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2017年紫外深紫外LED封裝技術與發展.pdf

上傳人: 云閑 編號:92685 2021-01-01 28頁 3.38MB

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本文主要探討了紫外/深紫外LED封裝技術及其應用。紫外LED波長分布包括UV A、UV B、UV C、UV V和NUV,深紫外LED波長分布小于300 nm。紫外LED外延層材料包括三族氮化物,如InxGa1-xN和AlxGa1-xN。紫外LED封裝技術可采用白光LED封裝技術,使用有機封裝材料,但需注意材料老化和器件失效等問題。深紫外LED封裝技術禁止使用有機材料,必須實現氣密封裝,采用低溫焊接和平面陶瓷基板等技術。紫外/深紫外LED應用廣泛,包括光固化、光催化、醫療美容、防偽、植物照明等領域,以及殺菌消毒、流動水體和空氣凈化等。未來,紫外LED封裝技術發展需研發新型抗紫外材料,優化氣密封裝結構和封裝工藝,提高光效和可靠性。
"紫外/深紫外LED技術現狀如何?" "紫外LED與深紫外LED在封裝技術上有何不同?" "紫外/深紫外LED技術在實際應用中有哪些優勢和挑戰?"
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