2020年中國射頻前端芯片器件行業應用場景分析市場產業研究報告（38頁）.docx

1、2020 年深度行業分析研究報告目錄1、 數字時代，射頻器件是無線通訊發展的基石51.1、 射頻芯片過去幾十年經歷數代升級51.2、 射頻前端由多個核心器件組成51.3、 射頻前端芯片應用場景隨著通信網絡升級不斷擴展62、 5G 通信推動射頻芯片技術革新和市場爆發82.1、 5G 高速網絡催生射頻芯片的不斷升級92.1.1、 5G 推動新材料新工藝用于射頻芯片92.1.2、 5G 催生手機射頻芯片走向集成化和模塊化102.1.3、 5G 基站引入大規模陣列天線帶動射頻芯片需求激增132.1.4、 IoT 領域射頻芯片技術方向142.2、 5G 通信帶來射頻芯片海量需求，成長空間廣闊152.2.

2、1、 5G 直接帶來手機射頻前端芯片用量的大幅提升152.2.2、 5G 網絡大規模建設，基站射頻芯片需求大幅增長182.2.3、 5G 商用帶來的萬物互聯將極大提升射頻市場空間213、 海外廠商占據主導，國產化浪潮助力本土廠商逐步崛起223.1、 全球發展格局：海外廠商技術和市場遙遙領先223.2、 市場倍增和國產化給本土射頻前端公司帶來大量機遇283.3、 本土射頻前端各環節不斷涌現優秀公司284、 國內產業投資邏輯與上市公司推薦314.1、 卓勝微：國內領先射頻芯片供應商314.2、 麥捷科技：國內優秀射頻器件提供商364.3、 三安光電：化合物半導體專家，中國穩懋靜待起航334.4、

3、長電科技：國內領先 SIP 封裝廠354.5、 優秀公司戰略入股射頻前端企業，做強本土射頻賽道36圖表目錄圖 1： 射頻和微波電子領域在過去四十年經歷四個發展階段5圖 2： 智能手機通信系統結構示意圖6圖 3： 射頻電路示意圖6圖 4： 射頻前端芯片行業產業鏈示意圖6圖 5： 現代無線通訊技術的發展歷程7圖 6： 1G 到 5G 的通訊速率快速提高7圖 7： 手機設備隨著通訊網絡的升級不斷更新換代7圖 8： 華為 Mate30 射頻芯片7圖 9： 1G 到 5G 基站天線數量不斷增加8圖 10： 華為基站芯片主板8圖 11： 中低速通訊場景下的各種應用8圖 12： NB-IoT 模塊實物圖8圖

4、 13： 各代半導體材料對比和應用場景9圖 14： 射頻前端演化過程9圖 15： 不同封裝形式的 SAW10圖 16： 比較微波頻率范圍內不同材料的功率和頻率10圖 17： 主要手機廠商射頻前端模組和連接性現狀和趨勢10圖 18： 射頻前端模塊化趨勢11圖 19： 多種復合功能的 PA 芯片類型11圖 20： 不同射頻頻率對應不同濾波器產品12圖 21： SAW 和 BAW 器件結構圖12圖 22： 不同封裝形式的 SAW12圖 23： 村田 CSP 封裝 BAW 產品12圖 24： 射頻開關不同工藝技術路線13圖 25： SPDT 射頻開關示意圖13圖 26： 5G 通信需要大規模天線陣列1

5、3圖 27： 不同材料射頻芯片的工作區域14圖 28： 不同材料射頻芯片對比14圖 29： 物聯網射頻前端 PA 的關鍵設計方向15圖 30： 全球射頻前端和連接器市場規模預測（美元）16圖 31： 移動射頻前端模組的封裝趨勢16圖 32： 不同細分頻段的射頻前端模組 SiP 組裝市場16圖 33： 全球 GaAs PA 市場規模（億美元）17圖 34： 5G 手機需要增加更多的頻段17圖 35： 品牌廠商不斷推出 5G 手機17圖 36： 全球智能手機銷量預測17圖 37： 基站類型與應用場景18圖 38： 5G 通信未來場景18圖 39： 5G 基站 PA 數量大幅提升19圖 40： 64

6、T64R 保證高通信速率19圖 41： 中國 5G 基站 GaN 功放市場規模預測（億元）19圖 42： 基站 PA 的未來發展趨勢19圖 43： 2018-2024 GaN 射頻器件全球市場規模預測（美元）20圖 44： GaN 在 5G 時代將取代部分 LDMOS20圖 45： SiC 基 GaN 在 5G 周期市場份額逐步提升20圖 46： 2009-2019 全國移動通信基站數量（萬個）21圖 47： 陶瓷介質濾波器21圖 48： 全球蜂窩通信物聯網連接數（億個）22圖 49： 射頻器件和模組海外主要供應商22圖 50： 射頻器件和模組全球主要供應商23圖 51： 全球射頻 PA 市場

7、格局23圖 52： SAW 濾波器全球市場份額占比24圖 53： BAW 濾波器全球市場份額占比24圖 54： 2018 年射頻開關全球市場格局24圖 55： 2018 年全球砷化鎵器件市場占有率統計情況25圖 56： 2017 年 GaAs 襯底全球市場格局26圖 57： 2017 年 GaAs 外延片全球市場格局26圖 58： GaAs 產業鏈全球主要廠商26圖 59： 2017 年 GaAs 代工廠商全球市場格局26圖 60： GaN 功率器件全球主要玩家27圖 61： 全球 GaN 廠商專利布局情況27圖 62： 全球 TOP10 品牌手機廠商出貨（百萬部）28圖 63： 2018 年

8、全球移動通信基站市場格局28圖 64： 中美貿易戰和美國對中國科技公司技術管制28圖 65： 射頻產業鏈全球主要公司29圖 66： GaN 產業鏈主要國內公司30圖 67： 國內 GaAs/GaN 產業鏈主要國內公司30圖 68： 公司上下游主要客戶32圖 69： 卓勝微營收及歸母凈利變化32圖 70： 卓勝微 2019 年營收結構32圖 71： 射頻開關與低噪聲放大器的毛利率水平變化33圖 72： 公司部分產品37圖 73： 麥捷科技歷年營收和凈利潤37圖 74： 麥捷科技 2019 年營收結構37圖 75： 三安集成主要業務34圖 76： 三安光電歷年營收和凈利潤34圖 77： 三安光電

9、2019 年上半年營收結構34圖 78： 2018 年全球 TOP25 的委外封測企業排名（M$）35圖 79： iWatch 里使用的 SiP 模塊及射頻 T/R SiP 模塊35圖 80： 公司歷年營收和凈利潤36圖 81： 公司 2019 年營收結構36圖 82： 公司部分產品38圖 83： 宜確 TR963 濾波器模塊芯片38圖 84： 晶圓級濾波器封裝實物圖38表 1： 各種物聯網通信技術對比14表 2： 2G 到 5G 手機射頻前端芯片價值量變化趨勢15表 3： 全球智能手機射頻前端需求量測算18表 4： 5G 宏基站 PA 市場測算20表 5： 5G 宏基站濾波器市場測算21表

10、6： 射頻前端芯片有多種工藝25表 7： 卓勝微盈利預測33表 8： 三安光電盈利預測35表 9： 長電科技盈利預測361、 數字時代，射頻器件是無線通訊發展的基石1.1、 射頻芯片過去幾十年經歷數代升級在過去的五十年中，射頻（RF）電路經歷了快速發展和技術演變，一共經歷 了四個時期。第一個時期，從 20 世紀 60 年代中期到 20 世紀 70 年代中期，其特點 是使用二極管有源器件和波導傳輸線和諧振器。第二個時期的主要特點是使用了 GaAs MESFET 器件，通過連接諸如 GaAs MESFET 和二極管的有源器件來組裝電 路。第三個時期主要特點在于不斷降低 RF /微波固態電路的成本，

11、尺寸和重量，遵 循數字 IC 和模擬 IC 一樣的路徑，GaAs 集成電路的制造技術于 20 世紀 80 年代中 期開始出現，單片的 MMIC 集成電路取代當時存在的大部分陶瓷微帶混合硬件。 第四個時期隨著無線應用場景需求的增多，降成本的需求促使基于 Si 工藝的 RFIC 取得快速發展，LDMOS 工藝大陸應用于射頻領域?，F在也有新的變化，隨著 5G 的高頻特性，基于 GaAs 或 GaN 材料的射頻芯片正在快速發展。圖1： 射頻和微波電子領域在過去四十年經歷四個發展階段TECHNOLOGY ERA4. RFIC3. MMIC2. MESFET/MICROSTRIP1. DIODES/WAV

12、EGUIDES6570758085909500051015YEAR資料來源：CDSN,1.2、 射頻前端由多個核心器件組成我們正處在無線通信快速發展的時代，一部手機通常包含五個部分：射頻部分、 基帶部分、電源管理、外設、軟件，其中射頻部分是手機通信系統的核心組件，負 責射頻收發、頻率合成、功率放大等。射頻芯片是指將無線電信號通信轉換成一定 的無線電信號波形，并通過天線諧振發送出去的一個電子元器件，它包括功率放大 器（PA：Power Amplifier）、低噪聲放大器（LNA：Low Noise Amplifier）、天線開 關（Switch）、濾波器（Filter）、雙工器(Duplexer

13、 和 Diplexer)等。射頻芯片架構包 括接收通道和發射通道兩大部分。功率放大器(PA)：用于實現發射通道的射頻信號放大；天線開關(Switch)：用于實現射頻信號接收與發射的切換、不同頻段間的 切換；濾波器(Filter)：用于保留特定頻段內的信號，而將特定頻段外的信號濾除；低噪聲放大器(LNA)：用于實現接收通道的射頻信號放大。雙工器(Duplexer 和 Diplexer)：用于將發射和接收信號的隔離，保證接收和發射在共用同一天線的情況下能正常工作；圖2： 智能手機通信系統結構示意圖圖3： 射頻電路示意圖 射頻前端資料來源：半導體行業觀察,，資料來源：ELECFANS,射頻前端行業產

14、業鏈發展模式與數字 IC 類似，有行業分工模式包括：芯片設 計、晶圓制造、封測等，也有垂直整合模式（IDM），下游廠商主要是消費類電子、 通訊產品、物聯網設備等領域。圖4： 射頻前端芯片行業產業鏈示意圖資料來源：卓勝微，1.3、 射頻前端芯片應用場景隨著通信網絡升級不斷擴展射頻芯片主要用于無線通信，下游市場主要有通訊基站、手機和物聯網設備等。 過去十幾年的時間，通訊行業經歷了從 2G 到 3G，再由 3G 到 4G 的逐步迭代，再從 4G 升級到如今的 5G。更多頻段的開發、新技術的引入令高速網絡普及，手機也從當年短信電話的功能機轉變為更加多元的智能終端，滿足即時下載、社交直 播、在線游戲等需

15、求。伴隨著這種轉變，通訊性能成為手機越來越重要的指標。這 其中射頻前端(RFFE)作為核心組件，其作用更是舉足輕重。圖5： 現代無線通訊技術的發展歷程圖6： 1G 到 5G 的通訊速率快速提高資料來源：愛立信,資料來源：serengeseba,手機是射頻芯片的最大消費領域，從歷史進程來看，無線通訊網絡每升級一代， 就帶來了更多的頻段和制式，對應需要更多的射頻芯片，例如 PA 直接決定了手機無線通信的距離、信號質量，甚至待機時間，是整個射頻系統中除基帶外最重要的 部分。手機里面 PA 的數量隨著 2G、3G、4G、5G 向前兼容，從而帶來頻段不斷增 加。由于手機設計空間有限，所以設計上需要盡可能

16、實現集成，同時要滿足不斷提 升性能需求，因此工藝上也在不斷改進。海思射頻接收器射頻PA高通射頻前端海思射頻PA模塊模塊海思LNA/開關射頻PA海思LNA/海思LNA/村田射頻前端開關開關模塊圖7： 手機設備隨著通訊網絡的升級不斷更新換代圖8： 華為 Mate30 射頻芯片資料來源：模切網,資料來源：Tech Insights,通訊基站同樣是射頻芯片需求量很大的一個領域?；旧漕l芯片是實現信號收 發的核心芯片。隨著通訊技術升級，基站天線更加系統化和復雜化，基站天線用量 也在大幅提升，每一路天線都連接濾波器、功放、射頻開關等元器件，最后通過連 接器與光纖相連接，收發通道數目的增加將會帶來對這些環節

17、需求量的提升。圖9： 1G 到 5G 基站天線數量不斷增加圖10： 華為基站芯片主板資料來源：C114,資料來源：華為,5G 將推動物聯網成為射頻芯片消費的重要細分領域。5不僅僅意味著高速的 數據連接，同時還會支持海量的 IoT 應用和低時延高可靠性的場景。中國的三大運營商一直在加大 Cat-M/NB-IoT 網絡的部署。Cat-M/NB-IoT 是基于蜂窩網的廣域網 接入標準，電信運營商掌握著 NB-IoT 的網絡服務和號碼資源，期待在萬物互聯的 世界里面扮演重要的角色。物聯網將逐步接入大量的終端設備，最后實現海量的連接，大量的網絡互聯將 帶來射頻前端芯片的需求大增。全球應用于窄帶物聯網通信

18、的頻率，分布在中低頻 范圍。射頻前端的設計者需要在寬帶匹配、諧波抑制、超低功耗還有低成本方面選 擇最優化的設計方案。圖11： 中低速通訊場景下的各種應用圖12： NB-IoT 模塊實物圖資料來源：Qorvo,資料來源：quectel,2、 5G 通信推動射頻芯片技術革新和市場爆發隨著全球經濟和技術的快速發展，通訊技術在過去的 40 年發生了巨大的變化 和升級。從上個世紀 80 年代的 1G 時代到 2020 年的 5G 時代，網絡速度從最初的100kps 提升到如今的 1Gkps，通訊速率和效率的大幅提升即帶來了數字經濟的蓬勃 發展，也促進了硬件設備的大爆發和不斷升級。5G 高速的通信速率和巨

19、大通訊容 量對射頻芯片提出了新的挑戰，推動射頻前端芯片技術不斷升級和市場需求的爆發。圖13： 各代半導體材料對比和應用場景1980s1990s2000s2010s2020s1G 2G 3G 4G 5G世界的潮流移動電話 語音業務短信低速 數據簡單數據APP 移動網站智能手機APP 視頻、游戲全面智能 萬物互聯中國的腳步空白跟學突破并跑領跑資料來源：隨著通信網絡頻段的擴充和向高頻段發展的趨勢，射頻前端模塊也在隨著網絡 的升級而變化，進入 2020 年以后 5G 將帶動超高帶寬模組和毫米波模組逐漸會成 為主流，同時 LB 領域將逐步進行 Band Refarming。圖14： 射頻前端演化過程20

20、17201820192020資料來源：Yole,2.1、 5G 高速網絡催生射頻芯片的不斷升級2.1.1、 5G 推動新材料新工藝用于射頻芯片射頻芯片發展路徑基本遵循模擬 IC 的發展路徑，追求性能提升的同時不斷降 低成本，但不同之處在于受信號頻率不斷的升級，器件材料和工藝平臺也在不斷變 化。射頻芯片相關的材料工藝包括 RF CMOS、SOI、砷化鎵、鍺硅以及壓電材料等， 以及 5G 時代出現的新材料工藝 GaN、MEMS 等，行業中的各廠商需在不同應用背 景下，尋求材料、器件和工藝的最佳組合，以提高射頻前端芯片產品的性能和成本 競爭力。在 5G 時代，制造工藝和材料有兩個較大的變化： RF-

21、SOI 的市場規模會逐步增大。在射頻器件產品線中，RF-SOI 為主要的 制造技術，其整合 Switch 與 LNA 的制程工藝能有效減小器件尺寸并提供 良好功耗及性能表現，所以在射頻前端模塊領域廣泛采用。RF MEMS 技 術制造的無源器件能夠直接和有源電路集成在同一芯片內，RF MEMS 應用未來也會提升，目前已經在天線調諧器有一定市場。GaAs 和 GaN 等化合物和寬禁帶半導體材料將得到大規模應用。新一代 半導體材料具有更大的禁帶寬度，更高的載流子速率，更好的導熱效率等 特點，適用于高頻高壓領域，隨著 5G 通信的波長更短，甚至到毫米波級 別，傳統的硅基 PA 難以滿足要求，GaAs/

22、GaN 基射頻器件市場份額將顯 著提升。圖15： 不同封裝形式的 SAW圖16： 比較微波頻率范圍內不同材料的功率和頻率資料來源：ittbank,資料來源：ADI,2.1.2、 5G 催生手機射頻芯片走向集成化和模塊化在射頻領域，采用集成模組還是采用分立器件的形式，全球主要手機廠商均有 自己的路線。如三星、蘋果等手機廠商傾向于采取集成的方式將射頻前端的復雜性 留給博通、Skyworks、Qorvo、村田這些射頻模組制造商去解決。而國內的華為、 小米、OPPO、VIVO 等廠商都傾向于采用“分立器件”的方式，盡可能降低射頻 端成本。5G 被引入智能手機，無疑讓已經很復雜的射頻前端變得更加復雜。圖

23、17： 主要手機廠商射頻前端模組和連接性現狀和趨勢資料來源：Yole,在 5G 更高頻段中，由于所對應天線尺寸的相對縮小，可以把足夠多的天線塞 入設備中以保證通信的穩定可靠性，把多根天線進行合成，建立低成本、低損耗的 互聯電路，同時對供應鏈的優化，對架構以及產品、工藝技術的升級都可以有效改 善成本結構。天線的不斷增多雖然能夠保證 5G 信號的穩定接收，但這也帶來了一 個矛盾，持續增加的射頻前端數量和 PCB 板可用面積趨緊之間的矛盾，這促使了 射頻前端模塊化的發展。所以從長遠來看，模塊化集成化將會是 5G 射頻前端的發-展趨勢。不斷縮小的單個芯片尺寸以及晶圓級封裝技術都將推動高集成模塊化的設

24、計。圖18： 射頻前端模塊化趨勢資料來源：Qorvo,5G 推動手機 PA 與其他 RF 器件進行集成。射頻前端功能組件圍繞 PA 芯片設 計、集成和演化，形成獨立于主芯片的前端芯片組。隨著無線通訊協議的復雜化及 射頻前端芯片設計的不斷演進，PA 設計廠商往往將開關或雙工器等功能與功率放 大電路集成在一個芯片封裝中，形成多種功能組合。根據實際情況，TxM（PA+Switch）、PAD（PA+ Duplexer）、 MMPA（多模多頻 PA）等多種復合功能的 PA 芯片類型。圖19： 多種復合功能的 PA 芯片類型 TxM（PA+Switch） TxM（PA+Switch+Duplexer） M

25、MPA（多模多頻PA）資料來源：電子發燒友網,5G 高頻特性推動 BAW 實現更多的應用。RF 濾波器包括了 SAW（聲表面濾 波器）、BAW（體聲波濾波器）、MEMS 濾波器、IPD（Integrated Passive Devices） 等。SAW、BAW 濾波器具備插入損耗低、Q 值高性能，目前是手機應用的主流濾波器。SAW 聲波在壓電基片材料表面傳播，使用上限頻率為 2.5GHz3GHz，BAW 在壓電材料體內垂直傳播，使用頻率在 2.0GHz 以上，BAW 濾波器的尺寸還隨頻率 升高而縮小，適合要求非?？量痰?4G 或 5G 應用，5G 的高頻率和高性能,使得 BAW 的需求在 4G

26、 LTE 基礎上大規模爆發。圖20： 不同射頻頻率對應不同濾波器產品圖21： SAW 和 BAW 器件結構圖SAWBAW資料來源：RF Lab,資料來源：RF Lab,對 SAW 來說，技術趨勢是小型片式化、高頻寬帶化、降低插入損耗。采用更 小尺寸，包括倒裝（FCP）和 WLP（晶圓級封裝）、WLCSP（Wafer Level ChipScalePackaging）技術正在使用，實現更高通帶率、High isolation，High selectivity以及更低價格。與 SAW 相比，BAW 性能更好，成本也更高，但是當頻段越來越多，甚至開始 使用載波聚合的時候，就必須得用 BAW 技術才能

27、解決頻段間的相互干擾問題。BAW 所需的制造工藝步驟是 SAW 的 10 倍，但 BAW 在更大晶圓上制造的， 每片晶圓產出的 BAW 器件也多約 4 倍，總體上 BAW 的成本仍高于 SAW，但在高 頻段 BAW 是唯一可用方案。TriQuint WLP: Hemetic WLP Solder/Cu pilarconnection Polymer+hermeticlayers cavity MUF assemblyMurata WLP: Cavity-lessBoundary Wave Solder Ball Attach Hermetic andMUF compatibleRFMD WLP

28、: Hemetic WLP Cavity blister Solder Ball Attach connection圖22： 不同封裝形式的 SAW圖23： 村田 CSP 封裝 BAW 產品資料來源：電子發燒友網,資料來源：電子發燒友網,射頻開關的主要作用是實現信號的接收與發射的切換以及不同頻段之間的切 換，因此，移動智能終端中需要不斷增加射頻開關的數量以滿足對不同頻段信號接 收、發射的需求，此外隨著 4G 到 5G 倍增的頻率范圍也會要求更多的天線諧調開關，因此 5G 會為射頻開關市場帶來大量新增需求。在調諧及開關方面，近幾年，射頻開關制造工藝從 GaAs 和藍寶石（SOS）遷 移到 RF

29、SOI。RF SOI 是目前市場上射頻開關的主流工藝，可以滿足當下的頻段及 性能要求，但也開始遇到一些新的技術挑戰。除此之外，市場還存在價格壓力，隨 著器件從 200mm 遷移到 300mm 晶圓，也會引發一些問題。相比之下，RF MEMS 具有一些吸引力的特性，并已經在一些領域取得了進展?，F在部分公司基于 RF MEMS 工藝的 MEMS 天線調諧器已經被三星和其他 OEM 廠商使用。-圖24： 射頻開關不同工藝技術路線圖25： SPDT 射頻開關示意圖資料來源：電子發燒友網,資料來源：卓勝微,2.1.3、 5G 基站引入大規模陣列天線帶動射頻芯片需求激增隨著 5G 通信頻率提高和路徑損耗加

30、大，通信系統將面臨改善覆蓋和減少干擾 的要求；通過在收發兩端增加天線數量來補償高頻路徑損耗，孕育出大規模天線陣 列 MIMO。MassiveMIMO 技術通過更多的天線大幅提高網絡容量和信號質量。大 規模 MIMO 中使用的耗電量大的有源電子掃描陣列（AESA），需要單獨的 PA 來驅 動每個天線元件。天線將會由 4T4R 通道向 64T64R 的大規模 MIMO 轉變，每一路 天線都連接濾波器、功放、射頻開關等元器件。同時 5G 組網要用到小基站與超密 組網技術，基站數量大幅提升?；緮盗亢突締螜C射頻芯片含量提升推動射頻芯 片需求激增。圖26： 5G 通信需要大規模天線陣列資料來源：華夏產

31、業研究院,由于 LDMOS 無法支持更高的頻率，GaAs 也不再是高功率應用的最優方案，GaN 的寬帶性能也是實現多頻載波聚合等重要新技術的關鍵因素之一，對于既定功率水平，GaN 具有體積小的優勢。有了更小的器件，則可以減小器件電容，從而使 得較高帶寬系統的設計變得更加輕松。5G 高發射功率的宏基站將更多的應用 GaN 材料。圖27： 不同材料射頻芯片的工作區域圖28： 不同材料射頻芯片對比資料來源：EEFOCUS,資料來源：Qorvo,2.1.4、 IoT 領域射頻芯片技術方向相比較 4G 而言，5G 網絡協議在低時延、超低功耗、多終端兼容性等層面上 進行了跨越級提升。這些功能正好解決了物聯

32、網對“快”以外的升級要求。對于 IoT 領域而言，5G 帶來的價值是多元化的。與消費電子設備要求的“快”不同，物聯網設備碎片化，低功耗連續傳輸反而是這些設備的特點，IoT 終端設備無線連接更 多的低頻段，因此可能出現 NB-IoT、2G、LTEeMTC 等多種網絡組合。以 NB-IoT 上行信號為例，NB-IoT 雖然有要求和 LTE 相同的上行功率，但是 信號的峰均比較低。另外，NB-IoT 采用半雙工方式工作，避免使用 FDD 雙工器， PA 后端的插入損耗小。這些因素可以讓 NB-IoT 的 PA 更加偏向于非線性的設計， 同時采用更小的 Die 設計，從而達到節省成本和提高效率的目的。

33、表1： 各種物聯網通信技術對比eMTCNB-IoTLoRa適用頻譜3GPP 授權頻譜3GPP 授權頻譜ISM 免授權頻譜，存在于干擾問題部署方式基于 LTE 升級基于 LTE FDD 或 GSM 升級，新建新建系統寬帶1.4MHz(與 LTE 共享頻譜，影響 LTE 性能)200kHz(對 LTE 性能無影響)7.8kHZ-500kHz發射功率下行 43dBm（典型），上行 20dBm下行 43dBm（典型），上行 23dBm下行 27dBm，上行 14dBm調制技術下行 OFDMA，上行 SC-FDMA下行 OFDMA，上行 SC-FDMASemtech LoRa 線性擴頻調制上行速率0.25kbps-1Mkbps0.25kbps-288kbps0.018kbps-37.5kbps鏈路預算MCL:156dBMCL:164dBMCL:156dB覆蓋距離15km(室外)25km(室外)10W200米實現信號覆蓋的主基站用于無法部署宏基站的市微基站500mW-10W50-200米區或郊區，提升信號覆蓋，增強傳輸速率皮基站100mW-500mW20-50米室內公共場所如機場、火 車站、購物中心等，增強 傳輸速率飛基站100mW10-20米家庭和小范圍環境中