《電子行業專題研究：英特爾CEO在MIT分享如何集成1萬億個晶體管-240105（23頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《電子行業專題研究：英特爾CEO在MIT分享如何集成1萬億個晶體管-240105（23頁）.pdf（23頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。1 證券研究報告 電子電子 英特爾英特爾 CEO 在在 MIT 分享如何集成分享如何集成 1萬億個晶體管萬億個晶體管 華泰研究華泰研究海外科技海外科技 電子電子 增持增持 (維持維持)研究員 何翩翩何翩翩 SAC No.S0570523020002 SFC No.ASI353 +(852)3658 6000 2024 年 1 月 05 日美國 專題研究專題研究 在在 2030 年實現集成一萬億個晶體管的四大關鍵因素年實現集成一萬億個晶體管的四大關鍵因素 英特爾CEO Pat Gelsinger認為摩爾定律中描述的晶體管數量兩年翻一倍

2、的黃金時代雖暫告一段落，但技術創新仍能持續挑戰摩爾定律的底線。他認為目前業界發展的可見度將維持在十年。隨著與摩爾定律相關的經濟效應減緩，他預計未來晶體管數量翻倍速度或延緩至三年一次，而他也認為晶體管的數量，將會從目前的 1000 億個，至 2030 年前增加至一萬億，4 大關鍵因素：1)新型柵極新型柵極 Gate-All-Around 技術的采用技術的采用：解決了晶體管漏電流的問題；2)背部供電背部供電：通過 RibbonFET 和 PowerVia 工藝從背面而非頂面進行功率傳輸，創建了三明治晶圓結構，能有效解決功率和晶體管密度的問題；3)光刻技術：光刻技術：通過采用 13.5 nm EUV

3、 和下一代 High NA 光刻技術打造芯片；4)3D 封裝封裝：芯片從傳統的二維轉變為三維堆疊，能進一步增加晶體管數量。自自 2021 年投資超年投資超 900 億美元建億美元建 Fab 廠，英特爾持續提升工廠自動化水平廠，英特爾持續提升工廠自動化水平 自 2021 年 Pat Gelsinger 上任后，英特爾的四年五節點計劃預計投入 1500 億美元，包括在全球共計投資超過 900 億美元新建或擴建 Fab 廠，其中在俄亥俄州投資 200 億美元建設晶圓廠、在亞利桑那州投資 200 億美元擴建晶圓和封測產線、在以色列投資超過 200 億美元新建晶圓廠等。由于歐美的人力成本較高，英特爾自研

4、工業 4.0 和工廠自動化解決方案來提升工廠運營效率。同時，公司將在 EDA 和 IP 生態系統加大投入。英特爾在 ESG 層面也是業界領軍者，制造設施中約有 90%的綠色能源，大部分廠區水回收利用率超過 100%，計劃在 2040 年前實現零碳排放。使人工智能真正適用于所有人，英特爾成立使人工智能真正適用于所有人，英特爾成立 Articul8AI 以以維護安全隱私維護安全隱私 英特爾的首要戰略為使人工智能民主化。公司希望讓每個應用開發者都能使用人工智能，而不是通過專利將大量數據集和高性能計算能力歸公司獨有。CEO 提到公司將在新一代 PC 中搭載 20 TOPS 算力的 NPU，并積極推廣S

5、YCL 代碼替代 CUDA，以完善其生態系統和增加在高性能培訓領域的競爭力，而真正使人工智能適用于所有人。目前，業界開始壓縮訓練模型，并采用 FP8 的浮點精度格式，以降低對算力的要求，從而為 AI 訓練和推理帶來更大自由度，提升加速器的有效吞吐量，降低云的訓練和推理成本，進一步助力AI民主化。公司于2024年1月4日與數字資產管理公司（DRBG.US）成立 AI 軟件公司 Articul8AI，以維護隱私和安全。CHIPS Act 法案助力技術創新，英特爾致力于推動量子計算法案助力技術創新，英特爾致力于推動量子計算 Pat Gelsinger 積極推動 CHIPS Act 法案，他認為是美國

6、自二戰后最重要的產業政策。英特爾將在未來五年投資超 500 億美元用于半導體領域（110億美元研發和 390 億美元制造）。目前，三星、TSMC、美光和英特爾宣布啟動總共五個位于美國 Fab 廠建設。英特爾計劃在美國國家半導體技術中心的支持下形成研究創新和商業化落地的中間點。放眼未來，英特爾在量子計算的軟硬件探索方面也有望取得領先。與其他采用超冷效應或激光等方法的量子計算不同，公司選擇在硅上進行實驗。他稱公司將推出可持續的量子計算，并在實際算法上實現量子優勢。公司將在 2030 年左右實現以量子計算為基礎的下一代超級計算機，該技術將是人工智能與高性能計算的交匯。推出高校穿梭計劃，培養未來客戶及

7、縮短工業和學術間的距離推出高校穿梭計劃，培養未來客戶及縮短工業和學術間的距離 英特爾也推出了高校穿梭計劃，加強與高校的合作，并提供 Intel 16 工藝作為研究基礎，未來有望再供 Intel 3 制程作為代工資源。CEO 的目標是穿梭計劃項目數量每年增長一個數量級，以便更多研究人員使用現代技術節點。風險提示：消費電子市場復蘇不及預期；工廠制造良率爬坡不及預期等；AI PC 的滲透率不及預期；管理層的樂觀預期和實際發展不相符。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。2 電子電子 正文目錄正文目錄 英特爾英特爾 CEO 深度分享：拐點之后，半導體行業路在何方？深度分享：拐點之

8、后，半導體行業路在何方？.3 Q1：摩爾定律是否終結？當集成更多晶體管不再具備經濟效益時，該行業將如何繼續推動技術能力的提升？.4 Q2：如何解決半導體先進制造過程中的環保問題?.7 Q3：如何看待半導體行業創新能力和制造規模的關系？.9 Q4：英特爾在開發人工智能硬件方面做了哪些工作？.10 Q5：人工智能的未來發展是構建更大模型或其他路徑？此外，如何看待軟、硬件在此過程中的作用？.11 Q6：英特爾如何看待與谷歌、微軟等科技公司的關系？.12 Q7：如何進行技能再培訓，以確保團隊為未來的轉型做好準備？.13 Q8：展望五年后需要的工作人員與之前的一代相比有何獨特之處？.14 Q9：如何看待

9、學術界研究與工業界商業化落地之間的差距？.15 Q10：除了硅以外，還有哪些材料能被使用在半導體先進制程中？.16 Q11（臺下提問）：是否能對初創公司的代工廠選擇上提供一些建議？.18 Q12（臺下提問）：生物材料在行業和未來的制造業中發揮作用嗎？.18 Q13（臺下提問）：SEMATECH 的概念正確嗎.19 Q14（臺下提問）：如何重新激發風險投資機構對半導體的投資熱情？.19 風險提示.20 fXzWzXnZjYbVvY8ObPaQmOrRpNnRiNnNnMeRnNyR6MpOmNwMtRnMuOmRrO 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。3 電子電子 英特

10、爾英特爾 CEO 深度分享：拐點之后，半導體行業路在何方？深度分享：拐點之后，半導體行業路在何方？2023 年 12 月 15 日，ManufacturingMIT 上傳了一場與英特爾 CEO Pat Gelsinger 的圓桌會議視頻，其他與會者還包括 Prof.Daniel Rus（MIT 人工智能實驗室主任）、Prof.Vladimir Bulovi（MIT 納米實驗室主任）、Prof.Jesus del Alamo（MIT 電子工程教授）。主要討論了英特爾依托新型柵極 Gate All Around 技術、PowerVia 背部供電、EUV 光刻和 3D 封裝等創新以應對摩爾定律的放緩

11、。公司自 2021 年起已投資超 900 億美元建設 Fab 廠，持續提升工廠自動化水平以降本增效，并實現 90%的綠色能源利用率。未來公司將推動人工智能民主化進程，與產業及高校通過穿梭計劃等方式保持合作，通過 CHIPS Act 法案助力行業的技術創新，探索量子計算等半導體前沿技術?，F任公司 CEO Pat Gelsinger 于 1979 年加入英特爾，逐步晉升為公司的首席技術官。在英特爾工作期間，他參與了多個關鍵技術的研發，包括最初的 80486 處理器。2009 年，他離開英特爾，轉任 EMC 的首席執行官，負責存儲備份和數據計算產品。2012 年，他擔任云計算基礎架構公司 VMwar

12、e 的首席執行官。2021 年，他再次加入英特爾，擔任首席執行官，提出“四年五節點”制程趕超計劃，并積極推動 CHIPS Act 法案。圖表圖表1：英特爾自英特爾自 2021 年年 Pat Gelsinger 上任宣布的全球晶圓廠投資上任宣布的全球晶圓廠投資計劃計劃 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Pat Gelsinger 提出“四年五節點”制程趕超計劃。英特爾已在 2021 下半年完成 Intel 7（臺積電 N10）、2022 下半年完成 Intel 4（臺積電 N7-N5）、2023 年下半年完成 Intel 3（臺積電 N5-N3）。公司計劃于 2024 年上半年完成 Intel 2

13、0A（臺積電 N3-N2）及 2024 年下半年完成 Intel 18A（超臺積電 N2）共計五代工藝節點的量產準備，目前已經按時完成三個節點，我們認為英特爾有望持續兌現承諾。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。4 電子電子 圖表圖表2：英特爾四年五節點計劃英特爾四年五節點計劃 資料來源：英特爾官網，華泰研究 圖表圖表3：英特爾各節點預計推出時間英特爾各節點預計推出時間 節點節點 推出時間推出時間 芯片密度臺積電節點對照芯片密度臺積電節點對照 Intel 7 2021 N10 Intel 4 2022 N7-N5 Intel 3 2023 N5-N3 Intel 20A

14、 2024 N3-N2 Intel 18A 2024 超 N2 資料來源：英特爾官網， 官網，華泰研究 Q1：摩爾定律是否終結？當集成更多晶體管不再具備經濟效益時，該行業摩爾定律是否終結？當集成更多晶體管不再具備經濟效益時，該行業將如何繼續推動技術能力的提升？將如何繼續推動技術能力的提升？Pat Gelsinger 回答：“首先，媒體對摩爾定律的終結宣告已經有三四十年的歷史，但實際摩爾定律并沒有被終結。未來三四年內，我們將繼續保持大約十年的可見度。因此，在不斷解決問題的過程中，我們能持續向前推進，保持大約十年的可見度，這是我們當前的處境。從根本上說，摩爾定律的黃金時代已經過去。在黃金時代，晶體

15、管數量大約每兩年翻一倍?，F在的情形可能更接近于每三年翻一倍。因此，我們確實看到了與摩爾定律相關的經濟學發展的放緩。七八年前，一個現代晶圓廠的成本約為 100 億美元，而現在則約為 200 億美元。盡管如此，我們所制造的最先進芯片的單個封裝上已能集成約有 1000 億個晶體管。我們堅信，有四個關鍵因素將推動我們在 2030 年前實現集成一萬億個晶體管的技術能力，大約每兩到三年實現一次翻倍。1.新型柵極新型柵極 GAA（Gate-All-Around）技術的采用：）技術的采用：相較于傳統柵極 FinFET 被三面的柵極所包裹，GAA 的設計理念則更為先進，其通道被柵極全方位四面環繞。柵極對電流的控

16、制能力與其與通道接觸面積有關接觸面積越大，柵極對電流的控制能力越強。這一創新解決了晶體管方面的漏電問題，為技術進步提供了堅實的基礎。2.背部供電背部供電：通過 RibbonFET 和 PowerVia 工藝從背面而非頂面進行功率傳輸，創建了一個三明治晶圓結構，能有效解決功率和晶體管密度的問題。3.光刻技術的進步：光刻技術的進步：光刻技術一直是半導體制造的核心。通過采用 EUV 技術，即使用 X射線將光波長從 193 納米降至 13.5 納米，我們取得了顯著的進展。在 2023 年底，已于俄勒岡 Fab 廠中擁有全球第一臺下一代 High Numerical Aperture EUV。4.3D

17、封裝封裝：芯片從傳統的二維轉變為三維堆疊，通過 2.5D/3D 封裝技術能進一步增加晶體管數量。因此，英特爾將繼續在摩爾定律的征途上前行，直到元素周期表耗盡之日?！泵庳熉暶骱团兑约胺治鰩熉暶魇菆蟾娴囊徊糠?，請務必一起閱讀。5 電子電子 圖表圖表4：半導體晶體管的演變半導體晶體管的演變 備注：左起分別為平面晶體管，全耗盡鰭式(Fin)晶體管和全環繞柵極(GAA)晶體管 資料來源：三星半導體官網，華泰研究 圖表圖表5：英特爾研發英特爾研發 PowerVia 背部供電和背部供電和 RibbonFET 的新功率傳輸機制的新功率傳輸機制 資料來源：英特爾官網，華泰研究 圖表圖表6：英特爾推出晶體管背部

18、供電方式英特爾推出晶體管背部供電方式 資料來源：英特爾官網，華泰研究 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。6 電子電子 圖表圖表7：英特爾產品隨著時間推移不斷創新，并保持摩爾定律的步伐英特爾產品隨著時間推移不斷創新，并保持摩爾定律的步伐 資料來源：英特爾官網，華泰研究 GAA 的四面環繞柵極設計相較于的四面環繞柵極設計相較于 FINFET 的三面環繞柵極設計的的三面環繞柵極設計的防漏電性能更強防漏電性能更強 GAA（Gate-All-Around，全包圍柵極場效應晶體管），全包圍柵極場效應晶體管）與與 FinFET（Fin Field-Effect，鰭片場效，鰭片場效應

19、晶體管）應晶體管）的根本差異在于其通道結構的設計。的根本差異在于其通道結構的設計。FinFET 是一種三維晶體管結構，其半導體的通道以鰭片的形式展現，被三面的柵極所包裹。GAA 的設計理念則更為先進，其通道被柵極全方位四面環繞。柵極對電流的控制能力與其與通道接觸面積有關接觸面積越大，柵極對電流的控制能力越強。圖表圖表8：制造制造 GAA 晶體管晶體管示意圖示意圖 資料來源：泛林集團官網，華泰研究 GAA 的主要優勢在于優秀電流控制能力、節點尺寸的主要優勢在于優秀電流控制能力、節點尺寸的減小的減小、低電壓運行、低電壓運行的能力的能力和短通道效和短通道效應的改善應的改善，但也面臨著制造難度大、技術

20、，但也面臨著制造難度大、技術成熟度低成熟度低和高生產成本的問題和高生產成本的問題。GAA 利用其四面環繞的柵極，實現了優秀的電流控制精度，有效降低了漏電流，從而提高了晶體管的能效比，并使得晶體管能在極其微小的節點上運行（例如 5nm 及以下），這進一步推進了微縮技術的極限，為集成度提供了更大的空間。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。7 電子電子 晶體管作為一種基于半導體材料的電流開關裝置，是由位于源極和漏極之間的柵極來控制電流的流通。在傳統平面晶體管中，柵極僅與源極和漏極在一個平面上接觸，形成一個矩形的控制面。隨著晶體管尺寸縮小至納米級別，尤其是當柵極寬度減至約 20

21、 納米時，其控制能力會顯著下降，引發漏電問題。FinFET 技術通過將源極和漏極構造成鰭片狀，并讓柵極從三個方向包裹，從而增加了柵極的控制面積，增強了對電流的調節能力。然而，隨著制程技術推進至 5 納米及以下維度，即便是 FinFET 也面臨著其物理極限。在極端微小的尺度下，緊鄰的鰭片可能導致漏電流的再次出現。GAA 技術應運而生，作為 FinFET的進化版，其晶體管結構再次發生了變革。在 GAA 中，源極和漏極不再呈現鰭片狀，而是被設計成穿過柵極的棒狀，使得柵極能四面環繞源漏極。這樣的設計增加了柵極的接觸面積，提升了晶體管的電流承載能力，不僅優化性能，還降低了工作電壓，有效改善了短通道效應所

22、帶來的問題。但但 GAA 技術在推向市場的過程中也面臨一些挑戰。技術在推向市場的過程中也面臨一些挑戰。制造 GAA 的過程需使用硅（Si）與鍺化硅（SiGe）的外延層交替堆疊，形成納米級別的超晶格結構，這一結構將作為納米片晶體管的基礎。隨后步驟需要沉積精密的電介質隔離層以保障源極和漏極的完整性并確立柵極的精確寬度，繼而通過復雜的刻蝕工藝移除定義通道區域的犧牲層。犧牲層移除后，剩余的結構空隙，包括納米片間的微小縫隙，必須被高性能的電介質材料和新型金屬柵極材料所填充。目前，鈷、釕、鉬、鎳以及多種合金作為柵極材料的可能性正在評估中。在輔助技術方面，EUV 極紫外光刻技術的成熟程度也是推動 GAA 市

23、場應用的關鍵因素，如提升光刻功率和解決光子噪音問題。光刻技術的精進將直接影響晶體管制造的精確度和產量，對于實現更小節點的 GAA 而言尤其關鍵。臺積電決定在其 3nm 技術節點上繼續使用 FinFET 而非過渡到 GAA，我們認為這一選擇是出于其在技術成熟度、產業鏈穩定性和客戶需求方面的權衡考慮。首先，臺積電加入 GAA技術競賽的時間線相對于三星稍晚，因此在 3nm 節點上堅持使用 FinFET 可以確保為客戶提供成熟、可靠的技術解決方案。這樣做能最小化過渡風險，確?？蛻粼谵D向 3nm 設計時的連續性和穩定性。其次，臺積電采用 FinFET 的決定也是為了保護客戶的現有投資?？蛻舨恍枰獮榱诉m應

24、新的晶體管結構而對現有設計進行大幅修改，這有助于縮短產品上市時間，并降低研發成本。臺積電均計劃在 2nm 轉移到 GAA，英特爾預計在 20A 制程中使用 GAA。臺積電計劃在其2nm 芯片上放棄 FinFET 晶體管，轉而采用 GAA 設計，且在 2023 年 10 月 19 日的法人說明會上稱計劃在 2025 年開始量產 2nm 芯片。英特爾也不甘落后，在 2021 年的“英特爾加速創新：制程技術和封裝技術線上發表會”上，公司表示在 Intel 20A 制程上，將導入采用 GAA 技術的 RibbonFET 晶體管架構，該制程有望在 24H1 開始量產。Q2：如何解決如何解決半導體先進制造

25、過程中半導體先進制造過程中的的環保環保問題問題?Pat Gelsinger 回答：“數十年來，英特爾一直是半導體行業在環保方面的引領者。公司的三位創始人對氣候和環境等議題的關注使得環保精神從英特爾成立就融入了公司文化。這三位公司和硅產業的奠基人分別是戈登摩爾（Gordon Moore）、羅伯特諾伊斯（Robert Noyce）和安迪格魯夫（Andy Grove）。我們制造設施中約有 90%使用的是綠色能源。我們將在 2040 年實現凈零排放。然而，這不僅涉及能源和綠色能源，還包括水資源的問題。例如，我們在亞利桑那州的 Fab 位于沙漠中心，我們的水回收利用率約為 92%。如果將其與所有水回收利

26、用措施結合起來，我們的水回收利用率將超過 100%。此外，我們重視處理氯化物和其他有害物質，以及如何從制造過程中有效去除這些物質?！泵庳熉暶骱团兑约胺治鰩熉暶魇菆蟾娴囊徊糠?，請務必一起閱讀。8 電子電子 圖表圖表9：英特爾已于英特爾已于 2021 年在三個國家的工廠實現超過年在三個國家的工廠實現超過 100%的水回收利用率的水回收利用率 資料來源：英特爾官網，華泰研究 圖表圖表10：英特爾實現水回收利用的方式英特爾實現水回收利用的方式 資料來源：英特爾官網，華泰研究 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。9 電子電子 Q3：如何看待半導體行業創新能力和制造規模的關系？如

27、何看待半導體行業創新能力和制造規模的關系？Pat Gelsinger 回答：“有多少人相信我們將迎來一個更加數字化的未來呢？當思考數字化未來時，在哪里建立數字化未來的問題。1990 年，80%的半導體在美國和歐洲制造，而如今80%的半導體在亞洲制造。我們需要的是遍布全球的平衡而有彈性的供應鏈，這也是我們通過芯片法案要實現的目標。未來50年，技術供應鏈對我們的數字化未來比石油更為重要。我們的數字化未來依賴于半導體，而半導體是一種規?；a的制造業。工程和創新永遠在探索。晶圓廠是需要持續學習不斷精進，每一批次晶圓的遙測讀數等都是在學習缺陷密度、新材料理解、新缺陷模型、新設備效率方面的經驗。如果我們

28、要成為數字化未來的引領者，我們就必須成為規?；圃焐?。在我成為首席執行官之前，英特爾向股東分紅了 700 億美元，資本支出 500 億美元。我為公司制定的五年計劃是資本支出 1,500 億美元，且分紅給股東 200 億美元。我們通過這些項目正在重振先進制造業，使其在數字化未來的核心技術領域處于領先地位?！眻D表圖表11：英特爾工廠的全球布局英特爾工廠的全球布局 資料來源：英特爾官網，華泰研究 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。10 電子電子 Q4：英特爾在開發人工智能硬件方面做了哪些工作？英特爾在開發人工智能硬件方面做了哪些工作？Pat Gelsinger 回答：“在

29、13 年前離開公司時，英特爾中斷了本可以改變人工智能形態的Larrabee 項目，旨在 x86 架構中進行高吞吐量計算。而英偉達在人工智能硬件的研發上獲得了英偉達全體的支持。我們的戰略首先是使人工智能民主化。我們希望讓每個應用開發者都能使用人工智能，而不僅是那些擁有大量數據集和高性能計算能力的公司。我們的下一代客戶端處理器將使標準的 PC 中的 NPU 擁有 20 TOPS 算力，比 15 年前的高端超級計算機還要多。為此，我們正在推動一項名為 SYCL 的技術，它是一種開放的標準并行 C+語言，以取代像 CUDA 這樣的專有技術。我們希望在高性能培訓領域展開競爭，并將其內置到我們的標準至強處

30、理器中，從而真正使人工智能適用于所有人。我曾幫助創建 IEEE，這是 64 位和 80 位浮點標準?，F在大家都在用 FP 8，這是一種小型數據類型，適合創建一些小型的概率猜測，而不是大矢量。人工智能對于大多數事情來說，只是一種概率猜測，因此其變化迅速，稀疏矩陣和不同的算法模型都在迅速取得突破?？傮w而言，我們至少有十年甚至二十年的時間進行純粹的創新，這需要大量的數據、強大的網絡和龐大的計算能力?！眻D表圖表12：英特爾通過自研英特爾通過自研 SYCLomatic Tool 能將能將 90%-95%的的 CUDA 代碼自動遷移到代碼自動遷移到 SYCL 代碼中代碼中 資料來源：英特爾官網，華泰研究

31、英特爾特爾推進 AI 產品布局是 oneAPI，于 2019 年底開始測試，2020 年 9 月推出了 1.0正式版，比 CUDA 晚了 13 年。對此，英特爾也承認 oneAPI 推出較晚，但同時也認為目前只是 AI 的起步點。對比英偉達 CUDA 于 2007 年發布，通過先發優勢和長期耕耘，生態圈已較為成熟，為英偉達 GPU 開發、優化和部署多種行業應用提供了獨特的護城河。全球CUDA 開發者 2020 年達 200 萬，2023 年已達 400 萬。oneAPI 不直接與不直接與 GPU 通用運算通用運算生態圈的領軍生態圈的領軍 CUDA 競爭，而是橫跨競爭，而是橫跨 CPU、GPU、

32、FPGA、NPU 等多種硬件，以及等多種硬件，以及 CUDA、ROCm 等不同軟件平臺，試圖建立統一的生態圈，但這種兼容所有軟件和硬件的思路，落等不同軟件平臺，試圖建立統一的生態圈，但這種兼容所有軟件和硬件的思路，落地效果如何，能否突出地效果如何，能否突出 CUDA 重圍，目前看還需進一步判斷。重圍，目前看還需進一步判斷。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。11 電子電子 圖表圖表13：英特爾推出的英特爾推出的 oneAPI 架構示意圖架構示意圖 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Q5：人工智能的人工智能的未來未來發展是構建發展是構建更大更大模型模型或其他路徑或其他路徑？

33、此外，如何看待？此外，如何看待軟、軟、硬硬件在件在此此過程中的作用？過程中的作用？Pat Gelsinger 回答：“是的，當前存在著大量需要完成的工作。如何將通過訓練生成的龐大模型壓縮成適用于服務器甚至個人臺式機單個節點的形式，以及如何實現這一壓縮過程，我認為這將繼續推動人工智能民主化的理念。我們不能讓超高端高性能計算機成為模型訓練的唯一途徑，必須實現成本的降低。在人工智能算法領域，我們也正在進行創新。采用更稀疏的表示方法來獲得更大的內存空間。如果將計算視為張量計算與吞吐量計算的領域，那么當我們獲得更稀疏的矩陣時，這兩個領域將更加密切地結合在一起。目前尚不清楚在未來幾年內，在人工智能領域占主

34、導地位的算法是否會在創新中被取代。因此，如果有人告訴我能預測人工智能的下一個重大突破是什么，我會感到懷疑。我們用啟發式理解多種被證明有效的算法，將不同組合的算法對特定數據進行訓練和處理，并從中獲得海量信息。我預計未來十年仍將如此。確保這些模型的安全性成為一個關鍵問題。當你投入數十億計算小時來打磨一個模型時，你面臨著一個抉擇，是將其公之于眾，還是進行嚴格保護？此外，模型的分布式再訓練方法也是一個充滿挑戰的領域，因為你可能期望醫療數據不會在模型中暴露，并需要考慮與之相關的偏差問題。對于競爭模型，如何確保模型本身首次訓練時不受帶有偏見的數據影響，同樣值得思考?！庇⑻貭栆灿?2024 年 1 月 4

35、日在 DigitalBridge Group 等投資者支持下圍繞其 AI 軟件業務成立新的獨立軟件公司，新公司名為 Articul8AI，作為英特爾于波士頓咨詢（BCG）合作開發AI 技術的衍生成果。英特爾開發的多模態生成式 AI 系統，運用 BCG 自身數據進行訓練，使用英特爾超級計算機在 BCG 的數據中心運行，以解決隱私和安全方面的擔憂，并以成本可持續的方式進行運營。在加速器內部邏輯設計方面，在加速器內部邏輯設計方面，我們認為我們認為未來可能會更加激進地推進低精度量化計算和稀疏未來可能會更加激進地推進低精度量化計算和稀疏計算。計算。當前的學術研究顯示，如果能將量化推進到例如 4 位，將顯

36、著減小相關計算單元所需的芯片面積，同時降低模型在內存中的空間需求。這一進展將有望提高計算性能和效率，同時減小硬件的占用，為移動端 AI 的更優設計創造可能性。高通產品管理高級副總裁 Ziad Asghar 在 Meet 2023 智能未來大會上表示，若將 FP32 浮點模型轉換為 INT4 模型，能效將提升 64 倍。若將 INT8 浮點模型轉換為 INT4 模型，能實現 60%的能效提升和 90%的 AI推理速度提升。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。12 電子電子 大模型壓縮大模型壓縮技術技術為為模型輕量化和模型輕量化和端側運行提供基礎。端側運行提供基礎。模型壓縮

37、是將深度學習模型的參數量和計算量減少的技術，目的是在節省資源的基礎上提高模型的運行效率，同時盡量保持模型的性能和準確性。模型壓縮的方法主要包括：1）知識蒸餾（Knowledge Distillation），讓小模型去擬合大模型的輸出技術，從而使得大小模型獲得相似的函數映射；2）剪枝（Pruning），在訓練或微調模型中通過刪去非重要參數或通道來減少模型的大小和復雜度；3）量化（Quantization），將模型參數的激活值從高精度（如 FP32）轉換為低精度（如 FP8、INT4），從而減少模型的存儲空間，提高模型的推理速度；4）輕量化結構（Low-Rank Factorization），通過

38、矩陣和張量分解來識別深度神經網絡的冗余參數。當需要減小模型大小時，低秩分解技術通過將大矩陣分解為較小的矩陣來提供幫助。圖表圖表14：知識蒸餾（知識蒸餾（Knowledge Distillation）原理圖示）原理圖示 圖表圖表15：剪枝（剪枝（Pruning）原理圖示）原理圖示 資料來源：Medium，華泰研究 資料來源：Embedded Computing Design，華泰研究 圖表圖表16：英特爾通過開發英特爾通過開發 34 個開源個開源 AI Reference Kits 在軟件層面助力在軟件層面助力 AI 部署部署 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Q6：英特爾如何看待英特爾如何看待與

39、與谷歌、微軟等科技公司的關系？谷歌、微軟等科技公司的關系？Pat Gelsinger 回答：“在多個層面上，谷歌、亞馬遜、微軟、阿里巴巴都是英特爾最重要的客戶。盡管其中的大多數公司都在某些領域與我們存在競爭關系。具體來講，雖然谷歌擁有設計 TPU 的能力，而英特爾也具備設計和工程實力來推出類似的產品，但我們仍然希望谷歌選擇使用英特爾的代工廠和晶圓。因此，在許多情況下，很難明確誰是競爭對手，誰是合作伙伴，畢竟這個領域的覆蓋面廣。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。13 電子電子 科技行業的行業特點使得科技公司在開放的環境中蓬勃發展，堅信開放標準能推動創新。在這個層面上，我

40、們深刻認識到這一點，但科技創新也因合作而繁榮興旺?！眻D表圖表17：英特爾在多個層面與云巨頭有合作英特爾在多個層面與云巨頭有合作 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Q7：如何進行如何進行技能技能再培訓再培訓，以確保團隊為未來的轉型做好準備？以確保團隊為未來的轉型做好準備？Pat Gelsinger 回答：“對于技能再培訓和勞動力發展，我們面臨一些挑戰。然而，我們堅定不移地招募新的大學畢業生，因為這些年輕人能帶來嶄新的思維，不受過去的局限。隨著年齡的增長，人們可能會逐漸產生對創新的限制性觀念。因此，保持創新的源泉至關重要，而這源泉往往由新一代技術推動，例如人工智能的崛起。為了應對這一挑戰，我們需要不

41、斷引入杰出的新鮮血液，并快速將他們融入工作環境，通過實踐培養他們的技能。與此同時，我們持續投資勞動力發展，以滿足公司內部和未來的需求。每位首席執行官都會經歷起伏。為了實現這一目標，我們不僅進行了巨額的資本投資，還宣布了一項總額 1億美元的計劃，其中 5000 萬美元來自英特爾，5000 萬美元來自國家科學基金會，專門用于我們正在興建的制造基地的勞動力發展。英特爾實驗室積極參與研究論文、開源項目、研究項目的資助，而 MIT 是我們重點資助的大學?！眻D表圖表18：英特爾于俄亥俄州的投資英特爾于俄亥俄州的投資 200 億美元的億美元的 Fab 廠，計劃于廠，計劃于 2025 年底投產年底投產 資料來

42、源：英特爾官網，華泰研究預測 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。14 電子電子 Q8：展望五年后需要的工作人員與之前的一代相比有何獨特之處？展望五年后需要的工作人員與之前的一代相比有何獨特之處？Pat Gelsinger 回答：“未來的工作人員用 AI 工具的技能將和我曾使用電子表格般普遍。這將成為他們工作的標配工具。在英特爾工廠中，以每周生產 1000 塊晶圓所需的人工工時為比較基準，英特爾仍有自動化和效率水平的提升空間。因此，英特爾需要多種人才助力英特爾打造最高效、自動化水平最高的工廠。根據英特爾官網顯示，公司旗下開發工業 4.0 智能制造解決方案和工廠自動化 A

43、FS 解決方案（Automated Factory Solutions）。其中工業 4.0 的技術特點包括運用信息技術（IT）和運營技術（OT）集成工廠數據，借由邊緣計算和 AI 捕捉和處理邊緣設備數據，利用機器視覺檢測工藝缺陷能，提升自動化程度，從而改善運營質量，減少停機時間。而工廠自動化解決方案已服務于全球 29 家英特爾工廠，通過數字孿生系統優化物料自動搬運系統、快速識別運維點等提升工廠運營效率。例如大連“非易失性存儲器”制造工廠采用工業 4.0 解決方案，在設計中將存儲部分放到天花板上，利用機器人在車間頂部進行有序生產。整個車間內僅需幾名工作人員在座位上對機器人生產過程進行遠程監控，基

44、本上實現自動化操作?！眻D表圖表19：英特爾部分工業英特爾部分工業 4.0 智能制造解決方案智能制造解決方案 資料來源：英特爾官網，華泰研究 圖表圖表20：英特爾提出工廠自動化解決方案以提高人均生產力和減少單位生產時間英特爾提出工廠自動化解決方案以提高人均生產力和減少單位生產時間 資料來源：英特爾官網，華泰研究 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。15 電子電子 圖表圖表21：英特爾工廠自動化解決方案通過數字孿生提升運營效率英特爾工廠自動化解決方案通過數字孿生提升運營效率 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Q9：如何看待學術界研究與工業界商業化落地之間的差距？如何看待學術界

45、研究與工業界商業化落地之間的差距？Pat Gelsinger 回答：“在 CHIPS 法案中，讓我振奮的一點是 NSTC（National Semiconductor Technology Center），即國家半導體技術中心，相關的還有我稱之為“Security Facility Sidecar”。晶圓廠的成本實際上高達 200-300 億美元。與之相比，MIT 納米中心的整體預算為 6000 萬美元的設備，每年運行費用 1000 萬美元。建造一個先進的現代晶圓廠需要 200億美元，我們至少需要十二臺 2.5 億美元的光刻設備。通過 Sidecar 項目能滿足研究人員對于先進制程工藝技術的探

46、索需求。那么我們如何彌合這兩個世界之間的差距呢？我將其稱為“Sidecar”，即副駕駛艙。我希望借助英特爾正在建設的“超級高速公路”，創造一個研究副駕駛艙和一個安全副駕駛艙，以滿足國防、情報等領域的所有獨特需求。因此，我們既需要滿足需求的特殊安全設施，還需要創造適用于研究創新的環境。那么，我們應該如何創造適宜的環境，并在 NSTC 的支持下形成中途站呢？這個中途站將成為商業投資和我們共同進行的基礎創新研究工作的關鍵組成部分。我們啟動了 University Shuttle Program（大學穿梭計劃），允許科研人員在 Intel 16 工藝的基礎上進行設計。我急切希望未來將其提升到 Inte

47、l 3。2021 年我們運行了大約60 次項目，而在 2022 年我們運行了大約 400 次項目，我的目標是每年增長一個數量級，以便更多的大學和研究者能使用現代技術節點，用于他們的研究、設計以及技能培訓。這是我希望實現的愿景，而 CHIPS 法案是構建副駕駛艙和擴大穿梭計劃的關鍵組成部分?！眻D表圖表22：美國美國 CHIPS Act 將在未來五年投資將在未來五年投資 500 億美元，包括億美元，包括 110 億美元的半導體研發和億美元的半導體研發和 390 億美元的制造億美元的制造 資料來源：美國商務部，麥肯錫，華泰研究 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。16 電子電

48、子 圖表圖表23：英特爾對學術界開放其芯片工廠的代工資源英特爾對學術界開放其芯片工廠的代工資源 資料來源：英特爾，華泰研究預測 圖表圖表24：英特爾的大學穿梭計劃提供英特爾的大學穿梭計劃提供 Intel 16 工藝上使用工藝上使用 FINFET 技術設計數字、模擬、射頻芯片技術設計數字、模擬、射頻芯片 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Q10：除了硅以外，還有哪些材料能被使用在半導體先進制程中？除了硅以外，還有哪些材料能被使用在半導體先進制程中？Pat Gelsinger 回答：“硅就像上天賜予人類的寶貴禮物一樣，擁有堅固的四價結構、極高的穩定性和制造便捷性。硅本質上是我們構建微電子學的基石。硅

49、的獨特之處在于，我們能將各種原子和分子注入其中，展現了驚人的多功能性。當我們觀察今天的硅芯片時，實際上其中所含的硅有限。晶體管常采用高介電常數的金屬柵以及其他不同的材料。我曾說過，我們在探索元素周期表的道路上未竭之前，我們的工作并未完成。我們將不斷尋找添加新材料、利用上帝所賦予我們的這個基石的方法，持續在其表面和內部引入更多元素，以實現性能提升。當前，關于鐵電材料（Ferro-electronics）的研究活躍。我們致力于將其層疊在硅表面，因為如果能在硅的表面成功應用，我們就可以應用在自己的大規模工廠、各種設備（如刻蝕機、沉積機、光刻機等）。因此幾乎任何材料都有可能。我們渴望不斷開啟元素周期表

50、的創新之門，發現新分子，進一步加強我們對硅這一材料的利用。正如我們在量子點計劃中所做的那樣，我們與其他采用超冷效應或激光等方法的計劃不同，而是選擇在硅上進行實驗。我相信，通過這種方法，我們將成功贏得生產第一臺實用量子計算機的競爭。也許你持有不同的觀點，喜歡其他技術，那也沒關系，競爭會繼續進行。我堅信到 2030 年左右，我們將推出可持續的量子計算，以及在實際算法上實現量子優勢。談到人工智能與高性能計算的交匯，下一代超級計算機將以量子計算為基礎，我估計在 2030 年左右將實現這一目標?！泵庳熉暶骱团兑约胺治鰩熉暶魇菆蟾娴囊徊糠?，請務必一起閱讀。17 電子電子 圖表圖表25：英特爾的量子研究涵

51、蓋整個計算堆棧，從量子比特設備到整體硬件、軟件和應用英特爾的量子研究涵蓋整個計算堆棧，從量子比特設備到整體硬件、軟件和應用 資料來源：英特爾官網，華泰研究 英特爾自 2015 年起在量子計算機領域投入資源研究，目標是在 2025 年前實現 1000 個量子比特的可通用量子計算系統，以及在 2030 年實現擁有一百萬個量子比特的計算機?，F在的量子系統只包括數十或數百個糾纏的量子比特，這限制了它們解決現實世界的問題。為了實現量子實用性，商業量子系統需要擴展到超過一百萬個量子比特，并克服量子比特脆弱性和軟件可編程性等艱巨挑戰。英特爾于 2015 年投資 5000 萬美元給荷蘭量子研究機構 QuTec

52、h，2018 年發布 49 個量子比特的量子芯片 Tangle Lake，在 2020 年發布量子芯片 Horse Ridge II 實現操控和讀取量子比特狀態。2023 年英特爾發布硅渦旋量子芯片 Tunnel Falls，其在 12 寸硅晶圓上生產，利用了 EUV 光刻，晶圓良率達到 95%。相較超導量子比特芯片對極低溫要求更低，有望顯著降低量子計算系統復雜性。在硅自旋量子比特中，信息的編碼（0/1）是通過單個電子的自旋狀態（上/下）實現的。硅自旋量子比特本質上可視為單電子晶體管，因此英特爾能采用與標準CMOS生產線相似的工藝流程進行制造。英特爾致力于提升Tunnel Falls的性能，將

53、其與英特爾量子軟件開發工具包（SDK）緊密集成，融入英特爾的量子計算堆棧中。圖表圖表26：英特爾的量子比特設備英特爾的量子比特設備 圖表圖表27：英特爾完全加工的英特爾完全加工的 12 寸硅自旋量子比特晶圓寸硅自旋量子比特晶圓 資料來源：英特爾官網，華泰研究 資料來源：英特爾官網，華泰研究 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。18 電子電子 圖表圖表28：英特爾推出量子物理的軟件開發包英特爾推出量子物理的軟件開發包 SDK 圖表圖表29：英特爾量子英特爾量子 SDK 應用于流體力學、天體物理、材料設計應用于流體力學、天體物理、材料設計 資料來源：英特爾官網，華泰研究 資

54、料來源：英特爾官網，華泰研究 Q11（臺下提問）（臺下提問）：是否能是否能對初創公司的代工廠選擇上對初創公司的代工廠選擇上提供一些建議？提供一些建議？Pat Gelsinger 回答：“英特爾對風險投資項目的熱情體現在對穿梭計劃的支持上。該計劃提供一個直接通向工廠啟動的路徑。只需要通過兩步審核，就能將我們作為啟動計劃的代工工廠，成為我們的大規模早期用戶。作為一家早期的 Fab 提供商，在 EDA（電子設計自動化）和 IP（知識產權）生態系統方面仍有進步的空間。但我們將在未來幾年內共同努力構建并完善生態系統?！眻D表圖表30：英特爾在英特爾在 FPGT 領域擁有的領域擁有的 IP 生態系統生態系統

55、 資料來源：英特爾官網，華泰研究 Q12（臺下提問）（臺下提問）：生物材料在行業和未來的制造業中發揮作用嗎？生物材料在行業和未來的制造業中發揮作用嗎？Pat Gelsinger 回答：“隨著時間的推移，涌現了許多關于不同計算結構和多種內存結構的創新想法，然而重要的很少。盡管人們討論了多種途徑，但最終業界只獲得了三至四種存儲器類型和幾種晶體管類型，它們在市場上占據主導地位。硅作為核心材料的位置重要，CMOS 和 NP 器件的基本原理在數字晶體管領域的影響持續。硅已經被證明在這方面具有高度可擴展性，而生物計算機展示的優勢較少。從我之前的評論可以看出，量子計算屬于一個完全不同的領域，其超越了數字計算

56、，帶來的效果與我們熟悉的數字計算有著根本的不同。這個領域的潛力是令人興奮的。我們同時也在探索神經形態計算等領域，這是我們另一個研究的方向。即便如此，我們始終努力在硅基礎設施上進行實驗，以確保我們能隨著時間的推移有效地擴展這些技術?！泵庳熉暶骱团兑约胺治鰩熉暶魇菆蟾娴囊徊糠?，請務必一起閱讀。19 電子電子 Q13（臺下提問）（臺下提問）：SEMATECH 的概念正確嗎的概念正確嗎 Pat Gelsinger 回答：“我認為 SEMATECH（美國半導體制造技術戰略聯盟，Semiconductor Manufacturing Technology）催化和復蘇了美國的半導體產業，即使特定的研究和合

57、作模式并沒有像預期般有效地商業化。因此，當我們思考國家半導體技術中心（NSTC）時，我認為 SEMATECH 的經驗需要在我們塑造產業下一個結構化時引起大家思考?！?SEMATECH 成立于 1987 年，于 1988 年開始運營，其宗旨是加速美國半導體產業的技術創新向制造方案的商業化轉化業。其使命有二：其一，提高半導體技術的研究數量；其二，為聯盟內的成員企業提供研發資源，使其能分享成果、減少重復研究造成的浪費。各大公司的技術精英在聯盟中能充分地交流，獲取最新信息，和解決問題，極大地加快了創新速度。技術人員在聯盟中工作 6 至 30 個月不等，當特定項目結束后，就會回到自己的公司，并把新方法、

58、新思路、新信息反饋給各成員公司，由此實現技術的快速擴散。圖表圖表31：SEMATECH 的發展歷史的發展歷史 圖表圖表32：SEMATECH 的成員的成員 資料來源：光刻人筆記，華泰研究 資料來源：光刻人筆記，華泰研究 Q14（臺下提問）（臺下提問）：如何重新激發風險投資機構對半導體的投資熱情如何重新激發風險投資機構對半導體的投資熱情？Pat Gelsinger 回答：“過去的 8 年中，半導體領域的風險投資似乎出現了某種程度的復蘇，雖然半導體整體的投資活躍度尚未達到其他領域的水平。相關投資活動主要表現在網絡組件以及新興的人工智能芯片、射頻傳感器等。風險投資機構通常是對事物做出回應而引領變革。

59、我認為如果 NSTC 開始創新，風投機構將會做出積極回應。因此，CHIPS Act、NSTC、ITC 視為觸發一系列其他創新的基石。當我與 ASML（光刻 EUV 設備制造商）負責人會面時，他們提到 ASML 的下一個研發地點將設在俄亥俄州。從 CHIPS Act 啟動以來，美國宣布了五個重要的制造設施，其中包括三星、TSMC 和美光，而英特爾也宣布了兩個。盡管這并不能徹底改變世界格局，但在過去的十年中，美國制造業公布的投資計劃數量超過了前十年。我們的目標猶如登月計劃，即在未來十年內將美國占全球先進芯片制造的比例從 20%提高到 40%，這將是里程碑式的成就?！泵庳熉暶骱团兑约胺治鰩熉暶魇菆?/p>

60、告的一部分，請務必一起閱讀。20 電子電子 圖表圖表33：CHIPS Act 將在未來將在未來 5 年指導年指導 2800 億美元的使用，其中億美元的使用，其中 2000 億美元將用億美元將用于研發和商業化于研發和商業化 資料來源：麥肯錫，華泰研究 圖表圖表34：文中提及股票代碼文中提及股票代碼 公司名稱公司名稱 股票代碼股票代碼 英特爾 INTC US 高通 QCOM US ASML ASML US 三星電子 SSNLF US 臺積電 2330 TW 美光 MU US 谷歌 GOOG US 亞馬遜 AMZN US 微軟 MSFT US 阿里巴巴 BABA US 數字資產管理公司 DRBG.U

61、S 資料來源：WIND，華泰研究 風險風險提示提示 消費電子市場復蘇不及預期。消費電子市場復蘇不及預期。宏觀經濟恢復不及預期，可能會對下游客戶的預算、支付意愿產生負面影響，尤其是對于高端和創新型的消費電子產品。工廠制造良率爬坡不及預期。工廠制造良率爬坡不及預期。俄亥俄新建工廠在產品的合格品率或生產效率的提升速度低于事先設定或期望的水平，包括技術難題、材料供應、設備故障、操作人員技能不足等。AI PC 的滲透率不及預期。的滲透率不及預期。AI 芯片設計和制造面臨較高難度，需平衡算力、功耗、成本、兼容性等多重要求，因而可能導致一些芯片未能完全滿足客戶需求。此外，端側 AI 芯片在生態建設和應用開發

62、方面相對滯后，需要與多種 AI 框架和工具進行適配和優化，這可能導致一些芯片功能不完善或使用上存在一定難度。管理層的樂觀預期和實際發展不相符。管理層的樂觀預期和實際發展不相符。管理層在接受訪談的時候可能采取較樂觀的態度描述行業和公司的前景，未來發展可能不及管理層預期。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。21 電子電子 免責免責聲明聲明 分析師聲明分析師聲明 本人，何翩翩，茲證明本報告所表達的觀點準確地反映了分析師對標的證券或發行人的個人意見；彼以往、現在或未來并無就其研究報告所提供的具體建議或所表迖的意見直接或間接收取任何報酬。一般聲明及披露一般聲明及披露 本報告由華泰

63、證券股份有限公司（已具備中國證監會批準的證券投資咨詢業務資格，以下簡稱“本公司”）制作。本報告所載資料是僅供接收人的嚴格保密資料。本報告僅供本公司及其客戶和其關聯機構使用。本公司不因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告基于本公司認為可靠的、已公開的信息編制，但本公司及其關聯機構(以下統稱為“華泰”)對該等信息的準確性及完整性不作任何保證。本報告所載的意見、評估及預測僅反映報告發布當日的觀點和判斷。在不同時期，華泰可能會發出與本報告所載意見、評估及預測不一致的研究報告。同時，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資收入可能會波動。以往表現并不能指引未來，未來回報并不能得到保證，并存在損失本金

64、的可能。華泰不保證本報告所含信息保持在最新狀態。華泰對本報告所含信息可在不發出通知的情形下做出修改，投資者應當自行關注相應的更新或修改。本公司不是 FINRA 的注冊會員，其研究分析師亦沒有注冊為 FINRA 的研究分析師/不具有 FINRA 分析師的注冊資格。華泰力求報告內容客觀、公正，但本報告所載的觀點、結論和建議僅供參考，不構成購買或出售所述證券的要約或招攬。該等觀點、建議并未考慮到個別投資者的具體投資目的、財務狀況以及特定需求，在任何時候均不構成對客戶私人投資建議。投資者應當充分考慮自身特定狀況，并完整理解和使用本報告內容，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。對依據或者使用本報告所造

65、成的一切后果，華泰及作者均不承擔任何法律責任。任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。除非另行說明，本報告中所引用的關于業績的數據代表過往表現，過往的業績表現不應作為日后回報的預示。華泰不承諾也不保證任何預示的回報會得以實現，分析中所做的預測可能是基于相應的假設，任何假設的變化可能會顯著影響所預測的回報。華泰及作者在自身所知情的范圍內，與本報告所指的證券或投資標的不存在法律禁止的利害關系。在法律許可的情況下，華泰可能會持有報告中提到的公司所發行的證券頭寸并進行交易，為該公司提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等相關服務或向該公司招攬業務。華泰的銷售人員、交易人員或

66、其他專業人士可能會依據不同假設和標準、采用不同的分析方法而口頭或書面發表與本報告意見及建議不一致的市場評論和/或交易觀點。華泰沒有將此意見及建議向報告所有接收者進行更新的義務。華泰的資產管理部門、自營部門以及其他投資業務部門可能獨立做出與本報告中的意見或建議不一致的投資決策。投資者應當考慮到華泰及/或其相關人員可能存在影響本報告觀點客觀性的潛在利益沖突。投資者請勿將本報告視為投資或其他決定的唯一信賴依據。有關該方面的具體披露請參照本報告尾部。本報告并非意圖發送、發布給在當地法律或監管規則下不允許向其發送、發布的機構或人員，也并非意圖發送、發布給因可得到、使用本報告的行為而使華泰違反或受制于當地

67、法律或監管規則的機構或人員。本報告版權僅為本公司所有。未經本公司書面許可，任何機構或個人不得以翻版、復制、發表、引用或再次分發他人(無論整份或部分)等任何形式侵犯本公司版權。如征得本公司同意進行引用、刊發的，需在允許的范圍內使用，并需在使用前獲取獨立的法律意見，以確定該引用、刊發符合當地適用法規的要求，同時注明出處為“華泰證券研究所”，且不得對本報告進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。本公司保留追究相關責任的權利。所有本報告中使用的商標、服務標記及標記均為本公司的商標、服務標記及標記。中國香港中國香港 本報告由華泰證券股份有限公司制作,在香港由華泰金融控股（香港）有限公司向符合證券及期貨條例及

68、其附屬法律規定的機構投資者和專業投資者的客戶進行分發。華泰金融控股（香港）有限公司受香港證券及期貨事務監察委員會監管，是華泰國際金融控股有限公司的全資子公司，后者為華泰證券股份有限公司的全資子公司。在香港獲得本報告的人員若有任何有關本報告的問題,請與華泰金融控股（香港）有限公司聯系。免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。22 電子電子 香港香港-重要監管披露重要監管披露 華泰金融控股（香港）有限公司的雇員或其關聯人士沒有擔任本報告中提及的公司或發行人的高級人員。有關重要的披露信息，請參華泰金融控股（香港）有限公司的網頁 https:/.hk/stock_disclosur

69、e 其他信息請參見下方“美國“美國-重要監管披露”重要監管披露”。美國美國 在美國本報告由華泰證券（美國）有限公司向符合美國監管規定的機構投資者進行發表與分發。華泰證券（美國）有限公司是美國注冊經紀商和美國金融業監管局（FINRA）的注冊會員。對于其在美國分發的研究報告，華泰證券（美國）有限公司根據1934 年證券交易法（修訂版）第 15a-6 條規定以及美國證券交易委員會人員解釋，對本研究報告內容負責。華泰證券（美國）有限公司聯營公司的分析師不具有美國金融監管（FINRA）分析師的注冊資格，可能不屬于華泰證券（美國）有限公司的關聯人員，因此可能不受 FINRA 關于分析師與標的公司溝通、公開

70、露面和所持交易證券的限制。華泰證券（美國）有限公司是華泰國際金融控股有限公司的全資子公司，后者為華泰證券股份有限公司的全資子公司。任何直接從華泰證券（美國）有限公司收到此報告并希望就本報告所述任何證券進行交易的人士，應通過華泰證券（美國）有限公司進行交易。美國美國-重要監管披露重要監管披露 分析師何翩翩本人及相關人士并不擔任本報告所提及的標的證券或發行人的高級人員、董事或顧問。分析師及相關人士與本報告所提及的標的證券或發行人并無任何相關財務利益。本披露中所提及的“相關人士”包括 FINRA 定義下分析師的家庭成員。分析師根據華泰證券的整體收入和盈利能力獲得薪酬，包括源自公司投資銀行業務的收入。

71、華泰證券股份有限公司、其子公司和/或其聯營公司,及/或不時會以自身或代理形式向客戶出售及購買華泰證券研究所覆蓋公司的證券/衍生工具，包括股票及債券（包括衍生品）華泰證券研究所覆蓋公司的證券/衍生工具，包括股票及債券（包括衍生品）。華泰證券股份有限公司、其子公司和/或其聯營公司,及/或其高級管理層、董事和雇員可能會持有本報告中所提到的任何證券（或任何相關投資）頭寸，并可能不時進行增持或減持該證券（或投資）。因此，投資者應該意識到可能存在利益沖突。評級說明評級說明 投資評級基于分析師對報告發布日后 6 至 12 個月內行業或公司回報潛力（含此期間的股息回報）相對基準表現的預期（A 股市場基準為滬深

72、 300 指數，香港市場基準為恒生指數，美國市場基準為標普 500 指數），具體如下：行業評級行業評級 增持：增持：預計行業股票指數超越基準 中性：中性：預計行業股票指數基本與基準持平 減持：減持：預計行業股票指數明顯弱于基準 公司評級公司評級 買入：買入：預計股價超越基準 15%以上 增持：增持：預計股價超越基準 5%15%持有：持有：預計股價相對基準波動在-15%5%之間 賣出：賣出：預計股價弱于基準 15%以上 暫停評級：暫停評級：已暫停評級、目標價及預測，以遵守適用法規及/或公司政策 無評級：無評級：股票不在常規研究覆蓋范圍內。投資者不應期待華泰提供該等證券及/或公司相關的持續或補充信

73、息 免責聲明和披露以及分析師聲明是報告的一部分，請務必一起閱讀。23 電子電子 法律實體法律實體披露披露 中國中國：華泰證券股份有限公司具有中國證監會核準的“證券投資咨詢”業務資格，經營許可證編號為：91320000704041011J 香港香港：華泰金融控股（香港）有限公司具有香港證監會核準的“就證券提供意見”業務資格，經營許可證編號為：AOK809 美國美國：華泰證券（美國）有限公司為美國金融業監管局（FINRA）成員，具有在美國開展經紀交易商業務的資格，經營業務許可編號為：CRD#:298809/SEC#:8-70231 華泰證券股份有限公司華泰證券股份有限公司 南京南京 北京北京 南京

74、市建鄴區江東中路228號華泰證券廣場1號樓/郵政編碼：210019 北京市西城區太平橋大街豐盛胡同28號太平洋保險大廈A座18層/郵政編碼：100032 電話：86 25 83389999/傳真：86 25 83387521 電話：86 10 63211166/傳真：86 10 63211275 電子郵件：ht- 電子郵件：ht- 深圳深圳 上海上海 深圳市福田區益田路5999號基金大廈10樓/郵政編碼：518017 上海市浦東新區東方路18號保利廣場E棟23樓/郵政編碼：200120 電話：86 755 82493932/傳真：86 755 82492062 電話：86 21 28972098/傳真：86 21 28972068 電子郵件：ht- 電子郵件：ht- 華泰金融控股（香港）有限公司華泰金融控股（香港）有限公司 香港中環皇后大道中 99 號中環中心 58 樓 5808-12 室 電話：+852-3658-6000/傳真：+852-2169-0770 電子郵件： http:/.hk 華泰證券華泰證券（美國美國）有限公司有限公司 美國紐約公園大道 280 號 21 樓東（紐約 10017）電話：+212-763-8160/傳真：+917-725-9702 電子郵件:Huataihtsc- http:/www.htsc- 版權所有2024年華證券股份有限公司