CVD 法硅碳突破球磨法的性能瓶頸，成為新一代主流工藝。在硅的納米化工藝上，傳統的機械球磨法轉向了化學氣相沉積法（CVD）是重要的技術迭代。CVD 法能夠將硅徑粒精確控制在 10nm 以內，并實現均勻包覆，正在迅速成為新一代主流工藝。相比之下，早期的球磨法難以將硅顆粒研磨至 100nm 以下，還容易導致顆粒團聚，影響電池的循環性能。 根據 GGII，新型硅碳預計大規模量產后成本僅高于傳統硅碳和一代硅氧，2030 年新型硅碳市場占比有望超 75%，成為市場主流。而傳統硅碳和一代硅氧憑借性價比優勢，占據一定性價比市場。但目前新型硅碳仍存在成本較高、良率較低（僅 50~60%）、無法大規模量產（行業還在做 20 公斤級設備，到百噸級設備配套產業鏈斷層）和產品一致性難控制（受孔隙率、多批次生產等影響）的問題亟待解決。