《電子行業：存儲供需好轉復蘇有望延續-250422（21頁）.pdf》由會員分享，可在線閱讀，更多相關《電子行業：存儲供需好轉復蘇有望延續-250422（21頁）.pdf（21頁珍藏版）》請在三個皮匠報告上搜索。

1、申港證券股份有限公司證券研究報告申港證券股份有限公司證券研究報告 敬請參閱最后一頁免責聲明 證券研究報告 行業行業研究研究 行行業業點評報告點評報告 存儲存儲供需好轉供需好轉 復蘇有望延續復蘇有望延續 電子行業點評 投投資摘要資摘要：存儲產品價格現企穩回升趨勢存儲產品價格現企穩回升趨勢。繼閃迪此前通知 4 月 1 日將上調 NAND 閃存報價后，由于存儲原廠減產和生產節奏影響，NAND 供貨吃緊，美光、三星電子、SK 海力士等廠商均將從 4 月起提高 NAND 閃存報價，NAND 價格回漲速度高于原先預期。存儲供需逐步好轉，存儲供需逐步好轉，DRAM 價格或將逐季好轉，價格或將逐季好轉，NAN

2、D Flash 價格下半年有價格下半年有望回升望回升。DRAM 現貨價格在 2023 年 Q2-Q3 見到階段性底部區間后出現反彈，并在 2024Q3 左右回落。2025 年以來 DRAM 價格表現分化，DDR5 等高檔產品價格回升明顯，中低端 DRAM 價格表現平淡。NAND 方面，方面，Wafer 及及 eMMC 近期價格不斷墊高近期價格不斷墊高，利基型利基型 SLC NAND 與通與通用型走勢和漲跌幅度有所不同。用型走勢和漲跌幅度有所不同。模組產品方面，eMMC 各容量市場價年初以來呈回升趨勢，其中 32GB 以下的小容量產品漲幅相對較高，反映移動端場景尤其是小容量產品的復蘇。小容量 S

3、SD 因其尺寸、功耗、成本等特點，在嵌入式系統、移動設備等場景中或率先復蘇。DRAM 和和 NAND 行業營收自行業營收自 2023Q2 開始逐季回升，開始逐季回升，2024Q4 同比增速同比增速55.9%。DRAM 和和 NAND 行業表現分化，存儲原廠營收持續同比改善。行業表現分化，存儲原廠營收持續同比改善。由于NAND 較 DRAM 行業集中度更低，市場參與者較多，導致產能去化和競爭格局優化慢于 DRAM，本輪復蘇周期 NAND 行業營收同比增長慢于 DRAM。存儲原廠減少舊產能，聚焦先進制程產品，加速周期見底回升。資本支出將更多投入到更先進封裝或研發上，更側重于 HBM、1c、1和 2

4、00 層、300 層等先進產能。海外存儲原廠庫存較高峰期已有明顯去海外存儲原廠庫存較高峰期已有明顯去化，下游應用或處于調整庫存的后期階化，下游應用或處于調整庫存的后期階段。段。海外存儲原廠庫存多在 2023Q1-Q2 達到高峰，此后庫存有所去化。海外存儲原廠庫存較高峰期已有明顯去化，下游應用或處于調整庫存的后期階段。國內模組和利基型存儲等行業存貨顯示行業或將見底回升。模組公司庫存處于較高水平，存儲芯片和接口配套芯片公司庫存于 2023Q2-Q3 開始下降至今已超過一年，綜合看行業或將見底回升。AI 算力投資和端側應用需求延續，帶動存儲位元需求擴容。算力投資和端側應用需求延續，帶動存儲位元需求擴

5、容。隨著 AI 訓練和推理對算力需求的快速增長，數據中心對 HBM、大容量 DDR5 及企業級 SSD 的存儲需求同步增加，AI 與云服務成為存儲需求核心驅動力。DRAM 位元需求2025/2026 年分別有望同比增長 15%/17%，NAND 位元需求 2025/2026 年分別有望同比增長 12%/15%，同比增速較 2024 年有望加速。服務器市場已成為存儲產業發展的核心驅動力。行業龍頭美光調高 2025 年 HBM 市場規模展望至 350 億美元。大容量存儲需求使 QLC 產能占比提高，技術進步為存儲產業帶來新增長機遇。高堆疊和先進制程在存儲技術路線上持續演進，新形態產品不斷涌現。DR

6、AM 方面 2025 年會更多在 1c、1等制程上繼續升級。在數據中心領域，基于 LPDDR 的 LPCAMM、SOCAMM 等新形態存儲產品不斷涌現。AIPC、手機的快速滲透帶動新增需求，預計 2025 年 AI 手機的比例將達到 30%，AI PC 帶動 PC 銷量增長同時，也對高性能存儲提出新需求。汽車存儲技術的迭代速度明顯加快。美光數據顯示，先進的自動駕駛出租車平臺已配置超過 200GB 的 DRAM，比普通汽車中的 DRAM 高出 20 到 30 倍。隨著算力的提升和功能的豐富，汽車存儲的帶寬需求也在急劇增加，這為存儲產業在汽車領域的拓展提供了廣闊的空間。投資策略：投資策略：隨著存儲

7、上游控產、庫存消化，以及 AI 應用擴大帶來企業數據中心 eSSD、大模型本地部署和終端換機等新增需求，行業供需關系或將逐步改善，存儲價格和需求有望逐步回升。建議關注佰維存儲、瀾起科技、德明利、江波龍等存儲模組公司，兆易創新、北京君正、普冉股份、東芯股份、瀾起科 評級評級 增持增持（維持維持）2025 年 04 月 22 日 王偉 分析師 SAC 執業證書編號：S1660524100001 行業基本資料行業基本資料 股票家數 461 行業平均市盈率 52.1 市場平均市盈率 12.3 行業行業表現表現走勢圖走勢圖 資料來源：wind，申港證券研究所 相關報告相關報告 1、電子行業研究周報：芯片

8、原產地認定規則利好國內芯片和制造環節2025-04-18 2、電子行業研究周報：關稅政策或進一步催生設備和芯片自主可控2025-04-11 3、電子行業研究周報：國產設備廠商關鍵設備領域覆蓋更進一步2025-04-03 -18%0%18%36%54%72%2024-042024-072024-102025-012025-04電子滬深300電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 2/21 證券研究報告 技、聚辰股份等端側存儲和芯片設計企業。風險提示：風險提示：貿易摩擦加劇，需求復蘇不及預期，產能擴張不及預期，競爭加劇 電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 3/21 證券研究報告 內容目錄內容目

9、錄 1.存儲產品價格現企穩回升趨勢存儲產品價格現企穩回升趨勢.5 2.行業積極應對下業績修復行業積極應對下業績修復 供應端改善延續供應端改善延續.9 2.1 大廠減產或將加速周期見底.11 2.2 存儲行業庫存現積極信號.13 3.AI 驅動存儲需求驅動存儲需求 有望延續復蘇態勢有望延續復蘇態勢.14 3.1 服務器市場成存儲需求核心驅動力.15 3.1.1 服務器存儲容量持續增長.15 3.1.2 高端存儲技術和產品加快落地.16 3.2 AI 帶動終端應用領域存儲升級.18 3.2.1 AIPC、手機快速滲透帶動新增需求.18 3.2.2 自動駕駛帶動汽車存儲擴張.19 4.投資建議投資建

10、議.19 5.風險提示風險提示.19 圖表目錄圖表目錄 圖圖 1：存儲價格指數變化存儲價格指數變化.5 圖圖 2：全球全球 DRAM/NAND Flash 市場收入季度變化（單位：億美元）市場收入季度變化（單位：億美元）.5 圖圖 3：DRAM 現貨價格走勢現貨價格走勢.6 圖圖 4：通用型與利基型通用型與利基型 DRAM 合約平均價走勢表現分化合約平均價走勢表現分化.6 圖圖 5：NAND Flash 現貨平均價現貨平均價 24Q4 開始有所承壓走勢分化（單位：美元）開始有所承壓走勢分化（單位：美元）.7 圖圖 6：TLC wafer 價格見底復蘇情況價格見底復蘇情況.7 圖圖 7：利基型利

11、基型 SLC 價格情況價格情況.7 圖圖 8：嵌入式存儲嵌入式存儲 eMMC 小容量產品漲幅較高小容量產品漲幅較高.8 圖圖 9：SSD 產品渠道市場價格回升產品渠道市場價格回升.8 圖圖 10：SSD 產品行業市場價產品行業市場價.8 圖圖 11：2025 存儲行情：部分市場存儲行情：部分市場 Q2 有望率先企穩有望率先企穩.9 圖圖 12：近四十年來存儲市場的周期性波動情況近四十年來存儲市場的周期性波動情況.9 圖圖 13：2024 年存儲產值創歷史新高年存儲產值創歷史新高 2025 年有望微幅增長年有望微幅增長.9 圖圖 14：DRAM 和和 NAND 合計營收自合計營收自 2023Q2

12、 開始逐季回升開始逐季回升.10 圖圖 15：DRAM 和和 NAND 復蘇節奏有所差異復蘇節奏有所差異.10 圖圖 16：分分產品類型的營收同比產品類型的營收同比.10 圖圖 17：三星分產品營收同比情況（單位：百萬美元）三星分產品營收同比情況（單位：百萬美元）.11 圖圖 18：美光分產品營收同比情況（單位：百萬美元）美光分產品營收同比情況（單位：百萬美元）.11 圖圖 19：海力士分產品營收同比情況（單位：百萬美元）海力士分產品營收同比情況（單位：百萬美元）.11 圖圖 20：毛利率回升與前高對比情況毛利率回升與前高對比情況.11 圖圖 21：存儲原廠庫存多數較高點有所回落（單位：億美元

13、）存儲原廠庫存多數較高點有所回落（單位：億美元）.13 圖圖 22：美光庫存周轉天數較高峰期有明顯下降美光庫存周轉天數較高峰期有明顯下降.13 圖圖 23：國內模組和利基型存儲等存貨情況（單位：億元）國內模組和利基型存儲等存貨情況（單位：億元）.13 圖圖 24：DRAM 市場規模展望市場規模展望.14 圖圖 25：DRAM 位元需求持續增長位元需求持續增長.14 圖圖 26：NAND 市場規模展望市場規模展望.15 圖圖 27：NAND Flash 位元需求同比增長位元需求同比增長.15 圖圖 28：2025-2026 年年 AI 服務器占比有望進一步擴大服務器占比有望進一步擴大.16 電子

14、行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 4/21 證券研究報告 圖圖 29：預計預計 DRAM 應用方向中服務器和應用方向中服務器和 HBM 占比提高占比提高.17 圖圖 30：預計預計 2025 年年 HBM 產值占比提升產值占比提升.17 圖圖 31：3D DRAM 與與 NAND 等技術路線等技術路線.18 圖圖 32：預預計計 AIPC 快速滲透快速滲透.18 圖圖 33：預計預計 AI 手機占比持續提高手機占比持續提高.18 表表 1：全球存儲原廠減產措施全球存儲原廠減產措施.11 表表 2：美光美光三星海力士控制存儲相關資本開支三星海力士控制存儲相關資本開支.12 表表 3：服務器存儲

15、容量增長成為行業核心驅動力服務器存儲容量增長成為行業核心驅動力.15 表表 4：服務器架構升級帶動服務器架構升級帶動 HBM 代際提升代際提升.16 電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 5/21 證券研究報告 1.存儲存儲產品產品價格價格現現企穩回升企穩回升趨勢趨勢 存儲供需逐步好轉，大廠存儲供需逐步好轉，大廠近期近期跟進提價。跟進提價。根據財聯社報道，繼閃迪此前通知 4 月 1日將上調 NAND 閃存報價后，由于存儲原廠減產和生產節奏影響，NAND 供貨吃緊，美光、三星電子、SK 海力士等廠商均將從 4 月起提高 NAND 閃存報價，NAND價格回漲速度高于原先預期。根據芯智訊消息，閃迪

16、預計存儲芯片行業很快將過渡到供不應求狀態，后續季度存在進一步漲價的可能。圖圖1：存儲價格指數變化存儲價格指數變化 資料來源：ifind，申港證券研究所 2024Q4 全球全球 NAND Flash 市場規模環比減少市場規模環比減少 8.5%，DRAM 市場規模市場規模環比增長環比增長13.5%。根據閃存市場數據，2024Q4 全球 NAND Flash 市場規模環比減少 8.5%至174.10 億美元，DRAM 市場規模環比增長 13.5%至 293.45 億美元，2024Q4 全球存儲市場規模環比增長 4.2%至 467.55 億美元。圖圖2：全球全球 DRAM/NAND Flash 市場收

17、入季度變化市場收入季度變化（單位：單位：億美元）億美元）資料來源：閃存市場，申港證券研究所 DRAM 價格或將逐季好轉價格或將逐季好轉，NAND Flash 價格價格下半年下半年有望回升有望回升 02004006008001000120014001600DRAM指數NAND指數0%20%40%60%80%100%120%140%0.050.0100.0150.0200.0250.0300.0350.0400.0450.0500.023Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q4DRAMNANDDRAM同比NAND同比電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 6/21 證券研究報告

18、 如圖 3 所示，DRAM 現貨價格在 2023 年 Q2-Q3 見到階段性底部區間后出現反彈，并在 2024Q3 左右回落。2025 年以來 DRAM 價格表現分化，DDR5 等高檔產品價格回升明顯，中低端 DRAM 價格表現平淡。根據 ifind 截至 4 月 15 日數據，DDR5 16G(2Gx8)/DDR4 16Gb(1Gx16)/DDR4 8Gb(1Gx8)/DDR3 4Gb 512Mx8 今年以來漲幅分別為 13.74%/28.25%/14.28%/10.59%。根據全球半導體觀察 3 月 30 日發布的價格走勢消息，DRAM 市場持續受到原廠強勢限縮供給的影響，現貨市場買氣依舊

19、熱絡，價格上漲趨勢延續。模組廠因為后市可能持續走揚的價格壓力，補貨動作更顯積極，對于目前的報價大多持接受態度。在這波漲勢之中，不少模組廠已將目標價上調幅度拉大，以提高成交機會。圖圖3：DRAM 現貨價格走勢現貨價格走勢 圖圖4：通用型通用型與與利基型利基型 DRAM 合約平均合約平均價走勢表現分化價走勢表現分化 資料來源：ifind，申港證券研究所 資料來源：ifind，申港證券研究所 根據內存市場消息，2025 年 AI 服務器、高性能計算（HPC）和自動駕駛汽車推動高密度 DRAM 需求激增，數據中心擴容亦帶動企業級 DRAM 采購量增長。價格變動趨勢方面，預計第一季度受 2024 年末庫

20、存調整影響，消費級 DRAM 價格小幅下跌（約 3-5%），企業級產品因需求穩定保持平穩；第二季度 AI 芯片缺貨緩解帶動HBM（高帶寬內存）配套 DRAM 需求，價格有望環比上漲 5-8%；第三季度傳統消費電子旺季備貨啟動，疊加手機廠商提前采購 LPDDR6，價格漲幅有望擴大至 10-12%；第四季度供需趨于平衡，價格高位震蕩，全年綜合漲幅預計可達 15-18%。NAND 方面，方面，Wafer 及及 eMMC 近期近期價格不斷墊高價格不斷墊高。根據芯智訊消息，得益于 NAND Flash 大廠的減產，以及中國大陸的消費補貼政策刺激了智能手機的銷售，導致NAND Flash 庫存的降低，價格

21、已出現回暖跡象。根據全球半導體觀察截止 3 月 30日價格走勢消息，在原廠持續執行減產與調整供貨策略下，客戶庫存回補需求增溫，使得價格進一步墊高。低價位 Wafer 當周買盤持續活躍，512Gb 及 1Tb 漲勢較為明顯。eMMC 價格在前期快速拉升后，整體市場維持積極但理性的交易氛圍。TrendForce 集邦咨詢消息顯示，2024Q4 因 PC、智能手機等消費性電子產品廠商持續去化庫存，供應鏈大幅調整采購訂單，造成 NAND Flash 價格反轉向下，平均銷售價格季減 4%。NAND Flash 市場供需結構將有望在 2025 下半年顯著改善，包含原廠減產、智能手機庫存去化、AI 及 De

22、epSeek 效應等因素將推升 NAND Flash0.001.002.003.004.005.006.00現貨平均價:DRAM:DDR5 16G(2Gx8)4800/5600 美元現貨平均價:DRAM:DDR4 16Gb(1Gx16)3200 美元現貨平均價:DRAM:DDR4 8Gb(1Gx8)3200 美元現貨平均價:DRAM:DDR3 4Gb 512Mx8 1600MHz 美元0.001.002.003.004.005.006.007.008.009.002019-092019-122020-032020-062020-092020-122021-032021-062021-09202

23、1-122022-032022-062022-092022-122023-032023-062023-092023-122024-032024-062024-092024-122025-03合約平均價:DRAM:DDR4/4GB/256Mx16 美元合約平均價:DRAM:DDR3/4GB/256Mx16 美元合約平均價:DRAM:DDR4 16Gb 2Gx8 美元合約平均價:DRAM:DDR5 16Gb 2Gx8 美元電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 7/21 證券研究報告 需求，從而緩解供過于求的局面，預期下半年也將迎來價格回升。2025Q2 NAND Flash 價格或將繼續下跌 5

24、%至持平，2025Q3 有望回升 10-15%，2025Q4 有望繼續增長 8-13%。我們認為，伴隨著消費類和企業類需求的復蘇，過剩產能和庫存去化或將改善過去的供需關系，NAND 行業有望改變價格持續承壓的情況。圖圖5：NAND Flash 現貨現貨平均價平均價 24Q4 開始有所承壓走勢分化開始有所承壓走勢分化（單位：單位：美元）美元）資料來源：ifind，申港證券研究所 如圖 5 所示，利基型 SLC NAND 與通用型走勢和漲跌幅度有所不同。據圖 7 所示，截止 4 月 7 日數據，16Gb/8Gb/4Gb/2Gb/1Gb 容量 SLC NAND 現貨均價分別為8.43/3.00/1.

25、58/0.91/0.82 美元，今年以來漲幅較為均衡，漲幅在 7.5-10.4%。我們認為，伴隨海外原廠相繼退出小容量產品，SLC NAND 供給端收縮，價格或已走出2023-2024 年低迷狀況。圖圖6：TLC wafer 價格見底復蘇情況價格見底復蘇情況 圖圖7：利基型利基型 SLC 價格情況價格情況 資料來源：ifind，申港證券研究所 資料來源：ifind，申港證券研究所 模組產品方面，模組產品方面，eMMC 各容量各容量市場價年初以來呈回升趨勢。市場價年初以來呈回升趨勢。根據 ifind 數據統計，0.002.004.006.008.0010.0012.0014.002023-04-

26、142023-05-142023-06-142023-07-142023-08-142023-09-142023-10-142023-11-142023-12-142024-01-142024-02-142024-03-142024-04-142024-05-142024-06-142024-07-142024-08-142024-09-142024-10-142024-11-142024-12-142025-01-142025-02-142025-03-142025-04-14現貨平均價:Flash:MLC 256Gb 32GBx8 美元現貨平均價:Flash:MLC 32Gb 4GBx8

27、美元現貨平均價:Flash:SLC 16Gb 2GBx8 美元現貨平均價:Flash:SLC 1Gb 128MBx8 美元0.000.501.001.502.002.503.003.504.004.505.002022-01-072022-04-072022-07-072022-10-072023-01-072023-04-072023-07-072023-10-072024-01-072024-04-072024-07-072024-10-072025-01-072025-04-07現貨平均價:Wafer:512Gb TLC 美元現貨平均價:Wafer:256Gb TLC 美元現貨平均價:W

28、afer:128Gb TLC 美元0.002.004.006.008.0010.0012.002023-03-142023-04-142023-05-142023-06-142023-07-142023-08-142023-09-142023-10-142023-11-142023-12-142024-01-142024-02-142024-03-142024-04-142024-05-142024-06-142024-07-142024-08-142024-09-142024-10-142024-11-142024-12-142025-01-142025-02-142025-03-14202

29、5-04-14現貨平均價:Flash:SLC 16Gb 2GBx8 美元現貨平均價:Flash:SLC 8Gb 1GBx8 美元現貨平均價:Flash:SLC 4Gb 512MBx8 美元現貨平均價:Flash:SLC 2Gb 256MBx8 美元現貨平均價:Flash:SLC 1Gb 128MBx8 美元電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 8/21 證券研究報告 截止 4 月 15 日，嵌入式存儲 eMMC 的 128GB/64GB/32GB/16GB/8GB 平均價年初以來漲幅 4.62%/2.78%/37.25/36.17%/33.72%，其中 32GB 以下的小容量產品漲幅相對較高

30、，反映移動端場景尤其是小容量產品的復蘇。圖圖8：嵌入式存儲嵌入式存儲 eMMC 小容量產品漲幅較高小容量產品漲幅較高 資料來源：ifind，申港證券研究所 SSD 小容量產品渠道市場價格回升小容量產品渠道市場價格回升較好較好。根據 ifind 數據統計，截至 4 月 15 日，SSD 產 品 480GB/240GB/120GB 的 渠 道 市 場 價 年 初 以 來 漲 幅 分 別 為14.29%/19.77%/25.45%，小容量產品價格漲幅領先，我們認為小容量 SSD 因其尺寸、功耗、成本等特點，在嵌入式系統、移動設備等場景中或率先復蘇。圖圖9：SSD 產品渠道市場價格回升產品渠道市場價格

31、回升 圖圖10：SSD 產品行業市場價產品行業市場價 資料來源：ifind，申港證券研究所 資料來源：ifind，申港證券研究所 結合以上數據，我們認為，從產品價格走勢來看，DRAM 和 NAND 各分類產品走勢表現分化，消費級和企業級/服務器產品表現分化。高端存儲價格和景氣或持續，NAND 價格有望企穩回升，消費類和端側部分產品預計價格逐步迎來拐點。0.002.004.006.008.0010.0012.0014.0016.0018.002020-04-152020-06-152020-08-152020-10-152020-12-152021-02-152021-04-152021-06-

32、152021-08-152021-10-152021-12-152022-02-152022-04-152022-06-152022-08-152022-10-152022-12-152023-02-152023-04-152023-06-152023-08-152023-10-152023-12-152024-02-152024-04-152024-06-152024-08-152024-10-152024-12-152025-02-152025-04-15市場價:eMMC/128GB/5.1:平均價 美元市場價:eMMC/64GB/5.1:平均價 美元市場價:eMMC/16GB/5.1:平

33、均價 美元市場價:eMMC/8GB/5.1:平均價 美元市場價:eMMC/32GB/5.1:平均價 美元0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.00渠道市場價:SSD/480GB/SATA3:平均價 美元渠道市場價:SSD/240GB/SATA3:平均價 美元渠道市場價:SSD/120GB/SATA3:平均價 美元0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.00行業市場價:SSD/256GB/SATA3:平均價 美元行業市場價:SSD/512GB/SATA3:平均價 美元電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 9/21 證券研究報告 圖圖1

34、1：2025 存儲行情存儲行情：部分市場部分市場 Q2 有望率先企穩有望率先企穩 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 2.行業行業積極應對積極應對下下業績修復業績修復 供應供應端改善端改善延續延續 存儲存儲行業行業 2024 年產值迅速回升年產值迅速回升。根據閃存市場數據，存儲行業 2022-2023 年連續兩年產值下滑，2024 年存儲行業產值迅速回升至 1670 億美元，創歷史新高，其中NAND Flash 市場規模達 696 億美元，DRAM 市場規模達 973 億美元，存儲正成為支撐 AI 算力等落地的關鍵環節。圖圖12：近四十年來存儲市場的周期性波動情況近四十年來存儲市

35、場的周期性波動情況 圖圖13：2024 年存儲產值創歷史新高年存儲產值創歷史新高 2025 年有望微幅增長年有望微幅增長 資料來源：半導體產業縱橫，WSTS，申港證券研究所 資料來源：電子工程專輯，閃存市場，申港證券研究所 DRAM 和和 NAND 行業營收行業營收自自 2023Q2 開始逐季回升開始逐季回升，2024Q4 同比增速同比增速 55.9%。DRAM 和 NAND 行業合計營收自 2023Q2 開始逐季回升，預計主要受益于價格回升促進各家銷售單價提高，另外，HBM、DDR5 等高端產品技術升級帶動產業復蘇。2023Q4 開始同比正增長，2024Q3 同比增長 92.1%達到峰值，2

36、024Q4 同比增速1281581081241631399116717061%23%-32%15%31%-15%-35%84%2%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%02040608010012014016018020172018201920202021202220232024 2025E存儲行業產值（十億美元）同比增長電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 10/21 證券研究報告 回落至 55.9%、環比增速 3.4%。圖圖14：DRAM 和和 NAND 合計合計營收自營收自 2023Q2 開始逐季回升開始逐季回升 資料來源：Trendforce集邦，閃存市場，申港

37、證券研究所 DRAM和和NAND行業行業表現分化表現分化，存儲原廠存儲原廠營收營收持續同比改善持續同比改善。由于NAND較DRAM行業集中度更低，市場參與者較多，導致產能去化和競爭格局優化慢于 DRAM，本輪復蘇周期 NAND 行業營收同比增長慢于 DRAM，且 2024Q4NAND 行業季度營收環比轉負，同時期 DRAM 維持持續正增長。三星、SK 海力士、美光 2023Q4 以來營收維持持續同比增長，預計主要是行業龍頭產品升級和結構改善持續帶動其增長。圖圖15：DRAM 和和 NAND 復蘇節奏有所差異復蘇節奏有所差異 圖圖16：分產品類型的營收同比分產品類型的營收同比 資料來源：Tren

38、dforce集邦，閃存市場，申港證券研究所 資料來源：Trendforce集邦，閃存市場，申港證券研究所 存儲原廠毛利率存儲原廠毛利率 2024Q1 以來以來逐季改善，逐季改善，部分廠商部分廠商仍有進一步提升空間。仍有進一步提升空間。從存儲原廠盈利能力來看，美光、海力士、西部數據 2024Q1 以來毛利率均逐季提高，盈利能力明顯改善。美光、西部數據毛利率距離前高仍有進一步提升空間。3.1%-25.4%-28.8%-20.6%14.8%9.4%27.5%14.2%20.1%9.9%3.4%-56.6%-51.6%-29.1%27.1%82.8%91.2%92.1%55.9%-80%-60%-40

39、%-20%0%20%40%60%80%100%0500010000150002000025000300003500040000450005000022Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q4DRAM+NAND行業合計營收（百萬美元）環比同比-40.0%-30.0%-20.0%-10.0%0.0%10.0%20.0%30.0%40.0%22Q2 22Q3 22Q4 23Q1 23Q2 23Q3 23Q4 24Q1 24Q2 24Q3 24Q4DRAM行業營收季度環比NAND行業營收季度環比-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%8

40、0%100%120%23Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q4DRAM行業營收同比NAND行業營收同比電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 11/21 證券研究報告 圖圖17：三星三星分產品營收同比情況（單位：百萬美元）分產品營收同比情況（單位：百萬美元）圖圖18：美光美光分產品營收同比情況（單位：百萬美元）分產品營收同比情況（單位：百萬美元）資料來源：Trendforce集邦，閃存市場，申港證券研究所 資料來源：Trendforce集邦，閃存市場，申港證券研究所 圖圖19：海力士海力士分產品營收同比情況（單位：百萬美元）分產品營收同比情況（單位：百萬美元）圖圖20：毛

41、利率回升與前高對比情況毛利率回升與前高對比情況 資料來源：Trendforce集邦，閃存市場，申港證券研究所 資料來源：wind，申港證券研究所 2.1 大廠大廠減產減產或將加速周期見底或將加速周期見底 根據 TrendForce 集邦消息，自 2023 年起 NAND Flash 原廠深刻體認到供給過剩對產業造成的嚴重沖擊，特別是 NAND Flash 需求年增長增率自 30%大幅下修至10-15%，積極調整生產策略才能避免價格下行周期持續擴大。因此，在 2025 年初，隨著 NAND Flash 原廠采取減產措施，縮減全年投產規模，期待有效降低供應的位元的增長率，此舉有助于快速減輕市場供需

42、失衡的壓力，為價格反彈奠定基礎。根據芯智訊消息，24 年下半年開始，存儲價格總體承壓，引發存儲芯片大廠控制產量以減少市場供給。由于供給過剩，SK 海力士已經計劃今年上半年對 NAND Flash減產 10%；三星電子也決定調整韓國及中國西安工廠的 NAND Flash 產量；美光也在 2024 年第四季財報發布會上宣布，擬將 NAND Wafer 產量減少至 10%-15%。表表1：全球存儲全球存儲原廠原廠減產措施減產措施 近期控產措施近期控產措施 美光 美光在 2024 年第四季財報發布會上宣布擬將 NAND Wafer 產量減少至 10%-80%-60%-40%-20%0%20%40%60

43、%80%100%120%140%020004000600080001000012000DRAMNANDDRAM營收同比（右）NAND營收同比（右）-80%-60%-40%-20%0%20%40%60%80%100%120%140%01000200030004000500060007000DRAMNANDDRAM營收同比（右）NAND營收同比（右）-100%-50%0%50%100%150%200%020004000600080001000012000DRAMNANDDRAM營收同比（右）NAND營收同比（右）-40.00-30.00-20.00-10.000.0010.0020.0030.00

44、40.0050.0060.0070.002019一季2019中報2019三季2019年報2020一季2020中報2020三季2020年報2021一季2021中報2021三季2021年報2022一季2022中報2022三季2022年報2023一季2023中報2023三季2023年報2024一季2024中報2024三季2024年報美光科技西部數據SK海力士電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 12/21 證券研究報告 近期控產措施近期控產措施 15%美光預計 2025 財年第二季度 NAND 出貨量將環比下降。在 NAND 業務方面，降低資本支出并削減晶圓產量，產量減少約 10%三星 2023

45、年開始預見市場飽和的風險，將 NAND 產量削減 20%-25%，2024 年 2月進一步減少 50%的產量，考慮將部分生產線轉向 DRAM 三星電子決定調整韓國及中國西安工廠的 NAND Flash 產量，2025 年 NAND閃存芯片產能可能會減少 20%左右 SK 海力士 SK 海力士預計 2025 年一季度，NAND Bit 出貨量環比減少約 18%，計劃將上半年 NAND 閃存的產量削減 10%鎧俠 2024 年 11 月宣布將在 12 月實施減產 資料來源：半導體產業縱橫，芯智訊，申港證券研究所 存儲原廠減少舊產能，聚焦先進制程產品存儲原廠減少舊產能，聚焦先進制程產品，加速周期見底

46、回升，加速周期見底回升。根據閃存市場消息，各大存儲原廠為穩住價格、保證利潤，采用減少舊產能、聚焦先進制程以及技術的策略，資本支出將更多投入到更先進封裝或研發上，更側重于 HBM、1c、1和 200層、300 層等先進產能，整體 wafer 產出相比以往的增量將減少很多。根據半導體產業縱橫消息，在 2025 財年，美光將優先投資 1和 1技術節點，以及 DRAM 晶圓廠建設，這將有助于支持 HBM 和長期 DRAM 需求。美光已經削減了 NAND 資本支出，并且正在謹慎管理 NAND 技術節點的升級節奏，以控制其供應。根據閃存市場消息，三星電子尋求通過加速向 1b 納米工藝的過渡，來增加 DDR

47、5和 LPPDR5X 出貨量的份額。至于 NAND，將持續推動從 V6 到 V8 的技術遷移，同時增加基于 V7 QLC 的服務器 SSD 銷售。三星電子 DDR4 和 LPDDR4 等傳統產品 2024 年銷售額占比在 30%以下，計劃 2025 年將大幅縮減至個位數。未來將通過增加如 HBM、DDR5、LPDDR5X、GDDR7 和基于先進工藝節點的服務器SSD 等高附加值產品的比例來優化其產品組合。表表2：美光美光三星海力士三星海力士控制控制存儲相關存儲相關資本開支資本開支 資本支出調整資本支出調整 美光 美光計劃在 2024 財年的資本支出約為 80 億美元，并預計在 2025 財年會

48、大幅增加。至于 2025 財年的資本支出增加數額，美光預計新財年的總體資本支出大約為 135-145 億美元。此資本支出的絕大多數將用于支持 HBM，以及設施、建筑、后端制造和研發投資 三星 2025 年資本支出預計降至 44 萬億韓元，同比下降 8%。DRAM、NAND 和代工業務資本支出均有下降 SK 海力士 2025 年資本支出預計升至 21 萬億韓元，同比增長 15.9%。其中 DRAM 和后端資本支出減少，因 Fab 建設（M15X）基礎設施資本支出增加。資料來源：半導體產業縱橫，芝能智芯，申港證券研究所 電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 13/21 證券研究報告 2.2 存儲

49、行業存儲行業庫存庫存現積極信號現積極信號 海外存儲原廠庫存較高峰期已有明顯去化，海外存儲原廠庫存較高峰期已有明顯去化，下游應用或處于調整庫存的后期階段下游應用或處于調整庫存的后期階段。海外存儲原廠庫存多在 2023Q1-Q2 達到高峰，此后庫存有所去化，庫存周轉天數或逐步達到健康水平。以美光科技為例，其庫存周轉天數在 FY2025Q2 達到 158天，較高峰期已有明顯下降。根據閃存市場消息，在數據中心 NAND 方面，美光預計未來幾個月bit出貨量將恢復增長。智能手機客戶庫存動態符合預期，將帶動2025第三財季 mobile DRAM 和 NAND bit 出貨量增長。汽車 OEM、工業和消費

50、嵌入式客戶處于調整庫存水平的后期階段。圖圖21：存儲原廠庫存多數較高點有所回落（單位：億美元）存儲原廠庫存多數較高點有所回落（單位：億美元）圖圖22：美光庫存周轉天數較高峰期有明顯下降美光庫存周轉天數較高峰期有明顯下降 資料來源：wind，申港證券研究所 資料來源：閃存市場，申港證券研究所 國內模組和利基型存儲國內模組和利基型存儲等等行業行業存貨存貨顯示行業或將顯示行業或將見底見底回升回升。模組公司可以通過在價格較低時增加庫存來獲得更低成本，江波龍、佰維存儲、德明利 2024Q1 以來庫存處于較高水平，反映行業價格處于低位，同時，兆易創新、瀾起科技等存儲芯片和接口配套芯片公司庫存于 2023Q

51、2-Q3 開始下降至今已超過一年，綜合看行業或將見底回升。圖圖23：國內模組和利基型存儲國內模組和利基型存儲等存貨情況等存貨情況（單位：億元）（單位：億元）資料來源：wind，申港證券研究所 0501001502002503003504004502015一季2015三季2016一季2016三季2017一季2017三季2018一季2018三季2019一季2019三季2020一季2020三季2021一季2021三季2022一季2022三季2023一季2023三季2024一季2024三季三星電子SK海力士美光科技西部數據0.0010.0020.0030.0040.0050.0060.0070.008

52、0.0090.00100.00北京君正德明利瀾起科技江波龍佰維存儲兆易創新2018一季2018中報2018三季2018年報2019一季2019中報2019三季2019年報2020一季2020中報2020三季2020年報2021一季2021中報2021三季2021年報2022一季2022中報2022三季2022年報2023一季2023中報2023三季2023年報2024一季2024中報2024三季2024年報電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 14/21 證券研究報告 3.AI 驅動驅動存儲存儲需求需求 有望有望延續延續復蘇態勢復蘇態勢 AI 算力算力投資投資和端側應用需求延續，和端側應用需

53、求延續，帶動帶動存儲存儲位元需求位元需求擴容。擴容。隨著 AI 訓練和推理對算力需求的快速增長，數據中心對 HBM、大容量 DDR5 及企業級 SSD 的存儲需求同步增加，AI 與云服務成為存儲需求核心驅動力。根據金融界援引 Bloomberg 數據，2025 年 Meta、谷歌、亞馬遜和微軟合計資本開支預計達 2972 億美元，同比增長 36.8%。微軟在 2024 財年基礎設施投資已超 800 億美元，并明確未來三年保持同等投資強度，重點覆蓋 AI 算力需求。國內方面，云服務商和電信運營商算力資本開支有望維持和加碼，根據財聯社消息，阿里巴巴宣布未來三年將投入 3800 億元用于云和 AI

54、基礎設施。另外，根據 IT 之家及騰訊控股 2024 年第四季度及全年業績交流會消息，騰訊資本開支連續四個季度實現同比三位數增長，2024 年度突破 767 億元，同比增長 221%，創下歷史新高，公司 2024 年資本開支占營收比例 12%，2025 年指引為低雙位數。中國聯通年報顯示，公司2024年算力投資同比上升19%，2025年算力投資預計同比增長28%，公司預計固定資產投資在人民幣 550 億元左右，加快推進 IDC 向 AIDC、通算向智算升級。根據閃存市場預測數據，DRAM 位元需求 2025/2026 年分別有望同比增長15%/17%，NAND 位元需求 2025/2026 年

55、分別有望同比增長 12%/15%，同比增速較 2024 年有望加速。圖圖24：DRAM 市場規模展望市場規模展望 圖圖25：DRAM 位元需求持續增長位元需求持續增長 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 5197105020406080100120202320242025EDRAM市場規模（單位：十億美元）1962162502883371%10%16%15%17%0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%0501001502002503003504002022202320242025E2026EDRAM位元需求（單位：十億

56、Gb）同比增長電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 15/21 證券研究報告 圖圖26：NAND 市場規模市場規模展望展望 圖圖27：NAND Flash 位元需求同比增長位元需求同比增長 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 3.1 服務器服務器市場成市場成存儲需求存儲需求核心驅動力核心驅動力 3.1.1 服務器服務器存儲容量持續增長存儲容量持續增長 服務器市場已成為存儲產業發展的核心驅動力。服務器市場已成為存儲產業發展的核心驅動力。根據閃存市場數據，受益于 AI 的帶動，服務器市場已經成為存儲需求發展的核心驅動力，2024 年

57、服務器 NAND 的容量高增 108%，而服務器 DRAM 和 HBM 分別增長 24%和 311%，手機和 PC 市場相比 2024 年也將有所增長。2025 年服務器整機出貨量預計將繼續增長至 1330萬臺，其中 AI 服務器占比將達到 14%，進一步推高服務器的存儲配置。表表3：服務器存儲容量增長服務器存儲容量增長成為成為行業行業核心驅動力核心驅動力 各應用領域各應用領域存儲容量存儲容量同比增速同比增速 2024 2025E NAND Flash PC 0%8%Mobile 8%12%Server 108%10%DRAM PC -4%-1%Mobile 12%8%Server 24%21

58、%HBM 311%107%資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 40706401020304050607080202320242025ENAND Flash市場規模（單位：十億美元）0%5%10%15%20%25%0200400600800100012002022202320242025E2026ENAND Flash位元需求（單位：十億GB）同比增長電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 16/21 證券研究報告 圖圖28：2025-2026 年年 AI 服務器占比有望進一步擴大服務器占比有望進一步擴大 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 3.1.2 高端高端存儲技

59、術和產品存儲技術和產品加快落地加快落地 服務器平臺迭代帶動服務器平臺迭代帶動存儲產品存儲產品加快加快升級。升級。閃存市場數據顯示，在 CPU 的支持和訓練效率提升作用下，2025 年部分廠商的服務器 PCIe 5.0 的搭載率將達到 30%。在服務器 DRAM 方面，隨著后期 AMD 圖靈平臺的上市，預計 6400MT/s 的96GB/128GB 的 DDR5 在服務器市場將會迎來放量增長。同時，英偉達 GPU 架構由 Hopper 轉向 Blackwell 的再次升級，在 2025 年將帶動 HBM 從 HBM3 正式進入HBM3E，而在 2026 年 HBM4 的出現也會帶來更多定制化需求

60、。表表4：服務器架構升級帶動服務器架構升級帶動 HBM 代際提升代際提升 產品產品 HBM 代際代際 HBM 容量容量 帶寬帶寬 英偉達 GB200 HBM3e 384GB 16TB/s B200 HBM3e 192GB 8TB/s B100 HBM3e 192GB 8TB/s H200 HBM3 141GB 4.8TB/s H20 大顯存 HBM3 141GB 4.8TB/s H20 標準 HBM3 96GB 4.8TB/s H100 HBM3 80GB 3.35TB/s H800 HBM3 80GB 3.35TB/s A100 HBM2e 80GB 2TB/s A800 HBM2e 80G

61、B 2TB/s AMD MI300X HBM3 192GB 5.3TB/s 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 1313.614.211%14%18%0%2%4%6%8%10%12%14%16%18%20%12.412.612.81313.213.413.613.81414.214.420242025E2026E服務器出貨量（百萬臺）AI服務器占比電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 17/21 證券研究報告 圖圖29：預計預計 DRAM 應用方向中服務器和應用方向中服務器和 HBM 占比提高占比提高 圖圖30：預計預計 2025 年年 HBM 產值占比提升產值占比提升 資料來

62、源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所 行業龍頭行業龍頭美光美光調高調高2025年年HBM市場市場規模規模展望展望至至350億美元。億美元。根據閃存市場消息，美光發布FY2025Q2 財季業績后表示近期其大型超大規?？蛻糁厣炅嗽?2025年資本投資將實現同比強勁增長。預計 2025 年服務器出貨量將實現中個位數百分比增長，傳統服務器和 AI 服務器均將實現增長。公司預計 2025 年 HBM 總市場規模將達 350 億美元以上，比之前預估的 300 億美元有所提高，并預計 2025 年第四季度有望 HBM 份額達到與整體 DRAM 供應份額

63、相當的水平。公司表示其 2025 年 HBM已售罄，2026 年 HBM 市場需求將保持強勁態勢。目前公司已開始批量生產 HBM3E 12H，預計 2025 年下半年 HBM3E 12H 將占 HBM 總出貨量的絕大部分、HBM4 將于 2026 年實現量產。大容量存儲需求使大容量存儲需求使 QLC 產能占產能占比提高比提高，技術進步為存儲產，技術進步為存儲產業帶來新增長機遇業帶來新增長機遇。AI 的發展帶動存儲容量迅速擴張的同時，也對存儲性能提出更高要求，如大容量存儲的需求使得 QLC 時代提前到來。據閃存市場預計，2025 年 QLC 產能占比將接近 20%，并且在企業級 SSD 的大規模

64、量產以及手機存儲的突破性應用方面展現出巨大潛力。QLC 技術的快速發展，使 32TB 企業級 SSD 實現大規模量產，64TB/128TB的 QLC eSSD 已進入應用階段。預計 2025 年 QLC 將有超過 45%的產能用于服務器領域。除服務器和 PC 以外，手機端的 QLC 使用也將迎來突破，更多手機開始搭載 512GB 甚至 1TB 的 QLC UFS。高堆疊和高堆疊和先進先進制程在存儲技術路線上持續演進制程在存儲技術路線上持續演進，新形態產品不斷涌現，新形態產品不斷涌現。根據閃存市場消息，NAND 將繼續朝更高堆疊發展，2025 年將進入 300 層以上的時代，同時混合鍵合技術已成

65、為重要技術發展方向。DRAM 方面，2025 年會更多在 1c、1等制程上繼續升級。在數據中心領域，因低功耗運行需要，基于 LPDDR 的 LPCAMM、SOCAMM 等新形態存儲產品不斷涌現。32%30%34%36%5%9%0%20%40%60%80%100%120%20242025EMobileServerHBMPC和其他16%28%0%20%40%60%80%100%120%20242025EHBM產值占比其他電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 18/21 證券研究報告 圖圖31：3D DRAM 與與 NAND 等等技術路線技術路線 資料來源：閃存市場，電子工程專輯，申港證券研究所

66、3.2 AI 帶動終端應用領域存儲帶動終端應用領域存儲升級升級 3.2.1 AIPC、手機、手機快速滲透帶動快速滲透帶動新增需求新增需求 AI 手機比例提高對存儲容量和存儲方案手機比例提高對存儲容量和存儲方案等等產生新增需求。產生新增需求。AI 手機的出現為存儲市場注入了新的活力，根據閃存市場消息，預計 2025 年 AI 手機的比例將達到 30%，這將帶動手機存儲容量的顯著提升。同時，為了滿足超薄型智能手機的需求，集成式嵌入式存儲應用也呈現出一定的增長趨勢。AI加速了對更高性能LPDDR的需求，目前旗艦機 ePOP 方案均是 496ball 的 LPDDR5X。隨著 LPDDR6 的出現，L

67、PDDR5X 預計將下沉至中端手機，此外尺寸更小、成本也更有優勢的的 245ball LPDDR5/5X 也將具備較大的優勢。龍頭廠商展望移動端存儲出貨量年內將獲得環比改善。龍頭廠商展望移動端存儲出貨量年內將獲得環比改善。根據閃存市場消息，美光發布 FY2025Q2 財季業績后表示，Mobile 客戶持續優化庫存水平導致其 FY2025Q2收入環比減少，FY2025Q3 mobile DRAM 和 NAND bit 出貨量有望獲得環比增長。AI 應用的普及仍是推動 mobile DRAM 需求增長的重要動力，支持 AI 功能的旗艦手機 DRAM 容量普遍提升至 12GB 以上，而去年主流機型僅

68、為 8GB。智能手機OEM 廠商正采用公司行業領先的 9.6 Gbps LPDDR5X DRAM 來提升 AI 性能。圖圖32：預計預計 AIPC 快速滲透快速滲透 圖圖33：預計預計 AI 手機手機占比占比持續提高持續提高 資料來源：電子工程專輯，申港證券研究所 資料來源：電子工程專輯，申港證券研究所 15%35%45%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%50%24825025225425625826026226420242025E2026EPC出貨量（單位：百萬臺）AIPC占比10%30%50%0%10%20%30%40%50%60%1.161.171.181.191.

69、21.211.221.2320242025E2026E智能手機出貨量（單位：十億臺）AI手機占比電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 19/21 證券研究報告 AI PC 的快速滲透持續的快速滲透持續帶動高容量高性能存儲需求帶動高容量高性能存儲需求。AI PC 正在成為提升生產力效率的重要工具，根據閃存市場消息，預計 2025 年 AI PC 的比例將達到 35%，并且在 2026 年進一步增長至 45%。AI 向端側發展的趨勢已經確定，美光預計未來的 AI PC 將需要比當前 PC 多 80%的內存容量。PC 銷量增長同時，也對高性能存儲提出新需求。LPDDR5X 和 DDR5 成為 PC

70、DRAM 的主要應用，其中 LPCAMM2 這些形態的存儲產品也將提供更多選擇。預計隨著先進制程 PCIe 5.0 主控芯片的量產，SSD 功耗、散熱將得到有效的解決，PCIe 5.0 產品在 PC 上的應用或將加速。3.2.2 自動自動駕駛帶動駕駛帶動汽車汽車存儲存儲擴張擴張 根據閃存市場消息，隨著自動駕駛的普及率提升，存儲系統已從輔助部件蛻變為智能汽車的核心戰略資源，車用存儲迎來新的發展階段。從 eMMC 到 UFS 到 Auto SSD，汽車存儲技術的迭代速度明顯加快。美光數據顯示，先進的自動駕駛出租車平臺已配置超過 200GB 的 DRAM，比普通汽車中的 DRAM 高出 20 到 3

71、0 倍。隨著算力的提升和功能的豐富，汽車存儲的帶寬需求也在急劇增加，這為存儲產業在汽車領域的拓展提供了廣闊的空間。4.投資建議投資建議 我們認為，隨著存儲上游控產、庫存消化，以及 AI 應用擴大帶來企業數據中心 eSSD、大模型本地部署和終端換機等新增需求，行業供需關系或將逐步改善，存儲價格和需求有望逐步回升。建議關注佰維存儲、德明利、江波龍等存儲模組公司，兆易創新、北京君正、普冉股份、東芯股份、瀾起科技、聚辰股份等端側存儲和芯片設計企業。5.風險提示風險提示 貿易摩擦加劇，需求復蘇不及預期，產能擴張不及預期，競爭加劇 電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 20/21 證券研究報告 分析師承

72、諾分析師承諾 負責本研究報告全部或部分內容的每一位證券分析師，在此申明，本報告的觀點、邏輯和論據均為分析師本人獨立研究成果，引用的相關信息和文字均已注明出處，不受任何第三方的影響和授意。本報告依據公開的信息來源，力求清晰、準確地反映分析師本人的研究觀點。本人薪酬的任何部分過去不曾與、現在不與，未來也將不會與本報告中的具體推薦或觀點直接或間接相關。風險提示風險提示 本證券研究報告所載的信息、觀點、結論等內容僅供投資者決策參考。在任何情況下，本公司證券研究報告均不構成對任何機構和個人的投資建議，任何形式的分享證券投資收益或者分擔證券投資損失的書面或口頭承諾均為無效。市場有風險，投資者在決定投資前，

73、務必要審慎。投資者應自主作出投資決策，自行承擔投資風險。電子行業點評 敬請參閱最后一頁免責聲明 21/21 證券研究報告 免責聲明免責聲明 申港證券股份有限公司（簡稱“本公司”）是具有合法證券投資咨詢業務資格的機構。本報告所載資料的來源被認為是可靠的，但本公司不保證其準確性和完整性，也不保證所包含的信息和建議不會發生任何變更。申港證券研究所已力求報告內容的客觀、公正，但報告中的觀點、結論和建議僅供參考，不構成所述證券的買賣出價或征價，不構成其他投資標的的要約和邀請，亦不構成任何合約或承諾的基礎。投資者不應單純依靠本報告而取代自身獨立判斷，應自主作出投資決策并自行承擔投資風險，投資者據此做出的任

74、何投資決策與本公司和作者無關。本公司并不對使用本報告所包含的材料產生的任何直接或間接損失或與此相關的其他任何損失承擔任何責任。本報告所載資料、意見及推測僅反映申港證券研究所于發布本報告當日的判斷，本報告所指證券或投資標的的價格、價值及投資收入可能會產生波動，在不同時期，申港證券研究所可能會對相關的分析意見及推測做出更改。本公司及其所屬關聯機構可能會持有報告中提到的公司所發行的證券頭寸并進行交易，也可能為這些公司提供或者爭取提供投資銀行、財務顧問或者金融產品等相關服務。本報告僅面向申港證券客戶中的專業投資者及風險承受能力為 C3、C4、C5 的普通投資者，本公司不會因接收人收到本報告而視其為當然

75、客戶。本報告版權歸本公司所有，未經事先許可，任何機構和個人不得以任何形式翻版、復制和發布。如轉載或引用，需注明出處為申港證券研究所，且不得對本報告進行有悖原意的引用、刪節和修改，否則由此造成的一切不良后果及法律責任由私自翻版、復制、發布、轉載和引用者承擔。投資投資評級評級說明說明 申港證券行業評級申港證券行業評級說明說明：增持、中性、減持：增持、中性、減持 增持 報告日后的 6 個月內，相對強于市場基準指數收益率 5以上 中性 報告日后的 6 個月內，相對于市場基準指數收益率介于-5+5之間 減持 報告日后的 6 個月內，相對弱于市場基準指數收益率 5以上（基準指數說明：A 股市場基準為滬深 300 指數；香港市場基準為恒生指數；美國市場基準為標普 500 指數或納斯達克指數。）申港證券公司評級申港證券公司評級說明說明：買入、增持、中性、減持：買入、增持、中性、減持 買入 報告日后的 6 個月內，相對強于市場基準指數收益率 15以上 增持 報告日后的 6 個月內，相對強于市場基準指數收益率 515之間 中性 報告日后的 6 個月內，相對于市場基準指數收益率介于-5+5之間 減持 報告日后的 6 個月內，相對弱于市場基準指數收益率 5以上（基準指數說明：A 股市場基準為滬深 300 指數；香港市場基準為恒生指數；美國市場基準為標普 500 指數或納斯達克指數。）