【公司研究】新潔能-高端功率器件國產替代先鋒-20201015（25頁）.pdf

1、 1 證 券 研 究 報 告 證 券 研 究 報 告 公 司 深 度 研 究 公 司 深 度 研 究 新潔能（新潔能（605111）電子 高端功率器件國產替代先鋒高端功率器件國產替代先鋒 投資要點：投資要點： 國內功率器件國內功率器件設計領軍設計領軍企業企業 公司是國內最早一批專注于8英寸芯片工藝平臺，對MOSFET、IGBT等先進的 半導體功率器件進行技術研發和產品設計的先行者之一，在該領域具有雄 厚的技術實力和豐富的研發經驗。目前公司已成為國內功率器件十強企業 中唯一采用fabless模式的廠商。 聚焦聚焦中高端功率器件，受益替代進口浪潮中高端功率器件，受益替代進口浪潮 公司依托“構建-衍

2、生-升級”的良性發展模式，產品能夠快速、“裂變式” 研發生成，產品細分型號已達1000余種，客戶已覆蓋寧德時代、中興通訊、 富士康、 視源股份、 九號機器人等各領域頭部企業。 當前國內MOSFET、 IGBT 等中高端功率器件亟需替代進口，公司是國內率先掌握超結理論技術并量 產屏蔽柵功率MOSFET及超結MOSFET的企業，同時通過與華虹緊密合作已首 發12英寸平臺的MOSFET產品，看好公司持續受益于國產替代浪潮，營收規 模將保持快速增長。 布局布局前沿前沿技術技術+ +封裝產線封裝產線，強化，強化核心核心競爭力競爭力 公司立足現有市場、產品，結合產學研合作，不斷增加對半導體分立器件 行業內

3、新產品、替代產品的研發投入，全力推進高端功率MOSFET、IGBT 、 第三代半導體的研發與產業化，同時積極布局封裝產線，將進一步提升公 司核心產品競爭力和成本把控的能力，保證盈利能力的穩步提升。 盈利預測及投資建議盈利預測及投資建議： 預測公司2020-2022年營業收入分別為9.16億元、10.67億元和12.38億元， 同比增長18.57%、16.46%和16.08%；歸母凈利潤為1.28億元、1.52億元和 1.82億元， 同比增長29.88%、 19.53%和19.06%， 每股收益分別為1.26、 1.51 和1.79元，對應PE分別為40、34和28倍，首次覆蓋給予“推薦”評級。

4、 風險提示風險提示：1）下游市場需求不及預期；2）新產品客戶滲透不及預期； 3）競爭加劇導致產品價格下跌； Table_First|Table_Summary|Table_Excel1 財務數據和估值財務數據和估值 2018A2018A 2019A2019A 2020E2020E 2021E2021E 2022E2022E 營業收入（百萬元） 715.79 772.54 916.02 1066.84 1238.40 增長率（%） 42.09% 7.93% 18.57% 16.47% 16.08% EBITDA（百萬元） 162.31 113.50 146.41 171.95 201.96 凈利

5、潤（百萬元） 141.42 98.21 127.55 152.46 181.51 增長率（%） 172.54% -30.55% 29.88% 19.53% 19.06% EPS（元/股） 1.40 0.97 1.26 1.51 1.79 市盈率（P/E） 36.35 52.35 40.30 33.72 28.32 市凈率（P/B） 10.86 8.99 6.86 5.70 4.74 EV/EBITDA 23.75 33.43 33.99 28.51 23.75 數據來源：公司公告，國聯證券研究所 2020 年 10 月 15 日 投資建議：投資建議： 推薦推薦 首次覆蓋首次覆蓋 當前價格：當前

6、價格： 50.80 元 基本數據基本數據 總股本/流通股本（百萬股） 101.2/25.3 流通 A 股市值（百萬元） 1285 每股凈資產（元） 8.26 資產負債率（%） 20.90 一年內最高/最低（元） 50.80/28.67 一年內股價相對走勢一年內股價相對走勢 馬群星 分析師 執業證書編號：S0590516080001 電話：0510-85613163 郵箱： 相關報告相關報告 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 0% 30% 60% 90% 新潔能 滬深300 2 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 正文目錄正文目錄 1.1. 國內功率器件設計領軍企業國內功率器件設

7、計領軍企業 . 4 4 1.1. 國內功率器件領軍企業 . 4 1.2. 業務規模穩步提升 . 6 2.2. 聚焦中高端功率器件，受益替代進口浪潮聚焦中高端功率器件，受益替代進口浪潮 . 7 7 2.1. 國產中高端功率器件亟需突破 . 7 2.2. 國內晶圓產能持續擴張，供應鏈緊密合作 . 12 2.3. 聚焦于中高端 MOSFET 和 IGBT . 15 3.3. 布局前沿技術布局前沿技術+ +封裝產線，強化核心競爭力封裝產線，強化核心競爭力 . 1717 3.1. 布局高端產品，提升技術壁壘 . 17 3.2. 投建封裝產線，向產業鏈下端延伸 . 20 4.4. 盈利預測與投資建議盈利預

8、測與投資建議 . 2222 5.5. 風險提示風險提示 . 2323 圖表目錄圖表目錄 圖表圖表 1 1：20192019 年中國功率半導體十強年中國功率半導體十強 . 4 圖表圖表 2 2：公司當前股權結構：公司當前股權結構 . 4 圖表圖表 3 3：公司主要運營模式及業務流程公司主要運營模式及業務流程 . 5 圖表圖表 4 4：公司主營產品示意：公司主營產品示意 . 5 圖表圖表 5 5：公司主營產品具體分類：公司主營產品具體分類 . 5 圖表圖表 6 6：公司主要業務營收結構公司主要業務營收結構 . 6 圖表圖表 7 7：公司近年營收情況（百萬元）：公司近年營收情況（百萬元） . 6 圖

9、表圖表 8 8：公司近年凈利潤情況（百萬元）：公司近年凈利潤情況（百萬元） . 6 圖表圖表 9 9：公司近年毛利率情況：公司近年毛利率情況 . 7 圖表圖表 1010：公司近年收益率情況：公司近年收益率情況 . 7 圖表圖表 1111：全球功率半導體市場趨勢：全球功率半導體市場趨勢 . 8 圖表圖表 1212：功率器件發展歷程與類別：功率器件發展歷程與類別 . 8 圖表圖表 1313：國內功率半導體市場趨勢：國內功率半導體市場趨勢 . 9 圖表圖表 1414：國內主要功率半導體市場結構：國內主要功率半導體市場結構 . 10 圖表圖表 1515：全球功率半導體競爭格局：全球功率半導體競爭格局

10、. 10 圖表圖表 1616：全球：全球 IGBTIGBT 市場規模市場規模 . 10 圖表圖表 1717：國內先進軌道交通裝備技術路：國內先進軌道交通裝備技術路線圖線圖 . 11 圖表圖表 1818：國內半導體分立器件進口情況：國內半導體分立器件進口情況 . 12 圖表圖表 1919：二極管器件進出口額（萬美元）：二極管器件進出口額（萬美元） . 12 圖表圖表 2020：全球：全球 8 8 英寸晶圓產量預測英寸晶圓產量預測 . 13 圖表圖表21：20172017- -20202020 全全球新增晶圓廠集中在中國球新增晶圓廠集中在中國 . 13 圖表圖表22：在：在大陸建廠數據統計大陸建廠

11、數據統計 . 14 圖表圖表23：公司前五大供應商（：公司前五大供應商（2019H1） . 14 圖表圖表 2424：公司：公司 MOSFETMOSFET 國內市場份額變化（國內市場份額變化（% %） . 16 圖表圖表 2525：國內：國內 MOSFETMOSFET 市場份額情況（市場份額情況（% %） . 16 圖表圖表 2626：公司部分下游客戶：公司部分下游客戶 . 16 圖表圖表 2727：公司募投項目概覽：公司募投項目概覽 . 17 圖表圖表 2828：第三代半導體材料電子性能對比：第三代半導體材料電子性能對比 . 19 圖表圖表 2929：化合物半導體材料成本趨勢（美元）：化合物

12、半導體材料成本趨勢（美元） . 20 圖表圖表 3030：SICSIC 器件在車器件在車用市場展望（百萬美元）用市場展望（百萬美元） . 20 圖表圖表 3131：公司各項業務毛利率對比（：公司各項業務毛利率對比（% %） . 21 nMtOmNmMmRnMtMsQtOmMtMaQaOaQnPpPoMpPiNmNnNlOoPrM9PrQuMwMpPmOuOpNsM 3 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 圖表圖表 3232：公司營收分類預測：公司營收分類預測 . 22 圖表圖表 3333：可比公司估值：可比公司估值 . 22 圖表圖表 3434：財務預測摘要：財務預測摘要

13、. 24 4 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 1. 國內功率器件國內功率器件設計設計領軍企業領軍企業 1.1. 國內功率器件國內功率器件領軍領軍企業企業 國內半導體功率器件設計領域的龍頭企業國內半導體功率器件設計領域的龍頭企業。公司起初由朱袁正先生、新潮集團、 新潔能半導體于 2013 年共同發起設立，現已成長為國內半導體功率器件設計領域的 龍頭企業。 在中國半導體行業協會發布的 2016/2017/2018/2019 年中國半導體功率器 件企業排行榜中，公司連續四年名列“中國半導體功率器件十強企業” 。當前公司總 部位于江蘇無錫，設有深圳分公司和寧波分公司。 圖表圖表

14、 1 1：20192019 年中國功率半導體十強年中國功率半導體十強 排名 企業名稱 排名 企業名稱 1 揚州揚杰電子科技 6 無錫新潔能 2 吉林華微電子 7 瑞能半導體 3 無錫華潤華晶微電子 8 常州銀河世紀微電子 4 蘇州固锝電子 9 江蘇捷捷微電子 5 樂山無線電 10 北京燕東微電子 來源：CSIA2019，國聯證券研究所 國內國內 8 8 英寸晶圓工藝研發先行者。英寸晶圓工藝研發先行者。 公司控股股東、 實際控制人朱袁正先生直接持 有公司 23.34%股權(同時朱袁正分別與葉鵬、王成宏等共計 10 名股東簽訂有關一致 行動的協議)。朱袁正先生亦是公司技術創新領軍人物，在半導體行業

15、內擁有超過三 十年的研究和工作經歷，是國內 MOSFET 等半導體功率器件領域研究及產業化的親歷 者和先行者。 以其為領軍人物的公司研發團隊， 是國內最早一批專注于 8 英寸晶圓片 工藝平臺對 MOSFET、IGBT 等先進的半導體功率器件進行技術研發和產品設計的先行 者之一，在該領域具有雄厚的技術實力和豐富的研發經驗。截至 2020 年 1 月 19 日， 公司擁有 97 項專利，其中發明專利 35 項、實用新型 59 項，外觀設計 3 項。 圖表圖表 2 2：公司當前股權結構公司當前股權結構 來源：wind，國聯證券研究所 公司是專業化垂直分工廠商（公司是專業化垂直分工廠商（fabless

16、fabless 模式） ：模式） ：芯片主要由公司設計方案后交由 芯片代工企業進行生產， 功率器件主要由公司委托外部封裝測試企業對芯片進行封裝 測試而成。 公司目前亦初步完成先進封裝測試生產線的建設， 將少部分芯片自主封裝 5 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 成功率器件后對外銷售。 圖表圖表 3 3：公司主要運營模式及業務流程公司主要運營模式及業務流程 來源：公司招股書，國聯證券研究所 公司主營產品為公司主營產品為 MOSFETMOSFET、IGBTIGBT 等先進功率半導體。等先進功率半導體。公司銷售的產品按照是否封 裝可以分為芯片和功率器件。公司產品系列齊全，廣泛應

17、用于消費電子、汽車電子、 工業電子、新能源汽車/充電樁、智能裝備制造、物聯網、光伏新能源等領域。功率 器件中，傳統的二極管、三極管、晶閘管等主要基于投資規模為十億元以內的 4、6 英寸晶圓片工藝平臺進行生產，國內以上述產品為主的公司因此主要采取 IDM 模式； 而 MSOFET、IGBT 等因其產品特性和較高工藝要求則主要基于投資規模約 30 億元的 8 英寸晶圓片工藝平臺進行生產，行業內企業更多以 fabless 模式為主。 圖表圖表 4 4：公司主營產品示意公司主營產品示意 圖表圖表 5 5：公司主營產品具體分類公司主營產品具體分類 來源：公司招股書，國聯證券研究所 來源：公司招股書，國聯

18、證券研究所 6 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 功率器件占營收比例呈逐年上升趨勢功率器件占營收比例呈逐年上升趨勢。 根據最新披露， 公司功率器件和芯片的營 收占比分別為 76%和 24%，功率器件占營收比例呈逐年上升趨勢。 圖表圖表 6 6：公司公司主要業務營收結構主要業務營收結構 來源：wind，國聯證券研究所 1.2. 業務規模穩步提升業務規模穩步提升 營收規模穩步上升。營收規模穩步上升。2017/2018/2019 各報告年度，公司分別實現營業收入 50,375.98 萬元、71,579.03 萬元和 32,834.82 萬元；扣除非經常性損益后的凈利潤 分別為

19、3,446.81 萬元、 6,867.81 萬元、 13,955.56 萬元和 3,510.35 萬元。 自 2019Q4 以來，半導體行業逐漸回暖，公司 2020 年上半年銷量、收入、凈利潤同比均有大幅 提升，營收和扣非凈利潤分別同比增長 17%和 51%。 圖表圖表 7 7：公司近年營收情況（百萬元）公司近年營收情況（百萬元） 圖表圖表 8 8：公司近年凈利潤情況（百萬元）公司近年凈利潤情況（百萬元） 來源：wind，國聯證券研究所 來源：wind，國聯證券研究所 盈利水平來看，公司近年毛利率和凈利潤呈逐步上升態勢。盈利水平來看，公司近年毛利率和凈利潤呈逐步上升態勢。2019 年公司整體毛

20、 利率有所下降，主要原因系：一方面，受中美貿易摩擦以及行業內競爭者增多等因素 的影響，國內 MOSFET 市場供需關系發生變化，公司芯片和功率器件銷售單價有所下 44.3% 57.3% 70.0% 73.8% 76.0% 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 0 100 200 300 400 500 600 20162017201820192020H1 功率器件 芯片 器件占比（右軸） 0 10 20 30 40 50 0 200 400 600 800 1,000 20152016201720182019 2020H1 營業總收入 同比(%) -50 0 5

21、0 100 150 200 0 50 100 150 20152016201720182019 2020H1 歸屬母公司股東的凈利潤 同比(%) 7 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 降；另一方面，2017 年至 2018 年，由于國內 8 英寸芯片代工供應緊張，芯片代工企 業自 2018 年起紛紛提高代工單價，由于芯片代工周期較長，往往需要提前下訂單， 2019 年上半年，公司芯片代工采購單價仍保持高位，引致公司芯片和功率器件單位 成本有所增加。 銷售單價下降、 單位成本上升引致公司芯片和功率器件毛利率有所下 降。 圖表圖表 9 9：公司近年毛利率情況公司近年毛利率情況

22、 圖表圖表 1010：公司近年收益率情況公司近年收益率情況 來源：wind，國聯證券研究所 來源：wind，國聯證券研究所 2. 聚焦聚焦中高端功率器件，受益替代進口浪潮中高端功率器件，受益替代進口浪潮 公司基于全球半導體功率器件先進理論技術開發領先產品， 是國內率先掌握超結 理論技術， 并量產屏蔽柵功率 MOSFET 及超結功率 MOSFET 的企業之一， 是國內最早同 時擁有溝槽型功率 MOSFET、超結功率 MOSFET、屏蔽柵功率 MOSFET 及 IGBT 四大產品 平臺的本土企業之一。 憑借先進的技術、 豐富的產品種類、 卓越的品質和優質的服務， 公司取得了客戶的廣泛好評和較好的市

23、場口碑， 并與客戶保持了良好的商業合作關系， 培育了一大批忠實客戶，為公司不斷積累客戶資源取得長遠發展提供了有力的保障。 2.1. 國產中高端功率器件亟需突破國產中高端功率器件亟需突破 分立器件行業是半導體產業的重要分支，亦是電力電子產品的基礎之一分立器件行業是半導體產業的重要分支，亦是電力電子產品的基礎之一。主要 用于電力電子設備的整流、穩壓、開關、混頻等，具有應用范圍廣、用量大等特點， 在消費電子、汽車電子、電子儀器儀表、工業及自動控制、計算機及周邊設備、網絡 通訊等眾多國民經濟領域均有廣泛的應用。 IHSMarkit 數據顯示， 2018 年全球功率器 件市場規模約為 391 億美元，預

24、計至 2021 年市場規模將增長至 441 億美元，CAGR 為 4.1%，其中 MOSFET 和 IGBT 有望成為未來 5 年增長最強勁的功率器件。 16.54 18.89 24.69 31.63 20.73 24.36 4.93 8.54 10.30 19.76 12.71 14.40 0 10 20 30 40 201520162017201820192020H1 毛利率(%) 凈利率(%) 11.16 21.15 14.74 29.87 17.18 8.83 9.09 14.45 13.83 26.22 13.78 6.92 0.00 10.00 20.00 30.00 40.00

25、201520162017201820192020H1 ROE(%) ROA(%) 8 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 圖表圖表 1111：全球功率半導體市場趨勢全球功率半導體市場趨勢 來源：IHSMarkit，國聯證券研究所 功率器件功率器件已已歷經數代發展。歷經數代發展。在 20 世紀 50 年代，功率二極管、功率三極管面世并 應用于工業和電力系統。 20 世紀 60 至 70 年代， 晶閘管等半導體功率器件快速發展。 20 世紀 70 年代末，平面型功率 MOSFET 發展起來；20 世紀 80 年代后期，溝槽型功率 MOSFET 和 IGBT 逐步面世， 半導體功

26、率器件正式進入電子應用時代。 20 世紀 90 年代， 超結 MOSFET 逐步出現，打破傳統“硅限”以滿足大功率和高頻化的應用需求。2008 年，英飛凌（Infineon）率先推出屏蔽柵功率 MOSFET，半導體功率器件的性能進一 步提升。 圖表圖表 1212：功率器件發展歷程與類別功率器件發展歷程與類別 345 328 334 369 391 404 422 441 7% -5% 2% 11% 6% 3% 5% 5% -6% -4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 0 100 200 300 400 500 201420152016201720182019E2020E

27、2021E 全球功率半導體（億美元） 增速（右軸） 9 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 來源：公司招股書，國聯證券研究所 MOSFETMOSFET、IGBTIGBT 中高端器件國內仍依賴進口中高端器件國內仍依賴進口。對國內市場而言，功率二極管、功 率三極管、晶閘管等分立器件產品大部分已實現國產化，而 MOSFET、IGBT 等分立器 件產品由于其技術及工藝的先進性， 還較大程度上依賴進口， 未來進口替代空間巨大。 國內功率半導體需求占全球國內功率半導體需求占全球 35%35%。目前國內功率半導體產業鏈正在日趨完善，技 術也正在取得突破。同時，中國也是全球最大的功率半導體

28、消費國，2018 年市場需 求規模達到 138 億美元，增速為 9.5%，占全球需求比例高達 35%。預計未來中國功率 半導體將繼續保持較高速度增長，2021 年市場規模有望達到 159 億美元，年化增速 達 4.8%。 圖表圖表 1313：國內功率半導體市場趨勢國內功率半導體市場趨勢 來源：IHSMarkit，國聯證券研究所 具體細分來看： 1）MOSFET 金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種可以廣泛使用在模擬電路與 數字電路的場效晶體管，具有導通電阻小，損耗低，驅動電路簡單，熱阻特性好等優 點，特別適合用于電腦、手機、移動電源、車載導航、電動交通工具、UPS 電源等電 源

29、控制領域。 全球全球 M MOSFETOSFET 市場規模超市場規模超 6060 億美元。億美元。 隨著消費電子、 汽車電子和工業電子為主的 市場銷售穩定增長，2016 年 MOSFET 市場規模持續增長。得益于市場對高效能電子器 件的需求增加，預計 MOSFET 市場未來將繼續穩定增長。2016 年，全球 MOSFET 市場 規模達到 62 億美元，預計 2016 年至 2022 年間 MOSFET 市場的復合年增長率將達到 3.4%；預計到 2022 年，全球 MOSFET 市場規模將接近 75 億美元。特別地，隨著全球 新能源汽車規模的增長，2016 年至 2022 年間 MOSFET

30、在汽車應用領域的市場需求預 計將以 5.1%的復合年增長率快速增長；到 2022 年，其在汽車應用領域的需求將超越 計算機和數據存儲領域，占總體需求市場的 22%。 111 110 112 126 138 144 153 159 9% -1% 2% 13% 10% 4% 6% 4% -2% 0% 2% 4% 6% 8% 10% 12% 14% 0 50 100 150 200 201420152016201720182019E2020E2021E 中國功率半導體（億美元） 增速（右軸） 10 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 圖表圖表1414：國內主要國內主要功率半導體功

31、率半導體市場結構市場結構 圖表圖表 1515：全球全球功率半導體競爭格局功率半導體競爭格局 來源：IHSMarkit，國聯證券研究所 來源：IHSMarkit，國聯證券研究所 英飛凌與安森美占國內份額英飛凌與安森美占國內份額近近 50%50%。根據 Omidia 數據，國內功率 MOSFET 市場主 要廠商是英飛凌（Infineon）和安森美（ONSemiconductor） ，2019 年市場份額分別 為 27%和 18%，兩者合計占據了國內將近一半市場，因此，在國內 MOSFET 市場中，國 內廠商進口替代的潛力巨大。 2）IGBT 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）是由雙極型三極管（BJT）

32、和 MOSFET 組成的復合全 控型電壓驅動式半導體功率器件，兼有 MOSFET 的高輸入阻抗和雙極型三極管（BJT） 的低導通壓降兩方面的優點，IGBT 驅動功率小而飽和壓降低，非常適合應用于直流 電壓為 600V 及以上的變流系統，如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引 傳動等。 IGBTIGBT 是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心器件是新能源汽車電控系統和直流充電樁的核心器件。其成本占到新能源汽車 整車成本的 10%， 占充電樁成本的 20%。 由于未來幾年新能源汽車/充電樁等新興市場 的快速發展，IGBT 等半導體功率器件將迎來黃金發展期。 圖表圖表 1616：全球全球 IG

33、BTIGBT 市場規模市場規模 來源：產業信息網，國聯證券研究所 20% 14% 60% 6% MOSFET IGBT 電源管理IC 其他 28% 13% 8% 7% 7% 37% 英飛凌 安森美 意法半導體 東芝 瑞薩 其他 0 10 20 30 40 50 60 70 80 2016201720182019202020212022 IGBT市場規模（億美元） 11 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 新能源汽車將帶來新能源汽車將帶來 200200 億元的新增市場。億元的新增市場。未來 IGBT 市場規模的快速增長主要受 益于其在節能、 能效提升等方面發揮的重要作用。 根

34、據中國產業信息網數據， 到 2020 年全球 IGBT 單管市場空間達到 60 億美元左右， 市場空間巨大。 預計未來五年我國新 能源汽車和充電樁市場將帶動 200 億元 IGBT 模塊的國內市場需求。根據中國產業信 息網數據，到 2018 年，國內 IGBT 市場規模達 161.9 億元，2010 年至 2018 年復合增 長率達到 14.77%；但我國 IGBT 起步晚，未來進口替代空間巨大。 我們我們從技術實現和戰略需求兩個角度分析，功率器件廠商有望加速實現國產化從技術實現和戰略需求兩個角度分析，功率器件廠商有望加速實現國產化 替代，行業前景長替代，行業前景長期向好。期向好。 1 1）

35、戰略需求端， 功率器件屬于關鍵核心零部件。戰略需求端， 功率器件屬于關鍵核心零部件。 參照“制造 2025”技術路線圖， 先進軌道交通裝備、節能與新能源汽車、電力裝備、高檔數控機床和機器人等已列為 突破發展的十大重點領域。 功率半導體在以上重點領域皆具有關鍵性作用， 亟需自主 可控，戰略地位突出。其中，計劃 2025 年中國通信設備、軌道交通裝備、電力裝備 三個領域將整體步入世界領先行列， 成為技術創新的引導者， 而功率半導體器件被明 確列入先進軌道交通裝備的關鍵零部件。 在政策和大基金為首的資本扶持下， 國內功 率半導體的國產化進程有望加速發展。 圖表圖表 1717：國內先進軌道交通裝備技術

36、路線圖：國內先進軌道交通裝備技術路線圖 來源：“制造 2025”技術路線圖，國聯證券研究所 2 2）從技術角度，相較于從技術角度，相較于 ICIC，功率器件更偏向于成熟、標準化產品，而并非依賴，功率器件更偏向于成熟、標準化產品，而并非依賴 和追求先進制程，其產品競爭力主要由工藝和產線的水平決定。和追求先進制程，其產品競爭力主要由工藝和產線的水平決定。 12 請務必閱讀報告末頁的重要聲明 公司深度研究公司深度研究 圖表圖表1818：國內國內半導體半導體分立器件進口情況分立器件進口情況 圖表圖表 1919：二極管器件進出口額（萬美元）二極管器件進出口額（萬美元） 來源：中國半導體行業協會，國聯證券研究所 來源：wind，國聯證券研究所 隨著國內半導體分立器件廠商逐步參與到國際市場的供應體系， 以及下游行業大 力創新對上游分立器件行業的驅動， 我國半導體分立器件行業已獲得長足發展， 并逐 步形成對國外產品的替代。據中國半導體行業協會統計，2011 年至 2014 年中國半導 體分立器件產品進口額基本保持增長趨勢，2014 年進口額達 313.8 億美元。2017 年 中國半導體分立器件進口金額為 281.8 億美元， 相較于 2014 年進口額下降了 10.20%，