【公司研究】中微公司-潛力深遠的半導體設備國產化先鋒-20200211[25頁].pdf

1、 1 證券研究報告證券研究報告 公司研究/首次覆蓋 2020年02月11日 機械設備機械設備/專用設備專用設備 當前價格(元)： 204.00 合理價格區間(元)： - 章誠章誠 執業證書編號：S0570515020001 研究員 021-28972071 王林王林 執業證書編號：S0570518120002 研究員 李倩倩李倩倩 執業證書編號：S0570518090002 研究員 關東奇來關東奇來 執業證書編號：S0570519040003 研究員 021-28972081 黃波黃波 執業證書編號：S0570519090003 研究員 0755-82493570 時彧時彧 021-28972

2、071 聯系人 資料來源：Wind 潛力深遠的潛力深遠的半導體設備國產化先鋒半導體設備國產化先鋒 中微公司(688012) 中微：中微：半導體設備半導體設備國產化國產化核心力量核心力量，5G 產業浪潮產業浪潮或將或將催生催生成長新機遇成長新機遇 中微是中國半導體設備產業中少數能與全球頂尖企業直接競爭并不斷擴大 市場份額的公司，持續研發投入、人才儲備及激勵是公司崛起的重要因素， 其產品性價比、售后服務、地緣等方面的本土優勢正逐漸顯現。我們認為 半導體設備需求及訂單向上拐點或已到來，2020 年行業有望較快成長，新 增需求源自 5G 商用推動全球存儲擴產及中國大陸整體晶圓、封測產能擴 張，其中刻蝕

3、、薄膜沉積設備受益程度較高，公司作為國產刻蝕設備領軍 者有望受益。預計 20192021 年 EPS 為 0.34/0.48/0.68， “增持”評級。 技術實力獲得海內外一線芯片制造企業認可，國產化優勢正在逐步顯現技術實力獲得海內外一線芯片制造企業認可，國產化優勢正在逐步顯現 公司刻蝕設備雖在銷售規模上與全球巨頭尚有差距，但已應用于全球最先 進的 7nm 和 5nm 產線，近三年主要客戶包括臺積電、中芯國際、長江存 儲、海力士、華力微、聯華電子等。2019 年公司 CCP 設備成功取得 5nm 邏輯電路、64 層 3D NAND 制造廠訂單，開拓階段的 ICP 設備已在某先進 客戶驗證成功并

4、量產，并有機臺在數家客戶驗證。我們認為國產企業實現 市場份額上升的關鍵在于提升設備效率及穩定性、匹配客戶工藝要求、持 續的研發投入保持技術領先性，客戶選擇設備商的核心是“性價比”而非 “售價” 。在與海外設備龍頭的競爭中，公司的進口替代優勢逐漸顯現。 2020 年或是半導體設備產業轉機之年年或是半導體設備產業轉機之年，公司迎來加速成長的歷史契機，公司迎來加速成長的歷史契機 受益于 5G、AI、IoT 產業驅動，2019 下半年以來全球/中國半導體銷售、 主流晶圓廠資本支出及北美半導體設備制造商銷售情況均出現不同程度復 蘇，我認為半導體設備需求及訂單向上拐點或已到來。目前中芯國際、長 江存儲、合

5、肥長鑫等本土領軍企業正分別在邏輯電路芯片、3D NAND、 DRAM 存儲芯片領域布局先進制程產能且技術逐步成熟，為國產設備提供 了更前沿的驗證試用平臺和進口替代機會。中國芯片產能逆周期投資為國 內設備需求提供了較強成長韌性，其中 5G 時代本土存儲芯片擴產對國產 刻蝕設備、薄膜沉積設備需求的拉動或最為顯著，公司有望較充分受益。 潛力深遠的半導體設備國產化先鋒潛力深遠的半導體設備國產化先鋒，首次覆蓋給予“，首次覆蓋給予“增持增持”評級”評級 考慮公司日益提升的國際競爭力和半導體設備產業需求復蘇、本土晶圓廠 擴產及技術成熟、5G 產業發展為公司帶來的新機遇，我們預計公司 20192021 年歸母

6、凈利潤分別為 1.84、 2.55、 3.62 億元， PE 為 594、 428、 302 倍，PS 為 53、39、29 倍。2020 年半導體設備國內可比公司 PS、PE 均值為 10、77 倍，海外可比公司 PS、PE 均值為 5、22 倍。我們認為相 比于成熟發展階段的海外龍頭，公司正處于市場地位快速提升的高成長階 段，同時其突出的技術及研發實力在本土企業中稀缺度很高。雖然估值存 在較高溢價， 但作為中國高端裝備的 “核心資產” ， 其投資價值仍值得關注。 風險提示：宏觀經濟下行及半導體行業周期性波動的風險；國內芯片制造 技術突破慢于預期、產業投資不及預期的風險；公司半導體設備技術突

7、破 慢于預期的風險：行業競爭加劇及毛利率水平波動的風險；知識產權爭議 和海外技術封鎖的風險。 總股本 (百萬股) 534.86 流通 A 股 (百萬股) 51.42 52 周內股價區間 (元) 61.46-204.00 總市值 (百萬元) 109,112 總資產 (百萬元) 4,853 會計年度會計年度 2017 2018 2019E 2020E 2021E 營業收入 (百萬元) 971.92 1,639 2,041 2,771 3,799 +/-% 59.45 68.66 24.52 35.76 37.08 歸屬母公司凈利潤 (百萬元) 29.92 90.87 183.65 254.76 3

8、61.51 +/-% 112.53 203.72 102.11 38.72 41.90 EPS (元，最新攤薄) 0.06 0.17 0.34 0.48 0.68 (倍) 3,647 1,201 594.12 428.30 301.83 ,華泰證券研究所預測 0 913 1,827 2,740 3,653 (25) 19 64 108 152 19/0219/0519/0819/11 (萬股)(%) 成交量(右軸)中微公司 滬深300 經營預測指標與估值經營預測指標與估值 公司基本資料公司基本資料 一年內一年內股價走勢圖股價走勢圖 投資評級：投資評級：增持增持（首次評級）（首次評級） 公司研究

9、/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 2 正文目錄正文目錄 核心要點 . 3 中微公司：潛力深遠的國產半導體刻蝕設備領軍企業. 4 十余年專注發展，構建半導體刻蝕設備+MOCVD 設備產業雙布局 . 4 自主研發是公司發展的核心驅動力，人才激勵機制保障長期競爭力 . 8 技術實力邁向全球第一梯隊，半導體設備國產化具備堅實基礎 . 11 全球刻蝕設備市場高度集中，海外龍頭仍然占據領先地位 . 11 以中微為代表的國產刻蝕設備企業奮起直追，進口替代歷史機遇到來 . 13 中微公司深耕海內外一線芯片制造企業，國產化優勢正逐步顯現 . 14 2020 年或是半導體設備產業轉機之年，公司迎來

10、加速成長契機 . 15 5G 產業浪潮驅動，全球半導體設備市場出現改善跡象 . 15 逆周期投資強化中國設備市場韌性，國產半導體設備產業向上拐點到來 . 17 202021 年中國大陸刻蝕設備市場或達 29/32 億美元，公司成長空間廣闊 . 19 LED 新技術和應用方向的發展或將催生 MOCVD 設備新需求 . 20 盈利預測與估值討論 . 21 PE/PB - Bands . 23 風險提示 . 23 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 3 核心要點核心要點 一、中微公司是目前技術實力、研發體系最為強勁的本土半導體設備企業之一，是推動中一、中微公司是目前技術實力、研

11、發體系最為強勁的本土半導體設備企業之一，是推動中 國半導體設備國產化的核心力量。國半導體設備國產化的核心力量。 刻蝕設備及 MOCVD 設備行業均呈現高度壟斷的競爭格 局，中微公司是我國半導體設備企業中少數能與全球頂尖設備公司直接競爭并不斷擴大市 場占有率的公司， 相比于國產半導體設備產業的整體發展水平而言， 中微公司在研發投入、 技術積累、人才儲備等多方面走在國內前列。 二、二、我們判斷：受益于我們判斷：受益于 5G 產業發展的驅動及本土芯片產能擴張，產業發展的驅動及本土芯片產能擴張，2020 年年或是半導體設或是半導體設 備產業備產業的轉機之年，復蘇拐點正在到來的轉機之年，復蘇拐點正在到來

12、。2019 年來受宏觀經濟承壓、下游需求減弱等影 響，國內外半導體及設備市場均出現同比下滑。但我們認為，2019 下半年以來半導體設 備產業逐步出現復蘇跡象，設備需求及訂單的向上拐點或已經到來：1）歷史上全球半導 體及設備產業每一次市場低迷都隨技術創新到來而結束，受益于 5G、AI、IoT 產業驅動， 全球、中國半導體單月銷售額已進入環比回升通道，三星、臺積電、中芯國際等國內外主 流晶圓廠資本支出及北美半導體設備制造商銷售情況也均已出現不同程度復蘇；2）中國 芯片產能逆周期投資為設備需求提供了較強成長韌性，中國設備市場的全球占比持續提升， 2021 年或達全球之首。 三三、內資晶圓廠技術成熟度

13、上升為國產設備提供驗證試用平臺和進口替代機會。、內資晶圓廠技術成熟度上升為國產設備提供驗證試用平臺和進口替代機會。海外設備 龍頭的技術發展歷程均離不開與全球一流晶圓廠的合作開發，技術協同和產品驗證至關重 要。 目前中芯國際、 長江存儲、 合肥長鑫等本土領軍企業正分別在邏輯電路芯片、 3D NAND、 DRAM 存儲芯片領域布局先進制程產能且技術逐步成熟， 為國產設備提供了驗證試用平臺 和進口替代機會。 四四、本土存儲芯片擴產對國產刻蝕設備本土存儲芯片擴產對國產刻蝕設備、薄膜沉積設備、薄膜沉積設備需求的拉動最為顯著需求的拉動最為顯著，中微公司有，中微公司有 望受益。望受益。流量的增長是 5G 時

14、代的特征之一，無論是服務器還是云，5G 的高速度、大流 量自然會帶來存儲的大量需要， 移動終端10G內存+512G存儲容量可能會成為主流配置。 我們認為隨著 5G 大規模商用進程的推進， 2020 年存儲需求量將會同比大幅增加。 存儲芯 片擴產對設備的拉動效果顯著， 例如在 3D NAND 存儲芯片領域， 隨著堆疊層數不斷增多， 刻蝕、薄膜沉積工藝難度和次數不斷增加，刻蝕設備、薄膜沉積設備需求更為受益。 五五、國內半導體設備上市公司目前、國內半導體設備上市公司目前 PE、PS 估值普遍高于海外同類企業，估值普遍高于海外同類企業，但但相比于全球市相比于全球市 占率較為穩定的海外龍頭，占率較為穩定

15、的海外龍頭， 中長期來看中長期來看本土企業本土企業的的高速成長高速成長有望一定程度上逐步消化有望一定程度上逐步消化 PE、 PS 估值。估值。PE 法為較為常見的估值方法，適用范圍較廣。但中國半導體設備公司目前正處 于對海外進行技術追趕的后進者狀態，研發投入較高且研發成果轉化為新產品訂單及收入 存在一定時滯，因此企業利潤、現金流波動普遍較大。相比而言，我們認為 PS 法能夠更 好地反映公司在市場地位、產品競爭力、客戶拓展等方面的客觀情況和進展，在本土企業 的突圍階段 PS 指標更具參考價值和同業可比性。我們認為相比于成熟發展階段的海外龍我們認為相比于成熟發展階段的海外龍 頭，中微公司正處于市場

16、地位快速提升的高成長階段，同時其突出的技術及研發實力在本頭，中微公司正處于市場地位快速提升的高成長階段，同時其突出的技術及研發實力在本 土企業中稀缺度很高。雖然估值存在較高溢價，但作為中國高端裝備的“核心資產” ，其土企業中稀缺度很高。雖然估值存在較高溢價，但作為中國高端裝備的“核心資產” ，其 投資價值仍值得關注。投資價值仍值得關注。 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 4 中微公司：潛力深遠的國產半導體刻蝕設備中微公司：潛力深遠的國產半導體刻蝕設備領軍領軍企業企業 十余年專注發展，構建半導體刻蝕設備十余年專注發展，構建半導體刻蝕設備+MOCVD 設備產業雙布局設備產業

17、雙布局 中微公司是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加中微公司是一家以中國為基地、面向全球的高端半導體微觀加工設備公司，公司工設備公司，公司專注于集專注于集 成電路、成電路、LED 關鍵制造設備，關鍵制造設備，核心產品核心產品包括：包括：1）用于用于 IC 集成電路領域的等離子體刻蝕集成電路領域的等離子體刻蝕 設備設備（CCP、ICP） 、深硅刻蝕設備、深硅刻蝕設備（TSV） ；） ；2）用于）用于 LED 芯片芯片領域的領域的 MOCVD 設備。設備。等 離子體刻蝕設備包括電容性等離子體刻蝕設備（CCP, Capacitively Coupled Plasma）和 電感性等離體刻蝕設

18、備（ICP, Inductively Coupled Plasma） 。電容性等離子體刻蝕設備主 要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應刻蝕的介質材料氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應刻蝕的介質材料。電感性等離 子體刻蝕設備主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料單晶硅、多晶硅等材料。MOCVD 即金屬有機化合物化學氣相 沉積（Metal-organic Chemical Vapor Deposition） ，MOCVD 設備是 LED 芯片生產過程中 的關鍵設備。 圖表圖表1： 中微公司主要產品情況一覽中微公司主要產品情況一覽 資料來源：中微公司官網，中微公司招股說明書，華泰證

19、券研究所 目前公司等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從目前公司等離子體刻蝕設備已被廣泛應用于國際一線客戶從 65 納米到納米到 14 納米、納米、 7 納米和納米和 5 納米的集成電路加工制造及先進封裝。 公司的納米的集成電路加工制造及先進封裝。 公司的 MOCVD 設備在行業領先客戶的生產線上設備在行業領先客戶的生產線上 大規模投入量產，公司已成為世界排名前列、國內占主導地位的氮化鎵基大規模投入量產，公司已成為世界排名前列、國內占主導地位的氮化鎵基 LED 設備制造設備制造 商。商。具體進展包括具體進展包括： 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 5 1） CCP

20、：公司從 2004 年建立起首先著手開發甚高頻去耦合的 CCP 刻蝕設備 Primo D-RIE，到目前為止已成功開發了雙反應臺 Primo D-RIE，雙反應臺 Primo AD-RIE 和 單反應臺的 Primo AD-RIE 三代刻蝕機產品，涵蓋 65 納米、45 納米、32 納米、28 納 米、 22 納米、 14 納米、 7 納米到 5 納米關鍵尺寸的眾多刻蝕應用。 據公司 2019 中報， 2019 年公司已成功取得年公司已成功取得 5 納米納米邏輯電路、邏輯電路、64 層層 3D NAND 制造廠的訂單。制造廠的訂單。 2） ICP：公司從 2012 年開始開發 ICP 刻蝕設備

21、，到目前為止已成功開發出單反應臺的 Primo nanova 刻蝕設備，同時著手開發雙反應臺 ICP 刻蝕設備。公司的 ICP 刻蝕設 備主要是涵蓋 14 納米、 7 納米到 5 納米關鍵尺寸的刻蝕應用。 據公司 2019 中報， 2019 年年公司繼續開拓公司繼續開拓 ICP 設備業務，已在某先進客戶驗證成功并實現量產，并有機臺在其設備業務，已在某先進客戶驗證成功并實現量產，并有機臺在其 他數家客戶的生產線上驗證。他數家客戶的生產線上驗證。 3） TSV：公司還順應集成電路先進封裝和 MEMS 傳感器產業發展的需要， 成功開發了電 感性深硅刻蝕設備。 4） MOCVD：薄膜沉積設備方面，20

22、10 年中微公司開始開發用于 LED 器件加工中最關 鍵的設備MOCVD 設備。公司已開發了三代 MOCVD 設備，該設備是一種高端薄 膜沉積設備，主要用于藍綠光 LED 和功率器件等生產加工，包括第一代設備 Prismo D-Blue、第二代設備 Prismo A7 及第三代更大尺寸設備。 公司的創始人、董事長及總經理尹志堯博士在半導體芯片和設備產業有公司的創始人、董事長及總經理尹志堯博士在半導體芯片和設備產業有 35 年行業經驗，年行業經驗， 是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者。是國際等離子體刻蝕技術發展和產業化的重要推動者。在創辦中微公司以前，尹志堯博士 于 1984 年至

23、1986 年間供職于英特爾，從事核心技術開發工作；于 1986 年至 1991 年間 在泛林半導體負責領導若干重點產品的刻蝕技術開發；于 1991 年至 2004 年間在應用材 料擔任高級管理職務，包括企業副總裁、刻蝕產品事業部總經理、亞洲總部首席技術官。 尹志堯博士是 89 項美國專利和 200 多項其他海內外專利的主要發明人。公司的其他聯合 創始人、核心技術人員和重要的技術、工程人員，包括杜志游博士、倪圖強博士、麥仕義 博士、楊偉先生、李天笑先生等 160 多位各專業領域的專家，其中很多是在國際半導體設 備產業耕耘數十年，為行業發展做出杰出貢獻的資深技術和管理專家。 公司目前無控股股東公司

24、目前無控股股東、實際控制人，、實際控制人，第一大股東上海創投持股第一大股東上海創投持股 18.02%，第二大股東巽鑫，第二大股東巽鑫 投資持股投資持股 17.45%，兩者持股比例接近。，兩者持股比例接近。根據公司目前的實際經營管理情況，公司重要決 策均屬于各方共同參與決策，無實際控制人。截至招股說明書，公司共有境外法人股東 6 名，境內法人股東 20 名，自然人股東 8 名，其中持有公司 5%以上（含）股份或表決權 的股東，包括上海創投、巽鑫投資、南昌智微、置都投資、中微亞洲、Grenade、Bootes、 Futago、悅橙投資、創橙投資、亮橙投資和橙色海岸。公司持有國產半導體公司持有國產半

25、導體薄膜沉積薄膜沉積設備設備 制造商制造商沈陽拓荊沈陽拓荊 14.92%的股的股權。權。 圖表圖表2： 中微公司前十大股東情況（截至中微公司前十大股東情況（截至 2019 三季報）三季報） 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 2017 年公司年公司刻蝕設備刻蝕設備銷售有所下降，銷售有所下降，2018 年回歸增長趨勢。年回歸增長趨勢?？涛g設備銷售收入和集成電 路制造商新建或擴張產能的投資強度、投資節奏和建設周期關聯性較強，因行業下游廠商 集中度較高，公司銷售收入會因少數客戶資本性支出規劃的變化而出現波動。2016 年公 司刻蝕設備銷量為 56 腔；2017 年受主要客戶資本性支出消減的

26、影響，公司刻蝕設備銷量 下滑至 33 腔，同比下降 41.07%；2018 年度，中國大陸集成電路制造商投資持續大幅增 長，公司及時重點加大在中國大陸市場的銷售力度，刻蝕設備的銷售數量回升至 71 腔， 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 6 同比增長 115.15%， 呈現出快速增長的勢頭。 2018 年刻蝕設備銷售單價同比下降 9.02%， 主要系公司 Primo SSC AD-RIE 型號刻蝕設備銷售收入有所提升，而該型號刻蝕設備是單 腔單反應臺，較其它單腔多反應臺設備售價相對較低所致。受益于公司長期的技術積累，受益于公司長期的技術積累， Prismo A7 型號型

27、號 MOCVD 設備在設備在 2017 年以來全面獲得客戶的認可，銷售數量快速增長。年以來全面獲得客戶的認可，銷售數量快速增長。 2017 年和 2018 年， 公司 MOCVD 設備的銷售數量分別為 57 腔和 106 腔， 同比大幅增長。 圖表圖表3： 近年公司刻蝕設備產品的產量和銷量近年公司刻蝕設備產品的產量和銷量 圖表圖表4： 近年公司近年公司 MOCVD 設備產品的產量和銷量設備產品的產量和銷量 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 圖表圖表5： 近年公司刻蝕設備產品收入近年公司刻蝕設備產品收入 圖表圖表6： 近年公司近年公司 M

28、OCVD 設備產品收入設備產品收入 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 圖表圖表7： 近年公司收入的業務構成情況近年公司收入的業務構成情況 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 75 50 95 56 33 71 0 20 40 60 80 100 201620172018 刻蝕裝備產量（腔）刻蝕裝備銷量（腔） 6 106 136 3 57 106 0 20 40 60 80 100 120 140 160 201620172018 MOCVD裝備產量（腔）MOCVD裝備銷量（腔） 4.70 2.89 5.66 -60% -40%

29、 -20% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 120% 0 1 2 3 4 5 6 201620172018 億元 刻蝕設備YOY-刻蝕設備 0.16 5.30 8.32 0 2 4 6 8 10 201620172018 億元 MOCVD 設備 77% 30% 35% 3% 55% 51% 19% 14%14% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 201620172018 刻蝕設備MOCVD設備其他設備備品備件設備維護 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 7 近年公司近年公司營業收入保持高增長， 從營業收入保持高增長， 從 2016 年的年的

30、6.10 億元增長至億元增長至 2018 年的年的 16.39 億元， 年均億元， 年均 增長率達增長率達 64%，主要原因，主要原因包括包括：1）全球半導體產業需求不斷增長，全球產能中心逐步向中 國大陸轉移并帶動了半導體設備需求增長；2）憑借良好的研究創新能力，公司持續加大研 發投入，不斷推出新產品，如 Prismo A7 和 Primo AD-RIE-e 等，產品線不斷升級豐富。3） 優質的客戶資源和良好市場品牌是公司收入快速增長的重要保障， 憑借公司在不斷發展過程 中積累形成的先進的技術、 優質的產品、豐富的行業經驗和切實為客戶解決問題的售后服務 體系，公司與國際及國內領先的半導體制造商

31、建立了良好的合作關系， 建立了良好的企業及 產品形象。2019 年前三季度公司繼續延續收入高增長趨勢，年前三季度公司繼續延續收入高增長趨勢，2019Q1-3 收入增速收入增速 25%。 圖表圖表8： 近年公司營業收入及增速近年公司營業收入及增速 圖表圖表9： 近年公司歸母凈利潤及增速近年公司歸母凈利潤及增速 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 公司的刻蝕設備下游客戶主要是集成電路制造商、半導體封測廠商，定制化程度高，綜合公司的刻蝕設備下游客戶主要是集成電路制造商、半導體封測廠商，定制化程度高，綜合 毛利率較高。公司的毛利率較高。公司的 M

32、OCVD 設備的下游客戶主要是設備的下游客戶主要是 LED 芯片制造商，標準化程度相對芯片制造商，標準化程度相對 較高，綜合毛利率相對較低。較高，綜合毛利率相對較低。20162018 年公司刻蝕設備毛利率分別為 43.13%、38.37% 和 47.52%，存在一定波動，主要原因為：1）公司刻蝕設備定制化程度較高，下游客戶對 規格型號、產品標準、技術參數等方面的要求不盡相同，產品結構和功能存在差異，同類 設備價格及相關的毛利率間存在一定的差異；2）為積累先進工藝經驗、加強重點客戶黏 性、幫助其持續改進生產用材料、降低生產成本，公司按行業慣例對使用設備過程中出現 略低于客戶期望的工藝參數的情況予

33、以補償并計入當期營業成本，且 2017 年刻蝕設備營 業收入規模較低，導致當年公司刻蝕設備的毛利率同比出現下滑。 隨著市場拓展和收入擴張，隨著市場拓展和收入擴張，20162018 年年公司公司期間費用率期間費用率有所收縮有所收縮。20162018 年銷售 費用率分別為 21.71%、 16.66%和 13.21%， 管理費用率分別為 9.38%、 8.75%和 7.96%。 20162018 年公司財務費用波動主要系受各年公司借款規模變化導致的利息費用波動和 匯率變動導致的匯兌收益的波動所致。2016 年公司研發投入全額計為研發費用，因此費 用率較高，2017、2018 年公司依據企業會計準則

34、的相關規定將部分符合資本化條件 的研發項目進行了資本化處理，研發費用率及期間費用率明顯下降。2019Q1-3 期間費用 率 30.08%，與 2018 年期間費用率 29.02%較為接近。 圖表圖表10： 近年公司主要業務毛利率情況近年公司主要業務毛利率情況 圖表圖表11： 近年公司期間費用率情況近年公司期間費用率情況 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 2016201720182019Q1-3 億元 營業收入YOY 0% 50% 100% 150% 200% 25

35、0% 300% 350% 400% 450% (3.0) (2.5) (2.0) (1.5) (1.0) (0.5) 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2016201720182019Q1-3 億元 歸母凈利潤YOY 0% 20% 40% 60% 80% 2016201720182019Q1-3 刻蝕設備MOCVD -20% 0% 20% 40% 60% 80% 100% 2016201720182019Q1-3 銷售費用率管理費用率（含研發） 財務費用率期間費用率（含研發） 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 8 自主研發自主研發+外延式成長外延式成長或或將是公司

36、進一步發展的路徑。將是公司進一步發展的路徑。據公司招股說明書，公司目前開發 的產品以集成電路前道生產的等離子體刻蝕設備、薄膜沉積設備等關鍵設備為主，并已逐 步開發應用于后道先進封裝、 MEMS、 Mini LED、 Micro LED 等領域的泛半導體設備產品。 未來，公司將在適當時機通過并購等外延式成長途徑擴大產品和市場覆蓋，并繼續探索核 心技術在國計民生中創新性的應用。公司將繼續通過自主研發進一步提高公司產品的競爭 力，為客戶提供品質一流、性能創新的產品和優良的服務，努力提高市場份額。中微公司 將圍繞自身核心競爭力，通過自主創新、有機生長，結合適當的兼并收購策略，不斷推動 企業健康發展，力

37、爭在未來十年發展成為國際一流的半導體設備公司。 自主研發是公司發展的核心驅動力，人才激勵機制保障長期競爭力自主研發是公司發展的核心驅動力，人才激勵機制保障長期競爭力 公司所處的半公司所處的半導體設備行業屬于技術密集型行業，具有產品技術升級快、研發投入大、研導體設備行業屬于技術密集型行業，具有產品技術升級快、研發投入大、研 發周期長、 研發風險高等特點。發周期長、 研發風險高等特點。 半導體關鍵設備的研發涉及等離子體物理、 射頻及微波學、 結構化學、微觀分子動力學、光譜及能譜學、真空機械傳輸等多種科學技術及工程領域學 科知識的綜合應用。為了保持技術優勢和競爭力，防止技術外泄風險，已掌握先進技術的

38、 半導體設備企業通常會通過申請專利等方式設置較高的進入壁壘。公司一貫重視自主知識公司一貫重視自主知識 產權的研發，建立了科學的研發體系及知識產權保護體系。產權的研發，建立了科學的研發體系及知識產權保護體系。 公司高度重視核心技術的自主創新，堅持走獨立自主開發的路線，公司高度重視核心技術的自主創新，堅持走獨立自主開發的路線，20162018 年內累計年內累計 研發投入研發投入 10.37 億元， 約占同期營業收入的億元， 約占同期營業收入的 32%。 憑借研發團隊多年的努力以及持續不斷 的研發投入，公司成功研發了具有獨創性、先進性和前瞻性的半導體刻蝕設備及薄膜沉積 設備， 并實現了大規模產業化，

39、 積累了豐富的研發和產業化密切結合的經驗和雄厚的技術、 專利儲備。在刻蝕設備方面，公司成功開發了低電容耦合線圈技術、等離子體約束技術、 雙反應臺高產出率技術等關鍵技術。 在 MOCVD 設備方面， 公司新開發的 Prismo A7 設備 擁有雙區可調控工藝氣體噴淋頭和帶鎖托盤驅動技術，以實現優良的波長和厚度均一性指 標。 圖表圖表12： 近年公司近年公司研發研發投入情況投入情況 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 通過核心技術的創新，公司的產品已達到國內領先、國際先進水平。通過核心技術的創新，公司的產品已達到國內領先、國際先進水平。在開發等離子體刻蝕 設備和 MOCVD 設備的過程中

40、，公司堅持走獨立自主開發的路線，招募國際和國內一流的 技術人才，保持較高的研發投入。公司在設備的研發、設計和制造中始終強調創新和差異 化。在電容性等離子體刻蝕設備的開發中，公司在業界開創性地推出甚高頻去耦合等離體 子刻蝕技術；在電感性等離子體源的開發中，創造性地設計了新型電感線圈架構，較大程 度減少電容性耦合引起的不良作用；在 MOCVD 設備的開發中，設計了精確定位的托盤鎖 定機制。 3.02 3.30 4.04 0% 10% 20% 30% 40% 50% 60% 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 201620172018 億元 研發投入研發投

41、入的收入占比YOY-研發投入 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 9 刻蝕設備技術：刻蝕設備技術：在邏輯集成電路制造環節，公司開發的高端刻蝕設備已運用在國際知名客 戶最先進的生產線上并用于 7 納米器件中若干關鍵步驟的加工；同時，公司根據先進集成 電路廠商的需求開發 5 納米及更先進的刻蝕設備和工藝。在 3D NAND 芯片制造環節，公 司的電容性等離子體刻蝕設備技術可應用于 64 層的量產，同時公司根據存儲器廠商的需 求正在開發 96 層及更先進的刻蝕設備和工藝。公司的刻蝕設備技術處于世界先進水平， 符合產業發展趨勢。 圖表圖表13： 公司公司電容電容性性等離子體刻蝕設

42、備等離子體刻蝕設備（CCP）核心技術核心技術 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 圖表圖表14： 公司電感性公司電感性等離子體刻蝕設備等離子體刻蝕設備（ICP）核心技術核心技術 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 公司積累了深厚的技術儲備和豐富的研發經驗， 這一優勢保證了公司產品和服務的不斷進公司積累了深厚的技術儲備和豐富的研發經驗， 這一優勢保證了公司產品和服務的不斷進 步。步。公司擁有多項自主知識產權和核心技術，截至 2019 年 2 月 28 日，公司已申請 1,201 項專利，已獲授權專利 951 項，其中發明專利 800 項。公司先后承擔了五個國家科技發 展重大專

43、項研發項目，是執行國家科技發展重大專項的標桿單位。公司已順利完成四個等 離子體刻蝕機的開發和產業化項目，目前正在執行的第五個研發項目已提前兩年達到預定 技術指標。 圖表圖表15： 公司公司電容性等離子體刻蝕設備電容性等離子體刻蝕設備（CCP）主要研發項目主要研發項目 序號序號 名稱名稱 擬達到的主要目標擬達到的主要目標 階段及進展情況階段及進展情況 應用應用 技術水平比較技術水平比較 1 14-7 納米 CCP 介質刻蝕機 研發及產業化 下電極和晶圓周邊結構和性能改進、開發減少金 屬污染和顆粒物產生的新材料和新表面處理方 法，滿足均勻性、減少金屬污染和顆粒物的要求； 開發腔體和氣體傳輸系統采用

44、新型的防腐蝕涂層 材料 開發階段 14-7 納米集成電路 的 多 膜 層 結 構 刻 蝕、前端接觸孔、 有機掩模層刻蝕等 刻蝕 國際先進水平 2 用于先進邏輯電路的 CCP 刻蝕設備 實現等離子體密度分布的可調 節，滿足均勻性、 減少金屬污染和顆粒物的要求 研究階段 7 納米以下邏輯電 路刻蝕 國際先進水平 3 用于存儲器刻蝕的 CCP 刻 蝕設備 設計開發超低頻和超大功率的射頻等離子系統及 對應的靜電吸 盤、多區控溫性能的上電極、溫度 可調節的邊緣環系統等，滿足超高深寬比的刻蝕 需求 研究階段 3D NAND，128 層 追趕國際先進水 平 4 刻蝕設備的進一步改進 集成電路刻蝕設備的工藝改

45、進， 電極和晶圓周邊 結構和性能的改進、優化上電極的設計等，滿足 穩定生產的需求 研究階段 頂層金屬接觸孔、 金屬溝槽等的刻蝕 國際先進水平 公司研究/首次覆蓋 | 2020 年 02 月 11 日 10 圖表圖表16： 公司電感公司電感性等離子體刻蝕設備性等離子體刻蝕設備（ICP）主要研發項目主要研發項目 序號序號 名稱名稱 擬達到的主要目標擬達到的主要目標 階段及進展情況階段及進展情況 應用應用 技術水平比較技術水平比較 1 14-7 納米 ICP 介質刻蝕機 研發及產業化 涉及開發射頻能量饋入電感式耦合線圈、雙控細 分多區動態靜電吸盤、先進的射頻匹配技術及動 態、分區域的反應氣體注入系統

46、等 開發階段 14-7 納米集成電路的 刻蝕，如雙重/四重圖 形、模板刻蝕、邊墻刻 蝕、減薄刻蝕等 國際先進水平 2 高端 MEMS 等離子體刻蝕 設備研發及產業化 開發提高氣體解離率和等離子體的均勻性的裝 置；設計開發脈沖射頻發生器；開發靜電吸附卡 盤邊緣保護裝置和聚焦環等 開發階段 先進 MEMS 芯片 國際先進水平 資料來源：中微公司招股說明書，華泰證券研究所 公司公司研發、工程技術人員占比達研發、工程技術人員占比達 37%、22%（截至（截至 2018 年末）年末） ，產品附加值高，人均產產品附加值高，人均產 值從值從 2016 年的約年的約 120 萬元增長至萬元增長至 2018 年的約年的約 250 萬元。萬元。公司按照電容性等離子體刻蝕 設備、電感性等離子體刻蝕設備、深硅刻蝕設備、MOCVD 設備等不同研發對象和項目產 品， 組成了分工明確的專業研發團隊。 截至 2018 年末， 公司共有研發和工程技術人