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1、行 業 研 究 2024.07.28 1 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 電 子 行 業 專 題 報 告 看好國產存儲供應鏈機遇材料篇 分析師 鄭震湘 登記編號：S1220523080004 佘凌星 登記編號：S1220523070005 劉嘉元 登記編號：S1220523080001 行 業 評 級:推 薦 公 司 信 息 上市公司總家數 512 總股本(億股)5,460.43 銷售收入(億元)13,148.90 利潤總額(億元)693.81 行業平均 PE 125.69 平均股價(元)24.72 行 業 相 對 指 數 表 現 數據來源：wind 方正證券研究所

2、 相 關 研 究 DUV 時代刻蝕和沉積設備重要性凸顯2024.07.26 看好國產存儲供應鏈機遇設備篇2024.07.08 模擬芯片庫存拐點已至，AI 拉動電源相關需求2024.06.21 中國科技企業新估值體系的探討2024.06.13 我們看好國產內存及供應鏈機遇：我們看好國產內存及供應鏈機遇：1 1）本輪半導體周期低點已過，全球及國產存本輪半導體周期低點已過，全球及國產存儲廠商產品價格、稼動率已逐步修復。儲廠商產品價格、稼動率已逐步修復。2024 年 DRAM 廠商資本開支同比重返增長，同時我們看到 ASML 等海外設備龍頭來自存儲下游的訂單占比提升。2 2）HBMHBM供不應求，先進

3、封裝帶動封測供應鏈升級。供不應求，先進封裝帶動封測供應鏈升級。3 3）中國大陸中國大陸 DRAMDRAM 投片量占全球比投片量占全球比重僅約重僅約 10%10%，顯著低于中國大陸半導體銷售額全球占比約 30%的水平，大基金三期落地，DRAM 自主化需求空間廣闊。4 4）堅定堅定不移推進集成電路產業鏈自主可不移推進集成電路產業鏈自主可控，半導體設備控，半導體設備、材料、材料國產化加速滲透。國產化加速滲透。半導體材料行業具有耗材屬性，全球市場處于穩步增長趨勢，國產各類材料持半導體材料行業具有耗材屬性，全球市場處于穩步增長趨勢，國產各類材料持續突破。續突破。短期維度，下游晶圓廠稼動率低點已過，隨稼動

4、率回升，材料公司業績逐步修復，中長期維度，1）晶圓產能持續擴充，材料市場空間高彈性。2）國產供應商料號種類、份額仍有較大完善、提升空間。3）拓寬電子材料品類布局，打開多個增長曲線。因此我們堅定看好國內半導體材料行業。前驅體：前驅體：先進薄膜沉積工藝核心材料先進薄膜沉積工藝核心材料。得益于 7nm 以下邏輯產能提升、3D NAND堆疊層數增加及 DRAM 制造發展至 EUV 光刻，疊加算力驅動 HBM 需求高增。TECHCET 預計 2024 年全球前驅體市場規模同比增長 15至近 17 億美金。默克、法液空兩家占據全球超 6 成市場，國內雅克科技供貨 SK 海力士等全球客戶的同時引領國產化進程

5、，南大光電、正帆科技等在產品端逐步突破。CMPCMP 耗材：制程節點升級、存儲耗材：制程節點升級、存儲 3D3D 堆疊趨勢推動需求增長堆疊趨勢推動需求增長。TECHCET 預計 2024年全球 CMP 耗材市場規模增長至 35 億美金。美國的杜邦和卡博特（已被英特格收購）分別占據 CMP 拋光墊、CMP 拋光液份額首位。國內鼎龍股份、安集科技在 CMP 耗材領域多維度（核心原材料、細分品類等）實現規模量產，有望充分受益 NAND 三維化層數增加帶來的市場擴容。光刻膠：高端產品國產化率極低環節。光刻膠：高端產品國產化率極低環節。光刻膠作為光刻工藝中最關鍵材料，對集成電路制造工藝有重要影響。TEC

6、HCET 預計 2024 年全球集成電路光刻膠市場規模 25.7 億美金。全球市場被日本信越化學、TOK、JSR、美國杜邦等高度壟斷，國產廠商目前量產產品主要圍繞 G/I 線，高端的 KrF 和 ArF 光刻膠領域，彤程新材 2023 年半導體用 KrF 光刻膠產品銷售同比飛速增長，2024 年上半年 ArF 光刻膠已經在國內龍頭芯片企業量產出貨，并將進入逐漸放量階段。鼎龍股份、晶瑞電材等公司亦著力攻克高端 KrF/ArF 光刻膠自主化難關。電子特氣：應用場景廣泛，國產化空間廣闊。電子特氣：應用場景廣泛，國產化空間廣闊。電子特氣品類眾多，廣泛應用于薄膜、刻蝕、摻雜、氣相沉積、擴散等工藝。TEC

7、HCET 預計 2024 年半導體電子氣體市場將增長約 10%達到 65.9 億美元。國內華特氣體、金宏氣體、中船特氣、雅克科技、正帆科技等廠商在產品和模式維度錯位競爭，共同推進國產化進程。硅片：半導體材料第一大市場，供需硅片：半導體材料第一大市場，供需修復中修復中。2024 年全球晶圓制造硅片（不含SOI）市場規模超過 120 億美金。根據 SUMCO 的估計，12 英寸硅片客戶的庫存周轉天數已經在 2024 年初開始下降，未來隨著 AI 帶動的服務器、PC、手機等終端硅含量、銷量的提升，供需情況將有望逐步改善。半導體封裝材料：半導體封裝材料：ICIC 封裝載板、電鍍液等環節受益先進封裝大趨

8、勢封裝載板、電鍍液等環節受益先進封裝大趨勢。先進封裝作為延續摩爾定律的重要途徑，全球擴產加速，國產供應鏈亦深度受益。投資建議：投資建議：見第九章內容。風險提示風險提示：國產替代進展不及預期，全球貿易紛爭影響，行業競爭加劇。-30%-23%-16%-9%-2%5%23/7/28 23/10/9 23/12/21 24/3/324/5/15 24/7/27電子滬深300電子 行業專題報告 2 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 正文目錄 1 半導體材料：耗材屬性，多點開花.6 2 前驅體：薄膜沉積核心材料，HBM 帶動增量需求.12 2.1 前驅體：先進薄膜沉積工藝核心

9、材料.12 2.2 海外龍頭引領全球市場，雅克前驅體國內外均有布局.14 3 CMP 耗材：制程升級+層數增加，市場擴容.17 3.1 CMP 拋光墊：鼎龍股份率先突破，國內領先.22 3.2 CMP 拋光液/清洗液：安集科技不斷完善品類.25 4 IC 光刻膠：國產化率極低，日本廠商高度壟斷.28 5 電子氣體：應用場景廣泛，國產化空間廣闊.32 6 硅片：供需修復中，國產廠商奮起直追.36 7 IC 封裝基板：封裝材料占比最高環節.40 7.1 封裝基板集成電路封裝關鍵載體.40 7.2 工藝難度提升，ABF 載板技術壁壘高企.42 7.3 海外廠商壟斷 ABF 市場，封裝基板國產化提速.

10、45 8 電鍍液：半導體封裝關鍵環節，深度受益先進封裝趨勢.51 9 投資建議.53 10 風險提示.53 bU9WcWcWbUeZbZdX7NdN8OsQpPtRrNiNoOrOeRpMpP8OoPmMNZmMqRvPnPxP電子 行業專題報告 3 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表目錄 圖表 1:晶圓制造各環節材料市場份額.6 圖表 2:半導體材料運用于前道至后道的各個環節.6 圖表 3:全球半導體材料市場規模（百萬美金）.7 圖表 4:半導體材料是半導體產業的重要支撐.7 圖表 5:材料核心公司 2023 年及 2024 年一季度財務情況.8 圖表 6:

11、材料核心公司季度營收合計及增速.8 圖表 7:材料核心公司年度營收合計及增速.8 圖表 8:材料核心公司季度歸母凈利潤合計及增速.9 圖表 9:材料核心公司年度歸母凈利潤合計及增速.9 圖表 10:材料公司半導體材料業務 2018-2023 年營業收入及復合增速（百萬元）.9 圖表 11:半導體材料行業綜合毛利率、歸母凈利率水平.10 圖表 12:部分材料公司 2022 年和 2023 年人均創收（萬元）.10 圖表 13:部分材料公司 2022 年和 2023 年人均創利（萬元）.10 圖表 14:材料行業公司 2018-2023 年研發費用合計及占營收合計比重.11 圖表 15:前驅體在

12、ALD 工藝中的作用.12 圖表 16:前驅體在 CVD 工藝中的作用.12 圖表 17:ALD 工藝優勢.12 圖表 18:全球前驅體市場規模預測（百萬美金）.13 圖表 19:全球存儲器市場規模及增速（百萬美金）.13 圖表 20:歷代 HBM 產品發布及量產時間線.14 圖表 21:SK 海力士 HBM 產品參數對比.14 圖表 22:2022 年前驅體材料市場企業排名.15 圖表 23:UP Chemical 前驅體產品.15 圖表 24:UP Chemical R&D.15 圖表 25:HBM 市場規模變動預估.16 圖表 26:CMP 拋光工藝過程.17 圖表 27:CMP 拋光原

13、理.17 圖表 28:CMP 在芯片制造過程中的應用.18 圖表 29:CMP 拋光材料產業鏈.18 圖表 30:CMP 材料市場需求預測（百萬美元）.19 圖表 31:全球 12 英寸晶圓廠產能（月/萬片）.20 圖表 32:分地區全球 12 英寸晶圓產能占比.20 圖表 33:2019-2023 建造新晶圓廠.20 圖表 34:2021-2023 分地區新增晶圓廠數量.20 圖表 35:臺積電先進節點時間線.21 圖表 36:全球六大邏輯晶圓廠先進制程進展情況.21 圖表 37:全球晶圓產能制程節點分布.21 圖表 38:CMP 拋光步驟隨制程升級而增加.21 圖表 39:存儲芯片升級 C

14、MP 次數增長.21 圖表 40:先進器件的 CMP 步驟.22 圖表 41:CMP 拋光墊種類.22 圖表 42:CMP 硬墊工作結構圖.23 圖表 43:CMP 軟墊工作結構圖.23 圖表 44:CMP 拋光墊不同溝槽圖案.23 圖表 45:2015 年 CMP PAD 市場格局.24 電子 行業專題報告 4 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表 46:2022 年 CMP PAD 市場格局.24 圖表 47:拋光液種類.25 圖表 48:2021 年各類 CMP 拋光液占比.26 圖表 49:CMP Slurry 生產過程.26 圖表 50:全球 CMP

15、清洗液市場規模（百萬美元）.26 圖表 51:安集拋光液進展.27 圖表 52:光刻工藝過程.28 圖表 53:光刻膠原材料含量.28 圖表 54:分應用光刻膠占比.29 圖表 55:全球光刻膠細分市場.29 圖表 56:光刻膠細分領域市場格局.30 圖表 57:電子氣體在半導體工藝中的應用.32 圖表 58:全球電子特氣下游需求占比.33 圖表 59:中國電子特氣下游需求占比.33 圖表 60:全球電子氣體市場規模（百萬美金）.33 圖表 61:中國電子氣體市場規模（億元）.34 圖表 62:中國集成電路對電子特氣需求市場規模預測（億元）.34 圖表 63:2020 年全球電子氣體市場份額.

16、34 圖表 64:國產電子氣體企業進展.35 圖表 65:半導體硅片的制造流程（以拋光片和外延片為例）.36 圖表 66:全球硅片市場規模.37 圖表 67:全球硅片季度出貨量.37 圖表 68:12 英寸硅片全球產能和需求.38 圖表 69:200mm 硅晶圓出貨情況.38 圖表 70:300mm 硅晶圓出貨情況.38 圖表 71:SUMCO 預測的 12 英寸硅片客戶庫存.39 圖表 72:中國大陸硅片公司進展.39 圖表 73:2022 年封裝材料市場.40 圖表 74:PCB 分產品市場空間及結構.41 圖表 75:先進封裝份額持續提升.41 圖表 76:存儲芯片封裝技術亦不斷升級.4

17、1 圖表 77:PCB 減成法工藝流程.42 圖表 78:PCB 半加成法工藝流程.42 圖表 79:半加成法工藝流程.42 圖表 80:PCB 工藝流程線路對比.43 圖表 81:ABF 基板制造工藝流程.44 圖表 82:芯片制程提升基板生產難度增加.45 圖表 83:IC 封裝基板分產品市場空間及下游應用情況.46 圖表 84:服務器單芯片 ABF 價值量遠高于 PC.46 圖表 85:IBIDEN 半加成法產品面積翻倍增長.46 圖表 86:ABF 薄膜.47 圖表 87:英特爾和 AMD 使用 ABF 基板的 MPU 收入（億美元）.47 圖表 88:2020-2021 年 ABF

18、基板市場格局.48 圖表 89:2021 年全球 IC 載板企業占比情況.48 圖表 90:全球 IC 封裝基板部分廠商擴產情況.48 圖表 91:興森 CSP 基板技術路線圖.49 圖表 92:興森科技 CSP 基板發展歷程.49 電子 行業專題報告 5 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表 93:興森 CSP 基板關鍵工藝.49 圖表 94:中國封裝用濕化學品市場規模(單位:億元).51 圖表 95:全球半導體電鍍材料市場規模(單位：百萬美元).51 圖表 96:先進封裝 Bumping 工藝示意圖.51 電子 行業專題報告 6 敬 請 關 注 文 后 特

19、別 聲 明 與 免 責 條 款 s 1 半導體材料：耗材屬性，多點開花 半導體材料行業具有耗材屬性，全球市場處于穩步增長趨勢，國產各類材料持續半導體材料行業具有耗材屬性，全球市場處于穩步增長趨勢，國產各類材料持續突破。短期維度，突破。短期維度，下游晶圓廠稼動率低點已過，隨稼動率回升，材料公司業績逐步修復，中長期維度，中長期維度，1 1）晶圓產能持續擴充，材料市場空間高彈性。2 2）國產供應商料號種類、份額仍有較大完善、提升空間。3 3）拓寬電子材料品類布局，打開多個增長曲線。因此我們堅定看好國內半導體材料行業。圖表1:晶圓制造各環節材料市場份額 資料來源：SEMI，方正證券研究所 圖表2:半導

20、體材料運用于前道至后道的各個環節 資料來源：方正證券研究所整理 硅片,32.9%氣體,14.1%光掩模,12.6%拋光液與拋光墊,7.2%光刻膠配套試劑,6.9%光刻膠,6.1%濕化學品,4.0%濺射靶材,3.0%其他,13.2%擴散擴散光刻光刻刻蝕刻蝕離子注入離子注入薄膜薄膜沉積沉積拋光拋光CMPCMP金屬化金屬化硅片硅片特種氣體特種氣體顯影液顯影液特種氣體特種氣體掩膜版掩膜版晶圓制造環節晶圓制造環節背面減薄背面減薄晶圓切割晶圓切割貼片貼片引線鍵合引線鍵合模塑模塑電鍍電鍍切筋切筋/成型成型芯片封裝環節芯片封裝環節特種氣體特種氣體光刻膠光刻膠特種氣體特種氣體刻蝕液刻蝕液清洗液清洗液特種氣體特種

21、氣體清洗液清洗液特種氣體特種氣體清洗液清洗液靶材靶材清洗液清洗液拋光液拋光液特種氣體特種氣體靶材靶材電鍍液電鍍液清洗液清洗液終測終測分選分選探針探針封裝封裝藍膜藍膜砂輪砂輪研磨液研磨液粘膜粘膜劃片液劃片液引引線框線框 基板基板環氧樹脂環氧樹脂焊料焊料特種氣體特種氣體金金/銅線銅線特種氣體特種氣體塑封料塑封料膠膠模具模具特種氣體特種氣體電鍍液電鍍液電子 行業專題報告 7 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 2 202024 4 年全球半導體材料市場規?；驅⒃賱撔赂?，達約年全球半導體材料市場規?；驅⒃賱撔赂?，達約 7 73030 億美金。億美金。根據 TECHCET數據

22、及預測，盡管 2023 年全球經濟放緩緩解了半導體供應鏈緊張問題，但長期來看全球晶圓廠擴張及新器件技術的應用將持續推動材料市場的增長：2023 年全球半導體材料市場同比下滑 6%，但將在 2024 年同比增長近 7%達到約 730 億美元；預計 2028 年市場規模將達到 880 億美元以上。圖表3:全球半導體材料市場規模（百萬美金）資料來源：TECHCET，方正證券研究所 圖表4:半導體材料是半導體產業的重要支撐 資料來源：安集科技年報，SEMI，WSTS，SIA，方正證券研究所 中國大陸半導體材料市場全球占比逐步提升。中國大陸半導體材料市場全球占比逐步提升。根據 SEMI，強勁的下游需求及

23、晶圓產能的擴張驅動 2021 年全球半導體材料市場規模同比增長 15.9%達 643 億美金新高。分地域來看，中國大陸半導體材料市場規模近幾年在全球的占比持續提升，2021 年占全球比重提升至 18.6%，已成為僅次于中國臺灣省的全球第二大區域。20232023 年半導體材料公司利潤短期承壓。年半導體材料公司利潤短期承壓。2023 年半導體材料公司（滬硅產業、雅克科技、立昂微、興森科技、鼎龍股份、彤程新材、南大光電、安集科技、金宏氣體、上海新陽、晶瑞電材、華特氣體、天承科技）營業總收入合計達到 313.1電子 行業專題報告 8 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 億

24、元，同比略增 0.7%，歸母凈利潤合計 30.1 億元，同比減少 23.7%。綜合毛利率 29.2%，歸母凈利率 9.6%。晶圓廠稼動率低點已過，半導體材料營收業績修復進行時。晶圓廠稼動率低點已過，半導體材料營收業績修復進行時。十三家材料公司 24Q1營收合計 84.2 億元，同比提升 17.8%，環比提升 3.4%，合計歸母凈利潤 5.9 億元，同比下降 24.3%，環比提升 78.8%。半導體材料公司利潤短期承壓主要原因是晶圓廠去庫存、稼動率低帶來的不利影響。同時我們看到營收季度同環比呈上升趨勢，隨著未來下游需求逐步恢復，我們認為材料公司業績已經在逐步修復過程中。圖表5:材料核心公司 20

25、23 年及 2024 年一季度財務情況 資料來源：Wind，方正證券研究所，營收/歸母凈利潤/研發費用單位:億；人均創收/創利單位萬元 圖表6:材料核心公司季度營收合計及增速 圖表7:材料核心公司年度營收合計及增速 資料來源：Wind，方正證券研究所 資料來源：Wind，方正證券研究所 -10%0%10%20%30%40%50%60%010203040506070809020Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1營業收入（億元）yoy145.0158.5187.2264.8310.9313.19.3%

26、18.1%41.5%17.4%0.7%0%5%10%15%20%25%30%35%40%45%050100150200250300350201820192020202120222023營業收入合計（億元）yoy電子 行業專題報告 9 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表8:材料核心公司季度歸母凈利潤合計及增速 圖表9:材料核心公司年度歸母凈利潤合計及增速 資料來源：Wind，方正證券研究所 資料來源：Wind，方正證券研究所 抽絲剝繭，電子材料營收抽絲剝繭，電子材料營收 20182018 年以來保持高增速。年以來保持高增速。由于多數國產半導體材料廠商擁有除電子材

27、料以外的業務，且部分廠商非電子材料業務營收占比較高，我們將行業公司分產品營收進行詳細拆分，2023 年 19 家公司電子材料業務營收達到215.4 億人民幣，2018-2023 年 CAGR 28.7%。其中滬硅產業、鼎龍股份、彤程新材、南大光電復合增速超 40%，表現亮眼。圖表10:材料公司半導體材料業務 2018-2023 年營業收入及復合增速（百萬元）資料來源：Wind，方正證券研究所（注：無完整數據的公司 CAGR 用已有數據計算）產品結構優化有望帶動盈利能力提升。產品結構優化有望帶動盈利能力提升。2023年半導體材料公司綜合毛利率29.2%，同比下降 2.6%。多數半導體材料公司由非

28、半導體傳統主業出發，向半導體材料延伸，近年來隨著半導體業務放量，營收結構持續優化，后續隨著新料號新產品布局，我們認為行業公司產品結構優化有望驅動行業盈利水平穩步向上。-100%-50%0%50%100%150%200%0246810121420Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q1歸母凈利潤（億元）yoy16.016.224.131.539.530.11.1%48.5%30.8%25.2%-23.7%-30%-20%-10%0%10%20%30%40%50%60%0510152025303540452

29、01820192020202120222023歸母凈利潤合計（億元）yoy電子 行業專題報告 10 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表11:半導體材料行業綜合毛利率、歸母凈利率水平 資料來源：Wind，方正證券研究所 半導體材料公司人均創收初具規模，持續研發投入拓品類。半導體材料公司人均創收初具規模，持續研發投入拓品類。安集科技、彤程新材年人均創收均已超過 200 萬規模。研發投入方面，13 家材料公司 2018-2023 年 6年合計研發費用 89.6 億元，研發費用率持續提升。圖表12:部分材料公司 2022 年和 2023 年人均創收（萬元）資料來源：W

30、ind，方正證券研究所 圖表13:部分材料公司 2022 年和 2023 年人均創利（萬元）資料來源：Wind，方正證券研究所 34.0%33.2%31.1%30.1%31.8%29.2%11.6%10.2%12.8%11.9%12.7%9.6%0%5%10%15%20%25%30%35%40%201820192020202120222023綜合毛利率歸母凈利率68.8 69.3 93.1 97.3 126.5 130.9 134.0 134.2 156.2 161.7 183.2 255.3 264.5 84.085.0130.992.6172.7142.2183.4188.5282.027

31、2.2218.9257.7325.30.050.0100.0150.0200.0250.0300.0350.0鼎龍股份興森科技立昂微金宏氣體華特氣體南大光電上海新陽滬硅產業晶瑞電材雅克科技天承科技彤程新材安集科技2022202325.226.47.311.014.09.717.814.46.924.032.126.776.51.82.32.75.77.812.614.416.318.419.831.735.386.10.010.020.030.040.050.060.070.080.090.0100.0晶瑞電材立昂微興森科技鼎龍股份滬硅產業金宏氣體華特氣體南大光電上海新陽雅克科技天承科技彤程新

32、材安集科技20232022電子 行業專題報告 11 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表14:材料行業公司 2018-2023 年研發費用合計及占營收合計比重 資料來源：Wind，方正證券研究所 4.3 8.5 11.5 18.1 21.7 25.5 3.6%5.5%6.2%6.9%7.0%8.2%0%1%2%3%4%5%6%7%8%9%051015202530201820192020202120222023研發費用（億元）研發費用率電子 行業專題報告 12 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 2 前驅體：薄膜沉積核心材料，HBM 帶

33、動增量需求 2.1 前驅體：先進薄膜沉積工藝核心材料 前驅體主要用于前驅體主要用于化學氣象化學氣象薄膜沉積工藝，包括薄膜沉積工藝，包括 ALDALD 和和 CVDCVD 兩種成膜技術。兩種成膜技術。ALD（原子層沉積，Atomic Layer Deposition）是高度精確且可控的薄膜制造工藝。通過將氣相前驅體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上吸附、反應而形成薄膜，在前驅體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清掃，然后循環往復形成多層薄膜。CVD 利用氣態物質通過化學反應在基底表面形成固態薄膜。ALD 的特點包括的優點是可以做到精確的薄膜厚度控制，薄膜的均勻性和同質性得到有力保證，具

34、備大面積沉積能力等。CVD 的特點包括成膜速率較高、薄膜純度高、致密性好、應力小以及表面平滑等。圖表15:前驅體在 ALD 工藝中的作用 圖表16:前驅體在 CVD 工藝中的作用 資料來源：公司公告，方正證券研究所 資料來源：公司公告，方正證券研究所 ALDALD 具有出色的均勻性、極好的保護性和原子級的光滑度。具有出色的均勻性、極好的保護性和原子級的光滑度。由于 ALD 是一種利用有序、表面自飽和反應的化學氣相薄膜沉積技術。在 ALD 工藝中，每次反應雖然不完全是沉積的單個原子層，但可以非常精確地控制薄膜的厚度，并在晶圓上實現優異的均勻性。此外 ALD 能夠制造與晶圓形狀高度吻合的薄膜層，而

35、且器件圖形的頂部、側面和底部都沉積相同厚度的膜，這種出色的保形性對于形成高縱橫比和 3D 結構至關重要。最后，ALD 產生的膜表面具有易于控制的化學成分，因此可以達到原子級的光滑度。圖表17:ALD 工藝優勢 資料來源：泛林集團，方正證券研究所 電子 行業專題報告 13 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 線寬縮小，深寬比增加，線寬縮小，深寬比增加，A ALDLD 重要性日益凸顯。重要性日益凸顯。ALD 最初由芬蘭科學家提出并應用于制造多晶熒光材料 ZnS:Mn 和非晶 Al2O3 絕緣膜，主要用于面板制造。然而，由于表面化學過程復雜且沉積速度較慢，在上世紀 80

36、年代中后期，該技術并沒有取得實質性的突破。到了 20 世紀 90 年代中期，隨著微電子和深亞微米芯片技術的發展，要求器件和材料的尺寸不斷縮小，器件中的深寬比也不斷增加，因此所使用的材料厚度降低到幾個納米的數量級。ALD 能夠以原子級精度控制薄膜的厚度，同時保持優異的均勻性和覆蓋率，滿足高度集成的微電子器件對材料性能的嚴格要求。制程節點結構升級、存儲制程節點結構升級、存儲 3D3D 堆疊趨勢推動前驅體需求。堆疊趨勢推動前驅體需求。得益于 7nm 以下邏輯產能提升、3D NAND 堆疊層數增加以及 DRAM 制造發展到 EUV 光刻，根據 TECHCET 統計數據，2021 年全球總體原子層沉積（

37、ALD）/化學氣相沉積（CVD）前驅體市場同比增長 21達到 13.9 億美元，預計在 2022 年增長 12至近 15.6 億美元。分品類來看，隨著整個產業對 ALD/CVD 工藝新材料需求日益增長，半導體前驅體市場規模持續增長，TECHCET 預計金屬類前驅體未來 5 年復合增速為 7%，High K 前驅體 CAGR 5%，介電材料前驅體 CAGR 達到 8%。圖表18:全球前驅體市場規模預測（百萬美金）圖表19:全球存儲器市場規模及增速（百萬美金）資料來源：TECHCET，方正證券研究所 資料來源：Wind，方正證券研究所 HBMHBM 產品加速迭代，前驅體用量提升產品加速迭代，前驅體

38、用量提升。自 2014 年首款硅通孔 HBM 產品問世至今，HBM 技術已經發展至第四代，最新的 HBM3 帶寬、堆疊高度、容量、I/O 速率等較初代均有多倍提升，HBM 迭代速度加快，SK 海力士于 2021 年 10 月宣布成功開發出容量為 16GB 的 HBM3 DRAM，2022 年 6 月初即宣布量產。2023 年 4 月，SK 海力士官網再次宣布已成功開發出垂直堆疊 12 顆 DRAM 芯片、容量高達 24GB 的 HBM3新品。2023 年 8 月，SK 海力士宣布開發出全球參數最領先的 HBM3e 產品，單顆HBM 容量提升至 HBM3 的 1.5 倍，帶寬提升 1.4 倍的同

39、時，功耗為上一代的 0.9 倍（pJ/bit）。2024 年 3 月，SK 海力士開始大規模量產 HBM3e，英偉達 H200 及 GB200均會搭載 HBM3e 產品。SK 海力士預計將會在 2026 年量產下一代 HBM4 產品。隨著HBM 堆疊 DRAM 裸片數量逐步增長到 8 層、12 層、16 層，對前驅體材料的需求也將快速增長。-60%-40%-20%0%20%40%60%80%020,00040,00060,00080,000100,000120,000140,000160,000180,0001999200120032005200720092011201320152017201

40、920212023E全球存儲器市場規模yoy電子 行業專題報告 14 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表20:歷代 HBM 產品發布及量產時間線 資料來源：各公司官網，方正電子繪制，方正證券研究所 圖表21:SK 海力士 HBM 產品參數對比 資料來源：SK 海力士，方正證券研究所 2.2 海外龍頭引領全球市場，雅克前驅體國內外均有布局 國外企業深耕領域已久，市場集中度較高國外企業深耕領域已久，市場集中度較高。半導體前驅體材料具有技術門檻高、開發難度大的特點，目前全球半導體工藝用的前驅體供應廠商主要為海外企業，主要包括德國默克，法國液化空氣，美國英特格，日本

41、Tri Chemical，韓國 Soul-Brain、DNF、Hansol Chemical 等。國內企業在半導體前驅體材料領域發展較晚，目前國內主要半導體前驅體材料供應商有雅克科技、南大光電、中巨芯等；2022年默克市場份額為 33.48%，液化空氣市場份額為 29.6%，SK Material 市場份額近 7%。整體來看，半導體前驅體市場高度集中，全球前三企業市場份額高達 70%；中國作為半導體用前驅體主要市場之一，根據新思界產業研究中心、QY Research統計，2021 年以上三家公司國內合計市占率達 76%，進口替代市場廣闊。電子 行業專題報告 15 敬 請 關 注 文 后 特 別

42、 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表22:2022 年前驅體材料市場企業排名 資料來源：QY Research，方正證券研究所 雅克科技雅克科技收購韓國收購韓國 UP ChemicalUP Chemical 切入切入前驅體業務領域前驅體業務領域，國內外市場雙輪驅動。，國內外市場雙輪驅動。2016 年雅克聯合國家集成電路產業大基金等成立江蘇先科，收購韓國前驅體廠商UP Chemical，2018 年 4 月雅克實現了對 UP Chemical 的 100%控股。江蘇先科和UP chemical 積極開拓國內、國際兩個市場，不斷拓展新客戶和新產品的應用。其中 UP Chemical 是全球領先的

43、半導體級 SOD 和前驅體產品供應商，是 SK 海力士的核心供應商，并與三星電子、美光等國際大廠保持長期穩定合作關系，技術積累與客戶資源豐富。根據 QY Research 統計，2022 年半導體用前驅體市占率 UP Chemical 排名第四。圖表23:UP Chemical 前驅體產品 圖表24:UP Chemical R&D 資料來源：UP Chemical 官網，方正證券研究所 資料來源：UP Chemical 官網，方正證券研究所 產品品類豐富，公司是全球領先的前驅體供應商之一。產品品類豐富，公司是全球領先的前驅體供應商之一。公司產品在 DRAM 可以滿足全球最先進存儲芯片制程 1b

44、、200X 層以上 NAND、邏輯芯片 3 納米的量產供應。前驅體材料擁有自主知識產權并獲得多項國際發明專利，產品種類豐富，覆蓋硅類前驅體、High-K 前驅體、金屬前驅體，可以靈活根據下游客戶的不同工藝選擇不同結構的產品，定制化滿足不同客戶的產線需求。前驅體成熟產品，在國際領先的半導體客戶實現量產供應多年，完全滿足國內所有技術節點的客戶需求，主流產品國內進入放量階段，產品銷量和競爭力穩居市場前列。其中，投資 20.15電子 行業專題報告 16 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 億元的江蘇先科宜興生產基地已具備本地化供應能力，前驅體部分產能可達 4-500 噸/年

45、，可匹配大客戶擴產需求。HBMHBM 市場三分天下，雅克科技前驅體材料供貨龍頭。市場三分天下，雅克科技前驅體材料供貨龍頭。從市場格局來看，HBM 的市場份額仍由三大家所主導。根據 TrendForce，2022 年全年 SK 海力士占據了 HBM全球市場規模的 50%。其次是三星，占 40%，美光占 10%。TrendForce 預測，2023年海力士和三星的 HBM 份額占比約為 46-49%，而美光的份額將下降至 4%-6%，雅克科技為 SK 海力士的核心供應商之一，且與三星電子、美光形成穩定的業務合作關系，并在進一步布局芯片制造先進制程配套的前驅體材料，推出新的 High-K 材料及超高

46、/低溫硅類產品，部分產品已經進入客戶端測試，其中 High K 前驅體是集成電路制程進入 28nm 后所必備的前驅體材料。因此，我們認為伴隨 HBM 市場規模的持續擴大，雅克科技有望深度受益客戶前驅體材料需求增長。圖表25:HBM 市場規模變動預估 公司 2022 2023E 2024E SK hynix 50%46%-49%47%-49%Samsung 40%46%-49%47%-49%Micron 10%4%-6%3%-5%資料來源：TrendForce，方正證券研究所 雅克科技雅克科技布局未來，持續研發夯實前驅體核心技術能力。布局未來，持續研發夯實前驅體核心技術能力。雅克科技前驅體方面諸

47、多在研項目持續進行，針對所有客戶進行產品擴展，不斷提升市場份額。截至 2023年底，公司基本實現了 12 英寸大客戶群體的全面覆蓋。公司根據客戶需求，研發了多款新產品，目前送樣測試進程順利；江蘇先科宜興生產基地建設順利，硅類前驅體產品已經穩定出貨，產能持續爬坡中，High-K 前驅體和金屬前驅體產品樣品出貨正常，已經逐步具備業務連續性優勢。正帆科技前驅體實現突破，預計正帆科技前驅體實現突破，預計 2 25 5 年實現量產。年實現量產。正帆科技已實現了前驅體產品的突破，從產能布局來看，銅陵項目（二期）在原有高純磷化氫產品的基礎上，新增年產 890 噸電子先進材料及 30 萬立方電子級混合氣體產能

48、，涉及硅基、金屬基、High-K 和 Low-K 四大品類，其中包括四（二甲胺）鈦（TDMAT）、四（甲乙胺）鋯（TEMAZ）、四（甲乙胺）鉿（TEMAHf）等 High-k 前驅體，總計覆蓋 20 余種前驅體產品，預計 2025 年逐步達到量產。南大光電前驅體已南大光電前驅體已成功導入國內領先的芯片制造企業量產制程成功導入國內領先的芯片制造企業量產制程。南大光電通過承擔包括 02 專項“ALD 金屬有機前驅體產品的開發和安全離子注入產品開發”在內的多個國家科技攻關項目，掌握了多種 ALD/CVD 前驅體材料的合成、純化、分析檢測和封裝技術，建成了高純半導體前驅體的自主生產線和適應半導體品質要

49、求的管理體系，打破了國外技術壟斷，并通過自主研發、引進技術再創新、產學研合作，進一步向前驅體材料產業鏈價值高端攀升。目前已經實現晶圓制造所需的硅前驅體/金屬前驅體、高 K 前驅體/低 K 前驅體的主要品類的全覆蓋，并成功導入國內領先的芯片制造企業量產制程。電子 行業專題報告 17 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 3 CMP 耗材：制程升級+層數增加，市場擴容 CMPCMP 即化學機械拋光，是晶圓平坦化關鍵工藝。即化學機械拋光，是晶圓平坦化關鍵工藝。CMP 通過化學腐蝕與機械研磨的協同配合作用，實現晶圓表面多余材料的高效去除與全局納米級平坦化?；瘜W反應過程是拋光液

50、中化學反應劑與材料表面產生化學反應，將不溶物轉化為易溶物或軟化高硬度物質，生成比較容易去除的物質。機械磨削是材料表面對拋光墊做相對運動，并利用研磨液中磨粒與發生機械物理摩擦，從材料表面去除化學反應過程生成的易去除物，溶入流動的液體中帶走?；瘜W機械拋光效果直接影響芯片質量和成品率，是先進集成電路制造前道工序、先進封裝等環節必需的關鍵制程工藝，通過 CMP 工藝，晶圓表面可達全局平整落差 100A-1000A（相當于原子級 10100nm）超高平整度。圖表26:CMP 拋光工藝過程 圖表27:CMP 拋光原理 資料來源：芯片智造，方正證券研究所 資料來源：粉體圈，方正證券研究所 C CMPMP 廣

51、泛應用于廣泛應用于硅片制造、硅片制造、晶圓制造及先進封裝領域。晶圓制造及先進封裝領域。晶圓制造前道加工環節主要包括 7 個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化。CMP 主要用于銜接不同薄膜工藝，根據工藝段可分為前段制程（FEOL）和后段制程（BEOL），前段制程工藝主要為淺溝槽隔離 CMP 和多晶硅CMP，后段制程工藝主要為層間介質CMP、金屬間介質CMP及金屬層銅互連CMP等。后道封裝領域，CMP 工藝逐漸被用于先進封裝環節的拋光，如硅通孔技術、扇出技術、2.5D 轉接板、3D IC 等封裝技術中對引線尺寸要求更小更細，因此會引入刻蝕、光刻等工藝，C

52、MP 作為每道工藝間的拋光工序，得以廣泛應用。電子 行業專題報告 18 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表28:CMP 在芯片制造過程中的應用 資料來源：華海清科招股書，方正證券研究所 CMPCMP 環節核心材料為拋光墊和拋光液，兩者占環節核心材料為拋光墊和拋光液，兩者占 CMPCMP 耗材成本超耗材成本超 80%80%。在晶圓制造的 CMP 環節，主要用材料有拋光墊和拋光液，其次為 CMP 鉆石碟與清洗液，拋光墊+拋光液占比超 80%。拋光液成本主要來自上游原材料，以安集科技 2022 年年報數據，原材料成本占比達 77%，上游原材料主要有研磨粒子、穩定劑、

53、氧化劑等，其中研磨粒子占比較高，依據安集 2016-2018 年原材料采購金額簡單計算，研磨粒子成本占比超 55%。拋光墊成本中，上游原材料成本占比高，其中聚氨酯為主要原材料。圖表29:CMP 拋光材料產業鏈 資料來源：華經情報網，方正證券研究所 CMPCMP 耗材市場規模增速快于晶圓制造材料，占比不斷提升。耗材市場規模增速快于晶圓制造材料，占比不斷提升。據 TECHCET 數據，2022年全球 CMP 耗材收入達 35 億美元，由于 DRAM 供應過剩和市場整體調整，2023 年由拋光墊和漿料組成的 CMP 耗材市場將減少 2.4%，但預計 2022 年-2027 年 5 年復合年增長率將達

54、到 5.2%。SEMI 數據顯示，晶圓制造材料銷售額達 447 億美元，電子 行業專題報告 19 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 由此計算，2022 年 CMP 耗材（拋光液+拋光墊）市場占比達 7.8%，若納入拋光后清洗液、鉆石碟等，市場占比更高，較 2018 年 SEMI 統計數據 7%提升近 1%。細分來看，2022 年全球 CMP Slurry 市場規模突破 20 億美元，CMP PAD 全球市場規模近 15 億美元，以觀研網 2021 年全球及中國拋光墊/液市場規模比例0.18/0.21（以 6.36 匯率計算）及 TECHCET 數據為基準，測算可得

55、 2022 年中國CMP PAD/Slurry 市場規模分別為 2.6/4.3 億美元，中國 CMP 材料增速較快，高于全球增速。假設 2027 年中國拋光墊/拋光液占全球比例分別為 0.25/0.28，TECHCET 數據顯示，2027 年全球 CMP Slurry/PAD 市場規模約 26.3/18.3 億美元，則 2027 年中國 CMP PAD/Slurry 市場規模達 4.6/7.4 億美元。圖表30:CMP 材料市場需求預測（百萬美元）資料來源：TECHCET，方正證券研究所 晶圓廠持續擴產，晶圓廠持續擴產，CMPCMP 步驟作為晶圓制造核心環節之一，持續受益。步驟作為晶圓制造核心

56、環節之一，持續受益。SEMI 預計，2021-2023 年全球半導體行業將投資超 5000 億美元用于 84 個芯片制造設施。中國 2021 年-2023 年將建設 20 座計劃用于成熟技術的晶圓廠，數量位居第一。SEMI 2023 年 9 月預測，至 2026 年全球 12 英寸晶圓廠產能將增加到每月 960 萬片，中國大陸全球份額將從 2022 年 22%增加到 2026 的 25%，產能達到每月 240 萬片。八寸晶圓廠方面，從 2023 年到 2026 年，全球將增加 12 個，產能增加 14%，達到每月 770 萬片。其中中國大陸 2026 將拿下 22%份額，月產能達到 170 萬

57、片每月。伴隨晶圓廠擴產及大陸份額的持續上升，國產 CMP 耗材市場空間進一步打開。電子 行業專題報告 20 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表31:全球 12 英寸晶圓廠產能（月/萬片）圖表32:分地區全球 12 英寸晶圓產能占比 資料來源：SEMI，方正證券研究所 資料來源：SEMI，方正證券研究所 圖表33:2019-2023 建造新晶圓廠 圖表34:2021-2023 分地區新增晶圓廠數量 資料來源：SEMI，esmchina，方正證券研究所 資料來源：SEMI，esmchina，方正證券研究所 芯片制程不斷升級，萬片產能所需芯片制程不斷升級，萬片產能所

58、需 CMPCMP 次數及用量上升。次數及用量上升。國際上先進芯片制程從7-5 納米階段向 3 納米、2 納米及更先進工藝的方向發展，當前臺積電 3nm 芯片已實現量產，預計 2025 年實現 2nm 量產。芯片制程升級帶動晶圓制造技術提升，CMP 工藝步驟大幅增長，CMP 拋光材料消耗量增加。據 Cabot 微電子數據，14 納米以下邏輯芯片工藝要求的關鍵 CMP 工藝將達到 20 步以上，使用的拋光液將從90 納米的五六種拋光液增加到二十種以上，種類和用量迅速增長。7 納米及以下邏輯芯片工藝中 CMP 拋光步驟甚至可能達到 30 步，使用的拋光液種類接近三十種，伴隨先進制程占比提高，CMP

59、耗材單顆芯片用量快速提升。電子 行業專題報告 21 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表35:臺積電先進節點時間線 圖表36:全球六大邏輯晶圓廠先進制程進展情況 資料來源：臺積電，半導體產業網，方正證券研究所 資料來源：IC Insights，方正證券研究所 圖表37:全球晶圓產能制程節點分布 圖表38:CMP 拋光步驟隨制程升級而增加 資料來源：頭豹研究院，方正證券研究所 資料來源：DOW，方正證券研究所 3D NAND3D NAND 層數不斷增加，層數不斷增加，CMPCMP 拋光步驟數近乎翻倍。拋光步驟數近乎翻倍。集成電路 2D 存儲器件的線寬已接近物理極限

60、，NAND 閃存已進入 3D 時代。3D NAND 制造工藝中，增加集成度的主要方法不再是縮小單層上線寬而是增加堆疊的層數，2022 年美光 323 層 3D NAND 實現量產，2022 年底，三星開始批量生產 236 層產品，并計劃于 2024 年量產超過 300 層的第 9 代 3D NAND。SK 海力士 2023 年發布其 321 層 4D NAND，預計2025 年實現量產。且按照三星規劃的路線圖，到了 2030 年，閃存堆疊將超過 1000層，伴隨 3D NAND 層數的增加，CMP 拋光步驟不斷增多，相較于 2D NAND，3D NAND拋光次數近乎翻倍，64 層 3D NAN

61、D 拋光次數近 32 次。圖表39:存儲芯片升級 CMP 次數增長 資料來源：DOW，方正證券研究所 電子 行業專題報告 22 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 鈷、鉬、釕鈷、鉬、釕 C CMPMP 耗材增速最高，未來五年實現有望實現翻倍增長。耗材增速最高，未來五年實現有望實現翻倍增長。從細分的工藝來看，TECHCET 預測，2024 年半導體 CMP 耗材將增長 6%。迄今為止，金屬（鈷、鉬、釕）的 CMP 耗材增長率最高，未來 5 年將增長 94%，多晶硅和氧化物 CMP 耗材也有望實現健康增長。圖表40:先進器件的 CMP 步驟 資料來源：TECHCET，方

62、正證券研究所 3.1 CMP 拋光墊：鼎龍股份率先突破，國內領先 CMP 拋光墊是 CMP 環節的核心耗材之一，主要作用是儲存和運輸拋光液、去除磨屑和維持穩定的拋光環境等。按材質來分，拋光墊可分為硬墊（白墊）和軟墊（黑墊），硬墊能實現高的移除速率、較好均勻性，但容易損傷材料表面。軟墊拋光液利用率高，表面粗糙度低，但難以實現高效的平坦化加工。產品包括聚合物拋光墊、無紡布拋光墊、帶絨毛結構的無紡布拋光墊、復合型拋光墊等，2022 年，硬墊占拋光墊近 64%份額，聚合物拋光墊是最主要的細分產品，占據大約 90.46%的份額，從下游來看，300mm（12 寸）是拋光墊最大的應用領域，占比約 78.5%

63、。圖表41:CMP 拋光墊種類 資料來源：艾邦半導體，方正證券研究所 電子 行業專題報告 23 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表42:CMP 硬墊工作結構圖 圖表43:CMP 軟墊工作結構圖 資料來源：DT 半導體，方正證券研究所 資料來源：DT 半導體，方正證券研究所 溝槽設計與使用壽命提高是核心技術壁壘。溝槽設計與使用壽命提高是核心技術壁壘。拋光墊的技術壁壘在于溝槽設計及提高壽命改良。對于拋光墊，合理的溝槽設計幫助拋光液流動并帶走切削的細屑，使晶圓表面最終能形成完美的鏡面效果，另一方面作為耗材下游晶圓廠對拋光墊使用壽命的要求越來高，因此溝槽設計與使用壽命

64、提高是拋光墊生產過程中的核心技術壁壘，在不斷地試錯與適配過程中，需要投入大量的資金與時間，對公司軟硬件實力提出要求，行業進入門檻較高。圖表44:CMP 拋光墊不同溝槽圖案 資料來源：芯片智造，方正證券研究所 CMPCMP 拋光墊海外壟斷，鼎龍成功實現突破。拋光墊海外壟斷，鼎龍成功實現突破。CMP 拋光墊市場集中度高，2015 年前5 大廠商合計占比 91%，QY Research 數據顯示，2022 年全球前五大廠商占有約91.12%，份額幾乎持平。細分公司來看，杜邦龍頭地位維持，2015年市占率達79%，Entegris 收購合并 Cabot，2022 年市占率維持第二，鼎龍躍居第三，成為前

65、十大廠商中，唯一來自中國大陸的 CMP PAD 生產商，實現對美日廠商壟斷突破。電子 行業專題報告 24 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表45:2015 年 CMP PAD 市場格局 圖表46:2022 年 CMP PAD 市場格局 資料來源：觀研報告網，方正證券研究所 資料來源：QY research，方正證券研究所 前瞻布局，鑄就前瞻布局，鑄就 CMPCMP 拋光墊國內龍頭供應商。拋光墊國內龍頭供應商。鼎龍自 2012 年啟動 CMP 拋光墊研發，2016 年一期項目投產，2018 年收購時代立夫超 69%股權，2019 年獲第一張12 寸訂單，2021

66、 年二期項目投產。公司目前已形成武漢工廠 30 萬片（硬/白墊）+潛江 20 萬片軟/黑墊共計年產 50w 片 CMP 拋光墊穩定量產，且潛江工廠為未來預留 30w 片產能空間。公司是國內唯一全面掌握 CMP 拋光墊全流程核心研發技術和生產工藝的 CMP 拋光墊供應商，CMP 拋光墊營收自 2018 年 315 萬元增長至 2023年 4.18 億元，CARG 達 166%，實現高速增長，24H1CMP 拋光墊銷售約 3.0 億，yoy+100.3%。其中 24Q2 實現銷售收入約 1.64 億元，qoq+21.9%，yoy+92.8%。CMP拋光墊銷售大幅增加，產品核心上游原材料量產自主化，

67、固定成本攤薄，凈利潤同比增加。產品矩陣完備，供應鏈自主可控。產品矩陣完備，供應鏈自主可控。公司協同布局軟/硬墊，實現了成熟制程及先進制程的 100%全覆蓋，擁有全球首家型號全布局的軟拋光墊工廠，半導體用精拋墊半導體用精拋墊方面：方面：已量產各種類型軟拋光墊，全面覆蓋銅阻擋層、鎢制程精拋、氧化硅制程精拋、晶背研磨等制程，預計 2024 年實現產銷量的快速增長。大硅片用拋光墊大硅片用拋光墊方面：方面：小尺寸產品在客戶端取得正面反饋，年底前有望取得訂單；大尺寸產品預計將于明年上半年實現量產。同時公司圍繞產品積極打造上游產業鏈，目前已經實現軟拋光墊核心原材料聚氨酯樹脂的自研自產，覆蓋聚氨酯樹脂種類二十

68、多種，常規型號原料實現自研自產，以確保供應鏈及成本自主可控?？蛻糍Y源豐富，海外市場持續推進?？蛻糍Y源豐富，海外市場持續推進。公司 CMP 拋光墊以 12 英寸產品為主，占比80%以上，在國內大部分主流客戶已成為第一供應商，多數在建、新建晶圓廠在通線之初便采用公司拋光墊作為標準品，形成良好的合作關系，同時重點邏輯晶圓廠客戶市占率不斷提高，公司通過先進產品性能+穩定供應鏈+市場布局+豐富客戶資源鞏固地位，形成堅固護城墻，國內龍頭地位難以撼動。同時公司拋光墊于2021 年 11 月獲得首張海外訂單，不斷推進海外市場開拓。電子 行業專題報告 25 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條

69、 款 s 3.2 CMP 拋光液/清洗液：安集科技不斷完善品類 CMPCMP 拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，可使晶圓表面產生一層氧化膜，拋光液是研磨材料和化學添加劑的混合物，可使晶圓表面產生一層氧化膜，再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。再由拋光液中的磨粒去除，達到拋光的目的。在集成電路領域，CMP 拋光液除晶圓拋光外，制程還包括氧化層(Oxide CMP)、多晶硅(Poly CMP)、金屬層(Metal CMP)。因此根據應用的不同工藝環節，可以將拋光液分為硅拋光液、銅及銅阻擋層拋光液、鎢拋光液、介質層拋光液、淺槽隔離(STI)拋光液以及用于先進封裝的硅通孔(TSV)拋光液等，被

70、拋光材料有層間絕緣膜、硅、阻隔金屬、Al、銅等。圖表47:拋光液種類 產品產品 用途用途 應用領域應用領域 特點特點 銅 CMP 拋光液 廣泛應用于 130nm 及以下節點邏輯芯片的制造工藝，存儲芯片制造中有一定使用 在邏輯芯片 130-14 nm 技術節點以及 3D NAND 和DRAM 芯片上量產使用 高銅去除速率、低缺陷 阻擋層 CMP 拋光液 集成電路銅互連工藝制程中阻擋層的去除和平坦化 在邏輯芯片 130-14nm 技術節點以及 3D NAND 和DRAM 芯片上量產使用 優異的抗銅腐蝕的能力,可調介電材料包括低/超低介電材料去除速率的能力，拋光后晶國表面平坦，缺陷少 鎢 CMP 拋

71、光液 大量用于存儲芯片工藝，邏輯芯片中僅用于部分工藝段。集成電路制造工藝中鎢塞和鎢通孔平坦化 產品在邏輯芯片、3D NAND 和 DRAM 芯片上有量產使用 可調的鎢去除速率及鎢對介電材料的選擇比 介質層 CMP 拋光液 用于集成電路制造工藝中層間電介質和金屬電介質的去除和平坦化 用于集成電路制造工藝中層間電介質和金屬電介質的去除和平坦化 高去除速率,高平坦化效率、低缺陷和低成本 硅化學機械拋光液 用于單晶硅/多品硅的拋光,可用于硅片回收、存儲器工藝和背照式傳感器工藝 用于單晶硅/多晶硅的拋光,主要用于硅晶圓初步加工 高選擇比硅粗拋系列產品具有高稀釋比,高硅去除速率,高硅對氧化物/氮化物的選擇

72、比。硅精拋液系列具有低缺陷的優點。BSI 拋光液系列具有理想的硅和二氧化硅去除速率和選擇比 淺槽隔離(STI)化學機械共光液 用于集成電路制通工藝中淺糟隔離的拋光 用于集成電路制造工藝中淺槽隔離的拋光 采用氧化鈰研磨顆粒,具有高選擇比,高平坦化效率,低缺陷率 用于 3D 封裝硅通孔(TSV)CMP 拋光液 用于 TSV 工藝的高去除速率的化學機械拋光液系列 用于硅通孔的拋光 高去除速率、選擇比可調 資料來源：觀研天下，方正證券研究所 拋光液成分復雜，配方設計難度高，技術壁壘及原材料壁壘為主要難點。拋光液成分復雜，配方設計難度高，技術壁壘及原材料壁壘為主要難點。拋光液成分復雜，比例不唯一，需長期

73、試錯，配方設計難度高，同一技術節點，客戶工藝技術不同，配方不同，先進制程推進帶動拋光液的種類需求提升，導致拋光液配方設計難度進一步加大。分析成本，原材料占比超 70%，其中研磨粒子占總成本的超 50%，它是決定拋光液性能的關鍵原料，主要包括三氧化二鋁、氣相二氧化硅和二氧化鈰等品類，因此拋光液又可以分為氧化鋁/氧化鈰/二氧化硅拋光液，其中氧化鋁基拋光液 2021 年占比超 38%。當前關鍵原材料核心工藝由海外巨頭壟斷，因此，要實現公司長遠發展，需同時進行核心原材料布局，行業門檻較高。電子 行業專題報告 26 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表48:2021 年各

74、類 CMP 拋光液占比 圖表49:CMP Slurry 生產過程 資料來源：Chemanalyst，方正證券研究所 資料來源：3M，方正證券研究所 全球市場美日主導，國產廠商持續追趕。全球市場美日主導，國產廠商持續追趕。全球 CMP 拋光液市場的競爭格局來看，第一梯隊主要為業務布局相對全面的國外企業，國內僅安集科技躋身第二梯隊，2021 年全球市占率達 5%?？ú┨?、Versum Materials、日立、富士美、陶氏等美日龍頭廠商全球占市場近 80%份額，隨著制程工藝的發展，拋光液種類越來越多，為很多公司提供了新進入拋光液細分領域的機會，卡博特市占率逐漸下滑。20222022 年年 CMPC

75、MP 清洗液市場規模達清洗液市場規模達 2.092.09 億美元。億美元。CMP 后清洗液主要用于去除殘留在晶圓表面的雜質，滿足集成電路制造對清潔度的要求，提高晶圓生產的良率。據Business Research insights 數據，2022 年全球清洗液市場規模為 2.09 億美元，受益先進封裝及存儲技術衍進，預計 2028 年達 3.28 億美元，CAGR 為 7.8%。圖表50:全球 CMP 清洗液市場規模（百萬美元）資料來源：Business Research insights，方正證券研究所 安集科技安集科技國產國產 C CMPMP 拋光液龍頭拋光液龍頭，市占率持續提升，市占率持

76、續提升：2023 年公司銅及銅阻擋層拋光液、介電材料拋光液、鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液、襯底拋光液及新應用的化學機械拋光液等各類產品線的研發進程及市場拓展順利，客戶用量及客戶數量均達到預期。其中鎢拋光液、基于氧化鈰磨料的拋光液的產品布局進一步豐富，市場份額持續穩健上升；襯底拋光液產品平臺進展快速，用于三維集成的多款拋光液與國內外數十個客戶進行合作，配合客戶進行工藝開發，助力客戶實現新技術，TSV 和混合鍵合工藝用多款拋光液和清洗液作為首選供應進入客戶產線，持續上量。公司CMP 拋光液收入從 2018 年的 2.1 億元增長至 2023 年的 10.7 億元，CAGR 達38%，實現了高速

77、增長。電子 行業專題報告 27 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 安集科技不斷加快建立核心原材料自主可控供應的能力。參股公司山東安特納米材料有限公司開發的多款硅溶膠已在公司多款拋光液產品中通過內部測試，并在積極與客戶合作進行測試論證中，部分已完成驗證，實現銷售；自研自建加強氧化鈰顆粒自主可控能力，自產氧化鈰磨料在公司產品中的測試論證進展順利，多款產品已通過客戶端的驗證，已經開始量產供應，將隨著客戶的進程逐步上量、實現銷售。圖表51:安集拋光液進展 資料來源：安集科技公告，方正證券研究所 鼎龍股份鼎龍股份 CMPCMP 拋光液產品布局全線展開，核心材料自主制備拋光液

78、產品布局全線展開，核心材料自主制備：CMP 拋光液方面，全制程產品的市場推廣持續進行，搭載自產超純硅研磨粒子的介電層拋光液在客戶端的需求量不斷增長、多晶硅拋光液進入國內主流客戶供應鏈體系逐步上量；搭載自產氧化鋁研磨粒子的金屬柵極拋光液成功導入客戶供應鏈，并滿足客戶持續上升的訂單需求；銅及阻擋層拋光液開始在國內主流客戶產線驗證，適用于介電層工藝的氧化鈰拋光液有望在 2024年取得進一步突破；公司在仙桃園區完成研磨粒子生產與拋光液生產出貨一體整合式的產線模式，使用更大的釜罐容量，保證客戶訂單的同時，產品質量穩定性更高，2024Q1 將為多家客戶送樣。清洗液方面，除已有的銅 CMP 清洗液不斷形成銷

79、售收入外，2023 年開發出多款其他制程清洗液以解決客戶產線難題，產品導入結果良好，獲得一定銷售收入。公司拋光液/清洗液正處加速放量階段，2023 年取得營收 0.77 億元，同比增長 330.84%，24H1CMP 拋光液、清洗液產品合計銷售約 0.77 億元，yoy+190.9%。其中 24Q2 實現銷售收入約 4,079萬元，qoq+13.6%，yoy+179.1%。拋光液種類公司進展銅及銅阻擋層拋光液公司緊跟摩爾定律，緊跟行業領先客戶的先進制程，提前進行技術平臺的布局及技術能力的積累，持續推進相關產品的研發，持續優化先進技術節點產品的性能及穩定性，部分領先技術產品在重要客戶端實現量產；

80、與成熟制程芯片制造廠保持緊密合作，持續進行產品迭代升級，進展順利。介電材料拋光液公司首款氮化硅拋光液在客戶端上量順利。結合成功經驗，公司持續開拓市場份額，進一步開發先進技術節點系列產品，多款產品持續在客戶端測試驗證。公司持續改進氧化物拋光液，具有更高性價比和更優性能的高倍稀釋氧化物拋光液已成功實現量產。鎢拋光液在存儲芯片領域的應用范圍和市場份額持續穩健上升，多款鎢拋光液在邏輯芯片成熟制程和先進制程通過驗證，實現量產?；谘趸嬆チ系膾伖庖汗九c客戶緊密合作，基于氧化鈰磨料的拋光液產品突破技術瓶頸，目前已在先進制程中實現量產并在逐步上量，多款新產品完成論證測試并實現量產銷售，部分產品已成為主流，

81、國產自主供應能力持續加強。襯底拋光液公司硅精拋液系列產品研發論證進展順利，技術性能達到國際先進水平，并在國內領先硅片生產廠完成論證并實現量產，營業收入增長明顯，部分產品已獲得中國臺灣客戶的訂單。用于三維集成的多款拋光液與國內外數十個客戶進行合作，配合客戶進行工藝開發，助力客戶實現新技術，和混合鍵合用工藝用多款拋光液和清洗液作為首選供應商進入客戶產線，持續上量。第三代半導體作為下一代的襯底材料同樣發展迅速，公司積極投入研發，為客戶定制開發的用于第三代半導體襯底材料的拋光液，進展順利，部分產品已獲得海外客戶的訂單。3D NAND TSV 電子 行業專題報告 28 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲

82、 明 與 免 責 條 款 s 4 IC 光刻膠：國產化率極低，日本廠商高度壟斷 光刻膠是光刻工藝中最關鍵材料。光刻膠是光刻工藝中最關鍵材料。光刻工藝是半導體制造中最為重要的工藝步驟之一，主要作用是將印制于掩膜板上的電路圖復制到襯底晶圓上，為下一步進行刻蝕或者離子注入工序做好準備。光刻膠是光刻工藝中最主要的、最關鍵的材料，在一定波長的光照下光子激發材料中的光化學反應，改變光刻膠在顯影液中的溶解度，實現圖形化目的。光刻的成本為整個硅片制造工藝的 1/3，耗費時間占整個硅片工藝的40-60%，光刻膠及其配套試劑在晶圓制造材料成本中占比超過10%。圖表52:光刻工藝過程 資料來源：SK 海力士，方正證

83、券研究所 上游原料是光刻膠產業的重要環節，原料品質也決定了光刻膠產品品質。上游原料是光刻膠產業的重要環節，原料品質也決定了光刻膠產品品質。從產品原材料構成情況看，光刻膠組成主要原材料有溶劑、樹脂、光引發劑及其他添加劑等，材料含量比例因各光刻膠產品作用、特性、配方等不同而有所不同。圖表53:光刻膠原材料含量 原料原料 ARF 光刻膠光刻膠 紫外光刻膠紫外光刻膠 樹脂 5%-15%10%-60%光引發劑 0.05%-10%1%-5%溶劑 73%-95%40%-90%其他添加劑 0.01%-2%0-5%資料來源：智研咨詢，方正證券研究所 半導體用光刻膠占比半導體用光刻膠占比 22%22%。根據化學反

84、應機理和顯影原理的不同，光刻膠可以分為負性膠和正性膠。顯影后，正性光刻膠未曝光的部分將被保留下來，負性光刻膠則在顯影后保留下來，即經曝光后形成不可溶物質的是負性膠，對某些溶劑不可溶，經曝光后變成可溶的為正性膠，正性光刻膠為主流。從應用場景來看，光刻膠可分為半導體光刻膠、面板光刻膠和 PCB 光刻膠，其中，半導體光刻膠的技術壁壘最高，占應用比例 22%。電子 行業專題報告 29 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表54:分應用光刻膠占比 資料來源：研精畢智，方正證券研究所 半導體光刻膠主要包括半導體光刻膠主要包括 g g 線、線、i i 線、線、k k 膠、膠、A

85、 A 膠、膠、EUVEUV 膠。膠。光刻膠的感光波長由紫外寬譜從 g 線向 EUV 膠的方向轉移，以達到集成電路更高的密集度，從而滿足市場對于半導體小型化、功能多樣化的的需求。研精畢智數據顯示，全球光刻膠細分市場中，ArF 光刻膠（干法+浸沒式）和 KrF 光刻膠的市場份額最大，合計占比超 80%。圖表55:全球光刻膠細分市場 資料來源：研精畢智，方正證券研究所 目前，我國光刻膠市場主要以 PCB 用光刻膠供應為主，占比高達 94%，面板、半導體用光刻膠自給率很低，占比分別為 3%、2%，進口依賴性高，且在半導體用光刻膠中，國內廠商主要提供中低端（g/i 線）光刻膠，高端光刻膠被東京應化、JS

86、R、杜邦、信越化學等公司壟斷，KrFKrF 光刻膠整體國產化率不足光刻膠整體國產化率不足 2%2%，ArFArF 光刻膠光刻膠整體國產化率不足整體國產化率不足 1%1%。ArFiKrFg/i光刻膠ArF其他電子 行業專題報告 30 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表56:光刻膠細分領域市場格局 資料來源：閃德咨訊，方正證券研究所 彤程新材彤程新材作為作為國產半導體光刻膠國產半導體光刻膠核心核心龍頭，龍頭，品類持續完善：品類持續完善：半導體光刻膠逆勢增長，市占率持續提升。2023 年彤程新材半導體光刻膠業務實現營業收入 2 億元，同比增長 14.13%，逆勢放量

87、主要得益于公司新產品替代和導入勢頭依舊強勁，以及成熟產品的持續放量?；瘜W放大 I 線（ICA）光刻膠增速達 335%，公司的 I 線光刻膠已接近國際先進水平，其種類覆蓋國內邏輯以及存儲器產線大部分工藝需求；半導體用 KrF 光刻膠產品較上年同期飛速增長，KrF 光刻膠產品序列持續完善，市場占有率持續攀升，部分產品已經成為國內龍頭晶圓廠產線一供。截至 2023 年 12 月 31 日，公司 12 英寸客戶已有 27 家，8 寸客戶 23 家，8/12 寸客戶的營收貢獻率超過 50%，較上年度增加 9 個百分點。新品持續放量，ArF 光刻膠開始量產。2023 年，公司新產品收入占半導體光刻膠總銷售

88、額的 44.12%，同比+5pcts；其中銷售額排名前 9 名的新產品有 5 款 KrF 產品，3 款 I 線產品以及 1 款 ICA 產品；9 款產品貢獻銷售收入占新產品總體收入的 80.18%。2023 年公司新增 7 款新產品實現首次量產應用，涵蓋高分辨 KrF 光刻膠、深紫外負性光刻膠以及化學放大 I 線光刻膠等類別，預計 2024 年將持續放量。截止 2024 年一季度末，公司多款 KrF 和I 線光刻膠在國內龍頭芯片企業及存儲大廠驗證通過，并將于 2024Q2 開始逐漸放量。截止截止 20242024 年年 4 4 月底，公司月底，公司 ArFArF 光刻膠已經在國內龍頭芯片企業量

89、光刻膠已經在國內龍頭芯片企業量產出貨，并將進入逐漸放量階段。產出貨，并將進入逐漸放量階段。工藝指標對標海外大廠，上下游自主化實現穩定量產。1）I 線：I 線高分辨產品系列持續發力，實現了在 12 吋先進制程的批量應用；I 線化學放大厚膜膠系列，實現了更卓越的光刻表現、化學穩定性、抗 edge lifting 性能；2）KrF 光刻膠：KrF 光刻膠是公司研發的重點，得益于公司樹脂團隊強大的合成能力，配方團隊對樹脂結構的精準設計，在薄膜耐離子注入 KrF 高分辨光刻膠光刻表現到材料光學特性、光刻后耐注入性能與進口產品完全匹配。從國產化樹脂原材料到國產化光刻膠產品，量產產出穩定，能夠實現對進口產品

90、的替代；3）ArF 光刻膠：公司已經完成 ArF 光刻膠部分型號的開發，首批 ArF 光刻膠各項工藝指標均能對標國際光刻膠大廠產品。目前產能可同時供應國內大部分芯片制造商，也能滿足國內先進制程光刻膠的需求。電子 行業專題報告 31 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 鼎龍股份從上游原材料出發，積極布局高端光刻膠賽道鼎龍股份從上游原材料出發，積極布局高端光刻膠賽道，通過上下游協同布局，通過上下游協同布局，加速建設加速建設 KrF/ArFKrF/ArF 光刻膠產線實現搶位發展，其競爭優勢主要體現在：光刻膠產線實現搶位發展，其競爭優勢主要體現在：公司具備高端晶圓光刻膠原料

91、自主合成的技術能力，打造自主可控供應鏈：鼎龍擁有超 20 年有機合成、高分子聚合、材料工程化、純化等技術積累，已具備獨立開發高端晶圓光刻膠功能單體，主體樹脂和含氟樹脂（浸沒式 ArF光刻膠的核心組分），光致產酸劑、淬滅劑及其它助劑等光刻膠上游原材料的能力。通過自主合成光刻膠核心原材料，公司產品在高效開發和產業化方面穩定快速放量奠定堅實基礎。公司具備進口替代類關鍵光刻膠產品成熟的開發經驗，5 款光刻膠產品已送樣。截至 2023 年 12 月 25 日，鼎龍已開發出 13 款高端晶圓光刻膠產品，包括 6 款浸沒式 ArF 光刻膠和 7 款 KrF 光刻膠產品，并有 5 款光刻膠產品已在客戶端進行送

92、樣，其中包括 1 款能夠達到 ArF 極限分辨率 37.5nm 的光刻膠產品和 1 款能達到 KrF 極限分辨率 120nm L/S 和 130nm Hole 的光刻膠。率先推向市場的幾支產品獲得了客戶的認可及好評，市場反饋正向。公司具備豐富的半導體材料產業化經驗及客戶基礎。公司已提前儲備多臺光刻膠關鍵量產設備，其中包含多臺浸沒式 ArF 光刻膠不可替代的量產設備。目前公司已基本完成單體、樹脂、光致產酸劑、淬滅劑合成的小規?；炫渚€建設；公司年產 300 噸 KrF/ArF 光刻膠產業化項目有望力爭 24Q4 建設完成。公司已與高端晶圓光刻膠產品下游客戶一國內主流晶圓廠建立了良好的客情關系，為新

93、產品開發、驗證及未來量產提供有力支持。晶瑞電材光刻膠量產歷史悠久，晶瑞電材光刻膠量產歷史悠久，I I 線、線、K KrFrF 光刻膠已進入量產階段，光刻膠已進入量產階段，A ArFrF 光刻膠部光刻膠部分進入送樣階段：分進入送樣階段：晶瑞電材光刻膠穩定生產超三十年，是國內最早規模量產光刻膠的幾家企業之一。公司子公司瑞紅蘇州 1993 年開始光刻膠生產，承擔并完成了國家 02專項“i 線光刻膠產品開發及產業化”項目，近年銷售額和利潤均呈現高速增長，其中部分產品已占據國內主要市場份額。瑞紅蘇州光刻膠品類齊全，擁有紫外寬譜系列、g 線系列、i 線系列、KrF 系列等上百個型號產品。i 線光刻膠已向國

94、內中芯國際、長鑫存儲等知名半導體廠商大批量供貨，多款 KrF光刻膠已量產并供應多家半導體客戶。光刻機測試實驗平臺全覆蓋，ArF 光刻膠部分已開展送樣。公司建成了具有國際水平的高端光刻膠生產線和測試實驗平臺，同時擁有紫外寬譜、g 線（436nm）、i 線（365nm）、KrF（248nm）、ArF（193nm）全系列光刻機測試實驗平臺。公司于 2020 年啟動了集成電路制造用高端光刻膠研發項目，并于2020H2 購買 ASML1900 Gi 型光刻機及配套設備，于 2021H2 購入尼康 KrF S207 光刻機及配套設備，已建成 ArF、KrF 光刻實驗室。該研發項目旨在通過自主研發，打通 A

95、rF、KrF 光刻膠用樹脂的工藝合成路線，研發滿足 90-28nm 芯片制程的 ArF(193nm)光刻膠以及國內用量最大的 KrF 光刻膠，目前ArF 高端光刻膠研發工作在有序開展中，部分樣品已開展客戶送樣驗證工作。瑞紅蘇州新三板上市，融資致力高端光刻膠研發量產。子公司在 2023 年完成了共計人民幣 10.7 億元的融資，專項用于高端光刻膠的研發及量產，持續打造日趨完善的半導體光刻膠產品序列。此戰略有利于進一步加大客戶粘性，鞏固行業領先地位。電子 行業專題報告 32 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 5 電子氣體：應用場景廣泛，國產化空間廣闊 電子電子氣體氣體

96、被稱為半導體材料的被稱為半導體材料的“糧食糧食”和和“源源”，”，電子氣體包括電子大宗氣體與電子特種氣體，是集成電路、顯示面板、半導體照明、光伏等行業生產制造過程中不可或缺的關鍵性材料，是集成電路制造的第二大制造材料，僅次于硅片，占晶圓制造成本的 13%。電子特種氣體品類眾多，廣泛應用于集成電路光刻、刻蝕、成膜、清洗、摻雜、沉積等工藝環節，主要分為三氟化氮等清洗氣體、六氟化鎢等金屬氣相沉積氣體等。圖表57:電子氣體在半導體工藝中的應用 類別 用途 主要產品 電子特種氣體 化學氣相沉積(CVD)氨氣、氦氣、氧化亞氮、TEOS(正硅酸乙酯)、TEB(硼酸三乙酯)、TEPO(磷酸三乙酯)、磷化氫、三

97、氟化氯、二氯硅烷、氟化氮、硅烷、六氟化鎢、六氟乙烷、四氯化鈦、甲烷等 離子注入 氟化砷、三氟化磷、磷化氫、三氟化硼、三氯化 硼、四氟化硅、六氟化硫、氙氣等 光刻膠印刷 氟氣、氦氣、氪氣、氖氣等 擴散 氫氣、三氯氧磷等 刻蝕 氦氣、四氟化碳、八氟環丁烷、八氟環戊烯、氟甲烷、二氟甲烷、氯氣、溴化氫、三氯化硼、六氟化硫、一氧化碳等 摻雜 含硼、磷、砷等三族及五族原子之氣體,如三氯 化硼、乙硼烷、三氟化硼、磷化氫、砷化氫等 電子大宗氣體 環境氣、保護氣、載體 氮氣、氧氣、氬氣、二氧化碳等 資料來源：金宏氣體招股書，方正證券研究所 中國集成電路用電子特氣占比低于全球水平，仍有上升空間。中國集成電路用電子

98、特氣占比低于全球水平，仍有上升空間。根據前瞻產業研究院數據顯示，全球范圍內電子特種氣體應用于集成電路行業的需求占市場總需求的 71%，應用于顯示面板行業的占比 18%。我國電子特種氣體應用于集成電路行業的需求占比為 42%，應用于顯示面板行業的占比 37%。我國集成電路行業電子特種氣體的需求相對較低，主要原因為我國的集成電路產業技術水平和產業規模與世界先進國家和地區還存在一定差距，而顯示面板產業經過多年持續發展，我國已成為全球最大的產業基地。電子 行業專題報告 33 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表58:全球電子特氣下游需求占比 圖表59:中國電子特氣下游需

99、求占比 資料來源：中船特氣招股書，方正證券研究所 資料來源：中船特氣招股書，方正證券研究所 2022024 4 年全球電子氣體市場規模年全球電子氣體市場規模有望達有望達 6 66 6 億美金億美金。根據 TECHCET 數據，2023 年電子氣體市場規模下滑 12%，預計 2024 年半導體電子氣體市場將增長約 10%，達到65.9 億美元，接近 2022 年，預計到 2028 年將實現穩定增長。其中，NF3 是增長最快的細分市場之一，NF3 主要被用于化學氣相沉積中，預計 2024 年將增長 18%，2023-2028CAGR 為 20%，NF3 需求正在超過產能。圖表60:全球電子氣體市場

100、規模（百萬美金）資料來源：TECHCET，方正證券研究所 我國電子特氣需求我國電子特氣需求快速快速增長。增長。近年來電子氣體下游產業技術快速更迭。集成電路領域晶圓尺寸從 6 英寸、8 英寸發展到 12 英寸，制程技術從 28nm 到 7nm；顯示面板從 LCD 到剛性 OLED 再到柔性、可折疊 OLED 迭代；光伏能源從晶體硅電池片向薄膜電池片發展等。下游產業的快速迭代驅動關鍵材料電子特氣精細化程度持續提升。此外，隨著全球半導體、顯示面板等電子產業鏈不斷向亞洲、中國大陸地區轉移，近年來以集成電路、顯示面板為主的電子特氣需求快速增長。根據 SEMI，預計2025中國電子氣體市場規模將提升到31

101、6.6億元，2021-2025年CAGR 12.8%。8.0%3.0%18.0%71.0%LED光伏顯示面板集成電路8.0%13.0%37.0%42.0%LED光伏顯示面板集成電路電子 行業專題報告 34 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表61:中國電子氣體市場規模（億元）圖表62:中國集成電路對電子特氣需求市場規模預測（億元）資料來源：中船特氣招股書，方正證券研究所 資料來源：中船特氣招股書，方正證券研究所 海外龍頭主導全球電子氣體市場，國產替代空間大。海外龍頭主導全球電子氣體市場，國產替代空間大。根據 TECHCET 數據，全球電子氣體主要生產企業林德、液

102、化空氣等前十大企業，合計占全球電子氣體 90%以上市場份額。其中，林德、液化空氣、大陽日酸和空氣化工 4 大國際巨頭市場份額超過 70%。這些國際大型電子氣體企業通常同時從事大宗電子氣體業務和電子特種氣體業務，大宗電子氣體業務企業需要在客戶建廠同時，匹配建設氣站和供氣設施，借助其較強的技術服務能力和品牌影響力為客戶提供整體解決方案，具有很強的市場競爭力。圖表63:2020 年全球電子氣體市場份額 資料來源：TECHCET，方正證券研究所 電子特氣行業主要有技術壁壘、認證壁壘與資質壁壘。電子特氣行業主要有技術壁壘、認證壁壘與資質壁壘。1）技術壁壘：特種氣體在其生產過程中涉及合成、純化、混合氣配制

103、、充裝、分析檢測、氣瓶處理等多項工藝技術，以及客戶對純度、精度等的高要求，對行業的擬進入者形成了較高的技術壁壘。目前大宗氣體提純凈化的生產技術、特種氣體保供的生產技術等關鍵性技術，國內仍然存在卡脖子的現象。2）認證壁壘：作為關鍵性材料，特種氣體的產品質量對下游產業的正常生產影響巨大，因此下游客戶尤其是集成電路、顯示面板、光伏能源、光纖光纜等高端領域客戶對氣體供應商的選擇均需經過審廠、產品認證 2 輪嚴格的審核認證，其中光伏能源、光纖光纜領域的審核認證周期通常為 0.5-1 年，顯示面板通常為 1-2年，集成電路領域的審核認證周期長達 2-3 年。3）資質壁壘：工業氣體屬于危險化學品，在其生產、

104、儲存、運輸、銷售等環節均需通過嚴格的資質認證，取得安全生產許可證 危險化學品經營許可證 道0501001502002503003500204060801001201401602020E2021E2022E2023E2024E2025E林德 28%液化空氣 25%大陽日酸 13%空氣化工 11%其他 23%電子 行業專題報告 35 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 路運輸經營許可證 移動式壓力容器充裝許可證 等多項資質。資質獲取作為工業氣體行業生產經營的前置程序，嚴格的資質審核對行業新進入者形成了較高的資質壁壘。自自 20092009 年以來年以來,為解決半導體材料

105、“卡脖子”問題，國產為解決半導體材料“卡脖子”問題，國產電子特氣行業得到國家電子特氣行業得到國家政策大力支持。政策大力支持。2009 年，科技部在國家火炬計劃優先發展技術領域中首次將專用氣體列入優先發展的“新材料及應用領域”中的電子信息材料。2017 年 1 月工信部等四部委首次提出“加快高純特種電子氣體研發及產業化,解決極大規模集成電路材料制約”。圖表64:國產電子氣體企業進展 資料來源：Wind，各公司官網，方正證券研究所 公司名稱公司名稱2023年收入（萬元）年收入（萬元）2023年電子氣體收入（萬元）年電子氣體收入（萬元）電子氣體進展電子氣體進展雅克科技473,777.3243,868

106、.67雅克科技下屬子公司成都科美特公司是一家專業從事含氟類特種氣體生產的企業，產品主要是六氟化硫和四氟化碳，客戶主要包括電力行業、電力設備制造行業和半導體行業等領域的頭部生產商。報告期內，科美特配合公司向客戶提供綜合解決方案的定位，科美特電子級產品順利導入到更多半導體制造商和面板制造商的供應體系，建立了更加廣泛的銷售渠道。同時，科美特公司圍繞氟化工高附加值產品，持續投入研發，創新產品，降本增效，努力為客戶提供整體化解決方案。華特氣體150,026.60102,256.18公司實現了對國內 12 寸集成電路制造廠商超過 90%的客戶覆蓋率，并進入全球領先的半導體企業供應鏈體系。公司產品已超 20

107、 個供應到 14nm、7nm 等產線，并且公司的部分氟碳類產品、氫化物已進入到 5nm 的先進制程工藝中使用并不斷擴大覆蓋范圍。在集成電路、顯示面板等半導體領域，公司產品得到境內外大型半導體廠商一致認可。公司自主研發Ar/F/Ne、Kr/Ne、Ar/Ne和 Kr/F/Ne4 種混合氣是國內唯一一家同時通過荷蘭 ASML 公司和日本 GIGAPHOTON 株式會社認證的氣體公司，并且 4 種混合氣在半導體廠得到廣泛應用。金宏氣體242,735.33108,990.83公司自主創新研發的超純氨、高純氧化亞氮、正硅酸、乙酯、高純二氧化碳、八氟環丁烷、六氟丁二烯、一氟甲烷、硅烷混合氣等各類電子級超高純

108、氣體品質和技術已達到替代進口的水平，能夠滿足國內半導體產業的使用需求。正帆科技383,473.55N.A.公司向下游客戶銷售電子特種氣體、電子大宗氣和電子先進材料等工藝介質，已具備合成、提純、混配、充裝、分析和檢測等核心能力，公司是國內為數不多能穩定量產電子級砷烷、磷烷的企業之一，隨著報告期內磷烷擴產項目的結項，電子特氣的產能將進一步提升。隨著公司 Opex 業務規模將會快速放量、持續增長，公司會穩步成為電子氣體和先進材料業務綜合供應商和服務商。派瑞特氣158,608.41148,602.42目前，公司建有三氟化氮產能 12,500 噸、六氟化鎢產能 2,230 噸，產能位居國內第一、世界前列

109、。公司擁有完善的質量管理體系、研發體系、工藝制造能力及配套服務能力，已成為國內電子特種氣體收入規模最大的企業，是國內電子特氣龍頭，并具備參與全球競爭的實力。電子 行業專題報告 36 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 6 硅片：供需修復中，國產廠商奮起直追 半導體硅片作為最主要的半導體制造材料，是半導體器件的主要載體。半導體硅片作為最主要的半導體制造材料，是半導體器件的主要載體。晶圓廠通過對硅片進行光刻、刻蝕、離子注入等加工工序后制成芯片。半導體硅片是由高純度硅（9N-11N）切割而成的非常薄的圓盤，將圓形硅錠切成約薄片，所得圓盤的表面經過仔細拋光，然后進行清潔，從

110、而形成完整的晶圓。按照產品種類劃分，一般可分為拋光片、外延片、SOI 片等；根據硼、磷、砷、銻等元素的摻雜濃度不同，拋光片還可以進一步劃分為輕摻拋光片和重摻拋光片，摻雜越多，電阻率越低，輕摻拋光片主要用于集成電路領域，重摻拋光片主要用于功率器件等領域，重摻拋光片通常經過后續外延加工后再應用，而輕摻拋光片通?？芍苯討?，外延片是以拋光片作為襯底材料進行外延生長形成的半導體硅片。按照尺寸劃分，一般可分為 4 英寸、5 英寸、6 英寸、8 英寸與 12 英寸等。圖表65:半導體硅片的制造流程（以拋光片和外延片為例）資料來源：上海合晶招股書，方正證券研究所 20232023 年硅晶圓出貨量大幅下滑，價

111、格端在年硅晶圓出貨量大幅下滑，價格端在 L LTATA 影響下小幅上升。影響下小幅上升。TECHCET 預測，2024 年晶圓面積（不含 SOI）總出貨量將增長 5%，2025 年將再增長 7%。2023-2028 隨著 300 毫米的增長繼續超過其他直徑，預計晶圓總出貨量 CAGR4%，2028年總出貨量將接近 160 億平方英寸，2023 年半導體行業整體狀況放緩，加上現有高庫存水平，導致硅晶圓出貨量下降約 13%，這是自 2019 年以來的首次年度出貨量下降；然而，2023 年晶圓市場（不包括 SOI）的收入下降并不明顯，長期協議（LTA）下的定價條款持續存在。根據 SEMI，2023

112、年中國半導體硅片市場規模約為 165 億元，約 23.6 億美元，約占全球市場的 1/6。晶體生長晶體生長襯底成型（拋光片）襯底成型（拋光片）外延生長外延生長（外延片）（外延片）融化多晶硅融化多晶硅旋轉拉晶旋轉拉晶參數檢查參數檢查拋光清洗拋光清洗蝕刻背封蝕刻背封研磨倒角研磨倒角晶棒切割晶棒切割來料檢驗來料檢驗閉環凈化閉環凈化離解氧化離解氧化精控氣供精控氣供嚴控溫場嚴控溫場包裝包裝產品檢驗產品檢驗清洗凈化清洗凈化均勻降溫均勻降溫化學氣相沉積化學氣相沉積電子 行業專題報告 37 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表66:全球硅片市場規模 資料來源：TECHCET，方

113、正證券研究所 2424Q Q1 1 硅晶圓硅晶圓出貨量出貨量整體整體承壓。承壓。從季度數據看，根據 SEMI，2024Q1 全球硅晶圓出貨量環比下滑 5.4%至 2,834 百萬平方英寸，同比下滑 13.2%。晶圓廠利用率持續下降和庫存調整導致 2024Q1 所有尺寸晶圓的負增長，拋光晶圓出貨量同比下降幅度略高于 EPI 晶圓出貨量，一些晶圓廠的利用率在 2023Q4 觸底，上下游復蘇存在一定的時間差，硅片復蘇相對較晚。圖表67:全球硅片季度出貨量 資料來源：Wind，方正證券研究所 硅片行業硅片行業逐步走向逐步走向供需平衡，供需平衡，A AI I 為重要驅動力為重要驅動力。SUMCO 預計

114、2023-2026 年 12 英寸硅片需求 CAGR 為 4.8%，公司預計 2024 年需求/供給比例相對于 2023 年小幅下滑 1pct，25/26 年需求/供給比例從 82%上升至 92%/101%，公司對 25/26 年的樂觀預期主要基于：1）由于更高的 Al 性能和計算能力，硅面積增加；2）AI 服務器前沿晶圓的需求預測樂觀；3）Al PC/手機對前沿邏輯晶圓的需求提升。-100%-50%0%50%100%150%05001,0001,5002,0002,5003,0003,5004,0002000Q12000Q42001Q32002Q22003Q12003Q42004Q32005

115、Q22006Q12006Q42007Q32008Q22009Q12009Q42010Q32011Q22012Q12012Q42013Q32014Q22015Q12015Q42016Q32017Q22018Q12018Q42019Q32020Q22021Q12021Q42022Q32023Q22024Q1硅片出貨量（百萬平方英寸）qoqyoy電子 行業專題報告 38 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表68:12 英寸硅片全球產能和需求 資料來源：SUMCO，方正證券研究所 人工智能的邏輯和人工智能的邏輯和 DRAMDRAM 強勁增長強勁增長，硅片行業呈現漸進式復

116、蘇。，硅片行業呈現漸進式復蘇。SUMCO 24Q1 實現營業收入 935 億日元（指引 870 億日元），營業利潤 86 億日元（指引 45 億日元），遠超公司指引，主要系銷量超過預期，300 毫米外延硅片的出貨量相對強于預期，公司認為第一季度 300 毫米硅片的市場似乎已經觸底，驅動力是用于人工智能的邏輯和 DRAM 強勁增長。SUMCO 預測 24Q2-Q3 邏輯與存儲客戶的庫存周轉天數均將下降，300 毫米晶圓需求雖然已經觸底，但客戶仍在調整庫存，復蘇仍將是漸進的，預計 200mm 晶圓出貨量將保持在較低水平。圖表69:200mm 硅晶圓出貨情況 圖表70:300mm 硅晶圓出貨情況 資

117、料來源：SUMCO，方正證券研究所 資料來源：SUMCO，方正證券研究所 電子 行業專題報告 39 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表71:SUMCO 預測的 12 英寸硅片客戶庫存 資料來源：SUMCO，方正證券研究所 硅片行業競爭格局集中，硅片行業競爭格局集中，C CR5R5 接近接近 9 90%0%，國產廠商持續建設，國產廠商持續建設 1 12 2 英寸產能英寸產能。半導體硅片行業是寡頭壟斷的行業，長期以來被全球前五大硅片廠商壟斷，包括日本的信越化學和 SUMCO、中國臺灣環球晶圓、德國 Siltronic 和韓國 SK Siltron，五家企業合計占據

118、近 90%市場份額。國內滬硅產業、立昂微等企業奮起直追，2023年半導體硅片總收入 59 億元，其中滬硅產業 12 英寸硅片進展順利，涵蓋拋光片及外延片，子公司上海新昇正在實施的新增 30 萬片/月 300mm 半導體硅片產能建設項目實現新增產能 15 萬片/月，公司 300mm 半導體硅片合計產能已達到 45 萬片/月，預計 2024 年產能達到 60 萬片/月。我們認為，國產硅片廠商在技術積累與產能上均已做好充足的準備，隨著晶圓廠稼動率提升及國內存儲擴產，相關公司有望實現國產替代，份額提升+市場空間提升的邏輯，收入規?；鸩斤@現后利潤端有望實現優化。圖表72:中國大陸硅片公司進展 資料

119、來源：Wind，各公司公告，方正證券研究所 公司名稱公司名稱2023年收入年收入（億元）（億元）半導體硅片收入半導體硅片收入（億元）（億元）產品的進展產品的進展下游客戶下游客戶滬硅產業31.928.3公司目前產品類型涵蓋 300mm 拋光片及外延片、200mm 及以下拋光片及外延片、SOI 硅片、壓 電薄膜襯底材料等。截止本報告期末，子公司上海新昇正在實施的新增 30 萬片/月300mm 半導體硅片產能建設項目實現新增產能 15 萬片/月，公司 300mm 半導體硅片合計產能已達到 45 萬片/月，預計 2024 年產能達到 60 萬片/月；子公司新傲科技和 Okmetic200mm 及以下拋

120、光片、外延片合計產能超過 50 萬片/月；子公司新傲科技和 Okmetic200mm 及以下 SOI 硅片合計產能超過 6.5 萬片/月。公司現擁有眾多國內外知名客戶，包括臺積電、聯電、格羅方德、意法半導體、Towerjazz 等國際芯片廠商以及中芯國際、華虹宏力、華力微電子、華潤微等國內所有主要芯片制造企業，客戶遍布北美、歐洲、中國、亞洲其他國家或地區。立昂微26.915主要產品包括 6-12 英寸半導體硅拋光片和硅外延片。公司部分募投項目自 2022 年 6 月開始陸續轉產，相應的折舊費用等固定成本增加較多，但自 2022 年下半年以來，受消費電子市場需求下滑影響，硅拋光片產能利用率下降，

121、部分硅片產品價格有所下調。由于受經濟疲弱影響，衢州基地的 12 英寸硅片仍處于產能爬坡中；2022 年 3月份收購了嘉興金瑞泓，產能處于爬坡過程中。報告期內，受益于功率半導體需求穩定，公司硅外延片產能利用率充足。產品 長期穩定供應中芯國際、華潤微、華虹半導體、比亞迪、上海積塔、芯聯集成、士蘭微、青島芯 恩、粵芯半導體、昂瑞微、臺灣半導體、美國安森美、日本東芝等眾多境內外重要客戶，是國內少有的順利通過博世（Bosch）、大陸集團（Continental）、法格等國際一流汽車電子客戶的 VDA6.3 審核認證的企業。上海合晶13.511.1公司經過多年技術積累及持續研發，擁有砷、磷及硼元素重摻及輕

122、摻的長晶核心技術，單片式、多片式的常壓、減壓外延生產核心技術，可為客戶提供 6、8、12 英寸功率、模擬等器件用半導體單晶硅外延片、埋層外延片的定制化生產加工及服務。公司已經為全球前十大晶圓代工廠中的 7 家公司、全球前十大功率器件 IDM 廠中的 6 家公司供貨，主要客戶包括華虹宏力、芯聯集成、華潤微、臺積電、力積電、威世半導體、達爾、德州儀器、意法半導體、安森美等行業領先企業，并多次榮獲華虹宏力、臺積電、達爾等客戶頒發的最佳或杰出供應商榮譽，是我國少數受到國際客戶廣泛認可的外延片制造商。有研硅9.64.5半導體硅拋光片是生產射頻前端芯片、傳感器、模擬芯片、分立器件、功率器件等半導體產品的關

123、鍵基礎材料。公司主要半導體硅拋光片產品尺寸為 8 英寸以及 6 英寸。有研硅產品通過了華潤微、士蘭微、華微電子、中芯國際、美國客戶B、日本CoorsTek、韓國客戶C、韓國Hana等眾多國內外知名芯片制造企業和半導體設備部件制造企業的認證和認可，產品銷往美國、日本、韓國、中國臺灣等多個國家或地區，享有良好的市場知名度和影響力，積累了優質的客戶資源。電子 行業專題報告 40 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 7 IC 封裝基板：封裝材料占比最高環節 7.1 封裝基板集成電路封裝關鍵載體 封裝基板封裝基板集成電路封裝關鍵載體。集成電路封裝關鍵載體。封裝基板作為芯片封裝

124、核心材料，一方面保護、固定、支撐芯片，增強芯片導熱散熱性能，保證芯片不受物理損壞，另一方面封裝基板的上層與芯片相連，下層與 PCB 相連，從而實現電氣和物理連接、功率分配、信號分配，以及溝通芯片內部與外部電路等功能。IC 載板與芯片之間存在高度相關性，不同的芯片通常需要設計專用 IC 載板與之配套。IC 載板在中低端封裝中占材料成本的 40-50%，在高端封裝中占比更高。根據 TECHCET，2022年全球半導體封裝材料市場規模為 261 億美金，預計到 2027 年將增長至 300 億美金。其中封裝基板已成為半導體封裝材料中占比最高的材料，份額超過 50%。圖表73:2022 年封裝材料市場

125、 資料來源：TECHCET，方正證券研究所 I IC C 封裝基板是未來封裝基板是未來 5 5 年年 P PCBCB 中中復合增速最快的品類復合增速最快的品類，2 2027027 年市場規模達到年市場規模達到 2 22323億美金。億美金。從產品結構來看，2022 年全球 IC 封裝基板行業整體規模達 174.15 億美元、同比增長 20.9%，是 PCB 行業中增速最快的細分子行業。其中，中國市場 IC封裝基板行業（含外資廠商在國內工廠）整體營收規模為 34.98 億美元、同比增長 33.4%，仍維持快速增長的發展態勢。Prismark 預計 IC 封裝基板 2022-2027年 CAGR

126、達到 5.1%，并將在 2027 年成為 PCB 中份額最大的細分品類,全球市場規模 223 億美金。HDI 板增速同樣可觀，2022-2027 年 CAGR4.4%，2027 年市場規模有望達到 146 億美金。電子 行業專題報告 41 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表74:PCB 分產品市場空間及結構 資料來源：Prismark，方正證券研究所 服務器、存儲和服務器、存儲和 AIAI 是先進封裝基板需求增長重要驅動力。是先進封裝基板需求增長重要驅動力。以數字技術為核心驅動的第四次工業革命帶來數據量井噴式增長。數據中心作為承載各類數字技術應用的物理底座，產

127、業賦能價值逐步凸顯。根據 DellOro Group 最近報告，2022年全球數據中心資本支出同比增長 15%達到 2410 億美金，預計 2027 年全球數據中心資本支出預計將達到 5000 億美元。算力時代，高性能計算芯片和存儲是服務器升級迭代核心，先進封裝是高性價比提升芯片整體性能的重要方式，先進封裝滲透率持續提升大勢所趨，進而驅動先進封裝基板需求持續向上。圖表75:先進封裝份額持續提升 圖表76:存儲芯片封裝技術亦不斷升級 資料來源：Yole，方正證券研究所 資料來源：Yole，方正證券研究所 B BT T 載板及載板及 A ABFBF 載板是載板是 I IC C 封裝基板主流產品。封

128、裝基板主流產品。IC 封裝基板由導電層和絕緣層組成，導電層之間通過絕緣層隔開，絕緣材料包括有機基板和無機（陶瓷封裝基板）兩大類。有機封裝基板主要用于消費電子產品領域，無機封裝基板廣泛用于軍工等對可靠性要求較高的領域。有機封裝基板根據應用材料不同，可分為剛性和柔性兩種，剛性封裝基板采用 BT 樹脂、ABF 材料、環氧樹脂等剛性材料，柔性封裝基板采用 PI 等柔性材料。BT 載板具備良好的耐熱性、抗濕性，同時具有低介電電子 行業專題報告 42 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 常數、低散失因素等特點，主要應用于存儲芯片、MEMS 芯片、RF 芯片與 LED 芯片。AB

129、F 材料由 Intel 主導研發，目前被日本味之素壟斷，用于倒裝等高階載板，可用做線路較細、適合高腳數高傳輸的 IC，主要用于 CPU、GPU、FPGA、ASIC 等高性能計算芯片。7.2 工藝難度提升，ABF 載板技術壁壘高企 減成法和半加成法是減成法和半加成法是 PCBPCB 主流生產工藝。主流生產工藝。減成法是在覆銅箔基材上，通過鉆孔、孔金屬化、圖形轉移、電鍍、蝕刻或雕刻等工藝加工，選擇性地去除部分銅箔，形成導電圖形。由于側蝕的存在，減成法在精細電路制造中的應用受到很大限制，目前減成法主要用于生產多層板、柔性電路板、HDI 等 PCB 產品。而半加成法在覆銅箔基材上，首先將不需要電鍍的區

130、域保護起來，然后進行二次電鍍。半加成工藝是目前生產精細電路的主要工藝，主要用于生產類載板、載板等產品。圖表77:PCB 減成法工藝流程 圖表78:PCB 半加成法工藝流程 資料來源：天承科技招股書，方正證券研究所 資料來源：天承科技招股書，方正證券研究所 I IC C 封裝基板多層化、大尺寸化、高密度化帶來更多工藝挑戰。封裝基板多層化、大尺寸化、高密度化帶來更多工藝挑戰。目前主要有三個因素影響封裝基板良率，一方面 IC 基板層數越來越多，另一方面為了支撐更復雜的封裝集成，基板尺寸越來越大，此外線寬線距等特征尺寸持續微縮從而形成更高密度的互連。IC 封裝基板主要采用半加成法（SAP）生產。減成法

131、制作線路時，在線寬線距達到 50m/50m 以下，側蝕等因素對圖形精細化、良率提升以及阻抗等帶來問題。半加成法適用于制作10m/10m50m/50m的精細線寬線距。圖表79:半加成法工藝流程 資料來源：半加成法工藝研究，方正電子繪制，方正證券研究所 電子 行業專題報告 43 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表80:PCB 工藝流程線路對比 全加成法 改良型半加成法 半加成法 減成法 工藝水平 線寬距制作能力 30um 10um50um 10um50um 75um 側蝕影響 無 側蝕量少 側蝕量少 側蝕量多 鍍層厚度均勻性 化學沉銅，均勻性好 圖形電鍍中電流分布

132、不均勻,導致圖形均勻性下降 圖形電鍍中電流分布不均勻,導致圖形均勻性下降 全板電鍍，電鍍均勻性好 可靠性水平 樹脂附著力 目前附著力差，需對樹脂表面進行粗化處理及改進沉銅工藝 附著力好 目前附著力差，需對樹脂表面進行粗化處理及改進沉銅工藝 附著力好 熱應力及回流焊測試 存在爆板分層不良風險 滿足要求 存在爆板分層不良風險 滿足要求 工藝難度 簡單 一般 一般 一般 環境影響程度 無蝕刻液消耗,污染較少 與 全 板 電 鍍 相比,降低Cu消耗,同時降低蝕刻液消耗 與 全 板 電 鍍 相比,降低 Cu 消耗,同時降低蝕刻液消耗 Cu 消耗較多,同時蝕刻液消耗較多,較多污染 資料來源：半加成法工藝研

133、究，方正證券研究所 從從 A ABFBF 封裝基板的工藝流程來看：封裝基板的工藝流程來看：1）準備準備 ICIC 基板的芯基板的芯板，板，采用無銅箔披覆的絕緣板材做為 SAP 半加成法的起步（或帶銅箔的 mSAP 工藝），在其上構建多層絕緣材料和由銅制成的導電走線，作為后續積層的基礎。2）在已完成線路的內層薄芯板雙面同時真空壓貼真空壓貼和金屬熱壓和金屬熱壓上上ABFABF薄膜板材薄膜板材（ABF具有低表面粗糙度，使得涂覆的銅層可以達到非常薄的 1m 厚度，并作薄銅層作為后續電路的種子層）。3）將基板在 180中預固化預固化 30 分鐘。作用是使層與層之間粘結穩定。在預固化階段，IC 基板經歷熱

134、空氣清洗過程，以去除在前面的步驟中可能積累雜質和殘留物等，這一步驟對于保持基板的電性能和可靠性至關重要。4）開孔開孔：電鍍后的 via 是基板不同層之間的互連中的關鍵。目前 IC 基板中使用的兩種鉆孔技術主要是 CO2 激光鉆工（成本低，速度快，但通孔直徑較大且分辨率有限）和紫外激光鉆孔（通孔特征尺寸更小，小于 40m）。5）去鉆污去鉆污(desmear(desmear，或稱，或稱除膠渣除膠渣)和化學鍍銅和化學鍍銅（Electroless Cu plating）并烘干。清除鉆孔中的樹脂和鉆孔碎屑，接著在無電極的情況下，通過化學反應在基板表面沉積一層銅，化學銅使得后續干膜的附著力增強。6）在在

135、ABFABF 表面表面壓貼壓貼干膜光阻干膜光阻。7）創建電路圖案：創建電路圖案：在基板表面的層壓光刻膠上進行的圖像轉移（或光刻），將電路圖案轉移至基板上。這一步驟的準確性和質量直接影響最終產品性能和可靠性。8）電鍍銅：電鍍銅：在電鍍過程中基板被浸入含有銅離子溶液的電鍍槽中，銅電鍍是在圖案化的基板表面上沉積一層銅，并實現銅層的均勻和可控生長。9）通過半加成法（通過半加成法（SAPSAP）去除光刻膠膜）去除光刻膠膜：干膜光刻膠在電鍍過程中起到臨時保護層的作用，銅電鍍完成后剩余的干膜光刻膠需要被去除，以顯露出銅電路。在去除之前，通過將其暴露在適當的溶劑或化學溶液中，使干膜光刻膠變軟，從而更容易去除。

136、電子 行業專題報告 44 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 10）閃蝕和退火：閃蝕和退火：閃蝕用于去除固化在 ABF 層上的種子層，其原理是利用化學銅與電鍍銅蝕刻速率的不同，形成差分蝕刻的效果，達到去除基底化學銅的目的，形成完整的線路圖形。圖表81:ABF 基板制造工藝流程 資料來源：味之素，方正證券研究所 ICIC 封裝基板載板工藝難度大幅提升。封裝基板載板工藝難度大幅提升。微型化：微型化：隨著電子設備小型化同時功能更強大，IC 基板結構更加緊湊，密度更高，從而帶來對準精度難度提升。（例如在 ABF 層壓過程中，一個關鍵工藝挑戰是保持均勻的膜厚，ABF 厚度的變

137、化可能導致電性能不均勻和電路可靠性降低。除此之外層與層之間的空隙也可能會帶來電性能、散熱和機械完整性等問題。目前 ABF膜厚已經向低至10m的厚度發展。在激光鉆孔過程中，隨著通孔尺寸不斷縮小，對準精度挑戰不斷提升。）導熱：導熱：現代電子設備的高功率密度需要高效的熱傳導，設計和制造能有效將熱量從設備中導出的 IC 基板具有挑戰。信號完整性：信號完整性：IC 基板必須具有一致的信號路徑，低阻抗，從而確保信號準確傳輸且不受干擾。實現這一點需要精益設計和嚴格制造。翹曲：翹曲：IC 基板可能會因制造過程中的應力及基板中使用的各種材料之間的熱膨脹系數差異而容易翹曲。翹曲可能會導致組件放置問題并引發可靠性問

138、題。良率：良率：良率直接影響制造成本，進而影響盈利水平。尤其對于加工工藝復雜的封裝基板來講，多個步驟良率疊乘直接影響最終產品良率。Chiplet 技術關注度不斷提升，ABF 載板朝著更大面積、更高密度發展，對良率帶來巨大挑戰。電子 行業專題報告 45 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表82:芯片制程提升基板生產難度增加 資料來源：三星電機官網，方正證券研究所 7.3 海外廠商壟斷 ABF 市場，封裝基板國產化提速 5G5G 滲透提升驅動滲透提升驅動 S SiPiP 封裝載板及射頻封裝載板及射頻 AiAiP P 模組需求提升。模組需求提升。BT 基板按應用的封裝

139、類型包括 WB PBGA/CSP 和 FCCSP/BOC 和模組等。應用方面，BT 載板下游主要包括存儲芯片、MEMS 芯片、射頻芯片等，其中存儲芯片是 BT 載板最大的下游市場。我們認為當前存儲已至底部區間，主流供應商持續減產，供需逐步改善。未來隨著數據中心資本開支重返增長，疊加大模型時代對數據存儲的需求，AI 有望引領新一輪上升周期。存儲芯片市場長期擴張趨勢將帶動 BT 載板需求向上。此外 5G滲透持續提升亦帶動 BT 載板需求。根據 Prismark，2 2021021 年全球年全球 B BT T 載板市場規載板市場規模約模約 7 71 1 億美金，到億美金，到 2 2026026 年有

140、望增長至年有望增長至 9 93 3 億美金，億美金，C CAGR 5.5%AGR 5.5%。算力時代，高性能計算及算力時代，高性能計算及 AIAI 等為等為 A ABFBF 載板注入增長強勁動力。載板注入增長強勁動力。從 ABF 載板下游市場規模來看，PC 仍是 ABF 載板用量最大的下游市場，但服務器/轉換器、AI 芯片及 5G 基站芯片 ABF 用量增速更快。近年來高性能計算、AI 為 ABF 基板注入增長強勁動力。根據 Prismark，2 2021021 年全球年全球 ABFABF 載板市場規模約載板市場規模約 7 70 0 億美金，到億美金，到2 2026026 年有望增長至年有望增

141、長至 121121 億美金，億美金，C CAGR 11.6%AGR 11.6%。電子 行業專題報告 46 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 圖表83:IC 封裝基板分產品市場空間及下游應用情況 資料來源：臻鼎，華經產業研究院，Benzinga，方正證券研究所 服務器用服務器用 A ABFBF 載板量是載板量是 P PC C 的的 9 9-1 10 0 倍。倍。根據味之素和 IBIDEN，服務器主控芯片所需的 ABF 載板層數是 PC 的 2.5-3.5 倍，ABF 載板的面積是 PC 的約 3.6 倍，因此服務器主控芯片 ABF 載板需求面積將是 PC 的 9-1

142、0 倍。從 IBIDEN 半加成法產品面積預測我們也可以看到服務器產品需求未來幾年將成為增長的主要驅動力。圖表84:服務器單芯片 ABF 價值量遠高于 PC 圖表85:IBIDEN 半加成法產品面積翻倍增長 資料來源：味之素，方正證券研究所 資料來源：Ibiden，方正證券研究所 電子 行業專題報告 47 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s ABFABF 全稱味之素堆積膜（全稱味之素堆積膜（Ajinomoto BuildAjinomoto Build-Up FilmUp Film），由日本知名味精企業味之），由日本知名味精企業味之素（素（AjinomotoAjino

143、moto）于上世紀）于上世紀 9090 年代年代發現。發現。味之素集團在上世紀 70 年代開展了氨基酸化學在環氧樹脂及其復合材料中的應用的基礎研究，制作味精的類樹脂副產物具有極佳的絕緣性能，似乎具有成為半導體絕緣材料的潛質。開發負責人 Koji Takeuchi 跳出了傳統半導體油墨型絕緣材料的思維定式，使得革命性的用于 IC載板的 ABF 材料問世。ABF 材料具有低熱膨脹系數、低介電損耗的特點，其易于加工精細線路、機械性能良好、耐用性好的特征，使其成為 FCBGA 封裝基板的主流基板介質材料。相較于 BT 載板，ABF 材質可做線路較細、適合高腳數高速率傳輸的集成電路芯片，主要用于 CPU

144、、GPU、FPGA、ASIC 等高運算性能芯片。圖表86:ABF 薄膜 資料來源：味之素官網，方正證券研究所 ABFABF 載板發展大致經歷載板發展大致經歷 3 3 個階段，近年來受益個階段，近年來受益 5G5G 和高性能服務器，重回高增速。和高性能服務器，重回高增速。1 1）2 2001001-20102010 年，快速發展期。年，快速發展期?；ヂ摼W時代，PC 銷量大幅提升，帶動高性能 CPU需求，ABF 載板需求開始飆升。2 2）2 2010010-20152015 年，平穩發展期。年，平穩發展期。智能手機滲透率逐步提升，同時 PC 出貨量見頂并有逐步下滑趨勢。由于 ABF 載板更多的用于

145、 PC及服務器等對于芯片尺寸厚度相對沒有那么敏感的終端，在早期智能手機中應用較少，ABF 載板需求進入平穩發展階段。3）2 2015015-至今，重回高增長期。至今，重回高增長期。隨著各國在 2018 年左右陸續推出 5G 服務，博通等網絡芯片制造商開始大規模使用 ABF載板，用于路由器、基站和相關通信應用中。近年來云計算、AI、自動駕駛等技術興起，激發了對更強大服務器芯片的需求，ABF 載板需求再度提升。圖表87:英特爾和 AMD 使用 ABF 基板的 MPU 收入（億美元）資料來源：電子工程專輯，Bloomberg，方正證券研究所 0100200300400500600700英特爾AMD其

146、他電子 行業專題報告 48 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 海外廠商壟斷海外廠商壟斷 A ABFBF 市場，國產供應商加速追趕。市場，國產供應商加速追趕。根據 Yole 數據，2021 年前五大廠商（Ibiden 揖斐電、Unimicron 欣興電子、Nanya 南亞、Shinko 新光電氣、AT&S奧特斯）占據 ABF 市場近 75%的份額，Kinsus 景碩科技、SEMCO 三星電機、Access珠海越亞、Daeduck 韓國大德、Toppan凸版印刷和 Kyocera 京瓷構成了其余市場。中國臺灣、日本和韓國廠商起步早，形成壟斷局勢。中國大陸地區封裝基板產

147、業由于起步較晚，加之在關鍵原材料、設備及工藝等方面的差距，因此目前在技術水平、工藝能力及市場占有率上相較日韓和中國臺灣地區的知名封裝基板產業仍處于落后地位。內資企業中興森科技、深南電路、珠海越亞等公司技術實力強勁。圖表88:2020-2021 年 ABF 基板市場格局 圖表89:2021 年全球 IC 載板企業占比情況 資料來源：Yole，方正證券研究所 資料來源：Rocket PCB，方正證券研究所 行業增長空間廣闊，封裝基板企業積極擴產。行業增長空間廣闊，封裝基板企業積極擴產。行業增長趨勢高確定性情況下，2018年起包括奧特斯、揖斐電等在內的 IC 載板廠商紛紛進行擴產。2021-2022

148、 年全球ABF 擴產投資規模達到 155億美金，其中中國大陸投資規模排名第一占比達到 46%，我們看到興森科技、深南電路等公司積極投建封裝基板項目，緊抓封裝基板國產化機遇。圖表90:全球 IC 封裝基板部分廠商擴產情況 資料來源：華經產業研究院，方正證券研究所 02004006008001,0001,2002021202011.0%15.0%7.0%8.0%17.0%9.0%10.0%9.0%5.0%4.0%5.0%IbidenunimiconSimmtechshinkootherKinsusSemcoNanyaDaeduckASEKyocera電子 行業專題報告 49 敬 請 關 注 文 后

149、 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 興森興森 C CSPSP 封裝基板“十年芯路”，具備薄板、細線路、多層板能力。封裝基板“十年芯路”，具備薄板、細線路、多層板能力。興森科技 CSP封裝基板工廠設備設計上具備最薄 0.035mm 芯板加工能力，對于無芯基板產品，制造過程中使用自動分離機，分離速度快、精度高，避免了手動分離后的基板翹曲、折痕和破損問題。細線路方面，公司有全套對應 Tenting（50/50-25/25m）、MSAP（30/30-15/20m）、ETS（13/13-10/10m）的設備，LDI 曝光機采用直接曝光進行圖像轉移，公司引進業內先進的高解析度全自動 LDI 曝光機，

150、對準精度高，穩定性好，產速高。此外通過垂直非接觸式顯影線，提升細線路良率。多層板制作方面，公司有成熟的層間對位系統，采用高集成一體化全自動疊合。同時工廠通過高度自動化，提高效率保證一致性。圖表91:興森 CSP 基板技術路線圖 資料來源：電巢，興森科技，方正證券研究所 圖表92:興森科技 CSP 基板發展歷程 圖表93:興森 CSP 基板關鍵工藝 資料來源：電巢，興森科技，方正證券研究所 資料來源：電巢，興森科技，方正證券研究所 C CSPSP 封裝基板客戶資源優質，跟隨下游需求持續擴產。封裝基板客戶資源優質，跟隨下游需求持續擴產。興森科技在 BT 封裝基板領域是目前國內少數幾家具備量產能力和

151、穩定的客戶資源的公司之一，公司于 2012年開始進入 IC 封裝基板領域，2018 年實現 BT 載板滿產，2019 年實現財務層面盈利，且已通過三星認證，客戶包括三星、長電、華天、瑞芯微電子、紫光、西部數據、OSE、Amkor 等國內外知名封測、IC 設計廠商。公司目前廣州生產基地有2 萬平方米/月的產能，良率優秀，與大基金合作的 IC 封裝基板項目（廣州興科，由全資子公司珠海興科實施）分二期投資，第一期規劃的產能為 4.5 萬平方米/月，第一條產線（1.5 萬平方米/月）產能已開出。未來隨著客戶需求及市場情況，公司將繼續擴產以支撐長期增長。電子 行業專題報告 50 敬 請 關 注 文 后

152、特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s FCBGAFCBGA 封裝基板客戶認證、良率提升及產線建設穩步推進封裝基板客戶認證、良率提升及產線建設穩步推進。興森科技在 ABF 封裝基板領域是僅有的幾家在客戶認證有突破的國產供應商之一，目前與國內外部分主流的芯片設計公司、封裝企業均已建立起聯系。1）產能：珠海工廠和廣州工廠一期產能均已建成，并已通過部分國內標桿客戶的工廠審核，產品認證和海外客戶拓展按計劃推進，預期將于 2024Q2 逐步進入量產階段。截至 2023 年末累計投資規模超過 26 億元，逆勢擴張支撐公司長期成長。2）良率：2023 年 FCBGA 封裝基板良率迅速提升，低層板良率提升至

153、90%、高層板良率提升至 85%以上，與海外龍頭企業的良率差距進一步縮小，預期 2024 年底之前產品良率將達到海外龍頭企業的同等水平。3）產品能力：已具備 20 層及以下產品的量產能力，20 層以上產品處于測試階段。4）新技術開發：玻璃基板、磁性基板、多層基板內埋工藝等均有序推進，在核心材料、生產工藝層面均有突破。電子 行業專題報告 51 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 8 電鍍液：半導體封裝關鍵環節，深度受益先進封裝趨勢 隨著封裝技術由傳統封裝轉向先進封裝，對濕化學品需求也更高。根據中國電子材料行業協會預計，2025 年中國封裝用濕化學品市場規模達 16.7

154、 億元，復合增長率 5.1%。根據 TECHCET 預測，全球半導體電鍍材料市場規模也將持續增長，預計 2022 年市場規模超 10 億美元，主要動力為先進封裝中 RDL 和銅柱結構。目前全球主要廠商包括 Umicore、MacDermid、TANAKA、Japan Pure Chemical 和 BASF等，2022 年占高純度電鍍液市場規模的 69.5%。圖表94:中國封裝用濕化學品市場規模(單位:億元)圖表95:全球半導體電鍍材料市場規模(單位：百萬美元)資料來源：中國電子材料行業協會，方正證券研究所 資料來源：Techcet，方正證券研究所 電鍍液產品逐步向先進封裝和晶圓制造領域擴展。

155、電鍍液產品逐步向先進封裝和晶圓制造領域擴展。電鍍液在半導體制造過程中扮演著關鍵角色。其成分包括主鹽、導電劑、絡合劑以及各種電鍍添加劑。其中，電鍍添加劑是對電鍍功能產生重要影響的核心成分。隨著集成電路中互連層數的增加以及先進封裝中對 RDL 和銅柱結構的廣泛應用，對銅互連材料的需求將持續增長。先進封裝電鍍產品主要用于制造先進封裝 Bumping 工藝凸塊，實現芯片與晶圓、載板之間的電氣連接。圖表96:先進封裝 Bumping 工藝示意圖 資料來源：艾森股份公告，方正證券研究所 12.4 13.8 14.8 15.7 16.2 16.7 024681012141618202020212022F20

156、23F2024F2025F電子 行業專題報告 52 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 天承科技天承科技：研發集成電路新領域產品并配設生產基地，先進封裝電鍍液嶄露頭角。研發集成電路新領域產品并配設生產基地，先進封裝電鍍液嶄露頭角。公司研發并推出了集成電路相關的功能性濕電子化學品，其中，RDL、bumping、TSV、TGV 等部分先進封裝電鍍液已推向下游測試驗證，目前獲得的測試結果都較好，符合客戶的預期，后續將接受終端客戶的驗廠；大馬士革電鍍液產品也正在積極研發中。公司于 2023 年 8 月 31 日披露了投資建設集成電路功能性濕電子化學品電鍍添加劑系列技改項目的

157、新項目，旨在建設集成電路領域電子化學品的生產基地，預計 2024 年二季度竣工投產，公司后續將大力推動相關先進封裝電鍍液及晶圓級電鍍液投向市場的進度。艾森股份：艾森股份：傳統傳統電鍍液龍頭，先進封裝電鍍液龍頭，先進封裝&先進制程逐步突破。先進制程逐步突破。艾森股份在電鍍液及配套試劑板塊持續夯實傳統封裝國內龍頭地位的基礎上，逐步在先進封裝以及晶圓 28nm、14nm 先進制程取得突破。1）先進封裝：公司先進封裝用電鍍銅基液（高純硫酸銅）已在華天科技正式供應；先進封裝用電鍍錫銀添加劑已通過長電科技的認證，尚待終端客戶認證通過；先進封裝用電鍍銅添加劑已完成測試認證，現處于批次穩定性驗證。2）晶圓制造

158、：公司大馬士革銅互連工藝鍍銅添加劑產品已進入樣品試制和產品認證階段；14nm 先進制程的超高純硫酸鈷已完成樣品生產，在客戶端測試進展順利；晶圓制造銅制程用清洗液已完成客戶測試認證，實現小批量交付。2023 年公司電鍍液及配套試劑收入 1.8 億元，同比增長 21.8%。電子 行業專題報告 53 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款 s 9 投資建議 我們看好國產內存及供應鏈機遇：我們看好國產內存及供應鏈機遇：1 1）本輪半導體周期低點已過，全球及國產存儲廠商產品價格、稼動率已逐步修本輪半導體周期低點已過，全球及國產存儲廠商產品價格、稼動率已逐步修復，復，DRAMDRAM

159、廠商資本開支回升，海外設備龍頭來自存儲下游的訂單占比提升，廠商資本開支回升，海外設備龍頭來自存儲下游的訂單占比提升，AIAI 服務器、服務器、AI PCAI PC、AI PhoneAI Phone 有望引領開啟下一輪存儲大周期。有望引領開啟下一輪存儲大周期。2 2）HBMHBM 供不應求，先進封裝帶動封測供應鏈升級。供不應求，先進封裝帶動封測供應鏈升級。3 3）中國大陸中國大陸 DRAMDRAM 投片量占全球比重僅約投片量占全球比重僅約 10%10%，顯著低于中國大陸半導體銷售額，顯著低于中國大陸半導體銷售額全球占比約全球占比約 30%30%的水平，大基金三期落地，的水平，大基金三期落地，DR

160、AMDRAM 自主化需求空間廣闊。自主化需求空間廣闊。4 4）堅定不移推進集成電路產業鏈自主可控。堅定不移推進集成電路產業鏈自主可控。國家層面多次強調打造自主可控、安全可靠、競爭力強的現代化產業體系重要性，并從政策和市場兩方面推動行業發展。大基金一期和二期對外投資超過 120 家公司，涵蓋集成電路設計、代工、存儲器制造、封測、半導體設備、材料、第三代半導體、EDA 軟件等全產業鏈。大基金三期成立，注冊資本超前兩期總和。我國擁有龐大的芯片消費市場和豐富的應用場景，這是市場經濟下最寶貴的資源，我們認為半導體我們認為半導體及存儲及存儲供應鏈中長期必將供應鏈中長期必將充分充分受益國產化份額大幅提升。受

161、益國產化份額大幅提升。建議關注：建議關注：HBMHBM 產業鏈：產業鏈：香農芯創，雅克科技，兆易創新，深科技；半導體設備：半導體設備：北方華創、中微公司、華海清科、拓荊科技、盛美上海、芯源微、中科飛測、精測電子、長川科技、新益昌、芯碁微裝、精智達、萬業企業；半導體材料：半導體材料：雅克科技、鼎龍股份、興森科技、彤程新材、天承科技、安集科技；零部件：零部件：正帆科技、富創精密、新萊應材。10 風險提示 國產替代進展不及預期：國產替代進展不及預期：半導體材料新技術難度較高，驗證周期較長，具有一定的不確定性，若國產材料供應商產品驗證進展不及預期，則可能對行業營收規模及盈利水平帶來不利影響。全球貿易紛

162、爭影響：全球貿易紛爭影響：全球貿易紛爭存在不確定性，尤其是科技領域競爭激烈，導致科技產業鏈具有不穩定性，影響國內晶圓廠擴產節奏，從而對國內供應商訂單及營收帶來不利影響。行業競爭加?。盒袠I競爭加?。喊雽w材料市場空間廣闊，行業盈利水平可觀，海外制裁背景下晶圓廠對于國產供應商接受意愿明顯提升，吸引眾多參與者進入行業，或導致未來行業競爭加劇。電子 行業專題報告 54 敬 請 關 注 文 后 特 別 聲 明 與 免 責 條 款s分析師聲明分析師聲明 作者具有中國證券業協會授予的證券投資咨詢執業資格，保證報告所采用的數據和信息均來自公開合規渠道，分析邏輯基于作者的職業理解，本報告清晰準確地反映了作者的研

163、究觀點，力求獨立、客觀和公正，結論不受任何第三方的授意或影響。研究報告對所涉及的證券或發行人的評價是分析師本人通過財務分析預測、數量化方法、或行業比較分析所得出的結論，但使用以上信息和分析方法存在局限性。特此聲明。免責聲明免責聲明 本研究報告由方正證券制作及在中國（香港和澳門特別行政區、臺灣省除外）發布。根據證券期貨投資者適當性管理辦法，本報告內容僅供我公司適當性評級為 C3 及以上等級的投資者使用，本公司不會因接收人收到本報告而視其為本公司的當然客戶。若您并非前述等級的投資者，為保證服務質量、控制風險，請勿訂閱本報告中的信息，本資料難以設置訪問權限，若給您造成不便，敬請諒解。在任何情況下，本

164、報告的內容不構成對任何人的投資建議，也沒有考慮到個別客戶特殊的投資目標、財務狀況或需求，方正證券不對任何人因使用本報告所載任何內容所引致的任何損失負任何責任，投資者需自行承擔風險。本報告版權僅為方正證券所有，本公司對本報告保留一切法律權利。未經本公司事先書面授權，任何機構或個人不得以任何形式復制、轉發或公開傳播本報告的全部或部分內容，不得將報告內容作為訴訟、仲裁、傳媒所引用之證明或依據，不得用于營利或用于未經允許的其它用途。如需引用、刊發或轉載本報告，需注明出處且不得進行任何有悖原意的引用、刪節和修改。評級說明：評級說明：類別類別 評級評級 說明說明 公司評級 強烈推薦 分析師預測未來12個月

165、內相對同期基準指數有20%以上的漲幅。推薦 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數有10%以上的漲幅。中性 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數在-10%和10%之間波動。減持 分析師預測未來12個月內相對同期基準指數有10%以上的跌幅。行業評級 推薦 分析師預測未來12個月內行業表現強于同期基準指數。中性 分析師預測未來12個月內行業表現與同期基準指數持平。減持 分析師預測未來12個月內行業表現弱于同期基準指數?；鶞手笖嫡f明 A股市場以滬深300 指數為基準；香港市場以恒生指數為基準，美股市場以標普500指數為基準。方正證券研究所聯系方式：方正證券研究所聯系方式：北京：西城區展覽館路 48 號新聯寫字樓 6 層 上海：靜安區延平路71號延平大廈2樓 深圳：福田區竹子林紫竹七道光大銀行大廈31層 廣州：天河區興盛路12號樓雋峰苑2期3層方正證券 長沙：天心區湘江中路二段36號華遠國際中心37層 E-mail：