微電子用單晶硅及太陽能光伏產業用硅晶片的CZ、FZ法對比 求高,設備和技術復雜,生長過程需精確控制感應功率和熔區形狀以防止熔滴散落。此外,通常區熔晶錠直徑受限(≤200 mm較常見),生產成本高。關鍵控制包括維持熔區穩定高度、均勻冷卻以避免產生位錯,以及在氣氛中加入微量摻雜氣體以控制電阻率分布。 行業數據 下載Excel 下載圖片 原圖定位