 PCB 板需求，也激發了對服務器等數據存儲板塊的需求。根據中商產業研究院，我國服務器市場規模由 2019 年的 182 億美元增長至 2022 年的 273.4 億美元，復合增長率約為 14.5%，預計 2023 年將增至 308 億美元。據 Prismark 預測，從全球 PCB 各應用領域來看，應用于服務器的 PCB 產值在 2026 年將達到 125.74 億美元，占比將達 12%，2021 年-2026 年的復合增長率為 10.0%。由于服務器的算力提升主要依靠 CPU、芯片和總線，而 PCB 是 pcle 總線的關

83、鍵組件，總線的升級對于 PCB 的層數和介電損耗有要求，因而服務器 PCB 的層數增加和其它性能的升級也會同步推動 HDI、類載板、IC 載板等中高端 PCB 的需求。通信板塊需求增長：通信板塊需求增長：根據工信部2022 年通信業統計公報，2022 年全國移動通信基站總數達到了 1083 萬個，其中 5G 基站占比達到了 21.3%，較上年末提高了 7個百分點，5G 基站相比 4G 基站，PCB 的用量有顯著的提升，同時對高頻高速 PCB的需求增加，對通信用 PCB 來說，有望帶來產量和價格的雙增長。據 Prismark 數據統計，應用于有線通訊基礎設施和無線通訊基礎設施領域的 PCB 產值

84、在 2021-2026年的復合增長率分別為 5.3%和 5.6%。45.64%48.28%50.00%50.51%52.40%53.67%53.83%54.64%53.28%40.00%42.00%44.00%46.00%48.00%50.00%52.00%54.00%56.00%201420152016201720182019202020212022中國大陸PCB產值占全球比例：%2023 年 08 月 27 日 P.21 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 29：2016-2023 年全球消費電子市場規模預測趨勢圖 圖表 30：2019-2023 年中國服務器市場規模預

85、測趨勢圖 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：Counterpoint，中商產業研究院，國盛證券研究所 圖表 31：2021-2026 年全球 PCB 各應用領域產值預測 2020 2021 2026E 2021-2026E CAGR 個人計算機（百萬美元）111.90 148.58 147.29-0.2%服務器服務器/數據存儲數據存儲 （百萬美元）58.76 78.12 125.74 10.0%其他計算機產品（百萬美元）38.01 46.24 50.69 1.9%有線通訊基礎設施有線通訊基礎設施 （百萬美元）49.68 61.11 79.01 5.3%無線通訊基礎設施無線通訊

86、基礎設施 （百萬美元）27.71 32.37 42.42 5.6%其他消費電子（百萬美元）94.66 117.90 149.69 4.9%汽車電子（百萬美元）65.07 81.92 117.70 7.5%智能手機（百萬美元）139.80 160.25 211.65 5.7%工業控制（百萬美元）25.63 31.96 38.16 3.6%醫療器械（百萬美元）12.73 14.97 17.28 2.9%軍事/航空航天（百萬美元）28.24 31.09 35.96 3.0%合計（百萬美元）652.18 804.49 1,015.59 4.8%資料來源：Prismark，國盛證券研究所 9470971

87、699751023798271036910763110812.60%2.70%2.60%-4.00%5.50%3.80%3.00%-6.00%-4.00%-2.00%0.00%2.00%4.00%6.00%8500900095001000010500110001150020162017201820192020202120222023E市場規模：億美元增速：%182216.49250.9273.430805010015020025030035020192020202120222023E市場規模：億美元 2023 年 08 月 27 日 P.22 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明

88、圖表 32：2021 年 PCB 各應用領域產值占比 圖表 33：2026E 年 PCB 各應用領域產值占比 資料來源：Prismark，國盛證券研究所 資料來源：Prismark，國盛證券研究所 圖表 34：2017-2022 年移動電話基站發展情況 資料來源：2022 年通信業統計公報，國盛證券研究所 2.2 技術趨勢：技術趨勢：PCB 行業高端化，直寫光刻技術適配性更高行業高端化，直寫光刻技術適配性更高 PCB 行業呈現高端化趨勢，產品結構不斷迭代升級。行業呈現高端化趨勢，產品結構不斷迭代升級。隨著 5G 時代、AI 大算力時代、云計算等來臨，催生著 PCB 下游需求如通信、數據存儲、手

89、機等多板塊高增長。隨著下游電子產品如智能手機、服務器等產品向便攜、輕薄、高性能等方向發展，PCB 產業逐漸向高密度、高集成、細線路、小孔徑、大容量、輕薄化的方向發展。PCB 產品結構根據終端需求不斷演進，HDI、類載板、IC 載板等中高階 PCB 產品的市場份額不斷提升，據Prismark 數據統計，到 2025 年，HDI、柔性板、類載板等占比將達到 52.6%，可見中高端 PCB 產品成長空間較大。20%18%15%10%10%7%6%4%4%4%2%智能手機個人計算機其他消費電子汽車電子服務器服務器/數據存儲數據存儲有線通訊基礎設施其他計算機產品無線通訊基礎設施工業控制軍事/航空航天醫療

90、器械21%15%14%百分比百分比12%8%5%4%4%3%2%智能手機其他消費電子個人計算機服務器服務器/數據存儲數據存儲汽車電子有線通訊基礎設施其他計算機產品無線通訊基礎設施工業控制軍事/航空航天醫療器械6196678419319961083328372544575590603157714323102004006008001,0001,200201720182019202020212022移動電話基站數：萬個4G基站數：萬個5G基站數：萬個 2023 年 08 月 27 日 P.23 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 35：2021 年全球 PCB 細分產品結構 圖表

91、 36：2021 年中國 PCB 細分產品結構 資料來源：Prismark，華經產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：Prismark，華經產業研究院，國盛證券研究所 中高端中高端 PCB 產品朝向精細化發展產品朝向精細化發展，曝光工藝精度要求不斷提升。，曝光工藝精度要求不斷提升。據中國臺灣電路板協會（TPCA）發布的中國臺灣 PCB 產業技術發展藍圖，到 2021 年，中高端 PCB 產品的曝光精度要求將有較大提升，其中多層板最小線寬從 40m 提升至 30m；HDI 板最小線寬從 40m 提升至 30m；柔性板最小線寬從 20m 提升至 15m；IC 載板最小線寬從 8m 提升至 5m。圖

92、表 37：2019-2023 年 PCB 產品曝光精度（最小線寬）序號序號 PCB 產品類型產品類型 2019 年年 2021 年年 2023 年年 1 多層板 40m 30m 30m 2 HDI 板 40m 30m 30m 3 柔性板 20m 15m 15m 4 IC 載板 8m 5m 5m 資料來源：TPCA，國盛證券研究所 PCB 呈中高端化趨勢，直寫光刻相比傳統曝光優勢明顯。呈中高端化趨勢，直寫光刻相比傳統曝光優勢明顯。根據 PCB 制造步驟，內外層電路以及阻焊環節均需要使用 PCB 曝光設備。隨著下游需求持續演變和技術發展，直寫光刻設備優勢凸顯?；谙掠涡枨蟮陌l展演變，HDI、柔性板

93、、類載板等中高端 PCB 產品需求不斷提升，日益窄小的線寬/線距對圖形成像精度、對位精度、以及成品率要求不斷提升，越多層（復雜）、越先進的板對直寫光刻技術的需求也會更明確。為了迎合精細線路制作需求，直寫光刻技術憑借在光刻、對位精度等指標上的優勢表現，以及更短周期、更低成本、更為環保和自動化的特點使 PCB 產品性能突出、更加可靠，在中高端 PCB 制造領域內具有較為成熟的市場應用。38.60%17.60%17.50%14.70%11.60%多層板封裝基板柔性板HDI板單雙面板47.60%16.60%15.50%15.00%5.30%多層板HDI板單雙面板柔性板封裝基板 2023 年 08 月

94、27 日 P.24 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 38：直接成像與傳統曝光 PCB 制作工藝流程對比 圖表 39：PCB 主要光刻技術分類 資料來源：公司招股書，國盛證券研究所 資料來源：公司招股書，國盛證券研究所 在在阻焊層曝光上傳統曝光精度難以滿足要求，存在阻焊層曝光上傳統曝光精度難以滿足要求，存在直寫光刻（直寫光刻（LDI）對）對傳統菲林掩膜光傳統菲林掩膜光刻的刻的替換趨勢；在線路層曝光上替換趨勢；在線路層曝光上激光直寫光刻（激光直寫光刻（LDI）為主流技術方案并實現基本滲透為主流技術方案并實現基本滲透。在在阻焊層曝光上，阻焊層曝光上，以掩膜光刻為主，因此具備以

95、掩膜光刻為主，因此具備 L LDIDI 傳統替代邏輯。傳統替代邏輯。隨著半導體器件的小型化、精密化發展，PCB 焊盤阻焊橋制作空間減小，對阻焊層曝光的精度要求隨之提升，傳統的菲林綠油曝光精度難以滿足要求，會因各種曝光不良降低良品率，從而為直寫光刻設備的市場滲透提供了機遇。具體來看，以前阻焊的線寬是 150 微米，焊橋是 75-80 微米，可以使用菲林掩膜光刻；現在阻焊開窗到 70-80 微米，焊橋大部分在 40-50 微米，極端的在 35 微米，直寫光刻更加適配。菲林掩膜板路線75m 以下的就不能運用了，75m 以下需要運用直寫光刻。因此，雖然存量老產能還是掩膜光刻較多，但目前阻焊的新增產能大

96、多數使用的是直寫光刻，直寫光刻具備傳統替換邏輯。在在線路層線路層曝光上，曝光上，激光直寫光刻（激光直寫光刻（LDI）演變為主流技術方案演變為主流技術方案。在 PCB 曝光中，掩膜曝光技術基本只運用于防焊領域，線路層曝光的激光直寫光刻（LDI）為主流技術方案實現基本滲透，這是由于從直寫光刻的技術特點來看，直寫光刻可以實現自動對位、自動校準和自動漲縮。比如基板的溫度變化會造成對位偏移、圖形變化，但直寫可以識別實際變形量并做到實時修改曝光圖形從而解決自動漲縮問題，這點在生產高階 PCB 產品時十分重要。圖表 40：線路層和阻焊層圖示 資料來源：臻鼎公司官網，國盛證券研究所 直接成像可分為激光直接成像

97、（直接成像可分為激光直接成像（LDI）以及非激光的紫外光直接成像（如紫外）以及非激光的紫外光直接成像（如紫外 LED 直接直接 2023 年 08 月 27 日 P.25 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 成像成像 UVLED-DI），前者主要應用于線路層曝光，后者主要應用于阻焊層曝光。），前者主要應用于線路層曝光，后者主要應用于阻焊層曝光。兩者在線路層曝光和防焊層曝光上的技術難度并沒有高低之分，僅技術的側重點不同。線路層：線路層：線路層是 PCB 的基礎核心層，其加工精度和質量直接影響到整個電路板的性能和可靠性。從直接成像曝光設備來看，激光直接成像 LDI 的光是由紫外激光器

98、發出，主要應用于 PCB 制造中線路層的曝光工藝。線路層曝光對曝光的線寬精細度、對位精度具有較高要求。阻焊層：阻焊層：阻焊層是一種覆蓋在電路板表面的保護層，PCB 阻焊層曝光設備確保了電路板表面的阻焊層質量和精度，從而提高 PCB 的穩定性和可靠性。從直接成像曝光設備來看，紫外 LED 直接成像技術（UVLED-DI）的光是由紫外發光二極管發出，主要應用于 PCB 制造中阻焊層的曝光工藝。防焊層曝光對產能效率和線路板表面質量具有較高要求。2.3 市場規模與競爭格局：市場規模與競爭格局：PCB 曝光設備市場空間大，公司為國內領軍者曝光設備市場空間大，公司為國內領軍者 終端需求驅動下游終端需求驅動

99、下游 PCB 制造行業競相擴產，進而驅動制造行業競相擴產，進而驅動 PCB 曝光設備市場規模持續擴張。曝光設備市場規模持續擴張。5G、人工智能、大數據、物聯網、服務器存儲等行業的蓬勃發展和逐步滲透給 PCB 產品的需求提供動力，下游 PCB 制造行業具備良好市場增長前景。下游 PCB 制造行業中多家代表企業紛紛擴產，2018-2022 年中國 PCB 制造行業 TOP10 企業固定資產復合增速平均值可達 17.65%。下游擴產計劃有利于拉動上游 PCB 曝光設備行業市場規模保持增長態勢，PCB 曝光設備行業市場規模從 2019 年的 57 億元增長至 2022 年的 98 億元，2019-20

100、22 年的復合增長率為 19.80%；據 Uresearch 預測數據表示，預計到 2027 年，中國PCB 曝光行業市場規模將高達 173 億元。這一持續上漲態勢在線路層和阻焊層也同樣有所體現：線路層：線路層：PCB 線路層曝光設備行業市場規模占 PCB 曝光設備行業總市場規模的 77%左右，從 2019 年的 44 億元持續增長至 2022 年的 76 億元，2019-2022 年的復合增長率為 19.98%。阻焊層：阻焊層：PCB 阻焊層曝光設備行業市場規模占 PCB 曝光設備行業總市場規模的 23%左右，從 2019 年的 13 億元持續增長至 2022 年的 22 億元，2019-2

101、022 年的復合增長率達到 19.17%。圖表 41：2018-2022 年中國 PCB 制造行業 TOP10 企業固定資產復合增速 資料來源：企業財報，前瞻產業研究院，國盛證券研究所 18.40%2.30%22.83%27.43%31.93%2.90%34.05%5.22%15.66%15.74%17.65%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%鵬鼎控股 東山精密 生益科技 深南電路 景旺電子 滬電股份 勝宏科技 超聲電子 崇達技術 興森科技均值固定資產復合增速：%2023 年 08 月 27 日 P.26 請仔細閱讀本報告末

102、頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 42：2019-2022 年中國 PCB 曝光設備行業市場規模體量 圖表 43：2023-2027 年中國 PCB 曝光設備行業市場規模體量預測 資料來源：Uresearch，前瞻產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：Uresearch，前瞻產業研究院，國盛證券研究所 圖表 44：2019-2022 年中國 PCB 線路層曝光設備行業市場規模體量 圖表 45：2019-2022 年中國 PCB 阻焊層曝光設備行業市場規模體量 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 在在PCB高端化趨勢與阻焊層技術迭代趨勢下，高端

103、化趨勢與阻焊層技術迭代趨勢下，PCB阻焊層直寫光刻市場增長動力加強。阻焊層直寫光刻市場增長動力加強。掩膜光刻設備：掩膜光刻設備：以 IC 載板為代表的高端 PCB 產品現逐步采用直寫光刻技術，其他領域仍采用菲林曝光技術，且菲林曝光設備較直接成像設備單價更低，因而 PCB 阻焊層菲林曝光設備行業市場規模較小，僅占 PCB 阻焊層曝光設備市場規模的 40%左右，2022 年市場規模僅為 9 億元。直寫光刻設備：直寫光刻設備：近年來下游 PCB 制造行業企業招投標情況表明，大型制造商所采購的 PCB 曝光設備中直寫光刻設備占比有所提升，且上游大多數代表性 PCB 曝光設備廠商如 Orbotech、O

104、RC、芯碁微裝、大族數控、江蘇影速、源卓微納等均致力于推進 PCB 阻焊層直寫光刻設備，因而 PCB 阻焊層直接成像設備市場規模逐年上升，從 2019 年的 8 億元增至 2022 年的 13 億元，占 PCB 阻焊層曝光設備市場規模的60%左右。5772859826.32%18.06%15.29%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%0204060801001202019202020212022PCB曝光設備市場規模：億元同比增長：%11012313815417311.82%12.20%11.59%12.34%11.20%11.40%11.60%11

105、.80%12.00%12.20%12.40%0204060801001201401601802002023E2024E2025E2026E2027E市場規模：億元同比增長：%4455657625.00%18.18%16.92%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%010203040506070802019202020212022PCB線路層曝光設備市場規模：億元同比增長：%1317202230.77%17.65%10.00%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%0510152025201920202

106、0212022PCB阻焊層曝光設備市場規模：億元同比增長：%2023 年 08 月 27 日 P.27 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 46：2019-2022 年中國 PCB 阻焊層掩膜光刻設備市場規模 圖表 47：2019-2022 年中國 PCB 阻焊層直寫光刻設備行業市場規模體量 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 隨著隨著 PCB 產能向中國大陸地區轉移，我國直接成像設備市場規?？焖僭鲩L。產能向中國大陸地區轉移，我國直接成像設備市場規?？焖僭鲩L。根據 QY Research 數據，全球 PCB 市場直接成像設備產

107、量在 2017 年為 499 臺，預計至 2023 年，全球 PCB 市場直接成像設備產量將達到 1588 臺，復合增長率為 21.28%。同時，中國PCB 市場直接成像設備產量從 2017 年的 134 臺增至 23 年的 981 臺，復合增長率為39.35%，超過相應全球復合增長率。從 2021 年起，中國 PCB 市場直接成像設備占全球比例均位于 56.27%以上，是最大的 PCB 直接成像設備市場。圖表 48：2017-2023 年全球 PCB 市場直接成像設備產量 圖表 49：2017-2023 年中國 PCB 市場直接成像設備產量 資料來源：QY Research，公司定增募集說明

108、書，國盛證券研究所 資料來源：QY Research，公司定增募集說明書，國盛證券研究所 578940.00%14.29%12.50%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%45.00%0123456789102019202020212022PCB阻焊層菲林曝光設備市場規模：億元同比增長：%810121325.00%20.00%8.33%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%024681012142019202020212022PCB阻焊層直接成像設備市場規模：億元同比增長：%499608

109、82389111481379158821.84%35.36%8.26%28.84%20.12%15.16%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%0200400600800100012001400160018002017201820192020202120222023全球PCB市場直接成像設備產量：臺增長率：%13420533640764684398152.99%63.90%21.13%58.72%30.50%16.37%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%02004006

110、00800100012002017201820192020202120222023中國PCB市場直接成像設備產量：臺增長率：%2023 年 08 月 27 日 P.28 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 50：2017-2023 年中國 PCB 市場直接成像設備產量占全球比例 資料來源：QY Research，公司定增募集說明書，國盛證券研究所 PCB 領域內直寫光刻設備的國產替代效應日益凸顯，領域內直寫光刻設備的國產替代效應日益凸顯，芯芯碁微裝碁微裝領銜國內直寫光刻市場。領銜國內直寫光刻市場。高端裝備行業屬于技術密集型行業，具有產品系列多、研發投入大、研發周期長、產業化

111、驗證難度高、下游應用拓展潛力大等特點，技術壁壘較高。中國 PCB 曝光設備行業起步較晚，多年來國際頭部廠商如以色列 Orbotech、日本 ORC、ADTEC、SCREEN 等品牌憑借先發優勢在全球市場占有率較高。但隨著 PCB 制造產能逐步轉移至中國大陸地區，為中國發展 PCB 曝光設備提供了良好的市場空間及產業配套基礎，國內許多企業如芯碁微裝、大族激光、江蘇影速、天津芯碩、中山新諾也在加大對直寫成像設備的研發。內資中芯碁微裝表現更為突出，在全球 PCB 直接成像設備收入格局中，Top3 分別為以色列 Orbotech、日本 ORC 和芯碁微裝，并且芯碁微裝占比不斷提高，從 2018 年的

112、4.05%增至 2021 的 8.10%。線路層曝光設備中：線路層曝光設備中：2022 年，以色列 Orbotech 占中國 PCB 線路層曝光設備市場份額比重約 6%-7%左右，國內廠商中，芯碁微裝以 4%-6%的市場份額位居前列。阻焊層曝光設備中：阻焊層曝光設備中：2022 年菲林曝光設備市場競爭格局中，科視光學以 20%-22%的市場份額位居市場首位；中國臺灣至圣憑借 8%-11%的市場份額位列第二；日本ADTEC 以 6%-8%的市場份額排列第三，但仍約有 52%的市場份額被諸多外資廠商占據。2022 年直接成像曝光設備市場競爭格局中，SCREEN 憑借約 13%-18%的市場份額占據

113、中國 PCB 阻焊層直接成像曝光設備市場第一;Orbotech 以 13%-16%市場份額位列市場第二;源卓微納、科視光學、新諾科技、芯碁微裝、大族數控、江蘇影速等國內企業市場占有率合計在 23%-29%之間?？傮w而言，目前在中國 PCB 阻焊層直接成像曝光設備領域，外資 SCREEN、Orbotech 處于領先位置，本土領先企業呈追趕態勢，但國內企業具有良好的替代效應發展空間，隨著國內企業技術不斷精進，未來有望搶占現有外資企業的市場份額。圖表 51：PCB 領域全球主要廠商 產品領域產品領域 境外主要廠商境外主要廠商 中國大陸主要廠商中國大陸主要廠商 PCB 以色列 Orbotech、日本

114、ORC、日本 ADTEC、日本SCREEN、中國臺灣川寶科技。芯碁微裝、大族激光、天津芯碩、江蘇影速、中山新諾。資料來源：公司招股說明書，國盛證券研究所 26.85%33.72%40.83%45.68%56.27%61.13%61.78%0.00%10.00%20.00%30.00%40.00%50.00%60.00%70.00%2017201820192020202120222023中國PCB市場直接成像設備產量占全球比例：%2023 年 08 月 27 日 P.29 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 52：2018-2021 全球 PCB 直接成像設備銷售收入前三名廠

115、商占比 圖表 53：2022 年中國 PCB 線路層曝光設備行業市場競爭格局分析 資料來源：QY Research，公司定增募集說明書，國盛證券研究所 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 圖表 54：2022 年中國 PCB 阻焊層菲林曝光設備行業市場競爭格局 圖表 55：2022 年中國 PCB 阻焊層直寫光刻設備行業市場競爭格局 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：前瞻產業研究院，國盛證券研究所 2.4 公司產品競爭力凸顯，切入鵬鼎加強大客戶布局，積極開拓海外市場公司產品競爭力凸顯，切入鵬鼎加強大客戶布局，積極開拓海外市場 公司公司 PCB 業務增速遠超行業增速，具備

116、強阿爾法屬性。業務增速遠超行業增速，具備強阿爾法屬性。從營業收入來看，2022 年公司PCB 業務營業收入達 5.27 億元，同比增長 26.94%，2020-2022 年 PCB 業務營收復合增長率為 36.95%；2022 年中國 PCB 曝光設備行業增速為 15.29%；同行大族數控 2022年營收增速為-31.72%，對比可見，芯碁 PCB 業務增速遠遠超過行業增速，具備強阿爾法屬性。以毛利率來看，公司 PCB 業務毛利率從 2018 年的 53.04%下滑至 2022 年的37.90%，近幾年略有下滑，主要原因是新產品在生命周期早期，毛利率略高，隨著逐漸量產，下游客戶采購量提升，公司

117、給予部分客戶批量采購價格；此外，公司于 2021 年下半年開始推廣中階產品（精度 30-40m），整體毛利率略微下滑。公司不斷推進產品更新換代，相應推出 NEX 防焊系列等新產品，在技術與創新、產品應用場景、客戶資源與市場開拓方面具備核心競爭力，不斷深化阻焊層設備應用，切入頭部客戶鵬鼎實行大客戶戰略，積極開拓海外市場，不斷擴展發展空間。49.29%47.53%43.35%10.98%11.07%10.22%4.05%5.54%8.10%35.68%35.86%38.33%0%10%20%30%40%50%60%70%80%90%100%201920202021OrbotechORC芯碁其他以色

118、列Orbotech 6%-7%芯碁微裝 4%-6%大族數控 4%-6%其他 約80%科視光學 20%-22%志圣 8%-11%ADTEC 6%-8%多普光電 3%-4%川寶 2%-3%其他（以境外廠商居多）約52%SCREEN 13%-18%Orbotech 13%-16%源卓、科視、新諾、芯碁、大族、影速 23%-29%其他（以境外廠商居多）約37%2023 年 08 月 27 日 P.30 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 56：2017-2022 PCB 業務營業收入變動 圖表 57：2017-2022 年 PCB 業務毛利率變動 資料來源：公司招股書，公司公告，國

119、盛證券研究所 資料來源：公司招股書，公司公告，國盛證券研究所 2.4.1 公司公司 PCB 直寫光刻設備布局豐富、不斷迭代升級，競爭優勢凸顯直寫光刻設備布局豐富、不斷迭代升級，競爭優勢凸顯 公司公司 PCB 直寫光刻產品布局全面且性能出色。直寫光刻產品布局全面且性能出色。芯碁不斷將直寫光刻技術打造成平臺型技術，在 IC 載板、類載板、柔性板、HDI 等中高階 PCB 涉及的線路層曝光和阻焊層產業化應用中不斷優化產品布局。根據使用發光元件的不同，直接成像設備可分為激光直接成像（LDI）設備（主要應用于線路層曝光）和非激光的紫外光直接成像設備（主要應用于阻焊層曝光）。公司 PCB 激光直接成像設備

120、主要含 MAS 系列、RTR 系列、FAST 系列，紫外光直接成像設備主要含 NEX 系列、DILINE 系列。公司主要產品及應用領域如下：MAS 系列：系列：包含 MAS12、MAS15、MAS25、MAS35。MAS 系列是業界領先的適用于 HDI、高階 HDI 和 SLP 量產的直接成像 DI 系統，搭配高劑量干膜實現高產能。該系統采用 DMD 技術，通過高精度的資料解析能力，實現精細線路優異的線寬一致性和邊緣粗糙度，在保證最佳品質的同時，可降低整體運行成本。RTR 系列：系列：包含 RTR8/8T、RTR12/12T、RTR15/15T、RTR25/25T、RTR35/35T。RTR

121、系列是業界領先的卷對卷直接成像解決方案，適用于卷對卷曝光制程。該系統采用 DMD 技術，通過高精度的資料解析能力，最小可實現 8m 精細線路及優異的線寬一致性和邊緣粗糙度。FAST 系列：系列：主要是 FAST35。FAST35 是業界領先的適用于多層板量產的直接成像系統，占地尺寸小，搭配傳統干/濕膜實現高產能。該系統采用 DMD 技術，通過高精度的資料解析能力，實現 35m 線路優異的線寬一致性和邊緣粗糙度。NEX 系列：系列：包含 NEX40、NEX50、NEX60。NEX 系列是高性能直接成像防焊 DI 產品，采用高功率曝光光源，結合高功率成像和高精度定位系統，適用于非白油防焊油墨。為多

122、層板、HDI、軟硬結合板、軟板和 IC 載板的防焊制程提供高產能、高精度，高品質開窗/焊橋/側蝕的解決方案。DILINE 系列：系列：包含 DILINE-MAS、DILINE-NEX、DILINE-FAST35。該系列為直接成像聯機自動線，為自動化和智能化 PCB 工廠提供解決方案，適用于軟板/軟硬結合板、HDI 板、多層板和單雙面板等線路及阻焊制程，提高產能及效率。0.180.521.922.814.155.27187.76%266.73%46.13%47.61%26.94%0.00%50.00%100.00%150.00%200.00%250.00%300.00%0123456201720

123、182019202020212022營業收入：億元同比增長YOY：%48.9%53.0%50.6%42.0%38.7%37.9%20%25%30%35%40%45%50%55%201720182019202020212022毛利率：%2023 年 08 月 27 日 P.31 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 58：公司 MAS 系列產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 最高最高 產能產能 資料解資料解析度析度（m）最小線寬最小線寬/線距線距（m）景深景深（m）線寬均線寬均勻性勻性 最大曝光面積最大曝光面積 對位精度對位精度（m）層間對位層間對位 精度精度（m）MAS

124、12 240 面/片 0.75 12/12 150 10%28.5x24.5 8 16 MAS15 300 面/片 0.9 15/15 150 10%28.5x24.5 8 16 MAS25 420 面/片 1.4 25/25 200 10%28.5x24.5 10 20 MAS35 480 面/片 1.8 35/35 300 10%28.5x24.5 12 24 資料來源：公司官網，公司公告，國盛證券研究所 圖表 59：公司 RTR 系列產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 最大卷最大卷料寬幅料寬幅（mm）最高產能最高產能（米（米/分，圖形長分，圖形長度度 610mm）資料解析度資料解析

125、度（m）最小線最小線寬寬/線距線距（m）景深景深（m）線寬均勻性線寬均勻性 對位精度對位精度（m）RTR8/8T 520/260 0.75/1.5 0.5 8/8 80 10%8 RTR12/12T 520/260 1.2/2.4 0.75 12/12 150 10%10 RTR15/15T 520/260 1.5/3 0.9 15/15 150 10%10 RTR25/25T 520/260 1.6/3.2 1.2 25/25 200 10%12 RTR35/35T 520/260 1.8/3.6 2 35/35 300 10%12 資料來源：公司官網，公司公告，國盛證券研究所 圖表 60：

126、公司 FAST 系列產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 最高最高 產能產能 資料解資料解析度析度（m）最小線寬最小線寬/線距線距（m）景深景深（m）線寬均線寬均勻性勻性 最大曝光面積最大曝光面積 對位精度對位精度（m）層間對位層間對位精度精度（m）FAST35 420 面/小時 2 35/35 300 10%32x24.5 12 24 資料來源：公司官網，公司公告，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.32 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 61：公司 NEX 系列產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 最高最高 產能產能 資料解資料解析度析度（m

127、）最小焊橋最小焊橋/開窗開窗（m）景深景深（m）均勻性均勻性 激光波長激光波長 最大曝光面積最大曝光面積 對位精度對位精度（m）NEX40 200 面/小時 1 40/60 150 10%多波長 28.5x24.5 10 NEX50 270 面/小時 1.5 50/80 200 10%多波長 28.5x24.5 12 NEX60 300 面/小時 2 60/120 300 10%多波長 28.5x24.5 15 資料來源：公司官網，公司公告，國盛證券研究所 核心性能指標表現出色，產品布局覆蓋面更廣，定向增發加碼產品技術創新和應用場景核心性能指標表現出色，產品布局覆蓋面更廣，定向增發加碼產品技術

128、創新和應用場景擴展。擴展。公司深耕 PCB 領域，其 PCB 直寫成像設備在對位精度、最高產能、景深、最小焊橋等核心性能指標方面具備技術優勢，支撐產品不斷迭代升級朝精細化路線發展。2022年公司向特定投資者發行股票募集總額不超過 7.98 億元的資金用于包含“關鍵子系統、核心零部件自主研發項目”在內的項目建設，該項目旨在進一步豐富公司的核心技術體系，提升公司直寫光刻設備核心技術競爭力，同時降低對進口關鍵子系統、核心零部件的依賴，提升產品綜合市場競爭力。此外，公司注重深化直寫光刻設備在 PCB 阻焊領域的產業化應用，逐步挖掘阻焊領域增量空間，NEX 系列正是公司面向 PCB 高端阻焊市場開發出的

129、產品，同時本次募投項目也規劃了開窗為 30m/50m 的產品以滿足后期進一步升級迭代需求。圖表 62：公司定向增發項目具體內容 項目名稱項目名稱 關鍵子系統、核心零部件自主研發項目 直寫光刻設備產業應用深化拓展項目 項目總投資（萬元）項目總投資（萬元）109,922.68 109,922.68 募集資金使用金額（萬元）募集資金使用金額（萬元）24,758.22 31,756.19 資料來源：公司定增募集說明書，國盛證券研究所 公司具備產品性價比和本土服務優勢，在快速服務、響應和差異化上競爭優勢明顯。公司具備產品性價比和本土服務優勢，在快速服務、響應和差異化上競爭優勢明顯。專業團隊具備本土服務優

130、勢。專業團隊具備本土服務優勢。由于下游廠商對 PCB 直寫光刻設備具有較高的性能和穩定性要求，因此對設備的調試、維保等服務的要求比較高，公司擁有專業技術服務團隊，設有深圳分公司、蘇州子公司、中國臺灣辦事處、江西辦事處等，能夠覆蓋我國 PCB、泛半導體等電子信息產業集中的華南、華東、華中、華北和中國臺灣等區域。相比德國 Heidelberg、以色列 Orbotech、日本 ORC 等國外競爭廠商，可以憑借本土服務優勢，能夠為國內客戶提供更為迅速、及時的技術支持與服務。產品部分指標比肩超過國際廠商，具有較強競爭力。產品部分指標比肩超過國際廠商，具有較強競爭力。在線路層和阻焊層曝光工藝的直接成像設備

131、核心性能指標對比分析中，芯碁的部分指標比肩甚至超過國際廠商，具有較強的產品競爭力。比如在最小線寬在 10m 左右的線路曝光工藝的直接成像設備類別下，芯碁的最小線寬為 6m，只落后于日本 ORC、SCREEN 兩家企業，而與日本 ADTEC 持平，領先于以色列 Orbotech、無錫影速、天津芯碩；在最小線寬為 35m 左右的線路曝光工藝的直接成像設備核心性能指標對比下，芯碁以高達480 面/小時的產能效率領先所有可比公司競品；在最小焊橋為 50m 左右的阻焊曝光工藝的直接成像設備對比分析中，芯碁以 270 面/小時的產能效率領先于競爭對手 Orbotech 和日本 SCREEN。在 PCB 高

132、階市場，公司可直接對標國際競爭對手，以產品優異性能及本地化服務優勢攻占高端市場；在 PCB 中低階市場，推出以性價比、可靠性、穩定性為優勢的新產品占據低端市場，不斷運用差異化競爭策略放大產品優勢。2023 年 08 月 27 日 P.33 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3 泛半導體：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長泛半導體：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長 圖表 64：公司阻焊曝光工藝直接成像設備與競爭對手產品參數對比 種類種類 競爭對手產品型號競爭對手產品型號 最小焊橋最小焊橋 對位精度對位精度 產能效率（面產能效率（面/hr）最小焊橋在 50m 左右的阻

133、焊曝光工藝的直接成像設備 以色列 Orbotech：50m 10m 121 DiamondTM10 日本 SCREEN：Ledia 6S 50m 9m 芯芯碁碁微裝：微裝：NEX50 50m 12m 270 資料來源：公司招股說明書，公司官網，國盛證券研究所 圖表 63：公司線路曝光工藝直接成像設備與競爭對手產品參數對比 種類種類 競爭對手產品型號競爭對手產品型號 最小線寬最小線寬 對位精度對位精度 產能效率（面產能效率（面/hr）最小線寬在 10m左右的線路曝光工藝的直接成像設備 日本 ORC：FDI-MP 4m 3.5m 日本 ADTEC：IP-6 9000 6m 5m 以色列 Orbot

134、ech：Paragon-Ultra 300 8m 5m 110 日本 SCREEN：Levina 5m 4m 100 無錫影速：IC250 8/12m 5m 116 天津芯碩：Mars 9P 10-15m 5m 90 芯芯碁碁微裝微裝：MAS6 6m 5m 72 最小線寬在 25m左右的線路曝光工藝的直接成像設備 以色列 Orbotech：Nuvogo 1000 24m 10m 日本 SCREEN：Ledia 6S 30m 9m 大族激光：LDI-E25 25.4m 12.7m 380 無錫影速：H9300D 25m 15m 300 天津芯碩：Mars 9s 20-25m 8m 200 中山新

135、諾：ALDI-PB 25m 10m 220 芯芯碁碁微裝微裝：MAS25 25m 10m 420 最小線寬在 35m左右的線路曝光工藝的直接成像設備 日本 ADTEC：IP-35 35m 10m 340 中國臺灣川寶科技：Raptor 7000 series 30m 10m 280 無錫影速：Q7500D 40m 15m 170 天津芯碩：Mars 8P 30-35m 12m 257 中山新諾：ALDI-ST650 35m 12m 300 芯芯碁碁微裝微裝：MAS35 35m 12m 480 資料來源：公司招股說明書，公司官網，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.34 請仔細

136、閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.4.2 客戶資源豐富，切入頭部客戶鵬鼎控股加強大客戶布局，實現百強客戶資源豐富，切入頭部客戶鵬鼎控股加強大客戶布局，實現百強 PCB 客戶全覆蓋客戶全覆蓋 公司客戶資源豐富，為后續業務的持續拓展奠定堅實的基礎。公司客戶資源豐富，為后續業務的持續拓展奠定堅實的基礎。近年來，公司市場占有率不斷提升，高性能產品加持國內市場優勢，公司憑借具有較強競爭力的產品及優秀的銷售團隊不斷開拓下游市場，建立了完善的銷售、技術和服務網絡，包括臺資企業、港資企業和內資企業。2022 年推出頭部客戶策略，深化了與生益電子、勝宏科技、定穎電子、滬電股份等客戶的合作，與各大客

137、戶建立了長期、穩定的合作伙伴關系，具有較高的客戶粘性，為公司后續業務的持續拓展奠定了堅實的基礎。圖表 65：芯碁微裝 PCB 領域主要客戶 資料來源：公司定增募集說明書，公司年報，國盛證券研究所 新增頭部客戶鵬鼎控股，加強大客戶布局，實現百強新增頭部客戶鵬鼎控股，加強大客戶布局，實現百強 PCB 客戶全覆蓋?？蛻羧采w。2022 年公司實行大客戶戰略，切入頭部客戶鵬鼎控股，實現客戶 PCB 百強全覆蓋。鵬鼎控股連續多年位列全球最大 PCB 生產企業，作為行業龍頭，制造基因優越，客戶資源優質，發展勢頭強勁，具備 PCB領域內的絕對競爭優勢。作為第一個進入其供應鏈的國產設備供應商，獲得國際頭部客戶

138、鵬鼎的訂單將為公司注入新的強大增長動力。鵬鼎控股鵬鼎控股 PCB 生產規模連續五年全球第一，作為行業龍頭制造基因優越，具有絕對競生產規模連續五年全球第一，作為行業龍頭制造基因優越，具有絕對競爭優勢。爭優勢。公司間接控股股東為中國臺灣上市公司臻鼎控股，2016 年臻鼎控股股權重組，鵬鼎控股承接了母公司所有 PCB 業務，制造基因優越。據中國電子電路協會（CPCA）中國電子電路排行榜，鵬鼎控股連續多年位列中國第一，PCB 產值規模常年領先。此外，根據 Prismark 公布的 2018 至 2022 年以營收計算的全球 PCB 企業排名，2017-2021 年鵬鼎控股連續五年位列全球最大 PCB

139、生產企業。同時，根據 Prismark 2023 年 2 月對全球 PCB 企業營收的預估，鵬鼎控股 2022 年繼續保持全球第一。鵬鼎控股產品類型豐富，客戶資源優質，發展勢頭強勁。鵬鼎控股產品類型豐富，客戶資源優質，發展勢頭強勁。鵬鼎作為全球范圍內少數同時具備各類 PCB 產品設計、研發、制造與銷售能力的專業大型廠商，擁有優質多樣的 PCB產品線，主要產品范圍涵蓋 FPC、HDI、RPCB、Module、SLP、MiniLed、RigidFlex 等多類產品，并廣泛應用于通訊電子產品、消費電子及計算機類產品以及汽車、服務器等產品，具有全方位的 PCB 產品一站式服務平臺。此外，PCB 中高端

140、化趨勢為鵬鼎提供優秀發展賽道，高階產品滲透率的提高使得鵬鼎的龍頭企業優勢凸顯。自鵬鼎成立以來，持續與全球領先的電子品牌客戶合作：包括蘋果、諾基亞、vivo、oppo、小米、谷歌、華為、戴爾、惠普、松下、特斯拉等一線品牌，擁有優質的客戶資源。2023 年 08 月 27 日 P.35 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 66：2021 年全球前十大 PCB 廠商 排名排名 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 營業收入營業收入 （億美元）（億美元）基本情況基本情況 1 臻鼎 中國臺灣 55.34 富士康集團成員企業，主營柔性板、HDI 板、剛性板及封裝基板 2 欣興 中國臺灣

141、 39.2 主營封裝基板、HDI 板、多層板等 3 東山精密 中國臺灣 31.58 2016 年完成對 FPC 廠 MFLX 的私有化收購，2018 年完成對偉創力下屬 PCB 業務主體 Multek的收購，目前主營柔性板、剛性板 4 旗勝 日本 27.95 全球最大柔性板廠商 5 華通 中國臺灣 22.6 主營多層剛性板、HDI 板、軟板與剛撓結合板等 6 健鼎 中國臺灣 22.57 主營多層剛性板等 7 迅達 美國 22.49 北美最大的電路板廠商，主營剛性板、HDI 板、柔性板等 8 深南電路 中國大陸 21.34 中國 PCB 龍頭企業，業務涵蓋印制電路板、封裝基板及電子裝聯業務 9

142、揖斐電 日本 20.55 主營封裝基板和多層電路板 10 瀚宇博德 中國臺灣 20.42 中國臺灣上市公司，主營筆記本電腦、移動電話、平板電鍍等剛性板 資料來源：Prismark，中商產業研究院，國盛證券研究所 圖表 67：2021 年國內主要 PCB 企業市場占有率 圖表 68：鵬鼎控股部分主要客戶 資料來源：各公司年報，智研咨詢整理，國盛證券研究所 資料來源：鵬鼎控股招股書，國盛證券研究所 7.73%4.76%2.03%1.64%2.13%1.61%1.32%0.88%0.83%0.67%0.40%0.24%75.76%鵬鼎控股東山精密深南電路滬電股份景旺電子勝宏科技崇達科技興森科技世運電

143、路超聲電子明陽電路四會富仕其它 2023 年 08 月 27 日 P.36 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 2.4.3 伴隨伴隨 PCB 產能轉移至東南亞，公司積極開拓海外市場產能轉移至東南亞，公司積極開拓海外市場 伴隨伴隨 PCBPCB 產能轉移至東南亞，公司積極開拓海外市場。產能轉移至東南亞，公司積極開拓海外市場。由于國際貿易摩擦，PCB 產業存在向東南亞等國家轉移的趨勢。隨著一帶一路、RCEP 等政策倡導，東南亞在 PCB 產業鏈的投資政策、市場潛力、人工成本優勢逐漸凸顯，越來越多的日本、韓國、中國臺灣、中國大陸 PCB 企業開始在東南亞投資建廠，而泰國、越南和馬來西亞

144、等國擁有場地申請方便、地租較低、稅負較低等成本優勢。包括滬電股份、奧士康、中京電子、四會富仕、中富電路、明陽電路、勝宏科技在內的一大批 PCB 企業紛紛計劃在泰國、越南等地建廠，PCB產業向東南亞轉移的趨勢將持續激發對公司PCB直寫光刻設備的需求。在此背景下，當前公司產品技術節點、品質要求均已達到全球領先水平，海外市場進展迅速，直寫光刻設備成功銷往日本、越南。2023 年 5 月，公司與日本 VTechnology 達成戰略合作，其成為芯碁微裝設備的日本代理商，和 Vtechnology 合作將使得芯碁微裝立足日本市場，加強面向東南亞等海外市場的輻射能力。圖表 69：東南亞地區新增投資 PCB

145、 項目 企業名稱企業名稱 國家國家/地區地區 投資地點投資地點 投資規模（億美元）投資規模（億美元）主營產品主營產品 臺虹 中國臺灣 泰國 0.35 FCCL 定穎 中國臺灣 泰國 0.09/滬電股份 中國臺灣 泰國 2.8 單、雙面及多層 PCB、HDI 等 CMK 日本 泰國 1.82 生產 PCB 等 Kyoden 日本 泰國/多層板、HDI TTM 美國 馬來西亞 1.3 MLB 板 Simmtech 韓國 馬來西亞 0.8 封裝基板 NHK 日本 馬來西亞 0.4 金屬基板 奧特斯 奧地利 馬來西亞 18.6 封裝基板 NittoDenko 日本 越南 0.5 剛性多層板 Meiko

146、 日本 越南 0.7 封裝基板 京寫 日本 越南/剛性多層板 三星電機 韓國 越南 9.8 封裝基板 VectorFabrication 美國 越南 0.6 PCB 志超 中國臺灣 越南 0.1 NB 板 和碩 中國臺灣 越南 1.5 PCB 中富電路 中國 泰國 0.75 PCB 資料來源：印制電路資訊，國盛證券研究所 全球半導體市場持續發展，半導體設備需求不斷增長。全球半導體市場持續發展，半導體設備需求不斷增長。根據 SEMI 數據顯示，2022 年全球半導體設備市場規模為 1076.4 億美元，創下歷史新高，同比增長 4.9%。2023 年 Q1全球半導體設備出貨額為 268 億美元，相

147、比 2022 年 Q1 同期增長 9%，一季度全球半導體設備出貨強勁。從國內來看，中國大陸連續第三年成為全球最大的半導體設備市場，疊加國產替代化進程的不斷加深，對半導體設備的需求也不斷上升。2017-2022 年中國半導體設備市場規模呈波動上升狀，從 2017 年的 82.3 億美元增至 2022 年的 282.7 億美元。公司泛半導體業務收入實現高增長，盈利能力優秀。公司泛半導體業務收入實現高增長，盈利能力優秀。2022 年，公司泛半導體業務收入9560.19萬元，同比增長近71.88%，占公司總收入14.66%。泛半導體業務毛利率65.08%。隨著半導體設備需求不斷增長，疊加國產替代趨勢，

148、公司作為泛半導體直寫光刻設備國產供應商前景廣闊。其直寫光刻設備除可用于掩膜版制備，IC、功率分立器件、MEMS 等 2023 年 08 月 27 日 P.37 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 芯片的制造外，還可在 IC 載板、引線框架、新型顯示等諸多新領域中進行產業化應用。同時，公司積極實行出海戰略和大客戶戰略，不斷拓展市場空間，對接更多潛在客戶。目前，公司泛半導體直寫光刻設備主要有 LDW 系列、MLC 系列、WLP 系列、FPD 解決方案、陶瓷/封裝基板解決方案、IC 載板解決方案。圖表 70：2017-2022 年全球半導體設備市場規模及增速 圖表 71：2017-20

149、22 年中國半導體設備市場規模及增速 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 圖表 72：2017-2022 年公司泛半導體業務收入及增速 圖表 73：2017-2022 年公司泛半導體毛利率 資料來源：公司年報，國盛證券研究所 資料來源：公司年報，國盛證券研究所 566.2645.3597.5711.91026.41076.4 14.0%-7.4%19.1%44.2%4.9%-10%0%10%20%30%40%50%0200400600800100012002017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年全球半導體設備市場規模(億美元)Y

150、OY/右軸82.3131.1134.5187.2296.2282.759.3%2.6%39.2%58.2%-4.6%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%0501001502002503003502017年2018年2019年2020年2021年2022年中國半導體設備市場規模(億美元)YOY/右軸41.033283.42209.671127.085562.049560.19437.55%393.49%71.88%0%50%100%150%200%250%300%350%400%450%500%0200040006000800010000120002017年 2018年 201

151、9年 2020年 2021年 2022年泛半導體業務收入(萬元)YOY/右軸42.59%68.78%62.62%56.11%62.04%65.08%0%10%20%30%40%50%60%70%80%2017年2018年2019年2020年2021年2022年泛半導體毛利率泛半導體毛利率 2023 年 08 月 27 日 P.38 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 3.1 IC 載板：空間廣闊，芯載板：空間廣闊，芯碁碁為國產替代為國產替代領軍者領軍者 IC 載板核心功能為承載載板核心功能為承載 IC，類型多樣。，類型多樣。IC 載板即 IC Substrate，又稱封裝載板或封

152、裝基板，用于承載 IC，內部布有線路用以導通芯片與電路板之間訊號，除了承載的功能之外，IC 載板還有保護電路、專線、設計散熱途徑、建立零組件模塊化標準等附加功能，被廣泛應用于 BGA、Flip Chip、2.5D/3D 封裝等先進封裝工藝中，是先進封裝領域的重要材料。在類別上，IC 載板可按封裝工藝、基板材料、應用領域進行分類。按封裝工藝可分為引線鍵合封裝基板（WB）和倒裝封裝基板（FC）；按基板材料可分為剛性封裝基板、柔性封裝基板和陶瓷封裝基板；按應用領域可分為存儲芯片封裝基板（eMMC）、射頻模塊封裝基板（RF）、處理器芯片封裝基板（WB-CSP、FC-CSP）、微機電系統封裝基板（MEM

153、S）以及高速通信封裝基板。圖表 74：IC 載板原理示意圖 資料來源：深南電路招股說明書，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.39 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 75：IC 載板分類及產品示意圖 分類方式分類方式 類型類型 示意圖示意圖/說明說明 按封裝工藝分類 引線鍵合封裝基板（WB）倒裝封裝基板（FC）按基板材料分類 剛性封裝基板 基板材料為 BT、ABF（味之素堆積膜）、MIS 柔性封裝基板 基板材料為 PI（聚酰亞胺）、PE（聚酯）陶瓷封裝基板 基板材料為氧化鋁、氧化硅、碳化硅 按應用領域分類 存儲芯片封裝基板（eMMC）射頻模塊封裝基板（R

154、F）處理器芯片封裝基板（WB-CSP、FC-CSP）（左 WB-CSP、右 FC-CSP）微機電系統封裝基板（MEMS）高速通信封裝基板 資料來源：深南電路招股說明書，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.40 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 IC 載板市場日、韓、臺主導，但國產設備進口替代不斷提速。載板市場日、韓、臺主導，但國產設備進口替代不斷提速。在技術發展上，IC 載板最初起源于日本，后產能轉移至韓國和中國臺灣，大陸則起步較晚。但近年來，IC 載板國產設備進口替代趨勢明顯、進展加速，行業迎來良好發展契機。從業務領域來看，日、韓、臺企主導趨勢明顯，陸資企業

155、多元化、高端化有待發展。從業務領域來看，日、韓、臺企主導趨勢明顯，陸資企業多元化、高端化有待發展。日本退出中低端市場，主要轉向了高端封裝基板領域，主導 FC-BGA 和 FC-CSP 等高端封裝產品。韓國與中國臺灣在 IC 載板低至高端領域都有覆蓋，其中中國臺灣擁有全球 65%的晶圓代工產能。中國大陸 IC 載板企業主要集中于入門類和一般類，其中多數企業有外資背景，如有臺資背景的昆山南亞、蘇州新興、蘇州京朔。大陸本土陸資企業主要是興森科技、深南電路和珠海越亞。從市場份額來看，從市場份額來看，IC 載板市場行業集中度較高。載板市場行業集中度較高。根據 Prismrak 統計數據顯示，2020年全

156、球前十大包裝基板企業占據 80%以上的市場份額，其中前三大 IC 載板企業為中國臺灣的欣興電子、Ibiden、三星機電，分別占據 15%、11%、10%的市場份額。從國產替代看，中國大陸從國產替代看，中國大陸 IC 載板產值呈現快速增長趨勢，國產替代進程加速。載板產值呈現快速增長趨勢，國產替代進程加速。近年來，一方面，我國裝備制造技術水平不斷提高，并依托于廣闊的本土市場，不斷提升國產替代能力，未來有望填補國內市場缺口。另一方面，受疫情及貿易摩擦影響，半導體供應鏈安全及設備自主化迫在眉睫，IC載板國產替代訴求急迫。2020年，中國大陸 IC 載板產值約為 14.8 億美元，占全球份額 14.5%

157、，內資企業產值約為 5.4億美元，占全球份額 5.3%，存在巨大替代空間。圖表 76：全球 IC 載板行業主要企業概況 公司名稱公司名稱 國家國家/地區地區 主要主要 IC 載板產品載板產品 主要客戶主要客戶 欣興電子 中國臺灣 WB CSP、WB BGA、FC CSP、FC BGA 高通、博通、NVIDIA、Inter、AMD 景碩科技 中國臺灣 WB CSP、WB BGA、FC CSP、FC BGA、COP、COF 高通、博通、Inter 南亞電路 中國臺灣 FC、WB 封裝基板 高通、博通、NVIDIA、Inter、AMD 日月光 中國臺灣 IC 載板 日月光 揖斐電 日本 FC CSP

158、、FC BGA 蘋果、三星 京瓷 日本 FC 基板和模塊基板 SONY 新光電氣 日本 FC 基板 Inter 三星電機 韓國 FC CSP、FC BGA 和射頻模組封裝基板 三星、蘋果、高通 信泰 韓國 PBGA/CSP、BOC、FMC、FC CSP 三星、閃迪、LG 大德 韓國 IC 載板 三星 資料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.41 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 77：2020 年全球 IC 載板行業市場份額 圖表 78：2020 年 IC 載板中國大陸企業及內資企業產值占比 資料來源：Prismark，國盛證券研究所 資

159、料來源：智研咨詢，國盛證券研究所 本土直寫光刻設備在本土直寫光刻設備在 IC 載板領域的國產替代空間廣闊。載板領域的國產替代空間廣闊。目前全球 IC 載板直寫光刻設備市場主要市場份額仍由日本 ADTEC、ORC、SCREEN、以色列 Orbotech 等廠商占據。從市場規模上看，2022 年中國封裝基板市場規模達 201 億元，同比增長 1.5%。根據中商產業研究院預計，2023 年將達 207 億元，增速 3%。從產量上看，中國封裝基板產量呈現逐年上升的態勢。2022 年產量達 138.1 萬平方米，同比增長 11.73%。預計 2023 年將達 151.5 萬平方米，增速 9.7%。圖表

160、79：2018-2023 年中國封裝基板市場規模 圖表 80：2018-2023 年中國封裝基板產量 資料來源：中商產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：中商產業研究院，國盛證券研究所 國內廠商積極布局，國產份額有望提升。國內廠商積極布局，國產份額有望提升。國產設備由于具備區位優勢、響應速度快、性價比高，獲得了越來越多的客戶選擇。目前，國內本土企業正積極導入高端系列產品，深南電路、珠海越亞、興森科技等本土企業均在積極推進封裝基板擴產，預計將在 2023-2025 年集中釋放產能，有望進一步催生高端直寫光刻設備需求。15%11%10%9%9%8%7%5%5%4%17%欣興電子（臺）揖斐電（日）三

161、星電機（韓）景碩科技（臺）南亞電路（臺）新光電氣（日）信泰（韓）大德（韓）京瓷（日）日月光（臺）其他14.5%5.3%0%2%4%6%8%10%12%14%16%中國大陸產值占比內資企業產值占比1801801861982012070.0%3.3%6.5%1.5%3.0%0%1%2%3%4%5%6%7%0501001502002502018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年E中國封裝基板市場規模（億元）YOY/右軸85.994.3114.9123.6138.1151.59.78%21.85%7.57%11.73%9.70%0%5%10%15%20%25%0204060

162、801001201401602018年 2019年 2020年 2021年 2022年 2023年E中國封裝基板產量（萬平方米）YOY/右軸 2023 年 08 月 27 日 P.42 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 81：IC 載板主要國內廠商擴產情況 公司公司 項目名稱項目名稱 生產產品生產產品 投資額投資額（億元）（億元）擴產規模擴產規模 項目預計投產時間項目預計投產時間 深南電路 高階倒裝芯片用 IC 載板產品制造項目 高階倒裝封裝基板 20.16 年產高階倒裝芯片用IC 載板約 40 萬平方米 已建設完畢，一期產能利用率已保持較高水平，二期2022 年四季度可

163、投產 廣州封裝基板生產基地項目 FC-BGA、FC-CSP 及 RF 封裝基板 60 2 億顆 FC-BGA、300萬 panel/FC-CSP 等有機封裝基板 一期部分廠房已封頂，2023 年四季度投產 興森科技 廣州 FC-BGA 封裝基板生產和研發基地項目 FC-BGA 封裝基板 60 一期和二期產能均為1000 萬顆/月 預計一期 2025 年達產，二期 2027年底達產 珠海越亞 高端射頻及 FC-BGA 封裝載板生產制造項目 高端射頻及 FC-BGA 封裝載板 35/預計 2024 年底達產 勝宏科技 南通勝宏高端多層、高階HDI 印制線路板及 IC 封裝基板建設項目 高端多層、高

164、階 HDI 印制線路板及 IC 封裝基板 29.89 新增產能 199 萬平方米/明陽電路 高頻高印制電路板項目 高頻高印制電路板 6.16 規劃產能 36 萬平方米/和美精藝 富山 IC 載板生產基地建設項目 IC 封裝基板、高密度電子電路板 30 規劃 IC 封裝基板產能70 萬平方米/年，高密度電子電路板產能200 萬平方米/年/中京電子 珠海集成電路（IC）封裝基板產業項目 IC 封裝基板 15/新創元 IC 載板項目 IC 載板 60 年產 IC 載板 24 萬平方米/博敏電子 IC 封裝載板產業基地項目 IC 封裝載板 60/一期計劃 2022 年開工建設，二期計劃 2025 年開

165、工建設 景旺電子 珠海高密度互連印刷電路板項目 HDI、類載板與 IC 載板 26.89 60 萬平米高密度互連印刷電路板 目前處于產能爬坡期，計劃 2024 年Q1 全部建成，2025 年達產 東山精密 鹽城 IC 載板項目 IC 載板 15（首期）/2023 年 3 月設備進場調試 安捷利美維 半導體封裝載板研發制造項目 封裝載板研發制造 65/項目分兩期建設，2025 年之前完成制造基地建設 南亞電子 南亞新一代高精密度 IC 載板項目 高精密度 IC 載板 4.5 億（美元）年產網通類高精密度電路板由 2597 萬片增加至 5075 萬片 2022 年 5 月簽約落地 資料來源：各公司

166、公告，中國擬在建項目網，CEPEM，昆山市政府新聞辦公室官方微信，國盛證券研究所 光刻技術應用：光刻技術應用：IC 載板對設備性能指標要求高，直寫光刻技術成為主流曝光技術。載板對設備性能指標要求高，直寫光刻技術成為主流曝光技術。曝光是泛半導體領域制造的核心工藝，隨著 IC 載板朝著超高精細化路線發展，日益窄小的線寬/線距對圖形成像精度、對位精度以及成品率要求不斷提升。中國臺灣電路板協會 2023 年 08 月 27 日 P.43 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 （TPCA）表示，2023 年 IC 載板的曝光精度（最小線寬）將由 8m 提升至 5m。傳統的接觸式/接近式掩膜光

167、刻工藝在成像精度、對位精度、成品率等方面都難以達到該要求。為了迎合超精細線路制作需求，直寫光刻設備成為 IC 載板曝光工序中的關鍵設備，預計未來高端 IC 載板的曝光精度將提升至 1m。圖表 82：公司直寫光刻設備在 IC 載板領域的工藝應用示意圖 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 技術優勢趨顯，公司技術優勢趨顯，公司MAS系列部分產品已接近或超越全球頭部企業。系列部分產品已接近或超越全球頭部企業。針對IC載板領域，公司具有豐富的產業化成果，在 IC 載板防焊上有 NEX50、NEX40 產品，在 IC 載板線路上有 MAS 系列產品，其中的 MAS6 和 MAS8 產品用于精細化要求高的

168、IC 載板領域，可分別實現 6m 和 8m 的高度解析。以 MAS6 為例，其最小線寬/線距達到 6 微米，對位精度達到5m，產能 72 面/h，資料處理精度為 0.35m，已接近或超越部分 ADTEC、SCREEN、ORC、Orbotech 等全球頭部企業競品。公司的 IC 載板直寫光刻設備均采用先進的 DMD 技術，可使鐳射光束在不同種類的感光膜上曝光。MAS 系列產品均可適用于多種靶點、多種漲縮模式、多種變形模式，同時還能實現全自動連線生產。除此之外，公司也在規劃 4m 的 IC 載板直寫光刻設備，以便滿足未來市場的技術發展需要。圖表 83：公司 IC 載板線路產品類型及產品特性 設備設

169、備 型號型號 示意圖示意圖 最高產最高產能能 資料解析資料解析度度（m）最小線寬最小線寬/線線距距（m）景深景深（m）線寬均勻性線寬均勻性（m）最大曝光面最大曝光面積積 對位精度對位精度（m）層間對位精度層間對位精度（m）Mas6 72 面/小時 0.35 6/6 30&200（AF）10%24x24 5 10 Mas8 120 面/小時 0.5 8/8 80 10%28.5x24.5 6 12 資料來源：公司官網，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.44 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 84：公司 IC 載板防焊產品類型及產品特性 設備設備 型號型號

170、 示意圖示意圖 最高產最高產能能 資料解析資料解析度度（m）最小焊橋最小焊橋/開開窗窗（m）景深景深（m）均勻性均勻性 激光波長激光波長 最大曝光面最大曝光面積積 對位精度對位精度（m）NEX50 270 面/小時 1.5 50/80 200 10%多波長 28.5x24.5 20 NEX40 200 面/小時 1 40/60 150 10%多波長 28.5x24.5 10 資料來源：公司官網，國盛證券研究所 性價比及本土服務優勢明顯，下游市場廣泛認可，銷售收入持續增長。性價比及本土服務優勢明顯，下游市場廣泛認可，銷售收入持續增長。與 Orbotech、ORC等全球頭部企業相比較，在中國大陸市

171、場，公司具有較為顯著的性價比及本土服務優勢。目前 MAS6、MAS8 已實現了產業化生產和市場銷售。2019-2021 年 IC 載板及類載板銷售收入分別為 336.89 萬元、5657.24 萬元和 10692.54 萬元，兩年 CAGR 為 463.37%，呈現快速增長態勢。2022 年公司 IC 載板訂單在二十臺以上，主要集中在 6-8um 設備，今年公司設備性能將進一步提升，預期訂單會保持高速增長。圖表 85：MAS6 與全球頭部企業競品參數對比 競爭對手產品型號競爭對手產品型號 最小線寬最小線寬 對位精度對位精度 產能效率（面產能效率（面/hr）日本 ORC：FDI-MP 4m 3.

172、5m 日本 ADTEC：IP-6 9000 6m 5m 以色列 Orbotech：Paragon-Ultra 300 8m 5m 110 日本 SCREEN：Levina 5m 4m 100 芯芯碁微裝：微裝：MAS6 6m 5m 72 資料來源：公司招股書，國盛證券研究所 定向增發支撐定向增發支撐 IC 載板產能擴張與技術進步。載板產能擴張與技術進步。2022 年，公司向特定投資者發行總額不超過 7.98 億元的資金用于四個項目的建設，其中包含“IC 載板、類載板直寫光刻設備產業化項目”。該項目擬建設現代化的 IC 載板、類載板直寫光刻設備生產基地，推動公司直寫光刻設備產品體系的高端化升級，

173、提升直寫光刻設備產品利潤水平。預計達產后將形成年產量 70（臺/套）直寫光刻設備產品的生產規模。圖表 86：公司定向增發 IC 載板、類載板直寫光刻設備產業化項目具體內容 項目名稱項目名稱 IC 載板、類載板直寫光刻設備產業化項目 項目總投資（萬元）項目總投資（萬元）23,408.27 募集資金使用金額（萬元）募集資金使用金額（萬元）17,583.75 規劃產能規劃產能 70（臺/套）資料來源：公司公告，國盛證券研究所 海外市場尋求突破，出海戰略繼續發力。海外市場尋求突破，出海戰略繼續發力。2022 年 11 月，公司 MAS 直寫光刻準中國臺灣設備成功銷往日本市場（CMK 希門凱），體現了公

174、司產品技術、品質要求已達到全球市場競爭水平，同時也為公司提供了廣闊的市場拓展空間。未來，出海將繼續瞄和日本市場，公司直寫光刻設備市場占有率有望進一步提升。2023 年 08 月 27 日 P.45 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 公司逐步開拓客戶資源。公司逐步開拓客戶資源。公司 IC 載板直寫光刻設備實現了對臻鼎科技、東山精密、深南電路、維信諾、明陽電路等 IC 載板廠商的銷售，產品銷售收入呈現快速增長趨勢。隨著下游客戶加快產品高端化轉型升級，或逐步進入 IC 載板市場或進一步擴充產能，均將有望增加公司 IC 載板直寫光刻設備產品需求。根據公司公告，截止至 2022 年 9

175、月 30 日，IC 載板領域有在手訂單（包括在客戶處驗證）73 臺/套，對應的客戶為健鼎科技、勝宏科技、景旺電子、世運電路、滬電股份、紅板科技、和美精藝等。圖表 87：公司 IC 載板領域主要客戶 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 3.2 引線框架：高集成發展推動直寫光刻傳統替代引線框架：高集成發展推動直寫光刻傳統替代 引線框架是集成電路的芯片載體，目前仍具市場空間，可分為集成電路引線框架和分立引線框架是集成電路的芯片載體，目前仍具市場空間，可分為集成電路引線框架和分立器件引線框架。器件引線框架。引線框架是指借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）來實現芯片內部電路引出端與外引線的電氣連接的一種芯

176、片載體。引線框架是封裝材料中僅次于 IC 載板的第二大封裝材料，由于其結構簡單、制造成本較低，且絕大部分的半導體集成塊中都需要使用引線框架，因此目前引線框架仍具備一定市場空間。在分類上，由于不同的引線框架常是以對應半導體的不同封裝方式來命名，故根據引線框架應用于不同類型的半導體，可分為集成電路引線框架和分立器件引線框架。其中集成電路引線框架按生產工藝分類，又包含 DIP、SOP、QFP、BGA、CSP 等封裝方式，而分立器件引線框架則主要是TO、SOT 兩種封裝方式。2023 年 08 月 27 日 P.46 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 89：引線框架結構示意圖 圖

177、表 90：部分類型引線框架產品圖 資料來源：艾邦半導體，國盛證券研究所 資料來源：康強電子官網，天水華洋官網，長華科技官網，國盛證券研究所 引線框架市場需求持續增長。引線框架市場需求持續增長。根據 ICMtia、SEMI、QY Research 數據，2021 年全球引線框架市場規模約為 38.2 億美元，同比增長 20.13%。預計到 2023 年將增至 39.9 億美元，2027 年將達到 44.75 億美元，2021-2027 的 CAGR 為 3.9%。從國內來看，2021 年我國引線框架市場規模約為 80.3 億元，同比增長 20.39%，2022 年增長至 83.6 億元，YOY

178、為 4.11%。圖表 91：我國引線框架市場規模 資料來源：ICMtia，SEMI，國盛證券研究所 61.664.263.966.365.966.780.383.64.22%-0.47%3.76%-0.60%1.21%20.39%4.11%-5%0%5%10%15%20%25%01020304050607080902015年2016年2017年2018年2019年2020年2021年2022年我國引線框架市場規模（億元）YOY/右軸圖表 88：引線框架根據所應用半導體類型分類情況及示意圖 類型類型 封裝方式封裝方式 示意圖示意圖 集成電路引線框架 DIP(雙列直插封裝)SOP（小外形封裝)QF

179、P（四側引腳扁平封裝）BGA（球柵陣列封裝）CSP（芯片級封裝）分立器件引線框架 TO（晶體管外形封裝)SOT（小外形晶體管封裝)資料來源：CSDN，烜芯微官網，宇凡微官網，智研咨詢，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.47 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 光刻技術應用：引線框架領域直寫光刻存在傳統替代趨勢，蝕刻工藝成為未來發展主要光刻技術應用：引線框架領域直寫光刻存在傳統替代趨勢，蝕刻工藝成為未來發展主要方向。方向。引線框架領域，目前有直寫光刻技術的蝕刻工藝和傳統沖壓工藝兩種選擇。在應用上，根據生產經驗，100 腳位以上的引線框架生產主要采用蝕刻工藝，10

180、0 腳位以下的引線框架生產主要采取沖壓工藝。傳統的沖壓工藝是指首先制造出模具，再運用模具通過機械力作用對金屬材料進行沖切，從而形成復雜電路圖案的生產工藝。而蝕刻工藝主要采用光刻及溶解金屬的化學試劑從金屬條帶上蝕刻出圖案。雖然傳統沖壓工藝具有生產成本優勢，但由于精度相對較低且無法生產超薄產品，沖壓工藝無法適應當前集成電路精細化發展帶來的多腳位和輕薄化封裝要求，而蝕刻工藝對曝光精度和靈活性的要求更高，成為引線框架未來發展的主要方向。在該領域內，直寫光刻技術不斷替代傳統的間接曝光技術（如掩膜曝光），對直寫光刻設備的需求量不斷增長。具體來看，公司直寫光刻設備在引線框架上主要用于曝光環節。圖表 92：引

181、線框架中蝕刻工藝和傳統沖壓工藝特點對比 工藝種類工藝種類 優點優點 缺點缺點 示意圖示意圖 蝕刻工藝 生產調整周期短，方便轉換生產，適用于多品種小批量生產 資金投入大，進入門檻高 產品精度高，可生產多腳位（100 腳以上）的產品 不能生產帶有凸性的產品 適合生產超薄產品 不適合生產厚的產品 對于低腳位、產量大的產品生產成本相對較高 傳統沖壓工藝 生產效率高，適用于大規模生產 模具制作周期長 資金投入少，進入門檻低 產品精度相對較低，不適合生產多腳位產品 可生產帶有凸性的產品 不能生產超薄產品 對于低腳位、產量大的產品生產成本較低 資料來源：康強電子招股說明書，蝕刻型高密度引線框架銅合金帶材的研

182、制進展，國盛證券研究所 圖表 93：直寫光刻設備在引線框架領域的工藝應用示意圖 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.48 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 公司引線框架產品優勢明顯，大客戶戰略助力引線框架銷售。公司引線框架產品優勢明顯，大客戶戰略助力引線框架銷售。公司引線框架設備型號主要為 RTR15DE 和 RTR25DE，公司成功開發的 RTR15DE 產品能夠滿足引線框架的更小線寬和更高層間對位的要求，使用卷對卷的雙面同時曝光，可以實現曝光精度 15m、層間對位精度5m、產能 2m/min。目前公司積極推動蝕刻工藝對傳統沖壓工藝的替代

183、，已實現了對立德半導體、龍騰電子等下游引線框架客戶的市場銷售。圖表 94：公司引線框架產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 產品描述產品描述 RTR15DE RTR25DE 該產品主要應用于引線框架、金屬蝕刻等領域。該系列設備具有卷式雙面同時曝光功能，同時還能保證高解析、高對位精度和高產能。資料來源：公司公告，國盛證券研究所 3.3 先進封裝：后摩爾時代下的明星，空間大、增速高，公司有望深度受益先進封裝：后摩爾時代下的明星，空間大、增速高，公司有望深度受益 先進封裝大勢所趨，技術持續演進。先進封裝大勢所趨，技術持續演進。先進封裝是指處于前沿的封裝形式和技術，也稱為高密度先進封裝 HDAP（

184、High Density Advanced Package），是指采用了先進的設計思路、先進的集成工藝、不斷縮短引線互連長度，并對芯片進行系統級封裝的重構，能有效提高系統功能密度的封裝方式。傳統封裝是利用引線框架（WB）作為載體，采用引線鍵合的方式進行互連，過程中先將晶圓片切割成單個芯片，再進行封裝，內部封裝為引線框架（WB）的封裝不被歸類為先進封裝。先進封裝是指處于前沿的封裝形式和技術，其與傳統封裝的區分一般以 2000 年為節點，主要包括倒裝芯片結構封裝（FC）、晶圓級封裝（WLP）、系統級封裝（SiP）、2.5D 封裝、3D 封裝等。2023 年 08 月 27 日 P.49 請仔細閱讀

185、本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 95：先進封裝發展趨勢以及與傳統封裝的區別 資料來源：McKinsey&Company，SiP 與先進封裝技術，國盛證券研究所 先進封裝四大要素為先進封裝四大要素為 RDL（ReDistribution Layer，即重布線層）、，即重布線層）、TSV（Through Silicon Via，即硅通孔）、，即硅通孔）、Bump（凸點）和（凸點）和 Wafer（晶圓）。（晶圓）。其中，只要含有其中 1-2種技術的封裝方式都可以稱為先進封裝。從功能來看，RDL 是用于 XY 平面的延伸和互聯，TSV 是用于 Z 軸的延伸，Bump 是用于芯片界面的連接

186、并起到應力緩沖的作用，Wafer是集成電路、RDL 以及 TSV 的載體。2023 年 08 月 27 日 P.50 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 96：先進封裝四大要素 RDL、TSV、Bump 和 Wafer 的功能示意圖 圖表 97：先進封裝四大要素的先進性排序 資料來源：SiP 與先進封裝技術，國盛證券研究所 資料來源：SiP 與先進封裝技術，國盛證券研究所 圖表 98：先進封裝四大要素 先進封裝先進封裝四大要素四大要素 應用應用 功能功能 發展趨勢發展趨勢 示意圖示意圖 RDL 2D、2.5D、3D、FIWLP、FOWLP XY 平面的延伸和互聯 尺寸越來越

187、小，密度越來越大 TSV 2.5D、3D Z 軸的延伸 尺寸越來越小，密度越來越大（按照集成類型不同可分為 2.5D TSV 和 3D TSV，前者位于硅轉接板上，后者貫穿芯片體連接上下層芯片）Bump 2D、2.5D、3D 芯片界面的連接、應力緩沖 越來越小，有消失趨勢 Wafer 2D、2.5D、3D、FIWLP、FOWLP 集成電路、RDL 以及 TSV 的載體 越來越大，從 6 英寸到 8 英寸到 12 英寸（目前普遍應用）到18 英寸（將來普遍應用）資料來源：SK Hynix 官網，艾森股份招股說明書，SiP 與先進封裝技術，Fan-Out Wafer and Panel Level

188、 Packaging as Packaging Platform for Heterogeneous Integration，國盛證券研究所 先進封裝主要包括倒裝芯片結構封裝（先進封裝主要包括倒裝芯片結構封裝（FC）、晶圓級封裝（）、晶圓級封裝（WLP）、系統級封裝（）、系統級封裝（SiP）、）、2.5D 封裝、封裝、3D 封裝等。封裝等。2023 年 08 月 27 日 P.51 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 倒裝芯片結構封裝（倒裝芯片結構封裝（Flip Chip）。）。倒裝就是將芯片倒過來，將有源區面朝下對著 PCB基板，從而區別于以往的封裝技術（將芯片有源區面朝上）。

189、在倒裝芯片封裝中，硅芯片使用焊料凸點（Bump）實現芯片與基板的互聯，而非用焊線直接固定在基材上，從而提供密集的互連。除此之外，為了保證可靠性和穩定性，還會使用毛細底部填充材料（CUF）或模塑底部填充材料（MUF）對熱應力進行再分布。由此，倒裝芯片結構封裝（FC）可在微型化上進一步拓展，實現最短的電路徑，減少封裝面積，保證更高的速度和更少的寄生效應，增加引腳數量。在消費、網絡、計算、移動和汽車市場上，倒裝芯片結構封裝（FC）是一系列應用中的關鍵技術。圖表 99：倒裝芯片結構封裝（FC）示意圖 資料來源：電子封裝材料與技術，國盛證券研究所 圖表 100：倒裝芯片結構封裝（FC）工藝流程 資料來源

190、：電子封裝材料與技術，國盛證券研究所 晶圓級封裝（晶圓級封裝（WLP）。晶圓級封裝（WLP）是直接先在整片晶圓上同時對眾多芯片完成大部分或全部的封裝測試，再切割成單顆成品（與傳統封裝中先切割再封裝不同）。與倒裝芯片結構封裝（FC）類似，晶圓級封裝（WLP）也利用晶圓凸塊來與電路板互連，只是前者使用較小的焊接凸塊，后者使用較大的焊接凸塊，且無填充材料。該封裝方式是一種無基板封裝，主要工藝為 RDL 技術。由于可將芯片批量封裝制作，實現整個晶圓一次全部封裝，因此可以提高產能、簡化供應鏈、降低總體成本，同時信號傳輸路徑更短，散熱性更好、體積更小，適用于移動和手持設備等成熟市場，也適用于物聯網（IoT

191、）、可穿戴設備和汽車電子等新興市場。2023 年 08 月 27 日 P.52 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 101：傳統封裝與晶圓級封裝流程對比 資料來源：屹立芯創，國盛證券研究所 根據引線方式不同，晶圓級封裝（晶圓級封裝（WLP）可分為扇入式晶圓級封裝（）可分為扇入式晶圓級封裝（Fan-in WLP）和）和扇出式晶圓級封裝（扇出式晶圓級封裝（Fan-out WLP）。）。（1）扇入式晶圓級封裝（）扇入式晶圓級封裝（Fan-in WLP，簡稱，簡稱 FIWLP）：）：是將整片晶圓封裝好后再進行切割，使得最終的封裝器件的二維平面尺寸與芯片本身尺寸相同。其優點在于可達真

192、正裸片尺寸。缺點在于其必須把外部金屬球制作在芯片面積內，因而只適合接腳數較少的集成電路。（2）扇出式晶圓級封裝（）扇出式晶圓級封裝（Fan-out WLP，簡稱，簡稱 FOWLP）：）：是基于晶圓重構技術，先將晶圓上的芯片切割，并將芯片之間拉開一段距離形成扇出區，再轉移至人工晶圓（即載體 wafer，類似約 200mm 或 300mm 的圓形形態，后續也用來做 RDL 層）后封裝切割。其優點在于將外部金屬球制作在了芯片面積外的扇出區，因而可以接納更多的接腳數。圖表 102：扇入式 WLP 和扇出式 WLP 對比（剖面）圖表 103：扇入式 WLP 和扇出式 WLP 對比（底面）（上為扇入式 W

193、LP，下為扇出式 WLP）（左為扇入式 WLP，右為扇出式 WLP）資料來源：先進封裝技術綜述，國盛證券研究所 資料來源：先進封裝技術綜述，國盛證券研究所 面板級封裝（面板級封裝（Panel Level Package，簡稱，簡稱 PLP）。）。Fan-out 有兩個大類，分別為晶圓級封裝（Fan-Out Wafer Level Packaging，簡稱 FOWLP）以及面板級封裝（Fan-Out Panel Level Packaging，簡稱 FOPLP），后者相對于前者是一種更高效的封裝技術，原因在于與晶圓級封裝（FOWLP）不同的是，面板級封裝（FOPLP）是將切割下來的晶粒重組于方形

194、的載體 panel 上，而不是圓形的載體 wafer 上。由于方形的 2023 年 08 月 27 日 P.53 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 載體 panel 與矩形的芯片形狀一致，因此與圓形的載體 wafer 相比，前者可以大大減少邊角料的浪費，節約成本。根據 STATS ChipRAC 和 Rudoph Technologies 數據顯示，一片 500 x500mm panel 可處理的 die 數量是 300mm wafer 的 4.54 倍，600 x600mm panel 是 6.5 倍。由此可見面板級封裝（FOPLP）擁有更高的材料與面積利用率，可以節約更多的

195、成本，獲得更高的封裝效率。但面板級封裝也對光刻、對準、翹曲等技術提出了更高的要求。圖表 104：FOWLP 與 FOPLP 示意圖 圖表 105：FOPLP 擁有更高的面積利用率 （a）FOWLP （b）FOPLP 資料來源：日月光，國盛證券研究所 資料來源：STATS ChipPAC&Rudoph Technologies，國盛證券研究所 系統級封裝（系統級封裝（System in a Package，簡稱，簡稱 SiP）。）。系統級封裝就是將多個功能不同的芯片與可選無源器件直接封裝成具有完整功能的一個標準功能器件。SiP 作為一種全新的集成方法和封裝技術，成為實現高性能、低功耗、小型化、異

196、質工藝集成、低成本系統集成的重要技術方案。國際半導體技術藍圖（ITRS）已經明確 SiP是未來超越摩爾定律的主要技術。從結構上，SiP 可以分為兩類，一類是二維封裝結構（多塊芯片平面排布，即 2D SiP），一類是三維封裝結構（芯片垂直疊裝，即 3D SiP），其中 3D SiP 能最大限度地發揮 SiP 的技術優勢。圖表 106：系統級封裝（SiP）示意圖 資料來源：CSDN，國盛證券研究所 2.5D 封裝。封裝。2.5D 封裝是傳統 2D 封裝技術的進步，即在后者基礎上，于芯片和封裝基板間加入硅中介層（interposer），芯片并排放置在該硅中介層頂部，通過芯片的微凸塊（Bump）和硅中

197、介層中的布線互連，硅中介層再利用 TSV 連接上下表面的金屬，最后通過錫球（C4）焊接至傳統 2D 的封裝基板上。2.5D 封裝在容量及性能上比 2D 結構得到巨大提升，可實現更精細的線路與空間利用。2023 年 08 月 27 日 P.54 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 107：2.5D 封裝示意圖 資料來源：Research Gate，國盛證券研究所 3D 封裝。封裝。3D 封裝是將芯片與芯片直接堆疊在一起，裸片之間通過有源中介層連接。這種上下垂直的堆疊方式顯著區別于 2.5D 封裝的左右水平堆疊方式，因而被稱為 3D 封裝。如前所述，2.5D 封裝是通過微凸塊或

198、 TSV 將元件左右水平放置在中介層上，3D 封裝是將多層硅晶圓與采用 TSV 的元件連接在一起，也就是說要實現上下垂直堆疊，必須將 TSV 制作在含有晶體管的芯片上，難度很高。TSV 技術是2.5D 和 3D 封裝中的關鍵技術。3D 封裝可以實現相當大的尺寸和重量降低，提高了產品容量和性能，目前廣泛用于高帶寬內存（HBM）處理器中。圖表 108：3D 封裝示意圖 資料來源：Research Gate，國盛證券研究所 后摩爾定律時代下先進封裝技術為主要方向，大陸先進封裝產值占比逐漸提升。后摩爾定律時代下先進封裝技術為主要方向，大陸先進封裝產值占比逐漸提升。后摩爾時代下，超越摩爾路徑的先進封裝或

199、成為突圍點，同時，下游產品對封裝技術高密度、低功耗要求的進一步提升，促使先進封裝不斷發展。隨著新能源汽車、5G 通訊、消費電子等終端市場需求的不斷升級，中國先進封裝行業市場規模由 2016 年的 187.7 億元增長至 2020 年的 351.3 億元，年均復合增長率達 16.96%。通過國內廠商的兼并收購，目前封測廠商技術平臺基本做到與海外同步，大陸先進封裝產值占全球比例也在逐漸提升，由 2016 年的 10.9%增長至 2021 年的 15.7%。2023 年 08 月 27 日 P.55 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 109：中國先進封裝行業市場規模 圖表 11

200、0：中國先進封裝產值占全球比例 資料來源：Frost&Sullivan，中商產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：中商產業研究院，國盛證券研究所 光刻技術應用：先進封裝領域激光直寫光刻前景廣闊，從技術上和市場上看都具備良好光刻技術應用：先進封裝領域激光直寫光刻前景廣闊，從技術上和市場上看都具備良好應用前景。應用前景。從技術上看從技術上看，光刻機在先進封裝領域主要用于倒裝芯片結構封裝（FC）的凸塊（Bump）、RDL、2.5D/3D 封裝的 TSV 等的制作，此外，先進封裝引入濕制程后也基本都會使用到光刻機。目前該領域內掩膜光刻仍為主流技術，激光直寫光刻也被部分應用于晶圓級封裝（WLP）之中。這

201、是由于目前在 Fan-out WLP 的封裝工藝中存在三大技術難點，第一是晶粒偏移（die shift），這是指在芯片轉移過程出現了偏位、漲縮等情況從而導致實際的晶粒位置和預設位置產生了偏差，進而需要糾偏；第二是翹曲（warpage），這是由于 EMC 材料和硅片的熱膨脹系數不匹配而產生的形變，進而會導致曝光不良；第三是殘膠（residue）。而由于 DMD 直寫光刻圖形靈活的特點，相對于傳統的步進重復投影曝光機（steppers），更能較好的解決晶粒偏移問題（die shift）和翹曲問題（warpage）。在這個過程中，直寫光刻技術可以通過更改布線或 PI 層或凸點糾偏的圖形矯正以保證 R

202、DL 層圖形的正確性。此外，在Fan-out WLP 的貼片工藝中，基于 LDI 的 PI 糾偏方案可以很好解決貼片機的貼片誤差問題。綜上，在晶粒偏移、襯底翹曲、基片變形等領域，直寫光刻技術的自適應調整能力，使之具有良率高、一致性好的優點。從市場上看，從市場上看，掩膜光刻國外廠商主要以日本 ORC、美國 Rudolph 等日、歐、美企業為主，國內廠商主要是上海微電子。但近年來，由于掩膜光刻技術在對位靈活性、大尺寸封裝、自動編碼等方面存在問題，日本 SCREEN、USHIO 等泛半導體光刻設備廠商也成功研制了適用于IC先進封裝領域的激光直寫光刻設備。根據Yole預測，在 IC 先進封裝領域內，激

203、光直寫光刻設備將在未來三年內逐步成熟并占據一定市場份額，具有良好的市場應用前景。具體來看，公司激光直寫光刻設備主要應用在垂直互聯的 TSV 硅通孔上以及水平互聯 Bump 工藝上，其算法主要運用于糾偏。圖表 111：Fan-out WLP 的晶粒偏移問題（die shift）和翹曲問題（warpage）圖表 112：Fan-out WLP 的工藝流程 資料來源：ERS，國盛證券研究所 資料來源：日月光，國盛證券研究所 187.7207.9263.3293.7351.3399.6507.510.8%26.6%11.5%19.6%13.7%27.0%0.0%5.0%10.0%15.0%20.0%2

204、5.0%30.0%01002003004005006002016年2018年2020年2022年E市場規模（億元）增速10.9%11.9%12.8%13.6%14.8%15.7%16.6%0%5%10%15%20%2016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年 2022年E中國先進封裝產值占全球比例中國先進封裝產值占全球比例 2023 年 08 月 27 日 P.56 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 公司先進封裝產品優勢明顯，產品矩陣不斷擴充。公司先進封裝產品優勢明顯，產品矩陣不斷擴充。公司先進封裝領域設備主要為WLP2000。WLP2000 直寫光刻

205、機采用最先進的數字光刻技術，無需掩膜版，可直接將版圖信息轉移到涂有光刻膠的襯底上，主要應用于 8inch/12inch 集成電路先進封裝領域，包括 Flip Chip、Fan-In WLP、Fan-Out WLP 和 2.5D/3D 等先進封裝形式。WLP2000 直寫光刻機采用多光學引擎并行掃描技術，具備自動套刻、背部對準、智能糾偏、WEE/WEP功能，在 RDL、Bumping 和 TSV 等制程工藝中優勢明顯。圖表 113：公司先進封裝產品特性 設備設備 型號型號 示意圖示意圖 支持基板支持基板尺寸尺寸 基板厚度基板厚度 分辨率分辨率 景深景深 套刻套刻精度精度 背面對準背面對準 產能產

206、能 光源類型光源類型 拼接拼接誤差誤差 MES 系統系統 WLP2000 12inch（兼容8inch）0.1mm4mm L/S 2/2m；Hole 4m 12m 0.6m 優于 2m（IR 或可見光背面對準系統）40WPH LD 3755nm（405nm可選）0.12m 支持工廠MES 系統接入 資料來源：公司官網，國盛證券研究所 晶圓級封裝晶圓級封裝光刻設備研制已驗收，出海戰略瞄準海外市場，客戶持續拓展光刻設備研制已驗收，出海戰略瞄準海外市場，客戶持續拓展。在先進封裝領域，公司 WLP 設備平均單價在千萬級別，“晶圓級封裝光刻設備研制項目”已進入驗收階段，能夠產出 8 寸晶圓封裝直寫光刻設

207、備并進入主流的 12 寸先進封裝領域。除此之外，今年將結合出海戰略瞄準中國臺灣及東南亞市場，主要客戶有華天科技、辰顯光電等。圖表 114：公司在研先進封裝項目具體情況 項目名稱項目名稱 預計總投資規預計總投資規模（萬元）模（萬元）累 計 投 入 金 額累 計 投 入 金 額（萬元）（萬元）進展或階段性成進展或階段性成果果 擬達到目標擬達到目標 技術水平技術水平 應用場景應用場景 晶圓級封裝光刻設備 3,200.00 3,712.99 驗收階段 完成安徽省戰略性新興產業集聚發展基地項目“8 寸晶圓封裝直寫 光 刻 設 備 研 制 項目”，并進行產業化和后續的更高端的系列技術升級，從而進入主流的

208、12 寸的先進封裝領域。結合公司在 IC 掩膜版制版、IC 前道制造的技術基礎，在研項目實現量產型的最小線寬達 2m、最大曝光面積200mm*200mm，套刻精度 500nm。晶圓級封裝行業 資料來源：公司年報，國盛證券研究所 3.4 掩膜版制版：精度要求高，公司掩膜版制版：精度要求高，公司 90nm-65nm 制版光刻設備在研中制版光刻設備在研中 全球掩膜版行業處于快速發展階段，中國掩膜版市場規模全球占比逐年上升。全球掩膜版行業處于快速發展階段，中國掩膜版市場規模全球占比逐年上升。掩膜版又稱光罩、光掩膜等，是微電子制造過程中的圖形轉移工具或母版，用于下游電子元器件行業批量復制生產。掩膜版在生

209、產中起到承上啟下的關鍵作用，是產業鏈中不可或缺的重要環節。從應用結構來看，半導體和平板顯示是其主要的兩大應用領域，其中又以半導體掩膜版為最大細分市場。半導體掩膜版半導體掩膜版：根據 SEMI 數據顯示，全球半導體掩膜版市場規模及中國半導體掩膜版全球占比均逐年上升。2025 年全球半導體掩膜版行業的市場規模預計將突破392億元，其中，中國半導體掩膜版行業市場規模約為94億元，全球占比可達24%。平板顯示掩膜版：平板顯示掩膜版：依據 Omdia 數據，全球平板顯示掩膜版市場規模從 2016 年的 671億日元預計上升至 2022 年的 1026 億日元，CAGR 為 7.3%。2016-2021

210、年，全球平板顯示掩膜版市場規模整體呈波動上升趨勢，雖 2020 年受全球新冠疫情沖擊有所下滑，但預計 2021 年回升至 965 億日元，預計 2022 年可達 1026 億日元。同 2023 年 08 月 27 日 P.57 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 時，中國大陸平板顯示掩膜版市場規模全球占比也在逐年上升，預計 2022 年全球占比可達 58%。圖表 115：全球及中國半導體掩膜版市場規模 圖表 116：中國半導體掩膜版市場規模全球占比 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 資料來源：SEMI，國盛證券研究所 圖表 117：全球平板顯示掩膜版市場規模 圖表 118：中國

211、平板顯示掩膜版市場規模全球占比 資料來源：Omdia，觀研報告網，國盛證券研究所 資料來源：Omdia，觀研報告網，國盛證券研究所 光刻技術：在掩膜版制造光刻技術：在掩膜版制造領域主流技術為直寫光刻技術。領域主流技術為直寫光刻技術。掩膜版的生產流程如下圖所示，其中圖形光刻是掩膜版制造的重要環節，采用正性光刻膠，通過激光作用使需要曝光區域的光刻膠內部發生交聯反應，其光刻精度要求中等。由于直寫光刻技術能夠在計算機控制下，按照設計好的圖形直接成像，容易修改且制作周期較短，是目前泛半導體掩膜版制版的主流技術。直寫光刻技術主要包含激光直寫光刻（FPD 掩膜版制版、IC 制造中低端掩膜版制版）和帶電粒子束

212、直寫光刻（IC 制造高端掩膜版制版）。其中，激光直寫光刻可進行半導體 0.25m 以上節點以及部分 0.25m 以下節點的掩膜版制版，約占半導體掩膜版總量的 75%（剩余 25%為電子束直寫光刻）。除此之外，激光直寫光刻在平板顯示領域的大幅面掩膜版制版的技術運用可達 100%。激光直寫光刻技術在掩膜版制造領域的技術運用：激光直寫光刻技術在掩膜版制造領域的技術運用：首先將較高波長的連續或脈沖激光光源，整形精縮為 200-500nm 的激光點，再運用計算機控制該高精度激光束，根據設計的圖形在掩膜光刻膠上畫出，最后通過顯影蝕刻即獲得電路圖案。帶電粒子直寫光刻技術在掩膜版制造領域的技術運用：帶電粒子直

213、寫光刻技術在掩膜版制造領域的技術運用：帶電粒子直寫光刻技術與激光直寫光刻技術的原理相同，只是將輻射源用小至納米級的帶電粒子束取代了激光光束，能夠實現更高的光刻精度，主要應用于 IC 制造所需的高端掩膜版制版領域。301315329343357371392485360677584940501001502002503003504004502019年2020年2021年E 2022年E 2023年E 2024年E 2025年E全球半導體掩膜版規模(億元)中國半導體掩膜版規模(億元)15.9%16.8%18.2%19.5%21.0%22.6%24.0%00.050.10.150.20.250.3201

214、9年2021年E2023年E2025年E中國半導體掩膜版市場規模全球占比中國半導體掩膜版市場規模全球占比671800912101090396510260200400600800100012002016年 2017年 2018年 2019年 2020年 2021年E2022年E全球FPD掩膜版市場規模(億日元)32%40%50%51%54%58%0%10%20%30%40%50%60%70%2017年2018年2019年2020年2021年E 2022年E中國大陸FPD掩膜版市場規模全球占比中國大陸FPD掩膜版市場規模全球占比 2023 年 08 月 27 日 P.58 請仔細閱讀本報告末頁聲明

215、請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 119：公司直寫光刻設備在掩膜版制版領域的工藝應用示意圖 資料來源：前瞻研究院，公司公告，國盛證券研究所 公司公司激光激光掩膜版制版具備國際競爭力。掩膜版制版具備國際競爭力。掩膜版制版技術較難，存在行業壁壘，國內企業中有芯碁微裝、江蘇影速、天津芯碩等能夠實現掩膜版制版產業化。目前公司設備型號主要有 LDW500、LDW350、MLC900、MLC600，能夠做到的最高精度為 90nm。另外，公司激光掩膜版制版領域的關鍵技術指標，如最小線寬、產能效率等已經能夠與行業龍頭 Heidelberg 進行競爭，產品具備國際競爭力。圖表 120：不同直寫光刻技術領域的主要廠

216、商 光刻技術光刻技術 國內企業國內企業 國際企業國際企業 激光直寫光刻 芯碁微裝、江蘇影速、天津芯碩 瑞典 Mycronic（全球領先地位）、德國 Heidelberg 帶電粒子束直寫光刻/日本 JEOL、ELIONIX、NuFLARE、ADVANTEST 以及德國 Vistec、Raith 資料來源：公司招股說明書，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.59 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 121：公司掩膜版制版產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 產品描述產品描述 LDW500 LDW350 用于 IC 掩膜版制版、IC 芯片、MEMS 芯片、生

217、物芯片等直寫光刻，光刻精度能夠達到最小線寬 350nm-500nm，能夠滿足線寬 90nm-130nm 制程節點的掩膜版制版需求。MLC900 MLC600 自主研發生產的一款精巧型光刻設備，廣泛應用 IC 芯片、掩模版、MEMS 芯片、生物芯片微納光刻加工領域的研究與生產，光刻最小線寬 600nm，套刻對準精度 500 nm。資料來源：公司公告，國盛證券研究所 90nm-65nm 制版光刻設備研制進行中。制版光刻設備研制進行中。2022 年立項的 90nm-65nm 制版光刻設備研制仍在研究階段，項目完成后可產出完全自主知識產權的 90nm-65nm 節點制版光刻機，公司目前能夠做到的掩膜版

218、最高精度為 90nm。如果 65nm 能夠制版出來，或能夠覆蓋國內的 70-80nm 掩膜版產能，進一步強化國內領先市場地位。圖表 122：公司在研掩膜版制版項目具體情況 項目名稱項目名稱 預計總投資規模預計總投資規模（萬元）（萬元）累計投入金額（萬累計投入金額（萬元）元）進展或階段性成果進展或階段性成果 擬達到目標擬達到目標 應用場景應用場景 90nm-65nm制版光刻設備研制 5,000.00 3,038.21 研究階段 作為安徽省重大科技專項（定向委托類），研發一款具有完全自主知識產權的 90nm-65nm 節點的制版光刻機。半 導 體 及 制版行業 資料來源：公司年報，國盛證券研究所

219、3.5 新型顯示：新型顯示：Mini/Micro LED 前景廣闊，帶來直寫光刻設備市場新增量前景廣闊，帶來直寫光刻設備市場新增量 中國是全球新型顯示發展的重要引擎，中國是全球新型顯示發展的重要引擎，Mini/Micro LED 前景廣闊。前景廣闊。新型顯示泛指液晶顯示（LCD）、有機發光二極管（高世代 OLED）、主動矩陣有機發光二極管（AMOLED）、微發光二極管（Mini/MicroLED）、電致發光量子點（QLED）、激光顯示、印刷顯示等。其中 Mini/MicroLED 優勢突出，在功耗、可異性化、亮度、解析度、色彩飽和度、反應速度、壽命、效率、熱穩定性等方面擁有顯著優勢，可應用在超

220、大尺寸顯示領域、增強現實、虛擬現實等領域。液晶顯示（液晶顯示（LCD）。）。LCD 是第二代顯示技術，屬于非自發光型顯示器，即自身不具有發光特性，是利用背光模組提供光源。其構造是在兩片平行的玻璃基板當中放置液晶盒，下基板玻璃上設置 TFT（薄膜晶體管），上基板玻璃上設置彩色濾光片，通過TFT 上的信號與電壓改變來控制液晶分子的轉動方向，從而達到控制每個像素點偏振光出射與否而實現單個像素顏色的顯示?？蓮V泛用于電視、筆記本電腦、桌面顯示器、手機、數碼相機、車載設備等。液晶顯示（LCD）的缺點在于效率低（背光層發出的光經過多層穿透存在較大程度的浪費）、無法顯示純粹的黑色（其顯出的黑色是背光屏蔽大部分

221、后顯出的）、可視角度問題（從側面顯示畫面的效果嚴重衰減）、顏色不夠鮮艷（是 RGB 濾光片發出，而非像素點自發光）、整體厚度較厚（結構復雜）。2023 年 08 月 27 日 P.60 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 123：LCD 構造圖 圖表 124：LCD 液晶模組構造圖 資料來源：和輝光電官網，國盛證券研究所 資料來源：激智科技招股書，國盛證券研究所 有機發光二極管（高世代有機發光二極管（高世代 OLED）。OLED 是第三代顯示技術，屬自發光型，不需要背光源，是有機半導體材料和發光材料在電場驅動下，通過載流子注入和復合導致發光。OLED 器件結構為陽極、金屬陰

222、極以及夾在中間的有機功能層，呈現三明治結構。在一定電壓驅動下，電子和空穴分別從陰極和陽極注入到電子和空穴傳輸層，兩者在發光層中復合形成單線態或三線態激子，激子經輻射衰變以光子形式發出。OLED 的特性是主動發光，理論上可視度和亮度較高，具有輕薄、能耗低、亮度高、顏色鮮艷、響應速度快、發光率好、可以顯示純黑色、可彎曲等優點。OLED 顯示面板現已廣泛應用于智能手機、電視、可穿戴設備、VR、車載顯示屏幕等領域。但其缺點在于有機材料有不可逆轉的壽命問題，易產生色偏或燒屏，此外 OLED 的成本也較高。圖表 125：OLED 構造圖 圖表 126：OLED 顯示發光原理 資料來源：和輝光電官網，國盛證

223、券研究所 資料來源：和輝光電官網，國盛證券研究所 主動矩陣有機發光二極管（主動矩陣有機發光二極管（AMOLED）。）。OLED 驅動模式分為被動（PMOLED）與主動（AMOLED）兩種，其中 AMOLED 逐漸成為 OLED 顯示的主流技術。AMOLED（Active Matrix/Organic Light Emitting Diode），即有源矩陣有機發光二極體顯示面板，是通過驅動電路來驅動發光二極管，采用獨立的薄膜電晶體去控制每個像素，每個像素可以連續且獨立的驅動發光。LTPS-AMOLED 的制作工藝主要分為背板段，2023 年 08 月 27 日 P.61 請仔細閱讀本報告末頁聲明

224、請仔細閱讀本報告末頁聲明 前板段以及模組段三道工藝。AMOLED 具有卓越畫質、輕薄外形、寬溫操作、戶外可視、節能省電、健康護眼等優點，但其制作工藝更為復雜，生產成本也較高。圖表 127：AMOLED 結構示意圖 圖表 128：LTPS-AMOLED 的驅動背板工藝流程圖 資料來源：和輝光電官網，國盛證券研究所 資料來源：和輝光電官網，國盛證券研究所 微發光二極管（微發光二極管（Mini/MicroLED）。）。是基于微小的 LED 晶體顆粒作為像素發光點的顯示技術。MicroLED 還在技術發展階段，MiniLED 則處于量產上升期。MiniLED。是指芯片尺寸在 50200m 之間，帶藍寶

225、石襯底的產品。MiniLED 將傳統的 LED 燈珠做得更小，其芯片大小僅為傳統 LED 燈珠的四十分之一左右，整體光源布局更精密，通過超多分區技術實現對背光源的精細化控制。在實際應用中，通常分為直顯與背光兩種解決方案。直顯產品以多場景商用為主，可實現模塊化超大尺寸，家用主要通過 MiniLED 背光技術實現，在移動、車載等領域均有推廣普及。MiniLED 優點在于輕薄、色域廣、高對比度、反應時間快、省電效果強。圖表 129：MiniLED 背光與傳統直下式 LED 背光的兩種背光技術對比 圖表 130：MiniLED 背光實物圖 （左為 MiniLED 背光，右為傳統直下式 LED 背光）資

226、料來源：MiniLED 電視背光技術淺析與顯示標準介紹，國盛證券研究所 資料來源：用于超薄 MiniLED 背光模組的光學膜設計，國盛證券研究所 MicroLED。依據 LED 尺寸定義，芯片尺寸小于 100 或 50m 的 LED 定義為 MicroLED，根據芯片面積定義，芯片面積小于 2500m2的 LED 為 MicroLED。MicroLED 是指高密度集成的 LED 陣列，每個 LED 尺寸為數十微米，是一種自發射器件，單像素能夠產生高亮度，可以實現每一個像素點的控制和單點光驅動。MicroLED 結合了 LCD 和 OLED 顯示的優點，首先 MicroLED 顯示作為自主發光顯

227、示沒有背光源，比 LCD 功耗更低，結構更簡單，體積更??；相比 OLED，MicroLED 無機的發光單元比 OLED 的有機發光單元壽命更長。并且 MicroLED 可以作為手機、手表、AR/VR、TV 等設備的顯示屏。隨著 4G、5G 技術的成熟，4K、8K 電視將更加普及，這也為 MicroLED 提供了巨大的市場。所以，MicroLED 利用無機 LED 器件作為發光像素來實現主動發光矩陣式顯示，在功耗、分辨率、對比度、壽命等方面均超過了目前主流的 LCD 和 OLED。其驅動方式一般分為有源驅動技術和無源驅動技術兩鐘。2023 年 08 月 27 日 P.62 請仔細閱讀本報告末頁聲

228、明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 131：MicroLED 與 LCD、OLED 顯示屏結構對比圖 資料來源：MicroLED 的陣列設計制備及性能研究，國盛證券研究所 圖表 132：MiniLED 與 MicroLED 比較 MiniLED MicroLED 尺寸 100-200m 30m 光源 自發光、背光 自發光 終端應用 商用顯示屏、消費電子 商用顯示屏、消費電子 適用尺寸 5-100 寸、100 寸 1.5-100 寸、100 寸 特性 薄型化、曲面化、節能、HDR 極高亮度、極高對比度、發光效率高、響應速度快 成本 中 高 良率 80%難以估計 驅動方式 Driver IC、TFT

229、 CMOS、TFT 資料來源：Ledinside，國盛證券研究所 中國新型顯示市場持續擴張，增長勢頭強勁。中國新型顯示市場持續擴張，增長勢頭強勁。中國新型顯示產業規模呈現逐年提升的態勢，從 2017 年的 2758 億元提升至 2021 年的 5868 億元，CAGR 為 20.77%，雖然 2019年增速放緩，但 2021 年同比上漲了 31.57%，增長勢頭強勁。目前，中國新型顯示主要產品為 LED 和 OLED，其中 LCD 產量從 2017 年的 5614 萬平方米上漲至 2021 年的 9733萬平方米，CAGR 為 14.75%，OLED 產量從 2017 年的 53 萬平方米上漲

230、至 2021 年的227 萬平方米，CAGR 為 43.86%，兩者均呈現逐年上漲的趨勢。Mini/MicroLED 市場需求旺盛，為直寫光刻設備在市場需求旺盛，為直寫光刻設備在 Mini/MicroLED 的應用創造廣闊的應用創造廣闊的市場空間。的市場空間。2019 年，MiniLED 顯示迎來了規模商業化元年，京東方、群創、海信、TCL、華碩等企業紛紛采用 MiniLED 背光或類似技術的產品。根據 GGII 數據顯示，2019 年中國 MiniLED 市場規模在 16 億元，預計 2020 年 MiniLED 將達到 37.8 億元，同比增長140%。前瞻產業研究院預測，2026 年中國

231、 MiniLED 行業市場規?；驅⒊^ 400 億元，相比較于 2020 年翻十倍增長。2021 年，蘋果公司發布搭載 Mini-LED 的 Ipad Pro、MacBook Pro，Samsung、LG、TCL 推出 Mini-LED 電視，表明 Mini-LED 技術開始大規模應用于高端消費電子領域。根據 Omdia 數據，2021 年 Mini-LED 背光 LCD 終端產品出貨量為 1630 萬臺，預計 2026 年將增至 3590 萬臺，其中高端電視出貨量將由 2021 年的190萬臺增至2026年的2760萬臺。電視顯示面板面積較大，將進一步拉動Mini/MicroLED的市場需求

232、，從而為直寫光刻設備在 Mini/MicroLED 的應用創造廣闊的市場空間。2023 年 08 月 27 日 P.63 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 133：2017-2021 年中國新型顯示產業規模 圖表 134：2017-2021 年中國新型顯示行業主要產品產量 資料來源：中國光學光電子行業協會，中商產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：華經產業研究院，國盛證券研究所 圖表 135：2019-2026 年中國 MiniLED 行業市場規模及預測 圖表 136：2021-2026 年 MiniLED 背光 LCD 終端產品出貨量 資料來源：GGII，前瞻產業研究院

233、，國盛證券研究所 資料來源：Omdia，國盛證券研究所 光刻技術：光刻技術：FPD 制造制造高世代產線均采用投影式光刻技術，直寫光刻設備可應用于低世代高世代產線均采用投影式光刻技術，直寫光刻設備可應用于低世代產線中，但在產線中，但在 Mini/MicroLED 阻焊層曝光中，直寫光刻技術為未來主流方向。阻焊層曝光中，直寫光刻技術為未來主流方向。目前 FPD 制造對于光刻精度要求不高，但高世代產線均采用投影式光刻技術（滿足曝光精度要求并可實現大批量產業化生產），直寫光刻設備可應用于低世代產線中，但在高世代產線中還未有產業化的應用。目前，FPD 投影式光刻設備的主要廠家包括日本 Nikon、Can

234、on、美國 Rudolph 以及上海微電子（國內）等，其中前兩者占據了 FPD 高端光刻設備的主要市場份額。在低世代產線中，直寫光刻設備能夠實現最小線寬低于 1m 的光刻精度，可應用于客戶小批量、多批次產品的生產以及新產品的研發試制。該領域內直寫光刻技術國外競爭對手主要是德國 Heidelberg 等。在在Mini/MicroLED中，中，由于Mini/MicroLED 顯示面板器件數量繁多且線間距密集，要求阻焊層曝光精度較高，保證 50-60m 之間，同時需匹配高反射率的阻焊油墨使用。目前，除直寫光刻技術外，采用底片曝光的傳統曝光技術也有應用。但是，隨著 Mini/microLED 面板尺寸

235、、顯示效果、器件數量的要求不斷提升，傳統的曝光技術無法滿足阻焊層曝光精度需求，為直寫光刻技術的應用滲透提供了市場機遇。2758355337254460586828.83%4.84%19.73%31.57%0%5%10%15%20%25%30%35%010002000300040005000600070002017年2018年2019年2020年2021年產業規模（億元）增速561471188350927097335373811422270200040006000800010000120002017年2018年2019年2020年2021年LCD顯示面板（萬平方米）OLED顯示面板（萬平方米）1

236、637.84310501001502002503003504004505002019年2020年E2026年E中國MiniLED行業市場規模（億元）1908301580212024702760163029003720391032603590010002000300040005000600070002021年2022年2023年2024年2025年2026年總數高端電視（萬臺）2023 年 08 月 27 日 P.64 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 137：公司直寫光刻設備在 Mini/microLED 阻焊領域的工藝應用示意圖 資料來源：公司公告，國盛證券研究所 以以

237、 NEX-W（白油）機型為重點，以點帶面切入顧客供應鏈。（白油）機型為重點，以點帶面切入顧客供應鏈。公司實施以點帶面策略，響應 Mini/MicroLED 在新型顯示市場的廣闊前景，推出 NEX 系列設備并已完成了白油機型的產業化。公司 NEX 系列產品實現了最小焊橋/開窗 40/60m 的曝光精度要求，成功開發了面向 Mini-LED 阻焊曝光需求的白色和黑色油墨的設備機型，充分滿足該領域內的開窗一致性（高達5m）、對位精度（8m）等技術要求，并可達到整板顏色一致性。此外，2018 年推出的 LDW-D1，可進行低世代線的 OLED 直寫光刻，在維信諾下屬企業國顯光電的“有源矩陣有機發光顯示

238、器件（AMOLED）項目所需曝光機設備招標采購”的項目中中標，并獲安徽省經濟和信息化廳頒發的“2017 年第二批安徽省首臺（套）重大技術裝備-D1 曝光機”的榮譽稱號。近期，公司自主開發的 LDW700 設備應用于知名平板顯示企業維信諾，在相關產業內具有了成功驗證案例，其光刻精度能夠實現最小線寬 0.7m。除此之外，公司“6 代線平板顯示曝光機（FPD-G6）”項目已進入驗收階段，可應用于 FPD 6 代線。根據公司公告，截止至 2022 年 12 月底，公司新型顯示、引線框架、光伏三個領域產品共有在手訂單（包括在客戶處驗證）25 臺/套。目前，新型顯示領域已開拓維信諾、辰顯光電、沃格光電等客

239、戶。圖表 138：公司新型顯示 NEX-W 系列產品特性 設備設備 型號型號 示意圖示意圖 最高產能最高產能 資料解析度資料解析度（m）最小焊橋最小焊橋/開窗開窗（m）景深（景深（m）激光波長激光波長 最大曝光面積最大曝光面積 對位精度（對位精度（m）NEX40-W 150 面/小時 1 40/60 150 多波長（白油專用）28.5x24.5 10 NEX50-W 200 面/小時 1.5 50/80 200 多波長（白油專用）28.5x24.5 12 NEX60-W 240 面/小時 2 60/120 300 多波長（白油專用）28.5x24.5 15 資料來源：公司官網，國盛證券研究所

240、2023 年 08 月 27 日 P.65 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 139：公司新型顯示 LDW 產品特性 設備型號設備型號 示意圖示意圖 產品描述產品描述 LDW700 該產品應用于 OLED 顯示面板制造過程中的光刻工藝環節，光刻精度能夠實現最小線寬0.7m。LDW-D1 一款高端量產設備，可實現高解析度、高產能、智能管控的量產需要。設備主要應用于平板顯示、先進封裝等微納加工領域。網格精度 200nm，最小線寬 700nm。資料來源：公司官網，國盛證券研究所 圖表 140：公司在研“6 代線平板顯示曝光機（FPD-G6）”項目具體情況 項目名稱項目名稱 預計

241、總投資規模預計總投資規模（萬元）（萬元）累計投入金額（萬累計投入金額（萬元）元）進展或階段性成果進展或階段性成果 擬達到目標擬達到目標 應用場景應用場景 6 代線平板顯示 曝 光 機（FPD-G6）25,600.00 4,278.42 驗收階段 工信部“工業強基”項目，對公司現有 OLED 直寫光刻設備進行技術升級，實現 OLED 高世代產線直寫光刻設備的產業化。結合公司在 OLED 顯示面板低世代線領域積累了直寫光刻技術，在研項目將應用于 FPD6 代線。OLED 高世代產線制造 資料來源：公司年報，國盛證券研究所 4 光伏電鍍銅：以銅代銀勢在必行光伏電鍍銅：以銅代銀勢在必行，電鍍銅是平臺型

242、技術，公，電鍍銅是平臺型技術，公司深度受益司深度受益 4.1 去銀化是必然選擇，電鍍銅降本增效優勢明顯，以銅代銀勢在必行去銀化是必然選擇，電鍍銅降本增效優勢明顯，以銅代銀勢在必行 光伏用銀需求量大且增速高、而銀漿供給短缺，以銅代銀勢在必行。光伏用銀需求量大且增速高、而銀漿供給短缺，以銅代銀勢在必行。全球白銀供給保持平穩：2022 年全球白銀產量為 10.3 億盎司，同比增長率為 3%。在 2014-2022 年期間，全球白銀產量始終在 9-11 億盎司之間波動，供給趨穩。光伏用銀需求量激增：2022 年全球光伏裝機量達到 240GW，同比增長 37.14%，未來光伏裝機量仍然保持高速增長，同時

243、也意味著光伏用銀需求量在未來將迅速增加。而工業用銀是全球白銀需求結構中最大的組成部分，占比 44.79%，工業用銀中光伏用銀占比達到 25%，占總需求的 11.29%。在光伏市場不斷擴大而白銀產量保持平穩的背景下，光伏用銀占總需求的比例會不斷增大，從而擠占其他行業用銀需求，將帶來銀價上漲，但是光伏行業對成本的要求較高，因此去銀化將成為光伏行業的必然趨勢。2023 年 08 月 27 日 P.66 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 141：2014-2022 年全球白銀產量及增速情況 圖表 142：2019-2023 年全球及中國光伏銀漿總消耗量 資料來源：世界白銀協會，華

244、經產業研究院，國盛證券研究所 資料來源：CPIA，中商產業研究院，國盛證券研究所 圖表 143：2016-2022 年全球光伏系統裝機容量 資料來源：IEA-PVPS，索比光伏網，國盛證券研究所 圖表 144：2022 年全球白銀需求結構 圖表 145：2022 年全球工業用銀需求結構 資料來源：世界白銀協會，國盛證券研究所 資料來源：世界白銀協會，國盛證券研究所測算 10.7 10.7 10.710.310.2 10.29.81010.30%0%-3.74%-0.97%0%-4.08%2.04%3%-5%-4%-3%-2%-1%0%1%2%3%4%9.29.49.69.81010.210.4

245、10.610.82014年2016年2018年2020年2022年全球白銀總產量（億盎司）YOY/右軸3101299034783567375524412467307432943410050010001500200025003000350040002019年2020年2021年2022年2023E全球光伏銀漿總消耗量（噸）中國光伏銀漿總消耗量（噸）7710310411114517524033.77%0.97%6.73%30.63%20.69%37.14%0.00%5.00%10.00%15.00%20.00%25.00%30.00%35.00%40.00%05010015020025030020

246、16年2017年2018年2019年2020年2021年2022年全球光伏系統裝機容量（GW）YOY/右軸44.79%26.79%18.84%5.92%2.21%工業用銀實物投資珠寶首飾銀器攝影用銀67%24%9%電氣和電子工業其他釬焊合金和焊料 2023 年 08 月 27 日 P.67 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 4.2 電鍍銅是平臺型技術，不止是電鍍銅是平臺型技術，不止是 HJT，TOPCon、BC 均可應用，空間巨均可應用，空間巨大大 銅電鍍降本增效優勢明顯，或為銅電鍍降本增效優勢明顯，或為 HJT 產業化的必經之路。產業化的必經之路。提效方面：提效方面：純銅柵線

247、保證高導電性，低線寬減少功率損耗。轉換效率方面，采用銅柵線工藝的電池電阻率更低、柵線線寬小，且柵線平整度高，整體的電池轉換效率比原有銀柵線提高約 0.3%0.5%，具有效率優勢：（1）純銅電阻率低于銀漿：）純銅電阻率低于銀漿：由于現有異質結生產工藝中使用的并非是純銀，而是由銀粉與有機載體形成的混合物銀漿，電阻率高于純銀，且其中含有的不導電的有機物固化后附著在電池片表面會進一步提高電阻率，使得銀漿的電阻率在 5-10/m。而電鍍銅工藝中使用的銅柵線為純銅，純銅的導電率僅次于純銀，且遠遠超過其它所有金屬，制成銅柵線后電阻率為 1.7/m，導電性優于銀漿柵線。（2）銅電鍍線寬更?。海┿~電鍍線寬更?。?/p>

248、銀漿的流動性會使柵線向兩邊塌陷，使得傳統絲網印刷銀柵線的線寬被限制在 30-40m。電鍍銅工藝中，在銅進行沉積時，會有研磨形成的圖形來緊緊限制銅的寬度，可以使銅柵線保持良好形貌，線寬可以做到 15-20m（精度高的甚至達到 5-10 微米）。銅柵線的最小線寬減小，使柵線密度提高，可以較大程度地減少橫向電流功率損耗和細柵線遮光功率損耗，從而減少電極引起的總功率損耗，入射光利用率提高。（3）銅電鍍平整度更高：）銅電鍍平整度更高：由于銀柵線采用印刷工藝，難以避免柵線表面形成的凹凸坑洼以及擴散現象。銅柵線為沉積形成，平整度顯著提高，且避免了擴散，對電池性能影響較小。降本方面：降本方面：電鍍銅使用金屬銅

249、代替全部的金屬銀，銅材料價格低廉，電鍍銅技術的應用可以在銀包銅技術路徑的基礎上，進一步降低異質結電池成本。圖表 146：低溫銀漿絲網印刷與銅電鍍對比 圖表 147：銅柵線和銀柵線形貌 低溫銀漿低溫銀漿+絲網印刷絲網印刷 銅電鍍銅電鍍 主要原材料成本主要原材料成本（元（元/千克）千克）主柵正面銀漿 6142 細柵正面銀漿 6813（截至 2023.8.25）電解銅 69.33（截至2023.8.25）電阻率電阻率 銀漿 5-10/m 銅柵線 1.7/m 線寬線寬 30-40m 20m 效率提升效率提升-0.3-0.5%資料來源：產業調研，上海有色網，全球光伏公眾號，世紀新能源網，國盛證券研究所

250、資料來源：SPIC，國盛證券研究所 HJT 銅電鍍制作工藝主要為圖形化與金屬化兩大環節，分為五大主要步驟。銅電鍍制作工藝主要為圖形化與金屬化兩大環節，分為五大主要步驟。第一步，沉積種子層。第一步，沉積種子層。若鍍層直接與 TCO 接觸，附著性較弱，銅電極容易脫落，會影響后續的組件焊接的可靠性，因此需要一層種子層來增加結合力。第二步，圖形化。第二步，圖形化。在種子層上制作電極的形貌。噴涂感光膠，并通過曝光機、顯影機進行曝光顯影。第三步，銅電鍍。第三步，銅電鍍。按照曝光顯影后的圖形，進行雙面電鍍銅。第四步，去除感光膠。第四步，去除感光膠。第二步為了圖形化，噴涂了感光膠，需要將剩余的感光膠去除。因此

251、需要在退膜機中清洗感光膠后漏出種子層。第五步，蝕刻種子層。第五步，蝕刻種子層。需要將第一步剩余的種子層去除。因此使用蝕刻機刻蝕種子層，進而得到完整的銅電極。2023 年 08 月 27 日 P.68 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 148：HJT 電鍍銅工藝 資料來源：硅異質結太陽電池接觸特性及銅金屬化研究，國盛證券研究所 HJT 圖形化環節中，直寫光刻和掩膜光刻均是可行路線，目前直寫光刻路線進展更快。圖形化環節中，直寫光刻和掩膜光刻均是可行路線，目前直寫光刻路線進展更快。電鍍銅過程中，最核心、壁壘最高的環節為圖形化環節。曝光顯影路線包括光學投影掩膜光刻、接觸式/接近式

252、掩膜光刻、直寫光刻。最終何種方案勝出，取決于中試線的運行數據，綜合考量設備成本、生產速度、曝光精度等指標后進行選擇。目前走得較快的是直寫光刻技術路線。接觸式接觸式/接近式掩膜光刻：接近式掩膜光刻：掩模版容易被污染，有耗材屬性，運營成本較高。此外，精度較低，光線經過掩模版透射后發生角度變化、掩模版與基板貼合的平整度等因素均會影響精度。投影式掩膜光刻：投影式掩膜光刻：源自半導體行業技術，主要應用在半導體領域，精度高，成本高。直寫光刻：直寫光刻：直寫光刻優勢在于沒有掩膜版的消耗。直寫光刻為數字化掩模，無需掩模板，節省生產成本。圖表 149：直寫光刻、接近/接觸式光刻以及投影式光刻示意圖 資料來源：芯

253、碁微裝招股書，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.69 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 150：光伏-投影式掩膜光刻 圖表 151：光伏-直寫光刻 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 圖表 152：圖形化三種主流技術路線對比 【接【接 近近 式】式】【投【投 影影 式】式】【直【直 寫寫 式】式】解析精度解析精度 10 微米+2 微米+5 微米+運行耗材以及壽命運行耗材以及壽命 需要掩模版；易污染Mask，需定期清洗更換；易造成產品損傷，定時檢查 需要掩模版，但無無損傷產品風險 無掩模版、無損傷產品風險 加工過程質量

254、加工過程質量 接近位置幾十微米較難控制；異物刮傷電池或 MASK表面風險 非接觸工藝 非接觸工藝 設備成本（基于同樣產能）設備成本（基于同樣產能）低 高 中 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 不止是不止是 HJT，TOPCon 與與 IBC 等電池均可使用電鍍銅，因此光伏電鍍銅市場空間巨大。等電池均可使用電鍍銅，因此光伏電鍍銅市場空間巨大。電鍍銅是平臺型技術，技術原理是將金屬電極的銀替代為銅，因此不僅僅是 HJT，像 HJT的 BC 結構、TOPCon 以及 TOPCon 的 BC 結構、鈣鈦礦電池均可應用電鍍銅。在此背景下，無需博弈哪種光伏技術路線將勝出，在總量維度、終局視角下，我們中性預

255、測未來光伏用圖形化設備需求達到 500GW，假設在單 GW 圖形化設備為 2000 萬的情形下，得出市場空間為 100 億元。HBC圖形化：圖形化：HJT的一個方向是疊加IBC電池結構成為交叉指式背接觸異質結（HBC）電池，在硅片表面同時采用本征的非晶硅進行表面鈍化，在背面分別采用 N 型和 P型的非晶硅薄膜形成異質結。圖形化可應用于 NP 區、PN 金屬導電層過渡區開窗。TOPCon 電鍍圖形化：電鍍圖形化：Topcon 金屬化開窗需要腐蝕 SiNx、AlOx 等介質膜，光刻+抗 HF 酸感光膠可以提供高解析、高效率的解決方案，能夠避免脈沖激光開窗帶來的損傷，減少開路電壓的損失提升轉換效率。

256、2023 年 08 月 27 日 P.70 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 153：HJT、HBC 均可應用電鍍銅 圖表 154：TOPCon、TBC 均可應用電鍍銅 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 圖表 155：TOPCon 圖形化示意圖 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 2023 年 08 月 27 日 P.71 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 156：HBC 圖形化示意圖 資料來源：產業調研，國盛證券研究所 4.3 芯芯碁碁是光伏圖形化設備龍頭，率先布局、技術布局多元、客戶覆蓋范圍是光伏圖形化設備龍

257、頭，率先布局、技術布局多元、客戶覆蓋范圍廣，有望率先且深度受益廣，有望率先且深度受益 公司是國內直寫光刻設備龍頭，有望率先且深度受益。公司是國內直寫光刻設備龍頭，有望率先且深度受益。在光伏電鍍銅領域，公司率先布局、技術儲備豐富，公司憑借優異的產品競爭力，覆蓋大量客戶，其中包括海內外客戶、也包括龍頭與新進入者，受到市場的廣泛認可。公司設備競爭力強勁，未來有望獲得絕對領先的市場份額。公司直寫光刻設備的優勢：公司直寫光刻設備的優勢：技術契合度高：技術契合度高：直寫光刻圖形化技術滿足薄膜工藝，其無損傷、非接觸、低溫工藝要求，契合 topcon、異質結、鈣鈦礦疊層等電池技術的未來需求。產能提升空間大：產

258、能提升空間大：直寫光刻不依賴掩模版的圖形大小，多片同時加工，產能提升空間大。低運行成本：低運行成本：無掩模版耗用，運行成本低。掩膜光刻路線的掩模版成本較高，且越大越貴，越精細越貴，在使用過程中容易污染，需不定時清潔表面或者定期換版清洗，環境要求高。多重圖形化應用場景：多重圖形化應用場景：直寫光刻可提供優于 10 微米高精度圖形對位，可滿足 XBC電池圖形化要求（由于多次圖形需要套刻，因此在金屬化部分需要對圖形做漲縮處理）。技術升級空間大：技術升級空間大：光學解析的升級空間大，20 微米0.5 微米直寫光刻技術成熟，可持續升級且成本可控。2023 年 08 月 27 日 P.72 請仔細閱讀本報

259、告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 157：公司部分直寫光刻產品性能 設備型號設備型號 圖片圖片 最小解析（最小解析（m）對位精度（對位精度（m）產能（產能（wph）SDI-15H 15 Mark 高精10 雙軌產能 10000 SRD06 6 Mark 高精8-資料來源：公司官網，國盛證券研究所 5 盈利預測與投資建議盈利預測與投資建議 公司打造國內直寫光刻平臺，公司打造國內直寫光刻平臺，PCB 市占率快速提升，泛半導體翻倍增長，光伏從市占率快速提升，泛半導體翻倍增長，光伏從 0 到到 1爆發式增長。爆發式增長。我們預計 2023-2025 年公司實現營業收入 10.1、15.4、20

260、.8 億元，同比增長 54.1%、53.4%、35.0%；實現歸母凈利潤 2.2、3.2、4.5 億元，同比增長 58.9%、49.1%、39.9%。PCB 領域：傳統替代領域：傳統替代&國產替代雙輪驅動，公司增長動力充足。國產替代雙輪驅動，公司增長動力充足。PCB 行業受益于消費電子周期底部，AI 激發大算力時代、帶動服務器、通信等板塊高增長。同時，在PCB 高端化趨勢下，直寫光刻相比較于接近/接觸式掩膜光刻而言優勢明顯、且更適用，具備明顯的傳統替代趨勢。此外，在 PCB 制造產能逐步轉移至中國大陸、東南亞的背景下，國內企業憑借不斷精進的研發技術、性價比優勢以及本土化服務優勢，有望顯著受益于

261、國產替代的浪潮。公司產品競爭力強勁，積極開拓海外市場，產品成功銷往日本，客戶資源豐富，切入頭部客戶鵬鼎控股加強大客戶布局，實現百強PCB 客戶全覆蓋，公司增速遠超行業增速，具備強阿爾法屬性。我們預計 2023-2025年公司 PCB 業務實現收入 7.6、10.3、13.4 億元，同比增長 45%、35%、30%；毛利率維持在 38%。泛半導體領域：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長。泛半導體領域：布局范圍廣、行業空間大，公司業績翻倍增長。在先進封裝與Mini/Micro LED 滲透率提升趨勢下，疊加國產替代背景下，公司作為國內泛半導體直寫光刻設備龍頭有望顯著受益。1）IC 載板空間廣

262、闊，公司為國產替代領軍者。公司部分產品已接近或超越全球頭部企業，技術優勢趨顯。另外，定增支撐 IC 載板產能擴張，海外市場不斷尋求突破。2022 年 11 月，公司 MAS 直寫光刻設備成功銷往日本市場。2）先進封裝是后摩爾時代下的明星，空間大、增速高，公司有望深度受益。直寫光刻技術自適應調整能力強，公司先進封裝產品 WLP2000 優勢明顯，產品矩陣不斷擴充，其晶圓級封裝光刻設備已驗收，主要客戶有華天科技、辰顯光電等。3）Mini/Micro LED 前景廣闊，帶來直寫光刻設備市場新增量。在 Mini/MicroLED阻焊層曝光中，直寫光刻技術為未來主流方向，公司以 NEX-W（白油）機型為

263、重點，以點帶面切入客戶供應鏈。目前已開拓維信諾、辰顯光電、沃格光電等優質客戶。我們預計 2023-2025 年公司泛半導體業務實現收入 1.9、3.3、4.9 億元，同比增長100%、70%、50%；毛利率維持在 66%。光伏電鍍銅領域：以銅代銀勢在必行，光伏電鍍銅領域：以銅代銀勢在必行，電鍍銅是平臺型技術，公司將率先且深度受益。電鍍銅是平臺型技術，公司將率先且深度受益。光伏用銀需求量大且增速高、而銀漿供給短缺，因此去銀化是必然選擇，電鍍銅降本增效優勢明顯，以銅代銀勢在必行。電鍍銅是平臺型技術，不止是 HJT，TOPCon、BC 均可應用，空間巨大。電鍍銅制備過程中，圖形化是最核心、壁壘最高的

264、環節。公司是光伏圖形化設備龍頭，率先布局、技術路線布局多元、客戶覆蓋范圍廣，有望率先且深度受益。我們預計2023-2025 年公司光伏電鍍銅業務實現收入 0.2、1.4、2.0 億元，毛利率維持在 40%。2023 年 08 月 27 日 P.73 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 圖表 158：芯碁微裝-盈利預測 資料來源：Wind，國盛證券研究所 維持“買入”評級。維持“買入”評級。公司是國內直寫光刻設備龍頭，打造直寫光刻平臺型企業邏輯順暢，主業為 PCB 直寫光刻設備、第二成長曲線泛半導體直寫光刻設備翻倍增長，同時公司積極布局光伏電鍍銅領域的曝光設備，業務覆蓋范圍廣，目前

265、業內尚無與公司業務完全相同的可比上市公司。在 PCB 與光伏電鍍銅領域，我們選取 PCB 電鍍設備龍頭東威科技與光伏電鍍設備、自動化設備龍頭羅博特科作為可比公司。泛半導體領域，我們選取半導體設備龍頭北方華創，以及在半導體設備細分領域具有顯著優勢的芯源微作為可比公司。2023-2025年，上述可比公司平均PE為53.3/35.6/26.8X，當前股價對應公司PE為38.4、25.8、18.4X。我們考慮到公司在 PCB 領域的深度布局，同時泛半導體領域有望翻倍增長，光伏從 0 到 1 有望實現爆發式增長，維持“買入”評級。圖表 159：可比公司估值對比（億元）證券簡稱證券簡稱 總市值總市值 20

266、23E 凈利潤凈利潤 2024E 凈利潤凈利潤 2025E 凈利潤凈利潤 2023E YOY 2024E YOY 2025E YOY 2023E PE 2024E PE 2025E PE 羅博特科 75 1.1 1.8 2.2 311.2%64.7%24.8%69.6 42.3 33.9 東威科技 140 3.5 5.2 7.2 62.4%48.9%39.4%40.3 27.1 19.4 芯源微 175 2.7 4.0 5.7 36.0%45.4%42.9%64.4 44.3 31.0 北方華創 1,366 35.2 47.2 60.1 49.5%34.1%27.3%38.8 28.9 22.

267、7 平均值 53.3 35.6 26.8 芯碁微裝 89 2.17 3.24 4.53 58.9%49.1%39.9%38.4 25.8 18.4 資料來源：Wind，國盛證券研究所（注：羅博特科、東威科技、芯源微、北方華創均選自 2023 年 08 月 26 日 Wind 一致預測）2023 年 08 月 27 日 P.74 請仔細閱讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 風險提示風險提示 PCB&泛半導體下游市場波動。泛半導體下游市場波動。行業受下游 PCB 及泛半導體終端消費市場需求波動的影響，服務器、通信設備、消費電子、汽車電子等下游細分賽道的發展對其影響較大，且發展往往呈現一定的周

268、期性，若上述終端行業的產品高端化升級趨勢放緩或遭遇周期性全球宏觀經濟環境惡化，將直接影響上述終端行業產品的市場需求，從而對上游 PCB、泛半導體光刻設備的市場需求造成不利影響。市場規模測算誤差。市場規模測算誤差。我們對光伏曝光設備未來的市場規模體量進行了測算，除引用公開數據外，還對部分參數做出了假設，因此測算結果可能與實際市場規模存在誤差。電鍍銅工藝導入不及預期。電鍍銅工藝導入不及預期。光伏電鍍銅曝光設備是公司切入的新領域，電鍍銅目前仍處于測試驗證階段，并未實現量產，如技術導入不及預期，電鍍銅工藝量產線難以投產，將會抑制公司曝光機的市場需求。2023 年 08 月 27 日 P.75 請仔細閱

269、讀本報告末頁聲明請仔細閱讀本報告末頁聲明 免責聲明免責聲明 國盛證券有限責任公司（以下簡稱“本公司”）具有中國證監會許可的證券投資咨詢業務資格。本報告僅供本公司的客戶使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。本報告的信息均來源于本公司認為可信的公開資料，但本公司及其研究人員對該等信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告中的資料、意見及預測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，可能會隨時調整。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告。本公司不保證本報告所含信息及資料保持在最新狀態，對本報

270、告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。本公司力求報告內容客觀、公正，但本報告所載的資料、工具、意見、信息及推測只提供給客戶作參考之用，不構成任何投資、法律、會計或稅務的最終操作建議,本公司不就報告中的內容對最終操作建議做出任何擔保。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。投資者應注意，在法律許可的情況下，本公司及其本公司的關聯機構可能會持有本報告中涉及的公司所發行的證券并進行交易，也可能為這些公司正在提供或爭取提供投資銀行、財務顧

271、問和金融產品等各種金融服務。本報告版權歸“國盛證券有限責任公司”所有。未經事先本公司書面授權，任何機構或個人不得對本報告進行任何形式的發布、復制。任何機構或個人如引用、刊發本報告，需注明出處為“國盛證券研究所”，且不得對本報告進行有悖原意的刪節或修改。分析師聲明分析師聲明 本報告署名分析師在此聲明：我們具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格或相當的專業勝任能力，本報告所表述的任何觀點均精準地反映了我們對標的證券和發行人的個人看法，結論不受任何第三方的授意或影響。我們所得報酬的任何部分無論是在過去、現在及將來均不會與本報告中的具體投資建議或觀點有直接或間接聯系。投資評級說明投資評級說明 投

272、資建議的評級標準投資建議的評級標準 評級評級 說明說明 評級標準為報告發布日后的 6 個月內公司股價（或行業指數）相對同期基準指數的相對市場表現。其中 A 股市場以滬深 300 指數為基準；新三板市場以三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）為基準；香港市場以摩根士丹利中國指數為基準，美股市場以標普 500 指數或納斯達克綜合指數為基準。股票評級 買入 相對同期基準指數漲幅在 15%以上 增持 相對同期基準指數漲幅在 5%15%之間 持有 相對同期基準指數漲幅在-5%+5%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 5%以上 行業評級 增持 相對同期基準指數漲幅在 10%以上 中

273、性 相對同期基準指數漲幅在-10%+10%之間 減持 相對同期基準指數跌幅在 10%以上 國盛證券研究所國盛證券研究所 北京北京 上海上海 地址：北京市東城區永定門西濱河路 8 號院 7 樓中海地產廣場東塔 7 層 郵編：100077 郵箱： 地址：上海市浦明路 868 號保利 One56 1 號樓 10 層 郵編：200120 電話：021-38124100 郵箱： 南昌南昌 深圳深圳 地址：南昌市紅谷灘新區鳳凰中大道 1115 號北京銀行大廈 郵編：330038 傳真：0791-86281485 郵箱： 地址：深圳市福田區福華三路 100 號鼎和大廈 24 樓 郵編：518033 郵箱：