2023CMP拋光材料競爭格局、國產替代空間及國內龍頭企業分析報告.pdf

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1、2 0 2 3 年深度行業分析研究報告3CMP廣泛應用于硅片、芯片制造與封裝工藝3CMP材料市場規模持續增長，國產替代空間廣闊12國內企業積極布局拋光材料29美日企業壟斷格局下，中國企業突出重圍214CMP技術是集成電路發展的先決條件CMPCMP又稱化學機械平坦技術，是使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。又稱化學機械平坦技術，是使用化學腐蝕及機械力對加工過程中的硅晶圓或其它襯底材料進行平坦化處理。CMP設備包括拋光、清洗、傳送三大模塊，其作業過程中，拋光頭將晶圓待拋光面壓抵在粗糙的拋光墊上，借助拋光液腐蝕、微粒摩擦、拋光墊摩擦等耦合實現全局平坦化。目前的集成電

2、路元件普遍采用多層立體布線，因此集成電路制造的前道工藝環節要進行多次循環。在此過程中，CMPCMP技術技術是集成電路（芯片）制造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝，是集成電路制造中推進是集成電路（芯片）制造過程中實現晶圓表面平坦化的關鍵工藝，是集成電路制造中推進制程技術節點升級的重要環節。制程技術節點升級的重要環節。圖表圖表1 1：CMPCMP拋光模塊與作業示意圖拋光模塊與作業示意圖資料來源：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院圖表圖表2 2：CMPCMP平坦化效果圖（平坦化效果圖（CMOSCMOS結構剖面圖）結構剖面圖）資料來源：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院圖表圖表3 3：CMPCM

3、P廣泛應用于硅片制造、芯片制造前道與封裝工藝廣泛應用于硅片制造、芯片制造前道與封裝工藝資料來源：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院5CMP廣泛應用于硅片制造、芯片制造前道與封裝工藝在集成電路制造領域，芯片制造過程按照技術分工主要可分為薄膜淀積、CMP、光刻、刻蝕、離子注入等工藝環節，其中CMPCMP技技術是晶圓制造的必須流程之一術是晶圓制造的必須流程之一，對高精度、高性能晶圓制造至關重要。集成電路產業鏈可分為硅片制造、集成電路設計、芯片制造前道工藝、封裝測試等四大領域，除集成電路設計領域外，其他三大領域均有CMP的應用場景。拉晶硅錠加工成型CMP清洗多晶硅熔化接入籽晶旋轉拉晶單晶硅錠硅錠去頭

4、徑向滾圓定位邊/槽研磨硅錠研磨切片雙面研磨倒角蝕刻建立互聯通道雙面拋光邊緣拋光最終拋光清洗及檢測制作通孔絕緣層/阻擋層淀積金屬填充CMP背面減薄鍵合隔斷填充金屬與硅本地通道實現疊層垂直互聯鍵合表面平坦化晶圓厚度減薄晶圓對準鍵合薄膜淀積CMP光刻刻蝕離子注入CVD設備PVD設備RTP設備ALD設備氣相外延爐CMP設備刷片機涂膠/顯影光刻機等離子體刻蝕等離子去膠機濕法刻蝕設備等離子去膠機離子注入機芯片制造前道工藝先進封裝工藝硅片制造工藝圖表圖表4 4：CMPCMP產業鏈產業鏈資料來源：華經情報網，太平洋證券研究院6集成電路發展日新月異，拋光液、拋光墊市場應用廣泛集成電路作為全球信息產業的基礎與核心

5、，廣泛應用于電子設備（如智能手機、電視機、計算機等）、通訊、軍事等領域，對經濟建設、社會發展和國家安全具有重要戰略意義和核心關鍵作用，是衡量一個國家或地區現代化程度和綜合實力的重要標志。CMP中核心材料為拋光液與拋光墊，上游為研磨顆粒、添加劑、聚氨酯、無紡布等，下游則為晶圓制造廠。隨著新技術發展和應用領域不斷拓展，全球集成電路行業市場規模增長迅猛，帶動晶圓制造需求提升，拋光墊與拋光液市場空間逐漸打開。上游原材料中游制造下游產品聚氨酯研磨顆粒表面活性劑穩定劑氧化劑拋光墊拋光液CMP設備芯片計算機通訊汽車電子工控醫療CMPCMP材料材料無紡布7拋光墊與拋光液占比超過八成CMP材料根據功能的不同，主

6、要分為拋光液、拋光墊、拋光后清洗液、調節劑等。拋光墊主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩定的拋光環境等。拋光液在化學機械拋光過程中可使晶圓表面產生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質。根據CMP細分拋光材料市場份額，拋光液占比達49%，拋光墊占比33%，合計超過80%。圖表圖表5 5：CMPCMP細分拋光材料市場份額細分拋光材料市場份額資料來源：華經產業研究院，太平洋證券研究院圖表圖表6 6：CMPCMP材料介紹材料介紹資料來源：鼎龍股份2022年年報，太平洋證券研究院49%33%9%5%

7、4%拋光液拋光墊調節劑清洗劑其他名稱名稱介紹介紹CMP CMP 拋光墊拋光墊CMP拋光墊是CMP環節的核心耗材之一，主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩定的拋光環境等。CMP CMP 拋光液拋光液CMP拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，在化學機械拋光過程中可使晶圓表面產生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。CMP CMP 清洗液清洗液清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質，滿足集成電路制造對清潔度的極高要求，對晶圓生產的良率起到了重要的作用。8拋光液工藝復雜，種類繁多圖表圖表7 7：CMPCMP拋光液的主要成分拋光液的主要

8、成分資料來源：華經產業研究院，太平洋證券研究院拋光液主要項目拋光液主要項目簡介簡介磨料磨料磨料的作用是將工件表面因氧化劑腐蝕而生成的質軟薄膜去除。磨料的類型、粒徑和硬度對CMP工藝的影響較大，磨粒的粒徑過大容易增加工件表面的損傷程度，粒徑過小則會導致材料去除率過低；磨料過硬，工件表面就容易被刮傷，但是磨料硬度太小,則材料去除率較低。PHPH調節劑調節劑PH調節劑的作用是調節拋光液的酸堿度，使得拋光液的酸堿度適合于工件表面化學反應的發生。拋光液按照酸堿度的不同一般可分為堿性和酸性兩種：酸性拋光液常用于金屬材料的拋光，酸性的拋光液有較強的溶解性，容易挑選到合適的氧化劑，并且拋光效率較高，其缺點是會

9、對拋光設備造成腐蝕，要求設備有較高的抗腐蝕能力，而且它的選擇性較差，但是可以通過加入抑制劑等添加劑來提高其選擇性；堿性拋光液可用于拋光非金屬材料，堿性拋光液的優點是腐蝕性較弱，選擇性較高，其缺點是難于挑選出氧化性強的氧化劑，因而難于保證較高的拋光效率。氧化劑氧化劑氧化劑的作用是與工件發生氧化反應,在工件的表面形成一層柔軟而容易去除的物質,再依靠磨粒及拋光墊的摩擦將柔軟物質去掉,獲得高質量的表面。抑制劑抑制劑抑制劑的作用是控制化學作用使工件局部侵蝕且溶解均勻，來提高工件拋光表面凹凸選擇性，并且還可以減緩拋光液對拋光設備的腐蝕。表面活性劑表面活性劑添加表面活性劑的目的是使磨粒能夠均勻地、穩定地懸浮

10、于拋光液中。添加拋光液時，即使對拋光液進行過濾處理，去除其中的大顆粒，也并不能保證磨粒不損壞工件表面，因為磨料也可能在拋光過程中產生聚集。所以有必要在拋光液中添加表面活性劑，提高磨粒的分散性和穩定性，避免產生團聚，表面活性劑還能起到潤濕、乳化等作用。拋光液是一種由去離子水、磨料、拋光液是一種由去離子水、磨料、PHPH值調節劑、氧化劑以及分散劑等添加劑組成的水溶性試劑。值調節劑、氧化劑以及分散劑等添加劑組成的水溶性試劑。在拋光的過程中，拋光液中的氧化劑等成分與硅片表面材料產生化學反應，在表面產生一層化學反應薄膜，后由拋光液中的磨粒在壓力和摩擦的作用下將其去除，最終實現拋光。9拋光液工藝復雜，種類

11、繁多圖表圖表8 8：CMPCMP拋光液種類繁多拋光液種類繁多資料來源：華經產業研究院，太平洋證券研究院拋光液種類繁多，根據應用的不同工藝環節，可以將拋光液分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、介質層拋光液、根據應用的不同工藝環節，可以將拋光液分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、介質層拋光液、淺槽隔離（淺槽隔離（STISTI）拋光液以及用于先進封裝的硅通孔（）拋光液以及用于先進封裝的硅通孔（TSVTSV）拋光液等。）拋光液等。產品產品用途用途應用領域應用領域特點特點銅化學機械拋光液銅化學機械拋光液廣泛應用于130nm及以下技術節點邏輯芯片的制造工藝，在存儲芯片制造過程中也有一定的使

12、用。在邏輯芯片130-14nm技術節點以及3DNAND和DRAM芯片上量產使用。高的銅去除速率，碟型凹陷可調，低缺陷。阻擋層化學機械拋光液阻擋層化學機械拋光液用于集成電路銅互連工藝制程中阻擋層的去除和平坦化。在邏輯芯片130-14nm技術節點以及3DNAND和DRAM芯片上量產使用。有優異的抗銅腐蝕的能力，可調的介電材料包括低介電材料和超低介電材料去除速率的能力，拋光后晶圓表面平坦，缺陷少。鎢化學機械拋光液鎢化學機械拋光液大量用于存儲芯片制造工藝，在邏輯芯片中僅用于部分工藝段。用于集成電路制造工藝中鎢塞和鎢通孔的平坦化。產品在邏輯芯片、3DNAND和DRAM芯片上量產使用。有可調的鎢去除速率及

13、鎢對介電材料的選擇比。介質層化學機械拋光液介質層化學機械拋光液用于集成電路制造工藝中層間電介質和金屬問電介質的去除和平坦化。用于集成電路制造工藝中層間電介質和金屬電介質的去除和平坦化。高去除速率，高平坦化效率、低缺陷和低成本。硅化學機械拋光液硅化學機械拋光液用于單晶硅/多品硅的地光，可用于硅片回收、存儲器工藝和背照式傳感器(BS)工藝。用于單晶硅/多晶硅的拋光，主要用于硅晶圓初步加工。高選擇比硅粗拋系列產品具有高稀釋比，高硅去除速率，高硅對氧化物/氮化物的選擇比。硅精拋液系列具有低缺陷的優點。BSI拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比。淺槽隔離（淺槽隔離（STISTI）化學機械拋）

14、化學機械拋光液光液用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光。用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光。采用氧化鈰研磨顆粒，具有高選擇比，高平坦化效率，低缺陷率。用于用于3D3D封裝硅通孔（封裝硅通孔（TSVTSV）化）化學機械拋光液學機械拋光液用于TSV工藝的高去除速率的化學機棫拋光液系列。用于硅對孔的拋光。高去除速率、選擇比可調。10拋光墊通常由聚氨酯制成，屬于易消耗品圖表圖表9 9：CMPCMP拋光墊的主要種類拋光墊的主要種類資料來源：華經產業研究院，太平洋證券研究院拋光墊種類拋光墊種類簡介簡介聚合物拋光墊聚合物拋光墊的主要成分是發泡體固化聚氨酯，聚氨酯拋光墊具有抗撕裂強度高、耐磨性強、耐酸堿腐蝕

15、性優異的特點，是是最常用的拋光墊材料之一。最常用的拋光墊材料之一。在拋光過程中，聚氨酯拋光墊表面微孔可以軟化和使拋光墊表面粗糙化，并且能夠將磨料顆粒保持在拋光液中，可以實現高效的平坦化加工。聚氨酯拋光墊表面的溝槽有利于拋光殘渣的排出。但聚氨酯拋光墊硬度過高，拋光過程中變形小，加工過程中容易劃傷芯片表面。粗拋選用發泡固化聚氨酯拋光墊。無紡布拋光墊無紡布又稱不織布，由定向的或隨機的纖維構成，微觀組織對拋光墊性能產生重要影響。無紡布拋光墊的原材料聚合物棉絮類纖維滲水性能好，容納拋光液的能力強，但是其硬度較低、對材料去除率低，因此會降低拋光片平坦化效率，常用在細拋常用在細拋工藝中。工藝中。帶絨毛結構的

16、無紡布拋光墊帶絨毛結構的無紡布拋光墊是以無紡布為基體，中間一層為聚合物，表層結構為多孔的絨毛結構，絨毛的長短和均勻性影響拋光效果。當拋光墊受壓時，拋光液進入空洞中，壓力釋放時恢復原來的形狀，將舊的拋光液和反應物排出，并補充新的拋光液。帶絨毛結構的無紡布拋光墊硬度小、壓縮比大、彈性好，在精拋工序中常被采用。在精拋工序中常被采用。復合型拋光墊復合型拋光墊采用上硬下軟的上下兩層復合結構，兼顧平坦度和非均勻性要求。復合型拋光墊含有雙重微孔結構，將目前拋光墊的回彈率大幅降低，減少了拋光墊的凹陷和提高了均勻性，解決了因拋光墊使用過程中易釉化的問題。拋光墊一般是由聚氨酯做成，表面包括一定密度的微凸峰與微孔，

17、不僅可以去除硅片表面材料，而且還起到存儲和運輸拋光液、排除拋光過程產物的作用。拋光墊具有類似海綿的機械特性和多孔特性，表面有特殊的溝槽，屬于消耗品，其壽命通常只有屬于消耗品，其壽命通常只有4545-7575小時，需要定時整修和小時，需要定時整修和更換。更換。拋光墊按材質結構可分為：聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊。11圖表圖表1010：CMPCMP拋光墊產品圖片拋光墊產品圖片資料來源：杜邦官網，太平洋證券研究院拋光墊主要使拋光液有效均勻分布至整個加工區域，并可提供新補充的拋光液進行一個拋光液循環。拋光墊必須對拋光液具有良好的保持性，在加工時可以涵養足夠的拋光液

18、，使CMP中的機械和化學反應充分作用。為了保持拋光過程的穩定性、均勻性和可重復性，拋光墊材料的物理性質、化學性質以及表面形貌等特性，都需要保持穩定。標準基本信息硬度越硬的拋光墊就能允許越高的移除速率和較佳的晶粒內均勻性，然而越軟的襯墊卻能允許有較好的晶圓內均勻性。高硬度襯墊較易導致晶圓刮傷。襯墊的硬度可以通過改變化學成分或多孔結構控制。多孔性拋光墊內的多孔細胞吸收研磨漿并將研磨漿轉送到晶圓表面。有助于拋光液的吸附與流動，也提高了拋光墊的硬度和拋光效率。填充性填充材料可以加到聚合物中以改進機械性質，并調整拋光墊性質來符合特殊工藝需求。表面形態結構拋光墊的表面粗糙度會決定有序狀態的范圍。較平滑的研

19、磨襯墊表面會有較短的有序態范圍，這表示有較差的形貌選擇性和較少的平坦化研磨效應。較粗糙的襯墊表面會有較長的有序態范圍和較好的平坦化研磨結果。圖表圖表1111：拋光墊質量衡量標準：拋光墊質量衡量標準資料來源：半導體制造技術導論，太平洋證券研究院拋光墊通常由聚氨酯制成，屬于易消耗品12CMP廣泛應用于硅片、芯片制造與封裝工藝5CMP材料市場規模持續增長，國產替代空間廣闊12國內企業積極布局拋光材料29美日企業壟斷格局下，中國企業突出重圍21200230380420292.4901001171251876090103131273010020030040050060070080020182019202

20、020212024E6英寸8英寸12英寸萬片/月圖表圖表1212：中國晶圓制造市場規模增速快于全球：中國晶圓制造市場規模增速快于全球資料來源：IC insights，太平洋證券研究院圖表圖表1313：中國晶圓制造廠裝機情況：中國晶圓制造廠裝機情況資料來源：南大光電公司公告，太平洋證券研究院中國晶圓制造規模增速快于全球晶圓代工行業源于半導體產業鏈的專業化分工，主要負責晶圓制造，屬于技術、資本與人才密集型行業，需要大量的資本支出和人才投入，具有較高的進入壁壘。根據IC Insights的統計，2016-2021年全球晶圓制造市場規模由652億美元提升至1101億美元，CAGR為11.05%，同期中

21、國晶圓制造市場規模約由中國晶圓制造市場規模約由49.0549.05億美元提升至億美元提升至115.65115.65億美元，行業增速高于全球，達到億美元，行業增速高于全球，達到15.36%15.36%。據IDC及芯思想研究院統計，截至2021年，我國6英寸及以下晶圓制造線裝機產能約420萬片等效6英寸晶圓產能，8英寸、12英寸晶圓制造廠裝機產能分別為125萬片/月、131萬片/月，預計到2024年8英寸、12英寸將達到187與273萬片/月，年均復合增速分別年均復合增速分別為為14.37%14.37%、27.73%27.73%。02004006008001,0001,2001,400201620

22、1720182019202020212022E全球晶圓制造市場規模中國晶圓制造市場規模（億美元）13圖表圖表1414：20222022年半導體材料市場構成年半導體材料市場構成資料來源：中商產業研究院，太平洋證券研究院硅片33%氣體14%光掩模13%光刻膠輔助材料7%濕電子化學品4%CMP拋光材料7%光刻膠6%濺射靶材3%其他13%圖表圖表1616：中國半導體材料市場規模提升速度高于全球：中國半導體材料市場規模提升速度高于全球資料來源：SEMI，太平洋證券研究院圖表圖表1515：全球半導體材料市場規模持續提升：全球半導體材料市場規模持續提升資料來源：SEMI，太平洋證券研究院14受益于技術進步與

23、下游需求拉動，國內外半導體材料市場規模波動上升從半導體材料市場構成來看，2022年CMP拋光材料占比達到7.2%。受益于5G、人工智能、消費電子、汽車電子等領域的需求拉動，全球半導體材料市場規模呈現波動向上的態勢。2016-2022年半導體材料的市場規模由428.2億美元提升至698億美元，CAGR為8.48%，根據SEMI預測，2023年全球半導體材料市場規模預計突破700億美元，同比提升0.29%。伴隨著國內半導體材料廠商技術水平和研發能力的提升，中國半導體材料市場規模提升速度高于全球。2017-2022年國內半導體材料市場規模由524.5億元提升至914.4億元，CAGR達到11.76%

24、，根據SEMI預測，2023年市場規模預計為1024.3億元，同比提升12.02%。-5%0%5%10%15%20%01002003004005006007008002016 2017 2018 2019 2020 2021 2022 2023E（億美元）全球半導體材料市場規模同比增長（右軸）0%5%10%15%20%25%02004006008001,0001,200201720182019202020212022 2023E（億元）中國半導體材料市場規模同比增長（右軸）15人工智能高速發展對算力提出高要求，以ChatGPT 為例，模型參數量從一代的1.17億個躍升至三代的1750億個，增長

25、約1496倍，對算力需求幾何式增長。當前云端是AI算力的中心，AI芯片需求爆發式增長。未來隨著技術成熟，AI芯片的應用場景除了在云端及大數據中心，也會隨著算力逐漸向邊緣端移動，帶動AI芯片需求持續增長。Al芯片主要分為GPU、FPGA、ASIC三大類，其中GPU占據主導地位。中國AI芯片廠商正在奮起直追，尤其是在ASIC（專用集成電路）路線上加大投入。目前，國內已經涌現出寒武紀、華為昇騰、海光信息、燧原科技等優秀AI芯片廠商，AI算力性能顯著提升，未來有望實現超預期發展。新興AI帶動高性能芯片需求，將進一步促進半導體材料增長。人工智能高速發展，帶動高性能芯片需求圖表圖表1717：國內：國內AI

26、AI芯片市場結構芯片市場結構資料來源：IDC，太平洋證券研究院圖表圖表1818：中國：中國AIAI芯片市場規模及預測芯片市場規模及預測資料來源：觀研天下，太平洋證券研究院0%20%40%60%80%100%120%140%02004006008001,0001,2001,4002020202120222023E2024E2025E2026E（億元）中國人工智能芯片市場規模同比增長（右軸）GPU,89.00%NPU,9.60%ASIC,1%FPGA,0.40%16集成電路發展延續摩爾定律，CMP拋光步驟需求增加CMP技術是目前唯一能兼顧表面全局和局部平坦化的拋光技術，伴隨著集成電路線寬變小、層數

27、增多以及摩爾定律的延續，對CMP的技術提出了更高的要求，同時CMP設備的使用頻率也逐漸提高。制程節點發展至7nm以下時，芯片制造過程中CMP的應用在最初的氧化硅CMP和鎢CMP基礎上新增了包含氮化硅CMP、鰭式多晶硅CMP、鎢金屬柵極CMP等先進CMP技術，所需的拋光步驟也增加至30余步，大幅刺激了集成電路制造商對CMP設備的采購和升級需求。存儲芯片由2DNAND向3DNAND技術變革，也帶動了CMP拋光步驟翻倍式的提升。圖表圖表1919：9 9-1111層金屬結構層金屬結構CuCMPCuCMP的示意圖的示意圖資料來源：華海清科招股說明書，太平洋證券研究院圖表圖表2020：CMPCMP拋光步驟

28、隨邏輯芯片與存儲芯片技術進步而增加拋光步驟隨邏輯芯片與存儲芯片技術進步而增加資料來源：安集科技招股說明書，太平洋證券研究院圖表圖表2121：“十四五”期間各省市出臺半導體發展目標：“十四五”期間各省市出臺半導體發展目標資料來源：各省官網，前瞻產業研究，太平洋證券研究院17面對美日荷對半導體設備出口管制，設備和材料自主可控愈發迫切，將進一步推動晶圓廠和國產設備材料合作，加速國產替代。近年來，我國先后發布了國家集成電路產業發展推進綱要“十四五”數字經濟發展規劃等文件，從產業規劃、財稅支持等多個方面為集成電路產業發展提供了大量政策支持。自主可控愈發迫切，國家發布相關政策大力支持北京北京：力爭到202

29、5年集成電路產業實現營收3000億元。遼寧遼寧：做大做強集成電路產業，推動集成電路全產業鏈發展。山西山西：積極引進芯片設計、封裝和應用企業、打造國際有影響力的第二代及第三代半導體全產業鏈產業基地。山東山東：打造集成電路產業集群，重點發展集成電路設計、晶圓制造、半導體硅片、IC卡芯片等領域，到2022年形成較完整的產業鏈。江蘇江蘇：全面增強芯片等中間品創新能力，瞄準高端裝備制造、集成電路等重點領域，力爭形成一批具有自主知識產權的原創性標志性技術成果。上海上海：到2025年，推動骨干企業芯片設計能力進入3納米及以下，加快形成更具全球競爭力的產業體系，力爭到2025年形成4000億級規模。浙江浙江：

30、到2025年，浙江省十大標志性產業鏈之一的集成電路產業鏈要突破第三代半導體芯片、專用設計軟件（電子設計自動化工具等）、專用設備和材料等技術。江西江西：加快打造集成電路產業集聚區，精準引進集成電路先進工藝生產線及行業龍頭企業，提升本地芯片設計和封測等能力。湖南湖南：形成以設計業為龍頭的發展格局，成為全國的功率器件中心、第三代半導體重要基地、集成電路設計和裝備特色集聚區。廣東廣東：到2025年，新一代電子信息產業營收達到6.6萬億元，形成世界級新一代電子信息產業集群，半導體及集成電路產業營收突破4000億元，打造我國集成電路產業發展第三級。寧夏寧夏：加快推動數字產業化，打造西部電子信息產業高地。四

31、川四川：加速吸引國內外2-3家全國前十的集成電路設計龍頭企業落戶，積極引導和推動省內企業兼并重組，形成5-10家競爭力強，國內前列的集成電路設計企業。云南云南：進一步優化集成電路產業和軟件設計產業發展環境，深化產業國際合作，提高產業創新能力和發展質量。圖表圖表2222：CMPCMP行業發展行業發展資料來源：化學機械拋光技術發展及其應用，太平洋證券研究院18政策扶持+產業鏈轉移+技術發展，半導體國產替代正當時縱觀半導體產業發展史，1950s貝爾實驗室嘗試開發首塊集成電路，此后根據摩爾定律，集成電路上可容納的晶體管數目每隔兩年便會增加一倍。隨著線寬的不斷縮窄，堆疊層數不斷增加，工藝對表面平整度提出

32、了更高的要求，CMP技術逐漸被引入到半導體生產中并隨著先進制程的發展而得到越來越廣泛的應用。在新興終端市場需求配合國家政策扶持下，半導體產業鏈經歷了美國誕生、日本壟斷兩大階段，現今伴隨著5G、AI行業快速發展與國內政策大力扶持，國產替代有望提升。2023年3月31日研發期研發期成熟期成熟期領域延伸期領域延伸期CMP行業發展從1965年到1988年為CMP工藝的研發階段，主要用于氧化物及金屬鎢等。從1988到2000，CMP工藝逐漸成長為IC制造過程中必不可少的關鍵工藝技術。主要應用領域包括 氧化物、金屬鎢以及金屬銅等。從2000年至今，隨著IC制造技術節點的不斷延伸，CMP工藝逐漸朝著低K介質

33、、低壓力、鈷互連技術、釕阻擋層等方面發展。圖表圖表2424：中國：中國CMPCMP拋光墊市場規模拋光墊市場規模資料來源：華經產業研究院，太平洋證券研究院圖表圖表2323：全球：全球CMPCMP拋光墊市場規模拋光墊市場規模資料來源：Techcet，太平洋證券研究院19全球拋光墊市場規模持續增長受益于晶圓廠擴產、先進制程工藝等的快速發展，CMP材料需求量大幅提升。全球拋光墊市場規模由2016年的6.5億美元提升至2021年的11.3億美元，2021年同比提升10.78%，CARG為11.69%，同期中國拋光墊市場規模也在持續增長，2016-2021年市場規模由8.1億元提升至13.1億元，復合增速

34、與全球基本保持一致，CAGR為10.09%。-10%0%10%20%30%40%50%024681012201620172018201920202021（億美元）全球拋光墊市場規模同比增長（右軸）0%5%10%15%20%25%30%02468101214201620172018201920202021（億元）中國拋光墊市場規模同比增長（右軸）圖表圖表2626：中國：中國CMPCMP拋光液市場規模拋光液市場規模資料來源：華經產業研究院，太平洋證券研究院圖表圖表2525：全球：全球CMPCMP拋光液市場規模拋光液市場規模資料來源：Techcet，太平洋證券研究院20中國拋光液需求提升高于全球全球

35、拋光液市場規模由2016年的11億美元提升至2021年的14.3億美元，2021年同比提升6.72%，CARG為5.39%，同期中國拋光液市場規模大幅增長，2016-2021年市場規模由12.3億元提升至22億元，CAGR達到12.28%，復合增速明顯快于全球。伴隨未來集成電路應用場景不斷豐富，技術助力中國大陸晶圓代工行業市場保持高速增長，中國CMP拋光材料需求未來可期。-8%-6%-4%-2%0%2%4%6%8%10%12%14%0246810121416201620172018201920202021（億美元）全球拋光液市場規模同比增長（右軸）0%5%10%15%20%25%0510152

36、025201620172018201920202021（億元）中國拋光液市場規模同比增長（右軸）21CMP廣泛應用于硅片、芯片制造與封裝工藝3CMP材料市場規模持續增長，國產替代空間廣闊12國內企業積極布局拋光材料29美日企業壟斷格局下，中國企業突出重圍2122拋光材料具有較高的技術、人才和專利壁壘CMPCMP拋光材料具有較高的技術壁壘，我國由于起步較拋光材料具有較高的技術壁壘，我國由于起步較晚，大量專利掌握在國外巨頭手中。美國晚，大量專利掌握在國外巨頭手中。美國和日本等龍頭企業在進行更新和日本等龍頭企業在進行更新升級的同時，會實行嚴格的專利保護封鎖技術防止外泄，形成較高的技術壁壘。升級的同時

37、，會實行嚴格的專利保護封鎖技術防止外泄，形成較高的技術壁壘。拋光墊開發需要結合有機、高分子、才來科學、粉體技術、精密加工等學科，技術難度高。目前我國拋光墊專利集中于應用領域，側重研究如何改進拋光墊溝槽設計以及改善拋光方法和拋光效果，在拋光墊的制作方法及材料方面專利很少。拋光液成分的復雜度較高，開發周期長，對研發團隊技術要求極高，設計合理的生產方案是重要的技術壁壘。另外，原材料磨粒依賴進口，核心技術被海外企業長期壟斷。圖表圖表2727：表面溝槽尺寸對拋光效果的影響：表面溝槽尺寸對拋光效果的影響資料來源：化學機械拋光中拋光墊表面溝槽的研究，太平洋證券研究院影響方面影響方面具體內容具體內容加工區域拋

38、加工區域拋液的切向速度液的切向速度拋光墊溝槽的尺寸越大，逆向混和區域越大，拋光液的切向速度差別也相應增加。拋光液的平均拋光液的平均駐留時間駐留時間拋光轉速增加時，大部分拋光液脫離加工區域，此時溝槽尺寸的增大會減少拋光液的平均駐留時間。新舊拋光液的新舊拋光液的混和效率混和效率當晶片0.8秒旋轉一周時，使用小尺寸的圓環型溝槽拋光墊拋光時，加工區域拋光液完全更新的時間為1.6秒;而當溝槽尺寸增大時，拋光液完全更新的時間為2.8秒。圖表圖表2828：銅化學機械拋光液優化實驗研究方式：銅化學機械拋光液優化實驗研究方式資料來源：銅化學機械拋光液組分優化及其作用機理研究，太平洋證券研究院拋光液組分優化實驗路

39、線拋光液組分優化實驗路線其他添加劑的選擇其他添加劑的選擇過氧化氫單因素實驗過氧化氫單因素實驗磨粒單因素實驗磨粒單因素實驗甘氨酸單因素實驗甘氨酸單因素實驗PHPH單因素實驗單因素實驗混合緩蝕劑拋光實驗混合緩蝕劑拋光實驗正交試驗及矩陣分析正交試驗及矩陣分析拋光工藝參數優化實驗路線拋光工藝參數優化實驗路線拋光液流速拋光實驗拋光液流速拋光實驗主盤轉速拋光實驗主盤轉速拋光實驗不同壓力拋光實驗不同壓力拋光實驗不同拋光墊拋光實驗不同拋光墊拋光實驗23拋光墊和拋光液技術含量高，其產品質量、性能指標直接決定了終端產品的品質和穩定性，屬于下游客戶的關鍵材料。因此，拋光材料下游客戶實施嚴格的供應商認證機制，只有通過

40、嚴格的認證滿足客戶對質量標準和性能的要求，才能成為下游客戶的合格供應商。下游客戶的供應商認證流程通常包括供應商初評、產品報價、樣品檢測、小批量試用、穩定性檢測、批量生產等多個環節，認證流程復雜，認證要求嚴苛。為了保證認證的準確性和真實性，認證通常具有復雜的流程并且持續較長時間，這提高了供應商的時間成本，進一步提高了行業壁壘。但是供應商一旦通過下游客戶的認證成為其合格供應商，就會形成相對穩定的合作關系。拋光材料具有較高的客戶壁壘圖表圖表2929：鼎龍股份拋光墊客戶認證：鼎龍股份拋光墊客戶認證資料來源：鼎龍股份公告，太平洋證券研究院圖表圖表3030：下游客戶供應商認證流程：下游客戶供應商認證流程資

41、料來源：安集科技招股說明書，太平洋證券研究院測試項目測試項目測試內容測試內容離線測試離線測試初始性能測試：研磨去除率、缺陷率離線拉松測試：穩定性在線測試在線測試初始性能測試小批量測試大批量測試供應商初評供應商初評產品報價產品報價樣品檢測樣品檢測小批量試用小批量試用穩定性檢測穩定性檢測批量生產批量生產圖表圖表3131：全球拋光墊市場中杜邦占比近八成：全球拋光墊市場中杜邦占比近八成資料來源：SEMI，太平洋證券研究院24拋光墊：陶氏杜邦一家獨大，國產替代市場空間廣闊與拋光液相比，拋光墊產品相對單一，產品大致分為硬墊和軟墊兩種，硬墊不同的技術節點對于拋光墊的變化較小，由此龍頭公司易保持產品的一致性與

42、穩定性，2019年全球拋光墊市場杜邦公司市占率高達79%，行業呈現一家獨大的格局，其他企業為Cabot（5%）、Thomas West（4%）、Fojibo（2%）、JSR（1%）等，基本為美日企業所壟斷。陶氏化學成立于1897年，2009年，陶氏化學收購羅門哈斯，獲得了CMP拋光墊技術和完善的專利布局；2017年，陶氏和杜邦完成合并；2019年，陶氏杜邦拆分CMP拋光墊業務，劃分在新杜邦公司的電子材料業務板塊。圖表圖表3232：杜邦公司：杜邦公司CMPCMP產品覆蓋產品覆蓋資料來源：公司官網，太平洋證券研究院類別類別品牌品牌介紹介紹拋光墊IC1000用于化學機械平坦化(CMP)的IC1000

43、系列墊，被認為是行業標準。Ikonic專為高級節點設計的突破性焊盤平臺。OPTIVISION用于化學機械平坦化(CMP)的Optivision墊系列是杜邦的第二代軟墊，它改進了Politex墊的性能，旨在降低成本。OptivisionPro用于化學機械平坦化(CMP)的OptivisionPro系列拋光墊是杜邦在新平臺上制造的第三代軟墊，可促進高級拋光。POLITEX用于化學機械平坦化(CMP)的Politex墊系列用于銅阻擋層、拋光和清潔應用，Politex墊是行業標準的軟墊。SUBA杜邦的Suba拋光墊是化學機械平坦化(CMP)拋光墊，用于庫存拋光、中間拋光和最終拋光。拋光液Novapla

44、ne鎢拋光液具有高去除率和可調選擇性，可提供卓越的形貌性能、滿足減少缺陷的要求并提供低擁有成本，以滿足客戶在鎢CMP拋光方面的需求。Optiplane是一系列先進的電介質、氮化物和多晶硅漿料，具有可調的去除率和選擇性，可以以具有競爭力的成本滿足缺陷減少要求和更嚴格的規格，用于制造下一代先進的半導體器件。Acuplane包括銅阻擋層和硅通孔(TSV)拋光液，具有可調范圍的薄膜選擇性。Klebosol杜邦是Klebosol拋光液的獨家供應商，Klebosol是最廣泛用于半導體器件CMP、層間電介質、淺溝槽隔離、多晶硅和后金屬拋光的水玻璃膠體二氧化硅產品。二氧化硅顆粒在液體介質中生長并保持出色的穩定

45、性。其他杜邦還提供用于硅晶片拋光和多晶硅CMP的Nanopure以及用于層間電介質的ILD3000-5000系列拋光液。Dow,79%Cabot,5%Thomas West,4%Fojibo,2%JSR,1%其他,9%25拋光墊：鼎龍股份攻堅克難，實現拋光墊領域突破圖表圖表3333：國內外拋光墊主要生產企業：國內外拋光墊主要生產企業資料來源：艾邦半導體網，太平洋證券研究院國內鼎龍股份攻堅克難，成為國內唯一一家全面掌握拋光墊全流程核心研發和制造技術的CMP拋光墊國產供應商，實現中國拋光墊領域從零到一的突破。國內蘇州觀勝于2017年投入了拋光墊生產項目，股東臺灣智勝在聚氨酯領域已經積累了30多年的

46、經驗，將聚氨酯應用到CMP領域也已經有15年的經驗，在這一領域已經積累了100多項專利技術。名稱名稱公司介紹公司介紹杜邦DuPont杜邦是化學機械平坦化(CMP)拋光墊、漿料和應用專業知識的全球領導者，服務于半導體芯片制造行業和其他先進的基板拋光應用，2019年CMP拋光墊產品占全球市場份額75%以上。Thomas westInc成立于1981年，開始是提供用于硬盤驅動器(HDD)的拋光、紋理化和擦拭膠帶，2000年推出CMP拋光墊產品。CMP拋光墊系列產品包括PuRa、WestPad。CMC MaterialsCMC Materials原名卡博特微電子公司，是一家為半導體制造提供關鍵材料的全

47、球供應商。CMP拋光墊采用先進的聚氨酯化學和工程技術制造，可提供精確的硬度、孔徑、可壓縮性和凹槽圖案，以滿足各種CMP應用的要求。CMP拋光墊系列產品包括NexPlanar、MEDEA、Epic、EpicPower。3M3M公司創建于1902年，可提供創新、可靠的半導體CMP材料解決方案，包括CMP研磨墊和CMP研磨盤等。富士紡FUJIBO 富士紡是半導體產業鏈重要供貨商，主要開發高附加價值的研磨材料及CMP制程中使用的拋光墊。POLYPAS拋光墊專為硅片和各類半導體材料、金屬、玻璃等的超高精度拋光而設計。JSRJSR利用在石油化學事業中積累的高分子技術，開發用于半導體制造的材料，如光刻膠、化

48、學機械平坦化(CMP)材料等，于2002年開始生產CMP拋光墊，由其位于四日市工廠內的子公司ElastomixCo.,Ltd.生產。東麗Toray日本東麗主要提供采用業界知名的不織布為底布的絨面拋光布以及精密單結構的聚氨脂拋光墊類型，可應用于各種精密加工拋光，包括硅片（晶圓），其CMP拋光墊產品于2006年開始出貨。Nitta DuPontNITTA DuPont Incorporated于1983年由工業皮帶市場的領先公司NITTA Corporation和半導體器件工藝拋光墊的頂級制造商RodelInc.（現為杜邦）共同創立，雙方各持50%股份。NITTA DuPont生產拋光材料，產品包

49、括用于CMP工藝的拋光墊、拋光液和其他相關材料。FNS TechFNS TechCo.成立于2002年3月，于2013年10月開始半導體CMP拋光墊業務。2021年，FNSTech與三星電子合作開發了CMP拋光墊可重復再利用技術。SKCSKC成立于1976年，在存儲介質和聚氨酯事業領域累積的技術能力，奠定了研發半導體專業材料CMP拋光墊和空白光掩膜的基礎，為半導體制造提供CMP拋光墊、CMP拋光液以及空白光掩膜等產品。KPX chemical 成立于1974年7月，生產和供應各種國際水平的聚醚多元醇產品，2004年開始進軍電子材料事業（CMP拋光墊、光刻膠剝離劑等），開發有聚氨酯制成的CMP拋

50、光墊KONI系列。智勝科技股份有限公司（iVT）智勝科技股份有限公司創立于2002年，主要從事半導體CMP耗材。集團母公司PVI是做PU原料的專家，基于對PU原料技術厚實的經驗，在2002年成立智勝科技iVT，正式踏入CMP拋光墊制造領域。貝達先進材料公司（三芳化學）貝達先進材料公司成立于2006年，是三芳化學子公司，應用特有的專利技術，專注研發、設計、測試與加工制造高精密度研磨拋光墊，產品應用于微電子、顯示器、光學、晶體襯底材料與硬盤基版等各種需要精密化學機械研磨拋光(CMP)的產業。湖北鼎龍控股 成立于2000年，是一家從事集成電路芯片設計及制程工藝材料、光電顯示材料、打印復印通用耗材等研

51、發、生產及服務的高新技術企業，是國內CMP拋光墊領先供應商。蘇州觀勝半導體科技有限公司蘇州觀勝半導體科技有限公司于2017年07月24日成立，公司經營范圍包括：半導體集成電路和芯片相關材料的生產、技術研發、技術咨詢、技術服務和上述同類產品的批發、進出口及傭金代理（不含拍賣）等。圖表圖表3434：安集科技為首的國內企業突破美日企業壟斷：安集科技為首的國內企業突破美日企業壟斷資料來源：SEMI，太平洋證券研究院26拋光液：多年被美日企業壟斷，本土自給率有所提升拋光液根據應用需求不同，可分為硅、銅、鎢等各種類型拋光液，配方各有差異，產品品種繁多。2019年，全球拋光液CR5達到67%，市場集中度較高

52、，其中Cabot占比第一，達到33%。其他公司分別為日立（13%）、富士美（10%）、Versum（9%）與中國企業安集科技（2%）。與拋光墊相比，拋光液市場份額相對分散，中國企業自給率有望迎來大幅提升。從具體產品來看，中國企業在銅拋光液的競爭對手主要為Fujifilm與Merck等，鎢拋光液的競爭對手是Cabot等，二氧化鈰為基礎的拋光液的競爭對手包括Asahi、Hitachi、Merck和Cabot等。占據先發優勢的行業龍頭Cabot產品覆蓋鋁、銅、鎢等金屬拋光液，產品種類齊全。Cabot33%日立13%富士美10%Versum9%安集科技2%其他33%圖表圖表3535：全球拋光液企業區域

53、分布：全球拋光液企業區域分布資料來源：前瞻產業研究院，太平洋證券研究院德國德國：BASF、Evonik Industries AG等中國大陸中國大陸：安集科技、上海新陽、上海新安納等日本日本：日立（Hitachi）、富士美（Fujimi）、AGC等韓國韓國：Ace Nanochem、KC Tech、DONGJIN SEMICHEM、Samsung SDI、Soulbrain等美國美國：卡博特（Cabot）、Versum Materials,Inc.、陶氏（Dow）、3M、Applied Material、Ferro Corporation等圖表圖表3636：全球拋光液市場競爭公司：全球拋光液市

54、場競爭公司資料來源：前瞻產業研究院，太平洋證券研究院27Cabot Microelectronics卡博特微電子公司成立于1999年，為全球最大的CMP拋光液供應商（市占率33%）和第二大CMP拋光墊供應商（市占率5%），主要產品覆蓋CMP拋光液、拋光墊、炭黑材料、納米膠等?？ú┨毓境闪⒅跫磳崿F鎢拋光液、電介質拋光液等機械拋光液的產業化，先發優勢明顯，當前產品覆蓋鎢、銅、鋁等金屬拋光液以及介電層拋光液、硅拋光液等，產品豐富覆蓋齊全?？ú┨乜蛻舾采w面廣，收入分散程度高，2022年公司實現來自中國大陸及臺灣、美國、韓國、日本、歐洲收入分別占比為35%、24%、13%、11%、10%?？ú┨兀喝?/p>

55、球最大拋光液供應商，產品豐富覆蓋齊全圖表圖表3737：行業龍頭：行業龍頭CabotCabot覆蓋拋光液產品眾多覆蓋拋光液產品眾多資料來源：公司官網，太平洋證券研究院拋光液品類拋光液品類CabotCabot現有品牌現有品牌鎢CMP拋光液SEMI-SperseW2000VWINW8900電介質/高級電介質CMP拋光漿料iDIEL銅CMP拋光液EPOCHBarrierCMP拋光漿料Sentinel鋁CMP拋光液Novus硅片拋光液SiLECT碳化硅晶圓拋光液SiCceed硅拋光液富士美、卡博特卡博特、Versum Materials、安集科技、Ace Nanochem、上海新安納鎢拋光液卡博特卡博特

56、、VersumMaterials、安集科技、KCTech氧化物拋光液卡博特卡博特、VersumMaterials、Ace Nanochem、Asahi其他金屬（銅、鋁等）拋光液安集科技、富士美、Versum Materials28拋光液：多年被美日企業壟斷，本土自給率有所提升國內從產能布局上看，安集科技、鼎龍股份、上海新陽、萬華化學等企業正在加速布局CMP拋光液產能建設。圖表圖表3838：國內拋光液主要生產企業：國內拋光液主要生產企業資料來源：公司公告，前瞻產業研究院，太平洋證券研究院名稱名稱公司介紹公司介紹 拋光液布局拋光液布局安集科技安集微電子科技(上海)股份有限公司主營業務是關鍵半導體材

57、料的研發和產業化。主要產品包括不同系列的化學機械拋光液和光刻膠去除劑，主要應用于集成電路制造和先進封裝領域?，F有CMP拋光液產能合計13266.38噸，未來公司在寧波建設寧波安集化學機械拋光液生產線，建成后新增1.5萬噸化學機械拋光液生產能力鼎龍股份湖北鼎龍控股股份有限公司主營業務是半導體CMP制程工藝材料、半導體顯示材料、半導體先進封裝材料。主要產品包括CMP拋光墊、CMP拋光液、CMP清洗液、黃色聚酰亞胺漿料YPI、光敏聚酰亞胺PSPI、面板封裝材料INK、臨時鍵合膠TBA、封裝光刻膠PSPI、底部填充膠Underfill。武漢本部工廠一期年產5000噸，二期籌備中。仙桃年產2萬噸CMP拋

58、光液項目及研磨粒子配套擴產項目等。萬華化學萬華化學集團股份有限公司的主營業務是聚氨酯、石化、精細化學品及新材料的研發、生產和銷售。公司主要產品是異氰酸酯、聚醚多元醇、石化、熱塑性聚氨酯彈性體（TPU）、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、水處理膜材料、改性聚丙烯（PP）、聚烯烴彈性體（POE）等。煙臺經濟技術開發區內建設大規模集成電路平坦化關鍵材料（拋光墊+拋光液)項目，建成后拋光液有望實現1.5-2萬噸/年產能。天津晶嶺天津晶嶺成立于2005年，主要從事電子信息、機電一體化、新材料、環保技術開發、咨詢、服務、轉讓服務，下設分支機構從事拋光液、研磨液制造。公司有兩千多平米百級千級超凈間，并擁有年產6

59、000噸的生產線。力合科創力合科創股份有限公司前身為深圳市通產麗星股份有限公司，經2019年與力合科創集團有限公司順利完成重組后，以“創新鏈產業鏈融合發展的領先者”的全新定位，確立了“科技創新服務+新材料產業”雙主業的經營模式，科技創新服務成為公司主要盈利來源。建有目前國內先進的專業超精拋光液生產線，年產2000噸。上海新陽上海新陽半導體材料股份有限公司的主營業務是集成電路制造及先進封裝用關鍵工藝材料及配套設備、環保型、功能性涂料的研發、生產、銷售和服務。公司的主要產品是半導體晶圓制造及先進封裝用電鍍液及添加劑、半導體晶圓制造用清洗劑、半導體封裝用電子化學材料、半導體制造用高端光刻膠產品、半導

60、體配套設備產品。公司已有成熟產品成功進入客戶端實現銷售。29CMP廣泛應用于硅片、芯片制造與封裝工藝3CMP材料市場規模持續增長，國產替代空間廣闊12國內企業積極布局拋光材料29美日企業壟斷格局下，中國企業突出重圍21圖表圖表3939：公司：公司20222022年營業收入持續增長年營業收入持續增長資料來源：Wind，太平洋證券研究院30鼎龍股份：2022營收保持高速增長，盈利能力大幅提升鼎龍股份是國內領先的關鍵大賽道領域中各類核心“卡脖子”進口替代類創新材料的平臺型公司，主要覆蓋打印機耗材、CMP拋光材料與顯示面板材料三大領域。2022年，公司基礎業務打印機耗材上游彩色碳粉、耗材芯片、顯影輥產

61、品的銷售受終端硒鼓產品銷量增長而提升，實現營收21.42億元，同比提升6.43%；CMP拋光墊實現收入4.57億元，同比提升48.70%；4款拋光液產品實現收入1789萬元；顯示材料YPI/PSPI實現營收4758萬元，同比大幅增長439%。2022年鼎龍股份盈利能力提升顯著，實現歸母凈利潤3.90億元，同比提升82.61%，主要原因在于高毛利的CMP拋光墊產品收入大幅增長。圖表圖表4040：公司：公司20222022年歸母凈利潤同比大幅提升年歸母凈利潤同比大幅提升資料來源：Wind，太平洋證券研究院-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%70%0510152025302018

62、2019202020212022（億元）營業收入 同比增長（右軸）-700%-600%-500%-400%-300%-200%-100%0%100%200%300%-2-101234520182019202020212022（億元）歸母凈利潤同比增長（右軸）圖表圖表4141：公司拋光墊收入占比提升至：公司拋光墊收入占比提升至17%17%（20222022年）年）資料來源：Wind，太平洋證券研究院31鼎龍股份：CMP業務高速發展，新增利潤驅動力產品占比持續提升鼎龍股份是國內領先的關鍵大賽道領域中各類核心“卡脖子”進口替代類創新材料的平臺型公司，目前重點聚焦半導體CMP制程工藝材料、半導體顯示材

63、料與半導體先進封裝材料三個細分板塊。2018-2022年，公司CMP拋光墊材料實現營收由314.89萬元大幅提升至4.57億，營收占比由0.24%提升至16.79%。伴隨公司在建項目的持續放量，關鍵原材料自主化持續推進，常規型號原料均實現自研自產，公司拋光墊毛利率逐漸提升，由2018年的16.06%大幅上升至2022年的65.54%，盈利能力顯著提升。圖表圖表4242：20222022年公司拋光墊毛利率提升至年公司拋光墊毛利率提升至65.5%65.5%資料來源：Wind，太平洋證券研究院CMP拋光材料17%打印復印耗材79%其他業務4%CMP拋光材料打印復印耗材其他業務-30%-20%-10%

64、0%10%20%30%40%50%60%70%20182019202020212022拋光墊打印復印耗材其他32鼎龍股份：產品矩陣齊全，平臺型公司公司布局半導體CMP制程工藝材料，半導體顯示材料，半導體先進封裝材料和打印復印通用耗材四個業務領域，覆蓋武漢、潛江、珠海、中山、杭州、寧波、北海等地。圖表圖表4343：公司產品：公司產品資料來源：公司年報，太平洋證券研究院產品系列產品系列具體分類具體分類產品簡介產品簡介半導體半導體CMPCMP制程制程工藝材料工藝材料CMP CMP 拋光墊拋光墊CMP拋光墊是CMP環節的核心耗材之一，主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩定的拋光環境等。CMP

65、CMP 拋光液拋光液CMP拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，在化學機械拋光過程中可使晶圓表面產生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。CMP CMP 清洗液清洗液清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的微塵顆粒、有機物、無機物、金屬離子、氧化物等雜質，滿足集成電路制造對清潔度的極高要求，對晶圓生產的良率起到了重要的作用。半導體顯半導體顯示材料示材料黃色聚酰亞胺黃色聚酰亞胺漿料漿料 YPIYPIYPI是生產柔性OLED顯示屏幕的主材之一，具有優良的耐高溫特性、良好的力學性能以及優良的耐化學穩定性，在OLED面板前段制造工藝中涂布、固化成PI膜（聚酰亞胺薄膜），替換剛性屏幕中的玻璃材料

66、，實現屏幕的可彎折性。光敏聚酰亞胺光敏聚酰亞胺PSPIPSPIPSPI是一種高分子感光復合材料，具有優異的熱穩定性、良好的機械性能、化學和感光性能等，是AMOLED顯示制程的光刻膠，是除發光材料外的核心主材，是AMOLED顯示屏中唯一款同時應用在三層制程的材料，在OLED制程中用于平坦層、相素定義層、支撐層三層。面板封裝材料面板封裝材料INKINKINK是柔性顯示面板的封裝材料，在柔性OLED薄膜封裝工藝中，通過噴墨打印的方式沉積在柔性OLED器件上，起到隔絕水氧的作用。半導體先半導體先進封裝材進封裝材料料臨時鍵合膠臨時鍵合膠TBATBA臨時鍵合膠作為超薄晶圓減薄、拿持的核心材料，可將器件晶圓

67、臨時固定在承載載體上，從而為超薄器件晶圓提供足夠的機械支撐，防止器件晶圓在后續工藝制程中發生翹曲和破片，最后臨時鍵合膠可通過光、熱和力等解鍵合方式完成超薄晶圓的釋放。臨時鍵合膠在先進封裝中的應用領域主要是2.5D/3D封裝。封裝光刻膠封裝光刻膠PSPIPSPI封裝光刻膠PSPI是一種光敏性聚酰亞胺材料，兼具光刻膠的圖案化和樹脂薄膜的應力緩沖、介電層等功能，主要應用于晶圓級封裝（WLP）中的RDL（再布線）工藝中，使用時先涂覆在晶圓表面，再經過曝光顯影、固化等工藝，可得到圖案化的薄膜。底部填充膠底部填充膠UnderfillUnderfill底部填充膠作為一種重要的集成電路封裝電子膠黏劑，在先進封

68、裝如2.5D、3D封裝中，用于緩解芯片封裝中不同材料之間熱膨脹系數不匹配帶來的應力集中問題，進而提高器件封裝可靠性。打印復印打印復印通用耗材通用耗材彩色聚合碳粉彩色聚合碳粉彩色聚合碳粉用于激光打印機里的硒鼓，有黑色、紅色、黃色、藍色四種顏色，具有顯影作用。公司2010年成功研制彩色聚合碳粉，2012年實現彩色聚合碳粉的全自動、產業化生產，打破了國外壟斷，目前已迭代至第七代低溫定影聚酯碳粉產品。載體載體載體是一種內核為鐵氧體磁性材料，表面包覆一層高分子樹脂的復合材料。載體是雙組分顯影劑中重要的成份之一，既要帶電性還要帶磁性，借助載體的磁性，碳粉能更好的附著在顯影器上，得到更好的印刷效果。通用耗材

69、芯片通用耗材芯片通用耗材芯片的主要功能為噴墨打印機及激光打印機耗材產品的識別與控制，具有感應、計數、校準色彩的作用。顯影輥顯影輥硒鼓中重要的核心組成部件，是使光導體上的靜電潛像顯影用的輥，具有顯影作用和傳粉作用，對圖像密度有影響。硒鼓硒鼓激光打印機里的耗材，承擔了激光打印機的主要成像功能，按其內部感光鼓、磁鼓和墨粉盒的組合方式可分為三類：一體硒鼓、二體硒鼓和三體硒鼓。墨盒墨盒噴墨打印機中用來存儲打印墨水，并最終完成打印的部件，按墨盒和噴頭的結構設計可分為一體式墨盒和分體式墨盒，其中再生墨盒多為一體式墨盒，其他通用墨盒多為分體式墨盒。在分體式墨盒中，根據顏色封裝的情況又可以分為單色墨盒和多色墨盒

70、。圖表圖表4444：公司：公司2 2萬噸拋光液項目預計萬噸拋光液項目預計20232023年三季度建設完成年三季度建設完成資料來源：Wind，太平洋證券研究院33鼎龍股份：拋光液部分產品實現規?；N售，助力企業穩固龍頭地位鼎龍股份作為國內唯一一家全制程拋光墊供應商，公司現有武漢本部30萬片拋光墊產能，潛江三期拋光墊新品及其核心配套原材料的擴產項目已經投產，補充了年產20萬片的拋光墊新品的生產能力，在完成產品送樣測試后，將于今年下半年逐步放量。仙桃基地于2022年6月開工，預計2023年9月份建成，總投資金額約為7.5-10億元人民幣，拋光液產能有望進一步提升，公司產業布局有望進一步完善。半導體板

71、塊半導體板塊20222022年收入年收入項目進度項目進度CMP拋光墊收入超4.57億，同比增長48.7%。公司現有拋光墊產能30萬片，潛江三期拋光墊新品及其核心配套原材料的擴產項目已建設完工處于試生產階段，并已經送樣給主流客戶測試。CMP拋光液及清洗液已實現部分產品規?；N售，銷售收入近1789萬元。武漢本部全自動化年產能5000噸拋光液產線、年產能2000噸清洗液產線穩定供應；仙桃年產1萬噸CMP用清洗液擴產項目、年產2萬噸CMP拋光液擴產項目及研磨粒子配套擴產項目等的產能建設正加緊進行中，現已完成廠房封頂和產線設備規劃，預計于2023年9月安裝完畢。34鼎龍股份：下游客戶進展順利，多項取得

72、突破圖表圖表4545：鼎龍股份各產品下游客戶進展情況：鼎龍股份各產品下游客戶進展情況資料來源：鼎龍股份年報，太平洋證券研究院公司半導體材料業務各細分領域不同階段、多種材料新品項目持續快速發展，均取得突破。產品系列產品系列具體分類具體分類客戶進展客戶進展半導體半導體CMPCMP制程工藝材制程工藝材料料CMP CMP 拋光墊拋光墊拋光墊在國內大部分主流客戶已成為第一供應商，多數在建、新建晶圓廠在通線之初便采用公司拋光墊作為標準品，形成良好的合作關系。CMP CMP 拋光液拋光液基于氧化鋁磨料的拋光液、介電材料拋光液及鎢拋光液產品于2022年在客戶端取得突破，進入采購或批量銷售、逐步放量階段；其余各

73、制程CMP拋光液產品覆蓋全國多家客戶進入關鍵驗證階段，反饋良好，部分重點產品如對標國際主流型號的多晶硅拋光液產品、金屬柵極拋光液產品等進入最終導入階段，有望在2023年在下游存儲及邏輯客戶取得新訂單。CMP CMP 清洗液清洗液銅制程CMP后清洗液產品持續穩定獲得客戶訂單，自對準清洗液，激光保護膠清洗液等新領域清洗液產品也取得一定銷售收入；其他制程拋光后清洗液產品部分在客戶端持續驗證，向先進封裝清洗液領域拓展開發的系列產品也在匹配客戶需求進行開發、送樣。半導體顯示半導體顯示材料材料黃色聚酰亞胺黃色聚酰亞胺 國內唯一一家擁有千噸級、超潔凈、自動化YPI產線的企業，是國內唯一實現量產出貨的YPI供

74、應商?，F已覆蓋國內所有主流AMOLED客戶形成批量規?；N售。漿料漿料 YPIYPI光敏聚酰亞胺光敏聚酰亞胺國內唯一一家在下游面板客戶驗證通過，打破國外壟斷，并在2022年第三季度實現批量出貨的企業。PSPIPSPI其他半導體顯示其他半導體顯示新材料新材料面板封裝材料TFE-INK、低溫光阻材料OC、高折OC、高折INK等其他新產品也在按計劃開發、驗證中，并持續與下游面板客戶保持技術交流。先進封裝材先進封裝材料料臨時鍵合膠臨時鍵合膠臨時鍵合膠產品已完成國內某主流晶圓廠送樣，客戶端驗證已接近尾聲，獲得客戶好評，量產產品導入工作正在進行中TBATBA封裝光刻膠封裝光刻膠目前已完成某大型封裝廠的客戶

75、端送樣，驗證工作穩步推進。PSPIPSPI底部填充膠底部填充膠已經完成小試配方開發，目前正在進行應用評價工作，爭取2023年下半年實現客戶端送樣。UnderfillUnderfill35鼎龍股份：研發能力突出，布局海外專利不侵權報告公司研發能力突出，2022年研發人員占比23.87%，研發費用投入約3.16億元，近5年研發費用基本保持在10%。公司立項開發多晶硅、金屬銅、金屬鋁、阻擋層、金屬鎢與介電層制程等系列共30余種拋光液產品，2022年已有部分拋光液產品實現規?；N售。鼎龍擁有完善的知識產權布局。截至2022年年末，公司擁有已獲得授權的專利784項，并為后續海外產品推廣做好專利預警工作，

76、完成柔性顯示基板材料YPI、光敏聚酰亞胺PSPI、面板封裝材料TFE-INK的中國/海外、CMP拋光墊的臺灣專利不侵權報告。圖表圖表4747：公司研發費用率基本保持在：公司研發費用率基本保持在10%10%資料來源：Wind，太平洋證券研究院050100150200250300350400450500軟件著作權與集成電路布圖設計外觀設計專利發明專利實用新型專利2021年2022年（項）圖表圖表4646：公司專利布局：公司專利布局資料來源：Wind，太平洋證券研究院0%2%4%6%8%10%12%14%0.00.51.01.52.02.53.03.520182019202020212022（億元）

77、研發費用研發費用率（右軸）36鼎龍股份：盈利預測2022年，公司基礎業務打印機耗材實現營收21.42億元，同比提升6.43%；CMP拋光墊實現收入4.57億元，同比提升48.70%；4款拋光液產品實現收入1789萬元；顯示材料YPI/PSPI實現營收4758萬元，同比大幅增長439%。盈利能力提升顯著，實現歸母凈利潤3.90億元，同比提升82.61%。公司是國內唯一一家全制程拋光墊供應商，現有武漢本部30萬片拋光墊產能，潛江三期項目建成投產，再補充20萬片拋光墊新品的生產能力，在完成產品送樣測試后，將于2023年下半年逐步放量。仙桃基地于2022年6月開工，預計今年9月份建成，拋光液產能有望進

78、一步提升。預計公司2023/2024/2025年歸母凈利潤為5.24億元/6.92億元/9.12億元，當前市值對應估值為40.21倍/30.40倍/23.08倍。首次覆蓋，給予“買入”評級。圖表圖表4848：盈利預測：盈利預測資料來源：Wind,太平洋證券研究院年結日：年結日：1212月月3131日日202220222023E2023E2024E2024E2025E2025E營業總收入（人民幣 百萬）2,721.48 3,275.58 4,058.18 5,139.91 增長率（%）15.52%20.36%23.89%26.66%歸母凈利潤（人民幣 百萬）390.03 523.56 692.4

79、6 912.22 增長率（%）82.66%34.24%32.26%31.74%EPS（元/股）0.42 0.56 0.74 0.97 市盈率（P/E）50.69 40.21 30.40 23.08 市凈率（P/B）4.79 4.45 3.88 3.32 37安集科技：拋光液營收持續高速增長，盈利水平保持高位安集科技是中國拋光液領域領先企業，主要產品包括CMP拋光液及功能性濕電子化學品，拋光液覆蓋介電材料（二氧化硅、氮化硅）拋光液，鎢拋光液，銅及銅阻擋層拋光液等多個品類，打破了美日企業對集成電路領域化學機械拋光液的壟斷，位列國內半導體材料第一梯隊。2022年公司實現營業收入10.77億元，同比大

80、幅提升56.82%，近五年保持35.88%的快速增長。2022年，公司盈利能力大幅提升，實現歸母凈利潤3.01億元，同比提升140.99%，2018-2022年CAGR接近50%。圖表圖表4949：公司營業收入持續大幅增長：公司營業收入持續大幅增長資料來源：Wind，太平洋證券研究院圖表圖表5050：公司盈利能力大幅提升：公司盈利能力大幅提升資料來源：Wind，太平洋證券研究院0%10%20%30%40%50%60%70%0246810122016201720182019202020212022（億元）營業收入同比增長（右軸）-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%140%

81、160%0.00.51.01.52.02.53.03.52016201720182019202020212022（億元）歸母凈利潤同比增長（右軸）38安集科技：深耕高端半導體領域，涵蓋集成電路“拋光、清洗、沉積”三大工藝公司自成立之初就定位為高端半導體材料領域企業，現成功搭建化學機械拋光液-全品類產品矩陣、功能性濕電子化學品（清洗液、刻蝕液）-領先技術節點多產品線布局、電鍍液及其添加劑-實現電鍍高端產品系列國產突破，三大技術平臺，涵蓋集成電路制造中“拋光、清洗、沉積”三大關鍵工藝。2022年，公司核心業務拋光液實現營收9.51億元，同比提升60.13%，占營業收入的比重達到88.34%，主營業

82、務突出。2022年，化學機械拋光液產品毛利率達到58.59%，較2021年提升3.18pct，近7年基本達到55%的毛利率水平，盈利能力保持高位。圖表圖表5151：公司：公司20222022年拋光液收入占比年拋光液收入占比88%88%資料來源：Wind，太平洋證券研究院圖表圖表5353：公司拋光液毛利率約為：公司拋光液毛利率約為55%55%資料來源：Wind，太平洋證券研究院化學機械拋光液88%功能性濕電子化學品12%圖表圖表5252：公司毛利結構（：公司毛利結構（20222022年）年）資料來源：Wind，太平洋證券研究院化學機械拋光液95%功能性濕電子化學品5%0%10%20%30%40%

83、50%60%70%80%90%2016201720182019202020212022拋光液功能性濕電子化學品（2021年以前，光刻膠去除劑）其他圖表圖表5656：公司拋光液產量持續提升：公司拋光液產量持續提升資料來源：公司公告，太平洋證券研究院39安集科技：打造上海寧波雙基地，項目建設持續推進公司2022年銷售化學機械拋光液2.13萬噸，功能性濕電子化學品2157.26噸。同年12月1日，公司擬定增募資不超過2.4億元，用于寧波安集化學機械拋光液建設項目、安集科技上海金橋生產線自動化項目、安集科技上海金橋生產基地分析檢測能力提升項目及補充流動資金，項目預計2023年7月建成，新增1.5萬噸化

84、學機械拋光液生產能力。公司現圍繞現有產品線所需的產能改擴建正在建設中。其中上海金橋基地，主要生產化學機械拋光液；寧波北侖基地，主要生產功能性濕電子化學品。公司募集資金用于寧波北侖生產基地建設化學機械拋光液產線，將打造上海、寧波“雙基地”的概念，擴充產能的同時，進一步降低產品供應風險。產品類別產品類別項目項目20182018年年20192019年年20202020年年20212021年年20222022年年化學機械拋化學機械拋光液光液產能(噸)13,698.0515,003.9823,234.02-產量(噸)6,194.216,485.609,941.4716649.7622486.08銷量(噸

85、)5,768.146,325.469,560.091512421266.21產能利用率45.22%43.23%42.79%-產銷率93.12%97.53%96.16%90.84%94.57%功能性濕電功能性濕電子化子化學品學品產能(噸)639.52639.521,233.35-產量(噸)470.77643.00694.961812.842332.04銷量(噸)459.62573.10709.841962.12157.26產能利用率73.61%100.54%56.35%-產銷率97.63%89.13%102.14%108.23%92.51%40安集科技：全品類產品線布局公司提供多種關于化學機械拋

86、光液和功能性濕電子化學品的解決方案和產品系列。圖表圖表5757：公司已有產品布局：公司已有產品布局資料來源：公司官網，太平洋證券研究院產品系列產品系列具體分類具體分類具體內容具體內容化學機械化學機械拋光液拋光液銅及銅銅及銅阻擋層化學機械拋光液阻擋層化學機械拋光液用于拋光銅及銅阻擋層以分離銅和相鄰的絕緣材料，已在邏輯芯片,3D NAND 和 DRAM 芯片上實現量產。技術節點涵蓋130-14nm持芯片制程，正在研發并驗證下一步技術節點用的產品。鎢化學機械拋光液鎢化學機械拋光液用于集成電路制造工藝中鎢的去除和平坦化。產品已在邏輯芯片,3D NAND 和 DRAM 芯片上量產使用。用于28nm的產品

87、通過驗證，實現量產。襯底化學機械拋光液襯底化學機械拋光液用于集成電路的硅晶圓材料。包括硅粗拋液、硅精拋液、碳化硅拋光液、氮化鎵拋光液等產品?；诙趸嬆チ系膾伖庖夯诙趸嬆チ系膾伖庖涸摦a品高速去除二氧化硅，高選擇比，高平坦化效率。用于集成電路制造工藝中淺槽隔離和其他需要高速去除二氧化硅的拋光工藝。介電材料化學機械拋光液介電材料化學機械拋光液用于集成電路制造工藝中介電材料如二氧化硅、氮化硅等的去除和平坦化。包括堿性和酸性的介電材料拋光液。用于新材料新工藝的化學機械用于新材料新工藝的化學機械拋光液拋光液根據客戶需求，定制和研發新材料拋光液，目前包括用于三維集成工藝中TSV硅通孔拋光液和混合鍵

88、和拋光液，聚合物和碳等化學機械拋光液。功能性濕功能性濕電子化學電子化學品品刻蝕后清洗液刻蝕后清洗液鋁制程刻蝕后清洗液，包括半水性鋁制程刻蝕后清洗液及胺基鋁制程刻蝕后清洗液；銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液；硬掩模銅大馬士革工藝刻蝕后清洗液，且在28nm邏輯芯片量產。光刻膠剝離液光刻膠剝離液已在8英寸及12英寸晶圓級封裝（金凸點、焊錫凸點、柱狀凸點）、MEMS、TSV等領域實現量產?？涛g液刻蝕液根據客戶需求定制刻蝕液。電鍍液電鍍液初步完成電化學鍍技術平臺的建立，提供電鍍液產品。拋光清洗液拋光清洗液銅化學機械拋光后的清洗，鎢化學機械拋光后的清洗，鋁化學機械拋光后的清洗液，氮化硅化學機械拋光后的清洗，用于

89、新材料化學機械拋光后的清洗，拋光墊清洗液。41安集科技：在研項目持續推進公司持續投入大量資金、人力等研發資源，夯實現有研發平臺能力建設，持續推進項目研發工作。圖表圖表5858：公司在研項目進展：公司在研項目進展資料來源：公司公告，太平洋證券研究院產品系列產品系列項目名稱項目名稱進展或階段性成果進展或階段性成果擬達到目標擬達到目標具體應用前景具體應用前景化學機械拋光化學機械拋光液及磨料液及磨料銅拋光液系列產品銅拋光液系列產品產品在多個客戶端進行測試驗證并實現銷售；產品平臺開發用于成熟技術節點的具有更高性價比的產品并在多個客戶端進行測試驗證。產品與產品平臺持續優化并在客戶端測試驗證。產品滿足成熟制

90、程和先進制程的技術要求，具有成長空間。阻擋層拋光液系列阻擋層拋光液系列產品產品鎢化學機械拋光液鎢化學機械拋光液用于28nm的產品通過驗證，實現量產；開發多款用于28nm以下技術節點的產品：優化用于成熟技術節點的產品并在多個客戶端測試驗證。優化用于28nm以下技術節點的產品并在客戶端測試驗證:持續驗證用于成熟技術節點的產品,擴大應用范圍。硅襯底拋光液系列硅襯底拋光液系列產品產品硅精拋液通過多個客戶驗證，實現量產，并成功導入中國臺灣市場；開發和優化硅粗拋液。持續優化硅精拋液并在客戶端驗證，擴大市場份額；持續優化硅粗拋液并在客戶端驗證。逐步完善產品，擴大應用和市場份額?；谘趸嫷膾伖饣谘趸嫷膾?/p>

91、光液系列產品液系列產品優化完成多個基于氧化鈰磨料的拋光液并在領先的存儲芯片和成熟的邏輯芯片制程通過驗證，實現量產；研發和優化用于28nm及以下技術節點的產品并在客戶端進行測試。優化用于28nm及以下技術節點的產品并在客戶端進行測試驗證。介電材料拋光液系介電材料拋光液系列產品列產品優化完成氮化硅拋光液并在DRAM芯片制程通過驗證，實現量產；開發和優化具有更高性價比的氧化硅拋光液。持續開發和優化氮化硅拋光液并在客戶端測試驗證：具有更高性價比的氧化硅拋光液在客戶端測試驗證。新材料新工藝用拋新材料新工藝用拋光液系列產品光液系列產品針對客戶需求，定制化開發新材料新工藝用拋光液如碳拋光液和聚合物拋光液，優

92、化三維集成用的拋光液如混合鍵合拋光液等，并在客戶端進行測試：用于三維集成的TSV拋光液在更多的客戶端通過驗證，實現銷售。持續與客戶合作，完成新材料用拋光液和三維集成用拋光液的開發和測試，擴大應用。持續擴大應用和市場份額。高端納米磨料高端納米磨料多個磨料顆粒進入中試階段。拋光指標和性能接近國際同類產品?？椭苹チ吓c進口磨料互補，保障供應安全。功能性濕電子功能性濕電子化學品化學品刻蝕后清洗液刻蝕后清洗液優化現有技術平臺用于先進技術節點、先進存儲工藝，并在客戶端驗證中。持續與客戶合作，完成先進技術節點刻蝕后清洗液開發及產業化。逐步完善產品，擴大應用和市場份額。光刻膠剝離液光刻膠剝離液批量應用于晶圓級

93、封裝等超越摩爾領域中，并持續擴大應用。厚膜光刻膠剝離液持續優化，滿足超越摩爾等產品需求。滿足先進技術節點需求，市場前景廣闊?？涛g液刻蝕液成功建立刻蝕液技術平臺，刻蝕液研發正在按計劃進行中。開發適用于12英寸先進制程獨特配方型刻蝕液，支持先進工藝發展。電鍍液及添加電鍍液及添加劑產品劑產品電鍍液電鍍液初步完成電化學鍍技術平臺的建立，電鍍液添加劑研發及驗證按計劃進行中。建立電化學鍍技術平臺，開發滿足集成電路大馬士革工藝及先進封裝凸點工藝等電鍍液添加劑并進行客戶驗證。滿足集成電路大馬士革工藝及先進封裝需求，市場前景廣闊。電子級添加劑純化電子級添加劑純化成功建立電子級添加劑純化技術平臺，多款添加劑純化達

94、到ppb級別，并實現量產。開發電子級添加劑純化技術，實現原材料自主可控。滿足先進技術發展需求，有效支持公司長期發展。42安集科技：研發能力突出助力企業成長公司多位核心技術人員出身行業龍頭Cabot，技術經驗豐富，團隊內共有研發與技術人員180人，同比提升15.99%，占員工總人數的45.69%，研發團隊規模不斷擴充。2022年公司研發投入1.61億元，同比提升5.39%，由于主營收入大幅提升，研發費用率下滑至14.99%，近7年公司研發費用率基本在15%以上。截至2022年年末，公司及其子公司共獲得250項發明專利授權，其中中國大陸190項、中國臺灣50項、美國5項，另有269項申請已獲受理。

95、圖表圖表5959：公司研發費用率基本保持在：公司研發費用率基本保持在15%15%資料來源：Wind，太平洋證券研究院0%5%10%15%20%25%0.00.20.40.60.81.01.21.41.61.82016201720182019202020212022（億元）研發費用研發費用率（右軸）中國大陸中國臺灣美國新加坡韓國圖表圖表6060：公司現有專利分布國家：公司現有專利分布國家資料來源：Wind，太平洋證券研究院43安集科技：盈利預測2022年公司實現營業收入10.77億元，同比大幅提升56.82%，近五年保持35.88%的快速增長；盈利能力大幅提升，實現歸母凈利潤3.01億元，同比提

96、升140.99%，2018-2022年CAGR接近50%，達到49.97%。其中，化學機械拋光液產品毛利率達到58.59%，較2021年提升3.18pct，近7年基本達到55%的毛利率水平，核心產品盈利能力保持高位。公司擬定增募資不超過2.4億元，用于寧波安集化學機械拋光液建設項目、安集科技上海金橋生產線自動化項目、安集科技上海金橋生產基地分析檢測能力提升項目及補充流動資金，項目預計2023年7月建成，新增1.5萬噸化學機械拋光液生產能力。預計公司2023/2024/2025年歸母凈利潤為3.97億元/5.23億元/6.50億元，當前市值對應估值為36.49倍/27.75倍/22.32倍。首次

97、覆蓋，給予“買入”評級。圖表圖表6161：盈利預測：盈利預測資料來源：Wind,太平洋證券研究院年結日：年結日：1212月月3131日日202220222023E2023E2024E2024E2025E2025E營業總收入（人民幣 百萬）1,076.79 1,424.98 1,905.41 2,463.83 增長率（%）56.82%32.34%33.71%29.31%歸母凈利潤（人民幣 百萬）301.44 397.45 522.64 649.96 增長率（%）140.99%31.85%31.50%24.36%EPS（元/股）4.59 4.01 5.28 6.56 市盈率（P/E）39.22 36.49 27.75 22.32 市凈率（P/B）8.84 6.32 5.15 4.18