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寬禁帶半導體(SiC)動態可靠性測試的挑戰_NI.pdf

上傳人: p****n 編號:614101 2025-02-19 39頁 2.61MB

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本文主要探討了寬禁帶半導體(SiC)動態可靠性測試的挑戰及NI大客戶經理楊堃提出的解決方案。關鍵點如下:1. 功率半導體的趨勢:硅基晶體管和IGBT得到廣泛應用,而更高的電壓、電流、熱性能、更少的能量損失、更快的切換速度、更小的尺寸和重量成為未來需求。2. SiC可靠性:SiC從研究到市場用了20多年,第一款商業化的碳化硅肖特基二極管于2001年問世。3. 動態柵極應力測試:該測試模擬器件柵極不斷開啟關斷的過程,以評估其長期漂移特性。4. 動態高溫高濕反偏測試:該測試模擬器件在高濕環境和高壓下的老化過程。5. NI動態可靠性測試方案:該方案包括自動化測試、軟件可配置、標準化測試接口板等,可遵循AQG324等標準。6. 測試服務:提供測試設置和執行的工程支持,定制化服務,以及相近測試報告。
"寬禁帶半導體動態可靠性測試挑戰有哪些?" "如何優化碳化硅器件的動態柵極應力測試?" "動態高溫高濕反偏測試在電力電子認證中的應用如何?"
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