品利基金：第三代半導體SiC、GaN行業投資報告（57頁）.pdf

1、5G時代，GaN RF芯片替代硅和砷化镕芯片，成為基站和射頻前端的主要RF主流，是技術革命性的投資機會GaN RF具有大功率、高頻率、高耐壓、帶寬大先天優勢，是5G時代的絕配，存在著大量的掘金機會;國外射頻芯片巨頭占據先發優勢，利用技術積累，開發出針對5G的氮化鑠射頻前端方案和GaN RF器件;技術領先型企業因先發優勢將獲得超額利潤，并獲得優先的產品迭代機會;在5G應用市場，GaN on Si將取代Si LDMOs，市場滲透率大;GaN on SiC應用于基站，衛星等大功率射頻，GaN on Si為低功率小型化器件，各有優勢，各有市場;1、高頻、高溫、高壓性能優于硅;.2、能量密度高，芯片尺寸

2、可小、同樣功率面積可減少30%-50%。.3、低導通損耗、功率轉換效率高，系統能耗降低30%以上;4、在高頻高壓下運轉時，性能更高，損耗更低。5、GaN器件適合于現有硅制造流程工藝，可規?；?、低成本;2018年12月跨境電商品牌RAVPower發布采用了氮化家功率器件的充電器，體積超薄,支持USB PD快充，功率達4Dw 北電H一為79.5g，是蘋果充電器的一半厚。Anker2018親T DowerPort于氮化家GaN元件的Anker PowerPort Atom PD。2018年Navitas個HExaga舌。GaN解決方案的45W沃速允電電v是A2018年國產GaN)分Ao試，2019年正式量產。目前己有5個產品(40V、60v、100V等）實現小批量生產并有接到訂單。