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半導體用超凈高純試劑中雙氧水、硫酸和氨水消耗占比分別為 34%、33%和 9%，合計占比超過七成。公司超凈高純試劑產品聚焦于價值量最高的半導體領域，三款拳頭產品雙氧水、硫酸和氨水均達到主流客戶最高規格要求 SEMI G5,金屬離子低于 10ppt，雙氧水產品已經供應華虹宏力、長江存儲等國內頭部企業，二十多家客戶評估也接近尾聲。高純硫酸引用三菱化學量產技術，三菱化學是 TSMC 和 UMC 供應商之一，產品驗證通過后有望迅速放量。高品質超凈高純試劑對集成電路極其重要，直接決定了晶圓的良率。尺寸進入亞微米級別，集成電路制造過程中對污染物極度敏感，直接影響產品質量、良率，由污染問題造成產品失效、質量降低比利高達 60%以上。制造過程中需要加入各種清洗和刻蝕工序去除晶圓表面污染物，而清洗和刻蝕工序中使用大量超凈高純試劑。制程節點的推進使得在追求高良率下必須增加更多的清洗步驟，同時也需要更高品質的超凈高純試劑。先進制程對雜質的存在更加敏感，同時更小尺寸的雜質更難清除，提高良率的方法就是增加清洗步驟以及提升設備性能。在80-60nm的工藝制程中，清洗工藝約有 100 個步驟，而當工藝節點來到 20nm 以下時，清洗步驟增加至200道以上，制程工藝每推進一代，清洗步驟增加約 15%。
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