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品利基金：第三代半導體SiC、GaN行業投資報告（57頁）.pdf

上傳人： e**** 編號：45456 2021-07-15 PDF PDF 57頁 5.95MB

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1、5G時代，GaN RF芯片替代硅和砷化镕芯片，成為基站和射頻前端的主要RF主流，是技術革命性的投資機會GaN RF具有大功率、高頻率、高耐壓、帶寬大先天優勢，是5G時代的絕配，存在著大量的掘金機會;國外射頻芯片巨頭占據先發優勢，利用技術積累，開發出針對5G的氮化鑠射頻前端方案和GaN RF器件;技術領先型企業因先發優勢將獲得超額利潤，并獲得優先的產品迭代機會;在5G應用市場，GaN on Si將取代Si LDMOs，市場滲透率大;GaN on SiC應用于基站，衛星等大功率射頻，GaN on Si為低功率小型化器件，各有優勢，各有市場;1、高頻、高溫、高壓性能優于硅;.2、能量密度高，芯片尺寸

2、可小、同樣功率面積可減少30%-50%。.3、低導通損耗、功率轉換效率高，系統能耗降低30%以上;4、在高頻高壓下運轉時，性能更高，損耗更低。5、GaN器件適合于現有硅制造流程工藝，可規?；?、低成本;2018年12月跨境電商品牌RAVPower發布采用了氮化家功率器件的充電器，體積超薄,支持USB PD快充，功率達4Dw 北電H一為79.5g，是蘋果充電器的一半厚。Anker2018親T DowerPort于氮化家GaN元件的Anker PowerPort Atom PD。2018年Navitas個HExaga舌。GaN解決方案的45W沃速允電電v是A2018年國產GaN)分Ao試，2019年正式量產。目前己有5個產品(40V、60v、100V等）實現小批量生產并有接到訂單。

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本文主要介紹了氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）這兩種第三代半導體材料的特性和應用。 1. 氮化鎵（GaN）具有寬禁帶、高擊穿電壓、高頻、耐高溫、高功率密度等優勢，適用于高頻大功率器件，如5G通信基站、雷達等。 2. 碳化硅（SiC）的禁帶寬度是硅的3倍，導熱率是硅的4-5倍，擊穿電壓是硅的8倍，電子飽和漂移速率為硅的2倍，特別適用于制造高溫、高頻、抗輻射及高功率的器件。 3. 2017年，全球碳化硅芯片市場規模約為3億美元，預計到2022年，全球碳化硅芯片市場規模將會突破10億美元。 4. 碳化硅產業鏈包括上游的材料（襯底和外延）、中游的器件和模組制造、下游的系統和應用。目前碳化硅產業主要以IDM模式運營，良率和良好的成本控制是核心。 5. 碳化硅和氮化鎵在特定領域的性能遠遠超過目前硅基芯片，但并不能全面替代硅，預計占整個半導體產業的8% - 10%。

氮化鎵與硅材料相比有哪些優勢？碳化硅在哪些領域具有應用前景？我國在第三代半導體材料領域與國際先進水平存在哪些差距？

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