電車逆變器中應用碳化硅功率半導體器件性價比較高。雖然目前 SiC MOSFET價格相比于 Si IGBT價格仍然較高，但使用碳化硅功率器件之后，整車端可以減小冷卻系統和功率模塊的體積，降低驅動系統的能量損耗。據 Wolfspeed 測算，當純電動汽車逆變器的功率模塊全部采用SiC之后，可以顯著降低電力電子系統的體積和重量，提升整車 5%-10%的續航里程。根據 ROHM 的試驗結果，采用 SiC MOSFET替代 IGBT，車輛行駛的綜合電費成本可節約 6%，其中在市區內可節約 10%。