2021年半導體產業鏈發展趨勢分析報告（51頁）.pdf

1、在當前全球晶圓產能緊張、需求持續強勁的環境下，美國暴雪及日本地震等自然災害事 件將進一步加劇芯片供應緊張的局面，從而導致產品價格進一步上漲。2 月份以來，美 國德克薩斯州暴風雪襲擊使多地出現停電，導致當地的三星、英飛凌、恩智浦多座晶圓 廠暫時關閉，日本福島地震導致日本瑞薩的茨城工廠也暫停生產。三星電子位于奧斯汀 的首座晶圓廠建于 1996 年，主要生產 DRAM 存儲芯片和 NAND Flash 芯片，2007 年追加第二座(2017 年擴產)晶圓廠，從事晶圓代工業務。三星奧斯汀晶圓廠的邏輯 芯片主要工藝技術為 14nm、28nm、32nm 等，約占三星邏輯芯片總產能的 28%;恩 智浦半導體

2、在德克薩斯州奧斯特有兩座 8 寸晶圓廠，主要生產微控制器(MCU)和微 處理器(MPU)、電源管理器件、RF 收發器和放大器以及各類傳感器;英飛凌，其于去年完成收購的賽普拉斯在奧斯汀也有一座 8 寸晶圓廠，主要生產 130nm 的芯片。除 了三星、恩智浦、英飛凌之外，X-FAB 在德克薩斯州有一座 6 寸廠，Skyworks 有一座 12 寸廠，TowerJazz 有一座 8 寸廠，德州儀器有一座 6 寸廠、兩座 8 寸廠和兩座 12 寸廠以及一座在建的12 寸廠，另外 Qorvo 也有一座 6 寸廠和 8 寸廠在德克薩斯州。NOR Flash 是受影響較為明顯領域之一，全球排名前五的 NOR

3、 Flash 供應商 Cypress 在當 地的工廠停止生產，該工廠的 NOR Flash 產能約占全球市場的 5%。2021 年 1 月 8 日，三星發布 20Q4 業績預告，計劃將 2021 年 DRAM 資本支出維持在 2020 年水平，并且將部分 DRAM 產線轉換為圖像傳感器產線，因而 2021 年 DRAM 資 本支出實際將比 2020 年更低，我們認為三星存儲業務偏保守的 Capex 有利于 DRAM 價格的回暖，預計 2021 年三星的投資重點將更加側重 NAND Flash 及晶圓代工領域。 臺積電近兩年來的資本開支均保持較大幅度增長，2020Q4 業績說明會中指出，2021 年資本開支預算將達到 250-280 億美元(vs2020 年資本開支 170 億美元)，同比增長 約 50%，這些資本支出中 80%用于先進制程工藝，包括 3 納米、5 納米和 7 納米，10% 用于先進包裝和掩膜制造，10%用于特殊工藝，臺積電資本支出大幅提升是半導體行業 景氣上行的重要標志。 另外，近期 Intel 潛在的晶圓外包政策值得關注，IDM 巨頭部分晶圓外包可能短期對現 有晶圓代工產能產生壓力，長期看進一步驅動晶圓代工 Capex 提升