2021年中微公司競爭優勢與成長空間分析報告（25頁）.pdf

1、 高端半導體設備擴產升級項目(投入進度 44%)：中微高端半導體設備的擴產升級計劃包括采購不同類型的刻蝕設備及 MOCVD 設備的 Beta 機, 采購擴產升級所需的必要生產輔助設備和軟件, 儲備擴產升級所需的氣體、襯底等關鍵原材料,建設改造原有的生產廠房和倉儲設施, 以進一步擴大公司高端刻蝕設備和 MOCVD 設備的 生產能力及在相關領域的應用。而項目包括高端刻蝕設備擴產升級( 包括 Primo AD-RIE、Primo SSC HD-RIE 和Primo nanova 等);高端 MOCVD 設備擴產升級(包括高產能藍綠光 LED MOCVD、高溫 MOCVD、硅基氮化鎵 GaN功率應用

2、MOCVD、基于 LED顯示應用的 MOCVD 設備等);配套建設施工(包括潔凈室改造、新增組裝測試工位改造以及倉儲設施 改造)。 技術研發中心刻蝕設備建設升級項目(資金投入進度 73%)：建設地點在上海金橋出口加工區南區現有廠房，先進刻蝕設備研發包括先進邏輯電路的 CCP 刻蝕設備、用于存儲器的 CCP 刻蝕設備及更先進的 14-7nm ICP刻蝕設備等; 制造邏輯器件所用的 5-3nm 電容性等離子體介質刻蝕技術CCP 設備的開發以及針對 FinFET 結構的邏輯電路芯片工藝;開發具有超高深寬比(60:1 及以上)的存儲器芯片等離子體介質 CCP 刻蝕技術, 主要應用于存儲器電路的接觸孔、

3、通道孔和深槽的刻蝕;5-3nm 電感式等離子體刻蝕技術 ICP 設備的開發能滿足 5-3nm邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 存儲芯片, 以及 96 層以上 3D NAND 閃存存儲芯片生產的先進工藝需求;開發用于 5-3nm 邏輯芯片制造中的多層掩膜刻蝕、邊墻刻蝕、 減薄刻蝕、雙重圖形、四重圖形等多種工藝的刻蝕技術。 技術研發中心 MOCVD 設備建設升級項目：先進 MOCVD 設備研發，其中包括下一代高產能藍綠光 LED MOCVD Alpha 機、基于下一代硅基氮化鎵功率應用 MOCVD 試驗平臺、基于 Mini LED 顯示應 用的 MOCVD 試驗平臺、基于 Micro LED 顯示

4、應用的新型 MOCVD 試驗平臺等; 開發適用于深紫外 LED 應用的高溫 MOCVD 技術;開發適用于 Mini LED 大規模量產的氮化鎵 MOCVD 技術，其中包括改進載片托盤的溫度均勻性, 開發 6 英寸襯底 Mini LED 工藝技術, 滿足 Mini LED 外延片所需的波長均勻性, 并達到一爐生產 18 片 6 英寸外延片 的生產能力;開發適用于 Micro LED 大規模量產的氮化鎵 MOCVD 技術，實現優異的波長和厚度均勻性, 使 6 英寸藍寶石或 6-8 英寸硅基外延片的波長均勻性小于 0.8 納米, 厚度均勻性小于0.8%, 并實現低表面顆粒度, 滿足 Micro LED 對 MOCVD 技術的要求;開發一種專門針對硅基氮化鎵外延材料生長的 MOCVD 技術, 滿足第三代半導體產業(提供更高的臨界電場強度, 更低的開態電阻, 更快的開關頻率,更高的系統效率)對新型 MOCVD 設備的需求。而 2021 年有第二次定增，預計發行股票上限為 8022.9 萬股(以 118.8 元