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1、通信通信 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 1/58 通信通信 2024年 05月 31日 投資評級：投資評級：看好看好（維持維持）行業走勢圖行業走勢圖 數據來源：聚源 我國第三個超萬顆規模星座披露，重視衛星互聯網產業鏈投資機會行業點評報告-2024.5.28 國產算力卡性能良好，重視國產算力投資機會行業周報-2024.5.26 英偉達業績超預期，AI 算力邏輯不斷強化行業點評報告-2024.5.23 AI 高速率時代，高速率時代，硅光硅光子子迎成長迎成長機遇機遇 行業深度報告行業深度報告 蔣穎（分析師）蔣穎（分析師） 證書編號：S0790523120003 硅光子技術具備高速率、高集成

2、度、低成本等特點，應用領域廣泛硅光子技術具備高速率、高集成度、低成本等特點，應用領域廣泛 硅光子技術是基于硅和硅基襯底材料，利用現有 CMOS 工藝進行光器件開發和集成的新一代技術，是實現光子和微電子集成的理想平臺。隨著傳統微電子、光電子技術逐步步入“后摩爾時代”，硅光產業鏈逐步完善，已初步覆蓋了前沿技術研究機構、設計工具提供商、器件芯片模塊商、Foundry、IT 企業、系統設備商、用戶等各個環節，硅光子技術作為平臺型技術，其高速率、高集成度、低成本、低功耗、小型化等特點正逐步凸顯，正被廣泛應用于光通信、光傳感、光計算、智能駕駛、消費電子等多個領域。AI 高速光通信時代，硅光子優勢逐步凸顯高

3、速光通信時代，硅光子優勢逐步凸顯 AI 發展如火如荼，驅動光通信網絡朝著 1.6T、3.2T 等更高速率持續迭代升級，有望給硅光光通信產業帶來成長機遇。在數通市場，高速光模塊加速迭代升級，硅光滲透率有望提升；在電信市場，相干光模塊持續升級，硅光光模塊需求或將增長；在 CPO 領域，硅光子技術作為 CPO 的核心技術之一，有望充分受益于 CPO 的發展需求，并成為各大廠商的戰略布局重心；在 OIO 領域，隨著 AI 技術對算力的持續需求，芯片間數據傳輸不斷增大，OIO 的技術優勢有望不斷凸顯，作為 OIO 理想平臺的硅光子技術也有望得到進一步發展。硅光子技術在非通信領域硅光子技術在非通信領域快速

4、發展快速發展，市場前景廣闊，市場前景廣闊 硅光子技術的 CMOS 工藝兼容、高集成度、波導特性在眾多領域存在應用可能，如智能駕駛、光計算、消費電子等方向有很大的發展空間。智能駕駛方面：在激光光雷達降本量產的需求下，硅光固態激光雷達或成未來發展方向；光計算方面：硅光有望成為實現集成光計算系統的主要材料平臺；消費電子方面：硅光在生物醫療、可穿戴設備等消費電子領域也有著較大應用潛力。硅光應用加速發展硅光應用加速發展，重視產業鏈投資機會重視產業鏈投資機會（1）硅光光器件）硅光光器件/光模塊廠商：光模塊廠商：隨著 AIGC 發展，硅光子技術在高速光通信時代有望迎來發展熱潮，對傳統光通信產業格局或帶來深遠

5、影響，一方面硅光器件/模塊廠商有望充分受益于產業發展，另一方面，硅光芯片具有較高產業壁壘，頭部廠商的深度布局有望迎來新一輪產業演化；（2）硅光）硅光 CW 光源供應光源供應商：商：硅光光源集成作為目前硅光子技術一大技術難題，目前外置 CW 光源是硅光光模塊的主流方案，且可進一步應用于 CPO 等場景，隨著光通信速率需求的不斷提升，硅光光模塊的通道數也隨之增長，CW 光源需求量有望得到進一步發展；（3）硅光工藝配套廠商：）硅光工藝配套廠商：從硅光工藝流程看，硅光與微電子技術逐步趨同，隨著硅光子技術進一步普及及發展，需重視配套工藝設備、軟件廠商投資機會。受益受益標的：標的：中際旭創、天孚通信、新易

6、盛、亨通光電、華工科技、光迅科技、博創科技、劍橋科技、銘普光磁、源杰科技、長光華芯、仕佳光子、杰普特、羅博特科、炬光科技、光庫科技、賽微電子、云南鍺業、天通股份、凌云光、聚飛光電等。風險提示：風險提示：AIGC 發展放緩，配套硅光產品不及預期的風險；硅光工藝升級不及預期的風險；硅光非通信領域發展不及預期影響；存在貿易壁壘的風險。-36%-24%-12%0%12%24%2023-052023-092024-012024-05通信滬深300相關研究報告相關研究報告 開源證券開源證券 證券研究報告證券研究報告 行業深度報告行業深度報告 行業研究行業研究 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的

7、信息披露和法律聲明 2/58 目目 錄錄 1、硅光子技術：后摩爾時代重要技術平臺.4 1.1、硅光子技術是微電子/光子集成的理想平臺.4 1.2、硅光 PIC 核心構成：光子的產生、路由、調制、處理和探測.9 1.2.1、激光器：負責將電信號轉化成光信號.9 1.2.2、調制器：負責將光信號帶寬提升.10 1.2.3、光探測器：負責將光信號轉化成電信號.11 1.2.4、（解）復用器件：負責將不同波長攜帶的多路數據合并或分開.12 1.2.5、光波導：負責光信號在硅基材料上傳輸.12 1.2.6、耦合器：負責與對外連接的光纖對準降低插損.13 1.3、硅光子工藝流程：硅光子產業充分受益于微電子

8、 CMOS 工藝發展.14 1.4、硅光子技術逐步成熟，數據中心應用有望率先規模落地.16 2、AI 高速光通信時代，硅光子優勢逐步凸顯.20 2.1、1.6T 高速光通信時代提速到來，硅光光模塊或迎產業加速期.20 2.1.1、數通市場：1.6T 高速光模塊時代加速到來，硅光滲透率有望提升.22 2.1.2、電信市場：相干光模塊持續升級，硅光光模塊需求有望得到提升.27 2.2、CPO：硅光 CPO或成為未來高速光通信發展方向.31 2.3、OIO：硅光子技術是片間互聯的重要解決方案.35 3、硅光子在智能駕駛、光計算等多領域應用潛力大.38 3.1、智能駕駛：硅光固態激光雷達技術路線是未來

9、激光雷達發展的優選方向.38 3.2、光計算：硅光有望成為實現集成光計算系統的主要材料平臺.40 3.3、消費電子：硅光子技術高集成度契合消費電子的空間需求.43 4、受益標的梳理.44 5、風險提示.56 圖表目錄圖表目錄 圖 1：硅光子集成芯片基于硅材料的 CMOS 微電子工藝實現光子器件的集成制備.4 圖 2：硅光子技術已逐漸進入產業化階段.6 圖 3：硅光子技術集成度不斷提升.7 圖 4：硅光集成技術從混合集成向單片集成演進.8 圖 5：PIC 包括光的產生、路由、處理、探測、調制.9 圖 6：硅光子平臺核心器件眾多.9 圖 7：片上光源仍是硅光芯片的一大技術挑戰.10 圖 8：硅光調

10、制器常見構型：MZM、微環調制器、布拉格光柵調制器.11 圖 9：Ge-Si 光探測器主要有橫向和垂直 PIN結構型.11 圖 10：常用硅基（解）復用器件結構多樣.12 圖 11：光波導在硅基光子集成回路中常用于路由.13 圖 12：硅光耦合器通常使用端面耦合以及光柵耦合兩種方式.13 圖 13：硅光產品整體生產流程包括設計、制造、封裝三大過程.14 圖 14：硅光子設計環節主要負責硅光產品的電路圖與內部結構的規劃.14 圖 15：硅光子工藝流程開發可基于標準 CMOS 工藝.15 圖 16：內部式與開放式 Fab 兩種制造模式并行.15 圖 17：硅光應用場景不斷拓展.17 圖 18：硅光

11、市場前景廣闊.17 圖 19：硅光應用領域廣泛.17 圖 20：硅光產業鏈不斷完善.18 圖 21：硅光光模塊與傳統光模塊原理架構基本相似.20 圖 22：傳統光模塊采用分立式結構.21 圖 23：硅光光模塊實現多種光電器件的硅基集成.21 圖 24：傳統光模塊生產關鍵工序.21 圖 25：硅光子技術較 III-V器件更適用于高速場景.22 圖 26：以太網光模塊市場規模有望不斷增長.22 eZ8XcWcWaVaVeUfV7NcM7NsQrRtRsOjMnNoQeRrRmQ6MpOnNMYrNpNNZtQsP行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 3/58 圖 27：

12、全球數據中心市場規模穩步上漲（億美元）.23 圖 28：2024 年 Q1海外云巨頭（亞馬遜、谷歌、蘋果、微軟、Meta）資本開支同比增長（億美元）.23 圖 29：傳統三層網絡架構向 Spine-Leaf架構轉變.24 圖 30：DGX GH200 驅動 800G 光模塊需求.24 圖 31：交換機密度每兩年翻一番.24 圖 32：光模塊功耗隨著速率的提升大幅增長.24 圖 33：Intel 引領 100G硅光數通光模塊大規模商用.25 圖 34：Intel 100G PSM4 QSFP28 結構示意圖.25 圖 35：硅光光模塊市場規模有望不斷擴大.27 圖 36：2022 年數通及電信光

13、模塊市場份額.27 圖 37：相干光通信基于相干調制和外差檢測技術.28 圖 38：400G相干技術有 400ZR、OpenROADM、OpenZR+三種標準.28 圖 39：OpenZR+MSA應用范圍更為廣闊.28 圖 40：相干光模塊(單盤)功能示意圖.29 圖 41：Acacia 硅光相干光模塊集成度不斷提升.30 圖 42：SiFotonics 相干硅光 PIC 示意圖.30 圖 43：CPO低功耗方案或成未來發展方向.31 圖 44：CPO技術演化.31 圖 45：CPO核心 PIC 多采用硅光方案.32 圖 46：Tofino 2 2020 Gen 采用硅光引擎.33 圖 47：

14、Broadcom 已交付 51.2Tbps CPO 以太網交換機.33 圖 48：CPO市場前景廣闊.33 圖 49：OIO是一種芯片的光互連解決方案.35 圖 50：OIO典型結構.36 圖 51：OIO性能效率優于 CPO.36 圖 52：TeraPHY 和 SuperNova 典型鏈路.36 圖 53：TeraPHY 采用硅光微環調制器.36 圖 54：Intel 展示 FPGA間通過 OIO 實現信號互連.37 圖 55：三星提出 HBM 與 Logic 芯片間 OIO互聯.37 圖 56：ASE、AMD、Intel、微軟等十大行業巨頭聯合制定 UCIe.37 圖 57：乘用車前裝雷達

15、發貨量迅速提升.38 圖 58：Aeva 硅光 FMCW 激光雷達.39 圖 59：Mobileye 硅光 FMCW 激光雷達集成芯片.39 圖 60：光計算多方面性能優于電計算.40 圖 61：光經典計算和光量子計算結構系統結構相似.40 圖 62：光經典計算技術框架.41 圖 63：歐美企業積極布局光經典計算.41 圖 64：光量子計算技術框架.42 圖 65：多國企業積極布局光量子計算.42 圖 66：Apple Watch 有望搭載基于硅光子技術的無創血糖監測功能.43 圖 67：硅光產業鏈受益標的梳理.44 表 1：硅基光子集成回路平臺應用廣泛.5 表 2：硅光子技術多環節不斷發展突

16、破.16 表 3：海內外企業積極布局硅光子技術.18 表 4：硅光賽道并購頻頻.25 表 5：國內光模塊公司積極推進硅光光模塊應用.26 表 6：海內外廠商積極 CPO 技術.34 表 7：硅光方案激光雷達成本較低.39 表 8：受益標的估值信息表.55 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 4/58 1、硅光子硅光子技術技術：后摩爾時代重要技術平臺后摩爾時代重要技術平臺 1.1、硅光硅光子子技術是微電子技術是微電子/光子集成的理想平臺光子集成的理想平臺 硅光子技術是基于硅和硅基襯底材料，利用現有硅光子技術是基于硅和硅基襯底材料，利用現有 CMOS 工藝進行光器件開

17、發工藝進行光器件開發和集成的新一代技術。和集成的新一代技術。硅光子技術是利用硅和硅基襯底材料（如 SiGe/Si、SOI 等）作為光學介質，通過集成電路工藝來制造相應的光子器件和光電器件（包括硅基發光器件、調制器、探測器、光波導器件等），這些器件用于對光子的激發、處理和操縱，實現其在光通信、光互連、光計算等多個領域的應用。圖圖1：硅光硅光子子集成芯片集成芯片基于硅材料的基于硅材料的 CMOS 微電子工藝實現光子器件的集成制備微電子工藝實現光子器件的集成制備 資料來源：王子昊等硅基光電異質集成的發展與思考 硅光子技術硅光子技術是實現光子和微電子集成的理想平臺。是實現光子和微電子集成的理想平臺。在

18、當前“電算光傳”的信息社會下，微電子/光電子其技術瓶頸不斷凸顯，硅基光電子具有和成熟的 CMOS 微電子工藝兼容的優勢，有望成為實現光電子和微電子集成的最佳方案。從需求發展來看，從需求發展來看，光電子和微電子集成源動力來自于微電子/光電子各自的發展需求，微電子方面，深亞微米下電互連面臨嚴重的延時和功耗瓶頸，需要引入光電子利用光互連解決電互連的問題；光電子方面，面對信息流量迅速增加下的提速降本需求，需要借助成熟的微電子加工工藝平臺，實現大規模、高集成度、高成品率、低成本的批量化生產。從技術特點來看，從技術特點來看，硅光子技術結合了集成電路技術的超大規模、超高精度制造的特性和光子技術超高速率、超低

19、功耗的優勢，以及基于硅材料的本身特性，硅光子技術主要具有高集成度、高速率、低成本等優點：（1）高速率：）高速率：硅的禁帶寬度為 1.12eV，對應的光波長為 1.1m，硅對于 1.1-1.6m 的通信波段（典型波長 1.31m/1.55m）是近乎無損透明，具有優異的波導傳輸特性，可以很好地兼容目前的光通信技術標準，同時利用光通路取代芯片間的數據電路，在實現大容量光互連的同時也保持著低能耗和低散熱，高效地解決網絡擁堵和延遲等問題；（2）高集成度：）高集成度：硅基材料具有高折射率和高光學限制能力，可將光波導彎曲行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 5/58 半徑縮減至

20、5m 以下，基于成熟的 CMOS 工藝制作光器件，可實現硅光芯片更高的集成度及更多的嵌入式功能，其集成密度相比于傳統的硅基二氧化硅（PLC）和磷化銦（InP）光芯片有望提高百倍以上，同時光芯片尺寸縮減也隨之帶來有低成本、低功耗、小型化等獨特優勢；（3）低成本：）低成本：硅材料作為世界上儲量第二的材料，硅基材料成本較低且可以大尺寸制造，硅光芯片的生產制造也基于 CMOS 和 BiCMOS 等集成電路工藝線，可以實現規?；慨a，在芯片成本有較大的下降潛力。表表1：硅基光子集成回路平臺應用廣泛硅基光子集成回路平臺應用廣泛 材料種類材料種類 優點優點 缺點缺點 器件器件 應用領域應用領域 硅（Si）兼

21、容 CMOS工藝；晶圓尺寸大，低成本；光學損耗低 熱穩定性；良好的波導性能；易于集成 溫度系數大；可承受的光功率??；對制造工藝要求高；無源器件；調制器；探測器；數據中心、高性能計算等大容量、短距離傳輸；信號處理；神經網絡深度學習；生物傳感、成像；光探測與測距；氮化硅（SiN）兼容 CMOS工藝；晶圓尺寸大，低成本；溫度系數??；承受光功率大；熱穩定性；低傳播損耗；高折射率；加工難度大，需要特殊的蝕刻和沉積技術；不能太厚，限制了某些應用 無源器件 激光雷達；光通信、光纖傳感；光學斷層成像；二氧化硅（SiO2）兼容 CMOS工藝；晶圓尺寸大，低成本；低傳輸損耗；集成性強；性能穩定；工藝容差大；與單模

22、光纖模場匹配；非線性系數、電光系數低，調控難度大；折射率變化較??；波導彎曲半徑過大；無源器件 激光雷達；光通信、光纖傳感；磷化銦（InP）直接帶隙材料，自發輻射效應；性能穩定；可實現光子集成回路的所有器件；工藝復雜，成本高；通過異質集成技術才能與硅基平臺集成；無源器件；激光器；調制器；探測器；光放大器；電信、數據中心等中長距離傳輸；3D感測；鈮酸鋰（LN）電光系數大；光學透明窗口大；居里溫度高；大帶寬；低功耗；與其他材料體系混合才能實現光子集成；無源器件；激光器；調制器；探測器；光放大器；光量子計算；大數據中心；人工智能；粒子傳感；薄膜鈮酸鋰（LNOI）高帶寬；低插損；低功耗；線性度好；高可靠

23、性；高消光比；晶圓級刻蝕工藝不成熟；器件尺寸不具優勢；無源器件；激光器；調制器；探測器；光放大器；骨干網長距傳輸；超高速數據中心；砷化鎵（GaAs）直接帶隙材料的自發輻射效應；高電子遷移率；與其他材料形成異質結構，設計靈活性高；高功率性能；高成本；晶圓尺寸小于硅晶圓；高功率下需進行熱管理；不兼容 CMOS工藝；脆性材料的加工封裝難度大 無源器件；激光器；調制器；光放大器；數據中心短距傳輸；3D感測；資料來源：訊石光通訊網、光庫科技官網、源杰科技官網等、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 6/58 從發展歷程來看，從發展歷程來看，硅光子技術硅光子技術

24、從最初在從最初在 1969 年由著名的貝爾實驗室提出以來，年由著名的貝爾實驗室提出以來，經歷了經歷了 3 個主要的發展階段：個主要的發展階段：1969-2000 年的原理探索階段年的原理探索階段，受限于工藝和技術的限制，硅光子技術的發展只集中在硅基有源器件和無源器件的實驗室研究階段；2000-2008 年的技術突破階段年的技術突破階段，以 Intel 為首的企業與學術機構就開始重點發展硅芯片光學信號傳輸技術，期間 2004 年 Interl 研制出第一款 1Gb/s 速率的硅光調制器，人們看到硅芯片中“光進銅退”的可能性，其他各類硅光器件如探測器、激光器、無源器件等也陸續獲得突破；2008-2

25、014 年的集成應用階段年的集成應用階段，以 Luxtera、Intel、和 IBM 為代表的公司不斷推出商用級硅光子集成產品，如 Intel、Luxtera 的硅光光模塊，Acacia 的相干光模塊等；目前，目前，硅光子技術硅光子技術已逐漸進入應用拓展階段：已逐漸進入應用拓展階段：硅光子集成平臺被廣泛應用于多領域，比如在通信領域，已基本建立了面向數據中心、光纖傳輸、5G 承載網、光接入等市場的一系列硅光產品解決方案；在新型微處理器技術上，DARPA、Intel、Ayar Labs 等國外研發機構正在致力于實現硅光芯片與高性能微電子芯片的融合，并已驗證了集成硅光 I/O 芯片的新一代 FPGA

26、、CPU 和 ASIC 芯片；在光計算領域，Lightmatter、Lightelligence 等公司積極推進應用于 AI 神經網絡運算的硅光芯片；研究人員已研制出集成度最復雜的硅光量子芯片；在智能駕駛領域，硅光固態激光雷達或成下一代激光雷達的重要革新。圖圖2：硅光子技術硅光子技術已逐漸進入產業化階段已逐漸進入產業化階段 資料來源：中國通信學會硅基光電子集成技術前沿報告（2020年）等、開源證券研究所 硅光子技術硅光子技術由分組硅光向著可編程芯片方向發展。由分組硅光向著可編程芯片方向發展。從技術演進來看，硅光子技術發展可分為四個階段，由于受限于硅材料本身的光電性能，仍存在無法高密度集成光源、

27、集成低損耗高速光電調制器等問題，目前硅光子技術主要集中在第二階段硅光子集成階段：行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 7/58 第一階段，分組硅光：第一階段，分組硅光：硅基器件逐步取代分立元器件，即將硅做出光通信底層器件，并實現工藝標準化；第二階段，硅光子集成：第二階段，硅光子集成：集成技術從混合集成向單片集成演進，實現部分集成，即通過不同器件的組合集成不同的芯片；第三階段，全光電融合：第三階段，全光電融合：光電全集成化，實現合封的復雜功能；第四階段，可編程芯片：第四階段，可編程芯片：器件分解為多個硅單元排列組合，局針化表征類；該種通過編程來改變內部結構的芯片，可自

28、定義全功能。圖圖3：硅光子硅光子技術集成度不斷提升技術集成度不斷提升 資料來源：訊石光通訊網、開源證券研究所 從工藝角度來看，硅光子集成分為單片集成和混合集成，目前混合集成使用較從工藝角度來看，硅光子集成分為單片集成和混合集成，目前混合集成使用較廣，但是單片集成性能更優，是未來發展趨勢。廣，但是單片集成性能更優，是未來發展趨勢。單片集成：單片集成：將光子學組件直接集成到同一塊硅芯片上，包括光源、光調制器、波導、耦合器等光學元件，從而形成一個緊湊的光學電路。單片集成方式的優勢在于可以減小尺寸、提高集成度、降低制造成本?；旌霞桑夯旌霞桑簩⒐栊酒c其他材料的光學組件結合在一起，即將電子器件（硅鍺

29、、CMOS、射頻等）、光子器件（激光/探測器、光開關、調制解調器等）、光波導回路集成在一個硅芯片上。其中，硅芯片主要負責電子部分的處理，而其他材料的光學元件則負責光的生成和調制?；旌霞傻膬瀯菰谟诳梢岳霉栊酒碾娮悠骷推渌牧系膬灝惞鈱W特性，實現更高效的光通信和傳感應用。目前，硅光子技術主要采用基于 SOI（絕緣襯底上硅）襯底的制造平臺，已能實現探測器與調制器的單片集成。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 8/58 圖圖4：硅光集成技術從混合集成向單片集成演進硅光集成技術從混合集成向單片集成演進 資料來源：張平化等數據中心光模塊技術及演進 行業深度報告行業深度

30、報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 9/58 1.2、硅光硅光 PIC 核心構成核心構成：光子光子的產生、路由、調制、處理和探測的產生、路由、調制、處理和探測 在硅光的光子集成回路（在硅光的光子集成回路（PIC）中，主要包括光的產生、路由、調制、處理和）中，主要包括光的產生、路由、調制、處理和探測。探測。其核心器件主要包括：激光器（負責將電信號轉化成光信號），光調制器（負責將光信號帶寬提升），光探測器（負責將光信號轉化成電信號），（解）復用器件（負責將不同波長攜帶的多路數據合并或分開）、光波導（負責光信號在硅基材料上傳輸），光柵耦合器（負責與對外連接的光纖對準降低插損）等。圖圖5：P

31、IC 包括光的產生、路由、處理、探測、調制包括光的產生、路由、處理、探測、調制 圖圖6：硅光子平臺硅光子平臺核心器件眾多核心器件眾多 資料來源：韓溪林基于硅光微環的調制和復用器件研究 資料來源：宋澤國等400G FR4 硅光收發模塊的研究 1.2.1、激光器激光器：負責：負責將電信號轉化成光信號將電信號轉化成光信號 由于硅材料間接帶隙的能帶結構使得它無法實現高效率的片上光源，目前光源技術仍是硅光芯片的一大技術難題，硅基光源按照集成方式同樣可以分為混合集成和單片集成兩種方式?；旌霞砂ㄆg混合集成、片上倒裝焊混合集成、片上鍵合異質集成，混合集成方案工藝較為成熟，但成本高、難以大規模集成；單片集

32、成是直接在硅材料上生長特定材料作為激光器增益介質，性能有待提高，但是一直被認為是硅光子片上光源的終極解決方案，能夠與硅光子工藝同步縮小線寬、提高集成度，有望實現大規模光電子集成回路。片間混合集成技術：片間混合集成技術：與目前產業化應用最廣泛的透鏡耦合最為接近，但本質上還屬于微封裝技術，在多個光源耦合的應用中需要耗費大量時間在精密耦合對準工藝上，同時無法進行大規模光源的集成；片上倒裝焊混合集成：片上倒裝焊混合集成：采用倒裝焊或貼裝工藝，將預制好的 III-V 族材料激光器放在硅光子芯片表面并通過焊球進行電連接，解決了可以集成光源的問題，但硅光芯片需要刻蝕開槽精確控制激光器耦合高度，同時仍需要解決

33、高精度耦合問題，產業尚未得到廣泛應用；片上鍵合異質集成技術：片上鍵合異質集成技術：將 III-V 族材料外延層集成至硅波導等硅光器件上方，由 III-V 族材料產生的光可通過倏逝波耦合的方式進入硅光子回路，該技術可實現-族材料與硅光芯片的大規模集成，但開發難度大，產品良率難以控制；目前只有 Intel公司通過使用其原有的 CMOS產線和-族化合物半導體產線實現了片上鍵合異質集成技術路線的產品化并完成量產，其他多家公司（如美國惠普、美國Skorpios等公司）也在布局該方案；單片集成（片上直接生長異質集成技術）：單片集成（片上直接生長異質集成技術）：通過在已制作好的硅光晶圓上開槽，利用選區外延的

34、方法生長-族材料，隨后通過-族工藝制造光源。該種方法類似鍵合異質集成的流片過程，但不需要復雜的芯片到晶圓鍵合工藝，是最接近于 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 10/58 CMOS 集成工藝的異質集成技術。該技術雖然適合晶圓級大規模量產工藝，但對硅基-族外延技術有著很高的材料生長要求，需要解決一系列諸如硅基異質材料外延、片上光源耦合及片上光源老化等難題；目前該技術仍處于學術研究階段。圖圖7：片上光片上光源源仍是硅光芯片的一大技術仍是硅光芯片的一大技術挑戰挑戰 資料來源：王子昊等硅基光電異質集成的發展與思考 1.2.2、調制器調制器：負責將光信號帶寬提升負責將光信

35、號帶寬提升 光調制器是將調制信號加載到光波導上的器件，在光模塊中是完成電信號到光光調制器是將調制信號加載到光波導上的器件，在光模塊中是完成電信號到光信號轉換的關鍵器件，硅光調制器也是硅光集成器件中的核心器件之一。目前硅基信號轉換的關鍵器件，硅光調制器也是硅光集成器件中的核心器件之一。目前硅基調制器的調制器的 3 dB 帶寬可以達到帶寬可以達到 67 GHz 以上，可以支持單波以上，可以支持單波 200 Gbit/s 以上速率的調以上速率的調制和傳輸。制和傳輸。根據調制方式，根據調制方式，硅光光模塊中的電光調制屬于外調制方式，即激光器的注入電流恒定，激光器輸出連續光，調制信號加載到外調制器上，在

36、電場的作用下，外調制器進行光強和相位的調制；從機制上來看，從機制上來看，不同于傳統光模塊中的基于量子限制斯塔克效應（QCSE）的電吸收調制器（EAM），由于硅的材料特性，目前硅光調制器多基于等離子體色散效應，即通過外加電場對載流子濃度進行操控并以此來改變材料折射率，常見的等離子體色散效應包括載流子注入、載流子積累和載流子耗盡機制，其中載流子耗盡型 PN結由于能夠同時實現高速率和調制效率，研究熱度逐步上升；從結構上從結構上來看，來看，較為常用的硅光調制器包括馬赫-曾德爾調制器（MZM）、微環調制器（MRM）、布拉格光柵調制器。MZM 利用折射率的變化操控兩個光波的相對相位，并通過相長或者相消干涉

37、的原理實現對光波幅度的調制；微環調制器和布拉格光柵調制器是在有諧振結構的調制器中用折射率的變化操控諧振條件改變諧振波長，使得調制器可以在給定波長下實現諧振狀態的切換。馬赫馬赫-曾德爾調制器是近十年來研究最多的硅光調制器之一，一般被認為是提曾德爾調制器是近十年來研究最多的硅光調制器之一，一般被認為是提高下一代數據中心光網絡、高下一代數據中心光網絡、5G 光模塊速率的主要方案。光模塊速率的主要方案。MZM 最大優點是工作帶寬是全帶寬，并因此得到了廣泛的應用，但由于基于干涉調控，尺寸較大，實際應用中長度一般大于 2 mm，另外反向偏置的載流子耗盡型調制器功耗較高；微環和布拉格光柵基于諧振，尺寸可以相

38、對較小，微環調制器憑借其高品質因子(Q 值)的環形諧振腔結構，可以實現極高的集成度與低能耗，適合用于光波分復用系統，但是微環調制器高 Q 諧振腔要求較窄的光學帶寬（典型如 100pm），制造誤差容忍度小，溫度敏感性較高，同時微環調制器的諧振峰是周期性的，調制器級聯時不同信道之間容易串擾；布拉格光柵調制器是單模諧振，因此在工作波長附近僅有一個諧振峰，信道之間不易串擾，但布拉格光柵調制器中光柵固有的反射光會對入射端口其余器件造成不良影響，因此很大程度上失去了外調制優勢。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 11/58 圖圖8：硅光調制器硅光調制器常見構型：常見構型：MZ

39、M、微環調制器、布拉格光柵調制器、微環調制器、布拉格光柵調制器 數據來源：馬春良基于反對稱布拉格波導光柵的硅光調制器研究、開源證券研究所 1.2.3、光探測器光探測器：負責將光信號轉化成電信號負責將光信號轉化成電信號 光探測器（PD）的功能是將輸入光信號轉換為輸出電信號，在光模塊中可用在接收端和發射端的 MPD。由于硅材料對波長大于 1.1m 的光是透明的，并非有效的光吸收材料，所以需要通過外延生長鍺、III-V 族鍵合、表面態吸收、等離子吸收等手段在硅材料上制備符合通信波段的光電探測器。Ge-Si 光探測器由于具有帶寬大、結構緊湊、CMOS 工藝兼容等特性，更適合大規模集成，是現在的主流方案

40、。從結構上來看，Ge-Si 光探測器有橫向 PIN 結和垂直 PIN 結兩種結構，在垂直 PIN 結構中，電流必須通過 Ge/Si 界面，界面缺陷會降低響應度并增加暗電流。對于橫向 PIN 結構，P 區和 N 區都在 Ge 的頂部，避免電流穿過 Ge/Si 界面，但需要更大的外部電壓以便及時輸運載流子出本征區。根據高速光調制器及其芯片研究，目前最大帶寬的 Ge-Si 光電探測器是由德國IHP 開發的基于橫向 PIN結構，可實現 1550nm下 265 GHz 帶寬，響應度為 0.3 A/W。圖圖9：Ge-Si 光探測器光探測器主要有橫向和垂直主要有橫向和垂直 PIN 結構型結構型 數據來源：夏

41、鵬輝高速光調制器及其芯片研究、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 12/58 1.2.4、（解）復用器件（解）復用器件：負責將不同波長攜帶的多路數據合并或分開負責將不同波長攜帶的多路數據合并或分開 （解）復用器件是波分復用技術中實現不同波長攜帶的多路數據合并或分開的（解）復用器件是波分復用技術中實現不同波長攜帶的多路數據合并或分開的關鍵器件。關鍵器件。波分復用及解復用是將兩種或多種不同波長的光信號，在發射端經過復用器合束后，合進同一根光纖中進行傳輸，然后在接收端，經解復用器將不同波長的光信號進行分離的技術。采用波分復用及解復用技術，可以拓展光互連的

42、通信容量，并減少光纖的使用量從而降低成本。實現波分復用器件的基本原理是利用光束干涉。在 SOI 平臺上，常見的(解)復用器的類型有陣列波導光柵(AWG)、級聯馬赫-曾德爾干涉儀(MZI)型濾波器，微環諧振腔(MRR)型濾波器、階梯衍射光柵(EDG)和波導光柵等。AWG、EDG 從結構和原理上較為相似，可實現并行多通道，其中 AWG 可以級聯使用，適合多波長、大容量的密集波分復用系統；MRR 型復用器適用于尺寸小、通道間隔小的波分復用系統；級聯 MZI 型復用器可實現高斯型濾波和平帶濾波，可以通過靈活調節分光比和相位延時從而補償工藝容差等因素導致的信道偏離問題；波導光柵的特點是無自由譜范圍影響、

43、波長選擇特性和平帶濾波特性，適合超寬帶、大通道間隔的粗波分復用系統。圖圖10：常用硅基（解）復用器件結構常用硅基（解）復用器件結構多樣多樣 數據來源：夏鵬輝高速光調制器及其芯片研究、開源證券研究所 1.2.5、光波導光波導：負責光信號在硅基材料上傳輸負責光信號在硅基材料上傳輸 光波導在硅基光子集成回路中常用于路由，類型有條形波導、脊形波導、彎曲光波導在硅基光子集成回路中常用于路由，類型有條形波導、脊形波導、彎曲波導波導。光波導分為核心層和包層，核心層硅材料和包層二氧化硅材料之間存在高折射率差異，該差異一方面使得硅波導的尺寸非常緊湊，另一方面也導致光在波導中的傳輸損耗對波導的表面粗糙度較為敏感。

44、在實際應用中，如何減少硅波導損耗是硅光器件性能的一大挑戰。在實際應用中，如何減少硅波導損耗是硅光器件性能的一大挑戰。硅光光波導的傳輸損耗主要和光刻工藝相關。比如在硅光子平臺上，對于 C 波段(15301565 nm)和 O 波段(12601360 nm)，用于單模傳輸的條形波導的高度為 220 nm，寬度為410500 nm，采用 193/248 nm光刻分辨率制備的波導，其傳輸損耗為 12 dB/cm，目前，可通過高分辨率浸沒光刻、氫氣熱退火的方法來減小傳播損耗。另一方面除了直波導，彎曲波導的尺寸和損耗也非常重要，由于散射損耗、輻射損耗、模式失配損耗和材料吸收損耗等因素，通常彎曲波導的半徑不

45、應小于 5m。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 13/58 圖圖11：光波導在硅基光子集成回路中常用于路由光波導在硅基光子集成回路中常用于路由 數據來源：Jian Wang&Yun LongOn-chip silicon photonic signaling and processing:a review 1.2.6、耦合器耦合器：負責與對外連接的光纖對準降低插損負責與對外連接的光纖對準降低插損 硅基波導光學耦合技術主要用于解決硅基集成光電芯片上的光信號同外部光信硅基波導光學耦合技術主要用于解決硅基集成光電芯片上的光信號同外部光信號互連的問題，是硅基光電芯片封裝

46、的關鍵技術。號互連的問題，是硅基光電芯片封裝的關鍵技術。實際應用中，單模光纖和光波導之間的高效耦合也是制約硅光子芯片規?；瘧玫囊粋€難題。光波導中的模場尺寸通常小于 1m，單模光纖中的模場直徑一般是 810m，兩者模場尺寸間的差異導致了較低的耦合效率和較大的耦合損耗。通過設計不同結構、不同材質的光耦合器件，使片上硅波導的光模場同單模光纖的光模場耦合相匹配從而達到最優的光耦合效率，通常使用端面耦合以及光柵耦合兩種方式。端面耦合是通過應用端面耦合器，使得光信號直接在硅基波導的橫截面和光纖的橫截面直接相耦合。端面耦合器的優點是是耦合損耗小、光學帶寬大，而且能夠在不改變光路的情況下進行對準，但在制備上

47、工藝難度大、制作容差小，需要特殊的端面拋光。端面耦合器一般有正向楔形、反向楔形、三叉戟結構，目前常用的結構為反向楔形；光柵耦合器是通過光柵的衍射效應把光耦合至光波導，優點是尺寸小、對準容差大，可以放置在芯片的任意位置，有利于晶圓級測試，缺點是偏振敏感、波長敏感、插入損耗大，不適合光子集成。圖圖12：硅光耦合器硅光耦合器通常使用端面耦合以及光柵耦合兩種方式通常使用端面耦合以及光柵耦合兩種方式 數據來源：夏鵬輝高速光調制器及其芯片研究、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 14/58 1.3、硅光子工藝流程：硅光子產業充分受益于微電子硅光子工藝流程：硅光

48、子產業充分受益于微電子 CMOS 工藝發展工藝發展 硅光產品整體生產流程包括設計、制造、封裝三大過程。硅光產品整體生產流程包括設計、制造、封裝三大過程。硅光子集成技術作為利用 CMOS工藝的一個新興技術方向，從設計方法、設計工具和流程、基于工藝平臺的協同設計等方面很大程度上參考和借鑒了微電子的相關技術，這使得在實際生產中，硅光芯片的設計者能比較便利地享受晶圓廠成熟工藝的流片服務，同時硅光子學并不需要最先進的納米光刻技術，可以使用光刻水平較低的老式代工廠帶來成本效益。整體流程上主要經過設計、制造和封裝，近年來在制造和設計技術瓶頸逐漸取得突破，封裝成為出貨量和良率受制的主要因素。圖圖13：硅光產品

49、整體生產流程包括設計、制造、封裝三大過程硅光產品整體生產流程包括設計、制造、封裝三大過程 資料來源：徐芳露等硅光芯片后摩爾時代的高速信息引擎 設計環節設計環節主要是負責硅光產品的電路圖與內部結構的規劃。行業內模仿微電子設計方式，融合光學仿真與工藝設計套件（PDK），推出簡化光電開發環境（EPDA）。類似于 EDA 的流程，硅光子設計也是從系統功能需求出發?；诠δ芊治龊头纸?，設計出光子鏈路，并仿真獲得其可實現的功能性參數；進一步地，通過物理仿真與優化，獲得組成光子鏈路的器件結構及布圖設計；然后基于器件的物理模型分析鏈路集成中的寄生效應并驗證鏈路功能性，修正設計其結構參數。圖圖14：硅光子設計硅

50、光子設計環節主要負責硅光環節主要負責硅光產品產品的電路圖與內部結構的規劃的電路圖與內部結構的規劃 資料來源：郭進等硅光子芯片工藝與設計的發展與挑戰 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 15/58 制造和封裝環節制造和封裝環節主要負責將晶圓加工成硅光芯片，并完成相應器件的封裝和測試。硅光子器件尺寸跨度從幾十微米到約 100nm，特征波導的尺寸為 500nm左右，合適的工藝節點大概為 0.13m 及以下。比利時 IMEC、新加坡 IME、美國AIMPhotonics 都是采用 200mm、0.13m 來加工硅基光電子器件。由于硅光子器件特征尺寸和最小尺寸相較于微電子大

51、很多，且對尺寸和工藝誤差較為敏感，因此相較于標準 CMOS 工藝具備一定工藝特殊性，流程上至少增加 3個工藝模板，并針對硅光子器件進行大量的工藝參數優化設計。目前內部制造工廠（Foundry，Fab）與開放式 Fab 兩種制造模式并行，內部 Fab 以 IBM、Intel 為代表，除激光芯片外，設計、硅基芯片加工、封測均由公司自身完成。開放式 Fab 模式由實驗室提供設計方案，由大規模流片代工廠實現制造、封裝過程。圖圖15：硅光子工藝流程開發可硅光子工藝流程開發可基于標基于標準準 CMOS 工藝工藝 圖圖16：內部內部式式與開放式與開放式 Fab 兩種制造模式并行兩種制造模式并行 資料來源：郭

52、進等硅光子芯片工藝與設計的發展與挑戰 數據來源：面包板、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 16/58 1.4、硅光子技術硅光子技術逐步成熟，逐步成熟，數據中心應用有望率先規模落地數據中心應用有望率先規模落地 硅光子集成技術具有硅光子集成技術具有廣闊廣闊的市場前景，但目前仍然面臨諸多挑戰：的市場前景，但目前仍然面臨諸多挑戰：（1）硅光器件的性能問題。）硅光器件的性能問題。目前的硅光子技術已可以替代很多傳統的光器件，但還有一些需要克服的技術難題，比如如何減少硅波導的損耗、如何實現波導與光纖的有效耦合、如何克服溫度對于功率和波長穩定性的影響等。這些技術

53、難題會影響到硅光子技術的普及以及在數據中心場景中的應用。（2）測試流程和方法。）測試流程和方法。與常規的大規模集成電路芯片不同，光電芯片本身成本高、制造流程多、工藝復雜、廢品率高，因此需要先在晶圓上進行測試和篩選，然后再和其他電芯片進行集成，以避免殘次芯片造成的不必要的后期封裝成本。（3）缺乏標準化方案。）缺乏標準化方案。硅光芯片在各個環節都缺少標準化方案，例如：設計環節需要使用專用的 EDA 工具，制造與封裝環節缺乏提供硅光工藝晶圓代工服務的廠家。這使得硅光子技術大規模產業化變得更加困難。但總體來看，但總體來看，硅光子技術硅光子技術近年來的高速發展已給諸多行業帶來了重近年來的高速發展已給諸多

54、行業帶來了重大的技術性大的技術性革新。革新。隨著傳統微電子、光電子技術逐步步入“后摩爾時代”，硅光產業鏈逐步完善，硅光子技術作為平臺型技術，其高速率、高集成度、低成本、低功耗、小型化等特點逐步凸顯，正被廣泛應用于光通信、光傳感、光計算等多個領域，硅光子技術正逐步迎來歷史機遇期。表表2：硅光子技術硅光子技術多環節不斷發多環節不斷發展展突破突破 已取得的進展已取得的進展 尚需克服的難點尚需克服的難點 突破點突破點 材料體系材料體系 12 寸 SOIGe,Sn,-V,YIG 硅基的多材料兼容生態系統,Silicon+針對硅基光電子器件的 SOI材料 硅基光源硅基光源 混合集成光源 硅基單片集成光源隔

55、離器/環形器 量子點激光器 無源器件無源器件 各種無源功能器件 超低損耗波導,統一標準工藝/溫度/偏振不敏感器件 g 波導&器件標準化 高速調制高速調制 高速硅基調制器(50G)高效率、大帶寬,小尺寸,低功耗 新的調制材料或機理 高速探測高速探測 Ge/Si 探測器 波導型 APD、單光子探測PD、大飽和功率 PD SiGe材料及器件的協同設計 耦合封裝耦合封裝 Grating CouplerInverted Taper 高效率被動耦合自動化、低成本封裝 設備自動化新技術,如:PWB 集成技術集成技術 多種集成方案(前端、后端、混.CMOS 兼容的光電單片集成(材料、工藝、設計兼容性)產業驅動

56、 CMOS工藝線對硅光工藝 和新材料兼容 資料來源：易飛揚通信官網、開源證券研究所 從產品應用來看，從產品應用來看，數據中心可能是硅光子大規模應用的首選場景。數據中心可能是硅光子大規模應用的首選場景。硅光子技術在光通信、光傳感、光計算等領域有著較強的應用潛力，特別是作為光通信技術，有望充分受益于 AIGC 的發展，硅光子技術在數據中心中芯片側的 OIO、設備側CPO、設備間光模塊以及數據中心間的相干光通信都有望迎來進一步發展，市場前景廣闊。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 17/58 圖圖17：硅光硅光應用場景不斷拓展應用場景不斷拓展 資料來源：中國通信學會硅基

57、光電子集成技術前沿報告（2020年）光通信方面，光通信方面，目前硅光產品主要應用在數據中心和相干傳輸兩個領域，在數通市場，隨著 AI 快速發展帶來高速光模塊的大量需求和加速迭代，降本降耗的需求也在逐步提升，同時傳統光模塊的頭部供應商加速硅光領域布局，硅光光模塊有望迎來加速突破，另一方面，硅光正成為交換機側 CPO 與 C2C 側 OIO 中的核心技術；在電信市場，相干模塊和全光網絡 ROADM 系統;光傳感方面，光傳感方面，在激光光雷達降本量產的需求下，硅光固態激光雷達或成未來發展方向；另一方面硅光在生物醫療、可穿戴設備等消費電子領域也有著較大應用潛力；光計算方面，光計算方面，硅光高度契合光經

58、典計算和光量子芯片技術需要，有望成為 AI神經網絡、量子技術的技術平臺?？偟膩砜?，總的來看，硅光子技術硅光子技術正迎來產業機遇期，市場前景廣闊。正迎來產業機遇期，市場前景廣闊。根據 Yole Group的2023 年硅光子技術估計，2022 年硅光子 PIC 市場價值為 6800 萬美元，預計2028年將超過 6億美元，2022-2028年復合年增長率為 44%(CAGR2022-2028)。圖圖18：硅光市場前景廣闊硅光市場前景廣闊 圖圖19：硅光應用領域廣泛硅光應用領域廣泛 數據來源：訊石光通信網 資料來源：訊石光通信網 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 1

59、8/58 從產業鏈來看，從產業鏈來看，硅光產業鏈不斷完善。硅光產業鏈不斷完善。目前，硅光子技術產業仍在發展，產業鏈不斷構建，已初步覆蓋了前沿技術研究機構、設計工具提供商、器件芯片模塊商、Foundry、IT 企業、系統設備商、用戶等各個環節。圖圖20：硅光產業鏈不斷完善硅光產業鏈不斷完善 資料來源：Yole 從發展模式來看，從發展模式來看，全球企業積極推動全球企業積極推動硅光子技術硅光子技術發展。發展。2010 年左右，硅光子技術的研發體制開始由學術機構推進轉變為廠商主導。硅光子技術主要有以下幾種發展模式：一是國家項目支持，如美國 2014 年發布“國家光子計劃”，出資打造集成光子工藝研究院，

60、隨后在 2015 年投資 6.1 億美元成立集成光子學創新機構 AIM Pho.tonics，組織產業鏈各環節共同打造標準化的集成光子平臺。全球其他相關研究項目和機構，如歐盟 Leti 硅光光模塊量產研究計劃等。二是 Intel、IBM 等 IT 巨頭的投入，Intel、IBM 從 2003 年左右開始致力于硅光子技術研究，進行了長期、巨額投入。三是小型初創公司早期靠風險資金進入，后期被大企業并購再持續投人，該模式已成為硅光子的一種重要發展模式。四是一些新崛起的初創公司，如 Acacia、SiFotonics 等。表表3：海內外企業積極布局海內外企業積極布局硅光子技術硅光子技術 廠商名稱 發展

61、現狀 海外 Marvell 公司 2020年收購 Inphi，基于 Inphi前幾代 COLORZ光學模塊技術基礎，于 2024年發布其最新的硅基光電子平臺。同年在 OFC上展示 3D硅光（SiPho）引擎，具有 32通道 200G電氣和光學接口，能以多太比特的速度連接下一代人工智能（AI）集群和云數據中心 Lumentum 作為全球領先的光學元件供應商，公司 2023年收購中國香港光模塊制造商 Cloud Light Technology（云暉光電），2024 年在 OFC上推出 1310nm DFB 激光器，該激光器專為共封裝光學器件(CPO)和硅光子 800G和 1.6T收發器應用而設計

62、 SiFotonics 作為最早開始探索硅光子技術的公司之一，目前已在數據中心硅光 PIC 及光引擎、硅光相干 PIC 及組件等方面推出 400G/800G 硅光集成發射芯片、硅光 IC-TROSA等多種產品。2024年在 OFC上展示了其研發和量產應用于 800G/1.6T AI/DC，100G/400G/800G相干和25G/50G PON的全系列硅光新產品 Sicoya 2024在 OFC上展示了 400G/800G/1.6T 硅光產品及單通道 200G 硅光方案 Cisco 公司先后收購 Lightwire、Luxtera、Acacia等三家硅光公司深度參與硅光子技術布局，其中Luxt

63、era在 2015年就已發布 100G-PSM4硅光子芯片，是最早推出商用級硅光集成產品商之一；Acacia 是首家提出將硅芯片作為多個離散光子功能集成平臺的相干模塊供應商，2024年推出硅基 800G 相干可插拔產品，其基于 Delphi DSP 的可插拔模塊預計于 2024年第二季度上市。Cisco與 Inphi合作推出 51.2Tb/s交換機，并在 2023年 OFC上展示了基于硅光子學的 CPO路由器和 800G硅光光模塊 Juniper 公司 2016年收購 Aurrion以發展硅光業務，在 2019年 OFC 上推出基于硅光子技術的100G QSFP28和 400G QSFP-DD

64、封裝的兩款光模塊，2022年與 Synopsys 建立開放的硅光子學平臺 Ciena 公司 2016年收購 TeraXion的高速 InP 和硅光子技術以及相關專利，2023年推出行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 19/58 WaveLogic 6，采用 3nm CMOS、高帶寬硅光子學和基于磷化銦的電子光學等先進技術 AMD 公司 2022年完成對賽靈思的收購，與 Ranovus聯合發布基于硅光引擎的 CPO器件，在硅光子集成領域有申請相關專利 TSMC 公司攜手博通、英偉達等大客戶共同開發硅光子及共同封裝光學元件，已組建由約 200名專家組成的專門研發團隊，

65、專注于利用硅光子技術開發未來芯片。公司硅光工藝平臺已由COUPE升級成 COUPE 2.0 NVIDIA 公司 2020年完成對 Mellanox的收購，Mellanox曾收購硅光子器件公司 Kotura，具備較強的技術積累；2022年，公司與 Ayar Labs合作開發將硅光互連用于 GPU與 NVSwitch之間的數據傳輸。公司和臺積電進行合作以研發硅光子技術 Intel 2023年公司剝離硅光光模塊部門，由 Jabil承接相關業務，保留硅光芯片部門。2024年在OFC 上展示了硅光子學 Tx和 Rx Ics。公司基于硅光子技術網絡平臺，目前已在光學收發器領域推出 400G FR4 QSF

66、P-DD、200G FR4 QSFP56、100G DR/FR/LR QSFP28 等多款產品并已實現批量出貨 Coherent 2023年推出高功率 CW DFB激光二極管，為傳輸容量介于 400G到 1.6T的硅光子收發器提供支持 Broadcom 2024年向客戶交付了業界首款 51.2Tbps共封裝光學(CPO)以太網交換機。該產品將八個基于硅光子的 6.4-Tbps光學引擎與博通同類最佳的 StrataXGS Tomahawk5 交換芯片集成在一起。同年于 OFC上展示了基于 200G硅光子調制的 CW激光器 國內 中際旭創 2022年全球光模塊廠商中排名第一，在硅光領域研發和布局多

67、年，目前已推出了搭載自研硅光芯片的 400G和 800G硅光光模塊；2023OFC上展示其基于 5nm DSP 和先進硅光子技術的第二代 800G模塊；2024年在 OFC上演示面向人工智能和數據中心應用的 800G/1.6T 硅光高性能強度調制直檢和相干檢測光模塊解決方案 新易盛 2022年收購 Alpine，深入參與硅光光模塊以及硅光子芯片技術的市場競爭；2024年在OFC 展示其 800G OSFP DR4 LPO，收發器采用硅光子學 PIC，以 200Gb/s 的速度傳輸 4個并行通道 華為 2012、2013年陸續收購英國光子集成公司 CIP 和比利時硅光子公司 Caliopa，20

68、19 年后累計投資包括熹聯光芯微源光子、長光華芯、芯視界在內的 10 余家光芯片產業鏈相關企業 華工科技 2024年在 OFC上正式推出 1.6T-200G/高速硅光光模塊方案，采用了自研的單波 200G硅光芯片，并且與薄膜鈮酸鋰調制器和量子點激光器兼容 羅博特科 公司 2020 年參股 ficonTEC 進入光模塊設備領域，目前正著手收購 ficonTEC 全部股份，以提供高速硅光光模塊封裝與測試設備，在硅基光芯片方面可提供鏡檢、測試及貼裝設備 光迅科技 2018年聯合研制成功 100G硅光收發芯片并于 2020年實現量產；2024年 OFC上聯合思科成功推出 1.6T OSFP-XD硅光光

69、模塊 博創科技 2018年聯合研制成功 100G硅光收發芯片并于 2020年實現量產；2024年 OFC上聯合思科成功推出 1.6T OSFP-XD硅光光模塊 賽麗科技 公司 2021年成立，以化合物半導體材料為基礎，利用硅基 CMOS，MEMS平臺和Chiplet，TSV等先進封裝技術實現光電芯片高度集成，產品廣泛應用于汽車電子，高速數據通信，生物傳感器等。目前已推出基于硅基 CMOS兼容的調制器以及 5DIPS 光引擎 獵奇智能 2024年 OFC上，公司展示了其 800G硅光光模塊封裝工藝設備，其 HP-EB3300高精度共晶貼片設備在滿足常規 COC需求之外還支持硅光應用3微米的高精度

70、封裝 亨通光電 公司與 Rockley 合作布局硅光業務，2017年兩者共同成立江蘇亨通洛克利生產硅光光模塊，2020年亨通洛克利發布第一款樣品版 400G QSFP-DD DR4 硅光光模塊，2022年發布量產版 400G QSFP-DD DR4 硅光光模塊，并且基于硅光子技術成功推出國內第一臺 3.2T CPO 工作樣機 熹聯光芯 2021年完成對 Sicoya的并購，并基于 Sicoya硅光子技術自主設計研發了 400G QSFP-DD ZR、800G OSFP DR8、800G OSFP 2xFR4 等光模塊產品以及 400G DR4、800G 2*FR4 硅光引擎，主要應用于以太網、

71、數據中心及云計算等 阿里云 公司與 Elenion、海信寬帶在硅光領域深入合作，2019年推出基于硅光子技術的 400G DR4光模塊，但公司主要從網絡系統角度研究和規劃模塊技術，并不擅長基礎器件的生產 資料來源：各公司官網、訊石光通信網、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 20/58 2、AI 高速光通信時代，硅光子優勢逐步凸顯高速光通信時代，硅光子優勢逐步凸顯 2.1、1.6T 高速光通信時代高速光通信時代提速到來提速到來，硅光，硅光光光模塊或迎產業模塊或迎產業加速加速期期 硅光光模塊硅光光模塊具有高集成度、低功耗、低成本、小型化等優點。具有高

72、集成度、低功耗、低成本、小型化等優點。硅光光模塊與傳統光模塊相比，其工作原理基本相似，主要區別集中于基于 CMOS制造工藝進行硅光芯片集成所帶來的器件和技術差異。（1）從原理架構來看，）從原理架構來看，在實際光模塊應用中，硅光光模塊主要由控制單元、數字信號處理單元、發射單元以及接收單元幾大功能模塊組成。數字信號處理單元數字信號處理單元通過數字信號處理芯片（DSP）來對抗于補償信號失真，降低系統誤碼率；發射單發射單元元采用硅光子技術方案，區別于傳統 EML 方案，目前硅光方案中光源和調制器分開，激光器負責出光，硅光調制器負責調制光信號，實現電/光信號轉換；接收單元接收單元主要由波分解復用器、探測

73、器和跨阻放大器構成，探測器將波分解復用器分束過后的多路高速光信號轉換為高速電流信號，再經過跨阻放大器（TIA）處理放大，輸出至數字信號處理單元；控制單元控制單元使用微控制單元（MCU）芯片對模塊內各電芯片寄存器進行讀寫，實現對模塊的診斷和監控。圖圖21：硅光硅光光模塊與傳統光模塊光模塊與傳統光模塊原理原理架構架構基本相似基本相似 數據來源：宋澤國等400G FR4 硅光收發模塊的研究 （2）從器件方案）從器件方案來看，來看，不同于傳統光模塊的分立式結構，目前在實際硅光光模塊中，除激光器外，大部分已實現了多種光電器件的硅基集成，如各種硅基無源器件（波導、合分波器）、鍺硅探測器、硅調制器等。其中激

74、光器部分，激光器部分，目前硅光光模塊多采用外置 CW 激光器，一方面較 EML 激光器芯片可獲得成本上的優勢，另一方面外置激光器方案與硅光芯片的耦合帶了新的挑戰；調制器部分，調制器部分，隨著光模塊速率提升，不同于 EML 方案中的 EA 調制，硅光光模塊多采用 MZM 方案，可更為方便地通過增加通道數來提高帶寬，或帶來工藝和成本上的優勢；其他無源器件部分其他無源器件部分，除隔離器和連接器外，硅光芯片替代了大部分傳統光模塊中的無源器件，傳統器件中的透鏡和大型組件都被取代，陶瓷、銅等材料用量大幅降低，晶圓、硅光芯片等電子材料占比提升，價值向硅光芯片、硅光引擎轉移，整體有望進一步實現工藝簡化和成本控

75、制，同時硅光器件更高的集成密度帶來了芯片尺寸的大幅縮減，相較于傳統光模塊具備小型化優勢。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 21/58 圖圖22：傳統光模塊采用分立式結構傳統光模塊采用分立式結構 圖圖23：硅光光模塊硅光光模塊實現多種光電器件的硅基集成實現多種光電器件的硅基集成 資料來源：中科院微電子研究所 資料來源：徐芳露等硅光芯片-后摩爾時代的高速信息引擎（3）從工藝制造來看，）從工藝制造來看，硅光芯片技術較為成熟，從芯片到光模塊，硅光芯片技術較為成熟，從芯片到光模塊，但但封裝工封裝工藝上仍存在較多技術難點，封裝良率和成本仍有待優化。藝上仍存在較多技術難點，封

76、裝良率和成本仍有待優化。傳統分立式光模塊的制造過程中需要依次封裝電芯片、光芯片、透鏡、對準組件、光纖端面等器件，部件物料多，工序較為復雜，封裝過程自動化率較低，測試中需要手工將光模塊一個個進行對準耦合測試，需要投入較多人工成本，但整體工藝成熟度較高；目前基于硅光工藝已經能夠加工芯片級器件，可以利用傳統半導體產業非常成熟的硅晶圓加工工藝，在硅基底上利用蝕刻工藝可以快速加工大規模波導器件，利用外延生長等加工工藝，能夠制備調制器、接收器等關鍵器件，最終實現將調制器、接收器以及無源光學器件等高度集成，硅光芯片體積大幅減小，材料成本、芯片成本、封裝成本均有望進一步優化，同時可以通過晶圓測試等方法進行批量

77、測試，測試效率有望提升，但各主流廠商的設計和工藝路線存在多種技術路線，尚未形成統一的方案形成主流技術聚焦，從而更大程度的發揮 CMOS工藝的規模效應，進而實現成本和良率的持續優化；硅光光模塊封裝難度大，良率低，其中硅光接口封裝處于初期階段，主要瓶頸在于光電子芯片和光纖陣列組建的光接口封裝，其對準與封裝的精度要求高，封裝效率低，現階段的封裝技術難以實現高質量，低成本的封裝，產品良率限制了硅光光模塊的大規模量產；此外，硅光芯片可獲得量產化資源少，盡管硅光芯片與CMOS工藝兼容，但成熟的 CMOS資源不對外開放或者沒有硅光流片經驗。圖圖24：傳統光模塊生產關鍵工序傳統光模塊生產關鍵工序 資料來源：光

78、纖在線官網 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 22/58（4）從產業鏈角度來看，）從產業鏈角度來看，目前硅光產業主要包括三大類器件產品：硅光器件、硅光芯片和硅光光模塊。其中，硅光器件、硅光光模塊與傳統光模塊產業鏈相似。而硅光芯片則是作為高度集成的單芯片而并非傳統的分離多器件組合，因此主要在芯片產業鏈上有所差異?？偟膩碚f，從應用場景來看，在不同速率和距離的與傳輸距離下，總的來說，從應用場景來看，在不同速率和距離的與傳輸距離下，硅光子技術硅光子技術相比相比 III-V 器件競爭優勢有演進的過程。器件競爭優勢有演進的過程。在單通道波特率低于 25G，短距離傳輸(1 0

79、 0 0 k m）下沉到城域（1001000km）甚至邊緣接入網（100km）。另一方面在數通領域，相干技術也已經成為數據中心間互聯（DCI）的主流方案（80120km）。隨著相干光鏈路用量的快速增長，相干收發單元從原先和線卡集成方式、MSA 模塊逐步向行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 28/58 獨立的、標準化的可插拔光收發模塊形式演進。根據新思界產業研究中心發布的2023-2027 年相干光模塊行業深度市場調研及投資策略建議報告顯示，全球相干光模塊市場規模也明顯增長，2022 年全球相干光模塊市場規模在 20 億美元左右，預計到 2025年將達到 50億美元

80、左右。圖圖37：相干光通信基于相干調制和外差檢測技術相干光通信基于相干調制和外差檢測技術 資料來源：IT之家、開源證券研究所 目前應用于城域、骨干網絡的相干光模塊正在朝著高速化、小目前應用于城域、骨干網絡的相干光模塊正在朝著高速化、小型化、低功耗、型化、低功耗、可插拔、互聯互通、標準化方向發展：可插拔、互聯互通、標準化方向發展：高速化：高速化：從 100G/200G到 400G，再向 800Gbps 速率演進；小型化：小型化：從 100GMSA 的封裝形態向 CFP/CFP2DCO/ACO 封裝形態轉變，當前又提出了 400GOSFPDCO和 QSFP-DDDCO 等封裝標準；低功耗化：低功耗

81、化：考慮整體系統功耗要求例如 QSFP-DD 封裝的相干光模塊產品功耗不能高于 15W；互聯互通的標準化：互聯互通的標準化：傳統上各設備廠家使用自行開發的專用接口板，使用私有的高階調制方式及 FEC 算法，不同廠家接口之間無法互通；相干光模塊的互聯互通是業界正在努力的方向。圖圖38：400G 相 干 技 術 有相 干 技 術 有400ZR、OpenROADM、OpenZR+三種標準三種標準 圖圖39：OpenZR+MSA 應用范圍更為廣闊應用范圍更為廣闊 資料來源：中興官網 數據來源：中興官網 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 29/58 硅光相干光模塊具備產量

82、成本優勢。硅光相干光模塊具備產量成本優勢。相干光模塊中的核心芯片可以分為光芯片和電芯片兩大類。光芯片，包括雙偏 IQ 調制、激光器、相干光混頻器、平衡探測器；電芯片，包括調制器驅動器(driver)，跨阻放大器(TIA)，DSP 芯片。從芯片制造技術上來講，現在電驅動都是基于 Si 或 SiGe 材料用 CMOS 標準工藝流程做的，核心部分 DSP 芯片由于功耗和性能的要求，需要采用比較先進的 7nm 節點工藝制程。光芯片則可以分為兩大類，一類是基于 III-V 族材料如 InP 的，包括激光器，調制器，探測器(GaAs)。二是基于 Si基的，包括 Si基調制器，相干接收機等。其中，InP 平

83、臺更擅長做有源器件，而硅光在無源器件集成上存在優勢，從性能來看，目前 InP 要強于硅光，InP 材料具備較強的光發射能力，可以有效集成激光器，其次是光調制，InP 也具有更高的調制速率和更低的功耗。但是硅光具有大規模生產的優勢，具有低成本和高可靠性的預期，在功能性、集成度和降低封裝復雜度上面也更具優勢?？偟膩砜?，硅光有望在硅基 ITLA、IC-TROSA、DSP 集成共封裝器件等方面形成更廣泛的應用。圖圖40：相干光模塊相干光模塊(單盤單盤)功能示意圖功能示意圖 資料來源：Acacia 多廠商積極推進硅光相干光模塊發展。多廠商積極推進硅光相干光模塊發展。在硅光電信應用領域，成立于 2009

84、年的 Acacia 是遠距離硅光相干光模塊的領軍企業，2021 年被思科完成收購，其主要產品包括 DSP 芯片、硅光芯片，以及基于這兩者的相干光收發模塊，Acacia 擁有業內最廣泛的經過現場驗證的 400G MSA 相干可插拔產品組合，基于 Greylock DSP 交付了超過 250,000 個端口，其中包括 10,000 多個 Bright 400ZR+端口，2024 年推出最新硅基 800G ZR+模塊支持最近發布的 OpenROADM 規范，其中包括可互操作的 PCS傳輸能力。SiFotonics 已展示最新研發和量產應用于 800G/1.6T AI/DC,100G/400G/800

85、G 相干和 25G/50G PON 的全系列硅光新產品。Adtran 最新推出的 FSP 3000 M-Flex800將用于跨邊緣、城域和核心網絡的大容量傳輸解決方案。昂納科技在 ECOC 2022上演示基于自研硅光 COSA 和 nano-ITLA 的 400G ZR相干模塊，在 OFC 2024上，中際旭創展示搭載自研硅光芯片、Marvell Orion 相干 DSP 的 800G ZR/ZR+光模塊產品。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 30/58 圖圖41：Acacia 硅光相干光模塊集成度不斷提升硅光相干光模塊集成度不斷提升 圖圖42：SiFotoni

86、cs 相干硅光相干硅光 PIC 示意圖示意圖 資料來源：Acacia官網 資料來源：訊石光通訊網 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 31/58 2.2、CPO：硅光：硅光 CPO 或成為未來高速光通信發展方向或成為未來高速光通信發展方向 CPO 有望替代傳統可插拔光模塊。有望替代傳統可插拔光模塊。傳統光電互連采用的板邊光模塊，走線較長，寄生效應明顯，存在信號完整性問題，且模塊的體積較大、互連密度低、多通道功耗較大。共封裝技術將光收發單元與 ASIC 芯片封裝在一個封裝體內，通過將光子器件和電子器件封裝在同一個載板上，進一步縮短了光信號輸入和運算單元之間的電學互連

87、長度，在提高光模塊和 ASIC 芯片之間的互連密度的同時實現了更低的功耗。CPO 相較于可插拔光模塊，帶寬密度提升一個數量級，能量效率優化 40%以上。目前基于硅基材料的光電芯片共封裝技術發展最為迅速，理想情況下，CPO可以逐步取代傳統的可插拔光模塊，將硅光子模塊和超大規模 CMOS 芯片以更緊密的形式封裝在一起，從而使系統成本、功耗和尺寸都得到進一步優化。圖圖43：CPO 低功耗方案或成未來發展方向低功耗方案或成未來發展方向 資料來源：Yole 圖圖44：CPO 技術演化技術演化 資料來源：Cyriel Minkenberg 等Copackaged datacenter optics:Opp

88、ortunities and challenges 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 32/58 CPO 方案眾多，其中核心方案眾多，其中核心 PIC 多基于硅光方案多基于硅光方案。從物理結構分類，CPO 可分為 3種技術形態：2D 平面 CPO、2.5D CPO和 3D CPO。2D CPO：基于 2D 封裝的 CPO 技術是將光子集成電路 PIC 和集成電路 EIC 并排放置在基板或 PCB 上，通過引線或基板布線實現互連。2D 封裝的優點是易于封裝、靈活性高。電子集成電路和光子集成電路都可以使用不同的材料、不同的工藝單獨制作。根據芯片和基板互連方式不同，基

89、于 2D 封裝的技術發展出了基于引線鍵合的 CPO、基于倒裝的 CPO、基于扇出型晶圓級封裝技術的 CPO 3 種技術路徑。2.5D CPO：2.5D 封裝將 EIC 和 PIC 均倒裝在中介層（Interposer）上。通過中介層上的金屬互連 PIC 和 EIC，中介層與下方的封裝基板或 PCB 板相連。根據所用轉接板的材料不同，基于 2.5D 封裝的技術發展出了基于玻璃轉接板的 CPO、基于硅轉接板的 CPO和基于嵌入式多芯片互連橋接。3D CPO：3D 封裝技術將光電芯片進行垂直互連，可以不僅能實現更短的互連距離、更高的互連密度和更好的高頻性能，還能實現更低的功耗、更高的集成度和更緊湊的

90、封裝?；?3D封裝的 CPO技術是目前 CPO技術研究的熱點和趨勢。圖圖45：CPO 核心核心 PIC 多采用硅光方案多采用硅光方案 資料來源：卞玲艷等大數據時代光電共封技術的機遇與挑戰、開源證券研究所 交換機與光模塊公司在積極推進交換機與光模塊公司在積極推進 CPO 技術。技術。在“OFC 2020”會議上，Intel 推出首款 CPO 樣機，由 1.6Tbit/s 的硅光引擎與 12.8Tbit/s 的可編程以太網交換機集成。在“OFC 2021”會議上，Ranovus 發布了 Odin 品牌模擬驅動 CPO 2.0 架構。在“OFC 2022”會議上，Marvell 展示了其首款 CP

91、O樣機，帶寬為 1.6Tbit/s；Ranovus基于 AMD 的 Xilinx 計算加速平臺進行 CPO 2.0的聯合展示。在“OFC 2023”會議上，Broadcom 和 Marvell 分別發布了 51.2Tbit/s 的交換芯片。在“OFC 2024”會議上，Broadcom宣布已向客戶交付了業界首款 51.2Tbps CPO 以太網交換機Bailly，該產品將八個基于硅光子的 6.4-Tbps 光學引擎與博通 StrataXGS Tomahawk5 交換芯片集成在一起，使光互連的功耗降低了 70%，硅面積效率提高了 8 倍；聯發科宣布行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信

92、息披露和法律聲明 33/58 與 Ranovus 合作推出新的 CPO 解決方案；Lumentum 推出了專為 CPO 和硅光子800G 和 1.6T收發器應用而設計的超高輸出功率 1310nm DFB 激光器。圖圖46：Tofino 2 2020 Gen 采用硅光引擎采用硅光引擎 圖圖47：Broadcom 已交付已交付 51.2Tbps CPO 以太網交換機以太網交換機 資料來源：servethehome 資料來源：Broadcom官網 CPO 商用在即，市場前景廣闊。商用在即，市場前景廣闊。根據 Lightcounting 預計，CPO 出貨預計將從800G 和 1.6T端口開始，于 2

93、024 至 2025 年開始商用，2026至 2027年開始規模上量，主要應用于超大型云服務商的數通短距場景。全球 CPO 端口的銷售量將從 2023 年的 5萬增長到 2027 年的 450 萬。2027 年，CPO 端口在 800G 和 1.6T 出貨總數中占比接近 30%。Yole 報告數據顯示，2022 年 CPO 市場產生的收入達到約 3800萬美元，預計 2033 年將達到 26 億美元，2022-2033 年復合年增長率為 46%。圖圖48：CPO 市場前景廣闊市場前景廣闊 資料來源：Yole 硅光子技術硅光子技術有望充分受益于有望充分受益于 CPO 發展。發展。目前 CPO 仍

94、處于產業化初期，技術工藝上，CPO 在封裝工藝、仿真技術、可靠性、標準化等方面仍然面臨諸多挑戰；產業發展上，CPO 的技術路線優化本質上是對整個網絡架構的優化，需要數據中心整體產業鏈的協同推進；參與廠商上，當前 CPO 產業鏈包括設計、光引擎供應商、激光器供應商、交換機廠商、硅光代工廠、設備商等。我們認為，CPO 作為新型光電互連技術，在 AI 光通信迅速發展的背景下，CPO 或是實現高速率、大帶寬、低功耗的必經之路，有望成為光通信行業必備技術，特別是對目前基于可插拔光模塊行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 34/58 方案的產業鏈影響，CPO 已然成為學術和產業

95、界的研究重點，以及對傳統光模塊廠商的綜合考驗。其中硅光子技術作為 CPO 的核心技術之一，有望充分受益于 CPO的發展需求，并成為各大廠商的戰略布局重心。表表6：海內海內外廠商積極外廠商積極 CPO技術技術 廠商名稱 發展現狀 國外 Intel 在 ISSCC2024上，Intel展示了其在 CPO領域的最新進展“A 464Gb/s NRZ 1.3pJ/b Co-Packaged and Fiber-Terminated 4-Ch VCSEL-Based Optical Transmitter”，通過利用 VCSEL陣列和 driver芯片等實現了低功耗的高速信號傳輸 Acacia 2020

96、年推出 400 G 硅光光模塊方案，先將分立光器件集成為 PIC（Photonic Integrated Circuit）芯片，再與自研 DSP 電芯片集成在 SOI（Silicon-On-Insulator）上，最終外接激光器封裝成光模塊 Cisco 在 OFC 2023 上，Cisco進行了 CPO演示，Cisco CPO 路由器配備了一整套基于硅光子學的共封裝光學瓦片，驅動 64x400G FR4，也基于帶 CPO 基板的 Cisco Silicon One G100 ASIC。此外，Cisco也與芯片制造商 Inphi 在 CPO 技術領域展開合作，計劃未來推出基于 CPO 技術的 5

97、1.2 Tbps 交換機 Marvell 2022 年推出基于 2.5D CPO 技術的 12.8 Tbps Teralynx 7 交換機；2023 年，推出由超低延遲 Marvell Teralynx 10 51.2 Tbps 交換芯片和業界首款 PAM4 1.6 Tbps 光電平臺 Marvell Nova 組成的新平臺；2024OFC 上，展示其 3D 硅光（SiPho）引擎，該硅光引擎利用先進的 3D 封裝和其他 Marvell 技術，將數百個組件集成到單個設備中，組件集成和更大的帶寬輸入/輸出（I/O）密度，為生產針對不同用例和封裝（從可插拔到未來的 CPO）進行優化的寬范圍光學互連

98、提供了一條途徑 Broadcom 2022 年在 OFC 上發布首款 CPO 交換機，將 25.6 Tbps Tomahawk 4 交換機芯片和光學部件共同封裝；2023 年，推出了最新的交換機產品 Tomahawk StrataXGS 5，采用了 CPO 技術將交換機芯片和 100 G PAM4 接口共同封裝在一起，達到了 51.2 Tbps 的交換容量，功耗僅需 5.5 W，擁有 800 Gbps 的速率，由于采用光學共封裝技術，光學連接所需的功率降低 50%以上；2024，博通向其客戶交付了業界首款 51.2 太比特/秒（Tbps）共封裝光纖（CPO）以太網交換機 Bailly，并在 2

99、024OFC上展示了其 Bailly 51.2T CPO以太網交換機系統以及 6.4T光引擎與包含 HBM、logic、PHY的多芯片模塊共同封裝 國內 光迅科技 2023 年的 OFC 上領先發布了可以支持 3.2 T CPO 光引擎的自研光源模塊，為后續推出 CPO 產品做技術鋪墊來；2024年，光迅科技在 OFC 大會上與 OIF聯合展示了 CPO交換機多端口兼容 ELSFP 亨通光電 2021 年，亨通光電和英國 Rockley 合作推出了國內首臺 3.2 T CPO 工作樣機 銳捷網絡 2021年，發布了首款基于 112G SerDes 交換芯片并由 16個 1.6Tbps CPO

100、模塊組成的 25.6 Tbps CPO 交換機；2022年，將 CPO 模塊從 1.6 Tbps 升級到 3.2 Tbps，發布了 51.2 Tbps 的 CPO 交換機 中際旭創 2021 年開始進行關鍵技術的預研，持續打造先進光子芯片產業化技術平臺和 2.5D、3D 混合封裝平臺；2022年底，旭創技術研究院正式發布一款應用于共封裝光學的高密度光學連接器 天孚通信 2022 年 OFC 上展示了為 400G/800G 光模塊配套應用的光引擎產品，2023 年 OFC 上展示了為 1.6T/800G光模塊配套應用的光引擎產品，2024 年 OFC 上展示了為 1.6T/800G 光模塊配套應

101、用的 Mux TOSA、Demux POSA、Lensed FAU等光引擎產品和解決方案 資料來源：芯智訊官網、訊石光通訊網、各公司官網、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 35/58 2.3、OIO：硅光子技術硅光子技術是片間互聯的重要解決方案是片間互聯的重要解決方案 光互連有望解決片間互聯光互連有望解決片間互聯的瓶頸問題。的瓶頸問題。芯片間通信主要采用片間互聯技術（如PCIe、以太網、RapidIO、SPI 等），隨著芯片制程的逐步縮小，芯片的互連線也需要越來越細，互連線間距縮小，電子元件之間引起的寄生效應也會越來越影響電路的性能，因此互連線引

102、起的各種效應成為影響芯片性能的重要因素。特別是隨著 AI 對數據中心等通信基礎設施的傳輸效率提出了更高的要求，傳統技術方案中銅 I/O正在接近物理極限，將難以支持數據中心服務器的密度提升，同時其集成度低、功耗高的問題也逐漸顯現。光互連不同于傳統互連材料如鋁、銅、碳納米管等，不易受到互連線材料的物理極限影響；在制造工藝上，光子芯片和電子芯片雖然在流程和復雜程度上相似，但光子芯片對結構的要求不如電子芯片嚴苛，一般是百納米級，降低了對先進工藝的依賴度，因此，在 AI 高速通信時代，光互聯有望成為片間互聯的理想選擇。OIO 主要解決計算芯片之間的互聯問題。主要解決計算芯片之間的互聯問題。OIO（In-

103、Package Optical I/O）是一種基于芯片的光互聯解決方案，與計算芯片（CPU、GPU、XPU）集成在同一封裝中，旨在實現分布式計算系統中它們之間的無縫通信（跨板、機架和計算行），在相同能效情況下，OIO 的邊帶寬密度與 UCle、NVlink、PCIe 等電互連相當，但傳輸距離遠超電互連。OIO 基于光互連低延遲、高帶寬和低能耗的特點，非常適用于計算結構（即內存語義結構），有望成為為機器學習擴展、資源分解和內存池定制的新數據中心架構的關鍵驅動力。圖圖49：OIO 是一種芯片的光互連解決方案是一種芯片的光互連解決方案 資料來源：Cadence官網 OIO 作為一種片間互聯解決方案，

104、在產品形態上，也是將光芯片與電芯片封裝作為一種片間互聯解決方案，在產品形態上，也是將光芯片與電芯片封裝在同一基板上，因此與在同一基板上，因此與 CPO 具有一些異同點：具有一些異同點：從封裝形式上看，從封裝形式上看，OIO 的 In-package Optics（IPO）與 CPO 結構相似，不過CPO 針對的是交換芯片，OIO 針對的是計算芯片；從技術功能上看，從技術功能上看，CPO 主要面向大型以太網網絡交換機，是可插拔光學器件的替代策略；OIO主要面向分布式計算系統，是 electrical I/O 的替代策略；從性能效率上看，從性能效率上看，OIO 帶寬密度、功耗、延遲等指標較 CPO

105、 進一步提升，根據 Intel 的數據，單個 CPO 模塊的帶寬為 1.6-3.2Tbps，帶寬密度為 50-200Gbps/mm，能效為 15pJ/bit，而 OIO 的總帶寬為 40Tbps,帶寬密度為 5Tbps/mm,能效為 3pJ/bit。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 36/58 圖圖50：OIO 典型結構典型結構 圖圖51：OIO 性能性能效率優于效率優于 CPO 資料來源：Cadence官網 資料來源：Cadence官網 硅光方案高度契合硅光方案高度契合 OIO 發展需求。發展需求。硅光子技術目標就是在芯片上集成光電轉換和傳輸模塊，使芯片間光信

106、號交換成為可能：電流從計算核心流出，到轉換模塊通過光電效應轉換為光信號發射到電路板上鋪設的超細光纖，到另一塊芯片后再轉換為電信號，其本身具備尺寸小、功耗低、同 CMOS 工藝兼容、可集成、成本低等優點，且由于采用與集成電路兼容的工藝制作，可方便地在電學芯片的內部引入硅基集成光路，實現光通信電路與控制電路和驅動電路的緊密集成，進一步降低成本，因此硅基光互連是實現片間光互連的理想平臺。目前 OIO 領域有較強實力的企業Ayar Labs 就是結合了硅光子技術和 Chiplet 來設計新一代片間互聯產品，其產品主要包括 TeraPHY（光信號互聯芯片）和 SuperNova（獨立激光器），兩者經常配

107、合使用，其中 TeraPHY 硅光芯片采用體積小、功耗低的微環調制器，利用多個波長攜帶信號來提高帶寬密度，當前產品通過 8 個光端口實現了 4096 Gbps 的雙向吞吐量，每個鏈路支持每個光口 256Gbps，每個光口有 8個波長，每個波長 32Gbps。圖圖52：TeraPHY 和和 SuperNova 典型鏈路典型鏈路 圖圖53：TeraPHY 采用硅光微環調制器采用硅光微環調制器 資料來源：foresightnews 資料來源：Ayar Labs官網 各 大 芯 片 巨 頭 積 極 布 局各 大 芯 片 巨 頭 積 極 布 局 OIO 領 域。領 域。Intel 和 Ayar Labs

108、 合 作 多 年，Supercomputing 2023 大會上展示了將 2顆 4Tb/s帶寬的 TeraPHY OIO chiplet 嵌入到 Intel Agilex FPGA 中，并由兩個 SuperNova 光源支持每個 chiplet上 8根光纖的 64 個光通道的高速光通信；NVIDIA 與 Ayar Labs 合作開發基于 OIO 的下一代解決方案，同時 NVIDIA 內部也有自己的硅光團隊開發相關技術；AMD 收購 Xilinx，OFC2022會議上和 Ranovus合作發布了一款將 Versal ACAP和 Ranovus 的 Odin 光通信模組集成在一起的系統；在 202

109、3 OCP 全球峰會上，三星提出了在 HBM與 Logic芯片間采用 OIO 技術進行數據互聯，并給出了兩個可能的芯片架構。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 37/58 圖圖54：Intel 展示展示 FPGA 間通過間通過 OIO 實現信號互連實現信號互連 圖圖55：三星提出三星提出 HBM 與與 Logic 芯片間芯片間 OIO互聯互聯 資料來源：Intel官網 資料來源：EDN China官網 硅光子技術硅光子技術有望充分受益于有望充分受益于 OIO 發展。發展。我們認為，OIO 目前仍處于起步階段，其技術落地難度相對較大，需要與計算芯片聯合設計仿真優化，

110、在物理層和協議層方面都需要進一步創新。不同于 CPO 主要針對網絡架構，針對計算架構的 OIO 中硅光+Chiplet 或成為主流解決方案，因此主要參與者多為頭部芯片廠商及硅光初創公司/設計公司企業?？偟膩砜?，隨著 AI 技術對算力的持續需求，芯片間數據傳輸不斷增大，OIO 的技術優勢有望不斷凸顯，作為 OIO 理想平臺的硅光子技術也有望得到進一步發展。據據 Yole 預測，預測，OIO市場有望從市場有望從 2022 年的年的 500 萬美元增長到萬美元增長到 2033年的年的 23 億美元。億美元。圖圖56：ASE、AMD、Intel、微軟等十大行業巨頭聯合制定、微軟等十大行業巨頭聯合制定

111、UCIe 數據來源：UCIe官網 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 38/58 3、硅光子在智能駕駛、光計算等多領域應用潛力大硅光子在智能駕駛、光計算等多領域應用潛力大 硅光子技術的硅光子技術的 CMOS 工藝兼容、高集成度、波導特性在眾多領域存在應用可工藝兼容、高集成度、波導特性在眾多領域存在應用可能，如智能駕駛、光計算、消費電子等方向有很大的發展能，如智能駕駛、光計算、消費電子等方向有很大的發展空間?？臻g。3.1、智能駕駛：硅光固態激光雷達技術路線是未來激光雷達發展的優選智能駕駛：硅光固態激光雷達技術路線是未來激光雷達發展的優選方向方向 車載激光雷達市場前景

112、廣闊。車載激光雷達市場前景廣闊。激光雷達是一種使用激光脈沖來測量障礙物距離的傳感技術。隨著技術的進步和激光雷達制造成本的降低，目前已成為自動駕駛、無人機、智能機器人等領域的關鍵傳感技術，特別是作為自動駕駛的核心組成，其車載領域的應用具備廣闊的成長空間。根據深圳自動駕駛智能研究中心、車控CHEK 和 HiEV 聯合發布的車載前裝激光雷達全球發展報告（2022）預測，到2027年，全球激光雷達的發貨量將接近 300 萬臺，年復合增長率將達到 76%，全球市場規模將達到近 60億元人民幣。圖圖57：乘用車前裝雷達發貨量迅速提升乘用車前裝雷達發貨量迅速提升 數據來源：車載前裝激光雷達全球發展報告（20

113、22）、開源證券研究所 硅光方案助力激光雷達降本放量。硅光方案助力激光雷達降本放量。激光雷達技術方案眾多，硅光芯片化集成有望助力激光雷達完成成本控制進而實現上車放量，硅光固態激光雷達或成未來發展方向。從技術上看，自動駕駛所使用的激光雷達主要涉及探測技術和掃描技術。探測技術主要有脈沖飛行時間（ToF）和調頻連續波（FMCW）兩種模式；掃描技術可分為機械、半固態（如 MEMS、轉鏡）和全固態（如色散、Flash 和 OPA）等。不同廠商的激光雷達采用了不同的探測技術、掃描技術和激光波長。從發展趨勢來看，激光波長正在從 905 向 1550 納米演進，探測技術正在從 ToF 向 FMCW 演進，掃描

114、方式正在從機械向半固態、全固態演進。從產業發展來看，激光雷達要實現規?；慨a上車需要滿足高性能和低成本兩方面，目前多數方案都是依靠各類分立器件的集成來實現雷達系統，缺點是成本高、尺寸大、功耗高、可靠性低，在大規模上車上存在挑戰。通過硅光子技術實現芯片化集成，可以降低系統成本、實現規?；瘧?，具備高性能、低成本、小尺寸、低功耗等優點。具體方案上，硅光固態激光雷達包括硅基相控陣激光雷達和硅基光開關陣列激光雷達兩種：硅基相控陣激光雷達就是將光源、光分束器、相位調制器、光轉束器、探測器等集成在幾平方毫米的區域，快速識別遠方目標；硅基光開關陣列激光雷達是通過將激光器發射的光經過硅基上的光開關陣列傳輸到特

115、定位置的光學天線，并配合天線上方設置的透鏡實現光束偏轉。05010015020025030020222023E2024E2025E2026E2027ELiDAR出貨量/萬顆全球中國海外行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 39/58 表表7：硅光方案激光雷達成本較低硅光方案激光雷達成本較低 激光雷達分類激光雷達分類 優點優點 缺點缺點 機械式激光雷達 器件成熟，已實現量產 體積大 價格高 機械部件(穩定性及耐久性差)MEMS 激光雷達 微機電掃描形式 體積小，結構簡單 價格較便宜 MEMS 環境適應性較差 不易通過車規標準 暫未大規模應用 全 固 態 激 光 雷 達

116、 Flash 激光雷達 微機電掃描形式 體積小，結構簡單 價格較便宜 需要較高的激光能量，可能傷到人眼 成本高 信號處理難度高，不易民用 TOF 相機 無掃描結構 探測距離遠 需要固體激光器或多個半導體激光器的陣列 功耗大 探測距離短 硅基相控陣 激光雷達 無掃描結構 成本較便宜 技術難度大 硅基光開關陣列 激光雷達 CMOS 工藝流片 產量大 無機械掃描部件 成本低 性能優異 尺寸小 起步最晚 資料來源：王鵬飛等硅基集成激光雷達技術、開源證券研究所 硅光硅光 FMCW 的解決方案獲企業布局。的解決方案獲企業布局。從實際應用來看，Intel Mobileye、Aeva正積極推進硅光 FMCW

117、激光雷達的應用，2024 年 1 月 8 日，Aeva 宣布推出首款專為量產汽車應用而設計的 4D LiDAR 傳感器 Aeva Atlas，其 CoreVision正是基于硅光構建，利用硅光子技術取代了傳統 Tof 激光雷達中的復雜光纖系統，并以合適的成本實現量產；在 CES 2021 大會上，Mobileye 展示了與 Intel 合作開發的硅光FMCW 激光雷達芯片，預計 2025年實現上車。圖圖58：Aeva 硅光硅光 FMCW 激光雷達激光雷達 圖圖59：Mobileye 硅光硅光 FMCW 激光雷達集成芯片激光雷達集成芯片 資料來源：Aeva官網 資料來源：訊石光通信網 行業深度報

118、告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 40/58 3.2、光計算：硅光有望成為實現集成光計算系統的主要材料平臺光計算：硅光有望成為實現集成光計算系統的主要材料平臺 光計算有望突破電子計算瓶頸。光計算有望突破電子計算瓶頸。光計算是采用光作為信息處理的基本載體，基于光學單元構建光學系統，通過必要的光學操作，從而實現信息處理或數據運算的新型計算體系。隨著全球算力規模的不斷擴大以及算力升級面臨的低碳問題，光計算相較于傳統電子計算機具備天然的并行計算能力、低功耗、高速低時延、抗干擾能力強等優點，在特定場景中，有望替代傳統電子計算機，是解決摩爾定律困境以及馮諾依曼架構瓶頸問題具備潛力的途

119、徑之一。21 世紀初至今，光計算已成為當前大規模復雜計算的重要解決方案，可以在人工智能、氣象監測、金融投資、生物醫藥等諸多領域發揮重要作用，是各國積極推進的重點項目之一。圖圖60：光計算多方面性能優于電計算光計算多方面性能優于電計算 數據來源：中國信通院光計算技術與產業發展研究報告(2023年)、開源證券研究所 光計算按照物理實現的方式可分為基于經典光學的計算（光經典計算）和基于量子光學的計算（光量子計算），兩者結構上一般包括：光發射部分、光處理部分、光探測部分等。（1）光發射部分：光經典計算包括激光器和調制器，而光量子計算包括激光器和量子態制備裝置。（2）光處理部分：兩種計算方式均可以分為邏

120、輯門型和非邏輯門型兩大類。光經典計算利用折射、散射、非線性效應等，基于馬赫增德爾干涉儀（MZI）、微環等結構進行計算；光量子計算利用量子疊加、量子糾纏效應等，將經典光學器件進行量子應用。（3）光接收部分：光量子計算需采用靈敏度更高的探測器，如雪崩二極管、超導納米線探測器等，而光經典計算對探測器的靈敏度要求略低。圖圖61：光經典計算和光量子計算結構系統結構相似光經典計算和光量子計算結構系統結構相似 資料來源：中國信通院光計算技術與產業發展研究報告(2023年)、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 41/58 光經典計算可利用光的波動特性如折射、衍射等

121、規律來實現計算功能。光經典計算可利用光的波動特性如折射、衍射等規律來實現計算功能。在光經典計算中，光被用作信息處理的基本載體，通過光學單元構建光學系統，實現信息處理或數據運算的新型計算體系。目前光電混合光計算是當前主流計算框架，“結構即功能”的專用模擬計算近年來成為發展熱點。預計發展路線將從初步落地到拓展應用場景再到更為大眾的市場中去。當前產業鏈整體成熟度偏低，產品種類偏少且產量有限，但全球范圍內的研究與投資熱情增長。硅光是硅光因其硅光是硅光因其 CMOS 工藝兼容、集成度高等優勢，有望成為集成光計算系工藝兼容、集成度高等優勢，有望成為集成光計算系統的主要平臺統的主要平臺。典型的硅基光計算案例

122、包括 2x2 MZI 陣列提供矩陣矢量積實現矩陣運算、光波導延遲線實現蓄水池計算、多模干涉儀和相移陣列或等離子激元實現傅里葉變換、微環/亞波長超材料實現積分計算等。未來基于光電混合集成、異質集成等工藝，可實現不同功能單元的更高效集成，進一步提升系統的集成度?；诠韫馄脚_的神經網絡逐步走向商業化?；诠韫馄脚_的神經網絡逐步走向商業化。各該公司采用的光計算核心原理基本相同，打造一個用于通用矩陣乘法運算（GEMM）的光子矩陣，再集成 DAC、ADC、跨阻放大器（TIA）和光電探測器（PD）等其他模擬和光電器件，來替代目前深度學習和科學計算任務中的其他 ASIC 硬件。例如，美國 AI 芯片公司Lig

123、htmatter 推出通用光子 AI 加速器方案“Envise”；曦智科技于 2021 年發布光子計算處理器“PACE”。Envise：其光計算核心原理基本相同，打造一個用于通用矩陣乘法運算（GEMM）的光子矩陣，再集成 DAC、ADC、跨阻放大器（TIA）和光電探測器（PD）等其他模擬和光電器件，來替代目前深度學習和科學計算任務中的其他ASIC 硬件，根據 Lightmatter 數據，配有 4 個 Envise 光子芯片的服務器里，同時運行 BERT 機器學習模型，可實現比英偉達 DGX-A100 高三倍的推理性能和 7 倍以上的能效比。PACE：在 PACE 中，單個光子芯片集成了超了一

124、萬個光子器件，時鐘速度達到 1GHz，在運行特定循環神經網絡時，速度可以達到高端 GPU 的數百倍，pace 包含一個 64x64 的光學矩陣，由集成硅光芯片和 CMOS 芯片 3D 堆疊而成，其 3D 封裝或基于 Cadence的 Integrity 3D-IC 和 Innovus 平臺打造與設計。圖圖62：光經典計算技術框架光經典計算技術框架 圖圖63：歐美企業積極布局光經典計算歐美企業積極布局光經典計算 資料來源：中國信通院光計算技術與產業發展研究報告(2023年)資料來源：中國信通院光計算技術與產業發展研究報告(2023年)、開源證券研究所 光量子計算是以光子作為量子比特進行計算，通過

125、對光子進行量子操控及測量光量子計算是以光子作為量子比特進行計算，通過對光子進行量子操控及測量來完成計算。來完成計算。光量子計算是基于量子光學的計算方式，可以利用光的量子特性來實現更加高效和強大的計算功能。目前分層式架構為主流，計算平臺的發展路線預計將，從光量子計算優越性驗證到含噪聲的中規模光量子計算，而通用容錯型光量子行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 42/58 計算機是光量子計算發展的終極目標?，F階段光量子計算仍處于實驗室研發的初級階段，核心參與者不多，科研與市場活躍度呈現增長趨勢。硅基集成光量子芯片為大規模光量子計算及量子信息處理實現提供了有效途徑。硅基集成

126、光量子芯片為大規模光量子計算及量子信息處理實現提供了有效途徑。光量子計算關鍵硬件組件包括量子光源、單光子探測器以及光量子芯片，其中光量子芯片是核心，是各企業研發重點。硅材料具有很強的三階非線性效應和緊致模式約束特性，利用半導體微納加工工藝，可以實現高密度片上集成的光量子芯片基礎器件，如光波導、光分束器、光耦合器、光調制器等，總之得益于其硅基光量子芯片技術的大規模集成、可編程配置等優勢，推動其在基于光學系統的量子計算、量子模擬以及量子信息處理等應用方面取得了一系列進展，在未來實現可實用化大規模光量子計算與信息處理應用方面展示出較大潛力。多個光量子計算企業通過與芯片制造商合作或自建芯片實現研發光量

127、子芯片。美國 PsiQ 與全球領先半導體制造商 GlobalFoundries 合作研發基于硅光集成光量子系統 Q1。加拿大 Xanadu 與 Imec 合作開發了基于超低損耗氮化硅波導的下一代量子比特。Xanadu與 GlobalFoundries 合作制造了 300 mm 硅光器件。世界領先的量子信息公司 Infleption2024 年宣布收購兩家集成硅光子公司 SiNoptiq 和 Morton Photonics。圖圖64：光量子計算技術框架光量子計算技術框架 圖圖65：多國企業積極布局光量子計算多國企業積極布局光量子計算 資料來源：中國信通院光計算技術與產業發展研究報告(2023年

128、)資料來源：中國信通院光計算技術與產業發展研究報告(2023年)、開源證券研究所 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 43/58 3.3、消費電子：消費電子：硅光子技術硅光子技術高集成度契合消費電子的空間需求高集成度契合消費電子的空間需求 消費電子需要在有限空間內集成較多器件，對尺寸較為敏感，硅光的高集成特性契合消費電子的需求，如可穿戴設備、生物醫療等。2023 年 Apple 基于硅光子技術和光學吸收譜技術的無創傷血糖儀項目取得進展，該項目通過硅光子技術和光學吸收譜技術向皮膚發射特定波長的激光，該區域血液中的血糖會吸收部分光波，傳感器通過反射光使用算法計算佩戴者

129、的血糖濃度，通過無創傷手段、連續不間斷檢測佩戴者的血糖水平，有利于糖尿病患者更好控制病情，該功能未來將集成至Apple Watch 產品中。根據 Yole Group 預測，2027 年基于硅光子技術的消費醫療市場規模有望達到 24 億美元。圖圖66：Apple Watch 有望搭載基于有望搭載基于硅光子技術硅光子技術的無創血糖監測功能的無創血糖監測功能 資料來源：Apple官網 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 44/58 4、受益標的梳理受益標的梳理 我們認為，國內企業國普遍較晚參與到硅光產業我們認為，國內企業國普遍較晚參與到硅光產業鏈，且布局領域多為光通信

130、領鏈，且布局領域多為光通信領域，需重點關注以下板塊：域，需重點關注以下板塊：（1）硅光硅光光光器件器件/光光模塊廠商：模塊廠商：隨著 AIGC 發展，硅光子技術在高速光通信時代有望迎來發展熱潮，對傳統光通信產業格局或帶來深遠影響，一方面硅光器件/模塊廠商有望充分受益于產業發展，另一方面，硅光芯片具有較高產業壁壘，頭部廠商的深度布局有望迎來新一輪產業演化；（2）硅光硅光 CW 光源供應商：光源供應商：硅光光源集成作為目前硅光子技術一大技術難題，目前外置 CW 光源是硅光光模塊的主流方案，且可進一步應用于 CPO 等場景，隨著光通信速率需求的不斷提升，硅光光模塊的通道數也隨之增長，CW 光源需求量

131、有望得到進一步發展；（3）硅光工藝配套廠商：）硅光工藝配套廠商：從硅光工藝流程看，硅光與微電子技術逐步趨同，隨著硅光子技術的進一步普及及發展，需高度重視配套工藝設備、軟件廠商的投資機會。圖圖67：硅光硅光產業鏈受益標的梳理產業鏈受益標的梳理 資料來源：開源證券研究所 1、中際旭創：中際旭創：國內光模塊龍頭企業，國內光模塊龍頭企業，優先推出優先推出硅光硅光解決方案解決方案 中際旭創是國內光模塊龍頭企業，公司集高端光通信收發模塊的研發、設計、封裝、測試和銷售于一體，為云數據中心客戶提供 100G、200G、400G 和 800G 等高速光模塊，為電信設備商客戶提供 5G 前傳、中傳和回傳光模塊以及

132、應用于骨干網和核心網傳輸光模塊等高端整體解決方案。憑借行業領先的技術研發能力、低成本產品制造能力和全面交付能力等優勢，公司贏得了海內外客戶的廣泛認可，市場份額持續提升，在 Lightcounting 在最新發布的 2022 年度光模塊廠商排名中，公司和行業頭部企業并列全球第一。公司持續專注于云計算數據中心及 5G 網絡等核心市場，進一步加大 800G、1.6T 及以上高速率光模塊、電信級光模塊、硅光和相干等核心產品或技術的投入與研究，積極推動高端光通信收發模塊領域的發展。公司擁有單模并行光學設計與精密制造技術，多模并行光學設計與耦合技術、高速電子器件設計、仿真、測試技術，并自主開發了全自動、高

133、效率的組裝測試平臺，且在業內率先使用 ChiponBoard（COB）光電子器件設計與封裝技術。2020 年 12 月 4 日，公司在 ECOC2020 線上行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 45/58 展會中推出業界首個 800G 可插拔 OSFP 和 QSFP-DD800 系列光模塊。2022 年，在 OFC2022 現 場 展 示 基 于 自 主 設 計 硅 光 芯 片 800G 可 插 拔 OSFP2*FR4 和 QSFPDD800DR8+硅光光模塊。2023 年，公司在 OFC2023 現場演示了 1.6T OSFP-XD DR8+可插拔光模塊、基于

134、5nm DSP 和先進硅光子技術的第二代 800G 光模塊以及 400G ZR 和 400D ZR+QSFP-DD 相干光模塊。在 OFC 2024 期間，公司演示面向人工智能和數據中心應用的 800G 和 1.6Tbps 硅光光模塊解決方案，包括采用自研硅光芯片和線性 Driver/TIA的 1.6T-DR8 OSFP 模塊、搭載自研硅光芯片的相干引擎的硅光 800G-ZR OSFP 相干模塊等。2、天孚通信：天孚通信：國內光器件國內光器件龍頭龍頭企業，積極布局硅光領企業，積極布局硅光領域域 公司定位光器件整體解決方案提供商，專業從事高速光器件的研發、規模量產和銷售業務。近年公司主營的光器件

135、產品的應用領域由光通信行業向激光雷達等領域延伸拓展。在光通信板塊，公司下游客戶提供垂直整合一站式解決方案，包括高速率同軸器件封裝解決方案，高速率 BOX 器件封裝解決方案，AWG 系列光器件無源解決方案、微光學解決方案等；在激光雷達和醫療檢測板塊，公司依托現有成熟的光通信行業光器件研發平臺，利用團隊在基礎材料和元器件、光學設計、集成封裝等多個領域的專業積累，擴展為下游激光雷達等客戶提供配套新產品，包括了基礎元件類產品和集成器件產品。在 OFC 2024 大會上，公司重點展示為 1.6T/800G光模塊配套應用的 Mux TOSA、Demux POSA、Lensed FAU 等光引擎產品和解決方

136、案。在硅光領域，公司正積極布局適用于各種特殊應用場景的 Fiber Array，器件產品開發，以期能滿足高溫回流焊工藝產品，迎合硅光客戶的應用需求；針對硅光類產品高功率要求，開發能適應高功率應用的 AWG 及 PLC 類器件，目前已進入小批量階段。3、新易盛：新易盛：國內光模塊領軍企業，國內光模塊領軍企業，已已成功推出硅光產品成功推出硅光產品 公司業務主要涵蓋全系列光通信應用的光模塊，一直致力于高性能光模塊的研發、生產和銷售，產品服務于于 AI/ML 集群、云數據中心、數據通信、5G 無線網絡、電信傳輸、固網接入等領域的國內外客戶。公司為云數據中心客戶提供 100G、200G、400G、800

137、G 及 1.6T 光模塊產品；為電信設備商客戶提供 5G 前傳、中傳和回傳光模塊、以及應用于城域網、骨干網和核心網傳輸的光模塊解決方案。經過十多年的發展，已在本行業客戶中擁有較高的品牌優勢和影響力。公司自成立以來一直專注于光模塊的研發、生產和銷售，公司是國內少數批量交付運用于數據中心市場的 100G、200G、400G、800G 高速光模塊、掌握高速率光器件芯片封裝和光器件封裝的企業，已成功研發出涵蓋 5G 前傳、中傳、回傳的25G、50G、100G、200G 系列光模塊產品并實現批量交付。公司高速率光模塊、硅光光模塊、相干光模塊、800G LPO 光模塊等相關新產品新技術研發項目取得多項突破

138、和進展，高速率光模塊產品銷售占比持續提升，目前已成功推出基于 VCSEL/EML、硅光及薄膜鈮酸鋰方案的 400G、800G、1.6T 系列高速光模塊產品，和 400G 和 800G ZR/ZR+相干光模塊產品、以及基于 100G/lane 和 200G/lane 的 400G/800G LPO 光模塊產品。在 OFC 2024 大會上，公司展示了基于 212 Gb/s VCSEL 技術搭建的光模塊傳輸鏈路經過多年來發展，公司新產品研發和市場拓展工作持續取得進展，目前已與全球主流互聯網廠商及通信設備商建立起了良好的合作關系。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 46

139、/58 4、亨通光電：亨通光電：與英國硅光子公司合資成立亨通洛克利與英國硅光子公司合資成立亨通洛克利，較早布局硅光領域，較早布局硅光領域 公司專注于通信和能源兩大領域，具備集“設計、研發、制造、銷售與服務”一體化的綜合能力，并通過全球化產業與營銷網絡布局，致力于成為全球領先的信息與能源互聯解決方案服務商。在通信網絡業務方面，公司聚焦新一代通信產業與核心技術的研發創新，積極拓展海洋通信、光模塊、智慧城市等領域業務，構筑形成通信產業從產品到服務的全產業鏈及自主核心技術。在光模塊領域，公司致力于光模塊及光互聯綜合解決方案的開發與制造。面向 5G 前傳、F5G 全光網、數據中心互聯三大應用場景，成功推

140、出數據中心與超算應用的 400G 和 800G 光模塊，核心路由器集群互聯應用的 300G CXP2 AOC，F5G 應用的 XGPON、XGSPON、25G PON、NGPON2 光模塊以及 5G 前傳應用的 10G、25G CWDM 彩光與 DWDM 可調系列光模塊。公司入選中國電信國家重點研發計劃“T 比特級超長跨距光傳輸系統關鍵技術研究與應用示范”建設工程(400G 高速光模塊、100G 高速光模塊)項目和“低功耗高集成度高性能 100G 光傳輸系統研究與應用示范”建設工程(100G、400G 高速光模塊)項目，成為這兩個項目 100G、400G光模塊唯一提供商。400G 光模塊產品可

141、全面滿足國內外數據中心需求。目前，公司 400G 光模塊產品已在國內外市場獲得小批量應用。800G 光模塊產品在領先交換機設備廠商通過測試，將根據市場情況導入量產。在硅光方面，2017 年 12 月，公司與英國洛克利硅光子公司共同出資，設立江蘇亨通洛克利科技有限公司，從事25/100G 硅光光模塊生產銷售，2018 年 9 月，公司與英國洛克利硅光子公司合作的 100G 硅光子模塊項目完成了 100Gbps 硅光芯片的首件試制和可靠性測試，完成了硅光子芯片測試平臺搭建在 OFC2023 上，公司展示了 400G 和 800G 系列產品，包括基于最新硅光方案的 400G DR4，以及 EML 方

142、案的 400G FR4、400G LR4 和 800G DR8 等產品。其中，400G DR4 硅光光模塊為全新升級方案，基于 6nmDSP 和先進硅光子技術平臺、優秀的電源設計和領先的 DSP 技術，該產品在 0-70溫度范圍內，以低于 9W 的低功耗和低誤碼率性能完美支持 2 公里的傳輸距離應用。此外，公司在 CPO光電協同封裝的布局在國內較早，2021年曾成功推出 3.2T CPO 工作樣機。由于技術迭代，目前尚在進一步研發過程中。5、華工科技華工科技：激光激光裝備巨頭，硅光布局加速切入光通信賽道裝備巨頭，硅光布局加速切入光通信賽道 華工科技脫胎于華中科技大學，是“中國激光第一股”。公司

143、目前形成了以激光加工技術為重要支撐的智能制造裝備業務、以信息通信技術為重要支撐的光聯接、無線聯接業務，以敏感電子技術為重要支撐的傳感器以及激光防偽包裝業務三大業務格局。在聯接業務方面，公司擁有光通信行業領先的一站式解決方案，具備從芯片到器件、模塊、子系統全系列產品的垂直整合能力，產品包括有源光器件、家庭終端、網絡終端、車載光等。公司圍繞 Net5.5G（AIGC）、5.5G、F5.5G、智能網聯車四大應用場景，為客戶提供智能“光聯接+無線聯接”解決方案，產品市場占有率處于行業領先地位。公司正在積極布局下一代超高速光模塊的研發和生產，全面啟動光電子信息產業研創園建設項目，并圍繞當前 InP（磷化

144、銦）、GaAs（砷化鎵）化合物材料，積極布局硅基光電子、鈮酸鋰、量子點激光器等新型材料方向，自主研發并行光技術（CPO、LPO 等），同時積極推動新技術、新材料在下一代 1.6T、3.2T 等更高速產品應用。在 AIGC、云計算、5.5G 行業應用等推動下，業務全面向高端升級，在 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 47/58 Net5.5G（AIGC）業務領域，公司基本實現高端光芯片自主可控，具備硅光芯片到模塊的全自研設計能力。400G 及以下全系列光模塊實現規?；桓?，進入海內外多家頭部互聯網廠商；800G 光模塊實現小批量，成功卡位頭部互聯網廠商資源池，80

145、0G LPO 硅光光模塊榮獲 2023 年度 ICC 訊石英雄榜“光通信最具競爭力產品”獎；在 5.5G 業務領域，光模塊產品保持全球前、中、回傳市場優勢地位，無線光模塊系列產品發貨量保持行業領先地位，客戶側 10G-400G 傳輸類光模塊全覆蓋，全球首發的 400G ZR+Pro 相干光模塊產品。5G 無線高集成度板載硅光光模塊實現關鍵技術攻克，達到國際領先水平。在 F5.5G 業務領域，10G PON 全系列產品批量交付，并完成全國產方案替代，交付能力進入行業第一梯隊；下一代 25G PON 產品已與客戶開展聯調，50G PON 產品光電技術突破，達到行業領先水平；終端領域，推出羚影 AX

146、3000 雙頻千兆 WiFi6 無線路由器；ADB 大燈光源模組、Mini LED 背光模組等新產品用于智能網聯車。在 OFC2024 大會上，公司全資子公司華工正源正式推出 1.6T-200G/高速硅光光模塊方案，在現有 400G 和 800G 成功硅光產品研發基礎上，成功推出基于單波 200G 的 1.6T 各類模塊產品。華工正源的 1.6T 高速硅光光模塊產品，采用自研單波 200G 硅光芯片，并兼容薄膜鈮酸鋰調制器和量子點激光器，擁有 8 個并行發送與接收通道；每通道運行波長為 1310nm；運行速率為 212.5Gbps，適用于 1.6T 以太網與 InfiniBand系統的 2x8

147、00G應用。6、光迅科技：光迅科技：光器件領軍企業，和思科合作推出了光器件領軍企業，和思科合作推出了 1.6T 硅光光模塊硅光光模塊 光迅科技是光電子行業先行者，專注于光通信領域 40 余年，目前形成了半導體材料生長、半導體工藝與平面光波導、光學設計與封裝、高頻仿真與設計、熱分析與機械設計、軟件控制與子系統開發六大核心技術工藝平臺，具備從芯片到器件、模塊、子系統的垂直整合能力。公司產品涵蓋全系列光通信模塊、無源光器件和模塊、光波導集成器件、光纖放大器，廣泛應用于骨干網、城域網、寬帶接入、無線通信、數據中心等領域。公司有多種類型激光器芯片（FP、DFB、EML、VCSEL 等）、探測器芯片（PD

148、、APD）以及 SiP 芯片平臺，為公司的直接調制和相干調制方案提供支持；公司擁有 COC、混合集成、平面光波導、微光器件、MEMS 器件等封裝平臺，為公司的有源和無源產品提供支持。公司主要有光收發模塊、有源光纜、光放大器、波長管理器件、光通信器件、子系統等產品，在云計算和企業網、無線接入、固網接入、中長距光傳送網等領域為客戶提供解決方案。云計算和企業網產品包括：支持不同速率（10G、25G、50G、100G、200G、400G、800G、1.6T 等）、封裝（QSFP、QSFP-DD、OSFP 等）、傳輸距離（100m、500m、2km、10km）的以太網光模塊、有源光纜、16G/32G/6

149、4G Fibre Channel 光模塊產品。無線接入產品包括：4GLTE 和 5G 網絡用 CPRI/eCPRI 的各種 10G、25G、50G、100G 灰光和彩光光收發模塊。固網接入產品有 GPON OLT/ONU、10GPON(10G EPON、10G GPON、10G Combo PON)、25GPON、50GPON 的 BOSA 和光收發模塊等。公司中長距光傳送網產品可以提供光傳送網端到端的整體解決方案，包括傳輸光收發模塊、光纖放大器、光無源器件、智能光器件等。傳輸光模塊包括 100G、400G 等速率光模塊，支持 10km、40km、80km 等傳輸距離。光纖放大器產品包括摻鉺光

150、纖放大器、拉曼放大器和混合光放大器。光無源器件包括 AWG（陣列波導光柵）、VMUX（光功率可調波分復用器）、WDM（波分復用器）、VOA（可調光衰減器）、OPM（光性能監測功能模塊）等光傳送網所需的光器件。智能光器件包括 WSS（波長選擇開關）、OTDR（光時域反射行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 48/58 儀）、相干器件等。在 OFC2024 大會上，光迅科技與字節跳動聯合展示了 800G OSFP SR8 高速光模塊，與思科合作推出了 1.6T OSFP-XD硅光光模塊，速率可支持至單波 200G，與OIF 聯合展示了 CPO 交換機多端口兼容 ELSF

151、P，LPO 模塊性能及連接 OIF 展臺和光迅科技展臺的 NPO與 LPO，LRO等多技術形態間的互聯互通，并發布了 OCS全光交換機；在標準牽引方面，光迅科技聯合 Intel、Nvidia，Cisco，Arista 等 12 家行業領先的芯片商、光模塊廠商，交換機廠商和互聯網廠商等共同發起 LPO MSA（線性可插拔光學多源協議）聯盟。7、博創科技：博創科技：PON 光模塊龍頭企業，光模塊龍頭企業，400G硅光光模塊硅光光模塊已批量出貨已批量出貨 公司的主營業務是光通信領域集成光電子器件的研發、生產和銷售，致力于平面波導（PLC）集成光學技術、硅光子集成技術和高速模擬芯片設計技術的規?；瘧?/p>

152、，專注于高端光無源器件和有源器件的開發，在芯片設計、制造與后加工、器件封裝、光學測試以及高速模擬芯片設計領域擁有多項自主研發并全球領先的核心技術和生產工藝，建立了平面光波導（PLC）、微光機電（MEMS）、硅光子和高速有源模塊封裝四大技術平臺。公司目前主要為全球范圍內高速發展的光纖通信網絡、互聯網數據中心（IDC）、消費及工業互聯市場提供高質量的光信號功率和波長管理器件、高速光收發模塊、有源光纜（AOC）以及源預端接跳線等產品與解決方案，其中 PLC 光分路器、密集波分復用（DWDM）器件和 10G PON 光模塊占據全球領先市場份額，公司子公司長芯盛自研的應用于有源光纜（AOC）的多通道光電

153、收發芯片占據全球領先市場份額，其旗下擁有 FIBBR 和 iCONEC 兩大子品牌。主要產品應用市場包括接入、傳輸、無線和數據通信四大領域，面向電信市場的產品包括用于光纖接入網（PON）的 PLC 光分路器和光收發模塊、用于骨干網和城域網密集波分復用（DWDM）系統的陣列波導光柵（AWG）和可調光功率波分復用器（VMUX）、用于無線承載網的 25G 前傳和 50G 中回傳光收發模塊、用于光纖放大器系統(EDFA)的 MEMS 可調光衰減器(VOA)以及廣泛應用于各種光器件中的光纖陣列等。公司面向數據通信市場的產品包括用于數據中心內部互聯的 25G 至 400G 速率的光收發模塊、有源光纜（AO

154、C）和高速銅纜等。公司的光收發模塊制造平臺包括傳統的分立式封裝技術和硅光子集成技術，其中硅光收發模塊已經成功應用于 5G 前傳和數據通信兩大領域。公司已向多家國內外互聯網客戶批量供貨 25G 至 400G 速率的中短距光模塊、有源光纜和高速銅纜，基于硅光子技術的 400G-DR4 硅光光模塊已實現量產出貨，目前正在積極開發下一代數據中心用硅光光模塊；應用于電信領域的 50G PON 已實現客戶送樣，并正在進行小型化方案開發?！澳戤a 245 萬只硅光收發模塊技改項目”持續推進，預計完成的日期延期至 2025 年 3 月。應用于數據通信的 800G 銅纜產品研發完成并已實現客戶送樣；有源 AOC

155、系列型號持續擴充，推出了全功能 TypeC AOC、MIPI AOC 和光隔離器等產品，開發出了 PCIe Gen4 x 4 AOC 原型產品以及超小尺寸的 uLens（2.8x2x1）AOC 芯片，該芯片可縮小模組的體積，已在內窺鏡此類對模組尺寸要求嚴格的場合中使用。8、劍橋科技：劍橋科技：積極布局光模塊領域，不斷推進硅光研發與業務拓展積極布局光模塊領域，不斷推進硅光研發與業務拓展 公司深耕 ICT 及光通信相關市場多年，主要從事家庭、企業及工業應用類 ICT終端設備、高速光模塊、5G 網絡設備三大領域產品的研發、生產和銷售。目前產行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律

156、聲明 49/58 品包括智能家庭網關、Wi-Fi Mesh、Wi-Fi 7 終端、高速光模塊、無線網絡小基站、交換機與邊緣計算設備等，公司產品已被廣泛應用到世界各國主流電信運營商的網絡和大型數據中心。公司重點投入研發，成功推出高性能光模塊產品如 400G 和 800G 的 LPO 線性直驅光模塊，并優化生產工藝提高良率。電信寬帶事業部在 10G PON 產品上取得強勁增長，積極布局 25G PON 研發。無線事業部克服行業挑戰，拓展客戶群體，成功推出一體化基站平臺，成為業界領先的小基站解決方案提供商。光電子事業部完成新一代硅光產品開發，啟動多款產品生產導入和客戶認證工作。在光電子產品方面，公司

157、在 2023 年對光模塊業務進行了戰略調整。公司以高速 400G 和 800G PAM4 系列光模塊為核心，輔以傳統 100G 光模塊，形成了層次分明、重點突出的業務布局。在研發上，深入開發 400G 和 800G 的 LPO 線性直驅光模塊產品；優化 800G 8FR1 及 800G 2FR4 產品的生產工藝，同時提升良率；推動新一代低功耗、低成本的 400G DR4/DR4+產品進入大規模生產階段；對 1.6T 光模塊產品進行了持續優化。2023 年，光電子事業部成功完成了新一代 800G 8FR1 硅光產品和 800G 2FR4 硅光產品的開發工作，并啟動了客戶認證測試流程。公司加大了

158、1.6T 光模塊產品的研發投入，利完成了新一代低功耗低成本 400G QSFP-DD DR4/DR4+產品、新一代 100G DR1/FR1/LR1 SFP-DD 產品以及低成本 100G LR4 QSFP28 非氣密產品等多個產品的生產導入和客戶認證工作。在 2023 年底啟動了 400G DR4 QSFP112 和 400GQSFP-DD FR4 降本方案的產品研發項目，并計劃于 2024 年開始逐步進行生產導入和客戶認證。此外，事業部還完成了多款 400G 和 800G 的 LPO 產品的研發工作。其中，400G DR4 LPO 和 800G DR8LPO 產品在客戶交換機的測試結果表現

159、優異，多款 LPO 產品也已在 2023 年陸續送達客戶進行送樣和認證測試。在生產和工藝方面，事業部不斷優化 800G 8FR1 產品和 800G 2FR4 的生產工藝，提高了良率，并在上海工廠逐步實現量產。同時，事業部還對 100G CWDM4、100G LR4、100G DR/FR、400G DR4、400GFR4 等多個產品進行了持續的工藝優化和降本改進，以降低成本并提升市場競爭力。其中，子公司方面，在數據中心和云計算市場領域，CIG 美國的高速光模塊產品 2023 年發貨保持穩定；2023 年下半年，CIG 日本圓滿完成了 8100G 光模塊的新產品導入和產能提升任務，這其中包括基于

160、EML 激光器和硅光子技術的兩種不同技術路線，針對硅光工藝所涉及的可靠性、生產效率、良率和成本等核心問題進行了深入研究和解決。9、銘普光磁銘普光磁：深耕光電磁領域，積極布局硅光研發項目：深耕光電磁領域，積極布局硅光研發項目 公司主要從事磁性元器件、光通信產品及各類電源產品等的研發、生產、銷售與服務，主要產品包括：磁性元器件、光通信產品、各類電源產品及新能源系統等。公司的客戶包括通信設備制造商、通信網絡運營商、汽車電子制造商、汽車整車廠、網絡和終端產品的制造商及終端消費者。在光通信方面，公司產品主要包括：光器件、光模塊。光器件系列產品包括 TOSA、BOSA、TriOSA、QOSA；光模塊系列產

161、品涵蓋傳送網、有線接入網、4G/5G 無線網、數據中心相關產品。公司注重技術研發創新，并推動產品向小型化、低功耗、大容量方向發展，為數據中心客戶提供 40G、100G、200G 和 400G 的全系列高速光模塊，并且最新硅光 800G DR8 光模塊 Demo 已經于 2024 年 3 月通過行業測試標準；為電信設備商客戶提供 4G 和 5G 網絡承載傳輸的光模塊；以及固網接入 FTTX 應用光模塊，已成功研發了 FTTR 相關產品。在硅光研發投入上，積極布局 1.6T DR8項目、800G DR8硅光項目、硅光集成等項目。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 50

162、/58 10、源杰科技：源杰科技：國內光芯片領軍企業，積極布局大功率激光器芯片技術國內光芯片領軍企業，積極布局大功率激光器芯片技術 公司聚焦于光芯片行業，主營業務為光芯片的研發、設計、生產與銷售，目前公司的主要產品為光芯片，主要應用于電信市場、數據中心市場、車載激光雷達市場等領域。其中電信市場可以分為光纖接入、移動通信網絡。在光通信領域中，主要產品包括 2.5G、10G、25G、50G、100G 以及更高速率的 DFB、EML 激光器系列產品和大功率硅光光源產品，主要應用于光纖接入、4G/5G 移動通信網絡和數據中心等領域。在車載激光雷達領域，公司產品涵蓋 1550 波段車載激光雷達激光器芯片

163、等產品。公司生產激光器芯片屬于 IDM 模式，掌握芯片設計、晶圓外延等光芯片制造的核心技術，已建立了包含芯片設計、晶圓制造、芯片加工和測試的 IDM 全流程業務體系，擁有多條覆蓋 MOCVD 外延生長、光柵工藝、光波導制作、金屬化工藝、端面鍍膜、自動化芯片測試、芯片高頻測試、可靠性測試驗證等全流程自主可控的生產線，在硅光方面，公司積極布局大功率激光器芯片技術，如硅光子技術中的 70mW、100mW 大光功率激光器，在材料科學與產品可靠性工程的大量研發投入，實現大功率光芯片嚴苛操作場景下的可靠性要求；采用掩埋型激光器芯片制造平臺成功開發的 70mW 大功率激光器芯片有望成為應對滿足未來硅光趨勢的

164、產品。11、長光華芯：長光華芯：高功率激光芯片領軍企業，高功率激光芯片領軍企業，硅光芯片勾勒新成長曲線硅光芯片勾勒新成長曲線 公司聚焦半導體激光領域，專注于半導體激光芯片的研發、設計及制造，主要產品包括高功率單管系列產品、高功率巴條系列產品、高效率 VCSEL 系列產品及光通信芯片系列產品等，逐步實現高功率半導體激光芯片的國產化。公司目前已形成由半導體激光芯片、器件、模塊及直接半導體激光器構成的四大類、多系列產品矩陣，成為半導體激光行業的垂直產業鏈公司。針對半導體激光行業核心的芯片環節，公司已建成覆蓋芯片設計、外延生長、晶圓處理工藝（光刻）、解理/鍍膜、封裝測試、光纖耦合等 IDM 全流程工藝

165、平臺和 2、3、6 吋量產線，應用于多款半導體激光芯片開發，突破一系列關鍵技術，是少數研發和量產高功率半導體激光芯片的公司之一，同時，依托公司高功率半導體激光芯片的技術優勢，公司業務橫向擴展，建立了高效率 VCSEL 激光芯片和高速光通信芯片兩大產品平臺，另外公司業務向下游延伸，開發器件、模塊及終端直接半導體激光器。公司光通信產品市場不斷拓展，已正式進入高端光通信領域。2023 年，公司推出單波 100G EML(56GBd EML 通過 PAM4 調制)、50G VCSEL（25G VCSEL 通過 PAM4 調制）、100mW CW DFB 大功率光通信激光芯片，是當前 400G/800G

166、 超算數據中心互連光模塊的核心器件。其中 100mW CW DFB 產品可用于硅光光模塊方向，且具備高出光功率、高轉化效率、適應高速率需求等特點：（1）高出光功率：相比業界 70mW 光源提升 1.5dB 以上，400GE DR4硅光光模塊僅需 1顆光源就能實現，簡化光模塊設計，顯著降低光模塊成本；（2）高光電轉換效率：降低 per-bit功耗，芯片功耗優于同類產品，提升芯片長期工作可靠性，該光源兼容 800G/1.6T等場景的光互聯應用，滿足高速率的持續演進訴求；（3）面向未來長期演進：該光源兼容 800G/1.6T 等場景的光互聯應用，滿足高速率的持續演進訴求。12、仕佳光子：仕佳光子：光

167、電子芯片核心供應商，積極配套國際主要光電子芯片核心供應商，積極配套國際主要硅光光模塊硅光光模塊企業企業 公司聚焦光通信行業，主營業務覆蓋光芯片及器件、室內光纜、線纜材料三大板塊，主要產品包括 PLC 分路器芯片系列產品、AWG 芯片系列產品、DFB 激光器行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 51/58 芯片系列產品、光纖連接器、室內光纜、線纜材料等。公司產品主要應用于骨干網和城域網、光纖到戶、數據中心、4G/5G建設等。針對光通信行業核心的芯片環節，公司系統建立了覆蓋芯片設計、晶圓制造、芯片加工、封裝測試的 IDM 全流程業務體系。并圍繞光芯片進行橫向拓展和縱向延

168、伸：在橫向拓展方面，公司從單一 PLC 光分路器芯片突破至系列無源芯片（PLC 光分路器芯片、AWG 芯片）、有源芯片（DFB 激光器芯片），并逐步開發 VOA 芯片、熱光開關芯片、EML 芯片等，未來向“有源+無源”的光電集成方向演進，緊跟行業發展趨勢；在縱向延伸方面，公司以晶圓、芯片為基礎，通過封裝工藝技術的不斷提升，由芯片逐步向器件模塊領域延伸。在千兆寬帶接入、骨干網相干通信、高速數據中心用核心光無源/有源芯片等優勢產品基礎上，重點對 400G/800G 光模塊用 AWG、平行光組件、超高折射率差 AWG 芯片、高速激光器和硅光用連續波高功率激光器等芯片及組件，相干通信用超寬帶密集波分復

169、用 AWG 等關鍵技術持續優化，其中在硅光領域，公司開發出面向數據中心和人工智能算力應用硅光配套的高功率 DFB 芯片及器件，實現小批量銷售，并在性能指標上突破，實現商溫 200mW 輸出；開發出折射率差 0.362.5%二氧化硅光子芯片設計及制造技術，并開發出 Y 分支、MZI 結構、AWG 結構等多種 PDK，可對外提供技術加工服務，獲國家重點研發計劃項目資助；應用于光纖接入網領域硅光收發模塊工程化研究已經完成項目和課題指標任務要求，處于項目驗收中；完成硅光 SOI-VOA 器件開發，樣品送樣測試進行中。13、杰普特杰普特：激光激光/光學智能設備領先企業光學智能設備領先企業，積極布局硅光晶

170、圓測試系統積極布局硅光晶圓測試系統 公司是一家集研發、生產和銷售激光器、激光/光學智能裝備和光纖器件于一體的國家級高新技術企業。其主營業務為研發、生產和銷售激光器以及主要用于集成電路和半導體光電相關器件精密檢測及微加工的智能裝備。公司主要產品包括激光器、激光/光學智能裝備和光纖器件。公司的激光器產品包括脈沖光纖激光器、連續光纖激光器、固體激光器和超快激光器等。公司自主研發的 MOPA 脈沖光纖激光器在國內率先實現了批量生產和銷售，填補了國內該領域的技術空白。產品主要應用于智能手機、半導體、集成電路、被動元件、動力電池、光伏材料等的精密制造和檢測。公司是中國首家商用“脈寬可調高功率脈沖光纖激光器

171、（MOPA 脈沖光纖激光器）”生產制造商和領先的光電精密檢測及激光加工智能裝備提供商。在硅光方面，公司研發的硅光晶圓測試系統通過光纖列針、電子探針等方式測試硅光晶圓的光波導傳輸損耗、光電調制器調制性能、光電探測器光電響應性能等特性以衡量其品質，并已得到消費電子國際頭部客戶認可。14、羅博特科：羅博特科：參股公司參股公司 ficonTEC，深度布局硅光芯片封裝測試深度布局硅光芯片封裝測試設備設備 公司是一家研制高端自動化裝備和基于工業互聯網技術的智能制造執行系統軟件（R2 Fab）的高新技術企業。公司擁有完整的研發、設計、裝配、測試、銷售和服務體系，為光伏、電子及半導體等領域提供柔性、智能、高效

172、的高端自動化裝備及 R2 Fab 系統軟件。目前公司產品主要應用于光伏電池領域。公司致力于通過智能移動機器人及執行制造系統，解決光模塊組裝、測試、老化、終測、外觀終檢和模塊包裝各工藝段間的物料智能轉運、物料線邊庫管理；原材料和成品的立體存儲管理。通過 RFID 芯片技術記錄和實現產品加工過程中跟蹤行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 52/58 與追溯功能。其工廠解決方案助力光模塊生產數字化、信息化和智能化，實現傳統光模塊生產向智能制造轉型。在電子及半導體板塊，積極布局高速硅光光模塊封裝與測試系統。公司依托多年的戰略布局，在持續深入拓展在光芯片、光電子及半導體高端裝

173、備業務布局。公司參股公司 ficonTEC 是光電產業微組裝及測試解決方案供應商，光芯片的測試及貼裝是其業務之一，其光電器件自動組裝及測試設備廣泛應用于全球集成光電應用領域，包括數通、電信、生物醫療及汽車行業的傳感應用，大功率激光器裝配等。通過模塊式系統架構，公司提供的解決方案可以適用于從早期器件研發，到新產品導入（NPI）直至大批量生產的每一個階段，積極參與到硅光集成產業的發展中。15、炬光科技：炬光科技：具備應用于硅光學元器件加工的晶圓級同步結構化技術具備應用于硅光學元器件加工的晶圓級同步結構化技術 公司主要從事光子行業上游的高功率半導體激光元器件和原材料（“產生光子”）、激光光學元器件（

174、“調控光子”）的研發、生產和銷售，目前正在拓展光子行業中游的光子應用模塊、模組和子系統業務（“提供光子應用解決方案”）。公司重點布局汽車應用、泛半導體制程、醫療健康三大應用方向，向不同客戶提供上游核心元器件和中游光子應用解決方案，產品逐步被應用于先進制造、醫療健康、科學研究、汽車應用、消費電子五大領域。2022 年 12 月，公司發布了具有超大矢高（Sag）的硅光學元器件。硅光學元器件的典型加工技術是刻蝕和 CNC 加工，受工藝限制因素，硅光學元器件的矢高值（Sag）往往小于 60m，公司的晶圓級同步結構化技術加工的硅光學元器件，能夠在 080出射角下達到高達 4mm 的矢高值（Sag），最大

175、限度地提高了硅光學元器件所能達到的數值孔徑（NA），有望超越傳統技術加工的硅光學元器件的極限，從而生產先進硅光學產品，例如大矢高偏心微透鏡陣列、閃耀光柵、啁啾陣列或集成棱鏡，以及通過精密劃切技術生產小微尺寸單只硅棱鏡、柱鏡等短波、中波紅外用途光學器件。公司的圓級同步結構化制造技術可生產最大 300 x 300mm2的微光學晶圓，可擴展性強，且具有非常高的成本效益，適合超大批量生產，從而滿足物聯網、生物傳感、智能終端等各類批量應用場景的需求。16、光庫科技：光庫科技：光纖器件領先企業，光纖器件領先企業，深度布局薄膜鈮酸鋰方案深度布局薄膜鈮酸鋰方案 超高速光通信調制器芯片與模塊是用于長途相干光傳輸

176、和超高速數據中心的核心光器件，有望跟隨光網絡設備市場持續保持增長。目前行業內光調制的技術主要有三種：基于硅光、磷化銦和鈮酸鋰材料平臺的電光調制器。其中，硅光調制器主要是應用在短程的數據通信用收發模塊中，磷化銦調制器主要用在中距和長距光通信網絡收發模塊，鈮酸鋰電光調制器主要用在 100Gbps 以上的長距骨干網相干通訊和單波 100/200Gbps 的超高速數據中心中，在上述三種超高速調制器材料平臺中，近幾年出現的薄膜鈮酸鋰調制器具備了其它材料無法比擬的帶寬優勢。公司是專業從事光纖器件、鈮酸鋰調制器件及光子集成器件的設計、研發、生產、銷售及服務的高新技術企業。公司主要產品為光纖激光器件和光通訊器

177、件。在技術方面，公司掌握了多項業界領先的光纖器件設計、制造和封裝技術，包括鈮酸鋰調制器芯片制程和模塊封裝技術等。同時，公司的全資子公司加華微捷針對應用于相干通信及硅光光模塊高耦合效率封裝的光纖陣列已獲得多項專利。在數據通訊領域，公司的核心競爭力在于光學微連接組件的先進制造和封裝技行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 53/58 術、高速光學連接組件的設計能力和對定制產品批量生產的快速轉化能力。公司研發生產的高端微型光纖連接產品、微光學連接產品、保偏光纖陣列和高密度光纖陣列產品，主要應用于 40Gbps、100Gbps、400Gbps、800Gbps 等高速、超高速光

178、模塊、相干通訊模塊和 WSS 產品中，并成為全球多家大型數據通訊公司的核心供應商。在光學芯片領域，公司生產的 400/800Gbps 鈮酸鋰相干調制器、20/40GHz 模擬調制器、10Gbps 零啁啾強度調制器等，廣泛用于超高速干線光通信網、海底光通信網、城域核心網、測試及科研等領域，是目前在超高速調制器芯片和模塊產業化、規?；I先的公司之一。公司開發的新一代薄膜鈮酸鋰光子集成技術，既可以用在相干傳輸形式，也可以用于非相干傳輸模式，與其它傳統的調制器相比，具有高速率、低功耗、高信噪比等諸多優點，可望在長途骨干網、城域網、數據中心和數據中心互聯市場占有重要地位。17、賽微電子：賽微電子：全球全

179、球 MEMS 代工龍頭，代工龍頭，積極布局積極布局 MEMS 硅光子器件硅光子器件 MEMS 是微電路和微機械按功能要求在芯片上的一種集成，基于光刻、腐蝕等傳統半導體技術，融入超精密機械加工，并結合力學、化學、光學等學科知識和技術基礎，使得一個毫米或微米級的 MEMS 具備精確而完整的機械、化學、光學等特性結構。隨著萬物互聯與人工智能的興起，作為集成電路細分行業的 MEMS 獲得了更廣闊的市場空間和業務機會。在通信領域，除 MEMS 光開關在傳輸領域的成熟應用外，數據中心及 AI 超級計算機對硅光子技術的采用，促進了 MEMS-OCS（Optical Circuit Switch，光鏈路交換器

180、件）的興起。公司是全球領先、國際化運營的高端集成電路芯片晶圓制造廠商，也是國內擁有自主知識產權和掌握核心半導體制造技術的特色工藝專業芯片晶圓制造商。公司在國內外擁有多座中試平臺及量產工廠，業務遍及全球，服務客戶包括國際知名的光刻機、DNA/RNA 測序儀、紅外熱成像、計算機網絡及系統、元宇宙、硅光子、AI 計算、ICT、新型醫療設備巨頭廠商以及各細分行業的領先企業，涉及產品范圍覆蓋了通訊、生物醫療、工業汽車、消費電子等諸多應用領域。公司同時正在打造先進的晶圓級封裝測試能力，致力于為客戶提供從工藝開發、晶圓制造到封裝測試的系統化高端制造服務，努力發展成一家立足本土、國際化經營的知名半導體制造領軍

181、企業。公司從事的主要業務為 MEMS 芯片的工藝開發及晶圓制造，同時，公司圍繞半導體主業開展產業投資布局，對實體企業、產業基金進行參股型投資。公司現有MEMS 業務包括工藝開發和晶圓制造兩大類。公司積極布局 MEMS 硅光子通信芯片制造技術以及新型 MEMS 硅光子器件制造技術，形成面向硅光子通信芯片的MEMS 工藝開發及 CMOS 晶圓再加工的 MEMS 制造能力，服務并滿足來自通信、消費電子領域設計廠商的代工需求。公司全資子公司瑞典 Silex 是全球領先的純 MEMS 代工企業，服務于全球各領域巨頭廠商，且正在瑞典持續擴充產能；同時公司控股子公司賽萊克斯北京已投入運營并持續推動產能爬坡，

182、公司有望繼續保持純 MEMS 代工的全球領先地位。18、云南鍺業：云南鍺業：鍺業龍頭，鍺業龍頭，硅光上游原材料關鍵廠商硅光上游原材料關鍵廠商 在硅基光電子領域中，硅-鍺結合的技術被廣泛研究和使用，鍺（Ge）探測器是硅基光電子芯片中實現光電信號轉化的核心器件。在硅基光電子芯片工藝中實現異質單片集成高性能 Ge 探測器工藝，是光模塊等硅基光電子產品實現小體積、低成本和易制造的優先選擇；另一方面，六方結構硅鍺合金直接帶隙發光、硅基鍺以行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 54/58 及鍺錫和鍺鉛直接帶隙材料發光也是實現硅基光源的重要途徑，公司是一家擁有完整產業鏈的鍺行業上

183、市公司，擁有豐富、優質的鍺礦資源，鍺產品產銷量全國第一，是目前國內最大的鍺系列產品生產商和供應商。公司產品在半導體、航空航天測控、核物理探測、光纖通訊、紅外光電、太陽能電池、化學催化劑、生物醫學等領域都有廣泛而重要的應用。公司主要業務為鍺礦開采、火法富集、濕法提純、區熔精煉、精深加工及研究開發。目前公司礦山開采的礦石及粗加工產品不對外銷售，僅作為公司及子公司下游加工的原料。公司目前材料級鍺產品主要為鍺錠（金屬鍺）、二氧化鍺；深加工方面，光伏級鍺產品主要為太陽能鍺晶片，紅外級鍺產品主要為紅外級鍺單晶及毛坯（光學元件）、鍺鏡片、鏡頭、紅外熱像儀、光學系統，光纖級鍺產品為光纖用四氯化鍺，化合物半導體

184、材料主要為砷化鎵晶片、磷化銦晶片。公司產品主要運用包括紅外光電、太陽能電池、光纖通訊、發光二極管、垂直腔面發射激光器（VCSEL）、大功率激光器、光通信用激光器和探測器等領域。19、天通股份：天通股份：鈮酸鋰材料核心供應商鈮酸鋰材料核心供應商，領先布局領先布局 CCZ設備與壓電材料設備與壓電材料 公司主要從事電子材料(包含磁性材料與部品，藍寶石、壓電晶體等晶體材料)的研發、制造和銷售；高端專用裝備(包含晶體材料專用設備、粉體材料專用設備)研發、制造和銷售。公司在壓電晶體材料方面主要從事鈮酸鋰(LN)、鉭酸鋰(LT)晶體材料的研發、生產和銷售。產品包括鈮酸鋰、鉭酸鋰晶棒，4-8 寸鈮酸鋰、鉭酸鋰

185、晶片(包含普通白片和低靜電黑化晶片)。產品具有優異的壓電、非線性光學、電光、熱釋電及光折變等性能，可用來制作各種功能器件，諸如：聲表面波器件、紅外探測器、高頻寬帶濾波器、電光調制器、高頻換能器。產品廣泛應用于移動通信、雷達、北斗導航、物聯網及消費類電子、數據中心等領域。2023 年，公司已成功研發并量產 6 英寸聲表級的鉭酸鋰（LT）和鈮酸鋰（LN）晶體和黑化拋光晶片產品，打破了國外壟斷，填補了國內空白，實現技術的自主可控。20、凌云光：凌云光：視覺領域領軍企業，視覺領域領軍企業，光通信業務代理硅光產品光通信業務代理硅光產品 公司以光技術創新為基礎，圍繞機器視覺與光纖光學開展業務，致力于成為視

186、覺人工智能與光電信息領域的全球領軍企業。在光纖光學領域，組織硅光集成，量子測量和特種光纖熔接處理等高端產品解決方案，服務高端光通信與光纖激光科研及產業客戶，從科研到產業化，助力行業發展進步。2021 年凌云光攜 800G、硅光集成、全光交換、熔接一體化等多個解決方案亮相 CIOE 2021；2023 年公司表示其光通信業務代理的硅光產品可以實現 200G/400G/800G 及以上的高速光傳輸。21、聚飛光電：聚飛光電：國內背光國內背光 LED龍頭企業龍頭企業，參股國內硅光參股國內硅光領軍領軍企業熹聯光芯企業熹聯光芯 公司是國內背光 LED 龍頭企業，專業從事 SMD LED 器件、Mini/

187、Micro LED器件、光器件、光學膜材、不可見光的研發、生產與銷售。產品廣泛應用于手機、PAD、電腦、TV、電器等消費類電子產品及顯示屏、照明、汽車電子、光通信、光學傳感等領域。公司參股 4.43%的蘇州熹聯光芯微電子科技有限公司是國內硅光領域領軍企業。熹聯光芯成立于 2020 年 7 月 20 日，由半導體、硅光及金融等領域多位資深專家領頭，在硅光領域有多年的技術積累和儲備，掌握硅光領域全套核心技術（包括芯片、行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 55/58 引擎、模塊的開發、設計、流片、加工制造），擁有硅光領域完整的自有設計器件IP 組合，同時擁有光電一體全集

188、成化的硅光芯片技術，核心技術能夠涵蓋多種產品和應用領域，從無線通信、數據通信（光引擎&光模塊）、服務器網絡、智能駕駛、激光雷達、生物傳感等擁有多領域技術儲備和商業合作，并于 2021 年 10 月份完成了對德國 Sicoya GmbH 的 100%股權并購，以蘇州為總部，以上海和柏林研發中心為雙引擎，結合國內制造基地強大的量產實力，將快速實現推動硅光科技的發展。表表8：受益標的受益標的估值信息表估值信息表 公司名稱公司名稱 證券代碼證券代碼 股價股價（元）（元）市值（億市值（億元）元）EPS PE 評級評級 2024E 2025E 2026E 2024E 2025E 2026E 中際旭創 30

189、0308.SZ 157.27 1266.87 1.00 6.91 8.14 157.81 22.75 19.32 買入 天孚通信 300394.SZ 88.56 490.54 2.45 3.58 4.84 36.14 24.74 18.29 買入 新易盛 300502.SZ 86.73 615.71 2.07 3.00 4.15 41.82 28.92 20.91 買入 亨通光電 600487.SH 14.96 369.02 1.10 1.34 1.59 13.61 11.20 9.41 未評級 華工科技 000988.SZ 29.96 301.25 1.30 1.62 1.91 23.09

190、18.49 15.66 買入 光迅科技 002281.SZ 33.00 262.09 1.02 1.31 1.66 32.31 25.21 19.86 增持 博創科技 300548.SZ 21.49 61.67 0.58 0.77 0.94 36.92 27.86 22.98 未評級 劍橋科技 603083.SH 33.86 90.78 -增持 銘普光磁 002902.SZ 22.38 52.86 0.36 0.61 0.00 62.94 36.82 -未評級 源杰科技 688498.SH 129.81 110.94 0.40 0.48 0.56 322.67 267.98 230.32 買入

191、 長光華芯 688048.SH 36.54 64.41 0.47 0.85 0.61 77.60 42.94 59.58 買入 仕佳光子 688313.SH 10.06 46.16 0.10 0.20 0.29 97.10 51.35 34.46 增持 杰普特 688025.SH 43.80 41.63 2.00 2.99 3.69 21.95 14.66 11.86 增持 羅博特科 300757.SZ 119.04 131.41 1.18 1.63 2.01 101.08 73.00 59.19 未評級 炬光科技 688167.SH 65.01 58.75 0.96 1.75 2.49 67

192、.40 37.07 26.11 買入 光庫科技 300620.SZ 39.12 97.72 0.35 0.52 0.70 112.87 75.39 55.80 未評級 賽微電子 300456.SZ 17.45 127.77 0.35 0.48 0.73 49.24 36.40 23.97 未評級 云南鍺業 002428.SZ 10.23 66.81 0.04 0.07 0.10 236.81 139.18 100.59 未評級 天通股份 600330.SH 7.31 90.16 0.32 0.37 0.43 22.60 19.73 16.99 未評級 凌云光 688400.SH 17.09 7

193、9.21 0.36 0.48 0.58 47.46 35.35 29.71 買入 聚飛光電 300303.SZ 4.98 66.85 0.22 0.28 0.36 22.50 17.68 13.95 未評級 數據來源：Wind、開源證券研究所，股價為 2024 年 5 月 31 日收盤價，除中際旭創、源杰科技、炬光科技、凌云光由開源證券研究所預測外，其余標的均采用 Wind一致預期 行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 56/58 5、風險提示風險提示 1、AIGC 發展放緩，配套硅光發展放緩，配套硅光產品產品不及預期的風險不及預期的風險 全球企業 IT 支出和數據

194、中心建設發展若不及預期，整體光通信升級放緩，配套硅光應用如硅光光模塊、光器件、光引擎等或面臨需求減弱的風險。2、硅光工藝硅光工藝升級升級不及預期不及預期的風險的風險 硅光工藝對量產的影響較大，若硅光工藝發展不及預期，硅光芯片的良率、一致性等性能較差，或嚴重影響硅光規?；a。3、硅光非硅光非通信領域發展不及預期影響通信領域發展不及預期影響 在光計算、光傳感等非通信領域，硅光應用市場前景廣闊，若相關領域發展不及預期，亦將影響硅光產品發展。4、存在貿易壁壘的風險、存在貿易壁壘的風險 目前硅光芯片生產主要集中于海外，如果未來國際環境發生不利影響，或將減少國產硅光產品需求，增加關鍵原材料的采購難度，影

195、響國內硅光產業二發展。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 57/58 特別特別聲明聲明 證券期貨投資者適當性管理辦法、證券經營機構投資者適當性管理實施指引（試行）已于2017年7月1日起正式實施。根據上述規定，開源證券評定此研報的風險等級為R3（中風險），因此通過公共平臺推送的研報其適用的投資者類別僅限定為專業投資者及風險承受能力為C3、C4、C5的普通投資者。若您并非專業投資者及風險承受能力為C3、C4、C5的普通投資者，請取消閱讀，請勿收藏、接收或使用本研報中的任何信息。因此受限于訪問權限的設置，若給您造成不便，煩請見諒！感謝您給予的理解與配合。分析師承諾分析

196、師承諾 負責準備本報告以及撰寫本報告的所有研究分析師或工作人員在此保證，本研究報告中關于任何發行商或證券所發表的觀點均如實反映分析人員的個人觀點。負責準備本報告的分析師獲取報酬的評判因素包括研究的質量和準確性、客戶的反饋、競爭性因素以及開源證券股份有限公司的整體收益。所有研究分析師或工作人員保證他們報酬的任何一部分不曾與，不與，也將不會與本報告中具體的推薦意見或觀點有直接或間接的聯系。股票投資評級說明股票投資評級說明 評級評級 說明說明 證券評級證券評級 買入（Buy）預計相對強于市場表現 20%以上；增持（outperform）預計相對強于市場表現 5%20%；中性（Neutral）預計相對

197、市場表現在5%5%之間波動；減持（underperform）預計相對弱于市場表現 5%以下。行業評級行業評級 看好（overweight）預計行業超越整體市場表現；中性（Neutral）預計行業與整體市場表現基本持平；看淡（underperform）預計行業弱于整體市場表現。備注：評級標準為以報告日后的 612個月內，證券相對于市場基準指數的漲跌幅表現，其中 A 股基準指數為滬深 300 指數、港股基準指數為恒生指數、新三板基準指數為三板成指（針對協議轉讓標的）或三板做市指數（針對做市轉讓標的）、美股基準指數為標普 500 或納斯達克綜合指數。我們在此提醒您，不同證券研究機構采用不同的評級術語

198、及評級標準。我們采用的是相對評級體系，表示投資的相對比重建議；投資者買入或者賣出證券的決定取決于個人的實際情況，比如當前的持倉結構以及其他需要考慮的因素。投資者應閱讀整篇報告，以獲取比較完整的觀點與信息，不應僅僅依靠投資評級來推斷結論。分析、估值方法的局限性說明分析、估值方法的局限性說明 本報告所包含的分析基于各種假設，不同假設可能導致分析結果出現重大不同。本報告采用的各種估值方法及模型均有其局限性，估值結果不保證所涉及證券能夠在該價格交易。行業深度報告行業深度報告 請務必參閱正文后面的信息披露和法律聲明 58/58 法律聲明法律聲明 開源證券股份有限公司是經中國證監會批準設立的證券經營機構，

199、已具備證券投資咨詢業務資格。本報告僅供開源證券股份有限公司（以下簡稱“本公司”）的機構或個人客戶（以下簡稱“客戶”）使用。本公司不會因接收人收到本報告而視其為客戶。本報告是發送給開源證券客戶的，屬于商業秘密材料，只有開源證券客戶才能參考或使用，如接收人并非開源證券客戶，請及時退回并刪除。本報告是基于本公司認為可靠的已公開信息，但本公司不保證該等信息的準確性或完整性。本報告所載的資料、工具、意見及推測只提供給客戶作參考之用，并非作為或被視為出售或購買證券或其他金融工具的邀請或向人做出邀請。本報告所載的資料、意見及推測僅反映本公司于發布本報告當日的判斷，本報告所指的證券或投資標的的價格、價值及投資

200、收入可能會波動。在不同時期，本公司可發出與本報告所載資料、意見及推測不一致的報告?？蛻魬斂紤]到本公司可能存在可能影響本報告客觀性的利益沖突，不應視本報告為做出投資決策的唯一因素。本報告中所指的投資及服務可能不適合個別客戶，不構成客戶私人咨詢建議。本公司未確保本報告充分考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需要。本公司建議客戶應考慮本報告的任何意見或建議是否符合其特定狀況，以及（若有必要）咨詢獨立投資顧問。在任何情況下，本報告中的信息或所表述的意見并不構成對任何人的投資建議。在任何情況下，本公司不對任何人因使用本報告中的任何內容所引致的任何損失負任何責任。若本報告的接收人非本公司的客戶，應在

201、基于本報告做出任何投資決定或就本報告要求任何解釋前咨詢獨立投資顧問。本報告可能附帶其它網站的地址或超級鏈接，對于可能涉及的開源證券網站以外的地址或超級鏈接，開源證券不對其內容負責。本報告提供這些地址或超級鏈接的目的純粹是為了客戶使用方便，鏈接網站的內容不構成本報告的任何部分，客戶需自行承擔瀏覽這些網站的費用或風險。開源證券在法律允許的情況下可參與、投資或持有本報告涉及的證券或進行證券交易，或向本報告涉及的公司提供或爭取提供包括投資銀行業務在內的服務或業務支持。開源證券可能與本報告涉及的公司之間存在業務關系，并無需事先或在獲得業務關系后通知客戶。本報告的版權歸本公司所有。本公司對本報告保留一切權

202、利。除非另有書面顯示，否則本報告中的所有材料的版權均屬本公司。未經本公司事先書面授權，本報告的任何部分均不得以任何方式制作任何形式的拷貝、復印件或復制品，或再次分發給任何其他人，或以任何侵犯本公司版權的其他方式使用。所有本報告中使用的商標、服務標記及標記均為本公司的商標、服務標記及標記。開源證券開源證券研究所研究所 上海上海 深圳深圳 地址：上海市浦東新區世紀大道1788號陸家嘴金控廣場1號 樓10層 郵編：200120 郵箱： 地址：深圳市福田區金田路2030號卓越世紀中心1號 樓45層 郵編：518000 郵箱： 北京北京 西安西安 地址：北京市西城區西直門外大街18號金貿大廈C2座9層 郵編：100044 郵箱： 地址：西安市高新區錦業路1號都市之門B座5層 郵編：710065 郵箱：