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1、中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 1/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 2/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 3/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 4/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 5/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 6/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 7/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 8/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 20
2、24 年年度報告 9/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 10/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 11/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 12/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 13/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 14/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 15/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 16/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 17/2
3、68 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 18/268 公司代碼:688012 公司簡稱:中微公司 中微半導體設備(上海)股份有限公司中微半導體設備(上海)股份有限公司 20242024 年年度報告年年度報告 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 19/268 重要提示重要提示 一、一、本公司董事會、監事會及董事、監事、高級管理人員保證年度報告內容的真實性、準確性、本公司董事會、監事會及董事、監事、高級管理人員保證年度報告內容的真實性、準確性、完整性,不存在虛假記載、誤導性陳述或重大遺漏,并承擔個別和連帶的法律責任。完整性,不存在虛假記載、誤導性陳述或
4、重大遺漏,并承擔個別和連帶的法律責任。二、二、公司上市時未盈利且尚未實現盈利公司上市時未盈利且尚未實現盈利 是 否 三、三、重大風險提示重大風險提示 報告期內,不存在對公司生產經營產生實質性影響的特別重大風險。公司已在報告中詳細描述可能存在的相關風險,敬請查閱第三節管理層討論與分析“四、風險因素”部分內容。四、四、公司全體董事出席董事會會議。公司全體董事出席董事會會議。五、五、普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)為本公司出具了為本公司出具了標準無保留意見標準無保留意見的審計報告。的審計報告。六、六、公司負責人公司負責人尹志堯尹志堯、主管會計工作負責人
5、、主管會計工作負責人陳偉文陳偉文及會計機構負責人(會計主管人員)及會計機構負責人(會計主管人員)陳偉文陳偉文聲明:保證年度報告中財務報告的真實、準確、完整。聲明:保證年度報告中財務報告的真實、準確、完整。七、七、董事會決議通過的本報告期利潤分配預案或公積金轉增股本預案董事會決議通過的本報告期利潤分配預案或公積金轉增股本預案 公司擬向全體股東每10股派發現金紅利3.00元(含稅)。截止2024年12月31日,公司總股本622,363,735股,扣除公司回購專戶的股份余額2,096,273股,即620,267,462股,以此計算合計擬派發現金紅利186,080,238.60元(含稅)。上述事項已經
6、董事會審議通過,尚需提交股東大會審議。八、八、是否存在公司治理特殊安排等重要事項是否存在公司治理特殊安排等重要事項 適用 不適用 九、九、前瞻性陳述的風險聲明前瞻性陳述的風險聲明 適用 不適用 本年度報告中涉及的未來計劃、發展戰略等前瞻性陳述不構成公司對投資者的實質承諾,投資者及相關人士均應當對此保持足夠的風險認識,并且應當理解計劃、預測與承諾之間的差異,敬請投資者注意投資風險。十、十、是否存在被控股股東及其他關聯方非經營性占用資金情是否存在被控股股東及其他關聯方非經營性占用資金情況況 否 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 20/268 十一、十一、是否存在違反規定決策
7、程序對外提供擔保的情況是否存在違反規定決策程序對外提供擔保的情況 否 十二、十二、是否存在半數以上董事無法保證公司所披露年度報告的真實性、準確性和完整性是否存在半數以上董事無法保證公司所披露年度報告的真實性、準確性和完整性 否 十三、十三、其他其他 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 21/268 目錄目錄 第一節第一節 釋義釋義.22 第二節第二節 公司簡介和主要財務指標公司簡介和主要財務指標.24 第三節第三節 管理層討論與分析管理層討論與分析.29 第四節第四節 公司治理公司治理.80 第五節第五節 環境、社會責任和其他公司治理環境、社會責任和其他公司
8、治理.103 第六節第六節 重要事項重要事項.113 第七節第七節 股份變動及股東情況股份變動及股東情況.133 第八節第八節 優先股相關情況優先股相關情況.141 第九節第九節 債券相關情況債券相關情況.141 第十節第十節 財務報告財務報告.142 備查文件目錄 載有公司負責人、主管會計工作負責人、會計機構負責人(會計主管人員)簽名并蓋章的財務報表。載有會計師事務所蓋章、注冊會計師簽名并蓋章的審計報告原件。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 22/268 第一節第一節 釋義釋義 一、一、釋義釋義 在本報告書中,除非文義另有所指,下列詞語具有如下含義:常用詞語釋義 報告
9、期 指 2024 年 1 月 1 日至 2024 年 12 月 31 日 公司、本公司、中微公司 指 中微半導體設備(上海)股份有限公司 股東大會 指 中微半導體設備(上海)股份有限公司股東大會 董事會 指 中微半導體設備(上海)股份有限公司董事會 監事會 指 中微半導體設備(上海)股份有限公司監事會 中國證監會、證監會 指 中國證券監督管理委員會 上交所 指 上海證券交易所 元、萬元、億元 指 人民幣元、人民幣萬元、人民幣億元 中微亞洲 指 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.Asia 中微南昌 指 南昌中微半導體設備有限公司 中微臨港 指 中微
10、半導體(上海)有限公司 中微匯鏈 指 中微匯鏈科技(上海)有限公司 中微惠創 指 中微惠創科技(上海)有限公司 芯匯康 指 芯匯康生命科學(上海)有限公司 超微公司 指 超微半導體設備(上海)有限公司 上海創投 指 上海創業投資有限公司 巽鑫投資 指 巽鑫(上海)投資有限公司 南昌智微 指 南昌智微企業管理合伙企業(有限合伙)Bootes 指 Bootes Pte.Ltd.Grenade 指 Grenade Pte.Ltd.勵微投資 指 上海勵微投資管理合伙企業(有限合伙)芃徽投資 指 上海芃徽投資管理合伙企業(有限合伙)DAS 環境專家有限公司 指 DAS Environmental Exp
11、ert GmbH CCP 指 Capacitively Coupled Plasma,電容性耦合的等離子體源 CMOS 指 Complementary Metal Oxide Semiconductor,互補金屬氧化物半導體,指制造大規模集成電路芯片用的一種器件結構 CVD 指 Chemical Vapor Deposition,化學氣相沉積 DRAM 指 Dynamic Random Access Memory,動態隨機存取存儲器 ETCH、刻蝕 指 用化學或物理方法有選擇地在硅片表面去除不需要的材料的過程,是與光刻相聯系的圖形化處理的一種主要工藝,是半導體制造工藝的關鍵步驟 氮化鎵 指 G
12、allium Nitride,氮和鎵的化合物,一種第三代半導體,主要應用為半導體照明和顯示、電力電子器件、激光器和探測器等領域 Gartner 指 IT 領域領先的研究與顧問公司,研究范圍覆蓋從最上游的硬件設計、制造到最下游終端應用的 IT 產業全環節 IC、集成電路 指 Integrated Circuit,指通過一系列特定的加工工藝,將晶體管、二極管等有源器件和電阻器、電容器等中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 23/268 無源原件按一定的電路互聯并集成在半導體晶片上,封裝在一個外殼內,實現特定功能的電路或系統 ICP 指 Inductive Coupled Pla
13、sma,電感性耦合的等離子體源 LED 指 Light-Emitting Diode,發光二極管 LED 外延片 指 LED 外延片是指在一塊加熱至適當溫度的襯底基片(主要有藍寶石、SiC、Si 等)上所生長出的特定單晶薄膜 MEMS 指 Micro-Electro-Mechanical System,微機電系統 Mini-LED 指 介于傳統 LED 與 Micro LED 之間的次毫米發光二極管,意指晶粒尺寸約在 100 微米的 LED Micro LED 指 LED 微縮化和矩陣化技術,將 LED 背光源進行薄膜化、微小化、陣列化,可以讓 LED 單元小于 50微米,與 OLED(Org
14、anic Light-Emitting Diode,有機發光二極管)一樣能夠實現每個像素單獨定址,單獨驅動發光 MOCVD 指 Metal-organic Chemical Vapor Deposition,金屬有機化合物化學氣相沉積,MOCVD 設備是 LED 外延片生產過程中的關鍵設備 SEMI 指 國際半導體設備材料產業協會 ALD 指 Atomic layer deposition,原子層沉積,是一種可以將物質以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法 LPCVD 指 Low Pressure Chemical Vapor Deposition,低壓化學氣相沉積 EPI 指 Epita
15、xy,在襯底上生長出的半導體薄膜 TSV、硅通孔 指 Through Silicon Via,一項高密度封裝技術,在三維集成電路中堆疊芯片實現互連的一種新的技術解決方案 VOC 指 Volatile Organic Compounds,揮發性有機化合物 封裝 指 封裝技術的定義為,在半導體開發的最后階段,將一小塊材料(如芯片)包裹在支撐外殼中,以防止物理損壞和腐蝕,并允許芯片連接到電路板的工藝技術 反應臺 指 反應腔中用于承載、冷卻、吸附晶圓的裝置 光刻 指 利用光學-化學反應原理和化學、物理刻蝕方法,將電路圖形傳遞到單晶表面或介質層上,形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術 晶圓 指 用于制作
16、芯片的圓形硅晶體半導體材料 前道、后道 指 半導體設備制造分為前道和后道工藝,前道主要是光刻、刻蝕、清洗、離子注入、化學機械平坦等;后道主要有打線、Bonder、FCB、BGA 植球、檢查、測試等 先進封裝 指 最新的封裝技術,例如 2.5D 及 3D 芯片技術、晶圓級封裝、倒裝芯片封裝和硅通孔技術等 公司章程 指 中微半導體設備(上海)股份有限公司章程 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 24/268 第二節第二節 公司簡介和主要財務指標公司簡介和主要財務指標 一、一、公司基本情況公司基本情況 公司的中文名稱 中微半導體設備(上海)股份有限公司 公司的中文簡稱 中微公司
17、 公司的外文名稱 Advanced Micro-Fabrication Equipment Inc.China 公司的外文名稱縮寫 AMEC 公司的法定代表人 尹志堯 公司注冊地址 上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路188號 公司注冊地址的歷史變更情況/公司辦公地址 上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路188號 公司辦公地址的郵政編碼 201201 公司網址 http:/www.amec- 電子信箱 IR 二、二、聯系人和聯系方式聯系人和聯系方式 董事會秘書 證券事務代表 姓名 劉方 胡瀟 聯系地址 上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路 188 號 上海市浦東新區金橋出口加
18、工區(南區)泰華路 188 號 電話 021-61001199 021-61001199 傳真 021-61002205 021-61002205 電子信箱 IR IR 三、三、信息披露及備置地點信息披露及備置地點 公司披露年度報告的媒體名稱及網址 中國證券報、上海證券報、證券時報、證券日報 公司披露年度報告的證券交易所網址 公司年度報告備置地點 上海市浦東新區金橋出口加工區(南區)泰華路 188號 四、四、公司股票公司股票/存托憑證簡況存托憑證簡況(一一)公司股票簡況公司股票簡況 適用 不適用 公司股票簡況 股票種類 股票上市交易所及板塊 股票簡稱 股票代碼 變更前股票簡稱 A股 上海證券交
19、易所科創板 中微公司 688012 不適用 (二二)公司存托憑證簡況公司存托憑證簡況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 25/268 五、五、其他相關資料其他相關資料 公司聘請的會計師事務所(境內)名稱 普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)辦公地址 上海市黃浦區湖濱路 202 號領展企業廣場 2座普華永道中心 11 樓 簽字會計師姓名 張煒彬、胡玉琢 報告期內履行持續督導職責的保薦機構 名稱 國泰海通證券股份有限公司 辦公地址 上海市廣東路 689 號 簽字的保薦代表人姓名 吳志君、鄔凱丞 持續督導的期間 2021 年 6 月 30 日至 2023 年
20、 12 月 31 日 六、六、近三年主要會計數據和財務指標近三年主要會計數據和財務指標(一一)主要會計數據主要會計數據 單位:元 幣種:人民幣 主要會計數據 2024年 2023年 本期比上年同期增減(%)2022年 營業收入 9,065,165,097.69 6,263,513,581.37 44.73%4,739,830,997.55 歸屬于上市公司股東的凈利潤 1,615,675,746.81 1,785,907,974.46-9.53%1,169,792,388.77 歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤 1,388,153,354.14 1,191,434,841.55 16
21、.51%919,458,510.64 經營活動產生的現金流量凈額 1,458,401,788.71-976,926,439.66 不適用 617,523,432.12 2024年末 2023年末 本期末比上年同期末增減(%)2022年末 歸屬于上市公司股東的凈資產 19,736,912,284.36 17,826,122,876.82 10.72%15,483,931,875.39 總資產 26,217,544,719.07 21,525,546,561.69 21.80%20,034,781,468.88 (二二)主要財務指標主要財務指標 主要財務指標 2024年 2023年 本期比上年同期
22、增減(%)2022年 基本每股收益(元股)2.61 2.89-9.69%1.90 稀釋每股收益(元股)2.60 2.88-9.72%1.90 扣除非經常性損益后的基本每股收益(元股)2.24 1.93 16.06%1.49 加權平均凈資產收益率(%)8.66%10.72%減少2.06個百分點 7.94%扣除非經常性損益后的加權平均凈資產收益率(%)7.44%7.15%增加0.29個百分點 6.24%研發投入占營業收入的比例(%)27.05%20.15%增加6.90個百分點 19.59%報告期末公司前三年主要會計數據和財務指標的說明 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 26
23、/268 適用 不適用 公司 2024 年營業收入約 90.65 億元,較 2023 年增加約 28.02 億元,同比增長約 44.73%。其中,2024 年刻蝕設備銷售約 72.77 億元,同比增長約 54.72%;MOCVD 設備銷售約 3.79 億元,同比下降約 18.03%,LPCVD 設備 2024 年實現首臺銷售,全年設備銷售約 1.56 億元。2024 年歸屬于母公司所有者的凈利潤約 16.16 億元,較上年同期減少 9.53%,本期減少的主要原因:(1)2024 年營業收入增長 44.73%下,毛利較去年增長約 9.78 億元。(2)由于市場對中微開發多種新設備的需求急劇增長,
24、2024 年公司顯著加大研發力度,以盡快補齊國產高端半導體設備短板,實現趕超,為持續增長打好基礎。2024 年公司研發投入約 24.52 億元,較去年增長11.90 億元,同比增長約 94.31%,2024 年研發投入占公司營業收入比例約為 27.05%,遠高于科創板均值。2024 年研發費用 14.18 億元,較去年增長約 6.01 億元,同比增長約 73.59%。(3)2023年公司出售了持有的部分拓荊科技股份有限公司股票,產生稅后凈收益約 4.06 億元,而 2024 年公司并無該項股權處置收益。2024 年歸屬于母公司所有者的扣除非經常性損益的凈利潤約 13.88 億元,較上年同期增加
25、16.51%,本期增長的主要原因:由于 2024 年營業收入增長 44.73%,毛利較去年增長約 9.78 億元,以及 2024 年研發費用較去年增長約 6.01 億元。于報告期末,公司總資產約 262.18 億元,較報告期初增加 21.80%;歸屬于母公司的所有者權益約 197.37 億元,較報告期初增加 10.72%。七、七、境內外會計準則下會計數據差異境內外會計準則下會計數據差異(一一)同時按照國際會計準則與按中國會計準則披露的財務報告中凈利潤和歸屬于上市公司股東同時按照國際會計準則與按中國會計準則披露的財務報告中凈利潤和歸屬于上市公司股東的凈資產差異情況的凈資產差異情況 適用 不適用
26、(二二)同時按照境外會計準則與按中國會計準則披露的財務報告中凈利潤和歸屬于上市公司股東同時按照境外會計準則與按中國會計準則披露的財務報告中凈利潤和歸屬于上市公司股東的凈資產差異情況的凈資產差異情況 適用 不適用 (三三)境內外會計準則差異的說明:境內外會計準則差異的說明:適用 不適用 八、八、2024 年分季度主要財務數據年分季度主要財務數據 單位:元 幣種:人民幣 第一季度(1-3 月份)第二季度(4-6 月份)第三季度(7-9 月份)第四季度(10-12 月份)營業收入 1,605,024,097.68 1,842,688,653.16 2,059,481,848.62 3,557,970
27、,498.23 歸屬于上市公司股東的凈利潤 249,135,780.57 269,625,662.80 394,218,235.00 702,696,068.44 歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益后的凈利潤 262,948,771.07 222,417,665.45 327,873,806.56 574,913,111.06 經營活動產生的現金流量凈額-586,440,411.60 954,012,649.11-100,004,655.12 1,190,834,206.32 季度數據與已披露定期報告數據差異說明 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 27/
28、268 九、九、非經常性損益項目和金額非經常性損益項目和金額 適用 不適用 單位:元 幣種:人民幣 非經常性損益項目 2024 年金額 附注(如適用)2023 年金額 2022 年金額 非流動性資產處置損益,包括已計提資產減值準備的沖銷部分 9,974,461.91 477,543,448.21-4,776,929.11 計入當期損益的政府補助,但與公司正常經營業務密切相關、符合國家政策規定、按照確定的標準享有、對公司損益產生持續影響的政府補助除外 45,719,721.91 94,013,722.26 183,267,058.03 除同公司正常經營業務相關的有效套期保值業務外,非金融企業持有
29、金融資產和金融負債產生的公允價值變動損益以及處置金融資產和金融負債產生的損益 210,660,601.72 100,300,726.32 117,095,343.44 計入當期損益的對非金融企業收取的資金占用費 委托他人投資或管理資產的損益 對外委托貸款取得的損益 因不可抗力因素,如遭受自然災害而產生的各項資產損失 單獨進行減值測試的應收款項減值準備轉回 企業取得子公司、聯營企業及合營企業的投資成本小于取得投資時應享有被投資單位可辨認凈資產公允價值產生的收益 同一控制下企業合并產生的子公司期初至合并日的當期凈損益 非貨幣性資產交換損益 債務重組損益 企業因相關經營活動不再持續而發生的一次性費用
30、,如安置職工的支出等 因稅收、會計等法律、法規的調整對當期損益產生的一次性影響 因取消、修改股權激勵計劃一次性確認的股份支付費用 對于現金結算的股份支付,在可行權日之后,應付職工薪酬的公允價值變動產生的損益-3,966,569.40 -3,553,499.85 1,370,813.22 采用公允價值模式進行后續計 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 28/268 量的投資性房地產公允價值變動產生的損益 交易價格顯失公允的交易產生的收益 與公司正常經營業務無關的或有事項產生的損益 受托經營取得的托管費收入 除上述各項之外的其他營業外收入和支出 5,416,835.75 30
31、,062,991.10-4,366,264.43 其他符合非經常性損益定義的損益項目 減:所得稅影響額-40,274,457.72 103,871,710.75 42,233,559.94 少數股東權益影響額(稅后)-8,201.50 22,544.38 22,583.08 合計 227,522,392.67 594,473,132.91 250,333,878.13 對公司將公開發行證券的公司信息披露解釋性公告第 1 號非經常性損益未列舉的項目認定為非經常性損益項目且金額重大的,以及將公開發行證券的公司信息披露解釋性公告第 1 號非經常性損益中列舉的非經常性損益項目界定為經常性損益的項目,應
32、說明原因。適用 不適用 一、一、非企業會計準則財務指標情況非企業會計準則財務指標情況 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 本期數 上期數 會計指標:歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤 138,815.34 119,143.48 調整項目:股份支付費用 45,822.39 30,244.46 非企業會計準則財務指標:剔除股份支付費用影響后,歸屬于上市公司股東的扣除非經常性損益的凈利潤 184,637.73 149,387.94 選取該非企業會計準則財務指標的原因 無 選取的非企業會計準則財務指標或調整項目較上一年度發生變化的說明 適用 不適用 該非企業會計準則財務指標本期增減變化的
33、原因 無 十、十、采用公允價值計量的項目采用公允價值計量的項目 適用 不適用 單位:元 幣種:人民幣 項目名稱 期初余額 期末余額 當期變動 對當期利潤的影響金額 交易性金融資產 1,868,925,299.14 834,024,383.58-1,034,900,915.56-5,900,915.56 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 29/268 其他非流動金融資產 1,202,733,385.14 1,768,867,710.22 566,134,325.08 163,254,678.70 合計 3,071,658,684.28 2,602,892,093.80-4
34、68,766,590.48 157,353,763.14 十一、十一、因國家秘密、商業秘密等原因的信息暫緩、豁免情況說明因國家秘密、商業秘密等原因的信息暫緩、豁免情況說明 適用 不適用 第三節第三節 管理層討論與分析管理層討論與分析 一、一、經營情況經營情況討論與分析討論與分析 半導體設備是集成電路和泛半導體微觀器件產業的基石,而集成電路和泛半導體微觀器件,又是數碼時代的基礎。半導體設備微觀加工的能力是數碼產業發展最卡脖子的關鍵,“半導體行業的未來,制造設備是關鍵”,沒有能加工微米和納米尺度的光刻機、等離子體刻蝕機和薄膜沉積等設備,就不可能制造出集成電路和微觀器件。隨著微觀器件越做越小,結構越
35、做越復雜,半導體設備的極端重要性更加凸顯出來。一個國家要成為數碼時代的強國,至關重要的是要成為半導體微觀加工設備的強國。近年來數碼產業蓬勃發展,已成為國民經濟發展的重要引擎。隨著數碼產業的發展,全球半導體芯片和晶圓制造領域的持續投資,促進了半導體設備行業的快速發展。數碼產業占全球企業總產值 40%以上,而且在不斷增長,和傳統工業已經成為國民經濟的兩大支柱,數碼產業的發展正在徹底改變人類的生產方式和生活方式。半導體微觀加工設備是發展集成電路和數碼產業的關鍵,已成為人們最關注的硬科技產業之一。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 30/268 中國的集成電路和泛半導體產業近年來
36、持續興旺。在政府的大力推動和業界的努力下,雖然在半導體設備的門類、性能和大規模量產能力等方面,國產設備和國外設備相比還有一定的差距,但發展迅速并已初具規模,中國大陸半導體設備市場規模在全球的占比逐年提升。中微公司的主營產品等離子體刻蝕設備和薄膜設備作為光刻機之外的核心微觀加工設備,其制程步驟復雜度與工藝開發難度均在業內處于突出地位。微觀器件的不斷縮小推動了器件結構和加工制成的革命性變化。存儲器件內部架構從 2D 到 3D 的轉換,使等離子體刻蝕和薄膜制程成為關鍵的核心步驟,對這兩類設備的需求量大大增加。光刻機由于波長的限制,先進的微觀結構要靠等離子體刻蝕和薄膜的組合“二重模板”和“四重模板”工
37、藝技術來加工,刻蝕機和薄膜設備的重要性不斷提高,這給主要提供等離子體刻蝕設備和薄膜設備的中微公司帶來了高速成長機會。此外,量檢測設備市場增長速度很快,已成為占半導體前道設備總市場約 13%的第四大設備門類。量檢測設備市場主要分為光學量檢測設備和電子束量檢測設備,其中公司于 2024 年新發起設立了超微公司,重點開發電子束量檢測設備等,公司將通過各種方式擴大對多門類量檢測設備的市場參與和覆蓋。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 31/268 公司的等離子體刻蝕設備及薄膜沉積設備持續獲得眾多客戶的認可,針對芯片制造中關鍵工藝的高端產品新增付運量及銷售額顯著提升。公司站在先進制
38、程工藝發展最前沿,始終強調技術創新、產品差異化和知識產權保護的基本原則,并保持高強度的研發投入。目前在研項目涵蓋六類設備,總共有超過二十款新設備在開發中。新產品開發已經取得了顯著成效,近兩年新開發的LPCVD 薄膜設備和 ALD 薄膜設備,已有多款新型設備順利進入市場并獲得重要客戶的重復性訂單。其中,LPCVD 薄膜設備累計出貨量已突破 150 個反應臺,其他多個關鍵薄膜沉積設備研發項目的研發進程均比較順利,有望盡快進入客戶驗證階段。公司 EPI 設備已進入客戶端量產驗證階段。公司在 Micro-LED 和高端顯示領域的 MOCVD 設備開發及客戶驗證上取得了良好進展,并正在開發用于碳化硅和氮
39、化鎵基功率器件應用的相關設備。公司繼續瞄準世界科技前沿,持續踐行三維立體發展戰略,深耕集成電路關鍵設備領域、擴展在泛半導體關鍵設備領域應用并探索其他新興領域的機會,推進公司實現高速、穩定、安全發展。公司堅持以市場和客戶需求為導向,積極應對復雜形勢,繼續加大研發投入和業務開拓力度,推動以研發創新為驅動的高質量增長策略,抓住重點客戶擴產投資機會,推進訂制化精細化生產經營,公司在刻蝕設備、薄膜設備、MOCVD 設備等設備產品研發、市場布局、新業務投資拓展等諸多方面取得了較大的突破和進展,產品不斷獲得海內外客戶的認可,為公司持續健康發展提供了有力支撐。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年
40、度報告 32/268 公司同時兼顧外延性發展,在聚焦公司核心業務集成電路設備的同時積極探索布局其他新業績增長點,子公司中微惠創、中微匯鏈、芯匯康及公司參與投資的諸多公司在各自細分領域取得了卓有成效的進展。此外,為擴充資產規模、增強公司實力以持續做大做強主業,公司產業化建設項目進展順利。公司位于南昌的約 14 萬平方米的生產和研發基地、在上海臨港的約 18 萬平方米的生產和研發基地已相繼投入使用;上海臨港滴水湖畔約 10 萬平方米的總部大樓暨研發中心也在順利建設;為確保今后十年有足夠的廠房,并保障眾多新產品研發和產能高速增長的需求,公司將在廣州增城區及成都高新區建造新的生產和研發基地。報告期內公
41、司持續提升綜合競爭力,在技術進步、業務發展、業績增長、規范治理等方面不斷向國際先進水平的方向努力,實現公司高速、穩定、健康、安全發展。報告期內重點任務完成情況報告期內重點任務完成情況 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 33/268 報告期內,公司在研發創新、知識產權體系建設、生產經營、外延式生長等方面取得了積極成果:1、產品研發及客戶拓展方面、產品研發及客戶拓展方面 公司堅持自主創新,產品布局及技術研發面向世界科技前沿。報告期內,公司繼續保持較高的研發投入,與國內外一流客戶保持緊密合作,相關設備產品研發進展順利、客戶端驗證情況良好。2024 年公司研發投入約 24.52
42、 億元,較去年增長 11.90 億元,同比增長約 94.31%,研發投入占公司營業收入比例約為 27.05%,遠高于科創板上市公司的平均研發投入水平。報告期內,公司發揮產品技術及銷售服務競爭優勢,不斷強化公司技術和品牌優勢,持續深化同海內外客戶的業務合作,以更好的市場形象和更專業的服務為客戶提供產品解決方案。在持續改善量產機臺的運行時間和生產效率的同時,研發團隊和客戶緊密合作,進行更多的關鍵制程的工藝開發和驗證,進一步提高產品的技術先進性和市場競爭力,以拓寬機臺的生產能力并贏得更多的制程量產機會。公司主要產品的進展情況如下:(1)CCP 刻蝕設備 公司 CCP 刻蝕設備中雙反應臺 Primo
43、D-RIE、Primo AD-RIE、Primo AD-RIEe,單反應臺 Primo HD-RIE 等產品已廣泛應用于國內外一線客戶的生產線,2024 年付運量較 2023 年增長逾 100%。具有動態可調電極間距功能的雙反應臺 Primo SD-RIE 進入先進邏輯生產線驗證關鍵工藝。用于高精度高選擇比刻蝕工藝的單反應臺產品 Primo HD-RIEe,和用于超高深寬比刻蝕工藝的 Primo UD-RIE 實現規模付運。2024 年全年 CCP 刻蝕設備生產付運超過 1200 反應臺,創歷史新高。累計裝機量超過 4000 反應臺,連續十年保持大于 30%的年平均復合增長率。中微半導體設備(
44、上海)股份有限公司 2024 年年度報告 34/268 公司已有的刻蝕產品已經對 28 納米以上的絕大部分 CCP 刻蝕應用和 28 納米及以下的大部分 CCP 刻蝕應用形成較為全面的覆蓋。針對 28 納米及以下的邏輯器件生產中廣泛采用的一體化大馬士革刻蝕工藝,公司開發的可調節電極間距的 CCP 刻蝕機 Primo SD-RIE 已進入國內領先的邏輯芯片制造客戶端,初步電性驗證已經通過,正在進行更多的器件功能測試。Primo SD-RIE 也已經進入 28 納米以下的研發線,就多項關鍵刻蝕工藝開展現場研發工作。該設備采用雙反應臺平臺設計,在滿足客戶工藝指標的同時可以有效幫助客戶降低其相關的生產
45、成本。Primo SD-RIE 具有實時可調電極間距功能,可以在同一刻蝕工藝的不同步驟使用不同的電極間距,能靈活調節等離子體和活性自由基的濃度分布,公司多項的技術革新能有效應對一體化大馬士革刻蝕工藝中的獨特要求,在同一刻蝕工藝中有效應對在實現最優溝槽和通孔刻蝕均勻性過程中可能發生的問題,極大拓寬了一體化刻蝕工藝的工藝窗口和工藝能力。在存儲器件制造工藝中,公司的成熟產品可以覆蓋存儲器件制造中的絕大部分應用。同時,公司針對超高深寬比刻蝕自主開發的具有大功率 400kHz 偏壓射頻的 Primo UD-RIE 已經在先進的存儲器件生產線至關重要的超高深寬比刻蝕工藝中取得大規模應用。該設備適用于 DR
46、AM 和 3D NAND 器件制造中需求量大且極為核心的高深寬比刻蝕工藝。同時,公司積極布局超低溫刻蝕技術,以滿足超高深寬比刻蝕技術迭代的需求。(2)ICP 刻蝕設備 報告期內,公司的 ICP 刻蝕設備在涵蓋邏輯、DRAM、3D NAND、功率和電源管理、以及微電機系統等芯片和器件的 50 多個客戶的生產線上量產,并繼續驗證更多 ICP 刻蝕工藝。2024 年,ICP 刻蝕設備在客戶端的累計安裝數達到 1025 個反應臺,近四年年均增長大于 100%。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 35/268 報告期內,公司推出了適用于更高深寬比結構刻蝕的 Nanova LUX-W
47、T 和 Nanova LUX-Cryo兩種 ICP 設備。Nanova LUX-WT 在客戶端投入量產,Nanova LUX-Cryo 在客戶端認證中。這些配備新功能的 Nanova 系列的產品,提升了 ICP 刻蝕設備的刻蝕能力,有效地擴大了中微 ICP 設備在芯片制造中的量產刻蝕工藝覆蓋率,獲得重要客戶的批量重復訂單,實現高成長率。與此同時,下一代 ICP 刻蝕設備 Primo Nanova 2G 在實驗室已經搭建完成 Alpha 反應腔,正展開工藝開發。Primo Twin-Star 則在海內外客戶的邏輯芯片、功率器件、微型發光二極管 Micro-LED、AR 和VR 智能眼鏡用的超透鏡
48、(Metalens)等特色器件的產線上實現量產,并取得重復訂單。報告期內,公司 ICP 技術設備類中的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設備 Primo TSV 200E、Primo TSV 300E 在晶圓級先進封裝、2.5D 封裝和微機電系統芯片生產線等成熟市場繼續獲得重復訂單的同時,在 12 英寸的 3D 芯片的硅通孔刻蝕工藝上得到成功驗證,并在歐洲客戶 12 英寸微機電系統芯片產線上獲得認證的機會,這些新工藝的驗證為公司 Primo TSV 300E 刻蝕設備拓展了新的市場。在追求更高性能的同時,根據國內對成熟制程和新興特殊器件的工藝需求,公司開發了 Primo Metal Al 刻蝕設
49、備,并在實驗室搭建了 Alpha 機臺,開始和客戶合作開發鋁線刻蝕工藝和實驗室現場驗證演示。此外,報告期內,公司根據客戶和市場技術發展需求,有序推進更多先進 ICP 刻蝕技術研發,為推出下一代 ICP 刻蝕設備做技術儲備,以滿足新一代的邏輯、DRAM 和 3D NAND 存儲等芯片制造對 ICP 刻蝕的需求。(3)MOCVD 設備 報告期內,公司用于藍光照明的 PRISMO A7、用于深紫外 LED 的 PRISMO HiT3、用于 Mini-LED 顯示的 PRISMO UniMax 等產品持續服務客戶。截止 2024 年,公司持續保持國際氮化鎵基中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024
50、 年年度報告 36/268 MOCVD 設備市場領先地位。其中 PRISMO UniMax 產品自 2021 年 6 月正式發布以來,憑借其高產量、高波長均勻性、高良率等優點,受到下游客戶的廣泛認可,在 Mini-LED 顯示外延片生產設備領域處于國際領先。(圖:PRISMO UniMax MOCVD 設備)公司于 2023 年底付運 Micro-LED 應用的設備樣機 Preciomo Udx 至國內領先客戶開展生產驗證。報告期內樣機驗證順利,已基本滿足客戶生產要求。(圖:Preciomo Udx MOCVD 設備)隨著電動汽車、消費電子、人工智能、風力與光伏儲能和軌道交通等應用的快速發展,
51、市場對氮化鎵和碳化硅功率器件的需求呈現爆發式增長。公司已經建立了氮化鎵 LED 外延裝備的優勢,在此基礎上,進一步研發了面向硅基氮化鎵異質外延功率器件的專用設備。于 2022 年推出了中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 37/268 用于氮化鎵功率器件生產應用的 MOCVD 設備 PRISMO PD5,目前已交付客戶進行生產驗證,并取得了重復訂單。除此之外,公司正在開發新一代氮化鎵功率器件應用的 MOCVD 設備,將進一步提升設備性能,降低客戶生產成本,持續提升公司在氮化鎵基 MOCVD 設備領域的競爭力,預計 2025 年將付運至客戶進行驗證。同時,公司也啟動了應用于碳
52、化硅功率器件外延生產設備的開發,報告期內公司取得較大的技術進展,實現了優良的工藝結果,正與多家領先客戶開展商務洽談,報告期內已付運樣機至國內領先客戶開展生產驗證。此外,公司也緊跟市場發展趨勢,積極拓展 MOCVD 設備的應用范圍;報告期內,公司啟動了應用于紅黃光 LED 的 MOCVD 設備開發,目前開發較為順利,實驗室初步結果已實現了優良的波長均勻性能。(4)薄膜沉積設備研發 公司已開發出六款薄膜沉積產品推向市場。中微公司鎢系列薄膜沉積產品:CVD(化學氣相沉積)鎢設備,HAR(高深寬比)鎢設備和 ALD(原子層沉積)鎢設備,可覆蓋存儲器件所有鎢應用;該系列設備均已通過關鍵存儲客戶端現場驗證
53、,滿足先進存儲應用中所有金屬互聯應用(包含高深寬比金屬互聯應用)及三維存儲器件字線應用各項性能指標,并獲得客戶重復量產訂單。同時,公司鎢系列產品也可滿足先進邏輯客戶鎢接觸孔應用性能需求,已付運機臺到多個邏輯客戶進行驗證,為進一步積累市場優勢打下基礎。同期,公司開發出應用于先進邏輯器件的金屬柵系列產品:ALD 氮化鈦,ALD 鈦鋁,ALD 氮化鉭產品,已完成多個先進邏輯客戶設備驗證,可滿足先進邏輯客戶性能需求的同時,設備的薄膜均一性,污染物控制和生產效率均達到世界先進水平。該系列設備已付運到先進邏輯客戶端進行驗證,核準推進順利。其中,ALD 氮化鈦薄膜也是先進存儲器件中鎢填充阻擋層和粘結層的主要
54、選擇,公司開發的 ALD 氮化鈦設備可滿足先進存儲器件高深寬比及三維結構的臺階覆蓋率需求及各項性能指標,并已通過多個關鍵存儲客戶的樣品驗證,有利于進一步擴大市場規模。中微公司在現有的金屬 CVD 和 ALD 設備研發基礎上,同步推進多款 CVD 和 ALD 設備開發,增加薄膜設備的覆蓋率,進一步拓展市場。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 38/268 公司的薄膜沉積設備采用獨特的雙腔設計,每個腔體可獨立進行工藝調節,保證產品性能的同時,大大提高了生產效率,降低了材料成本。此外,中微獨立自主的 IP 設計,確保了更優化的產品性能,也保障了產品未來的可持續發展。公司 EPI
55、 設備研發團隊,通過基礎研究和采納關鍵客戶的技術反饋,已經開發出具有自主知識產權及創新的平臺,預處理和外延反應腔,目前公司 EPI 設備已順利進入客戶端量產驗證階段,以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的量產需求。(5)氣體凈化設備 子公司中微惠創利用分子篩的吸附原理,開發制造了平板顯示領域氣體凈化設備。設備可根據客戶的要求靈活配置不同處理規模的系統,提供給客戶可靠、穩定、安全和節能的凈化解決方案。此外,中微惠創與德國 DAS 環境專家有限公司繼續開展戰略合作,雙方在半導體行業尾氣處中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 39/268 理設備領域展開緊密的合作,目前已經批量生
56、產制造凈化設備,并順利地應用在各個客戶端,共同推動環??萍夹袠I的發展。(圖:氣體凈化設備)(6)分布式生態工業互聯網平臺 子公司中微匯鏈基于多年來在中微公司沉淀總結的業務管理最佳實踐,以及半導體等高、精、尖制造領域多家企業的數字化規劃與建設經驗,并結合創新數字化技術與理念(包括區塊鏈、Web 3、數字孿生、人工智能等),自主研發并推出了適配新型工業化發展趨勢的完善數字化產品體系,致力于服務高科技制造產業與企業。匯鏈以制造行業細分領域專業管理視角,協助解決企業實際經營中的核心痛點:不僅全面提升研發、制造、質量、交付、售后管理能力,還助力企業融入產業生態,全面參與產業協作體系,推動本土制造產業培育
57、更多“專精特新”中小企業和單項冠軍企業。此外還為本土制造產業打造企業間協同互信、資源共享的產業生態型平臺。目前,匯鏈產品覆蓋工業場景應用數量已超 80 個,可訂閱微服務超 900 個。中微匯鏈為國家信通院“星火 鏈網”半導體骨干節點技術建設單位、上海市工業互聯網協會以及中國物流與采購聯合會區塊鏈分會的首批理事單位、上海市浦東新區中小企業數字化轉型城市試點服務商、中國產業區塊鏈企業 50 強,并代表中微公司成為上海市與上海浦東新區集成電路產業數字化轉型“鏈主”培育企業并行使具體職責;獲得上海市質量管理數字化轉型案例十佳案例、2024 年生產性互聯網服務平臺兩業融合優秀案例、工賦新質-上海市工業互
58、聯網創新發展實踐案例等獎項;并參與制定區塊鏈服務基于區塊鏈的去中心化標識(DID)技術要求、區塊鏈服務數字孿生開發平臺技術規范等多項數字化領域團體標準。報告期內,公司研發方向和產品符合市場趨勢和需求,與產業發展深度融合。各產品的研發成果均取得行業主流客戶的認可,客戶驗證情況良好,鞏固了公司產品的競爭優勢。2、生產基地建設、生產基地建設 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 40/268 為更好地完善公司的產業鏈布局,進一步提升公司的產能規模和綜合競爭實力,公司在上海臨港新片區建設中微臨港產業化基地及中微臨港總部和研發中心,在南昌高新區建設中微南昌產業化基地。公司位于南昌的約
59、 14 萬平方米的生產和研發基地已建成完工,并于 2023 年 7 月正式投入使用;公司在上海臨港的約 18 萬平方米的生產和研發基地主體建設已基本完成,并于 2024年 8 月正式投入使用;上海臨港滴水湖畔約 10 萬平方米的總部大樓暨研發中心也在順利建設,為今后的發展夯實基礎。(圖:上海臨港生產和研發基地項目整體航拍圖)3、供應保障方面、供應保障方面 公司在需求預測、庫存管理和供應商管理三方面建立了動態協調機制,使生產所需的零部件原材料能夠高效流轉。公司也在持續開發關鍵零部件的供應商,也非常重視零部件的國產化工作。公司建立了高效的庫存管控體系,設置合理的庫存警戒線,以加快存貨周轉。隨著智能
60、工廠項目和精益管理的持續推進,人員效率和人均產能將穩步提升,制造成本更富競爭力。同時,公司深入強化質量管理體系建設,增強員工質量意識,產品質量缺陷數量呈逐年下降態勢。4、營運管理方面、營運管理方面 公司在營運管理中采用關鍵指標管理,尤其在生產管理、材料管理、客戶技術支持和設備運行表現方面設定了一系列的關鍵考核指標,覆蓋了質量、效率、成本和安全等眾多方面。公司定期跟蹤各項指標的執行情況,并根據統計結果和客戶反饋,制定出關鍵指標的改進要求。2024 年,公司獲得了多項殊榮,行業認可度不斷提升,包括金橋開發區“科研投入成就獎”、東方芯港杰出貢獻獎、招商大使獎、福布斯中國創新力企業 50 強等。報告期
61、內,公司營運效率持續提高,設備交付按時率保持在較高水準,物料成本控制等指標達到預期水平。5、知識產權保障方面、知識產權保障方面 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 41/268 公司高度重視科技創新和知識產權保護工作。報告期內,公司新增專利申請 359 項,包括發明專利 263 項,實用新型專利 84 項,外觀設計專利 12 項。截至 2024 年 12 月,公司已申請 2,910項專利,其中發明專利 2,424 項,占比 83.30%;已獲授權專利 1,781 項,其中發明專利 1,514 項。公司鼓勵創新,組織開展優秀專利獎項的評選活動,并著重獎勵在產品創新方面取得杰
62、出成效的員工。2025 年 1 月 9 日,公司和南昌中微共同擁有的發明專利“一種化學氣相沉積裝置及其清潔方法”(專利號:ZL201510218357.1)榮獲第二十五屆中國專利獎銀獎。中國專利獎是我國專利領域的最高榮譽,由國家知識產權局和世界知識產權組織聯合主辦,旨在鼓勵和表彰專利權人和發明人對技術創新及經濟社會發展所作出的突出貢獻。至此,中微公司已榮獲中國專利獎 2 項金獎、1 項銀獎和 3 項優秀獎,這標志著中微公司在技術創新和知識產權保護方面所取得的卓越成就。6、人才建設方面、人才建設方面 公司視“員工”為最寶貴的資產,致力于為員工提供廣闊的職業發展空間,構建專業線、管理線發展雙通道,
63、并設計了針對不同發展階段、形式多樣的職業規劃,拓展人才發展渠道,無論普通員工,還是管理團隊均能獲得充分的成長、發展機會。同時,公司踐行“五個十大”的公司文化,打造賦能型、人性化、全員參與式的學習氛圍,不斷激發員工活力,助力員工實現自身職業理想,與企業共同成長發展。報告期內,公司進一步拓寬人才吸引渠道,從國內外吸引了行業經驗豐富的管理及技術人才,并從知名院校中挑選了一批優秀的畢業生,公司 2024 年新入職員工 869 人。公司注重激發組織和員工活力,組織開展多項深入的專題培訓、學習交流,涵蓋工程技術、戰略商務、運營管理、財證金融、人工智能和人才發展六大學習版塊,有力促進培養組織需要的技能,提升
64、組織及人員競爭力,建立學習型組織文化氛圍。公司持續優化人才梯隊,為業務可持續發展提供人才保障。公司持續優化人才績效評估體系及人才晉升機制,使得優勢資源更進一步的向高績效員工傾斜。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 42/268 (圖:中微學習發展中心)7、外延式發展方面、外延式發展方面 公司不斷踐行外延式發展策略,公司下屬的中微匯鏈、中微惠創、芯匯康在新業務拓展領域取得了良好的進展,得到了市場和用戶的高度評價。2024 年度,公司新發起設立了超微公司,著力開發電子束檢測設備。同時,積極探索在相關領域的投資機會,公司諸多參股投資的公司營運表現良好,形成了良好的產業鏈協同效應
65、。其中,公司參股投資的珂瑪科技、先鋒精科在 2024 年完成 A 股掛牌上市。8、內部治理方面、內部治理方面 公司建立了較為完善的公司內控制度和公司治理結構,報告期內持續完善公司治理機制,強化風險管理和內部控制,嚴格貫徹執行相關制度,切實保障公司和股東的權益,為企業持續健康發展提供堅實基礎。9、信息披露及防范內幕交易方面、信息披露及防范內幕交易方面 公司嚴格遵守法律法規和監管機構規定,嚴格執行公司信息披露管理制度,真實、準確、完整、及時、公平地履行信息披露義務,通過上市公司公告、投資者交流會、業績說明會、上證 e 互動、電話、郵件等諸多渠道,與投資者保持密切溝通,保持公司營運透明。報告期內,公
66、司榮獲“2024 中國上市公司英華獎 A 股價值獎”、“2023 年度上市公司治理和內部控制優秀實踐案例”、“科創板上市公司價值 30 強”、“杰出 ESG 價值傳播獎”、“第二屆易董 ESG+8 價值 100”等多個獎項。公司高度重視內幕交易防范,對公司董事、監事、高級管理人員及相關員工定期作出禁止內幕交易的警示教育,要求董事、監事、高級管理人員及相關知情人員嚴格履行保密義務并嚴格遵守買賣股票規定。非企業會計準則業績變動情況分析及展望非企業會計準則業績變動情況分析及展望 適用 不適用 二、二、報告期內公司所從事的主要業務、經營模式、行業情況及研發情況說明報告期內公司所從事的主要業務、經營模式
67、、行業情況及研發情況說明(一一)主要業務、主要產品或主要業務、主要產品或服務服務情況情況 報告期內,公司主要從事高端半導體設備及泛半導體設備的研發、生產和銷售。公司瞄準世界科技前沿,基于在半導體設備制造產業多年積累的專業技術,涉足半導體集成電路制造、先進封裝、LED 外延片生產、功率器件、MEMS 制造以及其他微觀工藝的高端設備領域。公司的等離子體刻蝕設備已應用在國際一線客戶從 65 至 5 納米及其他先進的集成電路加工制造生產線及先進封裝生產線。公司 MOCVD 設備在行業領先客戶的生產線上大規模投入量產,公司已成為世界排名前列的氮化鎵基 LED 設備制造商。公司近兩年新開發的 LPCVD
68、薄膜設備和ALD 薄膜設備,目前已有多款新型設備產品進入市場并獲得重復性訂單。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 43/268 公司主要為集成電路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半導體產品的制造企業提供刻蝕設備、MOCVD 設備、薄膜沉積設備及其他設備,其中主要產品的具體情況如下:中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 44/268 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 45/268 報告期內,公司主營業務未發生變化。(二二)主要經營模式主要經營模式 1、盈利模式、盈利模式 公司主要從事半導體設備的研發、生產和銷售,通過向下游
69、集成電路、LED 外延片、先進封裝、MEMS 等半導體產品的制造公司銷售刻蝕設備、薄膜設備和 MOCVD 設備、提供配件及服務實現收入和利潤。報告期內,公司主營業務收入來源于半導體設備產品的銷售,其他收入來源于設備相關配件銷售及設備支持服務等。2、研發模式、研發模式 公司主要采取自主研發的模式。根據公司產品成熟度,公司的研發流程主要包括概念與可行性階段、Alpha 階段、Beta 階段、量產階段。公司按照刻蝕設備、薄膜設備、MOCVD 設備等不同研發對象和項目產品,組成了相對獨立的研發團隊。不同產品研發團隊擁有各自獨立的機械設計、工藝開發、產品管理和技術支持團隊,而在電氣工程、平臺工程、軟件工
70、程等方面則采用共享的方式進行研發支持。通過這種矩陣管理的方法,實現了人才、營運等資源在不同的產品及技術服務之間靈活分配,實現共享經驗知識,優化資源使用效率,使公司能夠快速響應不斷變化的研發要求,進行持續的技術創新。3、采購模式、采購模式 為保證公司產品的質量和性能,公司制定了嚴格的供應商選擇和審核制度。達到經營資質、研發和設計能力、技術水平、質量管控能力、生產能力、產品價格、交貨周期及付款周期等眾多標準要求的供應商,才可以被考慮納入公司合格供應商名錄,并定期審核。目前,公司已經與全球眾多供應商建立了長期、穩定的合作關系。4、生產模式、生產模式 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年
71、度報告 46/268 公司主要采用以銷定產的生產模式,實行訂單式生產為主,結合少量庫存式生產為輔的生產方式。訂單式生產是指公司在與客戶簽訂訂單后,根據訂單情況進行定制化設計及生產制造,以應對客戶的差異化需求。庫存式生產是指公司對設備通用組件或成批量出貨設備常用組件根據內部需求及生產計劃進行預生產,主要為快速響應交期及平衡產能。5、營銷及銷售模式、營銷及銷售模式 公司采取直銷為主的銷售模式,因歐洲市場的客戶較為分散,公司在該區域通過代理商模式進行銷售。公司設有全球業務部負責公司所有產品的銷售管理,下設中國大陸、中國臺灣、韓國、日本、新加坡、美國等國家或地區的銷售和支持部門。(三三)所處行業情況所
72、處行業情況 1 1、行業的發展階段、基本特點、主要技術門檻行業的發展階段、基本特點、主要技術門檻 半導體設備行業是一個全球化程度較高的行業,受經濟形勢、半導體市場、終端消費市場需求等影響,其發展呈現一定的周期性波動。當宏觀經濟和終端消費市場需求變化較大時,客戶會調整其資本性支出規模和對設備的采購計劃,從而對公司的營業收入和盈利產生影響。全球集成電路和以 LED 為代表的光電子器件的銷售額合計占所有半導體產品銷售額的 90%以上,是半導體產品最重要的組成部分。公司所處的細分行業為半導體設備行業中的刻蝕設備行業、薄膜設備行業和 LED 設備行業中的 MOCVD 設備行業。1、刻蝕、刻蝕和薄膜和薄膜
73、設備設備 集成電路設備包括晶圓制造設備、封裝設備和測試設備等,晶圓制造設備的市場規模約占集成電路設備整體市場規模的約 80%。晶圓制造設備可以分為刻蝕、薄膜沉積、光刻、檢測、離子摻雜等品類,其中刻蝕設備、薄膜沉積、光刻設備設備是集成電路前道生產工藝中制程步驟數量龐大,工藝開發頗具挑戰性的三類核心設備。根據 Gartner 歷年統計,全球刻蝕設備、薄膜沉積設備分別占晶圓制造設備價值量約22%和 23%。隨著集成電路芯片制造工藝的進步,線寬關鍵尺寸不斷縮小、芯片結構 3D 化,晶圓制造向 5納米以及更先進的工藝發展。由于目前先進工藝芯片加工使用的光刻機受到波長限制,14 納米及以下的邏輯器件微觀結
74、構的加工多通過等離子體刻蝕和薄膜沉積的工藝組合多重模板工藝來實現,使得刻蝕等相關設備的加工步驟增多。由于存儲器技術由二維轉向三維架構,隨著堆疊層數的增加,刻蝕設備和薄膜沉積設備越來越成為關鍵核心的設備。2、MOCVD 設備設備 MOCVD 設備廣泛應用于包括光學器件、功率器件等多種薄膜材料的制備,是目前化合物半導體材料外延的核心裝備。MOCVD 設備既能實現高難及復雜的化合物半導體材料生長,又能滿足產業化對高效產出的需求,在化合物半導體芯片產業鏈中有著舉足輕重的作用。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 47/268 隨著 LED 應用領域的不斷拓展,MOCVD 設備除用于
75、制造通用照明和背光顯示的藍光 LED,還可制造應用于高端顯示的 Mini-LED 和 Micro-LED、用于殺菌消毒和空氣凈化的紫外 LED、應用于電力電子的功率器件等。隨著這些新興領域的不斷出現,預計 MOCVD 設備的市場有望進一步擴大。過去幾年,LED 外延芯片公司擴產的主要方向為藍綠光外延片,下游應用也主要集中在照明市場。在 Mini-LED 背光及直接顯示技術逐漸成熟,生產成本逐漸降低的推動下,近兩年高端顯示類的 LED 外延片需求量明顯增加,并逐漸從商業顯示逐步向個人消費領域滲透。Micro-LED 顯示技術也越來越受到業內關注,基于 Micro-LED 的高端顯示產品也開始實現
76、小規模試生產,預計在未來幾年將會有更多的新興市場出現。外延片產品需求從單一的藍光擴展到紅綠藍三色,外延材料增加了對砷化鎵基紅光外延片的需求。此外,隨著電動汽車、智能駕駛、消費電子、數據中心、風力與光伏儲能等應用爆發式增長,帶動功率半導體市場迎來高景氣周期,尤其是氮化鎵和碳化硅為代表的第三代半導體是近期的行業熱點。據 Yole 公司報告,氮化鎵功率器件主要應用在高頻中小電壓范圍,預計市場規模將從2023 年的 2.6 億美金快速增長到 2029 年超過 20.1 億美金,復合年均增長率達 41%。因此,面向氮化鎵功率器件的外延設備的需求具有很大的增長空間。碳化硅功率器件主要應用在中高壓領域,如新
77、能源汽車、風能光伏儲能、軌道交通等領域;尤其是在車用領域,預計未來幾年在車載主逆變器、充電模塊等應用將持續高速增長。據 Yole 公司報告,碳化硅功率器件在 2029 年市場規模將達到 104 億美金,2023 年至 2029 年復合年均增長率超過 25%;因此,面向碳化硅外延生產設備的需求也有很大的增長空間。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 48/268 2 2、公司所處的行業地位分析及其變化公司所處的行業地位分析及其變化情況情況 目前半導體設備市場主要由歐美、日本等國家的企業所占據。近年來我國半導體設備行業整體水平不斷提高。在刻蝕設備方面,全球刻蝕設備市場呈現壟斷格
78、局,海外少數幾家公司占據主要市場份額;公司刻蝕設備已應用于全球先進的 5 納米及以下集成電路加工制造生產線。在海外先進的 5 納米芯片生產線及下一代更先進的生產線上,公司的 CCP 刻蝕設備均實現了批量銷售,已有超過 300臺反應臺在生產線合格運轉。公司的 ICP 雙臺機 Primo Twin-Star,反應臺之間刻蝕速度控制的最好精度已達到每分鐘 0.2A(0.02 納米,即 20 皮米)。這一刻蝕精度在氧化硅、氮化硅和多晶硅等薄膜的刻蝕工藝上,均得到了驗證。該精度約等于硅原子直徑 2.5 埃的十分之一,是人類頭發絲平均直徑的 350 萬到 500 萬分之一。200 片晶圓的重復性測試,在三
79、種不同材料的晶圓上,兩個反應臺刻蝕速度的差別,每分鐘小于 1.5 埃。受益于公司完整的單臺和雙臺刻蝕設備布局、核心技術持續突破、產品升級快速迭代、刻蝕應用覆蓋豐富等優勢,2024 年公司 CCP 和 ICP 刻蝕設備的銷售增長和在國內主要客戶芯片生產線上市占率均大幅提升。在 MOCVD 領域,用于氮化鎵基 LED 外延生產的設備已在行業領先客戶生產線上大規模投入量產,自 2017 年起已經成為氮化鎵基 LED 市場份額最大的 MOCVD 設備供應商,牢牢占據行業內的領先地位。公司在 Micro-LED 和高端顯示領域的 MOCVD 設備開發上取得了良好進展,并積極布局用于碳化硅和氮化鎵基功率器
80、件應用的市場。公司近兩年新開發的 LPCVD 薄膜設備和 ALD 薄膜設備,目前已有多款新型設備產品進入市場并獲得重復性訂單。其中,LPCVD 薄膜設備累計出貨量已突破 150 個反應臺,2024 年得到約4.76 億元批量訂單,其他二十多種導體薄膜沉積設備也將陸續進入市場,能夠覆蓋全部類別的先中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 49/268 進金屬應用;公司 EPI 設備已順利進入客戶端量產驗證階段,以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的量產需求。隨著微觀器件越做越小,量檢測設備也成為了更關鍵的設備,根據 VLSI Research,全球半導體量檢測設備市場規模從 20
81、16 年的 47.6 億美元增長至 2023 年的 128.3 億美元,CAGR 為 15.2%,成為占總設備市場約 13%的第四大設備門類。公司通過投資和成立子公司,布局了量檢測設備板塊,子公司“超微公司”引入多名國際頂尖的電子束檢測設備領域專家和領軍人才,均擁有 10 年以上電子束設備研發與產品商業化經驗,已規劃覆蓋多種量檢測設備產品。3 3、報告期內新技術、新產業、新業態、新模式的發展情況和未來發展趨勢報告期內新技術、新產業、新業態、新模式的發展情況和未來發展趨勢 隨著芯片制程的不斷提升,在每一代芯片新技術上,晶體管體積都在不斷縮小,同時芯片性能不斷提升,先進的芯片中已有超過 100 億
82、個晶體管。隨著工藝的提升,先進芯片從平面結構過渡到復雜的三維架構。隨著晶體管結構的復雜度不斷提升,各種半導體設備技術的創新和突破起到決定性作用,對于刻蝕和薄膜沉積技術提出了更高的要求。1、等離子刻蝕技術水平發展狀況及未來發展趨勢等離子刻蝕技術水平發展狀況及未來發展趨勢 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 50/268 刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕各向異性較差,側壁容易產生橫向刻蝕造成刻蝕偏差,通常用于工藝尺寸較大的應用,或用于干法刻蝕后清洗殘留物等。等離子體干法刻蝕是目前主流的刻蝕技術。根據產生等離子體方法的不同,干法刻蝕主要分為電容性等離子體刻蝕和電感性等離
83、子體刻蝕;根據被刻蝕材料類型的不同,干法刻蝕主要是刻蝕介質材料、硅材料和金屬材料。電容性等離子體刻蝕主要是以高能離子在較硬的介質材料上,刻蝕高深寬比的深孔、溝槽等微觀結構;而電感性等離子體刻蝕主要是以較低的離子能量和極均勻的離子濃度刻蝕較軟的或較薄的材料。這兩種刻蝕設備涵蓋了主要的刻蝕應用。電容性等離子體刻蝕反應腔 電感性等離子體刻蝕反應腔 隨著國際上先進芯片制程從 7-5 納米階段向更先進工藝的方向發展,當前光刻機受光波長的限制,需要結合刻蝕和薄膜設備,采用多重模板工藝,利用刻蝕工藝實現更小的尺寸,使得刻蝕技術及相關設備的重要性進一步提升。下圖展示二重和多重模板工藝原理,涉及多次刻蝕:p p
84、 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 51/268 10 納米多重模板工藝原理,涉及更多次刻蝕 芯片線寬的縮小及多重模板工藝等新制造工藝的采用,對刻蝕技術的精確度和重復性要求更高??涛g技術需要在刻蝕速率、各向異性、刻蝕偏差、選擇比、深寬比、均勻性、殘留物、等離子體引起的敏感器件損傷、顆粒沾污等指標上滿足更高的要求,刻蝕設備隨之更新進步。集成電路 2D 存儲器件的線寬已接近物理極限,NAND 閃存已進入 3D 時代。目前 128 層 3D NAND 閃存已進入大生產,200 層以上閃存已處于批量生產階段,更高層數正在開發。3D NAND制造工藝中,增加集成度的主要方法不再是
85、縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數??涛g要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上,加工 40:1 到 60:1 甚至更高的極深孔或極深的溝槽。3D NAND 層數的增加要求刻蝕技術實現更高的深寬比,并且對刻蝕設備的需求比例進一步加大。2D NAND 及 3D NAND 示意圖 2、MOCVD 設備行業在新技術方面近年來的發展情況與未來發展趨勢設備行業在新技術方面近年來的發展情況與未來發展趨勢 制造照明用藍光 LED 外延片的 MOCVD 技術已達到成熟量產的階段,應用于 Mini-LED 新型顯示應用的 MOCVD 設備發展較為迅速,MOCVD 設備的迭代更新主要目標是在提高大規模生產的前提中微半導體設備
86、(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 52/268 下滿足外延生長的性能要求、從而達到降低生產成本、提高生產效率的目的。主要的發展路徑包括:具備大尺寸、多片外延材料的生長能力,滿足高均勻性和高生產效率的指標要求。應用于 Micro-LED 高端顯示的 MOCVD 設備對外延片在產出波長均勻性、顆粒度等方面有更為苛刻的技術要求,以此降低 Micro-LED 應用的制造成本,加速高品質顯示應用的推廣。MOCVD 設備發展的主要方向將在提升產出波長均勻性,減少外延片顆粒度,提升設備的自動化性能以及大尺寸外延片生長能力等方面進行。應用于氮化鎵功率器件生產的 MOCVD 設備處于快速發展階段?;?/p>
87、硅基襯底的氮化鎵功率器件是當前應用端采用的主流器件。相比于藍寶石異質外延,硅基氮化鎵異質外延會引入了更高的應力。這對外延的均勻性和應力控制提出了更高的挑戰,因此,需要對量產的 MOCVD 設備的溫度場、氣體流動場和多方位的監測控制進行更精細的迭代優化。應用于碳化硅功率器件的外延設備處于快速發展階段,行業現有生產設備主要適用于 6 英寸碳化硅襯底;隨著 8 英寸襯底成本的持續下降,未來將逐漸過渡至 8 英寸的外延生產。針對行業發展的新趨勢,MOCVD 機臺需要在產出一致性,設備自動化性能,產出效率,硬件穩定性等方面進一步優化,以滿足外延片產出性能和產出經濟性等方面的外延發展趨勢。3、金屬化學氣相
88、沉積薄膜金屬化學氣相沉積薄膜設備在中前端金屬化工藝中的發展狀況與未來發展趨勢設備在中前端金屬化工藝中的發展狀況與未來發展趨勢 從上個世紀末開始,主流的半導體工藝節點開始采用鎢作為接觸孔材料,以減少純鋁連接對前端器件的損傷,到如今鎢依然是接觸孔工藝的主流方案。伴隨著技術節點的推進,器件外阻逐漸超過內阻,成為影響器件速率的關鍵因素,同時器件密度的提高使得原本的單層接觸孔結構向多層接觸孔演變。在先進的節點,鎢接觸孔是目前最有競爭力的解決方案。CVD 鎢制程需要良好的附著和阻擋層,一般是用附著性、穩定性以及阻擋性都非常優秀的氮化鈦材料。在傳統工藝中,關鍵尺寸比較大,填充難度不高,業界都是用物理氣相沉積
89、的方法來沉積氮化鈦。如今主流的邏輯和存儲芯片接觸孔或者連線的關鍵尺寸很小,深寬比很高,傳統的物理氣相沉積氮化鈦由于較低的階梯覆蓋率,不能夠滿足高端器件的需求。原子層沉積的氮化鈦具有優秀的階梯覆蓋率,逐漸成為接觸孔阻擋層和粘結層的主要選擇。隨著 3D NAND 堆疊層數增加,階梯接觸孔的深寬比會達到 40:1 到 60:1 以上,這對氮化鈦阻擋層的生長和極高深寬比的鎢填充都提出了更高的要求,堆疊層數的提高還需要更具挑戰性的 WL 線路填充,包括更高的深寬比和更長的橫向填充。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 53/268 同時,先進邏輯器件工藝節點向 5 納米及更先進工藝方
90、向發展,器件互聯電阻逐漸增大成為影響器件速度的關鍵因素。在 90 納米到 28 納米的傳統工藝節點中,降低接觸孔電阻的關鍵是降低鎢膜的電阻率。但是在 14 納米及更先進工藝節點,金屬阻擋層、金屬形核層對接觸孔阻值的影響越來越明顯,如何減少或者消除阻擋層和形核層的電阻是降低接觸孔電阻的關鍵。鈷、鉬、釕等金屬的應用以及無阻擋層的工藝也在更先進工藝節點上開發和應用。隨著邏輯器件制程的進步,柵極作為邏輯器件中的重要組成部分,其類型逐漸由多晶硅柵極向金屬柵極發展,進而大大地提高了器件的性能。從 28nm 技術節點開始,金屬柵極成為了先進邏輯器件的重要基礎,并且一直沿用至今。先進邏輯器件,尤其是采用鰭式場
91、效應晶體管之后,對金屬柵薄膜均勻性,污染物控制,穩定性,功函數調節和臺階覆蓋率都提出了更高的要求,從而提高器件的性能和穩定性。以上在先進邏輯和存儲器件中的新工藝都要通過先進的金屬 CVD 或 ALD 來實現。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 54/268 (四四)核心技術與研發進展核心技術與研發進展 1 1、核心技術核心技術及其及其先進性先進性以及報告期內以及報告期內的變化情況的變化情況 公司特別重視核心技術的創新、產品的差異化和知識產權的保護。在開發、設計和制造刻蝕設備、薄膜沉積設備和 MOCVD 等設備的過程中,始終強調創新和差異化并保持高強度的研發投入。通過核心技
92、術的創新開發,公司的產品已達到國際先進水平。1、刻蝕設備技術、刻蝕設備技術 報告期內,公司緊跟技術發展趨勢和客戶需求,堅持自主創新,致力于產品的差異化,持續強化刻蝕設備的技術領先優勢。公司在過去的近 20 年著力開發了一個完整系列的 15 種等離子體刻蝕設備,并積累了大量的芯片生產線量產數據和客戶驗證數據。公司 CCP 和 ICP 刻蝕機的單雙反應臺并舉策略的優勢凸顯。同時,公司大力投入先進芯片制造技術中關鍵刻蝕設備的研發和驗證,目前針對邏輯和存儲芯片制造中最關鍵刻蝕工藝的設備已經在客戶的產線上展開驗證。在邏輯芯片制造方面,公司開發的 12 英寸高端刻蝕設備持續獲得國際國內知名客戶的訂單,已經
93、在從 65 至 5 納米及更先進技術結點大量量產;同時,先進邏輯器件制造對加工的精確性,重復性,微粒污染水平,以及反應腔之間的匹配度等都提出了更高的要求,公司針對 5 納米及更先進技術節點的刻蝕設備進行了多項性能改進,并已經在生產線上實施,極大提升了設備的生產效率和生產質量。在存儲芯片制造環節,公司的等離子體刻蝕設備已大量用于先進三維閃存和動態隨機存儲器件的量產。公司致力于提供超高深寬比掩膜(40:1)ICP 刻蝕設備和超高深寬比介質刻蝕(60:1)CCP 刻蝕設備的解決方案。配備超低頻偏壓射頻的用于超高深寬比掩膜刻蝕的 ICP 刻蝕機中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告
94、55/268 目前在生產線上驗證順利,工藝能力可以滿足國內最先進的存儲芯片制造的需求。配備超低頻高功率偏壓射頻的用于超高深寬比介質刻蝕的 CCP 刻蝕設備也進入到大規模生產階段。此外,公司和國內外特殊器件制造客戶合作,在先進封裝、功率器件、電源管理、微機電系統等領域不斷拓展應用,持續獲得訂單。公司通過與國際領先客戶合作,積極參與新興器件制造技術的研發,在虛擬現實技術和醫療診斷有廣泛應用前景的超透鏡(Metalens)和基于 12 英寸晶圓的微機電系統制造等方面都取得可喜的進展,公司設備已經在相應的生產線上進行最新技術的研發和試產。在不斷擴大刻蝕應用市場占有率和提升產品性能的同時,公司致力于建立
95、完整的供應商體系,非常注重與本土供應商的合作,力爭實現以點帶面,合作共贏,共同突破。在帶動一批本土供應商成長的同時也極大的助力公司的高速,穩定,健康和安全發展。近年來,公司繼續加大供應商本土化和多元化的投入,在合作的深度和廣度上進一步加強,為降本增效和供應鏈安全提供更加堅實的保障。2、MOCVD 設備技術設備技術 公司用于藍光 LED 的 PRISMO D-Blue、PRISMO A7 兩款 MOCVD 設備能分別實現單腔 14片 4 英寸和單腔 34 片 4 英寸外延片加工能力。公司的 PRISMO A7 設備已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據領先地位。用于制造深紫外光 LED
96、 的高溫 MOCVD 設備 PRISMO HiT3,其反應腔最高工藝溫度可達1400 度,單爐可生長 18 片 2 英寸外延晶片,并可延伸到生長 4 英寸晶片,已在行業領先客戶端用于深紫外 LED 的生產驗證并獲得重復訂單。用于 Mini-LED 生產的 MOCVD 設備 PRISMO UniMax,具有行業領先的高產能和高靈活性的特點,在同一系統中可配備多達 4 個反應腔,每個反應腔都可實現獨立控制。PRISMO UniMax配置了 785mm 大直徑石墨托盤,可實現同時加工 164 片 4 英寸或 72 片 6 英寸外延晶片,有效提高產能并降低生產成本;創新的多區輔助加熱調節系統,能精確控
97、制托盤局部區域溫度,有助于更大程度上提升 LED 波長均勻性。PRISMO UniMax 已在領先客戶端開始進行規?;a。用于硅基氮化鎵功率器件用 MOCVD 設備 PRISMO PD5,具有高靈活性的特點,在同一系統中可配備多達 4 個反應腔,每個反應腔都可實現獨立控制,僅通過更換石墨托盤即可實現 6 英寸與 8 英寸工藝的便捷切換,PRISMO PD5 設備已在客戶生產線上驗證通過并獲得重復訂單。用于碳化硅功率器件外延生產的設備正在開發中,即將開展樣機在客戶端的驗證測試;制造Micro-LED 應用的新型 MOCVD 設備也正在按計劃順利開發中。中微半導體設備(上海)股份有限公司 202
98、4 年年度報告 56/268 3、薄膜沉積設備技術、薄膜沉積設備技術 公司已經實現六種薄膜沉積設備的高效研發與交付。公司完全自主設計開發的雙臺機鎢系列設備,生產效率達到業界領先水平,在保證較低的化學品消耗的同時,具有優秀的階梯覆蓋率和填充能力,能夠滿足先進存儲器件關鍵字線應用、接觸孔填充應用及其他多個關鍵應用,同時也可滿足先進邏輯應用中鎢接觸孔應用需求,中微獨創的接觸孔填充方案能夠在 60 比 1 深寬比的深孔結構中獲得國際領先的填充效果。此外,中微開發的金屬鎢系列在生產穩定性上也表現出了突出性能,其中原子層沉積金屬鎢產品晶圓間薄膜均一性達到了小于 1%的水平。公司新推出自主開發的金屬柵系列產
99、品,繼承中微獨特的雙反應臺設計,通過中微專利的多級勻氣混氣設計,基于模型算法的加熱系統設計和可實現高效原子層沉積反應的反應腔流導設計等,具備高輸出效率的同時,產品性能達到國際先進水平,可滿足先進邏輯關鍵金屬柵應用需求。國家科學技術獎項獲獎情況 適用 不適用 國家級專精特新“小巨人”企業、制造業“單項冠軍”認定情況 適用 不適用 認定稱號 認定年度 產品名稱 單項冠軍產品 2023 年2025 年 28/22/14/7 納米刻蝕機系列 2 2、報告期內獲得的研發成果報告期內獲得的研發成果 具體內容見下表 報告期內獲得的知識產權列表 本年新增 累計數量 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024
100、 年年度報告 57/268 申請數(個)獲得數(個)申請數(個)獲得數(個)發明專利 263 184 2424 1514 實用新型專利 84 53 441 232 外觀設計專利 12 7 45 35 軟件著作權 5 5 28 28 其他 PCT 7 0 24 0 合計 371 249 2962 1809 3 3、研發投入情況表研發投入情況表 單位:元 本年度 上年度 變化幅度(%)費用化研發投入 1,572,333,582.18 881,185,004.65 78.43%資本化研發投入 880,100,420.54 380,914,810.84 131.05%研發投入合計 2,452,434,
101、002.72 1,262,099,815.49 94.31%研發投入總額占營業收入比例(%)27.05 20.15 增加 6.90 個百分點 研發投入資本化的比重(%)35.89 30.18 增加 5.71 個百分點 研發投入總額較上年發生重大變化的原因研發投入總額較上年發生重大變化的原因 適用 不適用 報告期內,公司持續進行較高水平的研發投入,以保持公司的核心競爭力。本期研發投入總額24.52 億元,較上年增加 94.31%,主要系隨著研發項目的開展,研發材料投入增加以及研發人員增加及薪酬的增長。研發投入資本化的比重大幅變動的原因及其合理性說明研發投入資本化的比重大幅變動的原因及其合理性說明
102、 適用 不適用 本期研發投入總額 24.52 億元較上年增加 94.31%,其中本年符合資本化條件的研發項目支出金額為 8.80 億元,本期研發投入資本化比重較上年的 30.18%上升至 35.89%。4 4、在研在研項目情況項目情況 適用 不適用 單位:億元 序號 項目名稱 預計總投資規模 本期投入金額 累計投入金額 進展或階段性成果 擬達到目標 技術水平 具體應用前景 1 用于存儲器刻蝕的CCP 刻蝕設備 7.91 2.53 5.70 應用展開階段,Beta 機客戶端已完成溝道刻蝕(深寬比 60:1)等 4道工藝的驗證,已在客戶端進行大規模的研發認證 設計開發超低頻和超大功率的射頻等離子系
103、統及對應的靜電吸盤、多區控溫性能的上電極、溫度可調節的邊緣環系統等,滿足超高深寬比的刻蝕需求。同時將該特定應用的刻蝕機,擴展為通用的高深寬比存儲器刻應用的刻蝕機,并在多個存儲器晶圓生產線上進行工藝驗證 追趕國際先進水平 3D NAND,128層 2 先進邏輯電路的CCP 刻蝕4.24 1.13 3.47 工藝開發階段,多臺 Beta 機已交付客戶并通實現等離子體密度分布的可調節,滿足均勻性、減少金屬污染國際先進水平 7 納米以下邏輯電路刻蝕 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 58/268 設備 過了客戶驗證 和顆粒物的要求 3 用于Micro-LED 應用的新型MOCV
104、D設備 2.57 0.38 1.76 開發階段,Alpha 機開發中,客戶樣機驗證中 研發 MOCVD 設備,滿足 Micro LED 生產對于外延設備的要求 國際先進水平 手表,AR/VR,電視等用顯示屏 4 用于 5-3納米邏輯芯片制造的 ICP 刻蝕機 3.79 1.86 3.62 Beta 機臺繼續在客戶端開展更多刻蝕工藝的驗證,部分工藝投入在客戶的研發線上串線 成功研制適用于 5 納米邏輯芯片制造用的的 ICP 刻蝕工藝的刻蝕設備,并完成在先進邏輯芯片生產廠家的評估,并實現銷售。完成 3 納米刻蝕機 Alpha 原型機的設計、制造、測試及初步的工藝開發和評估 追趕國際先進水平 本項目
105、開發的設備產品將首先用于國內的先進邏輯芯片制造客戶。同時,也會開發國際市場 5 用于存儲器芯片制造的 ICP刻蝕機 2.21 0.30 1.83 Beta 機在客戶端生產線的驗證通過多個刻蝕工藝,部分工藝取得重復訂單并投入量產。同時開展更多制程的驗證 成功研制適用于先進DRAM 和 3D NAND制造用的的 ICP 刻蝕工藝的刻蝕設備,并在客戶端成功核準,實現銷售 追趕國際先進水平 本項目開發的設備產品將首先用于國內的先進存儲芯片制造客戶。同時,也會開發國際市場 6 鍺硅選擇性外延設備研發及產業化 4.50 1.43 2.66 客戶端驗證階段,客戶端Beta 機工藝驗證。研發 12“減壓外延設
106、備,滿足邏輯,存儲集成電路關鍵工藝 國際先進水平 所有先進的邏輯,存儲,射頻,傳感器等集成電路 7 接觸孔用WCVD 設備的研發及產業化 2.46 0.44 1.65 客戶端驗證階段,已成為國內頭部存儲芯片生產客戶的量產機型。同時已開始在邏輯芯片生產客戶和功能器件芯片生產客戶端的驗證。進一步實現在邏輯客戶和功能性芯片客戶的量產驗證,基本實現高階半導體生產CVD 金屬鎢工藝的全覆蓋 國際先進水平 半導體大規模生產中邏輯器件鎢金屬接觸孔,存儲器的金屬接觸孔、溝槽,高深寬比接觸孔以及金屬柵的鎢原子層填充,以及其他器件鎢金屬互聯應用 8 原子層沉積氮化鈦設備的研發及產業化 1.92 0.42 1.41
107、 開發階段,已完成邏輯工藝驗證,各項指標均符合預期 繼續對接驗證更多的邏輯和存儲客戶,打開存儲市場 國際先進水平 半導體大規模生產中邏輯器件金屬柵應用,存儲器的阻擋層,電容極板應用,以及金屬硅化物應用 9 平板顯示用 PECVD設備的研發及產業化 3.78 0.78 0.86 開發階段,產品硬件裝配完成,工藝調試進行中。用于平板顯示,面向G8.6+OLED 生產需求的 BP 工藝段PECVD 設備 國際先進水平 電視、電腦顯示器、筆記本電腦和移動終端等平板顯示領域 10 SiC 功率器件外延生長設備(臨港)1.26 0.45 0.61 開發階段,Alpha 機開發中,客戶樣機驗證中 研發碳化硅
108、外延設備,滿足碳化硅功率器件外延生產要求 國際先進水平 電動汽車,高速鐵路,新能源電力基礎設施等 11 金屬硅化物應用中等離子體增強化學氣相沉積鈦薄膜設備(PECVD Ti)的研發及產業化 2.30 1.35 1.35 開發階段,Alpha 機搭建完成,正進行工藝開發 繼續進行工藝開發和產品持續改進,滿足工藝需求,完成客戶樣品驗證 追趕國際先進水平 半導體大規模生產中邏輯器件和存儲器件中金屬硅化物應用,以及金屬鎢填充前黏附層應用 12 用于先進存儲芯片2.88 1.86 1.97 開發階段,已達到基本工藝完成客戶樣品驗證,繼續對接多個存儲客國際先進水平 半導體大規模生產中存儲器件的阻擋中微半導
109、體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 59/268 氮化鈦設備的研發及產品化 需求,正在進行客戶樣品驗證 戶,打開存儲市場 層,電容極板應用,以及金屬硅化物應用。合計/39.82 12.93 26.89 /情況說明 無 5 5、研發研發人員人員情況情況 單位:萬元 幣種:人民幣 基本情況 本期數 上期數 公司研發人員的數量(人)1,190 788 研發人員數量占公司總人數的比例(%)47.98 45.76 研發人員薪酬合計 76,435.97 49,868.37 研發人員平均薪酬 64.23 63.28 研發人員學歷結構 學歷結構類別 學歷結構人數 博士研究生 203 碩士研究生
110、448 本科 464 ???58 高中及以下 17 研發人員年齡結構 年齡結構類別 年齡結構人數 30 歲以下(不含 30 歲)433 30-40 歲(含 30 歲,不含 40 歲)564 40-50 歲(含 40 歲,不含 50 歲)156 50-60 歲(含 50 歲,不含 60 歲)26 60 歲及以上 11 研發人員構成發生重大變化的原因及對公司未來發展的影響 適用 不適用 6 6、其他說明其他說明 適用 不適用 三、三、報告期內核心競爭力分析報告期內核心競爭力分析(一一)核心競爭力核心競爭力分析分析 適用 不適用 公司主要從事半導體及泛半導體設備的研發、生產和銷售,為全球半導體制造商
111、及其相關的高科技新興產業公司提供加工設備和工藝技術解決方案,助力他們提升技術水平、提高生產效率、降低生產成本。公司圍繞這一目標,不斷加強管理和研發能力,形成了優秀的技術和管理團隊持續研發創新并推出有技術和市場競爭力的產品。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 60/268 (一)突出的創始人及技術團隊保證公司在高端半導體設備研發和運營的競爭優勢(一)突出的創始人及技術團隊保證公司在高端半導體設備研發和運營的競爭優勢 中微公司的創始團隊及技術人員擁有國際領先半導體設備公司的從業經驗,是國內具有國際化優勢的半導體設備研發和運營團隊之一。中微公司的創始人、董事長及總經理尹志堯博士
112、在半導體芯片和設備產業有超過 30 年的行業經驗,是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者之一。中微公司的其他聯合創始人、核心技術人員和重要的技術、工程人員,包括各專業領域的專家,其中很多是在國際半導體設備產業耕耘數十年,為行業發展做出杰出貢獻的資深技術和管理專家。他們在參與創立或后續加入中微公司后,不斷創造新的技術、工藝和設計,為公司產品和技術發展做出了不可替代的貢獻。中微公司以合作共贏的團隊精神和全員持股的激勵制度,吸引了來自世界各地具有豐富經驗的半導體設備專家,形成了成熟的研發和工程技術團隊。截至報告期末,公司共有研發人員 1190名,占員工總數的 47.98%,涵蓋了等離子體物理
113、、射頻及微波學、結構化學、微觀分子動力學、光譜及能譜學、真空機械傳輸等相關學科的專業人員。憑借研發團隊多年的努力以及持續不斷的研發投入,公司成功研發了具有市場競爭力的半導體刻蝕設備、薄膜設備及 MOCVD 設備,積累了豐富的研發和產業化密切結合的經驗和雄厚的技術、專利儲備。公司成功打造了一支具有創造力和競爭力的技術和研發團隊,有力地保障了公司產品和服務不斷創新改進。(二)持續高水平的研發投入,(二)持續高水平的研發投入,依照依照產業發展產業發展提前提前布局布局 持續較高水平的研發投入是公司保持核心競爭力的關鍵。半導體制造對設備的可靠性、穩定性和一致性提出了極高的要求,半導體設備行業技術門檻較高
114、,行業新進入者需要經過較長時間的技術積累才能進入該領域。公司面向世界先進技術前沿,以國際先進的研發理念為依托,專注于高端微觀加工設備的自主研發和創新。公司始終保持大額的研發投入和較高的研發投入占比。公司具有一支技術精湛、勇于創新的國際化人才研發隊伍,形成了良好的企業創新文化,為公司持續創新和研發提供保障力量。公司積累了深厚的技術儲備和豐富的研發經驗,這一優勢保證了公司產品和服務的不斷進步。公司擁有多項自主知識產權和核心技術,截至 2024 年 12 月,公司已申請 2,910 項專利,其中發明專利 2,424 項;已獲授權專利 1,781 項,其中發明專利 1,514 項。在邏輯集成電路制造環
115、節,公司開發的 12 英寸高端刻蝕設備已運用在國際知名客戶最先進的生產線上并用于 5 納米、5 納米以下器件中若干關鍵步驟的加工;同時,公司根據先進集成電路廠商的需求持續進行設備開發和工藝優化。在 3D NAND 芯片制造環節,公司的等離子體刻蝕設備已應用于 128 層及以上的量產,同時公司根據存儲器件客戶的需求正在開發極高深寬比的刻蝕設備和工藝;公司也根據邏輯器件客戶的需求,正在開發更先進刻蝕應用的設備。公司的MOCVD 設備 Prismo A7、Prismo UniMax 能分別實現單腔單腔 34 片 4 英寸和 41 片 4 英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7 與 Prism
116、o UniMax 設備技術實力突出,已在全球氮化鎵基 LED 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 61/268 MOCVD 市場中占據領先地位。公司和諸多一流的 LED 外延片廠商公司緊密合作,實現了產業深度融合。公司開發的 12 英寸低壓薄膜沉積設備可以用于先進邏輯電路接觸孔填充工藝,以及 128層及以上 3D NAND 的多個工藝的制程要求,同時公司還致力于更先進邏輯電路的接觸孔填充設備和更多層數的存儲器件接觸孔和金屬互聯填充設備的開發和工藝驗證。具體在研項目情況詳見第三節管理層討論與分析部分“二、報告期內公司所從事的主要業務、經營模式、行業情況及研發情況說明”中關于
117、核心技術與研發進展部分。公司高端設備產品和技術處于世界先進水平,產品研發提前布局,符合行業發展趨勢。(三)持續優化營銷和服務網絡,(三)持續優化營銷和服務網絡,在產品認證和使用過程和在產品認證和使用過程和客戶客戶形成深度的綁定合作關系積形成深度的綁定合作關系積極打造中微特色的服務優勢極打造中微特色的服務優勢 經過多年的努力,公司憑借在刻蝕設備及 MOCVD 設備領域的技術和服務優勢,產品已成功進入了海內外半導體制造企業,形成了較強的客戶資源優勢。半導體設備制造商的售后服務尤為關鍵,關系到設備能否在客戶生產線上正常、穩定地運行。隨著半導體制造環節向亞洲轉移,相較于國際競爭對手,公司在地域上更接近
118、主流客戶,能提供快捷的技術支持和客戶維護。公司良好的產品性能表現以及專業售后服務能力已在業內樹立了良好的品牌形象。(四)持續拓展泛半導體設備產品,擴大產品覆蓋優勢(四)持續拓展泛半導體設備產品,擴大產品覆蓋優勢 公司的設備產品覆蓋集成電路、MEMS、LED、平板顯示等不同的下游半導體應用市場,具有不同的周期性,多產品覆蓋能夠一定程度平抑各細分市場波動對公司業績帶來的影響。(五)建立全球化采購體系,持續提升公司生產交付的服務水平(五)建立全球化采購體系,持續提升公司生產交付的服務水平 公司對于零部件供應商的選擇十分慎重,對供應商的工藝經驗、技術水平、商業信用進行嚴格考核,并對零部件進行嚴格測試。
119、公司建立了全球化的采購體系,與全球約 880 家供應商建立中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 62/268 了穩定的合作關系。同時,公司注重零部件的本土化,在國內培育了眾多的本土零部件供應企業,有力地保障了公司產品零部件供應和服務水平的持續提升。(六)(六)充分發揮員工主觀能動性,打造充分發揮員工主觀能動性,打造“總能量總能量”和和“凈能量凈能量”最大化的企業文化最大化的企業文化 公司高度重視企業管理文化建設,經過 20 多年的實踐發展,總結出了一套科創企業發展和成熟必須要遵循的客觀規律和經驗法則,形成了以“產品開發的十大原則”、“戰略銷售的十大準則”、“營運管理的十大章
120、法”、“領導能力的十大要點”和“精神文化的十大作風”為核心的企業管理與發展的哲學。中微一直秉承“自強不息,厚德載物”和“攀登勇者,志在巔峰”的企業精神,不斷攀登新的發展高峰,力爭使中微成為總能量最大化和凈能量也最大化的強大而成功的企業。(二二)報告期內發生的導致公司核心競爭力受到嚴重影響的事件、影響分析及應對措施報告期內發生的導致公司核心競爭力受到嚴重影響的事件、影響分析及應對措施 適用 不適用 四、四、風險因素風險因素(一一)尚未尚未盈利盈利的的風險風險 適用 不適用 (二二)業績大幅下滑或虧損的風險業績大幅下滑或虧損的風險 適用 不適用 (三三)核心競爭力風險核心競爭力風險 適用 不適用
121、核心競爭力是企業在激烈市場競爭中賴以生存的差異化優勢資源。目前,公司的核心競爭力主要體現在與產品有關的技術優勢及產品服務解決方案上。如果公司未來難以保持在市場中的技術領先優勢,沒有開發其他具有競爭力的產品,不能提供滿足客戶需求的定制化服務等,公司的核心競爭力將受到影響。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 63/268 (四四)經營風險經營風險 適用 不適用 1、下游客戶資本性支出波動較大及行業周期性特點帶來的風險、下游客戶資本性支出波動較大及行業周期性特點帶來的風險 近年來,設備市場周期性波動態勢給公司帶來相應的經營風險。在行業景氣度提升過程中,產業往往加大資本性支出,快
122、速提升對相關設備的需求;在行業景氣度下降過程中,產業則可能削減資本支出,進而對設備的需求產生不利影響。公司的銷售和盈利情況也會受到上述影響發生相應波動,造成相應的經營風險。2、下游客戶擴產不及預期的風險、下游客戶擴產不及預期的風險 近年來,晶圓廠和 LED 外延片制造商審慎地進行擴產。不能排除下游個別晶圓廠和 LED 外延片制造商的后續投資不及預期,對相關設備的采購需求減弱,這將影響公司的訂單量,進而對公司的業績產生不利影響。3、全體員工持股帶來的公司治理風險、全體員工持股帶來的公司治理風險 作為科技創新型企業,公司秉承扁平化的全員激勵原則,對不同層級員工均給予股權激勵。員工持股計劃涉及公司全
123、體員工的個人利益,如果未來公司未能有效地管理員工持股計劃,未能使員工持股計劃持續作為員工整體薪酬的重要組成部分,將可能導致公司人員流失等治理風險。在實施過程中,公司根據企業會計準則相關規定確認股份支付費用,相關股份支付費用計入經常性損益,該等費用將對歸屬期內各年度扣非后凈利潤構成一定影響。由此,公司實施員工持股計劃可能面臨股份支付費用影響短期經營業績的風險。4、稅收優惠、稅收優惠政策變動的風險政策變動的風險 公司為高新技術企業,報告期內公司享受高新技術企業 15%所得稅的優惠稅率,如果國家上述稅收優惠政策發生變化,或者公司未能持續獲得高新技術企業資質認定,則可能面臨因稅收優惠減少或取消而降低盈
124、利的風險。(五五)財務風險財務風險 適用 不適用 (六六)行業風險行業風險 適用 不適用 1、行業政策變化風險、行業政策變化風險 國家出臺了一系列鼓勵政策以推動我國集成電路、LED 及其裝備制造業的發展,增強信息產業創新能力和國際競爭力。若未來國家相關產業政策支持力度減弱,將對公司發展產生一定影響。2、國際貿易摩擦加劇風險、國際貿易摩擦加劇風險 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 64/268 近年來,國際貿易摩擦不斷。公司始終嚴格遵守中國和他國法律,一直保持與相關國家政府部門的及時溝通。由于少數國家不斷加強對中國半導體方面的出口管制限制,公司存在相當程度的國際貿易摩擦風
125、險。3、上游供應鏈產能緊張的風險、上游供應鏈產能緊張的風險 近年來,隨著全球經濟和日常生活的加速數字化轉型,半導體行業保持高景氣周期,半導體器件供應鏈持續緊張。公司科學管理供應廠商,對關鍵零部件供應商采取多廠商策略保障零部件及時供應。若未來上游供應鏈產能緊張形勢延續,將對公司設備交期產生影響。(七七)宏觀環境風險宏觀環境風險 適用 不適用 半導體及 LED 設備行業受下游市場及終端消費市場需求波動的影響,其發展往往呈現一定的周期性。未來宏觀經濟疲軟,終端消費市場的需求尤其是增量需求下滑,客戶將會減少設備的采購,行業將面臨一定的波動風險。(八八)存托憑證相關風險存托憑證相關風險 適用 不適用 (
126、九九)其他重大風險其他重大風險 適用 不適用 1、知識產權風險、知識產權風險 半導體設備行業是典型的技術密集型行業,為了保持技術優勢和競爭力,防止技術外泄風險,已掌握先進技術的半導體設備企業通常會通過申請專利等方式設置較高的進入壁壘。公司一貫重視自主知識產權的研發,建立了科學的研發體系及知識產權保護體系,但仍不能排除與競爭對手產生知識產權糾紛,亦不能排除公司的知識產權被侵權,此類知識產權爭端將對公司的正常經營活動產生不利影響。公司在全球范圍內銷售產品,在多個國家或地區注冊知識產權,但不同國別、不同的法律體系對知識產權的權利范圍的解釋和認定存在差異,若引發爭議甚至訴訟將影響業務經營。此外,產業鏈
127、上下游供應商與客戶的經營也可能受知識產權爭議、訴訟等因素影響,進而間接影響公司正常的生產經營。2、人才資源風險、人才資源風險 關鍵技術人員是公司生存和發展的關鍵,也是公司獲得持續競爭優勢的基礎。公司已經通過全員持股方式,有效提高關鍵人員和研發團隊的忠誠度和凝聚力。但隨著行業對專業人才的需求與日俱增,人才競爭不斷加劇。若公司不能提供優質的發展平臺、有競爭力的薪酬待遇及良好的研發條件,存在關鍵人員流失的風險,進而可能對公司研發項目的實施和進程等方面造成一定的影響。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 65/268 公司擁有大量技術和管理資深專家,集聚并培養了一大批行業內頂尖的技
128、術人才。但如果未能持續引進、培養、激勵頂尖技術人才,公司將面臨專業技術人才不足的風險,進而可能導致在技術突破、產品創新方面有所落后。此外,創始人團隊對公司日常生產經營及技術研發具有重要作用,公司十分注重保障創始人團隊的穩定性,創始人團隊在可預期的未來發生變動的可能性較低,但如公司創始人團隊出現重大變動,將可能對公司的在研項目進程、客戶關系維護、日常經營管理等方面造成一定的影響。3、投資及并購風險、投資及并購風險 針對契合中微公司的中長期發展戰略、有發展潛力的標的公司或部門,中微公司計劃通過股權投資、并購等方式進行布局,以拓展公司業務領域,培育新的利潤增長點,進一步提升公司防范市場波動風險并提升
129、公司盈利能力。在進行投資和并購項目實施過程中,將面臨投資風險及并購風險。(1)投資風險 基于產業支持政策、市場環境和發展趨勢,公司經過可行性研究作出項目投資決策。公司投資項目標的企業在后續發展過程中,可能面臨產業政策變化、市場環境變化、產品技術水平不達預期等諸多不確定因素,可能導致標的企業實際經營表現不達預期,進而導致投資項目的實際效益與預期結果存在較大差異。(2)并購風險 公司強調穩健發展,堅持實施內生性增長與外延式并購相結合的發展策略。雖然公司未來并購時將繼續秉承審慎原則,相應制定整合計劃,防范并購風險,但若出現宏觀經濟波動、市場競爭加劇、被并購公司業績或協同效應低于預期等情形,將對公司的
130、經營業績產生不利影響。五、五、報告期內主要經營情況報告期內主要經營情況 2024 年公司營業收入為 90.65 億元,較 2023 年增加約 28.02 億元,同比增長約 44.73%。(一一)主營業務分析主營業務分析 1 1、利潤表及現金流量表相關科目變動分析表利潤表及現金流量表相關科目變動分析表 單位:元 幣種:人民幣 科目 本期數 上年同期數 變動比例(%)營業收入 9,065,165,097.69 6,263,513,581.37 44.73%營業成本 5,342,977,540.40 3,519,323,568.35 51.82%銷售費用 478,850,487.74 365,650
131、,103.56 30.96%管理費用 481,801,040.67 343,673,105.92 40.19%財務費用-86,796,807.14-87,239,891.38-0.51%研發費用 1,417,657,501.11 816,652,948.28 73.59%經營活動產生的現金流量凈額 1,458,401,788.71-976,926,439.66 不適用 投資活動產生的現金流量凈額 646,387,923.68 1,827,328,883.23-64.63%籌資活動產生的現金流量凈額-1,500,394.94 222,595,710.06-100.67%營業收入變動原因說明:公司
132、 2024 年營業收入約 90.65 億元,較 2023 年增加約 28.02 億元,同比增長約 44.73%。其中,2024 年刻蝕設備銷售約 72.77 億元,同比增長約 54.72%;MOCVD 設中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 66/268 備銷售約 3.79 億元,同比下降約 18.03%,LPCVD 設備 2024 年實現首臺銷售,全年設備銷售約1.56 億元。營業成本變動原因說明:隨公司業務規模的擴大而增長,與公司營業收入規模相匹配。銷售費用變動原因說明:主要系本期職工薪酬增加 6,791 萬元,股份支付費用增加 3,283 萬元。管理費用變動原因說明:
133、主要系本期職工薪酬較上年增加 6,034 萬元,股份支付費增加 3,304 萬元。財務費用變動原因說明:主要系本期利息收入較上年減少 7,113 萬元,匯兌損益較上年增加1,458 萬元。研發費用變動原因說明:主要系本期耗用的原材料和低值易耗品較上年增加 29,143 萬元,職工薪酬較上年增加 18,755 萬元,股份支付費用較上年增加 8,068 萬元。經營活動產生的現金流量凈額變動原因說明:主要系本期銷售商品、提供勞務收到的現金較上年同期增加。投資活動產生的現金流量凈額變動原因說明:主要系本期凈購買銀行理財產品較上年減少?;I資活動產生的現金流量凈額變動原因說明:主要系本期股權回購 3 億元
134、、分配股利支出 1.85 億元。本期公司業務類型、利潤構成或利潤來源發生重大變動的詳細說明 適用 不適用 2 2、收入和成本分析收入和成本分析 適用 不適用 詳見下文。(1).(1).主營業務主營業務分分行業行業、分、分產產品、分地區、分銷售模式情況品、分地區、分銷售模式情況 單位:元 幣種:人民幣 主營業務分行業情況 分行業 營業收入 營業成本 毛利率(%)營業收入比上年增減(%)營業成本比上年增減(%)毛利率比上年增減(%)半導體設備收入 9,065,165,097.69 5,342,977,540.40 41.06%44.73%51.82%減少 2.75個百分點 主營業務分產品情況 分產
135、品 營業收入 營業成本 毛利率(%)營業收入比上年增減(%)營業成本比上年增減(%)毛利率比上年增減(%)專用設備 7,811,810,541.74 4,702,532,601.37 39.80%51.23%58.95%減少 2.92個百分點 備品備件 1,163,806,868.27 603,104,531.76 48.18%19.84%20.13%減少 0.13個百分點 其他 89,547,687.68 37,340,407.27 58.30%-29.38%-36.43%增加 4.62個百分點 主營業務分地區情況 分地區 營業收入 營業成本 毛利率(%)營業收入比上年增減(%)營業成本比上
136、年增減(%)毛利率比上年增減(%)大陸地區 8,608,655,808.48 5,084,967,834.50 40.93%49.35%57.79%減少 3.16個百分點 臺灣地區 314,972,406.85 173,438,362.28 44.94%-25.40%-32.15%增加 5.47個百分點 其他國家141,536,882.36 84,571,343.62 40.25%83.27%105.82%減少 6.55中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 67/268 和地區 個百分點 主營業務分銷售模式情況 銷售模式 營業收入 營業成本 毛利率(%)營業收入比上年增減(
137、%)營業成本比上年增減(%)毛利率比上年增減(%)直銷 9,065,165,097.69 5,342,977,540.40 41.06%44.73%51.82%減少 2.75個百分點 主營業務分行業、分產品、分地區、分銷售模式情況的說明 報告期內,公司半導體設備收入實現增長 44.73%,其中專用設備實現收入 78.12 億元,同比增長 51.23%,公司整體盈利水平持續提高。由于今年客戶的結構性變化,公司給予了部分的客戶一定的銷售折扣,導致今年毛利率減少。從地區來看,公司主要收入來源為大陸地區。報告期內,大陸地區營業收入較上年增長49.35%。(2).(2).產銷量情況產銷量情況分析表分析表
138、 適用 不適用 主要產品 單位 生產量 銷售量 庫存量 生產量比上年增減(%)銷售量比上年增減(%)庫存量比上年增減(%)刻蝕設備 腔 1,414 908 669 231.15%49.83%226.34%MOCVD 腔 47 42 6 261.54%-16.00%500.00%LPCVD 腔 75 19 64 1,150.00%/700.00%產銷量情況說明 上述生產量和庫存量均不含在產品??涛g設備的生產量和庫存量比上年增加,主要是由于公司于2024 年正式啟用臨港產業化基地,產能大幅度提升,以及客戶訂單增加,綜合導致 2024 年刻蝕設備生產量有較大增長。(3).(3).重大采購合同、重大銷
139、售合同的履行情況重大采購合同、重大銷售合同的履行情況 適用 不適用 (4).(4).成本分析表成本分析表 單位:元 分行業情況 分行業 成本構成項目 本期金額 本期占總成本比例(%)上年同期金額 上年同期占總成本比例(%)本期金額較上年同期變動比例(%)情況 說明 半導體設備 直接材料 4,737,842,154.02 88.67%3,102,687,786.22 88.16%52.70%直 接 人工 255,346,460.43 4.78%145,022,250.54 4.12%76.07%制 造 費用 349,788,925.95 6.55%271,613,531.59 7.72%28.7
140、8%總計 5,342,977,540.40 100.00%3,519,323,568.35 100.00%51.82%分產品情況 分產品 成本構本期金額 本期占上年同期金額 上年同本期金情中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 68/268 成項目 總成本比例(%)期占總成本比例(%)額較上年同期變動比例(%)況 說明 半導體設備 直接材料 4,097,397,214.99 87.13%2,541,822,218.84 85.91%61.20%直 接 人工 255,346,460.43 5.43%145,022,250.54 4.90%76.07%制 造 費用 349,788
141、,925.95 7.44%271,691,305.35 9.18%28.74%總計 4,702,532,601.37 100.00%2,958,535,774.73 100.00%58.95%備品備件 直 接 材料 603,104,531.76 100.00%502,049,349.98 100.00%20.13%其他 直接材料 37,340,407.27 100.00%58,738,443.64 100.00%-36.43%成本分析其他情況說明 無 (5).(5).報告期報告期主要子公司股權變動導致合并范圍變化主要子公司股權變動導致合并范圍變化 適用 不適用 (6).(6).公司報告期內業務
142、、產品或服務發生重大變化或調整有關情況公司報告期內業務、產品或服務發生重大變化或調整有關情況 適用 不適用 (7).(7).主要銷售客戶及主要供應商情況主要銷售客戶及主要供應商情況 A.A.公司主要銷售客戶情況公司主要銷售客戶情況 適用 不適用 前五名客戶銷售額 636,526.47 萬元,占年度銷售總額 70.22%;其中前五名客戶銷售額中關聯方銷售額 0.00 萬元,占年度銷售總額 0.00%。公司前五名客戶公司前五名客戶 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 序號 客戶名稱 銷售額 占年度銷售總額比例(%)是否與上市公司存在關聯關系 1 客戶一 200,808.40 22.15%否 2
143、 客戶二 192,489.86 21.23%否 3 客戶三 170,407.27 18.80%否 4 客戶四 44,244.74 4.88%否 5 客戶五 28,576.20 3.15%否 合計/636,526.47 70.22%/上述數據對于屬于同一控制人控制的企業已按同一客戶列示。報告期內向單個客戶的銷售比例超過總額的報告期內向單個客戶的銷售比例超過總額的 50%、前、前 5 名客戶中存在新增客戶的或嚴重依賴于名客戶中存在新增客戶的或嚴重依賴于少數客戶的情形少數客戶的情形 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 69/268 B.B.公司主要供應商情況公司主
144、要供應商情況 適用 不適用 前五名供應商采購額 229,301.77 萬元,占年度采購總額 28.40%;其中前五名供應商采購額中關聯方采購額 0.00 萬元,占年度采購總額 0.00%。公司前五名供應商公司前五名供應商 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 序號 供應商名稱 采購額 占年度采購總額比例(%)是否與上市公司存在關聯關系 1 供應商一 64,924.07 8.04%否 2 供應商二 52,592.12 6.51%否 3 供應商三 44,986.62 5.57%否 4 供應商四 35,371.07 4.38%否 5 供應商五 31,427.89 3.89%否 合計/229,301
145、.77 28.40%/報告期內向單個供應商的采購比例超過總額的報告期內向單個供應商的采購比例超過總額的 50%50%、前、前 5 5 名供應商中存在新增供應商的或嚴重依名供應商中存在新增供應商的或嚴重依賴于少數供應商的情形賴于少數供應商的情形 適用 不適用 3 3、費用費用 適用 不適用 單位:元 幣種:人民幣 科目 本期金額 上年同期額 變動比例(%)情況說明 銷售費用 478,850,487.74 365,650,103.56 30.96%主要系本期職工薪酬增加 6,791萬元,股份支付費用增加 3,283萬元。管理費用 481,801,040.67 343,673,105.92 40.1
146、9%主要系本期職工薪酬較上年增加 6,034 萬元,股份支 付 費 增 加 3,304 萬元。研發費用 1,417,657,501.11 816,652,948.28 73.59%主要系本期耗用的原材料和低值易耗品較上年增加 29,143 萬元,職工薪酬較上年增加 18,755 萬元,股份支付費用 較 上 年 增 加8,068 萬元。財務費用-86,796,807.14-87,239,891.38-0.51%所得稅費用 94,620,268.09 226,404,399.27-58.21%主要系研發投入大幅增長導致研發 加 計 扣 除 增長,所得稅費用中微半導體設備(上海)股份有限公司 202
147、4 年年度報告 70/268 因此減少。4 4、現金流現金流 適用 不適用 單位:元 幣種:人民幣 科目 本期金額 上年同期額 變 動 比 例(%)情況說明 經營活動產生的現金流量凈額 1,458,401,788.71-976,926,439.66 不適用 主要系本期銷售商品、提供勞務收到的現金較上年同期增加。投資活動產生的現金流量凈額 646,387,923.68 1,827,328,883.23-64.63%主要系本期凈購買銀行理財產品較上年減少?;I資活動產生的現金流量凈額-1,500,394.94 222,595,710.06-100.67%主要系本期公司支出股權回購款約 3 億元,而2
148、023 年無該事項。(二二)非主營業務導致利潤重大變化的說明非主營業務導致利潤重大變化的說明 適用 不適用 公司本期公允價值變動收益為 1.53 億元,主要包括其他非流動金融資產經評估師事務所評估產生公允價值變動收益 1.65 億元。該收益不具有可持續性,公司將其計入非經常性損益。(三三)資產、負債情況分析資產、負債情況分析 適用 不適用 1 1、資產資產及及負債負債狀狀況況 單位:元 項目名稱 本期期末數 本期期末數占總資產的比例(%)上期期末數 上期期末數占總資產的比例(%)本期期末金額較上期期末變動比例(%)情況說明 貨幣資金 7,761,617,180.32 29.60 7,090,4
149、09,172.79 32.94 9.47 應收票據 92,614,452.08 0.35 48,360,169.73 0.22 91.51 隨收入規模增長而增加 應收款項 1,352,336,466.74 5.16 1,164,908,187.07 5.41 16.09 隨收入規模 增長而增加 合同資產 28,173,421.93 0.11 37,080,232.43 0.17-24.02 本期貨款從 合同資產轉 入應收款項 其他應收款 11,387,415.47 0.04 10,225,108.44 0.05 11.37 預付款項 54,423,424.47 0.21 112,456,545
150、.17 0.52-51.60 23 年末有較大金額的預付采購款,24 年末無此事項 存貨 7,038,518,704.32 26.85 4,260,340,245.57 19.79 65.21 銷售訂單增 長下導致存 貨余額增加 交易性金融 資產 834,024,383.58 3.18 1,868,925,299.14 8.68-55.37 結構性存款 減少 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 71/268 其他流動資 產 712,979,301.33 2.72 494,793,895.75 2.30 44.10 建設廠房和 采購增加導 致增值稅待 抵扣進項稅 余額增加
151、一 年 內 到 期的 非 流 動 資產 14,832,000.00 0.06-/固定資產 2,716,202,457.70 10.36 1,987,606,137.52 9.23 36.66 本期房屋建筑物和機器設備建設完工由在建工程轉入固定資產 在建工程 652,149,990.74 2.49 848,798,245.12 3.94-23.17 無形資產 692,961,834.76 2.64 686,936,965.88 3.19 0.88 開發支出 1,247,588,985.02 4.76 505,792,998.61 2.35 146.66 本期公司持 續進行高水 平研發投入 導致資
152、本化 研發費用增 加 使用權資產 15,855,988.76 0.06 25,821,972.74 0.12-38.59 長期待攤費 用 6,153,912.32 0.02 5,254,354.26 0.02 17.12 長 期 股 權 投資 869,593,490.46 3.32 1,019,574,210.84 4.74-14.71 投 資 性 房 地產 5,793,441.93 0.02 6,206,935.35 0.03-6.66 長期應收款 10,138,889.35 0.04 24,219,955.88 0.11-58.14 其他非流動 金融資產 1,768,867,710.22
153、6.75 1,202,733,385.14 5.59 47.07 其他非流動 資產 151,178,696.96 0.58 22,944,112.04 0.11 558.90 本期預付公租房認購款 0.91億 遞延所得稅 資產 180,152,570.61 0.69 102,158,432.22 0.47 76.35 可抵扣暫時 性差異增加 導致遞延所 得稅資產增 加 應付賬款 1,679,974,308.81 6.41 1,305,110,382.45 6.06 28.72 采購增加導 致應付賬款 余額增加 合同負債 2,586,467,855.67 9.87 771,596,755.32
154、3.58 235.21 訂單增加,收到客戶的預付款也相應增加 應付職工薪 酬 390,999,571.63 1.49 287,959,710.00 1.34 35.78 應交稅費 208,864,005.92 0.80 196,154,594.50 0.91 6.48 應交增值稅較上年末增加 其他應付款 580,117,043.20 2.21 469,394,723.59 2.18 23.59 一年內到期 的非流動負 債 35,625,808.69 0.14 509,814,734.32 2.37-93.01 23 年末有一年期借款 5 億元 于 24 年到期償還 其他流動負 債 151,79
155、8,662.61 0.58 83,594,455.26 0.39 81.59 因銷售增長導致預計產品質量保證金余額中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 72/268 增加 長期借款 721,800,000.00 2.75-/新增長期借款 預計負債 15,777,688.36 0.06 15,466,597.35 0.07 2.01 遞延收益 95,736,672.93 0.37 21,016,994.43 0.10 355.52 當期收到政府補助增加 租賃負債 10,994,026.49 0.04 16,789,007.84 0.08-34.52 遞延所得稅 負債 38,6
156、13.01 0.00 23,434,221.39 0.11-99.84 其他非流動 負債 3,808,569.79 0.01 2,109,198.79 0.01 80.57 其他說明 無 2 2、境外資產情況境外資產情況 適用 不適用 (1)(1)資產規模資產規模 其中:境外資產 6.81(單位:億元 幣種:人民幣),占總資產的比例為 2.60%。(2)(2)境外資產占比較高的相關說明境外資產占比較高的相關說明 適用 不適用 3 3、截至報告期末主要資產受限情截至報告期末主要資產受限情況況 適用 不適用 4 4、其他說明其他說明 適用 不適用 (四四)行業經營性信息分析行業經營性信息分析 適用
157、 不適用 請參閱本報告“第三節、公司業務概要中一、報告期內公司所從事的主要業務、經營模式、行業情況及研發情況說明”中相關內容。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 73/268 (五五)投資狀況分析投資狀況分析 對外股權投資總體分析對外股權投資總體分析 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 報告期投資額(萬元)上年同期投資額(萬元)變動幅度 17,418.85 30,690.21-43.24%1 1、重大的股權投資重大的股權投資 適用 不適用 2 2、重大的非股權投資重大的非股權投資 適用 不適用 3 3、以公允價值計量的金融資產以公允價值計量的金融資產 適用 不適用 單
158、位:元 幣種:人民幣 資產類別 期初數 本期公允價值變動損益 計入權益的累計公允價值變動 本期計提的減值 本期購買金額 本期出售/贖回金額 其他變動 期末數 交易性金融資產-銀行理財產品 1,868,925,299.14 23,658,300.29-5,280,000,000.00-6,338,559,215.85-834,024,383.58 其他非流動金融資產 1,202,733,385.14 165,189,363.36-140,855,150.38-15,300,000.00 275,389,811.34 1,768,867,710.22 合計 3,071,658,684.28 188
159、,847,663.65-5,420,855,150.38-6,353,859,215.85 275,389,811.34 2,602,892,093.80 其他說明:于 2024 年度,本集團失去對兩家聯營企業的財務和經營決策的重大影響對其投資從長期股權投資轉入至其他非流動金融資產。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 74/268 證券投資情況 適用 不適用 單位:億元 幣種:人民幣 證券品種 證券代碼 證券簡稱 最初投資成本 資金來源 期初賬面價值 本期公允價值變動損益 計入權益的累計公允價值變動 本期購買金額 本期出售金額 處置損益 期末賬面價值 會計核算科目 境內外
160、股票 上市公司 1 上市公司 1 1.45 自有資金 3.49 -4.11 其他 境內外股票 上市公司 2 上市公司 2 0.30 自有資金 0.32 1.97 -0.17 -2.46 其他非流動金融資產 境內外股票 上市公司 3 上市公司 3 0.40 自有資金 0.55 1.94 -0.19 -2.68 其他非流動金融資產 境內外股票 上市公司 4 上市公司 4 0.08 自有資金 0.30 -0.13 -0.17 其他非流動金融資產 境內外股票 上市公司 5 上市公司 5 0.20 自有資金 0.45 -0.19 -0.26 其他非流動金融資產 境內外股票 上市公司 6 上市公司 6 1
161、.00 自有資金 0.73 0.16 -0.89 其他非流動金融資產 合計/3.43/5.84 3.75 -0.36 -10.57 /衍生品投資情況 適用 不適用 4 4、私募股權投資基金投資情況私募股權投資基金投資情況 適用 不適用 單位:億元 幣種:人民幣 私募基金名稱 投資協議簽署時點 投資目的 擬投資總額 報告期內投資金額 截至報告期末參與身份 報告期末出資是否控制該基金或施會計核算科目 是否存在關聯關系 基金底層資產情況 報告期利潤影響 累計利潤影響 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 75/268 已投資金額 比例(%)加重大影響 基金 A 21 年 11月
162、財務投資 0.50-0.35 有限合伙 1.85 否 其他非流動金融資產 否 投資戰略性新興相關產業 0.01 0.11 合計/0.50-0.35/1.85/0.01 0.11 其他說明 無 5 5、報告期內重大資產重組整合的具體進展情況報告期內重大資產重組整合的具體進展情況 適用 不適用 (六六)重大資產和股權出售重大資產和股權出售 適用 不適用 (七七)主要控股參股公司分析主要控股參股公司分析 適用 不適用 公司名稱 主營業務 注冊資本 持股比例 總資產(萬元)凈資產(萬元)營業收入(萬元)凈利潤(萬元)中微國際 主要負責公司海外的銷售 126,738,810 新加坡元 100%75,85
163、3.44-982.60 49,793.40-14,243.38 中微南昌 半導體設備的研發、設計、生產、銷售 2,500 萬元 100%502,586.62 216,878.69 398,834.61 68,425.14 中微臨港 半導體設備的研發、設計、生產、銷售 100,000 萬元 100%1,436,457.61 233,046.68 585,530.75 86,041.22 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 76/268 (八八)公司控制的結構化主體情況公司控制的結構化主體情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 77/26
164、8 六、六、公司關于公司未來發展的討論與分析公司關于公司未來發展的討論與分析(一一)行業格局和趨勢行業格局和趨勢 適用 不適用 數碼產業的發展正在改變人類的生產和生活方式。集成電路芯片和各種半導體微觀器件是信息產業的基礎和核心,是支撐經濟社會發展和保障國家安全的戰略性、基礎性和先導性產業。半導體制造設備是半導體產業進步的核心工具,是實現集成電路性能提升的關鍵,是半導體技術迭代的基石,發展集成電路及裝備產業對我國的經濟結構調整升級具有重要的戰略意義。從歷史上看,全球半導體產業成長迅猛。根據 SIA 公布的數據顯示,2024 年全球實現 6276億美元的半導體銷售額,這一水平較 2023 年增長
165、19.1%,也是首度突破六千億美元大關。SIA 認為今年全球半導體銷售額將再度錄得兩位數百分比的增長。中國作為全球最大的半導體消費市場,年銷售額增長了 18.3%。伴隨著新應用推動市場需求的持續旺盛,以及國內需求和技術升級推動下的強勁增長勢頭,國內半導體設備行業將受益于半導體產業的發展。人工智能、汽車電子、物聯網以及 5G/6G 等新技術和新產品的應用,將帶來龐大的半導體市場需求。半導體設備位于半導體產業鏈的上游,其市場規模隨著下游半導體技術發展和市場需求而波動,根據 SEMI 的統計,2024 年全球設備支出預計達到創紀錄的 1128 億美元,未來三年將持續增長。中國已連續五年為全球半導體設
166、備最大市場。預計中國芯片制造商在 2024 年增長15%至 885 萬片(wpm)后,2025 年將增長 14%至 1010 萬片(wpm),幾乎占行業總產能的三分之一。目前國內半導體設備市場主要由海外企業所占據,近年來我國設備行業技術水平不斷提高,國產設備在產品性價比、售后服務、貼近客戶等方面的優勢逐漸顯現,半導體設備國產化在進一步提速。作為全球最大的半導體消費市場,市場需求帶動全球產能中心逐步向中國大陸轉移,持續的產能轉移帶動了市場規模和技術水平的提高,也為設備行業的發展提供了機遇。(二二)公司發展戰略公司發展戰略 適用 不適用 公司目前開發的產品以半導體前道生產的等離子體刻蝕設備、薄膜沉
167、積設備等關鍵設備為主,并開發了先進封裝、MEMS、藍綠光及紫外 LED、Mini-LED、Micro-LED 等泛半導體設備產品。未來,在強化內生成長的同時,公司考慮通過并購等外延式成長途徑擴大產品和市場覆蓋,并將繼續探索核心技術在國計民生中創新性的應用。公司所處的半導體設備產業具有廣闊的成長空間。公司將繼續通過自主研發進一步提高公司產品的競爭力,為客戶提供品質一流、性能創新的產品和優良快捷的服務,努力提高市場份額。公司將緊緊抓住半導體產業發展的機遇,不斷提升技術水平和市場競爭力,引領國內半導體設備和技術的發展。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 78/268 公司已形成
168、三個維度擴展未來公司業務的布局規劃:深耕集成電路關鍵設備領域、擴展在泛半導體關鍵設備領域應用并探索其他新興領域的機會。在集成電路設備領域,公司考慮擴大在刻蝕設備領域的競爭優勢,延伸到薄膜、量檢測等其他關鍵設備領域;公司計劃擴展在泛半導體領域設備的應用,布局顯示、MEMS、功率器件等的關鍵設備;公司擬探索其他新興領域的機會,利用獨特的設備及工藝技術,考慮從設備制造向器件大規模生產的機會,以及探索更多集成電路及泛半導體設備生產線相關環保設備及醫療健康智能設備等領域的市場機會。公司將圍繞自身核心競爭力,通過自主創新、有機生長,結合適當的投資、兼并策略,不斷推動企業健康發展。(三三)經營計劃經營計劃
169、適用 不適用 公司自 2004 年成立以來,一直致力于開發和提供先進的微觀加工所需的高端關鍵設備,是典型的新質生產力代表。憑借創新的研發團隊和深厚的客戶關系,公司聚焦布局核心設備,關鍵技術不斷突破創新,并快速擴增產品線及擴大產品在國內領先客戶的市場占有率。2025 年,公司將繼續瞄準世界科技前沿,秉承三維發展戰略,持續鍛造并提升經營管理能力,實現高速、穩定、健康和安全的發展。具體包括以下方面:1、產品研發方面、產品研發方面 公司將不斷完善研發管理機制和創新激勵機制,對在技術研發、產品創新、專利申請等方面做出突出貢獻的技術研發人員給予獎勵,激發技術研發人員的工作熱情。公司將持續加大研發投入力度,
170、搭建更好的研發實驗環境,為技術突破和產品創新提供重要的基礎和保障。設備的研發方面,公司在持續改善現有設備的性能的同時,將根據先進邏輯芯片和高密度存儲 DRAM 和 3D NAND 芯片的不同刻蝕需求,細分產品,開發不同的硬件特征,提高產品針對不同應用的刻蝕性能,滿足不同客戶的需求。與此同時,公司會根據客戶的研發需求,定義下一代產品的技術指標和技術路線,開發能滿足客戶需求的新產品。在薄膜沉積設備研發方面,公司將進一步開發 LPCVD、EPI 和 ALD 產品,提升高端關鍵制程的覆蓋率,完善工藝整合方案,滿足客戶在的新的技術節點上對薄膜沉積設備的需求。針對第三代半導體設備市場,公司正在開發新一代氮
171、化鎵功率器件應用的 MOCVD 設備,將進一步提升設備性能,降低客戶生產成本,持續提升公司在氮化鎵基MOCVD設備領域的競爭力。同時,公司也啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產設備、應用于紅黃光 LED 的 MOCVD 設備的開發,不斷豐富公司設備的產品線,強化公司在第三代半導體設備市場的競爭優勢。2、人力資源方面、人力資源方面 公司視“員工”為最寶貴的資產,致力于為員工提供廣闊的職業發展空間,構建專業線、管理線發展雙通道,并設計了針對不同發展階段,包括從入職、成長到成熟,形式多樣的職業規劃,拓展人才發展渠道,無論普通員工,還是高管團隊均能獲得充分的發展機會。同時在公司踐中微半導體設備(上海)股
172、份有限公司 2024 年年度報告 79/268 行“五個十大”的公司文化使命,打造賦能型、人性化、全員參與式的學習氛圍,不斷激發員工活力,助力員工實現自身職業理想,與企業共同成長發展。公司于 2021 年正式成立了中微學習發展中心,由董事長兼 CEO 領銜,各部門負責人作為系主任,設置了以產品線劃分的技術、領導力以及通用能力的學習板塊,有力促進培養組織需要的技能,提升組織及人員競爭力,建立學習型組織文化氛圍。中微學習發展中心月度、季度、年度不斷優化,已成為數字化、系統化、全球化、專業化的內部在線學習平臺。2024 年,公司持續開展覆蓋各層級的培訓項目和課程。新員工融入項目,提供線上+線下互動的
173、入職培訓及年度零距離對話 CEO 活動,幫助新員工快速了解公司文化;應屆生啟航訓練營項目,通過“公司化、職業化、專業化”6 個月三階段的培訓,依據崗位的線上必修課+線下引導工作坊+輪崗+微信活動組成的混合數字化項目學習模式,幫助應屆生有效快速提升專業能力;新經理成長營項目,采用線上+線下+微信運營的混合學習形式,在內容上設置了“轉角色-定目標-帶團隊-贏績效-促發展”五個學習階段,助力新晉升管理者從個人貢獻者到團隊領導者的角色轉換。2024 年臨港培訓中心正式投入使用。該培訓中心配備了先進的現代化教學設備和舒適的學習環境,為員工提供了一個更加優質的學習與成長空間。它將推動公司知識共享與技能提升
174、,成為員工成長的加速器。3、市場拓展方面、市場拓展方面 公司將持續收集半導體制造行業市場與技術動態信息,密切關注客戶需求。公司在滿足現有客戶設備需求的同時,深度挖掘現有客戶的其他需求;積極拓展國內外其他知名客戶,不斷支持公司擴大業務規模。同時,公司將不斷尋求新的業務增長契機。2025 年,公司將加大市場推廣力度,參加包括 Semicon China 等重量級行業展會,支持超過10 場的國內外學術會議,公司也將安排公司技術專家參與演講交流,分享公司產品及技術等進展,提升公司影響力和產品的知名度。作為 SEMI、中國半導體行業協會等國內外十多家行業協會/聯盟的重要成員單位,中微公司將繼續參加行業主
175、要活動,履行社會責任,擴大公司的行業影響力。4、投資并購及合作開發方面、投資并購及合作開發方面 公司不斷踐行外延式發展策略,公司下屬的中微匯鏈、中微惠創、芯匯康在新業務拓展領域取得了良好的進展,得到了市場和用戶的高度評價。在高度競爭的產業形勢下,公司考慮在有機成長的同時,通過投資、并購國內外高端的半導體設備及關鍵零部件廠商,使公司能夠覆蓋更多的產品品類、占領更多細分市場,為公司的長期高速穩定發展奠定基礎。2025 年,公司會繼續重點考慮布局半導體和泛半導體領域,以及產業鏈上下游有協同效應的公司。5、優化運營管理優化運營管理及及內控建設方面內控建設方面 公司在營運管理中采用關鍵指標管理,尤其在生
176、產管理、材料管理、客戶技術支持和設備運行表現方面設定了一系列的關鍵考核指標,覆蓋了質量、效率、成本和安全等眾多方面。公司定中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 80/268 期跟蹤各項指標的執行情況,并根據統計結果和客戶反饋,制定出關鍵指標的改進要求。公司建立了高效的庫存管控體系,設置合理的庫存警戒線,以加快存貨周轉。2025 年,公司將在中微臨港等生產基地,繼續推進智能工廠項目和精益管理,提升人員及營運效率,縮短設備交付周期,并努力保持 100%訂單準時交付。隨著公司發展規模的不斷擴張,公司將持續完善內控建設,結合公司實際情況,在符合內部控制要求的前提下,著眼于管理創新,
177、持續提升公司的內部控制管理體系,促進公司高速、穩定、健康發展。(四四)其他其他 適用 不適用 第四節第四節 公司治理公司治理 一、一、公司治理相關情況說明公司治理相關情況說明 適用 不適用 公司已根據公司法證券法上海證券交易所科創板股票上市規則及公司章程的規定制定了股東大會、董事會及監事會的議事規則等相關內部治理制度,確定了股東大會、董事會、監事會和管理層的運行機制并合法、有效運作。公司董事會下設戰略委員會、審計委員會、提名委員會、薪酬與考核委員會、ESG 委員會,為公司重大事項的決策提供咨詢及建議,以保證董事會議事決策的專業化和高效化。公司治理與法律、行政法規和中國證監會關于上市公司治理的規
178、定是否存在重大差異;如有重大差異,應當說明原因 適用 不適用 二、二、公司就其與控股股東在業務、人員、資產、機構、財務等方面存在的不能保證獨立性、不能公司就其與控股股東在業務、人員、資產、機構、財務等方面存在的不能保證獨立性、不能保持自主經營能力的情況說明保持自主經營能力的情況說明 適用 不適用 控股股東、實際控制人及其控制的其他單位從事與公司相同或者相近業務的情況,以及同業競爭或者同業競爭情況發生較大變化對公司的影響、已采取的解決措施、解決進展以及后續解決計劃 適用 不適用 控股股東、實際控制人及其控制的其他單位從事對公司構成重大不利影響的同業競爭情況 適用 不適用 三、三、股東大會情況簡介
179、股東大會情況簡介 會議屆次 召開日期 決議刊登的指定網站的查詢索引 決議刊登的披露日期 會議決議 2023 年年度股東2024 年 4 月 17上海證券交易所網2024 年 4 月 18各項議案均審中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 81/268 大會 日 站()日 議通過,不存在否決議案的情況。表決權恢復的優先股股東請求召開臨時股東大會 適用 不適用 股東大會情況說明 適用 不適用 四、四、表決權差異安排在報告期內的實施和變化情況表決權差異安排在報告期內的實施和變化情況 適用 不適用 五、五、紅籌紅籌架構公司治理架構公司治理情況情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)
180、股份有限公司 2024 年年度報告 82/268 六、六、董事、監事和高級管理人員的情況董事、監事和高級管理人員的情況(一一)現任及報告期內離任董事現任及報告期內離任董事、監事、監事、高級管理人員高級管理人員和核心技術人員和核心技術人員持股變動及報酬情況持股變動及報酬情況 適用 不適用 單位:股 姓名 職務 性別 年齡 任期起始日期 任期終止日期 年初持股數 年末持股數 年度內股份增減變動量 增減變動原因 報告期內從公司獲得的稅前報酬總額(萬元)是否在公司關聯方獲取報酬 尹志堯 董事長、總經理、核心技術人員 男 81 2018-12-21 2028-01-13 4,559,436 4,329,
181、436-230,000 減持 1,485.14 否 朱民 董事 男 52 2018-12-21 2028-01-13 0 0 0/是 李鑫 董事 男 45 2025-01-14 2028-01-13 0 0 0 /是 楊卓 董事 男 39 2023-05-18 2028-01-13 0 0 0/否 叢海 董事、副總經理、核心技術人員 男 58 2023-03-30 2028-01-13 0 0 0/528.13 否 陶珩 董事、副總經理、核心技術人員 男 50 2023-03-30 2028-01-13 0 0 0/466.30 否 孫錚 獨立董事 男 68 2025-01-14 2028-0
182、1-13 0 0 0/否 張聿 獨立董事 男 53 2023-03-15 2028-01-13 0 0 0/40.00 否 徐萍 獨立董事 女 56 2025-01-14 2028-01-13 0 0 0/否 鄒非 監事會主席 女 40 2021-05-18 2028-01-13 0 0 0/否 黃晨 監事 男 34 2021-07-29 2028-01-13 0 0 0/否 戴時蘊 職工代表監事 女 51 2025-01-14 2028-01-13 1,000 1,000 0/160.73 否 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 83/268 靳巨 副總經理 男 61
183、2025-01-14 2028-01-13 0 0 0/311.10 否 陳偉文 財務負責人、副總經理 男 58 2018-12-21 2028-01-13 654,242 500,000-154,242 減持 701.05 否 何奕 副總經理 男 57 2025-01-14 2028-01-13 0 0 0/230.33 否 姜銀鑫 副總經理 男 48 2025-01-14 2028-01-13 0 0 0/460.17 否 劉方 副總經理、董事會秘書 男 49 2025-04-17 2028-01-13 0 0 0/否 陳世敏 獨立董事(離任)男 67 2018-12-21 2025-01
184、-14 0 0 0/40.00 否 孔偉 獨立董事(離任)男 54 2018-12-21 2025-01-14 0 0 0/40.00 否 張衛 獨立董事(離任)男 57 2018-12-21 2025-01-14 0 0 0/40.00 否 王耀 董事(離任)男 61 2021-12-09 2025-01-14 0 0 0/否 張亮 董事(離任)男 43 2018-12-21 2025-01-14 0 0 0/否 王志軍 職工代表監事(離任)男 47 2018-12-21 2025-01-14 0 0 0/259.01 否 倪圖強 副總經理、核心技術人員(離任)男 63 2018-12-21
185、 2024-09-20 934,358 764,358-170,000 減持 742.00 否 劉曉宇 董事會秘書、副總經理(離任)男 45 2018-12-21 2025-01-14 0 0 0/583.18 否 姜勇 核心技術人員 男 51 2023-08-24 2025-12-31 2,790 6,581 3,791 減持,實施股權激勵 265.26 否 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 84/268 陳煌琳 核心技術人員 男 55 2023-08-24 2025-12-31 7,820 6,963-857 減持,實施股權激勵 330.10 否 劉志強 核心技術人
186、員 男 48 2023-08-24 2025-12-31 5,790 0-5,790 減持,實施股權激勵 351.22 否 何偉業 核心技術人員 男 43 2023-08-24 2025-12-31 0 0 0/258.23 否 張凱 核心技術人員 男 51 2025-01-14 2025-12-31 0 0 0/285.95 否 楊偉 核心技術人員(離任)男 59 2011-01-01 2024-09-20 585,517 454,017-131,500 減持,實施股權激勵 341.96 否 合計/6,750,953 6,062,355-688,598/7,919.86/姓名 主要工作經歷
187、尹志堯 尹志堯先生,1944 年生,中國國籍,中國科學技術大學學士,加州大學洛杉磯分校博士。1984 年至 1986 年,就職于英特爾中心技術開發部,擔任工藝工程師;1986 年至 1991 年,就職于泛林半導體,歷任研發部資深工程師、研發部資深經理;1991 年至 2004 年,就職于應用材料,歷任等離子體刻蝕設備產品總部首席技術官、總公司副總裁及等離子體刻蝕事業群總經理、亞洲總部首席技術官;2004 年至今,擔任中微公司董事長、總經理、核心技術人員。朱民 朱民先生,1973 年生,中國國籍,華東政法大學學士,華東師范大學碩士。1995 年至 1999 年,擔任上海金橋(集團)有限公司法律顧
188、問、團委書記;1999 年至 2003 年,歷任上海市經營者資質評價中心信息部副部長、部長;2003 年至 2007 年,歷任上海市國資委企業改革處主任科員、上海市國資委辦公室主任科員;2007 年至 2010 年,擔任上海市國資委辦公室副主任、援藏任西藏日喀則地區國資委副主任;2010年至 2014 年,歷任上海市國資委辦公室副主任、上海市國資委直屬單位管理辦公室主任、直屬單位黨委副書記;2014 年至今,歷任上??萍紕摌I投資(集團)有限公司副總經理、黨委副書記、總裁、上海國有資本投資有限公司科創總監?,F任中微公司董事。李鑫 李鑫先生,1980 年生,中國國籍,碩士學歷。曾任上海頤廣電子科技
189、公司執行董事、總經理、上海廣電電子股份有限公司副總經理、上海索廣電子有限公司副總經理、黨委書記、上海儀電控股(集團)公司戰略企劃部總經理、副總經濟師、上海儀電(集團)有限公司副總裁等職務。2024 年 10 月起任上海國有資本投資有限公司副總裁?,F任中微公司董事。楊卓 楊卓先生,1986 年生,中國國籍,碩士學歷,高級經濟師。2009 年加入國家開發銀行深圳市分行,歷任評審處副處長、客戶五處處長。2023年加入華芯投資管理有限責任公司,任投資三部總經理;2024 年至今,任華芯投資管理有限責任公司投資五部總經理?,F任中微公司董事。叢海 叢海先生,1967 年生,新加坡國籍,新加坡國立大學碩士研
190、究生。1995 年至 2002 年,擔任新加坡特許半導體蝕刻資深工程師;2002 年至2003 年,擔任美國臺積電海外廠蝕刻資深工程師;2003 年至 2018 年,擔任新加坡 GlobalFoundries 研發部門蝕刻部技術總監;2018 年至中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 85/268 今,擔任中微公司集團副總裁,刻蝕和外延產品部總經理?,F任中微公司董事、副總經理、核心技術人員。陶珩 陶珩先生,1975 年生,中國國籍,上海交通大學碩士研究生。1997 年至 2002 年,擔任武漢理工大學校辦工廠機械工程師;2002 年至 2003年擔任捷銳氣壓設備(上海)有限
191、公司機械工程師;2003 年至 2005 年擔任精技機電(上海)有限公司機械工程師。2005 至今,歷任中微公司執行總監、副總裁、集團副總裁,LPCVD 產品部和公共平臺工程部總經理、CVD 產品部及公共工程部總經理?,F任中微公司董事、副總經理、核心技術人員。孫錚 孫錚先生,1957 年生,中國國籍,經濟學(會計學)博士。曾任上海財經大學校學術委員會主任委員、副校長、商學院院長,財政部中國會計準則委員會委員,中國會計學會副會長,上海證券交易所上市委員會委員?,F任上海財經大學資深教授,中國注冊會計師協會資深會員,澳大利亞注冊會計師公會(CPA Australia)資深注冊會計師、榮譽會員(FCP
192、A)?,F任中微公司獨立董事。張聿 張聿先生,1972 年生,中國國籍,美國夏威夷大學碩士研究生。2008 年至 2010 年,任恩智浦機頂盒業務部全球總經理;2010 年至 2013 年,任 PMCS 全球副總裁兼中國區總裁;2013 年至 2014 年,任建信投資執行董事。2016 年至 2023 年,任華登投資咨詢(北京)有限公司管理合伙人;2024 年至今,任上海華登高科私募基金管理有限公司管理合伙人?,F任中微公司獨立董事、中穎電子董事。徐萍 徐萍女士,1969 年生,中國國籍,北京大學法學學士,復旦大學法律碩士。2003 年至 2022 年,任天元律師事務所合伙人,主要從事證券、公司收
193、購與兼并、資產重組以及境外融資業務;2016 年至 2019 年,任中國證監會第六屆并購重組審核委員會委員;2023 年至今,任漢坤律師事務所合伙人(境內證券業務主要負責人)?,F任中微公司獨立董事。鄒非 鄒非女士,1985 年生,中國國籍,北京大學學士。2008 年至 2013 年,任中國國際金融有限公司投資銀行部高級經理;2013 年至 2015 年,任國開投資發展基金管理(北京)有限責任公司經理;2015 年至 2021 年,歷任國開金融有限責任公司風險管理部高級經理、風險與法律合規部副總經理、投資管理部副總經理;2021 年至今,任華芯投資管理有限責任公司風險管理部副總經理、投資管理部副
194、總經理?,F任中微公司監事會主席。黃晨 黃晨先生,1991 年生,中國國籍,東亞發展研究專業碩士、工商管理專業碩士。2014 年至 2015 年任上海浦東融資擔保有限公司戰略部助理;2015 年至 2016 年任上海浦東融資擔保有限公司風控經理;2016 年至 2020 年歷任上海浦東科創集團有限公司戰略規劃與信息部經理、投資二部投資經理、投資二部總經理助理、投資一部總經理助理;2020 年至 2022 年,任上海浦東科創集團有限公司投資一部副總經理;2022 年至 2024 年,任上??萍紕摌I投資(集團)有限公司項目投資部副總經理;2024 年至今,任上海浦東科創集團有限公司投資部總經理?,F任
195、中微公司監事。戴時蘊 戴時蘊女士,1974 年生,中國國籍,無境外永久居留權,華東理工大學學士。1996 年至 2000 年,任申達股份售后服務助理;2000 年至 2004年,任 Vamatex 上海代表處售后服務助理;2004 年至今,就職于中微公司,現任中微公司董事會辦公室證券事務執行總監、職工代表監事。靳巨 靳巨先生,1964 年生,美國國籍,西安交通大學學士,日本東京大學博士。1998 年至 2000 年,就職于美國 ADE 公司,歷任首席技術專家和研發部門經理;2001 年至 2002 年,擔任美國光刻機公司 Ultratech 公司主任工程師;2004 年至 2009 年,擔任日
196、本東京精密機械株式會社美國公司半導體前道設備總經理;2009 年至 2016 年,創立美國 Applied Electro-Optics Inc.,擔任董事長和首席執行官;2016 年至2019 年,擔任以色列 Orbotech 公司資深商務及市場總監;2019 年至 2023 年,擔任美國 Onto Innovation Inc.公司集團資深副總裁兼半導體檢測事業部總經理;2023 年至今,擔任中微公司資深副總裁,檢測事業部總經理?,F任中微公司副總經理。陳偉文 陳偉文先生,1967 年生,中國香港國籍,廈門大學學士、美國阿拉巴馬大學碩士。1996 年至 1999 年,擔任普華永道會計師事務所
197、審計師;中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 86/268 1999 年至 2000 年,擔任可口可樂公司總部財務分析師;2000 年至 2005 年,擔任霍尼韋爾國際總部資深內審員及中國區飛機引擎分部財務總監;2006 年至 2007 年,擔任耶路全球中國國際運輸財務總監;2007 年至 2008 年,擔任海王星辰連鎖藥店集團財務總監兼副總經理;2009 年至 2010 年,擔任盛大科技財務總監;2010 年至 2012 年,擔任阿特斯太陽能集團副總經理兼財務總監?,F任中微公司副總經理、財務負責人。何奕 何奕先生,1968 年生,中國國籍,蘇州大學理學學士,美國城市大學工
198、商行政管理碩士。二十多年人力資源從業經歷,擔任多家中外企業的人力資源負責人,包括康明斯中國地區人力資源總監、鐵姆肯亞太區人力資源副總裁、福耀玻璃人力資源副總裁、均勝電子人力資源總監等;2023 年 9 月,加入中微公司,擔任集團副總裁,負責人力資源工作?,F任中微公司副總經理。姜銀鑫 姜銀鑫先生,1977 年生,中國國籍,南京理工大學學士,復旦大學碩士。1999 年至 2001 年,就職于富士康科技集團華東法務室,擔任專利工程師;2001 年至 2005 年,就職于臺達電力電子研發中心,任專利經理;2005 年至今,歷任中微公司知識產權經理、知識產權總監、知識產權資深總監、法務及知識產權執行總監
199、、法務及知識產權副總裁、集團副總裁及總法律顧問?,F任中微公司副總經理。劉方 劉方先生,1976 年生,中國國籍,美國康奈爾大學工商管理碩士,新加坡南洋理工大學電子工程碩士。2003 年至 2007 年,就職于新加坡電信有限公司,擔任工程師;2010 年至 2020 年,就職于中信證券股份有限公司,歷任投資銀行業務高級經理、副總裁、高級副總裁、總監等職;2020 年,就職于深圳傳音控股股份有限公司,任副總裁;2021 年至 2025 年 2 月,就職于長鑫科技集團股份有限公司,擔任董事會辦公室主任、其子公司安徽啟航鑫睿私募基金管理有限公司總經理等職;2025 年 2 月至今,擔任中微公司集團副總
200、裁、副總經理、董事會秘書。陳 世 敏(離任)陳世敏博士,1958 年生,上海財經大學學士、碩士,美國佐治亞大學博士。1985 年至 1986 年,擔任上海財經大學教師;1991 年至 1998 年,擔任賓州克萊瑞恩大學(Clarion University of Pennsylvania)會計學副教授、教授;1998 年至 2002 年,擔任香港嶺南大學會計學副教授;2002 年至 2004 年,擔任路易斯安那大學拉法葉分校(The University of Louisiana at Lafayette)會計學副教授;2004 年至 2005年,擔任香港嶺南大學會計學副教授;2005 年至
201、2008 年,歷任香港理工大學會計學副教授,會計金融學院副主任;2008 年至今,歷任中歐國際工商學院會計學教授,副教務長及工商管理碩士主任,副教務長及案例中心主任??讉ィx任)孔偉先生,1971 年生,甘肅政法學院學士。1993 年至 1997 年,擔任甘肅省經濟律師事務所律師;1997 年至 1998 年,擔任史密夫律師行律師助理;1998 年至 1999 年,擔任外立綜合法律事務所律師助理;1999 年至 2001 年,擔任上海市瑛明律師事務所律師;2001 年至今,擔任中倫律師事務所合伙人。張衛(離任)張衛博士,1968 年生,西安交通大學學士、碩士、博士。1995 年至 2000 年
202、,歷任復旦大學電子工程系副教授、教授;2001 年至 2002 年,赴德國開姆尼茨工業大學(TU-Chemnitz)微系統系,為德國洪堡學者;2002 年至 2013 年,擔任復旦大學微電子學系教授;2007 年至 2013年,擔任復旦大學微電子學系系主任、教授;2013 年至 2017 年,擔任復旦大學微電子學院副院長;2017 年至 2019 年,擔任復旦大學微電子學院執行院長,2019 年至今,擔任復旦大學微電子學院院長。王耀(離任)王耀先生,1964 年生,碩士研究生,現任上??萍紕摌I投資(集團)有限公司戰新項目部總經理。王耀先生曾任上海中西藥業股份有限公司事業部經理,市場部經理,上海
203、中西新生力生物工程有限公司副總經理;2002 年 5 月起先后擔任上海創業投資有限公司項目經理、重大項目部副經理、資產經營部經理、上??萍紕摌I投資(集團)有限公司綜合業務部總經理、上海集成電路產業投資基金管理有限公司總經理等職。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 87/268 張亮(離任)張亮先生,1982 年生,山東大學碩士。2004 年至 2014 年,歷任濟南泉城不銹鋼有限公司采購部經理,總經理;2015 年起,擔任上海興橙投資管理有限公司總經理,上海寶鼎投資股份有限公司董事長以及中國電子工程設計院股份有限公司董事等職務。王 志 軍(離任)王志軍先生,1978 年生
204、,東南大學學士,同濟大學工商管理碩士。2002 年至 2006 年,擔任上海華虹 NEC 電子有限公司設備工程師;2006年至今,就職于中微公司?,F任中微公司副總裁、制造部總經理。倪 圖 強(離任)倪圖強博士,1962 年生,中國科學技術大學學士、碩士,美國德州大學博士、博士后。1995 年至 2004 年,擔任泛林半導體技術總監;2004年 8 月至今,歷任中微公司執行總監、副總裁。劉 曉 宇(離任)劉曉宇先生,1980 年生,浙江大學學士、復旦大學-BI 挪威商學院工商管理碩士。2001 年至 2005 年,擔任中芯國際集成電路制造(上海)有限公司戰略市場部分析師;2005 年至今,歷任中
205、微公司市場部經理、市場部資深經理、市場部總監、公共關系部資深總監、董事會辦公室執行總監、副總裁、副總經理、董事會秘書。姜勇 姜勇先生,1974 年生,中國國籍,上海交通大學工學學士,上海交通大學工學碩士,2005 年加入中微公司?,F任中微公司副總裁、MOCVD產品部副總經理、核心技術人員。陳煌琳 陳煌琳先生,1970 年生,中國臺灣國籍,臺灣工業技術學院學士。2000 年至 2018 年,就職于泛林半導體,任職資深客戶服務經理,2018年加入中微公司?,F任中微公司副總裁、ICP 產品部總經理、核心技術人員。劉志強 劉志強先生,1977 年生,新加坡國籍,清華大學學士,碩士。2002 年至 20
206、04 年,就職于中芯國際集成電路制造有限公司,擔任蝕刻工藝工程師;2004 年至 2008 年,擔任新加坡特許半導體蝕刻主任工程師,2008 年加入中微公司?,F任中微公司副總裁、CCP 刻蝕部總經理、核心技術人員。何偉業 何偉業先生,1982 年生,中國國籍,南京大學學士,碩士。2007 年至 2010 年,就職于中芯國際邏輯技術研發部,擔任工藝工程師;2011年至 2021 年,就職于應用材料(中國)有限公司,歷任技術主管、產品經理;2021 年加入中微公司?,F任中微 LPCVD 產品部總經理、核心技術人員。張凱 張凱先生,1974 年生,中國國籍,浙江大學機械電子工程專業學學士。1998
207、年至 2000 年,就職于上海光華儀表廠,擔任電子系統研發工程師;2000 年至 2004 年,就職于美國應用材料中國公司,歷任客戶服務工程師、CPI 產品技術經理;2004 年至 2018 年,就職于美國 Veeco Instruments 公司,歷任中國區技術服務總經理、銷售總監等職務;2018 年加入中微公司,曾任 MOCVD 業務副總經理,目前擔任公司副總裁兼平板設備產品部總經理,中微廣州公司總經理、核心技術人員。楊偉(離任)楊偉先生,1966 年生,西安交通大學學士、碩士。1993 年至 1995 年,擔任智群科技股份有限公司項目經理;1995 年至 2004 年,擔任應用材料軟件部
208、資深總監;2004 年至今,擔任中微公司副總裁。其它情況說明 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 88/268 (二二)現任及報告期內離任董事、監事和高級管理人員的任職情況現任及報告期內離任董事、監事和高級管理人員的任職情況 1 1、在股東單位任職情況在股東單位任職情況 適用 不適用 任職人員姓名 股東單位名稱 在股東單位擔任的職務 任期起始日期 任期終止日期 朱民 上海創業投資有限公司 執行董事、總經理 2023 年/鄒非 巽鑫(上海)投資有限公司 監事 2021 年/在股東單位任職情況的說明 2 2、在其他單位任職情況在其他單位任職情況 適用 不適用 任
209、職人員姓名 其他單位名稱 在其他單位擔任的職務 任期起始日期 任期終止日期 尹志堯 瀾起科技股份有限公司 獨立董事 2019 年 3 月 2024 年 8 月 尹志堯 拓荊科技股份有限公司 董事 2021 年 1 月/尹志堯 睿勵科學儀器(上海)有限公司 董事長 2021 年 2 月/陶珩 上海璦建展覽服務有限公司 執行董事 2017 年 9 月/陶珩 嘉興忠微企業管理有限公司 監事 2018 年 9 月/何奕 上海易漫企業管理咨詢有限公司 監事 2014 年 9 月/戴時蘊 嘉興忠微企業管理有限公司 經理,董事 2018 年 9 月/劉曉宇(離任)上海理想萬里暉薄膜設備有限公司 監事 202
210、0 年 9 月/劉曉宇(離任)上海洪樸信息科技有限公司 董事 2023 年 8 月/劉曉宇(離任)上海芯元基半導體科技有限公司 董事 2024 年 1 月/劉曉宇(離任)PROCISIVE PTE.LTD.董事 2022 年 11 月/劉曉宇(離任)Fowing Limited 科影有限公司 董事 2024 年 10 月/朱民 上??萍紕摌I投資(集團)有限公司 經理,董事 2024 年 11 月/朱民 上海創業投資有限公司 執行董事,總經理 2024 年 2 月/朱民 上??萍紕摌I投資股份有限公司 董事長 2020 年 9 月/朱民 中微半導體設備(上海)股份有限公司 董事 2016 年 12
211、 月/朱民 上海誠毅新能源創業投資有限公司 董事 2019 年 4 月/中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 89/268 朱民 上海生物芯片有限公司 董事長 2020 年 11 月/朱民 上海戰新投資管理有限公司 執行董事 2016 年 5 月/朱民 國投創業投資管理有限公司 監事 2017 年 6 月/朱民 上海匯科創業投資有限公司 執行董事 2020 年 10 月/朱民 上海浦江科技投資有限公司 董事長 2020 年 12 月/朱民 上海芯超生物科技有限公司 董事長 2020 年 10 月/朱民 上海海興科創私募基金管理有限公司 董事 2021 年 11 月/朱民 上
212、??萍紕摌I投資有限公司 監事 2020 年 8 月 2024 年 3 月 朱民 上海盛今創業投資有限公司 董事 2018 年 7 月 2024 年 4 月 朱民 上海明浦科技發展有限公司 執行董事 2020 年 7 月 2025 年 3 月 朱民 上海八六三軟件孵化器有限公司 董事長 2020 年 7 月 2025 年 3 月 朱民 上海智能新能源汽車科創功能平臺有限公司 董事 2021 年 9 月 2024 年 2 月 李鑫 上海國有資本投資有限公司 副總裁 2024 年 10 月/楊卓 華芯投資管理有限責任公司 投資三部總經理 2023 年 3 月 2024 年 5 月 楊卓 華芯投資管理
213、有限責任公司 投資五部總經理 2024 年 5 月/楊卓 拓荊科技股份有限公司 董事 2023 年 5 月/楊卓 北方華創科技集團股份有限公司 董事 2023 年 5 月/楊卓 寧波南大光電材料有限公司 董事 2023 年 5 月/楊卓 上海硅產業集團股份有限公司 副董事長,董事 2023 年 6 月/楊卓 西安奕斯偉材料科技股份有限公司 董事 2023 年 7 月/王耀(離任)上海產業知識產權運營投資管理有限公司 董事 2018 年 7 月/王耀(離任)上海集成電路研發中心有限公司 監事 2019 年 3 月/王耀(離任)上海上發院發電成套設備工程有限公司 董事 2018 年 12 月/王耀
214、(離任)上海前瞻創新研究院有限公司 董事 2019 年 1 月/王耀(離任)上海超碳石墨烯產業技術有限公司 董事 2021 年 11 月/王耀(離任)上海工業控制安全創新董事 2020 年 6 月/中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 90/268 科技有限公司 王耀(離任)上海糖碼承創生物醫藥科技有限公司 董事 2021 年 11 月/王耀(離任)上海簇睿低碳能源技術有限公司 董事 2023 年 2 月/王耀(離任)上海智能制造功能平臺有限公司 董事 2023 年 4 月/張亮(離任)上海興橙投資管理有限公司 總經理 2015 年 1 月/張亮(離任)濟南國開興橙投資管理
215、有限公司 法定代表人、執行董事、總經理 2017 年 9 月/張亮(離任)廣州興橙私募證券投資管理有限公司 監事 2020 年 2 月/張亮(離任)上海寶鼎投資股份有限公司 法定代表人、董事長 2020 年 12 月/張亮(離任)上海岳橙科技有限公司 財務負責人 2023 年 8 月/張亮(離任)寶鼎芯谷微電子(杭州)有限公司 法定代表人、執行董事、總經理 2021 年 4 月/張亮(離任)廣州灣區智能傳感器產業集團有限公司 董事 2021 年 10 月/張亮(離任)廣州灣區智能傳感器產業集團有限公司 經理 2023 年 11 月/張亮(離任)中國電子工程設計院股份有限公司 董事 2022 年
216、 9 月/張亮(離任)光科芯圖(北京)科技有限公司 董事 2022 年 5 月/張亮(離任)無錫迪思微電子有限公司 董事 2022 年 9 月/張亮(離任)深圳市志橙半導體材料股份有限公司 董事 2022 年 12 月/張亮(離任)昂坤視覺(北京)科技有限公司 董事 2020 年 5 月/張亮(離任)天津濟坤醫藥科技有限公司 董事 2023 年 4 月/張亮(離任)廣州增芯科技有限公司 經理、董事 2023 年 11 月/張亮(離任)上海矽??萍脊煞萦邢薰?監事 2021 年 6 月/張亮(離任)井岡山鼎橙投資合伙企業(有限合伙)執行事務合伙人 2020 年 9 月/張亮(離任)井岡山欣橙股
217、權投資合伙企業(有限合伙)執行事務合伙人 2021 年 9 月/張亮(離任)共青城欣語投資合伙企業(有限合伙)執行事務合伙人 2020 年 8 月/鄒非 華芯投資管理有限責任公司投資管理部 副總經理 2023 年 5 月/鄒非 上海硅產業集團股份有限公司 監事 2021 年 6 月/鄒非 紫光展銳(上海)科技有限公司 監事 2022 年 3 月/中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 91/268 鄒非 蘇州盛科通信股份有限公司 監事 2021 年 6 月/鄒非 賽萊克斯微系統科技(北京)有限公司 監事 2022 年 3 月/鄒非 北京世紀金光半導體有限公司 監事 2021
218、年 8 月/鄒非 芯原微電子(上海)股份有限公司 監事 2021 年 4 月/鄒非 江蘇鑫華半導體材料科技有限公司 監事 2022 年 3 月/鄒非 巽鑫(上海)投資有限公司 監事 2021 年 4 月/黃晨 上??萍紕摌I投資(集團)有限公司 項目投資部副總經理 2022 年 10 月 2024 年 11 月 黃晨 上海浦東科創集團有限公司 投資部總經理 2024 年 11 月/黃晨 睿勵科學儀器(上海)有限公司 董事 2021 年 3 月/黃晨 中微半導體設備(上海)股份有限公司 監事 2021 年 12 月/黃晨 盛美半導體設備(上海)股份有限公司 董事 2020 年 5 月/黃晨 翱捷科
219、技股份有限公司 董事 2019 年 3 月/黃晨 上海理想萬里暉薄膜設備有限公司 董事 2022 年 9 月 2025 年 9 月 黃晨 上海精積微半導體技術有限公司 董事 2022 年 3 月/黃晨 上海集成電路產業投資基金股份有限公司 投委 2019 年 10 月/張聿 寧波梅山保稅港區墨陽投資管理有限公司 董事長 2019 年 10 月/張聿 義烏市華芯股權投資有限公司 執行董事 2020 年 04 月/張聿 蘇州慧財智科技有限公司 監事 2019 年 5 月/張聿 愛傳奇(北京)運動科技有限公司 監事 2013 年 11 月/張聿 義烏華芯晨楓投資管理有限公司 經理 2017 年 12
220、 月/張聿 中微半導體設備(上海)股份有限公司 獨立董事 2023 年 03 月/張聿 中穎電子股份有限公司 董事 2021 年 06 月/張聿 深圳市航盛電子股份有限公司 董事 2022 年 09 月/張聿 盛泰光電科技股份有限公司 董事 2021 年 07 月/張聿 豫北轉向系統(新鄉)股份有限公司 董事 2022 年 10 月/張聿 深圳市唯酷光電有限公董事 2021 年 12 月/中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 92/268 司 張聿 武漢嘉晨電子技術股份有限公司 董事 2021 年 12 月/張聿 北京煋邦數碼科技有限公司 董事 2021 年 01 月/張聿
221、 上海麥騰物聯網技術有限公司 董事 2018 年 01 月/張聿 盈力半導體(上海)有限公司 董事 2022 年 10 月/張聿 光梓信息科技(上海)有限公司 董事 2017 年 3 月/張聿 成都臻識科技發展有限公司 董事 2017 年 03 月/張聿 合肥華登科技投資管理有限公司 總經理 2018 年 11 月/張聿 上海漢楓電子科技有限公司 董事 2022 年 02 月/張聿 蘇州慧財智數字科技有限公司 監事 2021 年 06 月 2024 年 07 月 張聿 華世智駕(杭州)汽車電子有限公司 董事 2021 年 10 月 2024 年 02 月 張聿 華世新磐智能科技(上海)有限公司
222、 董事 2021 年 10 月 2024 年 10 月 張聿 京西重工(上海)有限公司 董事 2019 年 11 月 2024 年 01 月 孫錚 上海財經大學 助教,講師,副教授,教授 1983 年 2 月/孫錚 中國東方航空股份有限公司 獨立董事 2021 年 6 月/孫錚 上海汽車集團股份有限公司 獨立董事 2022 年 5 月/孫錚 興業銀行股份有限公司 外部監事 2023 年 6 月/孫錚 上海財大軟件股份有限公司 董事 2003 年 1 月/孫錚 上海晅凱企業管理咨詢事務所 法人代表 2018 年 3 月/徐萍 北京市漢坤律師事務所 合伙人 2023 年 1 月/陳世敏(離任)中歐
223、國際工商學院 教授 2017 年 7 月/陳世敏(離任)銀城國際控股有限公司 獨立董事 2019 年 2 月/陳世敏(離任)賽晶電力電子集團有限公司 獨立董事 2010 年 8 月/陳世敏(離任)中國郵政儲蓄銀行股份有限公司 監事 2019 年 12 月/陳世敏(離任)廣發銀行股份有限公司 獨立董事 2021 年 1 月/張衛(離任)國家集成電路創新中心 總經理 2018 年 2 月/張衛(離任)上海微電子裝備有限公司 獨立董事 2020 年 6 月/張衛(離任)上海硅產業集團 獨立董事 2019 年 5 月/孔偉(離任)北京市中倫(上海)律師合伙人 2001 年 8 月/中微半導體設備(上海
224、)股份有限公司 2024 年年度報告 93/268 事務所 孔偉(離任)光大保德信基金管理有限公司 獨立董事 2019 年 5 月 2025 年 3 月 在其他單位任職情況的說明 (三三)董事、監事、高董事、監事、高級管理人員和核心技術人員報酬情況級管理人員和核心技術人員報酬情況 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 董事、監事、高級管理人員報酬的決策程序 根據 公司章程、薪酬與考核委員會管理辦法 等相關規定,董事、監事和高級管理人員薪酬經董事會薪酬與考核委員會審核。董事在董事會討論本人薪酬事項時是否回避 是 薪酬與考核委員會或獨立董事專門會議關于董事、監事、高級管理人員報酬事項發表建議的具
225、體情況 關于公司 2024 年年度董事薪酬方案的議案 符合公司的相關規定,并結合了公司的實際情況,有利于完善公司董事的薪酬分配,使公司董事更好的履行勤勉盡責的義務,促進公司持續、健康、穩定發展,以切實維護公司與股東的權益。因公司全體董事屬于關聯董事,故全體董事對此進行了回避表決,符合 公司法以及上海證券交易所科創板股票上市規則等法律、法規以及公司章程的有關規定。綜上,獨立董事同意將該議案提交公司股東大會審議。董事、監事、高級管理人員報酬確定依據 根據個人年度經營計劃、崗位職責和管理目標等綜合情況核定考核指標。董事、監事和高級管理人員報酬的實際支付情況 根據個人年度經營計劃、崗位職責和管理目標等
226、綜合情況核定考核指標。報告期末全體董事、監事和高級管理人員實際獲得的報酬合計 6,087.13 報告期末核心技術人員實際獲得的報酬合計 1,832.72 (四四)公司董事、監事、高級管理人員和核心技術人員變動情況公司董事、監事、高級管理人員和核心技術人員變動情況 適用 不適用 姓名 擔任的職務 變動情形 變動原因 李鑫 董事 選舉 換屆 孫錚 獨立董事 選舉 換屆 張聿 獨立董事 選舉 換屆 徐萍 獨立董事 選舉 換屆 戴時蘊 職工代表監事 選舉 換屆 靳巨 副總經理 聘任 換屆 何奕 副總經理 聘任 換屆 姜銀鑫 副總經理 聘任 換屆 劉方 副總經理、董事會秘書 聘任 聘任副總經理、董事會秘
227、書 陳世敏 獨立董事 離任 換屆 孔偉 獨立董事 離任 換屆 張衛 獨立董事 離任 換屆 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 94/268 王耀 董事 離任 換屆 張亮 董事 離任 換屆 王志軍 職工代表監事 離任 換屆 倪圖強 副總經理、核心技術人員 離任 個人原因離任 劉曉宇 董事會秘書、副總經理 離任 換屆 張凱 核心技術人員 聘任 聘任核心技術人員 楊偉 核心技術人員 離任 個人原因離任 (五五)近三年受證券監管機構處罰的情況說明近三年受證券監管機構處罰的情況說明 適用 不適用 (六六)其他其他 適用 不適用 七、七、報告期內召開的董事會有關情況報告期內召開的董事
228、會有關情況 會議屆次 召開日期 會議決議 第二屆董事會第十九次會議 2024 年 2月 2 日 審議通過以集中競價交易方式回購公司股份相關議案。第二屆董事會第二十次會議 2024 年 3月 18 日 審議通過 2023 年年報及相關報告、2024 年董事薪酬方案、日常關聯交易預計等議案。第二屆董事會第二十一次會議 2024 年 3月 27 日 審議通過關于作廢處理 2022 年限制性股票激勵計劃部分限制性股票、2022 年限制性股票激勵計劃第二個歸屬期符合歸屬條件、2024 年限制性股票激勵計劃等議案。第二屆董事會第二十二次會議 2024 年 4月 25 日 審議通過一季度報告、使用閑置募集資
229、金進行現金管理等議案。第二屆董事會第二十三次會議 2024 年 4月 26 日 審議通過調整公司限制性股票激勵計劃相關事項、向激勵對象授予 2024 年限制性股票等議案。第二屆董事會第二十四次會議 2024 年 6月 12 日 審議通過關于作廢處理 2023 年限制性股票激勵計劃部分限制性股票、2023 年限制性股票激勵計劃第一個歸屬期符合歸屬條件等議案。第二屆董事會第二十五次會議 2024 年 8月 22 日 審議通過半年報、半年度募集資金存放與使用情況專項報告、作廢處理 2020 年限制性股票激勵計劃部分限制性股票、2020 年限制性股票激勵計劃首次授予部分第四個歸屬期符合歸屬條件、公司
230、2020 年股票增值權激勵計劃第四個行權期符合行權條件等議案。第二屆董事會第二十六次會議 2024 年 10月 29 日 審議通過三季報、作廢處理 2020 年限制性股票激勵計劃部分限制性股票、2020 年限制性股票激勵計劃預留授予部分第四個歸屬期符合歸屬條件等議案。第二屆董事會第二十七次會議 2024 年 12月 27 日 審議通過換屆選舉、修訂公司章程董事會議事規則、關聯方投資超微半導體暨關聯交易等議案。八、八、董事履行職責情況董事履行職責情況(一一)董事參加董事董事參加董事會和股東大會的情況會和股東大會的情況 董事 姓名 是否獨立董事 參加董事會情況 參加股東大會情況 本年應參親自以通訊
231、委托出缺席 是否連續出席股東中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 95/268 加董事會次數 出席次數 方式參加次數 席次數 次數 兩次未親自參加會議 大會的次數 尹志堯 否 9 9 6 0 0 否 1 王耀 否 9 9 6 0 0 否 1 朱民 否 9 9 6 0 0 否 1 楊卓 否 9 9 6 0 0 否 1 叢海 否 9 9 6 0 0 否 1 陶珩 否 9 9 6 0 0 否 1 張亮 否 9 9 6 0 0 否 1 張聿 是 9 9 6 0 0 否 1 陳世敏 是 9 9 6 0 0 否 1 孔偉 是 9 9 6 0 0 否 1 張衛 是 9 9 6 0 0 否
232、 1 連續兩次未親自出席董事會會議的說明 適用 不適用 年內召開董事會會議次數 9 其中:現場會議次數 0 通訊方式召開會議次數 6 現場結合通訊方式召開會議次數 3 (二二)董事對公司有關事項提出異議的情況董事對公司有關事項提出異議的情況 適用 不適用 (三三)其他其他 適用 不適用 九、九、董事會下設專門委員會情況董事會下設專門委員會情況 適用 不適用 (一一)董事會下設專門委員會成員情況董事會下設專門委員會成員情況 專門委員會類別 成員姓名 審計委員會 陳世敏、楊卓、孔偉 提名委員會 張聿、尹志堯、陳世敏 薪酬與考核委員會 張聿、尹志堯、孔偉、朱民、張衛 戰略委員會 尹志堯、王耀、叢海、
233、楊卓、張亮、張衛 ESG 委員會 尹志堯、陶珩、王耀、張衛、孔偉 (二二)報告期內報告期內審計審計委員會召開委員會召開 5 次會議次會議 召開日期 會議內容 重要意見和建議 其他履行職責情況 2024年3月18 日 審議 2023 年年報、預計 2024 年年度日常關聯交易等議案 議案全部經審議通過 無 2024年4月25 日 審議 2024 年一季報議案 議案全部經審議通過 無 2024年8月22 日 審議 2024 年半年報議案 議案全部經審議通過 無 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 96/268 2024 年 10月 29 日 審議 2024 年三季報議案 議案
234、全部經審議通過 無 2024 年 12月 27 日 審議關聯方投資超微半導體暨關聯交易的議案 議案全部經審議通過 無 (三三)報告期內報告期內提名提名委員會召開委員會召開 1 次會議次會議 召開日期 會議內容 重要意見和建議 其他履行職責情況 2024 年 12月 27 日 審議董事會換屆選舉相關議案 議案全部經審議通過 無 (四四)報告期內報告期內薪酬與考核薪酬與考核委員會召開委員會召開 6 次會議次會議 召開日期 會議內容 重要意見和建議 其他履行職責情況 2024年3月18 日 審議 2024 年年度董事及高管薪酬方案等議案 議案全部經審議通過 無 2024年3月27 日 審議 2022
235、 年限制性股票激勵計劃、2024年限制性股票激勵計劃相關議案 議案全部經審議通過 無 2024年4月26 日 審議 2024 年限制性股票激勵計劃相關議案 議案全部經審議通過 無 2024年6月12 日 審議 2023 年限制性股票激勵計劃相關議案 議案全部經審議通過 無 2024年8月22 日 審議 2020 年限制性股票激勵、股票增值權激勵相關議案 議案全部經審議通過 無 2024 年 10月 29 日 審議 2020 年限制性股票激勵相關議案 議案全部經審議通過 無 (五五)報告期內報告期內戰略戰略委員會召開委員會召開 2 次會議次會議 召開日期 會議內容 重要意見和建議 其他履行職責情
236、況 2024年3月18 日 審議公司 2023 年年度利潤分配預案等議案 議案全部經審議通過 無 2024年8月22 日 審議關于進一步明確募集資金投資項目相關事項議案 議案全部經審議通過 無 (六六)報告期內報告期內 ESG 委員會召開委員會召開 1 次會議次會議 召開日期 會議內容 重要意見和建議 其他履行職責情況 2024年3月18 日 審議 2023 年環境、社會及管治報告的議案 議案全部經審議通過 無 (七七)存在異議事項的具體情況存在異議事項的具體情況 適用 不適用 十、十、監事會發現公司存在風險的說明監事會發現公司存在風險的說明 適用 不適用 監事會對報告期內的監督事項無異議。中
237、微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 97/268 十一、十一、報告期末報告期末母公司和主要子公司的員工情況母公司和主要子公司的員工情況(一一)員工情況員工情況 母公司在職員工的數量 45 主要子公司在職員工的數量 2,435 在職員工的數量合計 2,480 母公司及主要子公司需承擔費用的離退休職工人數 1 專業構成 專業構成類別 專業構成人數 生產人員 351 銷售人員 127 技術人員 503 財務人員 28 行政人員 281 研發人員 1,190 合計 2,480 教育程度 教育程度類別 數量(人)博士 217 碩士 734 大學本科 1,181 大專及以下 348 合
238、計 2,480 (二二)薪酬政策薪酬政策 適用 不適用 公司為保障員工的合法權益,激勵員工的積極性和主動性,制定并落實員工薪酬管理制度,為員工塑造全面的薪酬管理及職級晉升體系。員工薪酬福利管理辦法規定了公司員工薪酬的體系構成、職級及薪酬調整流程、審批程序等。公司高級管理人員的薪酬由董事會擬定審批、監督執行,其余人員在員工薪酬福利管理辦法的制度框架內,針對不同崗位的差異,分別制定各自薪資標準和職級晉升辦法。公司中國籍員工的薪資主要由基本工資、崗位津貼、加班工資和年終獎金等構成,外籍員工的薪資主要由基本工資、加班工資、福利補貼和年終獎等構成。公司根據員工的工作量、工作強度、工作業績等指標,按年度進
239、行考核并發放績效獎金,以增強員工的工作積極性,提高整體用工效率。(三三)培訓計劃培訓計劃 適用 不適用 公司著重提升員工的半導體行業技術專業技能及管理技能,幫助員工全面成長。在專業技術方面,為員工開設芯片制造工藝等內訓課程,及解決問題的外訓課程。在個人管理發展方面,開中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 98/268 設線上培訓課程。同時,為提升公司管理人員的管理能力,公司與外部管理咨詢機構合作,為管理人員開設經理成長營等管理課程項目。(四四)勞務外包情況勞務外包情況 適用 不適用 十二、十二、利潤分配或資本公積金轉增預案利潤分配或資本公積金轉增預案(一一)現金分紅政策現金
240、分紅政策的制定、執行或調整情況的制定、執行或調整情況 適用 不適用 公司已根據中國證監會關于進一步落實上市公司現金分紅有關事項的通知以及上海證券交易所上市公司現金分紅指引制定了公司的分紅政策。公司章程第一百八十、第一百八十二、第一百八十三、第一百八十四、第一百八十五條規定了現金分紅政策以及公司利潤分配方案的決策程序,現有現金分紅政策充分保護了中小投資者的合法權益,報告期對公司章程的修改未涉及現金分紅政策相關內容。(二二)現金分紅政策的專項說明現金分紅政策的專項說明 適用 不適用 是否符合公司章程的規定或股東大會決議的要求 是 否 分紅標準和比例是否明確和清晰 是 否 相關的決策程序和機制是否完
241、備 是 否 獨立董事是否履職盡責并發揮了應有的作用 是 否 中小股東是否有充分表達意見和訴求的機會,其合法權益是否得到了充分保護 是 否 (三三)報告期內盈利且母公司可供股東分配利潤為正,但未提出現金利潤分配方案預案的,公司應報告期內盈利且母公司可供股東分配利潤為正,但未提出現金利潤分配方案預案的,公司應當詳細披露原因以及未分配利潤的用途和使用計劃當詳細披露原因以及未分配利潤的用途和使用計劃 適用 不適用 (四四)本報告期利潤分配及資本公積金轉增股本預案本報告期利潤分配及資本公積金轉增股本預案 適用 不適用 單位:元 幣種:人民幣 每 10 股送紅股數(股)0 每 10 股派息數(元)(含稅)
242、3.00 每 10 股轉增數(股)0 現金分紅金額(含稅)186,080,238.60 合并報表中歸屬于上市公司普通股股東的凈利潤 1,615,675,746.81 現金分紅金額占合并報表中歸屬于上市公司普通股股東的凈利潤的比率(%)11.52 以現金方式回購股份計入現金分紅的金額 300,777,168.85 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 99/268 合計分紅金額(含稅)486,857,407.45 合計分紅金額占合并報表中歸屬于上市公司普通股股東的凈利潤的比率(%)30.13 (五五)最近三個會計年度現金分紅情況最近三個會計年度現金分紅情況 適用 不適用 單位
243、:元 幣種:人民幣 最近一個會計年度合并報表中歸屬于上市公司普通股股東的凈利潤 1,615,675,746.81 最近一個會計年度母公司報表年度末未分配利潤 3,427,404,325.08 最近三個會計年度累計現金分紅金額(含稅)(1)495,113,037.20 最近三個會計年度累計回購并注銷金額(2)0 最近三個會計年度現金分紅和回購并注銷累計金額(3)=(1)+(2)495,113,037.20 最近三個會計年度年均凈利潤金額(4)1,522,062,974.56 最近三個會計年度現金分紅比例(%)(5)=(3)/(4)32.53 最近三個會計年度累計研發投入金額 4,643,287,
244、310.70 最近三個會計年度累計研發投入占累計營業收入比例(%)23.14 十三、十三、公司股權激勵計劃、員工持股計劃或其他員工激勵措施的情況及其影響公司股權激勵計劃、員工持股計劃或其他員工激勵措施的情況及其影響(一一)股權激勵總體情況股權激勵總體情況 適用 不適用 1.1.報告期內股權激勵計劃方案報告期內股權激勵計劃方案 單位:元 幣種:人民幣 計劃名稱 激勵方式 標的股票數量 標的股票數量占比(%)激勵對象人數 激勵對象人數占比(%)授予標的股票價格 2020 年限制性股票激勵計劃 第二類限制性股票 7,739,890 1.26 888 84.73 150 2020 年股票增值權激勵計劃
245、 其他 546,800 0.09 6 0.57 150 2022 年限制性股票激勵計劃 第二類限制性股票 4,000,000 0.649 1,104 99.37 50 2023 年限制性股票激勵計劃 第二類限制性股票 5,500,000 0.89 1,390 99.43 50 2024 年限制性股票激勵計劃 第二類限制性股票 8,800,000 1.42 1,798 99.72 76.10 注:激勵對象人數為當期股權激勵首次授予與預留授予人數的合計數。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 100/268 2.2.報告期內股權激勵實施進展報告期內股權激勵實施進展 適用 不適用
246、 單位:股 計劃名稱 年初已授予股權激勵數量 報告期新授予股權激勵數量 報告期內可歸屬/行權/解鎖數量 報告期內已歸屬/行權/解鎖數量 授予價格/行權價格(元)期末已獲授予股權激勵數量 期末已獲歸屬/行權/解鎖股份數量 2020 年限制性股票激勵計劃 7,739,890 0 1,448,626 1,057,136 150 7,739,890 4,418,244 2020 年股票增值權激勵計劃 546,800 0 136,700 136,700 150 546,800 546,800 2022 年限制性股票激勵計劃 4,000,000 0 885,114 807,395 50 4,000,000
247、 1,634,808 2023 年限制性股票激勵計劃 5,500,000 1,321,396 1,218,682 50 5,500,000 1,218,682 2024 年限制性股票激勵計劃 0 8,800,000 0 0 76.1 8,800,000 0 3.3.報告期內股權激勵考核指標完成情況及確認的股份支付費用報告期內股權激勵考核指標完成情況及確認的股份支付費用 適用 不適用 單位:元 幣種:人民幣 計劃名稱 報告期內公司層面考核指標完成情況 報告期確認的股份支付費用 2020 年限制性股票激勵計劃 已達到目標值 17,039,853.03 2020 年股票增值權激勵計劃 已達到目標值-
248、2,058,010.71 2022 年限制性股票激勵計劃 已達到目標值 37,536,884.16 2023 年限制性股票激勵計劃 已達到目標值 207,409,320.57 2024 年限制性股票激勵計劃 已達到目標值 198,804,561.61 合計/458,732,608.66 (二二)相關激勵事項已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的相關激勵事項已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的 適用 不適用 事項概述 查詢索引 2024 年 3 月 27 日,公司召開第二屆董事會第二十一次會議,會議審議通過了關于公司及其摘要的議案關于公司的議案以及關于提請股東大會授權董事會辦理股權激勵相關
249、事宜的議案等議案。同日,公司召開第二屆監事會第十八次會議,審議通過了關于公司及其摘要的議案關于公司的議案關于核實公司的議案等議案,公司監事會對本激勵計劃的相關事項進行核實并出具了相關核查意見。2024 年 3 月 27 日,公司召開第二屆董事會第二十一次會議和第二屆監事會第十八次會議,審議通過了關于作廢處理 2022 年限制性股票激勵計劃部分限制性股票的議案、關于公司 2022 年限制性股票激勵計劃第二個歸屬期符合歸屬條件的議案。監事會對前述事項進行核實并發表了核查意見。詳見 2024 年 3 月 28 日在中國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站()上刊登的公告。2024 年 4
250、 月 26 日,公司召開第二屆董事會第二十三次會議與第二屆監事會第二十次會議,審議通過了關于調整公司 2024 年限制性股票激勵計劃相關事項的議案關于向激勵對象首次授予限制性股票的議案。監事會對前述事項進行核實并發表了核查意見。詳見 2024 年 4 月 27 日在中國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站()上刊登的公告。2024 年 6 月 12 日,公司召開第二屆董事會第二十四次會議和第二屆監事會第二十一次會議,審議通過了關于調整公司 2020 年、2022 年、2023 年及 2024 年限制性股票激勵計劃相關事項的議案關于作廢處理 2023 年限制性股票激勵計劃部分限制性股
251、票的議案關于公司 2023年限制性股票激勵計劃第一個歸屬期符合歸屬條件的議案。監事會對前述事項進行核實并發表了核查意見。詳見 2024 年 6 月 13 日在中國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站()上刊登的公告。2024 年 8 月 22 日,公司召開第二屆董事會第二十五次會議、第二屆監事會第二十二次會議,審議通過了關于調整公司 2020 年股票增值權激勵計劃行權價格的議案關于公司 2020 年股票增值權激勵計劃第四個行權期符合行權條件的議案。詳見 2024 年 8 月 23 日在中國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站()上刊登的公告。2024 年 8 月 22
252、日,公司召開第二屆董事會第二十五次會議、第二屆監事會第二十二次會議,審議通過了關于作廢處理 2020 年限制性股票激勵計劃部分限制性股票的議案關于公司 2020 年限制性股票激勵計劃首次授予部分第四個歸屬期符合歸屬條件的議案。詳見 2024 年 8 月 23 日在中國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站()上刊登的公告。2024 年 10 月 29 日,公司召開第二屆董事會第二十六次會議、第二屆監事會第二十三次會議,審議通過了關于作廢處理部分限制性股票的議案關于公司 2020 年限制性股票激勵計劃預留授予部分第四個歸屬期符合歸屬條件的議案。詳見 2024 年 10 月 30 日在中
253、國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站()上刊登的公告。其他說明 適用 不適用 員工持股計劃情況 適用 不適用 其他激勵措施 適用 不適用 (三三)董事、高級管理人員和核心技術人員報告期內被授予的股權激勵情況董事、高級管理人員和核心技術人員報告期內被授予的股權激勵情況 1.1.股票期權股票期權 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 102/268 2.2.第一類第一類限制性股票限制性股票 適用 不適用 3.3.第二類第二類限制性股票限制性股票 適用 不適用 單位:股 姓名 職務 年初已獲授予限制性股票數量 報告期新授予限制性股票數量 限制性股票的授
254、予價格(元)報告期內可歸屬數量 報告期內已歸屬數量 期末已獲授予限制性股票數量 報告期末市價(元)尹志堯 董事長、總經理、核心技術人員 211,820 185,000 76.1 52,955-396,820 189.16 陶珩 董事、核心技術人員 94,299 73,700 76.1 23,575-167,999 189.16 叢海 董事、核心技術人員 69,232 73,700 76.1 17,307-142,932 189.16 靳巨 副總經理-100,000 76.1-100,000 189.16 陳偉文 副總經理、財務負責人 83,900 73,700 76.1 20,975-157,
255、600 189.16 何奕 副總經理-120,000 76.1-120,000 189.16 姜銀鑫 副總經理 79,486 36,898 76.1 19,873 19,873 116,384 189.16 姜勇 核心技術人員 55,163 28,700 76.1 13,791 13,791 83,863 189.16 陳煌琳 核心技術人員 61,739 28,700 76.1 15,434 9,643 90,439 189.16 劉志強 核心技術人員 61,504 28,700 76.1 15,377 15,377 90,204 189.16 何偉業 核心技術人員 24,261 28,700
256、 76.1 6,064 6,064 52,961 189.16 張凱 核心技術人員 55,884 26,985 76.1 13,971 11,917 82,869 189.16 合計/797,288 804,783/199,322 76,665 1,602,071/(四四)報告期內對高級管理人員的考評機制,以及激勵機制的建立、實施情況報告期內對高級管理人員的考評機制,以及激勵機制的建立、實施情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 103/268 公司制定了高級管理人員的業績考核體系與業績考核指標,由薪酬與考核委員會負責落實。公司制定了較為完善的考評機制,根
257、據年度經營責任考核相關管理辦法,通過多種立體指標體系來進行考核獎懲,調動高級管理人員的工作積極性和能動性,有效提升公司治理水平。十四、十四、報告期內的內部控制制度建設及實施情況報告期內的內部控制制度建設及實施情況 適用 不適用 內容詳見公司于 2025 年 4 月 18 日在上交所網站披露的中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年度內部控制評價報告。報告期內部控制存在重大缺陷情況的說明 適用 不適用 十五、十五、報告期內對子公司的管理控制情況報告期內對子公司的管理控制情況 適用 不適用 公司所屬子公司一直堅持穩健經營的原則,嚴格按照中華人民共和國公司法中華人民共和國證券法等法規和條例以
258、及公司章程,規范經營行為,加強內部管理。公司已建立子公司管理制度,通過經營管理、人事和薪酬管理、財務管理、重大事項報告和審議、審計和監督等多方面,對子公司進行管理和約束,以此保護公司和各投資人的合法權益,確保各子公司規范、有序、健康發展。十六、十六、內部控制審計報告的相關情況說明內部控制審計報告的相關情況說明 適用 不適用 內容詳見公司于 2025 年 4 月 18 日在上交所網站披露的中微半導體設備(上海)股份有限公司內部控制審計報告 是否披露內部控制審計報告:是 內部控制審計報告意見類型:標準的無保留意見 十七、十七、上市公司治理專項行動自查問題整改情況上市公司治理專項行動自查問題整改情況
259、 為貫徹落實國務院關于進一步提高上市公司質量的意見精神,按照中國證監會關于開展上市公司治理專項行動的公告要求,公司對照上市公司治理專項自查清單,深入開展了專項自查工作,認真梳理查找存在的問題,總結公司治理經驗,完成了專項自查工作。經自查,公司不存在重大缺陷或重要缺陷。十八、十八、其他其他 適用 不適用 第五節第五節 環境、社會責任和其他公司治理環境、社會責任和其他公司治理 一、一、董事會有關董事會有關 ESG 情況情況的聲明的聲明 中微公司在為客戶和市場提供高科技產品和服務的同時,追求在環境保護、社會責任、公司治理等領域成為國際領先企業,立足中微七個 ESG 要素的管理,推動經濟和社會可持續發
260、展,讓人類的生活因中微而更加美好。中微公司高度重視 ESG 管理工作,在董事會層面專門設立了“ESG委員會”,并建立了覆蓋“決策層-管理層-執行層”的三級 ESG 管理架構,有條不紊地推進公司 ESG工作,提高公司 ESG 管理效率,打造中微 ESG 品牌形象。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 104/268 二、二、環境環境信息信息情況情況 是否建立環境保護相關機制 是 報告期內投入環保資金(單位:萬元)5,523.17 (一一)是否是否屬于屬于環境環境保護部門公布的重點排污單位保護部門公布的重點排污單位 是 否 公司不屬于環境保護部門公布的重點排污單位。(二二)報告
261、期內因環境問題受到行政處罰的情況報告期內因環境問題受到行政處罰的情況 無 (三三)資源能耗及排放物信息資源能耗及排放物信息 適用 不適用 公司在研發和生產過程中使用的主要能源包括電力、天然氣等。研發和制造過程中產生的廢水、廢氣經過對應的環保設施處理后達標排放,產生的危險廢棄物經收集后委托有資質的第三方合規處置,一般工業固廢交由有資質的第三方循環利用及合規處置。1 1、溫室氣體排放溫室氣體排放情況情況 適用 不適用 溫室氣體排放總量(范疇一和范疇二)合計 31,621 噸。2 2、能源資源消耗情況能源資源消耗情況 適用 不適用 公司消耗的能源以電力、天然氣為主,其中 2024 年天然氣使用約 2
262、9 萬 m,外購電力約 7,021萬 kWh,新鮮水消耗量約 39.98 萬噸。3 3、廢棄物與污染物排放情況廢棄物與污染物排放情況 適用 不適用 2024 年中微公司產生的一般工業固廢 1,175.05 噸,危險廢棄物產生量 25.01 噸,均已委托有相關處置資質的第三方合規處置。2024 年中微公司各類污染物排放濃度和總量滿足排污許可證相關要求,并已在全國排污許可證管理信息平臺向屬地生態環境部門提交了 2024 年度執行報告。4 4、公司環保管理制度等情況公司環保管理制度等情況 適用 不適用 中微公司深入踐行“五個十大”企業文化,建設有完善的環境管理體系,制定了各類與生態環境相關的體系文件
263、進行內部的環境管理,嚴格遵守國家和地區與環保相關的法律法規,同時公司定期組織開展相關法律法規的學習和研討,為實現中微公司“碳中和”不懈努力。(四四)在報告期內為減少其碳排放所采取的措施及效果在報告期內為減少其碳排放所采取的措施及效果 是否采取減碳措施 是 減少排放二氧化碳當量(單位:噸)308 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 105/268 減碳措施類型(如使用清潔能源發電、在生產過程中使用減碳技術、研發生產助于減碳的新產品等)開展節能技改,降低運營能耗。具體說明 適用 不適用 (五五)碳減排方面的新技術、新產品、新服務情況碳減排方面的新技術、新產品、新服務情況 適用
264、 不適用 1、刻蝕設備、刻蝕設備 極高深寬比刻蝕能力:在先進的存儲芯片上,需要在氧化硅和氮化硅的疊層結構上,刻蝕40:1 到 60:1 甚至更高的深孔或溝槽。中微的高端刻蝕機能滿足該工藝嚴苛的刻蝕要求,提高刻蝕速率和生產能力,降低單片晶圓的制造成本,幫助客戶實現高密度存儲芯片的制造需求,有效減少芯片使用過程中的能耗。雙臺機刻蝕性能的持續提升:在多款 CCP 和 ICP 的雙反應臺刻蝕設備基礎上,公司持續技術創新,進一步提升單片晶圓的片內刻蝕性能,以減小兩個反應臺間的刻蝕差異到亞埃級,從而進一步延伸雙臺機的可適用工藝種類,降低該工藝的制造成本。2、MOCVD 設備設備 MOCVD 加熱效率革新:
265、新開發的 MOCVD 產品采用感應加熱系統,通過持續迭代優化,加熱效率提升超 5%,在加熱效率、系統穩定性、抗干擾性等方面達到國際領先水平。Micro-LED 設備環保升級:持續推進面向 Micro-LED 應用的 MOCVD 設備開發,通過數字模擬仿真,優化設備進氣系統與外延生長工藝,大幅減少 III 族氮化物外延預反應,使得有機金屬使用效率提升超 10%,顯著降低原材料浪費與副產物排放。碳化硅外延技術突破:針對碳化硅晶圓生產工藝復雜、良品率低這一棘手難題,通過開展仿真研究、精準把控熱場參數以及對石墨加熱材料進行反復測試等一系列舉措,實現了優良的工藝結果,助力新能源汽車、風能光伏儲能、軌道交
266、通等綠色產業發展。3、環保設備、環保設備 子公司中微惠創立足于行業發展需求,開發了工業用大型 VOC 凈化設備、Local Scrubber 有毒有害氣體處理設備等環保設備,被廣泛應用于國內集成電路、面板顯示等行業生產制造過程中產生的廢氣,以改善潔凈室的工作環境,滿足政府部門對高新技術行業嚴格的氣體排放標準,助力行業健康高質量發展。更多內容請參見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的2024 年度環境保護、社會責任及公司治理報告。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 106/268 (六六)有利于保護生態、防治污染、履行環境責任的相關信息有利于
267、保護生態、防治污染、履行環境責任的相關信息 適用 不適用 1、中微公司在日常運營中,嚴格按照國家和地區相關環境保護法律法規、標準、規范等要求,結合公司的環境管理體系,進行日常管理。通過變更管理和產排污環節清單定期更新等手段,及時發現制造和研發活動過程中與環境相關的因素,從源頭落實污染防治措施,減少或消除污染物的排放。2、公司在充分梳理現有碳排放情況的基礎上,結合公司未來發展規劃,明確了到 2035 年實現自身運營碳中和,積極推進應對氣候變化的治理行動。公司在南昌、上海金橋和臨港等生產研發基地均實現了綠電消納,2024 年集團層面綠電消費比例約 24%。3、在產品開發過程中,深入踐行中微“五個十
268、大”中為設備安全性和環境保護而開發的原則。對技改和新建項目,充分落實項目的水土保持、環境影響評價、節能評估等程序要求,保護地區生態環境,有效的進行污染防治,履行應盡的節能減排主體責任。4、中微公司積極加入責任商業聯盟(Responsible Business Alliance,RBA)、半導體氣候聯盟(Semiconductor Climate Consortium,SCC)、國際半導體產業協會 EHSS 專委會(SEMI EHSS)等行業協會和組織,本著公開透明、團結協作的精神就氣候變化、環境可持續發展、節能減排、社會責任等共同關心的話題與同行進行深入和廣泛的合作,促進行業可持續發展。5、中
269、微公司自 2022 年起積極參與美國環保協會(Environmental Defense Fund,EDF)的“氣候拓新者(Climate Corps)”項目,與 EDF 共同幫助青年大學生開啟在節能環保領域的職業鍛煉,與 EDF 共同助力社會可持續發展。6、環境保護目標的實現離不開中微全體員工的努力,中微公司通過持續的內外部宣傳、定期開展員工培訓等方式,不斷強化員工的環保意識,營造全員節能減排的氛圍,切實履行企業應盡的社會責任。通過中水回用、包裝材料回收利用等方式實現資源高效利用,減污降碳,踐行可持續發展理念。更多內容請參見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的
270、2024 年度環境保護、社會責任及公司治理報告。(七七)應對全球氣候變化所采取的措施及效果應對全球氣候變化所采取的措施及效果 適用 不適用 1、明確碳中和目標。公司在充分梳理現有碳排放情況的基礎上,結合公司未來發展規劃,明確了到 2035 年實現自身運營碳中和,積極推進應對氣候變化的治理行動。2、深化溫室氣體排放核算。在核算范圍一和范圍二溫室氣體排放基礎上,2024 年進一步完成范圍三部分類別的溫室氣體排放核算。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 107/268 3、提升綠電消耗比例。公司在南昌、上海金橋和臨港等生產研發基地均通過簽署可再生電力采購協議實現了綠電供應,臨港
271、產業化基地屋頂光伏項目順利并網運行,2024 年集團層面綠電消耗比例約 24%。4、推進節能技改項目實施。在主要生產研發基地實施能源審計及節能減碳專項技改行動,有效識別并開展了照明系統優化、空壓系統優化、余熱回收利用等節能減排措施。5、強化宣傳培訓。積極開展不同形式的節能減碳宣傳培訓,提升全員節能減排意識。2024年編制并發布首版應對氣候變化行動手冊,為員工提供了一份全面的節能低碳行動指南。三、三、社會責任工作社會責任工作情況情況(一一)主營業務主營業務社會貢獻社會貢獻與與行業關鍵指標行業關鍵指標 公司生產的刻蝕設備是制造各種電子設備微觀器件的關鍵設備,為信息化產業的發展奠定了基礎;MOCVD
272、 設備是用于制備化合物半導體材料的關鍵設備,這些材料所構成的器件被廣泛應用于 LED 固態照明、顯示、功率器件等主流高效節能終端產品,為全社會節能降耗貢獻中微力量。這些設備制造的集成電路和微觀器件帶動了數碼時代的發展,從而在根本上改變了人們的生產方式和生活方式。我們希望通過公司的努力,為改善人類生產生活方式,提升人們的生活質量做出積極貢獻。具體請參見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的2024 年度環境保護、社會責任及公司治理報告。(二二)推動科技創新情況推動科技創新情況 持續不斷地研發創新是中微公司發展壯大的根基。中微公司構建了一套全方位、綜合化的創新保障體系
273、,覆蓋產品開發流程、項目組織管理、經費管理以及人才激勵等環節,持續激發員工的創新活力。具體請參見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的2024 年度環境保護、社會責任及公司治理報告。(三三)遵守科技倫理情況遵守科技倫理情況 公司高度關注科技倫理,確保 AI 技術合法合規、安全可靠地使用,平衡技術創新與風險,為企業和行業的可持續發展筑牢根基。具體請參見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的2024 年度環境保護、社會責任及公司治理報告。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 108/268 (四四)數據安全與隱私保護情
274、況數據安全與隱私保護情況 中微公司高度重視客戶信息的安全保護和商業秘密保護,針對不同客戶的機密信息和商業秘密采取隔離管理、分級管理和權限管理。公司要求員工接觸客戶的機密信息和商業秘密,應當基于“實際工作需要和必須知曉”的原則(“最小化接觸原則”)。公司制定了中微半導體設備信息安全指導原則中微半導體設備信息安全策略等制度文件,從數據的采集、傳輸、存儲、處理、交換、歸檔、銷毀等階段對數據的重要性程度進行了規定,并形成了針對可接受信息、VPN訪問、密碼管理、防病毒、電子郵件、遠程訪問、無線通訊、路由器和交換機安全等信息安全保護重點領域的保護策略,確保在與客戶合作交流、產品研發、產品生產制造和服務交付
275、過程中不會泄露客戶關鍵信息。2024 年,公司順利完成 ISO 27001(信息安全管理體系)認證審核,有助于公司的業務發展,保護公司信息和資產的安全。(五五)從事公益慈善活動的類型及貢獻從事公益慈善活動的類型及貢獻 類型類型 數量數量 情況情況說明說明 對外捐贈 其中:資金(萬元)物資折款(萬元)公益項目 其中:資金(萬元)207.9 關愛特困老人公益項目 救助人數(人)130 關愛特困老人公益項目 鄉村振興 其中:資金(萬元)物資折款(萬元)幫助就業人數(人)1.1.從事公益從事公益慈善活動的具體情況慈善活動的具體情況 適用 不適用 2024 年,公司從事的公益活動包括“關愛浦東特困老人公
276、益項目”等相關活動,具體請參見公司于詳見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的2024年度環境保護、社會責任及公司治理報告。2.2.鞏固拓展脫貧攻堅成果、鄉村振興等工作具體情況鞏固拓展脫貧攻堅成果、鄉村振興等工作具體情況 適用 不適用 具體說明 適用 不適用 (六六)股東和債權人權益保護情況股東和債權人權益保護情況 報告期內,公司按照公司法證券法上市公司股東大會規則上海證券交易所科創板股票上市規則等法律法規要求,建立了較為完善的公司內控制度和公司治理結構,持續強中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 109/268 化法律法規政策落實、風險管理和
277、內部控制,嚴格貫徹執行相關制度,切實保障股東和債權人的各項合法權益。公司嚴格履行信息披露義務,通過公告、投資者交流會、業績說明會等多渠道,做到信息披露的真實、準確、及時、完整,使得股東和債權人平等的獲取信息。(七七)職工權益保護情況職工權益保護情況 公司制定了包括招聘、培訓、考核、獎懲等在內的用工制度和人事管理制度,依法與員工簽訂勞動合同,為員工提供基本養老保險、醫療保險、公積金等福利。公司關注員工的發展,提供宿舍、接送班車、工作餐、健康體檢、節日福利等各項福利。公司建立人才梯隊培養機制,采用企業內訓、外聘內訓和委外培訓相結合的方式,開展多維度、多層次的培訓項目,讓員工與企業共同進步,共同成長
278、。為吸引和保留核心骨干人才,公司不斷探索員工激勵機制,促進公司長遠發展。員工持股員工持股情況情況 員工持股人數(人)-員工持股人數占公司員工總數比例(%)-員工持股數量(萬股)-員工持股數量占總股本比例(%)-(八八)供應商、客戶和消費者權益保護情況供應商、客戶和消費者權益保護情況 公司建立了供應商評價管理體系,與主要零部件供應商保持良好的合作關系。公司保障供應商的合法權益,保證采購款項的按計劃支付,保持與供應商溝通的及時性、有效性,不斷深化交流合作。堅持以客戶為中心,樹立客戶至上的服務理念,努力提高產品質量與服務質量,為客戶提供設備和技術解決方案。(九九)產品安全保障情況產品安全保障情況 公
279、司本著安全第一、全員參與的原則,將安全生產目標落實到各部門及個人的年度績效考核中,形成全員參與的安全、環保、健康管理體系。公司積極開展各項安全培訓,包括全員的崗前三級安全教育、針對特殊性崗位的安全培訓課程、外來承包商人員安全培訓和告知等,提升員工安全意識。公司通過了 ISO45001 職業健康安全管理體系、ISO14001 環境管理體系和安全生產標準化二級認證。公司通過隱患排查、日常巡檢、各項綜合檢查等方式,對公司運營中存在的隱患進行排查并及時改善。公司通過實施安全管理措施,降低運營風險,保障員工的身體健康和安全,為公司的正常運營和發展打下堅實的基礎。中微半導體設備(上海)股份有限公司 202
280、4 年年度報告 110/268 (一一)知識產權保護情況知識產權保護情況 中微公司作為一家半導體設備領域的跨國高科技創新公司,知識產權的保護、管理和運用在激勵和保護創新、公司運營和保駕公司發展壯大的過程中扮演了非常關鍵和重要的角色。除了做好自我知識產權保護之外,公司秉承“遵循誠信原則及商業道德,尊重包括客戶、供應商和競爭對手在內的任何第三方的知識產權”的原則,做好相關利益方的知識產權保護,致力于構建公平、規范的良性商業競爭環境。公司鼓勵員工積極申請包括專利、商標、著作權等在內的各種知識產權。為了激勵員工積極地發明創新和提高申請的知識產權質量,公司分別在專利的申請階段和授權階段均給予專利發明人獎
281、勵;公司每年進行“中微優秀專利獎”評選,并對獲獎專利的發明人給予獎勵。(十十)在承擔社會責任方面的其他情況在承擔社會責任方面的其他情況 適用 不適用 公司積極加強與政府、行業協會、監管機構以及媒體的溝通與聯系,建立暢通的溝通渠道,并主動接受監管和檢查,持續提升公司社會責任履行的透明度,在推進公司經營發展的同時,注重企業的社會價值實現,構建和諧、友善的公共關系。四、四、其他公司治其他公司治理情況理情況(一一)黨建黨建情況情況 適用 不適用 公司設立黨支部,上級黨委為中共上海金橋經濟技術開發區綜合委員會。2024 年內,在黨支部全體黨員共同努力下,各項工作有序開展,有效進一步加強了基層黨建工作。公
282、司黨支部組織黨員加強理論與實踐學習,努力把思想政治工作和公司發展建設工作緊密結合起來,強化各黨員的責任感、使命感及緊迫感,更好地為公司、社會、國家作出應有的貢獻。(二二)投資者關系及保護投資者關系及保護 類型類型 次數次數 相關情況相關情況 召開業績說明會 4 為加強與投資者的溝通,公司召開了 2023 年年度業績說明會、2024 年一季報業績說明會、2024年半年度業績說明會和 2024 年三季報業績說明會,就公司定期報告業績與經營情況與投資者進行了交流。借助新媒體開展投資者關系管理活動 60 公司通過微信公眾號、視頻號等平臺發布公司產品情況、公司活動、定期報告一圖讀懂、公司聲明等公司信息。
283、官網設置投資者關系專欄 是 否 具體情況請見公司官網:https:/www.amec- 2024 年年度報告 111/268 開展投資者關系管理及保護的具體情況 適用 不適用 公司嚴格遵守法律法規和監管機構規定,嚴格執行公司信息披露管理制度,真實、準確、完整、及時、公平地履行信息披露義務,通過上市公司公告、投資者交流會、業績說明會、上證 e互動、電話、郵件等諸多渠道與投資者保持密切溝通,保持公司營運透明度。其他方式與投資者溝通交流情況說明 適用 不適用 (三三)信息披露透明度信息披露透明度 適用 不適用 公司嚴格按照證券法上海證券交易所科創板股票上市規則上市公司信息披露管理辦法等法律法規、規范
284、性文件以及公司章程信息披露管理制度信息披露暫緩與豁免事務管理制度等內部制度,真實、準確、完整、及時、公平地披露有關信息,保障投資者的知情權。公司設置董事會秘書作為信息披露代表,投資者可以通過信息披露報紙上海證券報中國證券報證券時報和證券日報、上海證券交易所網站()等途徑便捷獲取信息。(四四)機構投資者參與公司治理情況機構投資者參與公司治理情況 適用 不適用 1、機構股東概況 公司股權結構比較分散,無控股股東和實際控制人,機構股東類型包括公募基金、私募基金、證券、保險機構、QFII 等,機構投資者類型多元。2、機構投資者參與公司治理的制度基礎 公司依據公司法證券法上海證券交易所科創板股票上市規則
285、上海證券交易所科創板上市公司自律監管指引 1 號規范運作 等相關法律、法規和規范性文件要求,制定 公司章程,建立了由股東大會、董事會、監事會和高級管理人員組成的公司治理架構,形成了權力機構、決策機構、監督機構和管理層之間權責明確、運作規范的相互協調和相互制衡機制。3、機構投資者參與公司治理的方式和途徑 基于公司當前的治理體系,機構股東可根據入股時間及持股比例等具體情況,通過以下多種途徑參與公司治理,包括但不限于:(1)推薦董事、監事人選,參與董事會、監事會日常運作,參與或監督公司日常經營事項;(2)行使表決權、質詢權、建議權、臨時提案權等相關股東權利,參與重大事項決策。(五五)反商業賄賂及反貪
286、污機制運行情況反商業賄賂及反貪污機制運行情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 112/268 在中微全球商業行為與道德規范中,中微公司強調,反貪污、反腐敗、道德合規應反映在各個方面,不僅對中微員工自身有要求,對中微公司客戶和供應商亦應有所要求。公司定期開展針對所有運營場所的商業行為和道德規范的評估工作,確保相關活動符合公司及法規要求。2024年,中微公司未發生董事、管理層人員、員工商業賄賂或貪污行為的訴訟案件,未發生因腐敗行為終止或拒絕續簽商業合作伙伴合同的情況。具體請參見公司于 2025 年 4 月 18 日在上海證券交易所網站()披露的 2024年度
287、環境保護、社會責任及公司治理報告。(六六)其他公司治理情況其他公司治理情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 113/268 第六節第六節 重要事項重要事項 一、一、承諾事項履行情況承諾事項履行情況(一一)公司實際控制人、股東、關聯方、收購人以及公司等承諾相關方在報告期內或持續到報告期內的承諾事項公司實際控制人、股東、關聯方、收購人以及公司等承諾相關方在報告期內或持續到報告期內的承諾事項 適用 不適用 承諾背景 承諾 類型 承諾方 承諾 內容 承諾時間 是否有履行期限 承諾期限 是否及時嚴格履行 如未能及時履行應說明未完成履行的具體原因 如未能及時履行應說
288、明下一步計劃 與首次公開發行相關的承諾 股份限售 上海創投 1、自發行人股票上市之日起 36 個月內,不轉讓或者委托他人管理本企業或本企業的一致行動人(如有)直接或間接持有的首發前股份,也不提議由發行人回購該部分股份;發行人上市后 6 個月內若發行人股票連續 20 個交易日的收盤價低于發行人本次發行上市時的股票發行價,或者上市后 6 個月期末收盤價低于發行人股票發行價,本企業及本企業的一致行動人持有發行人股份的鎖定二零一九年 是 自二零一九年七月二十二日起三十是 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 114/268 期自動延長 6 個月。2、上述限售期滿后
289、2 年內,如本企業擬進行減持的,本企業將按照相關法律、法規、部門規章、規范性文件的規定減持不超過本企業所持有的 30%的發行人股份,減持方式包括但不僅限于集中競價交易、大宗交易、盤后固定價格交易、協議轉讓等,減持價格不低于發行價格(發行價格指發行人首次公開發行股票的發行價格,如果因發行人上市后派發現金紅利、送股、轉增股本等原因進行除權、除息的,則按照上交所的有關規定除權、除息處理),并符合監管規則的規定以及本企業已作出的各項承諾。六個月內;以及鎖定期滿后兩年 股份限售 巽鑫投資 自發行人股票上市之日起 36 個月內,不轉讓或者委托他人管理本企業或本企業的一致行動人(如有)直接或間接持有的首發前
290、股份,也不提議由發行人回購該部分股份。上述限售期滿后 2 年內,如本企業及本企業的一致行動人擬進行減持的,本企業及本企業的一致行動人將按照相關法律、行政法規、部門規章、規范性文件、中國證監會及上交所相關規則的規定,累計減持不超過本企業及本企業的一致行動人合計持有的發行人股份的 100%(若監管規則對減持比例及上限另有規定的,從其規定),減持方式包括但不僅限于集中競價交易、大宗交易、盤后固定價格交易、協議轉讓等,減持價格將根據當時的二級市場價格確定,并符合監管規則的規定以及本企業已作出的各項承諾。二零一九年 是 自二零一九年七月二十二日起三十六個月內;以及鎖定期滿后兩年 是 不適用 不適用 股份
291、限售 南昌智微、中微亞洲、Bootes、Grenade、勵微投資、芃徽投資 自發行人股票上市之日起 36 個月內,本企業不會以任何方式轉讓買賣、委托管理本企業或本企業的一致行動人直接或間接持有的首發前股份,也不提議由公司回購該等股份。除非經發行人事先書面同意,本企業及本企業的一致行動人不會就首發前股份設置擔?;蛞云渌绞綄κ装l前股份進行處置。上述限售期滿后 2 年內,如本企業及本企業的一致行動人擬進行減持的,本企業及本企業的一致行動人將按照相關法律、行政法規、部門規章、規范性文件、中國證監會及上交所相關規則(以下統稱“監管規則”)的規定,累計減持不超過本企業及本企業的一致行動人合計持有的發行人
292、股份的 100%(若監管規則對減持比例及上限另有規定的,從其規定),減持方式包括但不僅限于集中競價交易、大宗交易、盤后固定價格交易、協議轉讓等,減持價格將根據當時的二級市場價格確定,并符合監管規則的規定以及本企業已作出的各項承諾。二零一九年 是 自二零一九年七月二十二日起三十六個月內;以及鎖定期滿后兩年 是 不適用 不適用 股份尹志堯、杜志游、倪圖強 在本人擔任發行人董事或高級管理人員期間,每年直接或間接轉讓的發行人股份不超過本人直接及間接持有的發行人股份總數的 25%。若本人不再擔任發行人董事或高級管理人員,則自不再擔任上述職位之日起半年內,本人將不轉讓二零一是 本人擔任中微公司董是 不適用
293、 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 115/268 限售 本人直接或間接持有的發行人股份。自本人直接或間接持有的首發前股份限售期滿之日起 4 年內,每年轉讓的首發前股份不得超過上市時直接或間接持有發行人首發前股份總數的 25%,減持比例將累積使用。九年 事或高級管理人員期間;本人不再擔任中微公司董事或高級管理人員職位之日起半年內;以及鎖定期滿后四年 股份限售 陳偉文、劉曉宇、王志軍 在本人擔任發行人董事、監事或高級管理人員期間,每年直接或間接轉讓的發行人股份不超過本人直接及間接持有的發行人股份總數的 25%。若本人不再擔任發行人董事、監事或高級管理人員,則自不再
294、擔任上述職位之日起半年內,本人將不轉讓本人直接或間接持有的發行人股份。二零一九年 是 本人擔任中微公司董事、監事或高級管理人員期間;本人不再擔任中微公司董事、監事或高級管理人員是 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 116/268 職位之日起半年內 股份限售 麥仕義、楊偉、李天笑、吳乾英 離職后 6 個月內不得轉讓直接或間接持有的首發前股份;自本人直接或間接持有的首發前股份限售期滿之日起 4 年內,每年轉讓的首發前股份不得超過上市時直接或間接持有發行人首發前股份總數的 25%,減持比例將累積使用。二零一九年 是 離職后六個月內;以及鎖定期滿后四年 是 不適
295、用 不適用 其他 公司 一、發行人不存在不符合發行上市條件而以欺騙手段騙取發行注冊的情形。二、若因發行人本次發行上市的招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,導致對判斷發行人是否符合法律規定的發行條件構成重大、實質影響的,發行人將在中國證監會或人民法院等有權部門作出發行人存在上述違法事實的最終認定或生效判決后五個工作日內啟動股份購回程序,根據科創板上市公司持續監管辦法(試行)、上海證券交易所科創板股票上市規則等相關法律、法規及中微半導體(上海)股份有限公司章程(以下簡稱“公司章程”)規定召開董事會、擬定股份回購的具體方案并按法定程序召集、召開臨時股東大會進行審議,并報相關主管部門批準或備
296、案;發行人將依法回購本次公開發行的全部新股,回購價格將按照發行價(若發行人股票在此期間發生派息、送股、資本公積金轉贈股本等除權除息事項的,發行價應相應調整)加算銀行同期存款利息確定,并根據相關法律、法規及公司章程等規定的程序實施。在實施上述股份回購時,如相關法律、法規及公司章程等另有規定的,從其規定。二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 其他 上海創投 一、發行人不存在不符合發行上市條件而以欺騙手段騙取發行注冊的情形。二、若因發行人本次發行上市的招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,導致對判斷發行人是否符合法律規定的發行條件構成重大、實質影響的,本企業將督促發行人在中國證監會或
297、人民法院等有權部門作出發行人存在上述違法事實的最終認定或生效判決后五個工作日內啟動股份購回程序,根據科創板上市公司持續監管辦法(試行)、上海證券交易所科創板股票上市規則等相關法律、法規及中微半導體(上海)股份有限公司章程(以下簡稱“公司章程”)規定召開董事會、擬定股份回購的具體方案并按法定二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 117/268 程序召集、召開臨時股東大會進行審議,并報相關主管部門批準或備案;督促發行人依法回購本次公開發行的全部新股,回購價格將按照發行價(若發行人股票在此期間發生派息、送股、資本公積金轉贈股本等除權除
298、息事項的,發行價應相應調整)加算銀行同期存款利息確定,并根據相關法律、法規及公司章程等規定的程序實施。同時,本企業將根據上述股份回購措施的規定,依法購回發行人上市后本企業減持的原限售股份,回購價格為市場價格或經證券監督管理部門認可的其他價格。在實施上述股份回購時,如相關法律、法規及公司章程等另有規定的,從其規定。其他 董事、監事及高級管理人員 一、發行人不存在不符合發行上市條件而以欺騙手段騙取發行注冊的情形。二、若因發行人本次發行上市的招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,導致對判斷發行人是否符合法律規定的發行條件構成重大、實質影響的,如經中國證監會或人民法院等有權部門作出發行人構成欺
299、詐發行或重大信息披露違法的最終認定或生效判決且本人對該等違法負有個人責任的,本人將在該等認定或判決作出后五個工作日內按照科創板上市公司持續監管辦法(試行)、上海證券交易所科創板股票上市規則的規定及中國證監會等有權部門的決定采取補救措施,承擔相應的法律責任。二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 其他 公司 1、積極實施募集資金投資項目,進一步加強研發投入,盡快獲得預期投資回報;2、大力拓展現有業務,開拓新市場和新領域;3、加強募集資金管理;4、加強經營管理和內部控制,降低發行人運營成本,提升經營效率;5、優化投資回報機制。二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 其他 公司、全體董事
300、、監事、高級管理人員 若因發行人本次發行上市的招股說明書有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,致使投資者在證券交易中遭受損失的,發行人將在中國證監會等有權部門對違法事實作出最終認定后依法賠償投資者損失。二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 其他 上海創投 公司的招股說明書及其他信息披露資料有虛假記載、誤導性陳述或者重大遺漏,致使投資者在證券發行和交易中遭受損失的,將依法賠償投資者損失。二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 118/268 其他 公司及全體股東、全體董事、監事、高級管理人員、核心技術人員(一)如發行人/本企業
301、/本人非因不可抗力原因導致未能履行公開承諾事項的,需提出新的承諾(相關承諾需按法律、法規、公司章程的規定履行相關審批程序)并接受如下約束措施,直至新的承諾履行完畢或相應補救措施實施完畢:1、發行人/本企業/本人將在股東大會及中國證券監督管理委員會(以下簡稱“中國證監會”)指定報刊上公開說明未履行承諾的具體原因并向股東和社會公眾投資者道歉;2、及時、充分披露相關承諾未能履行、確已無法履行或無法按期履行的具體原因;3、對該等未履行承諾的行為負有個人責任的董事、監事、高級管理人員、核心技術人員調減或停發薪酬或津貼;4、不得轉讓發行人的股份。因繼承、被強制執行、上市公司重組、為履行保護投資者利益承諾等
302、必須轉股的情形除外;5、向投資者提出補充承諾或替代承諾,以盡可能保護投資者的權益;并同意將上述補充承諾或替代承諾提交股東大會審議;6、如違反相關承諾給投資者造成損失的,將依法賠償投資者的損失。如該等已違反的承諾仍可繼續履行,發行人/本企業/本人將繼續履行該等承諾。(二)如發行人/本企業/本人因不可抗力原因導致未能履行公開承諾事項的,需提出新的承諾(相關承諾需按法律、法規、公司章程的規定履行相關審批程序)并接受如下約束措施,直至新的承諾履行完畢或相應補救措施實施完畢:1、在股東大會及中國證監會指定的披露媒體上公開說明未履行的具體原因并向股東和社會公眾投資者道歉;2、盡快研究將投資者利益損失降低到
303、最小的處理方案,盡可能地保護投資者利益。二零一九年 否 長期有效 是 不適用 不適用 與再融資相關的承諾 其他 公司全體董事、高級管理人員(1)承諾不無償或以不公平條件向其他單位或者個人輸送利益,也不采用其他方式損害公司利益。(2)承諾對個人的職務消費行為進行約束。(3)承諾不動用公司資產從事與其履行職責無關的投資、消費活動。(4)承諾由董事會或薪酬委員會制定的薪酬制度與公司填補回報措施的執行情況相掛鉤。(5)承諾擬公布的公司股權激勵(如有)的行權條件與公司填補回報措施的執行情況相掛鉤。(6)本承諾出具日后至公司本次向特定對象發行 A 股股票實施完畢前,若中國證監會作出關于填補回報措施及其承諾
304、的其他新監管規定的,且上述承諾不能滿足中國證監會該等規定時,本人承諾屆時將按照中國證監會的最新規定出具補充承諾。(7)承諾切實履行公司制定的有關填補回報措施以及對此作出的任何有關填補回報措施的承諾,若本人違反該等承諾并給公司或者投資者造成損失的,本人愿意依法承擔對公司或者投資者的補償責任。二零二零年 否 長期有效 是 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 119/268 其他 公司全體董事、監事、高級管理人員、上海創投 公司 2020 年度向特定對象發行 A 股股票募集說明書內容真實、準確、完整,不存在虛假記載、誤導性陳述或重大遺漏,按照誠信原則履行承諾,并
305、承擔相應的法律責任。二零二零年 否 長期有效 是 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 120/268 (二二)公司資產或項目存在盈利預測,且報告期仍處在盈利預測期間,公司就資產或項目公司資產或項目存在盈利預測,且報告期仍處在盈利預測期間,公司就資產或項目 是否達到原盈利預測及其原因作出說明是否達到原盈利預測及其原因作出說明 已達到 未達到 不適用 (三三)業績承諾的完成情況及其對商譽減值測試的影響業績承諾的完成情況及其對商譽減值測試的影響 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 121/268 二、二、報告期內控股股東及其他
306、關聯方非經營性占用資金情況報告期內控股股東及其他關聯方非經營性占用資金情況 適用 不適用 三、三、違規擔保情況違規擔保情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 122/268 四、四、公司董事會對會計師事務所“非標準意見審計報告”的說明公司董事會對會計師事務所“非標準意見審計報告”的說明 適用 不適用 五、五、公司對會計政策、會計估計變更或重大會計差錯更正原因和影響的分析說明公司對會計政策、會計估計變更或重大會計差錯更正原因和影響的分析說明(一)(一)公司對會計政策、會計估計變更原因及影響的分析說明公司對會計政策、會計估計變更原因及影響的分析說明 適用 不適
307、用 財政部分別于 2023 年和 2024 年發布了企業會計準則解釋第 17 號(以下簡稱“解釋 17 號”)和企業會計準則解釋第 18 號(以下簡稱“解釋 18 號”),本集團已采用解釋 17 號和解釋 18 號編制 2024 年度財務報表,除下述影響外,上述解釋對本集團及本公司的財務報表沒有重大影響:(a)保證類產品質保費的列示 本集團執行了解釋 18 號中關于不屬于單項履約義務的保證類質量保證的會計處理規定,將可比期間的相關保證類產品質保費自銷售費用重分類至營業成本,影響金額列示如下:受影響的報表項目名稱 2023 年度 本集團 本公司 銷售費用-126,080,040.30-43,71
308、7,495.51 主營業務成本 126,080,040.30 43,717,495.51 (二)(二)公司對重大會計差錯更正原因及影響的分析說明公司對重大會計差錯更正原因及影響的分析說明 適用 不適用 (三)(三)與前任會計師事務所進行的溝通情況與前任會計師事務所進行的溝通情況 適用 不適用 (四)(四)審批程序及其他說明審批程序及其他說明 適用 不適用 六、六、聘任、解聘會計師事務所情況聘任、解聘會計師事務所情況 單位:萬元 幣種:人民幣 現聘任 境內會計師事務所名稱 普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)境內會計師事務所報酬 330 境內會計師事務所審計年限 20 年 境內會計師事務所注
309、冊會計師姓名 張煒彬、胡玉琢 境內會計師事務所注冊會計師審計服務的累計年限 張煒彬 1 年、胡玉琢 4 年 名稱 報酬 內部控制審計會計師事務所 普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)50 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 123/268 聘任、解聘會計師事務所的情況說明 適用 不適用 2024 年 4 月 17 日,公司召開 2023 年年度股東大會,同意繼續聘任普華永道中天會計師事務所(特殊普通合伙)為公司 2024 年度審計機構。審計期間改聘會計師事務所的情況說明 適用 不適用 審計費用較上一年度下降 20%以上(含 20%)的情況說明 適用 不適用 七、七、面
310、臨退市風險的情況面臨退市風險的情況(一一)導導致致退市風險警示退市風險警示的原因的原因 適用 不適用 (二二)公司擬采取的應對措施公司擬采取的應對措施 適用 不適用 (三三)面臨終止上市的情況和原因面臨終止上市的情況和原因 適用 不適用 八、八、破產重整相關事項破產重整相關事項 適用 不適用 九、九、重大訴訟、仲裁事項重大訴訟、仲裁事項 本年度公司有重大訴訟、仲裁事項 本年度公司無重大訴訟、仲裁事項 十、十、上市公司及其董事、監事、高級管理人員、控股股東、實際控制人涉嫌違法違規、受到處罰上市公司及其董事、監事、高級管理人員、控股股東、實際控制人涉嫌違法違規、受到處罰及整改情況及整改情況 適用
311、不適用 十一、十一、報告期內公司及其控股股東、實際控制人誠信狀況的說明報告期內公司及其控股股東、實際控制人誠信狀況的說明 適用 不適用 十二、十二、重大關聯交易重大關聯交易(一一)與日常經營相關的關聯交易與日常經營相關的關聯交易 1 1、已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項 適用 不適用 事項概述 查詢索引 公司于 2024 年 3 月 18 日召開第二屆董事會第二十次會議,審議通過 關于預計 2024 年年度詳見在中國證券報上海證券報證券日報證券時報和上海交易所網站中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 124/268 日
312、常關聯交易的議案。()上刊登的 中微公司:關于預計 2024 年度日常關聯交易的公告 2 2、已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項 適用 不適用 3 3、臨時公告未披露的事項臨時公告未披露的事項 適用 不適用 (二二)資產或股權收購、出售發生的關聯交易資產或股權收購、出售發生的關聯交易 1 1、已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項 適用 不適用 2 2、已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項 適用 不適用 3 3、臨時公告未披
313、露的事項臨時公告未披露的事項 適用 不適用 4 4、涉及業績約定的,應當披露報告期內的業績實現情況涉及業績約定的,應當披露報告期內的業績實現情況 適用 不適用 (三三)共同對外投資的重大關聯交易共同對外投資的重大關聯交易 1 1、已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項 適用 不適用 2 2、已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項 適用 不適用 3 3、臨時公告未披露的事項臨時公告未披露的事項 適用 不適用 (四四)關聯債權債務往來關聯債權債務往來 1 1、已在臨時公告披露且后續實施無進展
314、或變化的事項已在臨時公告披露且后續實施無進展或變化的事項 適用 不適用 2 2、已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項已在臨時公告披露,但有后續實施的進展或變化的事項 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 125/268 3 3、臨時公告未披露的事項臨時公告未披露的事項 適用 不適用 (五五)公司與存在關聯關系的財務公司、公司控股財務公司與關聯方之間的金融業務公司與存在關聯關系的財務公司、公司控股財務公司與關聯方之間的金融業務 適用 不適用 (六六)其他其他 適用 不適用 十三、十三、重大合同及其履行情況重大合同及其履行情況(一一)托管、承包、租賃事
315、項托管、承包、租賃事項 1 1、托管情況托管情況 適用 不適用 2 2、承包情況承包情況 適用 不適用 3 3、租賃情況租賃情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 126/268 (二二)擔保情況擔保情況 適用 不適用 (三三)委托他人進行現金資產管理的情況委托他人進行現金資產管理的情況 1 1、委托理財情況委托理財情況 (1)(1)委托理財總體情況委托理財總體情況 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 類型 資金來源 發生額 未到期余額 逾期未收回金額 銀行理財產品 閑置募集資金 501,000.00 75,000.00-銀行理財產品 自有資金 27,
316、000.00 8,000.00-其他情況 適用 不適用 (2)(2)單項委托理財情況單項委托理財情況 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 受托人 委托理財類型 委托理財金額 委托理財起始日期 委托理財終止日期 資金 來源 資金 投向 是否存在受限情形 報酬確定方式 年化 收益率 預期收益(如有)實際 收益或損失 未到期金額 逾期未收回金額 是否經過法定程序 未來是否有委托理財計劃 減值準備計提金額(如有)農業銀行 銀行理財產品 30,000.00 7/12/2024 1/13/2025 閑置募集資金/否/2.10%296.88 30,000.00-是 是 建設銀行 銀行理財產品 10,00
317、0.00 10/9/2024 1/24/2025 閑置募集資金/否/1.60%36.38 10,000.00-是 是 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 127/268 中信銀行 銀行理財產品 14,000.00 10/25/2024 1/23/2025 閑置募集資金/否/2.20%56.54 14,000.00-是 是 中信銀行 銀行理財產品 6,000.00 11/1/2024 1/24/2025 閑置募集資金/否/2.10%20.71 6,000.00-是 是 光大銀行 銀行理財產品 10,000.00 12/20/2024 3/20/2025 閑置募集資金/否/2
318、.00%6.03 10,000.00-是 是 光大銀行 銀行理財產品 5,000.00 12/20/2024 3/20/2025 閑置募集資金/否/2.00%3.01 5,000.00-是 是 光大銀行 銀行理財產品 3,000.00 12/4/2024 3/4/2025 自有資金/否/2.00%4.44 3,000.00-是 是 中信銀行 銀行理財產品 5,000.00 11/30/2024 5/29/2025 自有資金/否/1.85%7.86 5,000.00-是 是 其他情況 適用 不適用 (3)(3)委托理財減值準備委托理財減值準備 適用 不適用 2 2、委托貸款情況委托貸款情況 (1
319、)(1)委托貸款總體情況委托貸款總體情況 適用 不適用 其他情況 適用 不適用 (2)(2)單項委托貸款情況單項委托貸款情況 適用 不適用 其他情況 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 128/268 適用 不適用 (3)(3)委托貸款減值委托貸款減值準備準備 適用 不適用 3 3、其他情況其他情況 適用 不適用 (四四)其他重大合同其他重大合同 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 129/268 十四、十四、募集資金使用進展說明募集資金使用進展說明 適用 不適用 (一一)募集資金整體使用情況募集資金整體使用情況 適用 不適用 單位:萬
320、元 募集資金來源 募集資金到位時間 募集資金總額 其中:超募資金金額 扣除發行費用后募集資金凈額 招股書或募集說明書中募集資金承諾投資總額 調整后募集資金承諾投資總額(1)截至報告期末累計投入募集資金總額(2)截至報告期末募集資金累計投入進度(%)(3)(2)/(1)本年度投入金額(4)本年度投入金額占比(%)(5)=(4)/(1)變更用途的募集資金總額 首次公開發行股票 2019 年7 月 16日 155,163.54 44,570.28 144,570.28 130,077.72 130,077.72 130,061.20 99.99 30,077.72 23.12-向特定對象發行股票 2
321、021 年6 月 22日 820,665.87-811,816.24 1,000,000.00 811,816.24 505,678.11 62.29 245,986.49 30.30-其他說明 適用 不適用 (二二)募投項目明細募投項目明細 適用 不適用 1、募集資金明細使用情況 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 130/268 適用 不適用 單位:萬元 募集資金來源 項目名稱 項目性質 是否為招股書或者募集說明書中的承諾投資項目 是否涉及變更投向 募集資金計劃投資總額 (1)本年投入金額 截至報告期末累計投入募集資金總額(2)截至報告期末累計投入進度(%)(3)(2
322、)/(1)項目達到預定可使用狀態日期 是否已結項 投入進度是否符合計劃的進度 投入進度未達計劃的具體原因 本年實現的效益 本項目已實現的效益或者研發成果 項目可行性是否發生重大變化,如是,請說明具體情況 節余金額 首次公開發行股票 高端半導體設備擴產升級項目 生產建設 是 否 40,000.00-39,991.03 99.98 不適用 是 不適用 不適用 不 適用 不適用 不適用 8.97 首次公開發行股票 技術研發中心建設升級項目 生產建設 是 否 40,000.00-39,992.45 99.98 不適用 是 不適用 不適用 不 適用 不適用 不適用 7.55 首次公開發行股票 補充流動資
323、金 補流還貸 是 否 20,000.00-20,000.00 100.00 不適用 是 不適用 不適用 不 適用 不適用 不適用-向特定對象發行股票 中微產業化基地建設項目 生產建設 是 否 317,000.00 107,666.37 250,565.85 79.04 不適用 否 不適用 不適用 不 適用 不適用 不適用 不適用 向特定對象發行股票 中微臨港總部和研發中心項目 研發 是 否 375,000.00 104,987.36 221,779.50 59.14 不適用 否 不適用 不適用 不 適用 不適用 不適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 131/
324、268 向特定對象發行股票 科技儲備資金 其他 是 否 119,816.24 33,332.76 33,332.76 27.82 不適用 否 不適用 不適用 不 適用 不適用 不適用 不適用 2、超募資金明細使用情況 適用 不適用 單位:萬元 用途 性質 擬投入超募資金總額(1)截至報告期末累計投入超募資金總額(2)截至報告期末累計投入進度(%)(3)(2)/(1)備注 以集中競價交易方式回購公司股份 其他 不低于人民幣 30,000 萬元(含)且不超過人民幣50,000 萬元(含)30,077.72 100%以集中競價交易方式回購公司股份 詳見公司 2024 年 5 月 7 日發布的關于股份
325、回購實施結果的公告(公告編號:2024-037)。(三三)報告期內募投變更或終止情況報告期內募投變更或終止情況 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 132/268 (四四)報告期內募集資金使用的其他情況報告期內募集資金使用的其他情況 1、募集資金投資項目先期投入及置換情況 適用 不適用 2、用閑置募集資金暫時補充流動資金情況 適用 不適用 3、對閑置募集資金進行現金管理,投資相關產品情況 適用 不適用 單位:萬元 幣種:人民幣 董事會審議日期 募集資金用于現金管理的有效審議額度 起始日期 結束日期 報告期末現金管理余額 期間最高余額是否超出授權額度 2024
326、 年 4 月 25 日 550,000 2024 年 4 月 28日 2025 年 4 月 27 日 75,000.00 否 其他說明 中微半導體設備(上海)股份有限公司(以下簡稱“公司”)于 2024 年 4 月 25 日召開第二屆董事會第二十二次會議及第二屆監事會第十九次會議,審議通過了關于使用閑置募集資金進行現金管理的議案,同意公司使用額度不超過 550,000 萬元閑置募集資金進行現金管理,使用期限自前次募集資金現金管理的授權到期之日起 12 個月內有效,在不超過上述額度及有效期內,可循環滾動使用。4、其他 適用 不適用 十五、十五、其他對投資者作出價值判斷和投資決策有重大影響的重大事
327、項的說明其他對投資者作出價值判斷和投資決策有重大影響的重大事項的說明 適用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 133/268 第七節第七節 股份變動及股東情況股份變動及股東情況 一、一、股股本變動情況本變動情況(一一)股份變動情況表股份變動情況表 1 1、股份變動情況表股份變動情況表 單位:股 本次變動前 本次變動增減(+,-)本次變動后 數量 比例(%)發行新股 送股 公積金轉股 其他 小計 數量 比例(%)一、有限售條件股份 1、國家持股 2、國有法人持股 3、其他內資持股 其中:境內非國有法人持股 境內自然人持股 4、外資持股 其中:境外法人持股 境外自然
328、人持股 二、無限售條件流通股份 619,279,423 100 3,084,312 3,084,312 622,363,735 100 1、人民幣普通股 619,279,423 100 3,084,312 3,084,312 622,363,735 100 2、境內上市的外資股 3、境外上市的外資股 4、其他 三、股份總數 619,279,423 100 3,084,312 3,084,312 622,363,735 100 2 2、股份變動情況說明股份變動情況說明 適用 不適用 公司于 2024 年 4 月 3 日收到中國證券登記結算有限責任公司上海分公司出具的證券變更登記證明,公司于 20
329、24 年 4 月 2 日完成了 2022 年限制性股票激勵計劃第二個歸屬期的股份登記工作。由于本次限制性股票歸屬后,公司股本總數由 619,279,423 股增加至 620,073,253 股。公司于 2024 年 6 月 20 日收到中國證券登記結算有限責任公司上海分公司出具的證券變更登記證明,公司于 2024 年 6 月 19 日完成了 2022 年限制性股票激勵計劃第二個歸屬期及 2023年限制性股票激勵計劃第一個歸屬期的股份登記工作。由于本次限制性股票歸屬后,公司股本總數由 620,073,253 股增加至 621,305,500 股。中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年
330、度報告 134/268 公司于 2024 年 10 月 24 日收到中國證券登記結算有限責任公司上海分公司出具的證券變更登記證明,公司于 2024 年 10 月 23 日完成了 2020 年限制性股票激勵計劃第四個歸屬期及2023 年限制性股票激勵計劃第一個歸屬期的股份登記工作。由于本次限制性股票歸屬后,公司股本總數由 621,305,500 股增加至 622,205,039 股。公司于 2024 年 11 月 15 日收到中國證券登記結算有限責任公司上海分公司出具的證券變更登記證明,公司于 2024 年 11 月 14 日完成了 2020 年限制性股票激勵計劃第四個歸屬期的股份登記工作。由于
331、本次限制性股票歸屬后,公司股本總數由 622,205,039 股增加至 622,363,735股。3 3、股份變動對最近一年和最近一期每股收益、每股凈資產等財務指標的影響(如有)股份變動對最近一年和最近一期每股收益、每股凈資產等財務指標的影響(如有)適用 不適用 4 4、公司認為必要或證券監管機構要求披露的其他內容公司認為必要或證券監管機構要求披露的其他內容 適用 不適用 (二二)限售股份變動情況限售股份變動情況 適用 不適用 二、二、證券發行與上市情況證券發行與上市情況(一一)截至截至報告期內報告期內證券發行情況證券發行情況 適用 不適用 截至報告期內證券發行情況的說明(存續期內利率不同的債
332、券,請分別說明):適用 不適用 (二二)公司股份總數及股東結構變動及公司資產和負債結構的變動情況公司股份總數及股東結構變動及公司資產和負債結構的變動情況 適用 不適用 三、三、股東股東和實際控制人和實際控制人情況情況(一一)股東總數股東總數 截至報告期末普通股股東總數(戶)47,345 年度報告披露日前上一月末的普通股股東總數(戶)45,640 截至報告期末表決權恢復的優先股股東總數(戶)/年度報告披露日前上一月末表決權恢復的優先股股東總數(戶)/截至報告期末持有特別表決權股份的股東總數(戶)/年度報告披露日前上一月末持有特別表決權股份的股東總數(戶)/存托憑證持有人數量存托憑證持有人數量 適
333、用 不適用 中微半導體設備(上海)股份有限公司 2024 年年度報告 135/268 (二二)截至報告期末前十名股東、前十名流通股東(或無限售條件股東)持股情況表截至報告期末前十名股東、前十名流通股東(或無限售條件股東)持股情況表 單位:股 前十名股東持股情況(不含通過轉融通出借股份)股東名稱(全稱)報告期內增減 期末持股數量 比例(%)持有有限售條件股份數量 質押、標記或凍結情況 股東 性質 股份 狀態 數量 上海創業投資有限公司 0 93,483,533 15.02 0 無 0 國有法人 巽鑫(上海)投資有限公司 0 80,996,822 13.01 0 無 0 國有法人 香港中央結算有限公司 7,357,224 35,203,922 5.66 0 無 0 其他 招商銀行股份有限公司華夏上證科創板50 成份交易型開放式指數證券投資基金-314,958 28,165,563 4.53 0