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patsnap：第三代半導體GaN技術全景分析報告（56頁）.pdf

上傳人： 木*** 編號：37231 2021-05-19 56頁 4.79MB

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本文為第三代半導體GaN技術全景分析報告，由智慧芽英策出品。報告涵蓋116個國家/地區的67,844組專利申請，主要檢索條件為氮化鎵相關技術。專利趨勢分析顯示，該技術領域申請量逐年上升，專利授權率較高。半導體（第三代半導體GaN）技術主要來源國/地區為美國、中國、日本、韓國和歐洲等，其中美國和中國占據領先地位。目標市場國/地區排名中，中國和美國同樣占據主導地位。在技術生命周期分析中，第三代半導體GaN仍處于成長期。在申請人分析中，排名前幾位的公司分別為華為、三星、英特爾等。此外，報告還從發明人、重點專利、專利市場價值、許可交易、專利訴訟等多個角度進行了詳細分析。
"第三代半導體GaN技術全景分析" "全球半導體GaN專利趨勢與分布" "主要申請人及發明人在半導體GaN領域的競爭格局"

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