【公司研究】精測電子-顯示檢測設備復蘇半導體業務持續突破-210328（25頁）.pdf

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1、存儲器市場復蘇，設備國產化替代初有收獲五重因素驅動行業改善。根據美光預計，2020 年DRAM 的Bit 需求增長1020%，2021年 DRAM 的 Bit 需求增長20%;2020 年NAND 的Bit 需求增長 25%左右;2021 年NAND的 Bit 需求增長 30%。2021 年行業增長受五大因素驅動：1)經濟復蘇;2)新的 CPU架構帶動更多服務器存儲需求，預計將在 2021 年下半年開始向 DDR5 過渡;3)云、人工智能和機器學習的增長;4)5G 驅動的移動需求，預計到2021 年，5G 手機的數量將從 2020 年的2 億臺增長到大約5 億臺;5)以及游戲和汽車領域的需求，

2、汽車自動化程度將進一步提高。根據 WSTS，預計2021 年存儲行業同比增長 7.6%至1264 億美元。Nor Flash 供不應求，價格有望持續向上。從2020H2 以來，Nor Flash 回暖，并逐漸進入供不應求。華邦電、旺宏在 2021Q1 漲價510%，預計供需局面將進一步加緊，2021Q2漲幅有可能進一步提高。需求方面，智能手機市場恢復，PC、NB 以及 TWS 需求旺盛，整體向好。尤其是 iPhone 12 系列全系搭載 OLED 屏幕，帶動 OLED 外掛Nor Flash 需求增長。供給方面，德州大雪影響下賽普拉斯供應受影響，進一步加劇供需緊張格局。2021 年DRAM 正

3、式進入漲價周期。根據IC insight，DRAM 將成為2021 年增長最快的產品領域之一，營收同比增長 18%。南亞科法說會上預計2021H1 DRAM 合約價有望逐季提升。TrendForce 預估二季度 DRAM 合約均價環比漲幅達 13-18%。其中：2020Q3 以來服務器 DRAM 產能比重下降到 30%，Q2 是傳統服務器出貨旺季，需求呈現逐月增加趨勢，導致價格持續走高。目前主流 DRAM 2021 年 3 月現貨價格環比漲超 20%。供給端三大原廠二季度微幅上調服務器DRAM 生產比重，但仍未回到 2020 年中水平，TrendForce 預計二季度服務器DRAM 合約價或將

4、增長兩成。智能手機端，目前全球晶圓代工產能緊缺，各手機品牌廠商積極囤生產備料，預計Q3 生產總量維持 3 億部以上水平。供給端三大 DRAM 原廠二季度服務器生產配比增加，疊加其他產品 DRAM 均價優于手機 DRAM，預計手機 DRAM 產能受到擠壓，價格同樣有上升趨勢。2021H1 宅經濟需求強勁，IT 類 TV、機頂盒及網通產品的需求不墜。供給端三大原廠將成熟制程轉換至生產 CIS 傳感器及更先進制程，臺系廠商也將產能轉換至盈利水平更高的邏輯 IC 或 Flash，使得 DDR3 產能減少，部分消費類 DRAM Q2 合約價已上漲 20%，后續仍有上行空間。DRAM 價格雖然具有波動性，但是體量持續增長是大趨勢。根據IHS，2018-2023 年全球 DRAM 位元出貨量維持在15%以上的復合增長率，且19 年開始隨著 5G 建設、AIIOT應用持續落地復合增速會接近20%!NAND 供過于求緩解，預計二季度價格有上漲趨勢。需求端，2021Q1 以來 PC OEM 和中國智能手機廠商的訂單增加以及 Q2 數據中心客戶需求旺盛。供給端，德州冬季風暴后，三星在奧斯汀的 Line S2 線工廠仍未恢復全面運營，全球 NAND 供給受限。因此TrendForce 預計 NAND Flash 合約價格在 2021Q1 環比下降 5-10%之后，將在 2021Q1環比增長 3-8%。