【公司研究】安集科技-拋光液龍頭半導體材料國產替代確定標的-20200403[29頁].pdf

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1、 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 公公 司司 研研 究究 深深 度度 研研 究究 報報 告告 證券研究報告證券研究報告 半導體材料半導體材料 審慎增持審慎增持 ( ( 首次首次 ） 市場數據市場數據 市場數據日期市場數據日期 2020-04-02 收盤價（元） 145.45 總股本（百萬股） 53.11 流通股本 （百萬股） 12.21 總市值（百萬元） 7724.61 流通市值 （百萬元） 1775.37 凈資產（百萬元） 867.96 總資產（百萬元） 953.77 每股凈資產 16.34 相關報告相關報告 分析師： 謝恒 S019051906

2、0001 團隊成員：謝恒 李雙亮 姚康 姚丹丹 主要財務指標主要財務指標 會計年度會計年度 2018 2019E 2020E 2021E 營業收入(百萬元) 248 285 380 559 同比增長 6.6% 15.0% 33.3% 47.0% 凈利潤(百萬元) 45 65 92 150 同比增長 13.1% 44.9% 41.7% 62.0% 毛利率 51.1% 50.9% 50.5% 50.4% 凈利潤率 18.1% 22.9% 24.3% 26.8% 每股收益(元) 0.85 1.23 1.74 2.82 每股經營現金流(元) 1.13 3.05 1.19 1.89 市盈率 169.29

3、 116.81 82.45 50.89 投資要點投資要點 半導體材料為半導體產業的發展基石，市場空間巨大。半導體材料為半導體產業的發展基石，市場空間巨大。2018 年全球半導 體材料市場空間近 520 億美金， 其中用在芯片加工環節的半導體材料市場 超過 320 億美金，主要包括硅片、掩模板、電子氣體、光刻膠、CMP 材 料、濕化學品、靶材等，目前市場格局主要以歐美日等地區企業主導，國 內只在拋光液、靶材、電子氣體等領域有部分國產替代，其中安集科技的 拋光液環節國產替代進展較為順利。 不同于半導體設備的周期屬性，半導體材料不同于半導體設備的周期屬性，半導體材料屬于永續性增長屬于永續性增長，國內

4、未來，國內未來 3 年持續性的產能釋放將大幅提升年持續性的產能釋放將大幅提升國內國內半導體材料市場半導體材料市場。 半導體設備市場與 晶圓廠的資本開支呈線性關系，有較強的周期屬性，而半導體材料與資本 開支類似于 “積分” 關系， 屬于永續性增長的賽道， 我們測算國內 2020-2022 年國內 12 寸晶圓產能分別為 96、136.5、181.5 萬片/月，相比于 2019 年 分別增長 32.5、72、117 萬片/月，這將大幅提升半導體材料的需求。 大基金二期將“間接大基金二期將“間接 + 直接”催化國產半導體材料領域。直接”催化國產半導體材料領域。國家大基金二 期即將開始實質性投資， 我

5、們認為二期大基金將繼續投資重資本開支環節 的制造、存儲領域，這將加速上游半導體設備和材料的國產化進程，此為 間接催化，而另一方面據大基金總經理丁文武在一次會議中提到，將盡量 對設備和材料領域加大支持，推動其加速發展，此為直接催化，因此我們 判斷大基金二期將進一步加速半導體材料的國產化進程。 安集科技安集科技 688019 拋光液拋光液龍頭，龍頭，半導體材料半導體材料國產替代國產替代確定確定標的標的 createTime1 2020 年年 04 月月 03 日日 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 2 - 深度研究報告深度研究報告 先進芯片加工工藝的

6、不斷迭代，將不斷提升拋光液的需求。先進芯片加工工藝的不斷迭代，將不斷提升拋光液的需求。邏輯加工 工藝，從 0.18um 到 7nm，CMP 工藝步數從 10 步左右增長到 30 步左 右， 增長了近 200%， 存儲加工工藝中， NAND 從 2D 向 3D 切換， CMP 工藝步數從 8 步左右提升到 16 步左右，提升了 100%左右，這將大幅 提升拋光液整體的市場規模。 安集科技為國產拋光液龍頭公司，受益國產替代安集科技為國產拋光液龍頭公司，受益國產替代的確定性的確定性較較強強。安集 科技為國內拋光液龍頭公司，客戶主要包括中芯國際、臺積電、華虹 半導體、長江存儲等國內外主流晶圓廠商，其銅

7、及阻擋層拋光液在中 芯國際已經成功突破 28nm 工藝節點，實現大規模量產，并在 14nm 產 線驗證， 其鎢拋光液、銅拋光液已經在長江存儲通過驗證，并實現收 入，我們認為未來隨著長江存儲及合肥長鑫等存儲廠商產能大規模釋 放，公司將會持續受益。 我們測算公司 2019-2021 年收入分別為 2.85 億、3.80 億、5.59 億，歸 母凈利潤分別為 0.65 億、0.92 億、1.5 億，對應 2020/04/02 收盤價 PE 分別為 117、82、51 倍，考慮到公司作為國內半導體材料未來確定性 較強的企業，我們給予“審慎增持審慎增持”評級。 風險提示：原材料供應及價格風險，下游客戶擴

8、產不及預期風險，客戶認證風險提示：原材料供應及價格風險，下游客戶擴產不及預期風險，客戶認證 不及預期風險。不及預期風險。 rQpQpPqMsPrPtRrQpQvMsRaQcM8OpNrRoMrRjMqQtPkPmMxP6MqQzRMYoNrQwMnNnP 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 3 - 深度研究報告深度研究報告 目目 錄錄 1、國內晶圓廠建設為半導體材料帶來巨大成長機會 . - 5 - 1.1、半導體材料為半導體產業中重要的支撐部分 . - 5 - 1.2、CMP 拋光液海外廠商壟斷，進口替代空間廣闊 . - 9 - 1.2.1、CMP

9、：全局平坦化關鍵工藝，廣泛應用于 IC 制造 . - 9 - 1.2.2、CMP 拋光液：海外廠商壟斷，核心壁壘在于配方 . - 11 - 1.3、技術演進，拋光液需求持續提升 . - 12 - 1.4、大陸涌現建廠潮，為國產廠商帶來巨大成長機會 . - 14 - 2、安集科技：進口替代稀缺標的，突破客戶注入增長新動力 . - 17 - 2.1、內資拋光液稀缺標的，產品布局趨于完善. - 17 - 2.2、技術實力強大，獲大基金入股支持 . - 22 - 2.3、客戶認證持續推進，業績望迎厚積薄發. - 23 - 2.4、產能擴充，光刻膠去除劑業務增長動力充足 . - 25 - 3、盈利預測與

10、估值 . - 26 - 圖 1、半導體材料為半導體產業中非常重要的支撐環節 . - 5 - 圖 2、芯片制造工藝中需要用到的半導體材料 . - 5 - 圖 3、半導體材料銷售額（億美元） . - 6 - 圖 4、晶圓制造材料細分行業及規模（億美元）. - 7 - 圖 5、2018 年晶圓制造材料市場結構 . - 7 - 圖 6、一代工藝，一代材料 . - 7 - 圖 7、大基金一起投資結構 . - 8 - 圖 8、二期大基金將“直接+間接”催化設備、材料國產進程 . - 8 - 圖 9、國內半導體材料相關領域情況及競爭力 . - 8 - 圖 10、CMP 工藝示意圖 . - 9 - 圖 11、

11、CMP 工藝原理圖 . - 9 - 圖 12、CMP 工藝可實現高度平坦化 . - 10 - 圖 13、CMP 工藝和傳統平坦化工藝對比 . - 10 - 圖 14、典型的 CMOS 結構中用到的 CMP 制程 . - 10 - 圖 15、IC 加工過程中常見的 CMP 種類（按拋光薄膜分） . - 10 - 圖 16、全球 CMP 拋光液和拋光墊市場規模（億美元） . - 11 - 圖 17、全球拋光液市場格局 . - 11 - 圖 18、邏輯/晶圓代工廠制程路線圖 . - 12 - 圖 19、先進邏輯芯片占比逐漸提升 . - 12 - 圖 20、CMP 拋光步驟隨邏輯芯片工藝進步而增加 .

12、 - 13 - 圖 21、產品中每毫升允許顆粒數目趨于減少. - 13 - 圖 22、NAND 存儲器 2D 向 3D 切換 . - 14 - 圖 23、3D NAND 工藝中 CMP 步驟大幅增加（特別是鎢） . - 14 - 圖 24、全球每年新增晶圓產能（等效 8 寸）. - 14 - 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 4 - 深度研究報告深度研究報告 圖 25、全球在建和規劃建設晶圓廠數量 . - 15 - 圖 26、國內未來三年 12 寸廠產能情況預測 . - 16 - 圖 27、國內未來 8 寸廠產能情況預測 . - 16 - 圖 2

13、8、公司發展歷程 . - 17 - 圖 29、公司收入穩健增長 . - 17 - 圖 30、公司凈利潤持續提升 . - 17 - 圖 31、公司凈利率穩健提升 . - 18 - 圖 32、公司產品結構 . - 18 - 圖 33、光刻膠去除劑主要用在除膠環節 . - 20 - 圖 34、全球集成電路領域光刻膠去除劑市場規模 . - 21 - 圖 35、公司其他系列拋光液收入結構（萬元）. - 21 - 圖 36、公司光刻膠去除劑產品結構（萬元）. - 21 - 圖 37、公司核心技術人員 . - 22 - 圖 38、公司研發費用情況 . - 22 - 圖 39、公司股權結構 . - 23 -

14、圖 40、公司客戶結構 . - 23 - 圖 41、2017 年中國晶圓制造十大企業銷售額. - 24 - 圖 42、公司 CMP 拋光液產線擴充項目 . - 24 - 圖 43、公司 CMP 拋光液收入測算 . - 25 - 圖 44、2018 年全球前十大封測廠商（收入單位：百萬美元） . - 25 - 圖 45、安集科技集成電路材料基地項目 . - 26 - 圖 46、公司收入拆分 . - 27 - 表 1、CMP 拋光液的構成及簡介 . - 11 - 表 2、公司產品列表 . - 19 - 表 3、公司核心技術 . - 22 - 附表 . - 28 - 請務必閱讀正文之后的信息披露和重

15、要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 5 - 深度研究報告深度研究報告 報告正文報告正文 1、國內晶圓廠建設為半導體材料國內晶圓廠建設為半導體材料帶來巨大成長機會帶來巨大成長機會 1.11.1、半導體材料半導體材料為半導體產業為半導體產業中中重要重要的的支撐支撐部分部分 在半導體產業中，材料和設備是基石，是推動集成電路技術創新的引擎。半導體 材料在產業鏈中處于上游環節， 和半導體設備一樣， 也是芯片制造的支撐性行業， 所有的制造和封測工藝都會用到不同的半導體材料，其具有細分行業多、產業規 模大、技術門檻高和更新換代快等特點。 圖圖 1 1、半導體材料為半導體產業中非常重要的支撐環節

16、、半導體材料為半導體產業中非常重要的支撐環節 資料來源：公開信息，興業證券經濟與金融研究院整理 半導體材料細分行業多半導體材料細分行業多。以晶圓制造材料來說，就包括硅片、光掩模、光刻膠、 光刻膠輔助材料、工藝化學品、電子特氣、靶材、CMP 拋光材料和其他材料，每 一種大類材料又包括幾十種甚至上百種具體產品，細分行業多達上百個。 圖圖 2 2、芯片芯片制造工藝中需要用到的半導體材料制造工藝中需要用到的半導體材料 IC 設計IC 制造IC 封測 終端應用Fabless 模式 IC 設計 + IC 制造 + IC封測IDM 模式 終端應用 EDAIP 核設備材料設備材料 主產業鏈支撐產業鏈 請務必閱

17、讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 6 - 深度研究報告深度研究報告 資料來源：百度文庫，興業證券經濟與金融研究院整理 半導體材料產業規模大半導體材料產業規模大。 據 SEMI， 2018 年全球半導體材料銷售額為 519 億美元， 同比增長 11%。其中封裝材料銷售額 197 億美元，近些年規模相對平穩；晶圓制 造材料銷售額 322 億美元， 同比增長 16%， 是 2016 年以來半導體材料行業增長的 主要增長點。 圖圖 3 3、半導體材料銷售額（億美元）、半導體材料銷售額（億美元） 資料來源：SEMI，興業證券經濟與金融研究院整理 晶圓制造端的材料中

18、， 市場空間較大的主要有硅片、 掩模板、 光刻膠及配套試劑、 電子氣體、CMP 拋光材料、濕化學品、靶材等，2018 年分別占比為 38%、13%、 12%、13%、7%、5%、2%。 -4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 550 201320142015201620172018 封裝材料晶圓制造材料半導體材料YoY 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 7 - 深度研究報告深度研究報告 圖圖 4 4、晶圓制造材料細分行業及規模（億美元）晶圓制造

19、材料細分行業及規模（億美元） 圖圖 5 5、20182018 年晶圓制造材料市場結構年晶圓制造材料市場結構 數據來源：安集招股說明書，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：安集招股說明書，興業證券經濟與金融研究院整理 一代工藝，一代材料。一代工藝，一代材料。半導體材料相較其他電子及制造領域相關材料具有更高的 技術門檻，且更新速度較快，常有“一代工藝，一代材料”的說法，一方面是隨 著工藝的不斷推進， 對于原材料的要求不斷提升， 一方面是不斷有新的材料出現。 圖圖 6 6、一代工藝，一代材料、一代工藝，一代材料 資料來源：AMAT，Cabot，興業證券經濟與金融研究院整理 大基金是國內半導體行業

20、的重要風向標，大基金一期已投資完畢，總投資額 1387 億元，公開投資公司 23 家，累計投資項目達 70 個左右。分領域來看，據集微網 統計，一期投資項目中集成電路制造占比最高，達 67%，設計和封測分別占 17% 和 10%，而設備和材料僅占 6%。 0 50 100 150 200 250 300 350 2016201720182019E 全球半導體制造材料市場（億美金） 其他 靶材 CMP拋光材料 電子氣體 濕化學品 光刻膠配套試劑 光刻膠 掩模板 硅片 硅片 38% 掩模板 13% 光刻膠 5% 光刻膠配套試 劑7% 濕化學品 5% 電子氣體 13% CMP拋光材料 7% 靶材 2

21、% 其他 10% 0.13um 90nm 65nm 40nm 28nm 20nm 14nm 10nm 7nm 5nm 硅片純度6N 11N 表面潔凈度0.xxum Pa y ea 均一性 3sigma x um 氧含量x% 光刻膠i line KrFDry ArFArFi EUV 電子氣體純度99.99% 金屬元素凈化率99.99% 濕化學品G1 G2 G3 G4 G5 金屬雜質x ug/L 顆粒尺寸x um 顆粒顆數y ea 拋光液配斱調試精確度 拋光液選擇比 磨料顆粒大小、pH值精確度 掩模板關鍵尺寸精確度 缺陷性能 熱膨脹系數 原 材 料 不 斷 升 級 新 材 料 出 現 Al Cu

22、Poly Gate Metal Gate SiO2 High k W Co金屬互連 柵極材料 柵極氧化層材料 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 8 - 深度研究報告深度研究報告 而大基金二期已于 2019 年底完成籌資， 預計實質性投資即將開始。 二期注冊資本 為 2041.5 億元，遠高于一期的 1387 億元，帶來更大的投資機會。我們認為二期 大基金將繼續投資重資本開支環節的制造、存儲領域，這將加速上游半導體設備 和材料的國產化進程，此為間接催化，而另一方面據大基金總經理丁文武在一次 會議中提到，將盡量對設備和材料領域加大支持，推動其加速發展

23、，此為直接催 化， 因此我們判斷大基金二期的投資項目將進一步加速設備和材料的國產化進程。 圖圖 7 7、大基金一起投資結構大基金一起投資結構 圖圖 8 8、二期大基金將“直接二期大基金將“直接+ +間接”催化設備、材料國產進程間接”催化設備、材料國產進程 數據來源：集微網，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：百度，興業證券經濟與金融研究院整理 總體來講， 國產的半導體材料目前大部分仍處于前期研發摸索階段， 國內 12 英寸 主流產線上的半導體材料基本都需要進口，只有部分拋光液、靶材、電子氣體、 少量濕化學品可以做到國產替代， 而其中以安集科技的拋光液的國產化程度最高， 其在中芯國際的先進工

24、藝產線已經做到大規模量產，并且有望在長江存儲進一步 規模量產，受益國產化的確定性較強。 圖圖 9 9、國內半導體材料相關領域情況及競爭力、國內半導體材料相關領域情況及競爭力 制造 67% 設計 17% 封測 10% 設備+材料 6% 設計設計制造制造/存儲存儲封測封測 設備設備+材料材料 終端應用終端應用 一期大基金一期大基金 二期大基金二期大基金 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 9 - 深度研究報告深度研究報告 資料來源：各公司公告，興業證券經濟與金融研究院整理 1.1.2 2、C CMPMP 拋光液拋光液海外廠商壟斷，海外廠商壟斷，進口進口

25、替代空間廣闊替代空間廣闊 1.2.11.2.1、C CMPMP：全局平坦化關鍵工藝全局平坦化關鍵工藝，廣泛應用于，廣泛應用于 I IC C 制造制造 在晶圓制造材料中，CMP 拋光材料占據了 7%的市場，這種材料，顧名思義，是 CMP（Chemical Mechanical Planarization，化學機械拋光）工藝中需要用到的半導 體材料。CMP 是集成電路制造過程中實現晶圓全局均勻平坦化的關鍵工藝，與傳 統的純機械或純化學的拋光方法不同，是一種由化學作用和機械作業兩方面協同 完成的拋光方法，能夠實現晶圓表面的高度（納米級）平坦化效果，是薄膜平坦 化的最佳利器，進而能夠改良芯片的整體結構

26、，提升芯片的綜合性能。 圖圖 1010、C CMPMP 工藝示意圖工藝示意圖 圖圖 1111、C CMPMP 工藝原理圖工藝原理圖 數據來源：SMIC，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：安集招股說明書，興業證券經濟與金融研究院整理 半導體材料全球市場（億美金）全球龍頭代表公司國內代表企業國內技術水平 國內公司競 爭力 硅片120 日本信越化工、日本勝高、臺灣環球 晶圓、德國世創電子、韓國LG Silitron 硅產業集團、中環股份、 重慶超硅 12英寸產線部分可 以做到控擋片水平， 正片尚無規模放量 掩模板40日本DNP、美國Photronics 中芯國際、菲利華、清 溢光電 尚無規模放

27、量 電子氣體40 美國空氣化工、法液空、德國林德集 團、日本大陽日酸 華特氣體、雅克科技、 南大光電 部分CO2、碳氟類、 光刻氣、ALD前驅體、 磷烷、砷烷等可以 做到國產替代 CMP拋光材料25 美國卡博特、日本Fujimi、美國陶氏、 美國杜邦 安集科技、鼎龍股份 安集拋光液在中芯 國際大規模放量， 并有望在長江存儲 規模放量 光刻膠18日本JSR、日本信越化學、美國陶氏 北京科華、晶瑞股份、 南大光電 低端的g線、i線量產， 高端完全進口 濕化學品15 德國巴斯夫、美國霍尼韋爾、日本住 友化學 晶瑞股份、江化微 少數可以做到國產 替代 靶材8 日本日礦金屬、日本東曹、美國霍尼 韋爾、美

28、國普萊克斯 江豐電子、有研新材、 阿石創 部分可以做到國產 替代 薄膜沉積 CMP 刻蝕 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 10 - 深度研究報告深度研究報告 隨著工藝節點的不斷推進，對于薄膜平坦化的要求也越來越高，而傳統的平坦化 技術如濺射玻璃 SOG、 次常壓化學氣相沉積 SACVD 等方法都是局部平坦化技術， 無法滿足更先進工藝節點的平坦化要求。從 0.35m 技術節點開始，CMP 技術成 為了目前唯一可實現全局平坦化的關鍵技術。 圖圖 1212、C CMPMP 工藝可實現高度平坦化工藝可實現高度平坦化 圖圖 1313、C CMPMP 工藝

29、和傳統平坦化工藝對比工藝和傳統平坦化工藝對比 數據來源：卡博特微電子，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：百度文庫，興業證券經濟與金融研究院整理 目前在集成電路制造中 CMP 技術的應用越來越廣泛，從加工過程中最初的 STI （淺溝槽隔離層）到 ILD（層間介質）再到 Metal 金屬互連層再到后期的 TM（頂 層金屬） 都需要用到。 而根據拋光薄膜種類的不同， CMP可以分為金屬薄膜CMP、 氧化硅薄膜 CMP 和硅薄膜 CMP 等種類，且各自有側重的主要應用領域。其中 金屬薄膜 CMP 主要包括鎢&鎢阻擋層 CMP、銅&銅阻擋層 CMP、鋁 CMP 等； 氧化硅薄膜 CMP 主要包括層

30、間介質層 CMP、淺溝槽 CMP 等； 硅薄膜 CMP 主要包括晶圓表面 CMP、多晶硅 CMP 等； 圖圖 1414、典型的典型的 CMOSCMOS 結構中用到的結構中用到的 CMPCMP 制程制程 圖圖 1 15 5、 I IC C 加工過程中常見的加工過程中常見的 CMPCMP 種類 （按拋光薄膜分）種類 （按拋光薄膜分） 數據來源：SMIC，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：卡博特微電子，興業證券經濟與金融研究院整理 CMP種類具體工藝主要應用 金屬薄膜 鎢 & 鎢阻擋層3D NAND、DRAM、Logic 銅 & 銅阻擋層Logic、3D NAND、DRAM 鋁Metal ga

31、te（28nm及以下） 氧化硅薄膜 層間介質層（ILD0）Logic、3D NAND、DRAM 淺溝槽隔離層（STI）Logic、3D NAND、DRAM 硅薄膜 晶圓表面3D NAND、硅片加工 多晶硅3D NAND、DRAM、Logic 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 11 - 深度研究報告深度研究報告 1.1.2.2.2 2、C CMPMP 拋光液：拋光液：海外廠商壟斷，核心壁壘在于配方海外廠商壟斷，核心壁壘在于配方 CMP 的工作原理是，在一定壓力下及拋光液的存在下，被拋光晶圓對拋光墊做相 對運動，借助納米磨料的機械研磨作用與各類化學試

32、劑的化學作用的高度有機結 合來實現平坦化要求，因此用到的材料主要包括拋光液和拋光墊。其中拋光液在 CMP過程中影響著化學作用與磨粒機械作用程度的比例， 很大程度上決定了CMP 能獲得的拋光表面質量和拋光效果。 據 Cabot Microelectronics 數據，18 年全球 CMP 拋光液市場規模為 12.7 億美元， 同比增長 6%。 目前全球拋光液市場主要由美國和日本廠商所壟斷， Cabot、 日立、 Fujimi、 Versum 和 Dow 五家廠商便占據了約 80%的市場份額， 國產廠商市占率較 低，但和 2000 年時 Cabot 獨占 80%份額相比，格局已有了明顯優化。 圖圖

33、 1 16 6、全球全球 CMPCMP 拋光液拋光液和拋光墊和拋光墊市場規模（億美元）市場規模（億美元） 圖圖 1 17 7、全球全球拋光液市場格局拋光液市場格局 數據來源：卡博特微電子，興業證券經濟與金融研究院整理 數據來源：觀研天下，興業證券經濟與金融研究院整理 拋光液的核心壁壘在于拋光液的核心壁壘在于產品產品配方配方和工藝流程控制和工藝流程控制。 CMP 拋光液的主要原料包括研 磨顆粒、各種添加劑和水，其中添加劑的種類根據產品應用也有所不同，如金屬 拋光液中有金屬絡合劑、腐蝕抑制劑等，非金屬拋光液中有各種調節去除速率和 選擇比的添加劑。在加料、混合和過濾等關鍵生產流程中，各種組分的比例、

34、順 序、速度和時間等都會影響到最終的產品性能，需要公司不斷優化研究來找出最 合適的方案，因此產品配方和生產工藝流程是每家公司的技術秘密，也是其核心 競爭力所在。 表表 1 1、CMPCMP 拋光液的構成及簡介拋光液的構成及簡介 6.5 7 7.4 11 12 12.7 0 2 4 6 8 10 12 14 201620172018 拋光墊拋光液 Cabot Microelectronics 36% Versum 10% Hitachi 15% Fujimi 11% Dow 6% 安集科技 2% 其他 20% 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 12

35、 - 深度研究報告深度研究報告 組分組分 作用簡介作用簡介 磨料 通過微切削、微滑擦、滾壓等方式作用于工件被加工表面，去除表面材料 pH 值調節劑 調節拋光液 pH 值，以保證化學反應的進行，分酸性和堿性兩大類 氧化劑 較快地在拋光表面形成一層結合力弱的氧化膜，利于后續機械去除 分散劑 提高拋光液的分散穩定性，減少溶液中磨料粒子團聚 表面活性劑 改善拋光液的分散穩定性，使分散劑吸附在磨粒表面，改變磨粒表面性質 資料來源：知網，興業證券經濟與金融研究院整理 與前述 CMP 種類對應，CMP 拋光液同樣可分為鎢拋光液、銅拋光液、硅拋光液 等不同種類，且側重的應用領域有所不同。以邏輯芯片領域為例，從 130/90nm 技 術節點開始，銅憑借更好導電性能大幅取代鋁和鎢作為互連金屬材料，銅拋光液